Abrégé

A semiconductor package component which has an outer profile including an oblique package edge obliquely interconnecting between two adjacent side walls. The semiconductor package component includes a first redistribution layer (RDL) unit, a chip unit, a dummy die unit, an encapsulation layer, and a second RDL unit. The chip unit is disposed on the first RDL unit. The dummy die unit includes a dummy die that is disposed on the first RDL unit, and has a dummy die edge which extends in a direction parallel to the oblique package edge. A method for making the semiconductor package component is also disclosed.

Classes IPC  ?

• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 23/544 - Marques appliquées sur le dispositif semi-conducteur, p. ex. marques de repérage, schémas de test

Abrégé

An optoelectronic package includes a first and a second redistribution layers, a plurality of first and second metal pillars, an optoelectronic chip, a first and a second insulation layers and a processing component. The first metal pillars are disposed on the first redistribution layer. The optoelectronic chip includes a wiring layer, an active structure and a main layer. The wiring layer is electrically connected to the first metal pillars. The main layer is disposed between the wiring layer and the active structure. The first insulation layer disposed on the first redistribution layer covers the optoelectronic chip and the first metal pillars. The processing component is electrically connected to the first redistribution layer which is located between the processing component and the optoelectronic chip. The second metal pillars and the second insulation layer are disposed between the first redistribution layer and the second redistribution layer.

Classes IPC  ?

• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants

Abrégé

A semiconductor package structure includes a first package and a second package. The first package includes a first redistribution layer, a second redistribution layer, a third redistribution layer, at least one first chip, at least one second chip, multiple first conductive elements, multiple second conductive elements, a first encapsulant, a second encapsulant, and multiple solders. The second redistribution layer is located between the first redistribution layer and the third redistribution layer and includes multiple chip connectors. Each chip connector includes a connecting pad, a nickel layer, and a gold layer. The connecting pad has top surface and a peripheral surface. The nickel layer covers the top surface and the peripheral surface of the connecting pad, and the gold layer covers the nickel layer located on the top surface of the connecting pad. The second encapsulant is disposed on the third redistribution layer and is electrically connected to the first encapsulant.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/11 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans la sous-classe

Abrégé

A low warpage chip includes a chip body, a plurality of signal contacts, and an anti-warpage layer. The chip body has a back surface and an active surface opposite to each other and has a circuit layer inside. The plurality of signal contacts are configured on the active surface and are electrically connected to the circuit layer. The anti-warpage layer covers at least a part of the back surface. A thermal expansion coefficient of the anti-warpage layer is greater than a thermal expansion coefficient of the chip body. When the low warpage chip undergoes a thermal processing procedure, the anti-warpage layer mitigates the warpage of the chip body to maintain the chip body in a relatively flat state.

Classes IPC  ?

• H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

A package device and a manufacturing method thereof are provided. The package device includes a package structure, a redistribution layer, an underfill layer, a plurality of conductive pillars, another redistribution layer, and an encapsulant. The underfill layer is disposed between the package structure and the redistribution layer, and the conductive pillars and the package structure are disposed side by side between the redistribution layers. The encapsulant is disposed between the redistribution layers and surrounds the package structure and the conductive pillars.

Classes IPC  ?

• H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans la sous-classe
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/34 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

A semiconductor package structure includes a redistribution structure layer, at least one chip, an encapsulant, and multiple solder balls. The redistribution structure layer includes multiple first connectors located on a first side. Each first connector includes a connecting pad, a soldering pad, and multiple conductive blind holes located between the connecting pad and the soldering pad. The conductive blind holes are disposed separately from each other and connect the connecting pad and the soldering pad. The chip is disposed on a second side of the redistribution structure layer and electrically connected to the redistribution structure layer. The encapsulant is disposed on the second side and at least covers the chip and the second side. The solder balls are disposed on the first side of the redistribution structure layer and electrically connected to the redistribution structure layer. The solder balls are respectively connected to the connecting pad of each first connector.

Classes IPC  ?

• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs différents groupes principaux de la même sous-classe , , , , ou

Abrégé

A package structure including a first chip, a second chip, a plurality of fourth chips, a first redistribution layer, a second redistribution layer, a third redistribution layer, a first dielectric body, a second dielectric body, and a conductive member is provided. The first chip is disposed between the first redistribution layer and the third redistribution layer. The conductive member is disposed between the first redistribution layer and the second redistribution layer. The second redistribution layer is electrically connected to the first chip through the conductive member and the first redistribution layer. The second redistribution layer is disposed between the second chip and the fourth chip. Two of the fourth chips are electrically connected to each other through the second redistribution layer and the second chip. The first dielectric body covers the first chip, the second chip, the first redistribution layer, the second redistribution layer, the third redistribution layer, and the conductive member. The second dielectric body covers the second redistribution layer.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p. ex. fils de connexion ou bornes
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/11 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans la sous-classe

Abrégé

Disclosed is a packaging structure including a first chip, a second chip, multiple fourth chips, a first redistribution layer, a second redistribution layer, a third redistribution layer, a first dielectric body, a second dielectric body, and a conductive member. The first chip is disposed between the first redistribution layer and the third redistribution layer. The conductive member is disposed between the first redistribution layer and the second redistribution layer. The second redistribution layer is electrically connected to the first chip by the conductive member and the first redistribution layer, and is disposed between the second chip and the fourth chip. Two fourth chips are electrically connected to each other by the second redistribution layer and the second chip. The first dielectric body covers the second chip, the first redistribution layer, the second redistribution layer, and the conductive member. The second dielectric body covers the second redistribution layer.

Classes IPC  ?

• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/14 - Supports, p. ex. substrats isolants non amovibles caractérisés par le matériau ou par ses propriétés électriques
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p. ex. fils de connexion ou bornes
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/03 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses

Abrégé

A three-dimensional (3D) semiconductor package component includes a carrier substrate, a first redistribution layer unit, at least one 3D packaging chip, an encapsulation layer and a second redistribution layer unit. The first redistribution layer unit is formed on a surface of the carrier substrate. The at least one 3D packaging chip is formed on the first redistribution layer unit. The encapsulation layer covers a surface of the first redistribution layer unit and encapsulates at least one 3D packaging chip. The second redistribution layer unit is formed on a surface of the encapsulation layer opposite to the first redistribution layer unit. A method for making the 3D semiconductor package component is also provided.

Classes IPC  ?

• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p. ex. fils de connexion ou bornes
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 25/03 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses
• H10D 80/30 - Ensembles de plusieurs dispositifs comprenant au moins un dispositif couvert par la présente sous-classe l’au moins un dispositif étant couvert par les groupes , p. ex. des ensembles comprenant des puces de processeur à circuit intégré

Abrégé

A stacked package has a first package and a second package vertically stacked and electrically connected to each other. Any one or each of the first package and the second package includes a first substrate and a second substrate, wherein a chip cavity is formed on an inner surface of the first substrate and a first flip-chip is mounted in the chip cavity. A second flip-chip facing the chip cavity is mounted on an inner surface of the second substrate. Multiple inner pads are respectively formed on opposite surfaces of the first and the second substrates for interconnecting the substrates electrically. Because no encapsulant is provided to cover the first flip-chip and the second flip-chip, the problem of separation between the encapsulant and the substrates is avoided.

Classes IPC  ?

• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/13 - Supports, p. ex. substrats isolants non amovibles caractérisés par leur forme
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants

Abrégé

A stacked package device has a first package and a second package vertically stacked and electrically connected to each other. One or each of the first package and the second package includes a first substrate, a second substrate and multiple conductive bumps. A first flip-chip and a second flip-chip are respectively mounted on opposite surfaces of the first substrate and the second substrate. The multiple conductive bumps are electrically connected between the opposite surfaces of the first substrate and the second substrate to achieve signal transmission between the first flip-chip and the second flip-chip. The use of the multiple conductive bumps avoids the structure damage resulting from thermal stress. Since no encapsulant is provided to cover each flip-chip, the problem of separation between the encapsulant and the substrate is avoided.

Classes IPC  ?

• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe

Abrégé

A chip package includes a carrying part, an electronic component, solders, and a filling glue. The carrying part includes an insulating layer and a wiring structure layer disposed on the insulating layer while a first sidewall of the carrying part exposes the wiring structure layer and the insulating layer. The electronic component is disposed on the wiring structure layer. A gap is formed between the electronic component and the wiring structure layer. The solders disposed in the gap are connected to the electronic component and the wiring structure layer. The filling glue covers the wiring structure layer and the side of the electronic component and fills the gap. The filling glue has a second sidewall flush with the first sidewall of the carrying part and a top surface surrounding by the second sidewall and extending from the side of the electronic component to the second sidewall.

Classes IPC  ?

• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 23/552 - Protection contre les radiations, p. ex. la lumière
• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides

Abrégé

An image sensor package includes an image sensor chip having a chip body, a metal dam, and a transparent substrate having a surface. The chip body has an active surface including a photosensitive area and a non-sensitive area surrounding the photosensitive area. The metal dam is formed on the non-sensitive area of the active surface, surrounds a photosensitive layer formed on the photosensitive area at intervals, is electrically insulated from the chip body, and has a thickness. A glue dam is formed on the surface and is aligned with and is bonded to the metal dam. A thickness of the glue dam is less than the thickness of the metal dam. Accordingly, the metal dam and the glue dam are combined to form a dam structure, and the quantity of liquid glue to form the glue dam is decreased. Thus, the yield of the image sensor package is enhanced.

