A rotatable sputtering target is provided for use in a sputtering system having a plurality of hollow sleeves of sputtering material arranged on a hollow e backing tube so as to form an annular space that is occupied by a bonding agent and a thermally conductive element which is a woven metal mesh.
A rotatable sputtering target is provided for use in a sputtering system having a plurality of hollow sleeves of sputtering material arranged on a hollow c backing tube so as to form an annular space that is occupied by a bonding agent and a thermally conductive element which is a woven metal mesh.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
B23P 11/00 - Assemblage ou désassemblage de pièces ou d'objets métalliques par des processus du travail du métal non prévus ailleurs
F16B 11/00 - Assemblage d'éléments structuraux ou parties de machines par collage ou en les pressant l'un contre l'autre, p. ex. soudage sous pression à froid
H01J 37/34 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse fonctionnant par pulvérisation cathodique
3.
PROCESS FOR THE REMOVAL OF CHROMIUM CONTAMINANTS FROM RUTHENIUM SPUTTERING TARGET SUBSTRATES
The present invention provides a process for the removal of chromium contaminants on a spent ruthenium sputtering target used in Plasma Vapor Deposition by the steps of grit abrasion, organic solvent cleaning, and being subjected to an electric field in an acidic bath including a surfactant, and followed by subsequent water and air rinse and further grit abrasion. Removal of the contaminants is verified by spectroscopy.
B24C 1/08 - Méthodes d'utilisation de jet abrasif en vue d'effectuer un travail déterminéUtilisation d'équipements auxiliaires liés à ces méthodes pour polir des surfaces, p. ex. en utilisant des abrasifs entraînés par un liquide
C23G 5/02 - Nettoyage ou dégraissage des matériaux métalliques par d'autres méthodesAppareils pour le nettoyage ou le dégraissage de matériaux métalliques au moyen de solvants organiques au moyen de solvants organiques
H01J 37/34 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse fonctionnant par pulvérisation cathodique
4.
Process for the removal of contaminants from sputtering target substrates
The present invention provides a process for the removal of contaminants on a spent sputtering target used in Plasma Vapor Deposition by the steps of grit abrasion, organic solvent cleaning, and being subjected to an electric field in an acidic bath including a surfactant, and followed by subsequent water and air rinse and further grit abrasion. Removal of the contaminants is verified by spectroscopy.
B08B 3/10 - Nettoyage impliquant le contact avec un liquide avec traitement supplémentaire du liquide ou de l'objet en cours de nettoyage, p. ex. par la chaleur, par l'électricité ou par des vibrations
B08B 3/08 - Nettoyage impliquant le contact avec un liquide le liquide ayant un effet chimique ou dissolvant
B24B 7/22 - Machines ou dispositifs pour meuler les surfaces planes des pièces, y compris ceux pour le polissage des surfaces planes en verreAccessoires à cet effet caractérisés par le fait qu'ils sont spécialement étudiés en fonction des propriétés de la matière des objets non métalliques à meuler pour meuler de la matière inorganique, p. ex. de la pierre, des céramiques, de la porcelaine
G01N 23/223 - Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de rayonnement [ondes ou particules], p. ex. rayons X ou neutrons, non couvertes par les groupes , ou en mesurant l'émission secondaire de matériaux en irradiant l'échantillon avec des rayons X ou des rayons gamma et en mesurant la fluorescence X
C11D 11/00 - Méthodes particulières pour la préparation de compositions contenant des mélanges de détergents
C23C 22/00 - Traitement chimique de surface de matériaux métalliques par réaction de la surface avec un milieu réactif laissant des produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, p. ex. revêtement par conversion, passivation des métaux
5.
DISPLAY HAVING A TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE LAYER COMPRISING METAL DOPED ZINC OXIDE APPLIED BY SPUTTERING
The invention provides an alternative liquid crystal and light emitting display which include at least one Transparent Conductive Oxide layers which comprises a zinc oxide doped with a group III, IV, V, or transition metal dopant, and sputtered from a sputtering target. In a further embodiment, this Transparent Conductive Oxide layer can optionally include a layer of a patternable TCO, such as ITO.
The invention provides an alternative liquid crystal and light emitting display which include at least one Transparent Conductive Oxide layers which comprises a zinc oxide doped with a group III, IV, V, or transition metal dopant, and sputtered from a sputtering target. In a further embodiment, this Transparent Conductive Oxide layer can optionally include a layer of a patternable TCO, such as ITO.
H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs
Composite sputtering targets are made by hot pressing metal or metal containing powders into a backing plate which can be comprised of a different material with a depression formed in a surface or can be a used sputtering target of the same or different material. The depression corresponds to the erosion pattern of a target having the same geometry. The depression can be formed for example, by machining. The backing plate is loaded into a graphite die and covered with the sputtering material to form an assembly. A ram is added and the assembly with the ram is loaded into a hot press which is taken to an appropriate pressure and temperature under vacuum to form a composite sputtering target having a sputtering zone of densified sputtering material.
B22F 3/18 - Fabrication de pièces ou d'objets à partir de poudres métalliques, caractérisée par le mode de compactage ou de frittageAppareils spécialement adaptés à cet effet en utilisant des rouleaux presseurs
B22F 3/00 - Fabrication de pièces ou d'objets à partir de poudres métalliques, caractérisée par le mode de compactage ou de frittageAppareils spécialement adaptés à cet effet