- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 21/329 - Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type bipolaire, p.ex. diodes, transistors, thyristors les dispositifs comportant une ou deux électrodes, p.ex. diodes
Détention brevets de la classe H01L 21/329
Brevets de cette classe: 634
Historique des publications depuis 10 ans
44
|
32
|
43
|
34
|
33
|
62
|
40
|
53
|
35
|
2
|
2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 |
Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
---|---|---|
Fuji Electric Co., Ltd. | 4966 |
59 |
Rohm Co., Ltd. | 6336 |
52 |
Mitsubishi Electric Corporation | 44794 |
42 |
Flosfia Inc. | 226 |
27 |
Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | 794 |
25 |
Murata Manufacturing Co., Ltd. | 23680 |
17 |
Kyocera Corporation | 13335 |
17 |
Denso Corporation | 23747 |
13 |
Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. | 212 |
10 |
TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA (also trading as TOYOTA MOTOR CORPORATION) | 13096 |
10 |
Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 14956 |
9 |
Cree, Inc. | 1062 |
9 |
Tamura Corporation | 354 |
9 |
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology | 3734 |
8 |
Kabushiki Kaisha Tokai Rika Denki Seisakusho | 1756 |
6 |
Hitachi, Ltd. | 15220 |
5 |
Robert Bosch GmbH | 41765 |
5 |
ABB Schweiz AG | 6624 |
5 |
Csmc Technologies Fab2 Co., Ltd. | 697 |
5 |
Tokyo Institute of Technology | 1388 |
5 |
Autres propriétaires | 296 |