Classes IPC  ?

• H10F 39/12 - Capteurs d’images
• H10F 39/00 - Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comprenant au moins un élément couvert par le groupe , p. ex. détecteurs de rayonnement comportant une matrice de photodiodes

Abrégé

A package structure including a chip, an encapsulant, a first redistribution circuit structure, a second redistribution circuit structure, a conductive member, and a coded structure is provided. The encapsulant has a first encapsulating surface and a second encapsulating surface opposite thereto. The encapsulant covers the chip. The first redistribution circuit structure is disposed on the first encapsulating surface of the encapsulant. The second redistribution circuit structure is disposed on the second encapsulating surface of the encapsulant. The chip is electrically connected to the first redistribution circuit structure or the second redistribution circuit structure. The conductive member penetrates through the encapsulant to be electrically connected to the first redistribution circuit structure and the second redistribution circuit structure. The coded structure is disposed on the second redistribution circuit structure. The coded structure includes a readable coded pattern.

Classes IPC  ?

• H01L 23/544 - Marques appliquées sur le dispositif semi-conducteur, p. ex. marques de repérage, schémas de test
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/10 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés

Abrégé

A package structure including a redistributed circuit structure, a plurality of chips, a second encapsulant, a plurality of supporting members, a first encapsulant, and a plurality of connection terminals are provided. The redistributed circuit structure has a first surface and a second surface opposite thereto. The chips are disposed on the second surface of the redistributed circuit structure. The second encapsulant is disposed on the second surface of the redistributed circuit structure and covers the chips. The supporting members are disposed on the first surface of the redistributed circuit structure. The first encapsulant is disposed on the first surface of the redistributed circuit structure and covers the supporting members. The connection terminals are connected to the supporting members.

Classes IPC  ?

• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe

Abrégé

A package structure and a manufacturing method thereof are provided. The package structure includes a redistributed circuit structure, a plurality of chips, a second encapsulant, a plurality of supporting members, a first encapsulant, and a plurality of connection terminals is provided. The redistributed circuit structure has a first surface and a second surface opposite to each other. The chips are disposed on the second surface of the redistributed circuit structure. The second encapsulant is disposed on the second surface of the redistributed circuit structure and covers the chips. The supporting members are disposed on the first surface of the redistributed circuit structure. The first encapsulant is disposed on the first surface of the redistributed circuit structure and covers the supporting members. The connection terminals are connected to the supporting members.

Classes IPC  ?

• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe

Abrégé

A package structure and a manufacturing method thereof are provided. The package structure includes a first package including a first redistribution layer, at least one chip and a second redistribution layer, and at least one second package disposed on the first package and including a substrate, an adhesive layer, at least two optical chips, an encapsulant layer, and a third redistribution layer. The optical chips are attached to a surface of the substrate close to the first package through the adhesive layer, and each optical chip has an optical surface close to the substrate. The encapsulant layer is disposed on the surface and surrounds the optical chips. The third redistribution layer is disposed between the encapsulant layer and the second redistribution layer, in which the second redistribution layer is electrically connected to the optical chips through the third redistribution layer.

Classes IPC  ?

• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p. ex. fils de connexion ou bornes
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants

Abrégé

A package structure including a first redistribution circuit structure, a chip, a second redistribution circuit structure, a plurality of packages, and a plurality of limiting connectors is provided. The chip is disposed on the first redistribution circuit structure. The second redistribution circuit structure is disposed on the chip. The plurality of packages are disposed on the second redistribution circuit structure. Each of the packages includes an encapsulant. The plurality of limiting connectors are disposed between each of the packages and the second redistribution circuit structure.

Classes IPC  ?

• H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs différents groupes principaux de la même sous-classe , , , , ou

Abrégé

An image sensor includes an image sensing chip, an encapsulant, a plurality of outer-side encapsulant vias, an interior wire redistribution layer and an exterior wire redistribution layer. The encapsulant wraps around the image sensing chip, the outer-side encapsulant vias penetrate the encapsulant, and the interior wire redistribution layer is formed on a top surface of the encapsulant, wherein the image sensing chip is electrically connected to the exterior wire redistribution layer through the interior wire redistribution layer and the outer-side encapsulant vias, and then further through the conducting terminals on the exterior wire redistribution layer to connect to the outside. The exterior wire redistribution layer is directly formed underneath the image sensing chip without using a substrate. Since the electrical connection is realized through the outer-side encapsulant vias, the thicknesses of the encapsulant and the size of the packaged image sensor can be reduced.

Classes IPC  ?

• H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images

Abrégé

A package structure includes a chip and a dielectric. The chip includes a chip connector disposed on an active surface of the chip. The dielectric is at least disposed on the active surface of the chip. The chip connector has a top surface and a side surface connected to the top surface. The dielectric does not directly cover part of the side surface close to the top surface.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

An image sensor includes a chip, a cover, a first dam layer, and a second dam layer. The chip has a sensing area. The cover covers the chip. The first dam layer and the second dam layer are located between the chip and the cover and surround the sensing area. The second dam layer is located between the first dam layer and the chip, and a width of the first dam layer is greater than a width of the second dam layer, and the first dam layer is extended to the sensing area by a distance. A manufacturing method of an image sensor is also provided.

Classes IPC  ?

• H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images

Abrégé

A stacked package structure and a manufacturing method thereof are provided. The stacked package structure includes an upper redistribution layer, a first chip, and an upper molding layer. The first chip is disposed on the upper redistribution layer and is electrically connected to the upper redistribution layer. The upper molding layer is disposed on the first chip and the upper redistribution layer, and is configured to package the first chip. The upper molding layer includes a recess, the recess is recessed relative to a surface of the upper molding layer away from the upper redistribution layer, and the recess is circumferentially formed around a periphery of the upper molding layer.

Classes IPC  ?

• H10W 42/20 -
• H10W 70/60 -
• H10W 74/01 -
• H10W 74/10 -
• H10W 90/00 -
• H10W 72/00 -
• H10W 72/30 -
• H10W 74/15 -
• H10W 80/00 -

Abrégé

A package structure and a manufacturing method thereof are provided. The package structure includes a redistribution layer, a conductive element, an active chip, an encapsulation layer, another redistribution layer, and a conductive terminal. The conductive element, the active chip, and the encapsulation layer are disposed on the redistribution layer and the encapsulation layer surrounds the conductive element and the active chip. The another redistribution layer is disposed on the conductive element, the active chip and the encapsulation layer and electrically connected to the redistribution layer through the conductive element.

Classes IPC  ?

• H01L 25/10 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

A package structure and a manufacturing method thereof are provided. The package structure includes a redistribution layer, a conductive pillar, an active chip, an encapsulation layer, and another redistribution layer. The conductive pillar and the active chip are side by side disposed on the redistribution layer. The encapsulation layer surrounds the active chip and the conductive pillar, in which the encapsulation layer has a first through hole disposed between the active chip and the redistribution layer and a second through hole disposed between the conductive pillar and the redistribution layer, and a depth of the first through hole is less than a depth of the second through hole. The another redistribution layer is disposed on a side of the redistribution layer away from the redistribution layer and electrically connected to the redistribution layer through the conductive pillar.

Classes IPC  ?

• H10W 90/00 -
• H10W 70/05 -
• H10W 70/65 -
• H10W 70/685 -
• H10W 70/69 -
• H10W 74/01 -
• H10W 74/10 -
• H10W 72/00 -
• H10W 74/00 -
• H10W 74/40 -

Abrégé

A package structure and a manufacturing method thereof are provided. The package structure includes a plurality of micro-lens chips arranged at intervals and a coplanar control layer. The coplanar control layer is configured to encapsulate the plurality of micro-lens chips therein. At least one surface of each of the micro-lens chips is exposed outside the coplanar control layer, and the at least one surface of each of the micro-lens chips is coplanar.

Classes IPC  ?

• H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension

Abrégé

A package structure and a manufacturing method thereof are provided. The package structure includes a first package and a second package, and the second package is disposed on the first package. The first package includes a first redistribution layer, at least one chip and a second redistribution layer. The chip is disposed between the first redistribution layer and the second redistribution layer. The second package includes a third redistribution layer and at least three light-emitting elements. The third redistribution layer is electrically connected to the second redistribution layer, and the second redistribution layer is disposed between the chip and the third redistribution layer. The light-emitting elements are disposed on the third redistribution layer and electrically connected to the third redistribution layer. Each light-emitting element includes a first surface opposite to the third redistribution layer, and the first surfaces of the light-emitting elements are coplanar.

Classes IPC  ?

• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p. ex. fils de connexion ou bornes
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

An image sensor package with low light-sensing noise has a chip body having a photosensitive area and non-sensitive area. The photosensitive area includes a photosensitive layer having a plurality of photosensitive units. A color filter is disposed on the photosensitive layer and has a plurality of filter units corresponding to the photosensitive units and a black matrix. A black adhesive layer is disposed on the non-sensitive area for mounting a glass cover. A gap is kept between the glass cover and the first surface of the chip body. When an incident light passes through the glass cover and emits to the photosensitive area, the black matrix absorbs the light traveling through the filter unit toward the photosensitive units adjacent to the filter unit. Furthermore, a light emitting to the non-sensitive area can be absorbed by the black adhesive layer. Thus, a light-sensing noise of the chip can be effectively decreased.

Classes IPC  ?

• H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images

Abrégé

A chip structure has a chip body having a plurality of pads, a plurality of metal bumps respectively formed on the pads, and a patterned bump directly formed on the chip body. The patterned bump has at least two different upper and lower plane patterns. A top surface of each of the metal bumps is higher than a height position on which the upper plane pattern is. When the chip structure is ground to the height position, the ground tops of the metal bumps and the upper plane pattern are flush. Therefore, detecting whether the upper plane pattern is exposed determines whether all the metal bumps are exposed and flush to each other to avoid insufficient grinding depth or over-ground.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides

Abrégé

A fan-out package structure of an image sensing device includes an image sensing unit having an image sensor with opposite sensing surface and connecting surface, a spacer layer surrounding a central portion of the sensing surface, and a light-transmitting cover plate disposed on the spacer layer spaced apart from and covering the sensing surface. An image signal processor is disposed on the connecting surface. A redistribution layer covers the image signal processor and the connecting surface, and includes a fan-out area. An encapsulation layer is disposed on the fan-out area, surrounds and covers an outer periphery of the image sensing unit, and allows a top surface of the light-transmitting cover plate to be exposed. A method of manufacturing a fan-out package structure of an image sensing device is also disclosed.

Classes IPC  ?

• H10F 39/00 - Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comprenant au moins un élément couvert par le groupe , p. ex. détecteurs de rayonnement comportant une matrice de photodiodes

Abrégé

A package device and a manufacturing method thereof are provided. The package device includes a substrate, a plurality of conductive pillars, at least one bridge chip, a photosensitive encapsulation layer, a redistribution layer, and at least two active chips. The conductive pillars and the bridge chip are disposed on the substrate. The photosensitive encapsulation layer surrounds the bridge chip and the conductive pillars, in which a distance between a top surface of the bridge chip and a top surface of the photosensitive encapsulation layer is less than a distance between a top surface of one of the conductive pillars and the top surface of the photosensitive encapsulation layer. The redistribution layer is disposed on the photosensitive encapsulation layer, the active chips are disposed on the redistribution layer, and the bridge chip is coupled between the active chips.

Classes IPC  ?

• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements

Abrégé

A package device and a manufacturing method thereof are provided. The package device includes a substrate, a plurality of conductive pillars, a redistribution layer, at least one bridge chip, at least two active chips, an encapsulant, and an underfill layer. The conductive pillars are disposed on the substrate side by side, the redistribution layer is disposed on the conductive pillars, and the bridge chip is disposed between the substrate and the redistribution layer. The active chips are disposed on the redistribution layer, the bridge chip is coupled between the active chips, and the encapsulant is disposed on the redistribution layer and surrounds the active chips. The underfill layer is disposed between adjacent two of the conductive pillars and between one of the conductive pillars and the bridge chip.

Classes IPC  ?

• H10W 70/65 -
• H10W 70/05 -
• H10W 70/60 -
• H10W 74/01 -
• H10W 74/10 -
• H10W 74/15 -
• H10W 90/00 -
• H10W 72/00 -
• H10W 74/00 -

Abrégé

A semiconductor packaging assembly includes a redistribution layered structure having a plurality of device regions and a plurality of cutting regions separating the device regions, a plurality of recess structures respectively formed in the cutting regions, a plurality of chips respectively disposed in the device regions, and an encapsulating layer formed on the redistribution layered structure to fill the recess structures and enclose the chips.

Classes IPC  ?

• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

A chip-middle type fan-out panel-level package (FOPLP) has a routing layer, a polyimide layer formed on the routing layer and having a plurality of pillar openings and a chip opening, a plurality of metal pillars mounted on the routing layer through the corresponding pillar openings, a chip mounted on the first routing layer through the chip opening and a molding compound formed on the polyimide layer to encapsulate the metal pillars and the chip. The polyimide layer is used to control the warpage of the FOPLP. The polyimide layer is formed inside the FOPLP and the chip is directly mounted on the first routing layer through the chip opening, so a height of the FOPLP is not increased when the first PI layer is added.

Classes IPC  ?

• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe

Abrégé

Provided is an integrated antenna package structure including a chip, a circuit structure, a shielding body, an encapsulant, a first antenna layer, a dielectric body, and a second antenna layer. The circuit structure is electrically connected to the chip. The shielding body is disposed on the circuit structure and has an accommodating space. The chip is disposed in the accommodating space of the shielding body. The encapsulant is disposed on the circuit structure and covers the chip. The first antenna layer is disposed on the circuit structure and is electrically connected to the circuit structure. The dielectric body is disposed on the encapsulant. The second antenna layer is disposed on the dielectric body. A manufacturing method of the integrated antenna package structure is also provided.

Classes IPC  ?

• H01L 23/52 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/552 - Protection contre les radiations, p. ex. la lumière
• H01L 23/66 - Adaptations pour la haute fréquence
• H01Q 1/22 - SupportsMoyens de montage par association structurale avec d'autres équipements ou objets
• H01Q 1/52 - Moyens pour réduire le couplage entre les antennesMoyens pour réduire le couplage entre une antenne et une autre structure

Abrégé

A fan-out package structure and a manufacturing method thereof are provided. The fan-out package structure includes an upper redistribution layer, a die, a passive element, and an active element. The upper redistribution layer includes a first surface and a second surface opposite to the first surface. The die is disposed on the first surface of the upper redistribution layer and is electrically connected to the upper redistribution layer. The passive element is disposed on the second surface of the upper redistribution layer and is electrically connected to the upper redistribution layer. The active element is disposed on the second surface of the upper redistribution layer and is electrically connected to the upper redistribution layer. The active element is laterally adjacent to the passive element, and the die is electrically connected to the active element and the passive element through the upper redistribution layer.

Classes IPC  ?

• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants

Abrégé

A test head assembly for a semiconductor device has a carrier, a pin seat and a test wire assembly. The carrier is formed in an L shape and has a lateral board, a perpendicular board and a opening formed through the perpendicular board. The pin seat is mounted in the corresponding opening. The test wire assembly has a test head, a plurality of connectors and a plurality of test wires. The test head is mounted on an outer sidewall of the lateral board and connected to the pin seat through the test wires and the connectors. Therefore, the pin seat is mounted on the perpendicular board of the L-shaped uprightly and the test head is mounted on the lateral board. The pin seat and the test head are not parallel to each other, and a lateral size of the test head assembly is reduced to increase the space usage.

Classes IPC  ?

• G01R 31/26 - Test de dispositifs individuels à semi-conducteurs
• G01R 1/073 - Sondes multiples

Abrégé

A fan-out semiconductor package includes: a redistribution structure; a functional chip coupled to the redistribution structure; an isolation structure disposed on the redistribution structure and including a body formed with through-holes; a shielding structure disposed on the isolation structure and the redistribution structure; a first conductive pattern structure disposed on the isolation structure and extending through the through-holes of the isolation structure; an encapsulating structure disposed on the isolation structure, the shielding structure and the first conductive pattern structure; and a second conductive pattern structure disposed on the encapsulating structure. A method for manufacturing the fan-out semiconductor package is also disclosed.

Classes IPC  ?

• H01L 23/552 - Protection contre les radiations, p. ex. la lumière
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 21/762 - Régions diélectriques
• H01L 23/66 - Adaptations pour la haute fréquence
• H01Q 1/22 - SupportsMoyens de montage par association structurale avec d'autres équipements ou objets

Abrégé

A package structure, including a redistribution circuit layer, a first die, a dielectric body, a first connection circuit, a patterned insulating layer, a second die and a third die, is provided. The first die is disposed on the redistribution circuit layer and is electrically connected to the redistribution circuit layer. The dielectric body is disposed on the redistribution circuit layer and covers the first die. The first connection circuit is disposed on the dielectric body and is electrically connected to the redistribution circuit layer. The patterned insulating layer covers the first connection circuit. A portion of the patterned insulating layer is embedded in the dielectric body. The second die is disposed on the dielectric body and is electrically connected to the first connection circuit. The third die is disposed on the redistribution circuit layer, is opposite to the first die, and is electrically connected to the redistribution circuit layer.

Classes IPC  ?

• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 25/10 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants

Abrégé

A package structure and a manufacturing thereof are provided. The package structure includes a base, a chip, a control element and an underfill. The chip is disposed on the base and includes a recess, and the recess has a bottom surface and a sidewall. The control element is disposed between the base and the chip and disposed on the bottom surface of the recess, and a gap exists between the control element and the sidewall of the recess. The underfill is disposed in the recess. The chip and the control element are electrically connected to the base respectively.

Classes IPC  ?

