- Sections
- H - Électricité
- H10F - Dispositifs à semi-conducteurs inorganiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire
- H10F 30/10 - Dispositifs individuels à semi-conducteurs sensibles au rayonnement dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers les dispositifs, p. ex. photodétecteurs les dispositifs étant sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet et n’ayant pas de barrières de potentiel, p. ex. photo-résistances
Détention brevets de la classe H10F 30/10
Brevets de cette classe: 60
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| National Nanotech Innovation Center | 3 |
3 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 11123 |
2 |
| Asahi Kasei Microdevices Corporation | 592 |
2 |
| Cambridge Enterprise Limited | 1246 |
2 |
| The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy | 1451 |
2 |
| Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | 5539 |
2 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 157719 |
1 |
| The Regents of the University of California | 20745 |
1 |
| Honeywell International Inc. | 12778 |
1 |
| Texas Instruments Incorporated | 19672 |
1 |
| Mitsubishi Electric Corporation | 48018 |
1 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 123385 |
1 |
| TDK Corporation | 6858 |
1 |
| Wisconsin Alumni Research Foundation | 3898 |
1 |
| Thales SA | 2386 |
1 |
| President and Fellows of Harvard College | 6094 |
1 |
| Hamamatsu Photonics K.K. | 4681 |
1 |
| Fraunhofer-Gesellschaft zur Foerderung der angewandten Forschung e.V. | 5257 |
1 |
| Lawrence Livermore National Security, LLC | 1973 |
1 |
| Japan Display Inc. | 2997 |
1 |
| Autres propriétaires | 33 |