- Sections
- H - Électricité
- H10F - Dispositifs à semi-conducteurs inorganiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire
- H10F 30/222 - Dispositifs individuels à semi-conducteurs sensibles au rayonnement dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers les dispositifs, p. ex. photodétecteurs les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. phototransistors les dispositifs étant sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet les dispositifs ayant une seule barrière de potentiel, p. ex. photodiodes la barrière de potentiel étant une hétérojonction PN
Détention brevets de la classe H10F 30/222
Brevets de cette classe: 30
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 16050 |
2 |
| The Royal Institution for The Advancement of Learning / McGill University | 713 |
2 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 152914 |
1 |
| Canon Inc. | 42088 |
1 |
| Electronics and Telecommunications Research Institute | 9484 |
1 |
| Infineon Technologies AG | 8374 |
1 |
| Mitsubishi Electric Corporation | 47511 |
1 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 10975 |
1 |
| Hamamatsu Photonics K.K. | 4590 |
1 |
| Nippon Telegraph and Telephone Corporation | 16247 |
1 |
| Alphamicron Incorporated | 90 |
1 |
| Raynergy Tek Inc. | 111 |
1 |
| Sensor Electronic Technology, Inc. | 465 |
1 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 11155 |
1 |
| South China University of Technology | 1855 |
1 |
| STMicroelectronics International N.V. | 3713 |
1 |
| United Arab Emirates University | 367 |
1 |
| University of South Carolina | 838 |
1 |
| PowerCubeSemi. INC | 13 |
1 |
| Marvell Asia PTE, Ltd. | 6361 |
1 |
| Autres propriétaires | 8 |