- Sections
- H - Électricité
- H10F - Dispositifs à semi-conducteurs inorganiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire
- H10F 55/255 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles au rayonnement couverts par les groupes , ou structurellement associés à des sources lumineuses électriques et électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sources dans lesquels la source lumineuse électrique commande les dispositifs à semi-conducteurs sensibles au rayonnement, p. ex. optocoupleurs dans lesquels les dispositifs sensibles au rayonnement et la source lumineuse électrique sont tous des dispositifs à semi-conducteurs formés dans ou sur un même substrat
Détention brevets de la classe H10F 55/255
Brevets de cette classe: 43
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | 33911 |
4 |
| Ams-osram AG | 357 |
3 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 157557 |
2 |
| Asahi Kasei Microdevices Corporation | 587 |
2 |
| Starkey Laboratories, Inc. | 1364 |
2 |
| Photonic Inc. | 87 |
2 |
| Ams-osram International GmbH | 1644 |
2 |
| OIP Technology Pte Ltd | 15 |
2 |
| Ennostar Corporation | 961 |
2 |
| Mitsubishi Electric Corporation | 47971 |
1 |
| Massachusetts Institute of Technology | 10239 |
1 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 11127 |
1 |
| The Trustees of Columbia University in the City of New York | 3643 |
1 |
| Lawrence Livermore National Security, LLC | 1972 |
1 |
| ams International AG | 446 |
1 |
| Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | 1740 |
1 |
| Bridgelux, Inc. | 361 |
1 |
| The George Washington University | 451 |
1 |
| IC-Haus GmbH | 21 |
1 |
| Lextar Electronics Corporation | 78 |
1 |
| Autres propriétaires | 11 |