• H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs différents groupes principaux de la même sous-classe , , , , ou
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

A semiconductor package comprising plurality of bumps and fabricating method thereof. The package has a chip, a plurality of first and second bumps, an encapsulation, a redistribution. The chip has a plurality of pads and an active area and the active surface has a first area and a second area surrounding the first, the pads formed on a first area of the active surface, each first bump formed on the corresponding pad. The second bumps are formed on the second area, each second bump has first and second different width layers. The encapsulation encapsulates the chip and bumps and is ground to expose the bumps therefrom. During grinding, all of the first bumps are completely exposed by determining a width of an exposed surface of the second bump to electrically connect to the redistribution is increased. Therefore, a shallow-grinding or over-grinding does not occur.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/488 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p. ex. fils de connexion ou bornes formées de structures soudées
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 21/463 - Traitement mécanique, p. ex. meulage, traitement par ultrasons
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition

Abrégé

A package structure, including a conductive element, multiple dies, a dielectric body, a circuit layer and a patterned insulating layer, is provided. The multiple dies are disposed on the conductive element. A portion of the conductive element surrounds the multiple dies. The dielectric body covers the multiple dies. The circuit layer is disposed on the dielectric body. The circuit layer is electrically connected to the multiple dies. The patterned insulating layer covers the circuit layer. A portion of the patterned insulating layer is disposed between the dies that are adjacent. A manufacturing method of a package structure is also provided.

Classes IPC  ?

• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 23/552 - Protection contre les radiations, p. ex. la lumière
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

A stacked semiconductor package has a substrate, a first chip, at least one spacer, a second chip and an encapsulation. The first chip and the second chip are intersecting stacked on the substrate. The at least one spacer is stacked on the substrate to support the second chip. The encapsulation is formed to encapsulate the substrate, the first chip, the at least one spacer and the second chip. The at least one spacer is made of the material of the encapsulation. Therefore, the adhesion between the at least one spacer and the encapsulation is enhanced to avoid the delamination during the reliability test and enhances the reliability of the stacked semiconductor package.

Classes IPC  ?

• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

A package structure including a first die, a second die, a dielectric body, a conductive terminal, a circuit layer and a patterned insulating layer is provided. The second die is disposed on the first die. A second active surface of the second die faces a first active surface of the first die. The dielectric body covers the first die. The conductive terminal is disposed on the dielectric body and opposite to the second die. The circuit layer includes a first circuit portion and a second circuit portion. The first circuit portion penetrates the dielectric body. The first die is electrically connected to the conductive terminal through the first circuit portion. The second circuit portion is embedded in the dielectric body. The second die is electrically connected to the first die through the second circuit portion. The patterned insulating layer covers the circuit layer and is embedded in the dielectric body.

Classes IPC  ?

• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe

Abrégé

A semiconductor package has a substrate, a chip and an encapsulation. The substrate has a dielectric layer, a copper wiring layer and a solder resist layer formed thereon. The copper wiring layer is formed on the dielectric layer and is covered by the solder resist layer. The solder resist layer has a chip area defined thereon and an annular opening formed thereon. The annular opening surrounds the chip area and exposes part of the copper wiring layer. The chip is mounted on the chip area and is encapsulated by the encapsulation. Therefore, the semiconductor package with the annular opening makes the solder resist layer discontinuous, and the concentration stress is decreased to avoid a crack formed on the solder resist layer or the copper wiring layer when doing thermal-cycle test.

Classes IPC  ?

• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

A package method of modular stacked semiconductor package is disclosed. A carrier and a plurality of the chip modules are provided. A plurality of redistribution layers are respectively formed in device areas of the carrier. The chip modules are stacked on the corresponding device areas of the carrier and are electrically connected to each other. A molding compound is formed on the redistribution layers on the carrier to encapsulate the chip modules. The carrier is removed to expose the redistribution layers. A plurality of solder balls are formed on the exposed redistribution layers. The molding compound is cut along adjacent edges of the device areas to form a plurality of modular stacked semiconductor packages. Since the chip modules are previously fabricated, connecting quality among the stacked chip modules is enhanced and is not affected by positioning error.

Classes IPC  ?

• H01L 21/78 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 25/10 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés

Abrégé

A powder spraying device has a first powder spraying tube and a second powder spraying tube arranged parallelly. The first powder spraying tube has a first opening formed on a bottom thereof. A first gate is mounted moveably on the first opening to selectively cover the first opening. The second powder spraying tube has a second opening formed on a bottom thereof. A second gate is mounted moveably on the second opening to selectively cover the second opening. When the first powder spraying tube and the second powder spraying tube are filled with different plastic particles, the first opening and the second opening are opened and closed at different times to spray different plastic particles so that the specific molding method requirements are met.

Classes IPC  ?

• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
• B29C 43/58 - Mesure, commande ou régulation
• B29C 43/34 - Alimentation en matière à mouler des moules ou des moyens de pressage
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements

Abrégé

A semiconductor packaging structure includes a substrate, a wiring layer, a mask layer, and a sealing layer. The substrate has an effective region and a dummy region surrounding the effective region. The wiring layer is disposed on the effective and dummy regions, and is formed with a predetermined pattern including spaced-apart protrusions to define at least one cavity partially exposing the dummy region. The mask layer covers the wiring layer, and is formed with a through hole to communicate in space with the cavity. The through hole is smaller in size than the cavity, and cooperates with the cavity to form an accommodating space. The sealing layer covers the mask layer, and includes an engaging element filling the accommodating space and adhering to the substrate.

Classes IPC  ?

• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements

Abrégé

A package structure including a first die, a second die, an encapsulant, a dam structure, a light-transmitting sheet, a conductive connector, a circuit layer, and a conductive terminal is provided. The first die includes a first active surface. The first active surface has a sensing area. The second die is arranged such that a second back surface thereof faces the first die. The encapsulant covers the second die. The encapsulant has a first encapsulating surface and a second encapsulating surface. The dam structure is located on the first encapsulating surface and exposes the sensing area. The light-transmitting sheet is located on the dam structure. The conductive connector penetrates the encapsulant. The circuit layer is located on the second encapsulating surface. The first die is electrically connected to the second die through the conductive connector and the circuit layer. The conductive terminal is disposed on the circuit layer.

Classes IPC  ?

• H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images

Abrégé

A packaging structure including first, second, and third dies, an encapsulant, a circuit structure, and a filler is provided. The encapsulant covers the first die. The circuit structure is disposed on the encapsulant. The second die is disposed on the circuit structure and is electrically connected to the circuit structure. The third die is disposed on the circuit structure and is electrically connected to the circuit structure. The third die has an optical signal transmission area. The filler is disposed between the second die and the circuit structure and between the third die and the circuit structure. A groove is present on an upper surface of the circuit structure. The upper surface includes first and second areas located on opposite sides of the groove. The filler directly contacts the first area. The filler is away from the second area. A manufacturing method of a packaging structure is also provided.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p. ex. fils de connexion ou bornes
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs différents groupes principaux de la même sous-classe , , , , ou

Abrégé

A package structure including a first die, an encapsulant, a first circuit structure, a second circuit structure, a conductive connector, a second die, and a filler is provided. The encapsulant covers the first die and has a first surface and a second surface opposite to each other. The first circuit structure is disposed on the first surface. The second circuit structure is disposed on the second surface. The conductive connector penetrates the encapsulant. The second die is disposed on the second circuit structure. The second die has an optical signal transmission area. The filler is disposed between the second die and the second circuit structure. An upper surface of the second circuit structure has a groove. The upper surface includes a first area and a second area disposed on opposite sides of the groove. The filler directly contacts the first area. The filler is disposed away from the second area.

Classes IPC  ?

• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

The semiconductor package has a metal layer, a first dielectric layer formed on a metal layer, and an opening formed through the first dielectric layer to expose a part of the metal layer. The bump structure has an under bump metallurgy (hereinafter UBM), a first buffer layer and a metal bump. The UBM is formed on the first part of the metal layer, a sidewall of the opening and a top surface of the first dielectric layer. The first buffer layer is formed between a part of the UBM corresponding to the top surface of the first dielectric layer and the top surface of the first dielectric layer. The metal bump is formed on the UBM. Therefore, the first buffer layer effectively absorbs a thermal stress to avoid cracks generated in the bump structure after the bonding step.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

A head of a tag device having a body, at least one row of negative-pressure through holes and at least one row of positive-pressure through holes. The body has a first surface and a second surface. The rows of negative and positive-pressure through holes are formed through the first and second surfaces of the body and arranged along a long-axis direction. Two negative and positive-pressure through holes at both ends of the corresponding row of negative and positive-pressure through holes are respectively close to the short sides of the body. Therefore, an effective labeling area is distributed between two short sides. The head of the tag device of the present invention provides a stable labeling operation for different products where different components are mounted and increases units per hour (UPH).

Classes IPC  ?

• B65C 9/28 - Dispositifs à soufflerie
• B65C 7/00 - Pose d'étiquettes volantes
• B32B 11/00 - Produits stratifiés composés essentiellement des substances bitumineuses ou à base de goudron

Abrégé

A testing device includes a measuring unit, a testing board supporting the measuring unit and connected to the measuring unit, and a connecting interface coupled to the testing board. The connecting interface includes connecting terminals protruding in a direction away from the testing board, and is connected to a device under test (DUT) via the connecting terminals. When the DUT is connected to the connecting interface, the measuring unit supplies a constant electric current via the testing board and the connecting interface to the DUT for a preset duration to result in a voltage, measures the voltage, and determines, based on a result of measurement of the voltage, an electrical connection status of the DUT.

