- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 62/852 - Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux étant des matériaux du groupe III-V, p. ex. GaAs étant des matériaux du groupe III-V comprenant trois éléments ou plus, p. ex. AlGaN ou InAsSbP
Détention brevets de la classe H10D 62/852
Brevets de cette classe: 14
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| The Regents of the University of Michigan | 4768 |
2 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 148765 |
1 |
| The Regents of the University of California | 20245 |
1 |
| Toshiba Corporation | 12534 |
1 |
| Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 15732 |
1 |
| Cornell University | 3353 |
1 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6417 |
1 |
| Mitsubishi Electric Research Laboratories, Inc. | 1087 |
1 |
| National Research Council of Canada | 1551 |
1 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 10780 |
1 |
| Trojan Technologies Inc. | 51 |
1 |
| Navitas Semiconductor Limited | 183 |
1 |
| Sony Group Corporation | 14474 |
1 |
| Autres propriétaires | 0 |