Classes IPC  ?

• G01R 31/30 - Tests marginaux, p. ex. en faisant varier la tension d'alimentation
• G01R 31/68 - Test de connexions amovibles, p. ex. des raccords montés sur une carte de circuit imprimé

Abrégé

A method for packaging a semiconductor device includes the steps of: disposing a wafer on a first carrier plate; attaching a second carrier plate to a side of the first carrier plate opposite to the wafer; disposing a chip unit on a side of the wafer opposite to the first carrier plate; and covering the wafer and the chip unit with an encapsulation layer. A semiconductor packaging structure is also disclosed.

Classes IPC  ?

• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/29 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par le matériau
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension

Abrégé

A semiconductor package structure includes a first redistribution layer, a plurality of conductive connectors, a chip, and an encapsulant. The first redistribution layer has a first surface and a second surface opposite to the first surface. The first redistribution layer includes at least one conductive pattern and at least one dielectric layer stacked on each other. The conductive pattern includes a plurality of landing pads, and each of the landing pads is separated from the dielectric layer. The conductive connectors are located on the first surface. Each of the conductive connectors is corresponding to and electrically connected to one of the landing pads. The chip is located on the first surface. The chip is electrically connected to the first redistribution layer. The encapsulant encapsulates the chip and the conductive connectors. A manufacturing method of a semiconductor package structure is also provided.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements

Abrégé

A wafer transferring device adapted to suck and transfer a first wafer is provided. The wafer transferring device includes an arm and a supporting carrier. The supporting carrier is connected to the arm. The supporting carrier has a single vacuum suction port exposed to an upper surface of the supporting carrier. The supporting carrier is adapted to move to a position below the first wafer. The single vacuum suction port is adapted to suck a first central region of the first wafer so as to lift up and transfer the first wafer.

Classes IPC  ?

• B25J 15/06 - Têtes de préhension avec moyens de retenue magnétiques ou fonctionnant par succion
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
• B25J 11/00 - Manipulateurs non prévus ailleurs
• B25J 15/00 - Têtes de préhension

Abrégé

A semiconductor package having a partial outer metal layer and packaging method thereof is disclosed. In the method, a specific packaging substrate or a specific positioning plate is used to package multiple semiconductor devices and a partial outer metal layer is quickly formed on an encapsulation of each semiconductor device in the same step.

Classes IPC  ?

• H01L 23/66 - Adaptations pour la haute fréquence
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01Q 1/22 - SupportsMoyens de montage par association structurale avec d'autres équipements ou objets

Abrégé

Batch semiconductor packaging structures with back-deposited shielding layer and manufacturing method are provided. A grid having multiple frames is glued on an adhesive substrate. Multiple semiconductor devices respectively align with corresponding frames and are stuck on the adhesive substrate. Then a metal layer covers the semiconductor devices and the grid. A distance between four peripheries of a bottom of each semiconductor device and the corresponding frame is smaller than a distance between the bottom and the adhesive substrate, so that the a portion of the metal layer extended to the peripheries of the bottom is effectively reduced during forming the metal layer. After the semiconductor devices are picked up, no metal scrap is remined thereon. Therefore, the adhesive substrate does not need to form openings in advance and is reusable. The grid is also reusable so the manufacturing cost of the present invention is decreased.

Classes IPC  ?

• H01L 23/552 - Protection contre les radiations, p. ex. la lumière
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements

Abrégé

A chip carrier device includes a frame, a chip support and a limiter. The chip support is disposed on the frame, and includes a supporting film for chips to be adhered thereto. A peripheral portion of the supporting film is attached to a surrounding frame part of the frame. A crossing portion of the supporting film passes through a center of the supporting film, and interconnects two opposite points of the peripheral portion. The supporting film is formed with through holes. The limiter includes a limiting part that interconnects two opposite points of the surrounding frame part, that is positioned corresponding to the crossing portion, and that is positioned on one side of the supporting film where the chips are to be arranged.

Classes IPC  ?

• H01L 21/673 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants utilisant des supports spécialement adaptés
• C23C 14/56 - Appareillage spécialement adapté au revêtement en continuDispositifs pour maintenir le vide, p. ex. fermeture étanche

Abrégé

A sensor includes a first chip, a dam structure and a cover. The first chip includes a substrate, a sensing area and a low-k material layer. The sensing area is located on the surface of the substrate. The low-k material layer is located in the substrate. The dam structure is located on the first chip. The dam structure covers the edge of the low-k material layer. The cover is located on the dam structure and covers the sensing area. A manufacturing method of a sensor is also provided.

Classes IPC  ?

• H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images

Abrégé

A chip package structure including a circuit board, a first die, a spacer, and a second die. The first die is disposed on the circuit board, and the spacer is disposed on the circuit board, in which the spacer includes a spacer part and at least one via structure penetrating through the spacer part. The second die is disposed on the first die and the spacer, and the second die is electrically connected to the circuit board through the spacer.

Classes IPC  ?

• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 23/12 - Supports, p. ex. substrats isolants non amovibles
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants

Abrégé

The disclosure provides a package structure including a redistribution circuit structure, a first circuit board, a second circuit board, a first insulator, multiple conductive terminals, and a package. The redistribution circuit structure has a first connection surface and a second connection surface opposite to each other. The first circuit board and the second circuit board are disposed on the first connection surface and are connected electrically to the redistribution circuit structure. The first insulator is disposed on the first connection surface and covers the first circuit board and the second circuit board. The conductive terminals are connected electrically to and disposed on the first circuit board or the second circuit board. The package is disposed on the second connection surface and is connected electrically to the redistribution circuit structure. A manufacturing method of a package structure is also provided.

Classes IPC  ?

• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 23/053 - ConteneursScellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base isolante qui sert de support pour le corps semi-conducteur
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition

Abrégé

A package structure including a first circuit board, a second circuit board, an encapsulant, a plurality of conductive terminals, and a package device is provided. The first circuit board has a first top surface and a first bottom surface opposite to each other. The second circuit board has a second top surface and a second bottom surface opposite to each other. The encapsulant encapsulates the first and second circuit boards. The conductive terminals are disposed on the first or second bottom surface and electrically connected to the first or second circuit board. The package device is disposed on the first or second top surface and electrically connected to the first and second circuit boards. The package device includes a first chip, a second chip, a chip encapsulant, a circuit layer, and a plurality of conductive package terminals. A manufacturing method of a package structure is also provided.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs différents groupes principaux de la même sous-classe , , , , ou
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
• H01L 23/24 - Matériaux de remplissage caractérisés par le matériau ou par ses propriétes physiques ou chimiques, ou par sa disposition à l'intérieur du dispositif complet solide ou à l'état de gel, à la température normale de fonctionnement du dispositif
• H01L 21/78 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
• H01L 23/16 - Matériaux de remplissage ou pièces auxiliaires dans le conteneur, p. ex. anneaux de centrage
• H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif
• H01L 23/552 - Protection contre les radiations, p. ex. la lumière

Abrégé

A package structure including a redistribution circuit structure, an insulator, a plurality of conductive connection pieces, a first chip, a second chip, an encapsulant, a third chip, and a plurality of conductive terminals is provided. The redistribution circuit structure has first and second connection surfaces opposite to each other. The insulator is embedded in and penetrates the redistribution circuit structure. The conductive connection pieces penetrate the insulator. The first and second chips are disposed on the first connection surface. The encapsulant is disposed on the redistribution circuit structure and at least laterally covers the first and second chips. The third chip is disposed on the second connection surface and electrically connected to the first and second chips through the conductive connection pieces. The conductive terminals are disposed on the second connection surface and electrically connected to the first chip or the second chip through the redistribution circuit structure.

Classes IPC  ?

• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs différents groupes principaux de la même sous-classe , , , , ou
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 23/24 - Matériaux de remplissage caractérisés par le matériau ou par ses propriétes physiques ou chimiques, ou par sa disposition à l'intérieur du dispositif complet solide ou à l'état de gel, à la température normale de fonctionnement du dispositif
• H01L 21/78 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
• H01L 23/16 - Matériaux de remplissage ou pièces auxiliaires dans le conteneur, p. ex. anneaux de centrage
• H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif
• H01L 23/552 - Protection contre les radiations, p. ex. la lumière

Abrégé

A package structure including a redistribution circuit structure, a first chip, a second chip, a first circuit board, a second circuit board, and a plurality of conductive terminals is provided. The redistribution circuit structure has a first connection surface and a second connection surface opposite to the first connection surface. The first chip and the second chip are disposed on the first connection surface and are electrically connected to the redistribution circuit structure. The first circuit board and the second circuit board are disposed on the second connection surface and are electrically connected to the redistribution circuit structure. The conductive terminals are disposed on the first circuit board or the second circuit board. The conductive terminals are electrically connected to the first circuit board or the second circuit board. A manufacturing method of a package structure is also provided.

Classes IPC  ?

• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs différents groupes principaux de la même sous-classe , , , , ou
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 23/24 - Matériaux de remplissage caractérisés par le matériau ou par ses propriétes physiques ou chimiques, ou par sa disposition à l'intérieur du dispositif complet solide ou à l'état de gel, à la température normale de fonctionnement du dispositif
• H01L 21/78 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
• H01L 23/16 - Matériaux de remplissage ou pièces auxiliaires dans le conteneur, p. ex. anneaux de centrage
• H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif
• H01L 23/552 - Protection contre les radiations, p. ex. la lumière

Abrégé

A semiconductor package structure, including a circuit substrate, at least two chips, an encapsulant, and a redistribution layer, is provided. The circuit substrate has a first surface and a second surface opposite to the first surface. The at least two chips are disposed on the first surface. Each of the at least two chips has an active surface facing the circuit substrate and includes multiple first conductive connectors and multiple second conductive connectors disposed on the active surface. A pitch of the first conductive connectors is less than a pitch of the second conductive connectors. The encapsulant encapsulates the at least two chips. The redistribution layer is located on the second surface. The first conductive connectors are electrically connected to the redistribution layer by the circuit substrate. The second conductive connectors are electrically connected to the circuit substrate. A manufacturing method of a semiconductor package structure is also provided.

Classes IPC  ?

• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs différents groupes principaux de la même sous-classe , , , , ou
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
• H01L 23/24 - Matériaux de remplissage caractérisés par le matériau ou par ses propriétes physiques ou chimiques, ou par sa disposition à l'intérieur du dispositif complet solide ou à l'état de gel, à la température normale de fonctionnement du dispositif
• H01L 21/78 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
• H01L 23/16 - Matériaux de remplissage ou pièces auxiliaires dans le conteneur, p. ex. anneaux de centrage
• H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif
• H01L 23/552 - Protection contre les radiations, p. ex. la lumière

Abrégé

A packaging structure includes a bridge die, a through silicon via die, a first encapsulant, a first active die, a second active die, a second encapsulant, and a redistribution circuit structure. The first encapsulant covers the through silicon via die and the bridge die. The first active die is electrically connected to the bridge die and the through silicon via die. The second active die is electrically connected to the bridge die. The second encapsulant covers the first active die and the second active die. The redistribution circuit structure is electrically connected to the through silicon via die. The through silicon via die is disposed between the first active die and the redistribution circuit structure. A manufacturing method of a packaging structure is also provided.

Classes IPC  ?

• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 23/36 - Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p. ex. dissipateurs de chaleur
• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p. ex. fils de connexion ou bornes

Abrégé

A package structure including a first chip, a second chip, a dielectric body, a third chip, an encapsulant, a first conductive terminal, and a circuit layer is provided. The dielectric body covers the first chip and the second chip. The third chip is disposed on the dielectric body such that a third active surface thereof faces a first active surface of the first chip or a second active surface of the second chip. The encapsulant covers the third chip. The first conductive terminal is disposed on the dielectric body and is opposite to the third chip. The circuit layer includes a first circuit portion and a second circuit portion. The first circuit portion penetrates the dielectric body. The first chip, the second chip, or the third chip is electrically connected to the first conductive terminal through the first circuit portion. The second circuit portion is embedded in the dielectric body.

Classes IPC  ?

• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs différents groupes principaux de la même sous-classe , , , , ou
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
• H01L 23/24 - Matériaux de remplissage caractérisés par le matériau ou par ses propriétes physiques ou chimiques, ou par sa disposition à l'intérieur du dispositif complet solide ou à l'état de gel, à la température normale de fonctionnement du dispositif
• H01L 21/78 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
• H01L 23/16 - Matériaux de remplissage ou pièces auxiliaires dans le conteneur, p. ex. anneaux de centrage
• H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif
• H01L 23/552 - Protection contre les radiations, p. ex. la lumière

Abrégé

A wafer storage device includes a wafer cassette and a carrier plate. The wafer cassette includes a housing and a plurality pairs of retaining members disposed on lateral walls of the housing. The carrier plate is placed into the housing, is supported by one pair of the retaining members, and includes a plate body carrying the wafer thereon, and having a periphery formed with two slots extending respectively in two different radial directions of the wafer. Two positioning members respectively and radially correspond in position to the slots, and abut against an outer rim of the wafer.

Classes IPC  ?

• H01L 21/673 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants utilisant des supports spécialement adaptés

Abrégé

A semiconductor package structure including a sensor die, a substrate, a light blocking layer, a circuit layer, a dam structure and an underfill is provided. The sensor die has a sensing surface. The sensing surface includes an image sensing area and a plurality of conductive bumps. The substrate is disposed on the sensing surface. The light blocking layer is located between the substrate and the sensor die. The circuit layer is disposed on the light blocking layer. The sensor die is electrically connected to the circuit layer by the conductive bumps. The dam structure is disposed on the substrate and surrounds the image sensing area. Opposite ends of the dam structure directly contact the sensor die and the light blocking layer. The underfill is disposed between the dam structure and the conductive bumps.

Classes IPC  ?

• H01L 27/14 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit ra
• H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images

Abrégé

A semiconductor package and a manufacturing method thereof are provided. The semiconductor package includes a first redistribution structure, a second redistribution structure, a first semiconductor die, a second semiconductor die and an encapsulant. The second redistribution structure is vertically overlapped with the first redistribution structure. The first and second semiconductor dies are located between the first and second redistribution structures, and respectively have an active side and a back side opposite to the active side, as well as a conductive pillar at the active side. The back side of the first semiconductor die is attached to the back side of the second semiconductor die. The conductive pillar of the first semiconductor die is attached to the first redistribution structure, whereas the conductive pillar of the second semiconductor die extends to the second redistribution structure.

Classes IPC  ?

• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements

Abrégé

A chip package structure using silicon interposer as interconnection bridge lifts multi-dies above the fan-out molding package embedded with premade Si interposer interconnection bridge under the multi-die space. The interconnection bridge connects the multi-dies through fine pitch high I/O interconnection. A first RDL and a second RDL are further disposed on top side and bottom side of the fan-out molding package, further providing connection for the multi-dies to a substrate via the connection routing inside the fan-out molding package.

Classes IPC  ?

• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

A semiconductor package structure including a circuit substrate, at least one chip, an encapsulant, a plurality of conductive connectors, a redistribution layer, and a plurality of conductive terminals is provided. The circuit substrate has a first surface and a second surface opposite to the first surface. The at least one chip has an active surface and a rear surface opposite to the active surface. The at least one chip is disposed on the circuit substrate with the rear surface. The encapsulant encapsulates the at least one chip. The plurality of conductive connectors surrounds the at least one chip. The redistribution layer is located on the encapsulant. The plurality of conductive terminals is located on the second surface. The at least one chip is electrically connected to the plurality of conductive terminals via the redistribution layer, the plurality of conductive connectors, and the circuit substrate. A manufacturing method of a semiconductor package structure is also provided.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants

Abrégé

A package structure and a method of manufacturing the same are provided. The package structure includes a substrate, a redistribution layer (RDL) structure, a first die, an encapsulant and a plurality of conductive terminals. The RDL structure is disposed on and electrically connected to the substrate. A width of the RDL structure is less than a width of the substrate. The first die is disposed on the substrate and the RDL structure. The first connectors of the first die are electrically connected to the RDL structure. The second connectors of the first die are electrically connected to the substrate. A first pitch of two adjacent first connectors is less than a second pitch of two adjacent second connectors. The encapsulant is on the substrate to encapsulate the RDL structure and the first die. The conductive terminals are electrically connected to the first die through the substrate and the RDL structure.

Classes IPC  ?

• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements

Abrégé

An integrated antenna package structure including a circuit board, a chip, an encapsulant and an antenna is provided. The chip is disposed on the circuit board and electrically connected to the circuit board. The encapsulant encapsulates the chip. The antenna is embedded in the encapsulant. The antenna has a first outer surface, the encapsulant has a second outer surface, and the first outer surface is substantially coplanar with the second outer surface. A manufacturing method of an integrated antenna package structure is also provided.

Classes IPC  ?

• H01Q 1/38 - Forme structurale pour éléments rayonnants, p. ex. cône, spirale, parapluie formés par une couche conductrice sur un support isolant
• H01Q 21/00 - Systèmes ou réseaux d'antennes
• H01Q 23/00 - Antennes comportant des circuits ou des éléments de circuit actifs qui leur sont intégrés ou liés

Abrégé

An integrated antenna package structure including a circuit board, a chip, an encapsulant and an antenna is provided. The chip is disposed on and electrically connected to the circuit board. The encapsulant encapsulates the chip. The encapsulant has a first surface and a second surface, wherein the normal vector of the first surface is different from the normal vector of the second surface. The antenna is disposed on the first surface and the second surface of the encapsulant. A manufacturing method of an integrated antenna package structure is also provided.

Classes IPC  ?

• H01Q 1/38 - Forme structurale pour éléments rayonnants, p. ex. cône, spirale, parapluie formés par une couche conductrice sur un support isolant
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/66 - Adaptations pour la haute fréquence
• H01Q 1/40 - Éléments rayonnants recouverts avec, ou enrobés d'une matière protectrice

Abrégé

A semiconductor package and a manufacturing method thereof are provided. The semiconductor package includes a semiconductor die, an encapsulant, a redistribution layer, a polymer pattern and a heat dissipation structure. The semiconductor die has conductive pads at its active side, and is laterally encapsulated by the encapsulant. The redistribution layer is disposed at the active side of the semiconductor die, and spans over a front surface of the encapsulant. The redistribution layer is electrically connected with the conductive pads. The polymer pattern is disposed at a back surface of the encapsulant that is facing away from the front surface of the encapsulant. The semiconductor die is surrounded by the polymer pattern. The heat dissipation structure is in contact with a back side of the semiconductor die that is facing away from the active side, and extends onto the polymer pattern.

Classes IPC  ?

• H01L 23/495 - Cadres conducteurs
• H01L 23/34 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
• H01L 23/433 - Pièces auxiliaires caractérisées par leur forme, p. ex. pistons
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants

Abrégé

A package structure including a frame structure, a die, an encapsulant, a redistribution structure, and a passive component is provided. The frame structure has a cavity. The die is disposed in the cavity. The encapsulant fills the cavity to encapsulate the die. The redistribution structure is disposed on the encapsulant, the die, and the frame structure. The redistribution structure is electrically coupled to the die. The passive component is disposed on the frame structure and electrically coupled to the redistribution structure through the frame structure. A manufacturing method of a package structure is also provided. The frame structure may provide support, reduce warpage, dissipate heat from the die, act as a shield against electromagnetic interference, and/or provide electrical connection for grounding.

Classes IPC  ?

• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
• H01L 23/053 - ConteneursScellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base isolante qui sert de support pour le corps semi-conducteur
• H01L 49/02 - Dispositifs à film mince ou à film épais
• H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif
• H01L 23/552 - Protection contre les radiations, p. ex. la lumière

Abrégé

An integrated antenna package structure including a chip package and an antenna device is provided. The antenna device is disposed on the chip package. The chip package includes a chip, an encapsulant, a circuit layer, and a conductive connector. The encapsulant at least directly covers the back side of the chip. The circuit layer is disposed under the encapsulant and electrically connected to the chip. The conductive connector penetrates the encapsulant and is electrically connected to the circuit layer. The antenna device includes a dielectric body, a coupling layer, and an antenna layer. The dielectric body has a first dielectric surface and a second dielectric surface opposite to the first dielectric surface. The coupling layer is disposed on the second dielectric surface of the dielectric body. The antenna layer is disposed on the first dielectric surface of the dielectric body. The antenna layer is electrically connected to the conductive connector. A manufacturing method of an integrated antenna package structure is also provided.

Classes IPC  ?

• H01L 23/66 - Adaptations pour la haute fréquence
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
• H01Q 1/22 - SupportsMoyens de montage par association structurale avec d'autres équipements ou objets
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 25/10 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 21/78 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
• H01L 23/552 - Protection contre les radiations, p. ex. la lumière

Abrégé

An integrated antenna package structure including a chip, a circuit layer, an encapsulant, a coupling end, an insulating layer, a conductive connector, a dielectric substrate, and an antenna is provided. The circuit layer is electrically connected to the chip. The encapsulant is disposed on the circuit layer and covers the chip. The coupling end is disposed on the encapsulant. The insulating layer covers the coupling end. The insulating layer is not externally exposed. The conductive connector penetrates the encapsulant. The coupling end is electrically connected to the circuit layer by the conductive connection. The dielectric substrate is disposed on the encapsulant and covers the coupling end. The antenna is disposed on the dielectric substrate. A manufacturing method of an integrated antenna package structure is also provided.

Classes IPC  ?

• H01L 23/66 - Adaptations pour la haute fréquence
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
• H01Q 1/22 - SupportsMoyens de montage par association structurale avec d'autres équipements ou objets
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 25/10 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 21/78 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
• H01L 23/552 - Protection contre les radiations, p. ex. la lumière

Abrégé

A semiconductor package including a semiconductor chip, a conductive element disposed aside the semiconductor chip, a conductive via disposed on and electrically connected to the conductive element, an insulating encapsulation, and a first circuit structure disposed on the semiconductor chip and the conductive via is provided. A height of the conductive element is less than a height of the semiconductor chip. The insulating encapsulation encapsulates the semiconductor chip, the conductive element, and the conductive via. The conductive via is located between the first circuit structure and the conductive element, and the semiconductor chip is electrically coupled to the conductive via through the first circuit structure.

Classes IPC  ?

• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
• H01L 23/66 - Adaptations pour la haute fréquence

Abrégé

A chip package structure including a first chip, an encapsulant, a first redistribution layer, a second redistribution layer, a second chip, and a third chip is provided. The first chip has an active surface, a back side surface opposite to the active surface, a plurality of conductive vias, and a plurality of conductive connectors disposed on the back side surface. The encapsulant covers the active surface, the back side surface, and the conductive connectors. The encapsulant has a first encapsulating surface and a second encapsulating surface opposite to the first encapsulating surface. The first redistribution layer is disposed on the first encapsulating surface. The second redistribution layer is disposed on the second encapsulating surface. The second chip is disposed on the second redistribution layer. The third chip is disposed on the second redistribution layer. A manufacturing method of a chip package structure is also provided.

Classes IPC  ?

• H01L 23/66 - Adaptations pour la haute fréquence
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
• H01Q 1/22 - SupportsMoyens de montage par association structurale avec d'autres équipements ou objets
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 25/10 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 21/78 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
• H01L 23/552 - Protection contre les radiations, p. ex. la lumière

Abrégé

A semiconductor package and a manufacturing method thereof are provided. The semiconductor package includes a first and a second active dies separately arranged, an insulating encapsulation at least laterally encapsulating the first and the second active dies, a redistribution layer disposed on the insulating encapsulation, the first and the second active dies, and a fine-pitched die disposed on the redistribution layer and extending over a gap between the first and the second active dies. The fine-pitched die has a function different from the first and the second active dies. A die connector of the fine-pitched die is connected to a conductive feature of the first active die through a first conductive pathway of the redistribution layer. A first connecting length of the first conductive pathway is substantially equal to a shortest distance between the die connector of the fine-pitched die and the conductive feature of the first active die.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/29 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par le matériau
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
• H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe

Abrégé

A semiconductor package and a manufacturing method thereof are provided. The semiconductor package includes first dies, an insulating encapsulation laterally encapsulating the first dies, a second die disposed over the portion of the insulating encapsulation and at least partially overlapping the first dies, and a redistribution structure disposed on the insulating encapsulation and electrically connected to the first dies and the second die. A second active surface of the second die faces toward first active surfaces of the first dies. The redistribution structure includes a first conductive via disposed proximal to the first dies, and a second conductive via disposed proximal to the second die. The first and second conductive vias are electrically coupled and disposed in a region of the redistribution structure between the second die and one of the first dies. The first conductive via is staggered from the second conductive via by a lateral offset.

Classes IPC  ?

• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/29 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par le matériau
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
• H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe

Abrégé

A stacked package structure has a metal casing, a stacked chipset, an encapsulation and a redistribution layer. The stacked chipset is adhered in the metal casing. The encapsulation is formed in the metal casing to encapsulate the stacked chip set, but a plurality of surfaces of the metal pads are exposed through the encapsulation. The redistribution layer is further formed on the encapsulation and electrically connects to the metal pads of the stacked chipset. Therefore, the stacked package structure includes the metal casing, so an efficiency of heat dissipation and structural strength are increased.

Classes IPC  ?

• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/552 - Protection contre les radiations, p. ex. la lumière
• H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements

Abrégé

A method of detecting abnormal test signal channel of automatic test equipment firstly obtains a raw test data and then divides into the data groups according to a mapping data. The test data of DUTs in one data group are generated by the same group of probes. A yield of each data group is further estimated. A yield of a wafer is further estimated when the yield of the data group matches a first failure threshold. An abnormal test signal channel is determined when the yield of the wafer does not match a second failure threshold or the yield of the wafer matches the normal threshold. Therefore, to add the detecting method in an original test procedure of the ATE, the operator easily identifies which blocks in the failure color on the test data map are caused by the abnormal test signal channel.

Classes IPC  ?

• G01R 31/28 - Test de circuits électroniques, p. ex. à l'aide d'un traceur de signaux
• G01R 3/00 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des appareils de mesure

Abrégé

A manufacturing method of a stacked chip package structure includes the following steps. A first chip is disposed on a carrier, wherein the first chip has a first active surface and a plurality of first pads disposed on the first active surface. A second chip is disposed on the first chip without covering the first pads and has a second active surface and a plurality of second pads disposed on the second active surface. A plurality of first stud bumps are formed on the first pads. A plurality of pillar bumps are formed on the second pads. The first chip and the second chip are encapsulated by an encapsulant, wherein the encapsulant exposes a top surface of each second stud bump. A plurality of first vias are formed by a laser process, wherein the first vias penetrate the encapsulant and expose the first stud bumps. A conductive layer is formed in the first vias to form a plurality of first conductive vias. The carrier is removed.

Classes IPC  ?

• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 23/552 - Protection contre les radiations, p. ex. la lumière
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants

Abrégé

A method of fabricating a package structure including at least the following steps is provided. A carrier is provided. A first package is formed on the carrier. The first package is formed by at least the following steps. A first redistribution layer is formed on the carrier, wherein the first redistribution layer has a first surface and a second surface opposite to the first surface. A semiconductor die is bonded on the first surface of the first redistribution layer. The semiconductor die is electrically connected to the first redistribution layer through a plurality of conductive wires. An insulating material is formed to encapsulate the semiconductor die and the plurality of conductive wires. A thinning process is performed to obtain an insulating encapsulant by reducing a thickness of the insulating material until a portion of each of the conductive wires is removed to form a plurality of conductive wire segments, wherein the semiconductor die is electrically insulated from the first redistribution layer after the thinning process. A second redistribution layer is formed on a top surface of the insulating encapsulant, and over the semiconductor die. The second redistribution layer is electrically connected to the first redistribution layer and to the semiconductor die by the plurality of conductive wire segments.

Classes IPC  ?

• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p. ex. fils de connexion ou bornes
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition

Abrégé

A manufacturing method of a package structure is described. The method includes at least the following steps. A carrier is provided. A semiconductor die and a sacrificial structure are disposed on the carrier. The semiconductor die is electrically connected to the bonding pads on the sacrificial structure through a plurality of conductive wires. As encapsulant is formed on the carrier to encapsulate the semiconductor die, the sacrificial structure and the conductive wires. The carrier is debonded, and at least a portion of the sacrificial structure is removed through a thinning process. A redistribution layer is formed on the semiconductor die and the encapsulant. The redistribution layer is electrically connected to the semiconductor die through the conductive wires.

Classes IPC  ?

• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition

Abrégé

A semiconductor package including a plurality of first chips, a plurality of through silicon vias, a least one insulator, a first circuit structure and a first encapsulant is provided. The first chip electrically connected to the through silicon vias includes a sensing area on a first active surface, a first back surface and a plurality of through holes extending from the first back surface towards the first active surface. The insulator is disposed on the first active surfaces of the first chips. The first circuit structure disposed on the first back surfaces of the first chips and electrically connected to the through silicon vias. The first encapsulant, laterally encapsulating the first chips.

Classes IPC  ?

• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p. ex. fils de connexion ou bornes
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 25/04 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe

Abrégé

A package structure including a semiconductor die, an insulating encapsulant, a dielectric layer, and a redistribution layer is provided. The semiconductor die has an active surface, a back surface opposite to the active surface, and a plurality of conductive bumps disposed on the active surface. The insulating encapsulant is encapsulating the semiconductor die. The redistribution layer is disposed on the he insulating encapsulant and electrically connected to the plurality of conductive bumps. The dielectric layer is disposed between the insulating encapsulant and the redistribution layer, wherein the dielectric layer encapsulates at least a portion of each of the plurality of conductive bumps.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements

Abrégé

A semiconductor package and a manufacturing method thereof are provided. The semiconductor package includes a conductive casing, a semiconductor die, a conductive connector, an insulating encapsulant, a redistribution structure, and a first conductive terminal. The conductive casing has a cavity. The semiconductor die is disposed in the cavity of the conductive casing. The conductive connector is disposed on a periphery of the conductive casing. The insulating encapsulant encapsulates the conductive connector, the semiconductor die and the cavity. The redistribution structure is formed on the insulating encapsulant and is electrically connected to the conductive connector and the semiconductor die. The first conductive terminal is disposed in openings of the redistribution structure and is physically in contact with a portion of the conductive casing.

Classes IPC  ?

• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 25/10 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif
• H01L 23/552 - Protection contre les radiations, p. ex. la lumière
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
• H01L 23/13 - Supports, p. ex. substrats isolants non amovibles caractérisés par leur forme

Abrégé

A package structure including first and second packages is provided. The first package includes a semiconductor die, an insulating encapsulant, a first redistribution layer, a second redistribution layer, and a plurality of conductive wire segments. The semiconductor die has an active surface and a back surface. The insulating encapsulant encapsulates the semiconductor die. The first redistribution layer is disposed on the back surface of the semiconductor die and a bottom surface of the insulating encapsulant. The first redistribution layer has a first surface and a second surface opposite to the first surface. The second redistribution layer is disposed on the active surface of the semiconductor die. The plurality of conductive wire segments electrically connects the semiconductor die to the second redistribution layer and the first redistribution layer to the second redistribution layer. The second package is stacked on the second surface of the first redistribution layer over the first package.

Classes IPC  ?

• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p. ex. fils de connexion ou bornes
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition

Abrégé

A package structure includes a first redistribution structure, a die, a plurality of conductive sheets, a plurality of conductive balls, and a first encapsulant. The first redistribution structure has a first surface and a second surface opposite to the first surface. The die has a plurality of connection pads electrically connected to the first surface of the first redistribution structure. The conductive sheets are electrically connected to the first surface of the first redistribution structure. The conductive balls are correspondingly disposed on the conductive sheets and are electrically coupled to the first surface of the first redistribution structure through the conductive sheets. The first encapsulant encapsulates the die, the conductive sheets, and the conductive balls. The first encapsulant exposes at least a portion of each conductive ball.

Classes IPC  ?

• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p. ex. fils de connexion ou bornes
• H01L 23/52 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
• H01L 29/40 - Electrodes
• H01L 25/10 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
• H01L 21/3105 - Post-traitement

Abrégé

A package structure including at least one semiconductor chip, an insulating encapsulant, a conductive frame, a supporting frame, a conductive layer and a redistribution layer is provided. The at least one semiconductor chip has an active surface and a backside surface opposite to the active surface. The insulating encapsulant is encapsulating the at least one semiconductor chip. The conductive frame is surrounding the insulating encapsulant. The supporting frame is surrounding the conductive frame. The conductive layer is disposed on the backside surface of the semiconductor chip. The redistribution layer is disposed on and electrically connected to the active surface of the semiconductor chip.

Classes IPC  ?

• H01L 23/552 - Protection contre les radiations, p. ex. la lumière
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou

Abrégé

A semiconductor package including an ultra-thin redistribution structure, a semiconductor die, a first insulating encapsulant, a semiconductor chip stack, and a second insulating encapsulant is provided. The semiconductor die is disposed on and electrically coupled to the ultra-thin redistribution structure. The first insulating encapsulant is disposed on the ultra-thin redistribution structure and encapsulates the semiconductor die. The semiconductor chip stack is disposed on the first insulating encapsulant and electrically coupled to the ultra-thin redistribution structure. The second insulating encapsulant is disposed on the ultra-thin redistribution structure and encapsulates the semiconductor chip stack and the first insulating encapsulant. A manufacturing method of a semiconductor package is also provided.

Classes IPC  ?

• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• G01R 31/28 - Test de circuits électroniques, p. ex. à l'aide d'un traceur de signaux

Abrégé

A package structure includes a die, an encapsulant, a dam structure, and a redistribution structure. The die has an active surface and a rear surface opposite to the active surface. The encapsulant encapsulates sidewalls of the die. The encapsulant has a first surface and a second surface opposite to the first surface. The first surface is coplanar with the rear surface of the die. The second surface is located at a level height different from the active surface of the die. The dam structure is disposed on the active surface of the die. A top surface of the dam structure is substantially coplanar with the second surface of the encapsulant. The redistribution structure is over the encapsulant, the dam structure, and the die. The redistribution structure is electrically connected to the die.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 21/78 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels

Abrégé

A manufacturing method of a package structure is provided. The method includes the following steps. A semiconductor chip is bonded on a carrier, wherein the semiconductor chip comprises a plurality of conductive pads. An insulating material layer is formed over the carrier and encapsulating the semiconductor chip, wherein a thickness of the insulating material layer is greater than a thickness of the semiconductor chip. A first surface of the insulating material layer is patterned to form first openings that expose the conductive pads of the semiconductor chip, and second openings that penetrate through the insulating material layer. A plurality of conductive posts is formed in the first openings, wherein the plurality of conductive posts is electrically connected to the plurality of conductive pads of the semiconductor chip. A plurality of conductive vias is formed in the second opening.

Classes IPC  ?

• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées

Abrégé

A wafer processing method uses a chuck table with smaller diameter than a semiconductor wafer to be processed. A cut through edge trimming is therefore implemented on the periphery of the semiconductor wafer to form a cut through straight side at the periphery and also form a flat portion at the periphery as a positioning means for taping and backside grind processes.

Classes IPC  ?

• H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
• H01L 21/304 - Traitement mécanique, p. ex. meulage, polissage, coupe
• H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants

Abrégé

A manufacturing method is applied to set a stackable chip package. The manufacturing method includes encapsulating a plurality of chips stacked with each other, disposing a lateral surface of the stacked chips having conductive elements onto a substrate, disassembling the substrate from the conductive elements when the stacked chips are encapsulated, and disposing a dielectric layer with openings on the stacked chips to align the openings with the conductive elements for ball mounting process.

Classes IPC  ?

• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 21/76 - Réalisation de régions isolantes entre les composants
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements