Cerium oxide particles for chemical-mechanical polishing and a slurry composition for chemical-mechanical polishing including same are described. By means of a combination of cerium oxide particles with a cationic polymer and a passivation regulator, it is possible to provide a slurry composition for chemical-mechanical polishing which can improve oxide film polishing speed while maximizing a silicon oxide film/polysilicon film selection ratio during a STI polishing process, and a method for manufacturing a semiconductor device using same.
The present invention relates to an electrolyte for a battery, and a secondary battery. According to the present invention, an electrolyte for a battery and a secondary battery including same may be provided, wherein the electrolyte lowers internal resistance of a battery by suppressing side reactions inside various lithium secondary batteries including high-nickel, Si-anode, LFP, lithium manganese-rich (LMR), or cobalt-free batteries, thus lowering charging resistance and enabling charging efficiency and output to be improved, and is capable of providing a secondary battery having excellent long-term lifespan and high-temperature capacity retention by suppressing an increase in resistance of the battery and gas generation even when stored long-term under high-temperature conditions.
Chemical mechanical polishing cerium oxide particles and a chemical mechanical polishing slurry composition containing same are described. The chemical mechanical polishing slurry composition comprises, in a combination, the characteristic cerium oxide particles, a cationic polymer and a polysilicon polishing inhibitor, thereby enabling an oxide film polishing rate to be improved while maximizing, during STI polishing, silicon oxide film/polysilicon film selectivity.
Cerium oxide particles for chemical mechanical polishing and a slurry composition for chemical mechanical polishing comprising same are described. A slurry composition for chemical mechanical polishing that can significantly increase the polishing speed of a silicon oxide film during an STI polishing process due to the combination of cerium oxide particles, with a cationic polymer and an azole-based compound.
Cerium oxide particles for chemical mechanical polishing and a chemical mechanical polishing slurry composition containing same are described. The characteristic cerium oxide particles can be combined with a surface treatment agent to change the zeta potential of the surface of the cerium oxide particles while maintaining monodispersity and a high oxide film polishing speed, and thereby provide a chemical mechanical polishing slurry composition that can be used for various purposes during the STI process, and a method for manufacturing a semiconductor device using the chemical mechanical polishing slurry composition.
Cerium oxide particles for chemical-mechanical polishing and a chemical-mechanical polishing slurry composition comprising same are described. By combining the cerium oxide particles with two different cationic polymers, it is possible to provide a slurry composition for chemical-mechanical polishing that can maximize the silicon oxide/polysilicon film selection ratio during an STI polishing process while improving the speed of polishing the oxide film, and a method for manufacturing a semiconductor device utilizing the slurry composition.
Cerium oxide particles for chemical-mechanical polishing and a chemical-mechanical polishing slurry composition comprising same are described. By combining the cerium oxide particles that are characteristic with a cationic polymer and a nitride film passivation modifier, it is possible to provide a slurry composition for chemical-mechanical polishing that can maximize the silicon oxide/nitride film selection ratio during an STI polishing process while improving the oxide film polishing speed, and a method for manufacturing a semiconductor device utilizing the slurry composition.
BRITTLENESS AND RESISTIVITY IMPROVER, METHOD FOR FORMING HETEROGENEOUS FILM USING SAME, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED THEREFROM
The present invention relates to a brittleness and resistivity improver, a method for forming a heterogeneous film using same, and a semiconductor substrate and a semiconductor device manufactured therefrom. According to the present invention, a compound having a predetermined structure is provided, thus having the effect of providing: a brittleness and resistivity improver that can simultaneously improve the brittleness and resistivity, which are in a trade-off relationship, of a heterogeneous film; a method for forming a heterogeneous film using the brittleness and resistivity improver; and a semiconductor substrate and the like manufactured from the brittleness and resistivity improver are provided.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 16/30 - Dépôt de composés, de mélanges ou de solutions solides, p. ex. borures, carbures, nitrures
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt
The present invention relates to an etching cleaning composition and an etching cleaning method using the same. According to the present invention, the present invention has an effect of providing an etching cleaning composition capable of removing polishing residues generated when polishing surfaces where hybrid bonding between joints is required during semiconductor and display manufacturing processes and providing surface roughness and recesses appropriate for hybrid bonding; an etching cleaning method using the same; and a hybrid bonding material obtained using the same.
Disclosed is an electrolyte and a secondary battery containing the same. According to the present disclosure, charging efficiency and output may be improved due to low discharge resistance, and gas generation and thickness increase may be suppressed to provide a secondary battery with long-term lifespan and excellent high temperature capacity retention.
H01M 10/0567 - Matériaux liquides caracterisés par les additifs
H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p. ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodesBatteries à l'ion lithium
H01M 10/42 - Procédés ou dispositions pour assurer le fonctionnement ou l'entretien des éléments secondaires ou des demi-éléments secondaires
11.
ETCHING COMPOSITION AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE BY USING SAME
The present invention relates to an etching composition and a method for manufacturing a semiconductor device by using same, the etching composition comprises: an inorganic acid; a first etching inhibitor; and a remainder of solvent, wherein the first etching inhibitor includes at least two nitrogen atoms while including a heterocyclic structure containing at least one nitrogen atom.
C09K 13/06 - Compositions pour l'attaque chimique, la gravure, le brillantage de surface ou le décapage contenant un acide inorganique avec une substance organique
H10B 43/27 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par les agencements tridimensionnels, p. ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p. ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p. ex. des canaux en forme de U
12.
ELECTROLYTE ADDITIVE, BATTERY ELECTROLYTE COMPRISING SAME, AND SECONDARY BATTERY COMPRISING SAME
The present invention relates to an electrolyte additive, an electrolyte comprising same, and a secondary battery. The present invention has the effect of providing a secondary battery in which a stable film is formed on a positive electrode and a negative electrode of a lithium secondary battery such that side reactions inside the battery are suppressed and the charge and discharge resistance are low, and thus charging efficiency and output may be improved, an increase in the resistance of the battery can be suppressed even when the battery is stored for a long time under high-temperature conditions, and gas generation due to decomposition of electrolyte components is significantly suppressed, and thus the secondary battery not only has a long lifespan and an excellent high-temperature capacity retention rate, but also has excellent low-temperature performance.
SAMHWA PAINTS INDUSTRIES CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Kim, Bang Han
Kang, Wan Chul
Kim, Min Goo
Jeong, Yuri
Kim, Changyul
Ko, Sunghyun
Abrégé
The present invention relates to an electrolyte additive, and an electrolyte and a secondary battery each comprising same. According to the present invention, the formation of stable films on positive and negative electrodes of a lithium secondary battery can suppress side reactions inside the battery and reduce charge-discharge resistance, thereby improving charging efficiency and output of the battery, and can suppress the increase in battery resistance even during long-term storage under high-temperature conditions while significantly suppressing gas generation resulting from the decomposition of electrolyte components, thereby providing a secondary battery with excellent long-term lifespan and high-temperature capacity retention.
ACTIVATOR, METHOD OF FORMING THIN FILM USING ACTIVATOR, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE FABRICATED USING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
The present invention relates to an activator, a method of forming a thin film using the activator, a semiconductor substrate fabricated using the method, and a semiconductor device including the semiconductor substrate. According to the present invention, by providing a compound having a predetermined structure as an activator, the reaction rate may be improved by effectively replacing the ligands of an adsorbed precursor, and the thin film growth rate may be appropriately reduced. Thus, even when forming a thin film on a substrate with a complex structure, step coverage and the thickness uniformity of a thin film may be greatly improved, and impurities may be reduced.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
15.
THIN FILM MODIFICATION COMPOSITION, METHOD OF FORMING THIN FILM USING THIN FILM MODIFICATION COMPOSITION, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE INCLUDING THIN FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING SEMICONDUCTOR
The present invention relates to a thin film modification composition, a method of forming a thin film using the thin film modification composition, a semiconductor substrate including the thin film, and a semiconductor device including the semiconductor substrate. According to the present invention, by using a step coverage improver and a diffusion improver in combination, the reaction speed may be improved and the thin film growth rate may be appropriately reduced. Thus, even when forming a thin film on a substrate with a complex structure under high-temperature conditions, step coverage and the thickness uniformity of a thin film may be greatly improved, impurities may be reduced, and film quality may be improved.
C07C 43/11 - Polyéthers contenant des unités —O—(C—C—O—)n, avec 2 ≤n ≤ 10
C23C 16/04 - Revêtement de parties déterminées de la surface, p. ex. au moyen de masques
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
16.
THIN FILM SHIELDING AGENT, METHOD OF FORMING THIN FILM USING THIN FILM SHIELDING AGENT, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE INCLUDING THIN FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
The present invention relates to a thin film shielding agent, a thin film-forming composition including the thin film shielding agent, a method of forming a thin film using the thin film shielding agent, a semiconductor substrate including the thin film, and a semiconductor device including the semiconductor substrate. According to the present invention, by applying the thin film shielding agent, the reaction speed may be improved, and the thin film growth rate may be appropriately reduced. Accordingly, even when a thin film is formed on a substrate having a complex structure under high-temperature conditions, step coverage and the thickness uniformity of the thin film may be greatly improved, and a seamless thin film may be formed. In addition, by reducing impurities, film quality may be improved.
C07D 327/10 - Composés hétérocycliques contenant des cycles comportant des atomes de soufre et d'oxygène comme uniques hétéro-atomes du cycle deux atomes d'oxygène et un atome de soufre, p. ex. sulfates cycliques
C23C 16/04 - Revêtement de parties déterminées de la surface, p. ex. au moyen de masques
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
17.
THIN FILM MODIFICATION COMPOSITION, METHOD OF FORMING THIN FILM USING THIN FILM MODIFICATION COMPOSITION, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE INCLUDING THIN FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING SEMICONDUCTOR
The present invention relates to a thin film modification composition, a method of forming a thin film using the thin film modification composition, a semiconductor substrate including the thin film, and a semiconductor device including the semiconductor substrate. According to the present invention, by using a shielding material and a diffusion-improving agent in combination, the reaction speed may be improved and the thin film growth rate may be appropriately reduced. Thus, even when forming a thin film on a substrate with a complex structure under high-temperature conditions, step coverage and the thickness uniformity of a thin film may be greatly improved, impurities may be reduced, and film quality may be improved.
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
18.
THIN FILM MODIFICATION COMPOSITION, METHOD OF FORMING THIN FILM USING THIN FILM MODIFICATION COMPOSITION, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE INCLUDING THIN FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING SEMICONDUCTOR
The present invention relates to a thin film modification composition, a method of forming a thin film using the thin film modification composition, a semiconductor substrate including the thin film, and a semiconductor device including the semiconductor substrate. According to the present invention, by using a step coverage improver and an amine compound in combination, the reaction speed may be improved and the thin film growth rate may be appropriately reduced. Thus, even when forming a thin film on a substrate with a complex structure under high-temperature conditions, step coverage and the thickness uniformity of a thin film may be greatly improved, impurities may be reduced, and film quality may be improved.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
19.
VACUUM-BASED THIN FILM MODIFIER, THIN FILM MODIFICATION COMPOSITION INCLUDING VACUUM-BASED THIN FILM MODIFIER, METHOD OF FORMING THIN FILM USING THIN FILM MODIFICATION COMPOSITION, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE INCLUDING THIN FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
The present invention relates to a vacuum-based thin film modifier, a thin film modification composition including the vacuum-based thin film modifier, a method of forming a thin film using the thin film modification composition, a semiconductor substrate including the thin film, and a semiconductor device including the semiconductor substrate. According to the present invention, by providing a compound having a predetermined structure as a vacuum-based thin film modifier, the growth rate of a deposition film may be appropriately reduced in a vacuum-based thin film process. Thus, even when forming a thin film on a substrate with a complex structure, step coverage and the thickness uniformity of a thin film may be greatly improved, the efficiency of etching a film may be improved, and contamination by impurities such as carbon may be significantly reduced.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
20.
METHOD FOR PLANARIZING STRUCTURE OF HYBRID BONDING AND DEVICE FOR PLANARIZING STRUCTURE OF HYBRID BONDING
The present invention relates to a method for planarizing a structure of a hybrid bonding and a device for planarizing a structure of a hybrid bonding. The present invention provides the method for planarizing a structure of a hybrid bonding and the device for planarizing a structure of a hybrid bonding which may form a recess necessary for a hybrid bonding process between bonding units during a semiconductor and display manufacturing process in an appropriate shape without rounding due to over-polishing of an oxide film while removing polishing residues existing on a surface of the oxide film and a metal layer.
H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H01L 21/3213 - Gravure physique ou chimique des couches, p. ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
21.
STEP COVERAGE IMPROVER, METHOD OF FORMING THIN FILM USING STEP COVERAGE IMPROVER, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE INCLUDING THIN FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
The present invention relates to a step coverage improver, a method of forming a thin film using the step coverage improver, a semiconductor substrate including the thin film, and a semiconductor device including the semiconductor substrate. According to the present invention, by providing a compound with a predetermined structure as the step coverage improver, by forming a deposition layer with a uniform thickness as a shielded area on a substrate due to the difference in adsorption distribution of the compound, the deposition rate of the thin film may be reduced, and the thin film growth rate may be appropriately reduced. In addition, even when forming a thin film on a substrate with a complex structure, step coverage and the thickness uniformity of a thin film may be improved, and impurities may be greatly reduced.
The present invention relates to a method of forming a thin film, a semiconductor substrate fabricated using the method, and a semiconductor device including the semiconductor substrate. According to the present invention, by effectively replacing the ligand of an adsorption precursor by using a reaction surface pretreatment agent and a ligand substitution agent in combination, the reaction speed may be improved and the thin film growth rate may be appropriately reduced. In addition, even when forming a thin film on a substrate with a complex structure, step coverage and the thickness uniformity of a thin film may be greatly improved, impurities may be reduced, and film quality may be improved.
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
23.
SHIELDING COMPOUND, METHOD OF FORMING THIN FILM USING SHIELDING COMPOUND, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE FABRICATED USING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
The present invention relates to a shielding compound, a method of forming a thin film using the shielding compound, a semiconductor substrate fabricated using the method, and a semiconductor device including the semiconductor substrate. According to the present invention, by providing a compound having a predetermined structure as a shielding agent, by forming a deposition layer with a uniform thickness as a shielded area on a substrate due to the difference in adsorption distribution of the shielding agent, the deposition rate of the thin film may be reduced, and the thin film growth rate may be appropriately reduced. In addition, even when forming a thin film on a substrate with a complex structure, step coverage and the thickness uniformity of a thin film may be greatly improved, and impurities may be reduced.
C23C 16/04 - Revêtement de parties déterminées de la surface, p. ex. au moyen de masques
C07C 43/184 - Éthers une liaison sur l'oxygène de la fonction éther étant sur un atome de carbone d'un cycle autre que ceux d'un cycle aromatique à six chaînons lié à un atome de carbone d'un cycle non condensé
C07C 69/22 - Esters d'acides acycliques monocarboxyliques saturés dont le groupe carboxyle est lié à un atome de carbone acyclique ou à l'hydrogène avec au moins trois atomes de carbone dans la partie acide
C07C 69/96 - Esters de l'acide carbonique ou de l'acide formique halogéné
C07D 307/06 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons comportant un atome d'oxygène comme unique hétéro-atome du cycle non condensés avec d'autres cycles ne comportant pas de liaisons doubles entre chaînons cycliques ou entre chaînons cycliques et chaînons non cycliques avec uniquement des atomes d'hydrogène ou des radicaux ne contenant que des atomes d'hydrogène et de carbone, liés directement aux atomes de carbone du cycle
C07D 307/33 - Atomes d'oxygène en position 2, l'atome d'oxygène étant sous la forme céto ou énol non substituée
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
H01L 23/532 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées caractérisées par les matériaux
24.
THIN FILM MODIFICATION COMPOSITION, METHOD OF FORMING THIN FILM USING THIN FILM MODIFICATION COMPOSITION, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE INCLUDING THIN FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
The present invention relates to a thin film modification composition, a method of forming a thin film using the thin film modification composition, a semiconductor substrate including the thin film, and a semiconductor device including the semiconductor substrate. According to the present invention, by using a thin film modification composition consisting of a film growth/film quality improvement compound having a predetermined structure and a solvent with a specific dielectric constant, the growth rate of a deposition film may be appropriately reduced in a vacuum-based thin film process. Thus, even when forming a thin film on a substrate with a complex structure, step coverage and the thickness uniformity of a thin film may be greatly improved, the efficiency of etching a film may be improved, and impurity contamination may be significantly reduced.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
25.
ETCHANT COMPOSITION FOR ETCHING SILICON GERMANIUM FILM AND METHOD OF MANUFACTURING INTEGRATED CIRCUIT DEVICE BY USING THE SAME
Samsung Electronics Co., Ltd. (République de Corée)
Soulbrain Co., Ltd. (République de Corée)
Inventeur(s)
Park, Changjun
Lee, Jaesung
Lim, Junghun
Oh, Jungmin
Bae, Sangwon
Lee, Hyosan
Abrégé
An etchant composition for etching a silicon germanium film includes, based on a total weight of the etchant composition, about 5 wt % to about 14 wt % of an oxidant, about 0.01 wt % to about 5 wt % of a fluorine compound, about 0.01 wt % to about 5 wt % of an amine compound, about 0.01 wt % to about 1 wt % of an alcohol compound having a hydrophilic head and a hydrophobic tail, about 60 wt % to about 90 wt % of an organic solvent, and a balance of water. A method of manufacturing an integrated circuit device includes: forming, on a substrate, a structure in which a plurality of silicon films and a plurality of silicon germanium films are alternately stacked; and selectively removing the plurality of silicon germanium films by using the etchant composition.
C09K 13/10 - Compositions pour l'attaque chimique, la gravure, le brillantage de surface ou le décapage contenant un acide inorganique contenant un composé du bore
C09K 13/08 - Compositions pour l'attaque chimique, la gravure, le brillantage de surface ou le décapage contenant un acide inorganique contenant un composé du fluor
H01L 21/306 - Traitement chimique ou électrique, p. ex. gravure électrolytique
H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]
26.
ULTRATHIN FILM, METHOD FOR FORMING ULTRA-THIN FILM, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED THEREFROM
The present invention relates to an ultrathin film, a method for forming the ultrathin film, and a semiconductor substrate and a semiconductor device including same. Not only being composed of a barrier material and/or a high dielectric constant material, but also being modified to improve initial reactivity of deposition, the film, even when formed to be extremely thin, can reduce current leakage or improve current characteristics. Additionally, densification and impurity removal contribute to enhanced quality. The invention has the effect of providing an ultrathin film, a method for forming the ultrathin film, a forming agent, and a semiconductor substrate and a semiconductor device each including same.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
27.
ETCHING COMPOSITION AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME
The present invention relates to an etching composition and a method for manufacturing a semiconductor device using same. The etching composition comprises an inorganic acid and a silanol-based compound wherein the content of the silanol-based compound in the etching composition and the viscosity of the etching composition satisfy Equation 1, whereby the composition can secure a sufficient etch selectivity of a nitride film with respect to an oxide film while suppressing abnormal growth even in a high-temperature wet etching process, prevent the generation of bubbles immediately after production thus causing neither a decrease in the efficiency of the etching process nor damage to etching equipment, and exhibit excellent processability due to low viscosity.
C09K 13/06 - Compositions pour l'attaque chimique, la gravure, le brillantage de surface ou le décapage contenant un acide inorganique avec une substance organique
H01L 21/3213 - Gravure physique ou chimique des couches, p. ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
28.
ETCHING COMPOSITION AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME
The present invention relates to an etching composition and a method for manufacturing a semiconductor device, using same. The etching composition comprises an inorganic acid and a silanol-based compound, wherein the silanol-based compound is included in an amount of greater than or equal to 0.1 parts by weight and less than 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the etching composition, and an APHA value of the etching composition is less than 1.5, and thus the etching composition can secure a sufficient etching selectivity ratio of a nitride film to an oxide film while suppressing abnormal growth in a high-temperature wet etching process, can prevent the generation of bubbles immediately after preparation, thus not causing deterioration of etching process efficiency or damage to etching equipment, and exhibits almost no color, thus being more readily used during an etching process.
C09K 13/06 - Compositions pour l'attaque chimique, la gravure, le brillantage de surface ou le décapage contenant un acide inorganique avec une substance organique
H01L 21/3213 - Gravure physique ou chimique des couches, p. ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
29.
SLURRY COMPOSITION FOR CHEMICAL MECHANICAL METAL POLISHING AND POLISHING METHOD USING THE SAME
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. (République de Corée)
SOULBRAIN CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Hur, Wonki
Kim, Seokjoo
Yang, Daehoon
Park, Sanghyun
Kim, Gayoung
Kim, Sangkyun
Kim, Inkwon
Song, Eunho
Choi, Jaekwang
Abrégé
A slurry composition for chemical mechanical metal polishing includes a corrosion inhibitor, abrasive particles, an oxidizing agent, and a solvent. The corrosion inhibitor includes a C2 to C30 aliphatic heterocyclic compound including at least one nitrogen atom in the ring and at least one functional group selected from a halogen, an amine group, a cyclic amine group, a nitro group, an amide group, a carboxyl group, a hydroxy group, a thiol group, an alkoxy group, a C10 to C30 alkyl group, or an ester group; or a C2 to C30 aromatic heterocyclic compound including at least one nitrogen atom in the ring and at least one functional group selected from a halogen, an amine group, a cyclic amine group, a nitro group, an amide group, a carboxyl group, a hydroxy group, a thiol group, an alkoxy group, a C10 to C30 alkyl group, and an ester group; or a combination thereof.
C09K 15/30 - Compositions anti-oxydantesCompositions inhibant les modifications chimiques contenant des composés organiques contenant un hétérocycle avec au moins un azote comme membre du cycle
The present invention relates to a reactive species surface adsorption aid, a thin film, a semiconductor substrate, and a semiconductor device. According to the present invention, the reactive species surface adsorption aid is applied prior to the injection of a metal precursor, so that during the exposure of a substrate to the metal precursor, the reactive species surface adsorption aid reduces the adsorption energy of a reactive species to promote the nucleation of the reactive species, leading to an increased initial deposition rate and improved resistivity, thereby enabling the provision of a high-quality thin film.
C23C 16/04 - Revêtement de parties déterminées de la surface, p. ex. au moyen de masques
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
C23C 16/06 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique
C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt
31.
GROWTH INHIBITOR FOR FORMING THIN FILM, METHOD FOR FORMING THIN FILM AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PREPARED THEREFROM
A growth inhibitor for forming a thin film, a method for forming a thin film using the same, and a semiconductor substrate prepared therefrom are disclosed. The growth inhibitor is represented by Chemical Formula 1 [AnBmXo]. In the Chemical Formula 1, A is carbon or silicon, B is hydrogen or a C1-C3 alkyl, X is a halogen, n is an integer from 1 to 15, o is an integer of 1 or more, and m is from 0 to 2n+1. Side reactions are suppressed to appropriately lower a thin film growth rate and remove process byproducts in the thin film, thereby preventing corrosion or deterioration and greatly improving step coverage and thickness uniformity of a thin film even when the thin film is formed on a substrate having a complicated structure.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C07C 27/00 - Procédés impliquant la production simultanée de plusieurs classes de composés contenant de l'oxygène
C07C 201/00 - Préparation d'esters d'acide nitrique ou nitreux ou de composés contenant des groupes nitro ou nitroso liés à un squelette carboné
C23C 16/08 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir d'halogénures métalliques
C23C 16/18 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de composés organométalliques
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
32.
GROWTH INHIBITOR FOR FORMING THIN FILM, METHOD FOR FORMING THIN FILM AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PREPARED THEREFROM
A growth inhibitor for forming a thin film, a method for forming a thin film using the same, and a semiconductor substrate prepared therefrom are disclosed. The growth inhibitor is represented by Chemical Formula 1 [AnBmXo]. In the Chemical Formula 1, A is carbon or silicon, B is hydrogen or a C1-C3 alkyl, X is a halogen, n is an integer from 1 to 15, o is an integer of 1 or more, and m is from 0 to 2n+1. Side reactions are suppressed to appropriately lower a thin film growth rate and remove process byproducts in the thin film, thereby preventing corrosion or deterioration and greatly improving step coverage and thickness uniformity of a thin film even when the thin film is formed on a substrate having a complicated structure.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C07C 27/00 - Procédés impliquant la production simultanée de plusieurs classes de composés contenant de l'oxygène
C07C 201/00 - Préparation d'esters d'acide nitrique ou nitreux ou de composés contenant des groupes nitro ou nitroso liés à un squelette carboné
C23C 16/08 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir d'halogénures métalliques
C23C 16/18 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de composés organométalliques
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
33.
COMPOSITION FOR ETCHING AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME
The present invention relates to a composition for etching, comprising a first inorganic acid, a first additive represented by Chemical Formula 1, and a solvent.
The present invention relates to a composition for etching, comprising a first inorganic acid, a first additive represented by Chemical Formula 1, and a solvent.
The composition for etching is a high-selectivity composition that can selectively remove a nitride film while minimizing the etch rate of an oxide film, and which does not have problems such as particle generation, which adversely affect the device characteristics.
H10B 43/27 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par les agencements tridimensionnels, p. ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p. ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p. ex. des canaux en forme de U
H10B 43/35 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la région noyau de mémoire avec transistors de sélection de cellules, p. ex. NON-ET
34.
FILM QUALITY IMPROVER, METHOD OF FORMING THIN FILM USING FILM QUALITY IMPROVER, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE FABRICATED USING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
The present invention relates to a film quality improver, a method of forming a thin film using the film quality improver, a semiconductor substrate fabricated using the method, and a semiconductor device including the semiconductor substrate. The present invention provides a compound having a predetermined structure as a film quality improver. According to the present invention, by forming a shielding area for a molybdenum-based thin film on a substrate, the deposition rate of a molybdenum-based thin film may be reduced, and the growth rate of a thin film may be controlled. Thus, even when forming a thin film using a solid compound on the substrate with a complicated structure at room temperature, step coverage and the thickness uniformity of the thin film may be greatly improved, and corrosion or deterioration may be prevented, thereby improving the crystallinity and electrical properties of a thin film.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p. ex. condensation
35.
METHOD OF PREPARING ASYMMETRIC PHOSPHATE-BASED COMPOUND
The present invention relates to a method of preparing an asymmetric phosphate-based compound. According to the method of the present invention, since a thiolane-based cyclic compound is used alone in a hydrophobic solvent under a base-free condition, the yield of a desired compound may be increased due to excellent reaction stability and reduced side reactions.
C07F 9/6578 - Composés hétérocycliques, p. ex. contenant du phosphore comme hétéro-atome du cycle comportant des atomes de phosphore, avec ou sans atomes d'azote, d'oxygène, de soufre, de sélénium ou de tellure, comme hétéro-atomes du cycle comportant des atomes de phosphore et de soufre, avec ou sans atomes d'oxygène, comme hétéro-atomes du cycle
The present invention relates to a method of preparing a symmetric or asymmetric cyclic phosphine compound, the method including a step of reacting a cyclic phosphine compound with an organic halogen compound under a predetermined coupling agent. The present invention provides a method of preparing a symmetric or asymmetric cyclic phosphine compound that uses cheaper compounds compared to a conventional method, has excellent economics by stably storing reaction raw materials, improves productivity and yield due to easy reaction control and low generation of by-products, is easily applied on an industrial scale, and has excellent expandability or substitutivity of a synthetic route.
C07F 9/6571 - Composés hétérocycliques, p. ex. contenant du phosphore comme hétéro-atome du cycle comportant des atomes de phosphore, avec ou sans atomes d'azote, d'oxygène, de soufre, de sélénium ou de tellure, comme hétéro-atomes du cycle comportant des atomes de phosphore et d'oxygène comme uniques hétéro-atomes du cycle
H01M 10/0567 - Matériaux liquides caracterisés par les additifs
H01M 10/42 - Procédés ou dispositions pour assurer le fonctionnement ou l'entretien des éléments secondaires ou des demi-éléments secondaires
37.
METHOD FOR FORMING LOW-TEMPERATURE DEPOSITION FILM, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE MANUFACTURED THEREFROM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
The present invention relates to a method for forming a low-temperature deposition film, a semiconductor substrate manufactured therefrom, and a semiconductor device, wherein the method comprises an iodine ligand exchange step, which is very advantageous for a redox reaction for forming a final deposition film, thereby effectively manufacturing a thin film and/or a metal nitride film with low resistance in a low-temperature process, reducing film impurities caused by ligands, such as carbon, and improving properties, such as resistivity and crystallinity.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
38.
DEPOSITION MATERIAL FOR SEMIMETAL NITRIDE FILM, METHOD FOR FORMING SEMIMETAL NITRIDE FILM, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED THEREFROM
The present invention relates to a deposition material for a semimetal nitride film, a method for forming a semimetal nitride film, and a semiconductor substrate and a semiconductor device manufactured therefrom, wherein low-temperature deposition materials are injected sequentially or simultaneously into a semimetal precursor compound that does not include a halogen as a ligand (halogen-free precursor), whereupon the ligand of the halogen-free precursor and the low-temperature deposition materials switch places and become implanted in the substrate, after which the reactivity with a reactant injected later in the deposition process improves, and therefore the thin film growth rate is improved and the density and refractive index of the deposited film are significantly enhanced.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
39.
OXIDE FILM REACTION SURFACE CONTROL AGENT, METHOD OF FORMING OXIDE FILM USING OXIDE FILM REACTION SURFACE CONTROL AGENT, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE INCLUDING OXIDE FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
The present invention relates to an oxide film reaction surface control agent, a method of forming an oxide film using the oxide film reaction surface control agent, a semiconductor substrate including the oxide film, and a semiconductor device including the semiconductor substrate. According to the present invention, by providing a compound having a predetermined structure as an oxide film reaction surface control agent, a deposition layer having a uniform thickness due to a difference in the adsorption distribution of the oxide film reaction surface control agent is formed as a shielding area on a substrate, thereby reducing thin film deposition rate and appropriately reducing thin film growth rate. Accordingly, even when a thin film is formed on a substrate having a complex structure, step coverage and the thickness uniformity of the thin film may be greatly improved, and impurities may be reduced.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 16/50 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
40.
THIN FILM MANUFACTURING METHOD, THIN FILM OBTAINED THEREFROM, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR ELEMENT INCLUDING THIN FILM
The present invention relates to a thin film manufacturing method, a thin film obtained therefrom, and a semiconductor substrate and a semiconductor element including the thin film. According to the present invention, it is possible to provide a thin film manufacturing method, a thin film obtained therefrom, and a semiconductor substrate and a semiconductor element formed according to same, wherein the thin film manufacturing method can spatially divide high-aspect-ratio holes or trenches of the semiconductor element and perform a selective deposition process, thereby eliminating the thickness non-uniformity of a substrate at each hole or trench location without holes, voids inside the trenches, or seams.
C23C 16/04 - Revêtement de parties déterminées de la surface, p. ex. au moyen de masques
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p. ex. condensation
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
41.
ELECTROLYTE AND SECONDARY BATTERY INCLUDING THE SAME
The present invention relates to an electrolyte for batteries and a secondary battery. The present invention has an effect of providing a secondary battery having improved charging efficiency and output due to reduced charging resistance and having excellent long-term lifespan and high-temperature capacity retention rate.
The present invention relates to a low-temperature deposition material, a method for forming a low-temperature deposition film, and a semiconductor substrate and semiconductor device manufactured therefrom, and has the effects of providing a low-temperature deposition material, a method for forming a low-temperature deposition film, and a semiconductor substrate and a semiconductor device manufactured therefrom, in which by applying a predetermined material that can perform the role as a strong reducing agent even in a low-temperature process, it is possible to effectively manufacture a thin film and/or a metal nitride film with low resistance in a low-temperature process, and to reduce film impurities caused by ligands such as carbon and to improve physical properties such as specific resistivity and crystallinity.
C23C 16/448 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour produire des courants de gaz réactifs, p. ex. par évaporation ou par sublimation de matériaux précurseurs
C23C 16/06 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique
C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt
C23C 18/52 - Revêtement chimique par décomposition soit de composés liquides, soit de solutions des composés constituant le revêtement, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtementDépôt par contact par réduction ou par substitution, p. ex. dépôt sans courant électrique en utilisant des agents réducteurs pour le revêtement avec des matériaux métalliques non prévus par un seul des groupes
C23C 18/40 - Revêtement avec du cuivre en utilisant des agents réducteurs
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
Disclosed is an electrolyte and a secondary battery containing the same. According to the present disclosure, charging efficiency and output may be improved due to low discharge resistance, and gas generation and thickness increase may be suppressed to provide a secondary battery with long-term lifespan and excellent high temperature capacity retention.
H01M 10/0567 - Matériaux liquides caracterisés par les additifs
H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p. ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodesBatteries à l'ion lithium
H01M 10/0568 - Matériaux liquides caracterisés par les solutés
H01M 10/0569 - Matériaux liquides caracterisés par les solvants
44.
THIN FILM FORMING METHOD, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE MANUFACTURED THEREFROM, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT
The present invention relates to a thin film forming method, a semiconductor substrate manufactured therefrom, and a semiconductor element, wherein a certain reducing agent is applied so that the thickness uniformity of a thin film can be greatly enhanced even when the thin film is formed on a substrate having a highly integrated or complex structure, and film quality is effectively improved by reducing impurities and improving the density and resistivity of the thin film.
H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p. ex. condensation
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
C23C 16/06 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 16/18 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de composés organométalliques
C07F 11/00 - Composés contenant des éléments des groupes 6 ou 16 du tableau périodique
45.
ELECTROLYTE SOLUTION FOR BATTERIES AND SECONDARY BATTERY INCLUDING THE SAME
The present invention relates to an electrolyte solution additive, an electrolyte solution for batteries, and a secondary battery including the same. According to the present invention, the present invention has an effect of providing a secondary battery having improved charging efficiency and output due to low discharge resistance and having a long lifespan and excellent high-temperature capacity retention rate by suppressing gas generation.
The present invention relates to a thin film forming material, a thin film forming method, and a semiconductor substrate and semiconductor device manufactured therefrom, and has the effect of providing a thin film forming material that not only effectively manufactures a thin film with low resistance but also reduces impurities in the thin film caused by ligands such as carbon and improves thin film properties such as resistivity and crystallinity by applying a predetermined material that can form a metal thin film or a metal nitride thin film by performing a reduction or catalytic reaction, a thin film forming method, and a semiconductor substrate and semiconductor device manufactured therefrom.
H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p. ex. condensation
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
C23C 16/06 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C07F 11/00 - Composés contenant des éléments des groupes 6 ou 16 du tableau périodique
A transparent nickel complex ink composition and a method for preparing the same are described. Specifically, the transparent nickel complex ink composition comprises: a polar portion comprising nickel and a compound coordinated to the nickel; a solvent; and other additives. The nickel complex compound ink composition is transparent and particle-free, and has an absorbance (ABS) value of 1.0 or higher in a wavelength range of 600 nm to 650 nm.
Disclosed is an electrolyte and a secondary battery containing the same. According to the present disclosure, charging efficiency and output may be improved due to low discharge resistance, and gas generation and thickness increase may be suppressed to provide a secondary battery with long-term lifespan and excellent high temperature capacity retention.
H01M 10/0567 - Matériaux liquides caracterisés par les additifs
H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p. ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodesBatteries à l'ion lithium
Disclosed is an electrolyte and a secondary battery containing the same. According to the present disclosure, charging efficiency and output may be improved due to low discharge resistance, and gas generation and thickness increase may be suppressed to provide a secondary battery with long-term lifespan and excellent high temperature capacity retention.
C07C 311/48 - Amides d'acides sulfoniques, c.-à-d. composés comportant des atomes d'oxygène, liés par des liaisons simples, de groupes sulfoniques remplacés par des atomes d'azote, ne faisant pas partie de groupes nitro ou nitroso ayant des atomes d'azote de groupes sulfonamide liés de plus à un autre hétéro-atome
C07D 327/10 - Composés hétérocycliques contenant des cycles comportant des atomes de soufre et d'oxygène comme uniques hétéro-atomes du cycle deux atomes d'oxygène et un atome de soufre, p. ex. sulfates cycliques
C07F 9/06 - Composés du phosphore sans liaisons P—C
H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p. ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodesBatteries à l'ion lithium
Disclosed is an electrolyte and a secondary battery containing the same. According to the present disclosure, charging efficiency and output may be improved due to low discharge resistance, and gas generation and thickness increase may be suppressed to provide a secondary battery with long-term lifespan and excellent high temperature capacity retention.
H01M 10/0567 - Matériaux liquides caracterisés par les additifs
C01B 17/45 - Composés contenant soufre et halogène avec ou sans oxygène
C07C 317/28 - SulfonesSulfoxydes ayant des groupes sulfone ou sulfoxyde et des atomes d'azote, ne faisant pas partie de groupes nitro ou nitroso, liés au même squelette carboné avec des groupes sulfone ou sulfoxyde liés à des atomes de carbone acycliques du squelette carboné
H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p. ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodesBatteries à l'ion lithium
51.
FILM-FORMING MATERIAL, FILM-FORMING COMPOSITION, FILM-FORMING METHOD USING FILM-FORMING MATERIAL AND FILM-FORMING COMPOSITION, AND SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATED USING FILM-FORMING METHOD
The present invention relates to a film-forming material, a film-forming composition, a film-forming method using the film-forming material and the film-forming composition, and a semiconductor device fabricated using the method. According to the present invention, by reducing a growth rate, even when forming a thin film on a substrate having a complex structure, a conformal thin film may be provided. In addition, by reducing impurities in the thin film and greatly improving the density of the thin film, leakage current generated due to oxidation of a lower electrode in the conventional high-temperature process may be greatly reduced. Therefore, the present invention has an effect of providing a film-forming material, a film-forming composition, a film-forming method using the film-forming material and the film-forming composition, and a semiconductor device fabricated using the film-forming method.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
The present invention relates to an electrolyte additive, an electrolyte comprising same and a secondary battery. Provided in the present invention is the secondary battery, which has a suppressed side reaction therein, has low charging resistance such that charging efficiency and output can be improved, and has excellent long-term lifespan and high-temperature capacity retention.
The present invention relates to a method of preparing a vanadium electrolyte solution and a battery including the vanadium electrolyte solution. According to the present invention, the present invention has an effect of providing a method of preparing a vanadium electrolyte solution that allows control of the reduction reaction rate of a vanadium compound, provides an effect of omitting separation and recovery processes by not generating by-products, and provides reproducibility of a single manufacturing process and a battery including the vanadium electrolyte solution.
The present invention relates to an electrolyte solution and a secondary battery including the same. According to the present invention, the present invention has an effect of providing a secondary battery having improved charging efficiency and output due to low discharge resistance and having a long lifespan and excellent high-temperature capacity retention by suppressing gas generation and increase in thickness.
The present invention relates to an indium precursor compound, a method of preparing a thin film using the same, and a board prepared using the same. More particularly, the present invention relates to an indium precursor compound represented by Chemical Formula 1, a method of preparing a thin film using the same, and a board prepared using the same.
According to the present invention, a uniform thin film may be formed, productivity may be increased due to an increased deposition rate, thermal stability and storage stability may be excellent, and an effect of easy handling may be obtained.
C23C 16/18 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de composés organométalliques
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
56.
ELECTROLYTE ADDITIVE, AND BATTERY ELECTROLYTE COMPRISING SAME AND SECONDARY BATTERY COMPRISING SAME
The present invention relates to an electrolyte additive, and an electrolyte and a secondary battery which comprise same. According to the present invention, the provided secondary battery forms a stable film on various lithium secondary battery cathodes/anodes, including high-nickel, a Si anode, an LFP battery, a lithium manganese rich (LMR) battery, or a cobalt-free battery, so as to suppress a side reaction inside the battery, can enhance charging efficiency and output by having low charge/discharge resistance, can suppress an increase in battery resistance even if stored for a long time under high temperature conditions, also remarkably suppresses gas generation due to decomposition of electrolyte components so as to have excellent long-term lifespan and high-temperature capacity retention rate, and effectively scavenges hydrofluoric acid from among side reaction products caused by instability of a high-nickel cathode so as to suppress an increase in acidity of the electrolyte and elution of transition metal ions from the cathode, and thus has excellent battery characteristics and lifespan.
Provided are: cerium oxide particles for chemical mechanical polishing; and a chemical mechanical polishing slurry composition containing same. The characteristic cerium oxide particles of the present invention can be combined with a surface treatment agent to change the zeta potential of the surface of the cerium oxide particles while maintaining monodispersity and a high oxide film polishing speed, and thereby provide a chemical mechanical polishing slurry composition that can be used for various purposes during the STI process, and a method for manufacturing a semiconductor device using the chemical mechanical polishing slurry composition.
Provided are cerium oxide particles for chemical mechanical polishing and a chemical mechanical polishing slurry composition comprising same. A combination of the characteristic cerium oxide particles of the present invention with a dishing control agent leads to the provision of a chemical mechanical polishing slurry composition that suppresses dishing occurring during the polishing process while enhancing the oxide layer polishing rate, and a method for manufacturing semiconductor devices utilizing same.
METAL THIN-FILM PRECURSOR COMPOSITION, METHOD OF FORMING THIN FILM USING METAL THIN-FILM PRECURSOR COMPOSITION, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE FABRICATED USING METHOD
Disclosed are a metal thin film precursor composition, a method of forming a thin film using the metal thin film precursor composition, and a semiconductor substrate fabricated using the method. The metal thin film precursor composition includes a metal thin film precursor compound and a growth regulator including a predetermined terminal group and structure. In a thin film deposition process, by using the metal thin film precursor composition, side reactions may be suppressed and thin film growth rate may be controlled appropriately. Since process by-products in a thin film are removed, even when the thin film is formed on a substrate having a complicated structure, step coverage and the thickness uniformity and resistivity characteristics of the thin film may be greatly improved. In addition, corrosion or deterioration may be prevented, and the crystallinity of the thin film may be improved, thereby improving the electrical properties of the thin film.
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
C23C 16/448 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour produire des courants de gaz réactifs, p. ex. par évaporation ou par sublimation de matériaux précurseurs
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 16/46 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour le chauffage du substrat
C23C 16/50 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques
H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p. ex. condensation
60.
VACUUM-BASED THIN FILM MODIFIER, THIN FILM MODIFYING COMPOSITION COMPRISING SAME, THIN FILM FORMING METHOD USING SAME, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED THEREFROM
The present invention relates to a vacuum-based thin film modifier, a thin film modifying composition comprising same, a thin film forming method using same, and a semiconductor substrate and semiconductor device manufactured therefrom, wherein a compound with a predetermined structure is provided as a vacuum-based thin film modifier to appropriately lower the growth rate of a deposition film during a vacuum-based thin film process, thereby significantly improving the step coverage and thin film thickness uniformity even when a thin film is formed on a substrate with a complex structure, increasing the efficiency of an etched film, and remarkably reducing the contamination by impurities such as carbon.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
61.
CHEMICAL MECHANICAL POLISHING SLURRY COMPOSITION AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES
Provided are cerium oxide particles for chemical mechanical polishing and a chemical mechanical polishing slurry composition comprising same. A combination of the characteristic cerium oxide particles of the present invention with a cationic polymer and a nitride film polishing inhibitor leads to the provision of a chemical mechanical polishing slurry composition that maximizes the silicon oxide film/nitride film selectivity ratio for an STI polishing process while enhancing the polishing speed of the oxide film, and a method for manufacturing semiconductor devices utilizing same.
Provided are: chemical mechanical polishing cerium oxide particles; and a chemical mechanical polishing slurry composition containing same. Provided are the chemical mechanical polishing slurry composition and a method for manufacturing a semiconductor device by using same, the composition comprising, in a combination, the characteristic cerium oxide particles of the present invention, a cationic polymer and a polysilicon polishing inhibitor, thereby enabling an oxide film polishing rate to be improved while maximizing, during STI polishing, silicon oxide film/polysilicon film selectivity.
Provided are cerium oxide particles for chemical-mechanical polishing and a slurry composition for chemical-mechanical polishing comprising same. By means of a combination of cerium oxide particles, the characteristic of the present invention, with a cationic polymer and a passivation regulator, it is possible to provide a slurry composition for chemical-mechanical polishing which can improve oxide film polishing speed while maximizing a silicon oxide film/polysilicon film selection ratio during a STI polishing process, and a method for manufacturing a semiconductor device using same.
Provided are cerium oxide particles for chemical-mechanical polishing and a chemical-mechanical polishing slurry composition comprising same. By combining the cerium oxide particles that are characteristics of the present invention with two different cationic polymers, it is possible to provide a slurry composition for chemical-mechanical polishing that can maximize the silicon oxide/polysilicon film selection ratio during an STI polishing process while improving the speed of polishing the oxide film, and a method for manufacturing a semiconductor device utilizing the slurry composition.
Provided are cerium oxide particles for chemical-mechanical polishing and a chemical-mechanical polishing slurry composition comprising same. By combining the cerium oxide particles that are characteristic of the present invention with a cationic polymer and a nitride film passivation modifier, it is possible to provide a slurry composition for chemical-mechanical polishing that can maximize the silicon oxide/nitride film selection ratio during an STI polishing process while improving the oxide film polishing speed, and a method for manufacturing a semiconductor device utilizing the slurry composition.
Provided are: cerium oxide particles for chemical mechanical polishing; and a slurry composition for chemical mechanical polishing comprising same. Provided are: a slurry composition for chemical mechanical polishing that can significantly increase the polishing speed of a silicon oxide film during an STI polishing process due to the combination of cerium oxide particles, by which the present invention is characterized, with a cationic polymer and an azole-based compound; and a method for manufacturing a semiconductor device using same.
The present invention relates to an auxiliary precursor, a thin film precursor composition, a method of forming a thin film using the thin film precursor composition, and a semiconductor substrate fabricated using the method. The present invention provides the thin film precursor composition including a thin film precursor compound and a compound having a predetermined structure that exhibits reaction stability as the auxiliary precursor. By using the thin film precursor composition in a thin film deposition process, side reactions may be suppressed, and thin film growth rate may be appropriately controlled. In addition, since process by-products are removed from a thin film, even when a thin film is formed on a substrate having a complicated structure, step coverage and the thickness uniformity and resistivity characteristics of the thin film may be greatly improved. In addition, corrosion or deterioration may be prevented, and the crystallinity of the thin film may be improved, thereby improving the electrical properties of the thin film.
The present invention relates to a novel electrolyte and a secondary battery including the same. The present invention has an effect of providing a secondary battery having improved charging efficiency and output due to reduced charging resistance and having excellent long-term lifespan and high-temperature capacity retention rate.
The present invention provides a slurry composition for chemical mechanical polishing and a manufacturing method therefor, wherein the slurry composition is capable of achieving a high polishing rate for low dielectric constant films relative to the abrasive particle content, and improving the ratio of the polishing rate of low dielectric constant films to the polishing rate of oxide films. In addition, the invention provides a slurry composition for chemical mechanical polishing and a manufacturing method therefor, wherein the slurry composition is capable of achieving a high polishing rate for low dielectric constant films relative to the abrasive particle content, and improving the ratio of the polishing rate of low dielectric constant films to the polishing rate of nitride films. Moreover, the invention provides a slurry composition for chemical mechanical polishing and a manufacturing method therefor, wherein the slurry composition is capable of achieving a high polishing rate for low dielectric constant films relative to the abrasive particle content, and improving the ratio of the polishing rate of low dielectric constant films to the polishing rate of silicon carbonitride (SiCN) films. Furthermore, the invention provides a slurry composition for chemical mechanical polishing and a manufacturing method therefor, wherein the slurry composition controls the polishing selectivity ratio of low dielectric constant films to nitride films to a low level, thereby achieving excellent planarity of the polishing target and control defects such as dishing, erosion, and scratches.
The present invention relates to a dielectric film activator, a semiconductor substrate manufactured using same, and a semiconductor device. According to the present invention, the use of the dielectric film activator, which can offer a thin film density increasing effect while reducing the content of a by-product carbon compound between a precursor incorporated into a dielectric film and a reaction gas, provides a thin film density increasing effect through a simple process while improving the capacitance of the dielectric film.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 16/06 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique
H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p. ex. condensation
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
71.
CHALCOGENIDE-BASED THIN-FILM MODIFIER, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCED USING SAME
The present invention relates to a chalcogenide-based thin-film modifier, and a semiconductor substrate and semiconductor device produced using same, and a method for producing a metalloid-containing thin film of the present invention has the effect of facilitating the production of a thin film having a high purity through a simple process while improving reliability, by using a precursor compound containing halogen, and a specific chalcogenide-based thin-film modifier capable of filling the vacancy of halogen that has left the precursor compound.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 16/06 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique
H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p. ex. condensation
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
72.
ACTIVATOR, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE MANUFACTURED USING SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
The present invention relates to an activator, a semiconductor substrate manufactured using same, and a semiconductor device, and a method for manufacturing a titanium-containing deposition film according to the present invention has the effect of easily manufacturing a highly purified deposition film through a simple process by using a titanium-based precursor compound and a specific reaction gas.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 16/06 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique
H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p. ex. condensation
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
73.
ELECTROLYTE SOLUTION AND SECONDARY BATTERY INCLUDING THE SAME
The present invention relates to an electrolyte solution and a secondary battery including the same. According to the present invention, the present invention has an effect of providing a secondary battery having improved charging efficiency and output due to low discharge resistance and having a long lifespan and excellent high-temperature capacity retention by suppressing gas generation and increase in thickness.
H01M 10/0567 - Matériaux liquides caracterisés par les additifs
H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p. ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodesBatteries à l'ion lithium
74.
ELECTROLYTE SOLUTION AND SECONDARY BATTERY INCLUDING THE SAME
The present invention relates to an electrolyte solution and a secondary battery including the same. According to the present invention, the present invention has an effect of providing a secondary battery having improved charging efficiency and output due to low discharge resistance and having a long lifespan and excellent high-temperature capacity retention by suppressing gas generation and increase in thickness.
H01M 10/0567 - Matériaux liquides caracterisés par les additifs
C07C 69/003 - Esters d'alcools saturés dont le groupe hydroxyle estérifié est lié à un atome de carbone acyclique
C07C 309/04 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone acycliques d'un squelette carboné acyclique saturé contenant un seul groupe sulfo
H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p. ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodesBatteries à l'ion lithium
H01M 10/0568 - Matériaux liquides caracterisés par les solutés
H01M 10/0569 - Matériaux liquides caracterisés par les solvants
75.
ELECTROLYTE SOLUTION AND SECONDARY BATTERY INCLUDING THE SAME
The present invention relates to an electrolyte solution and a secondary battery including the same. According to the present invention, the present invention has an effect of providing a secondary battery having improved charging efficiency and output due to low discharge resistance and having a long lifespan and excellent high-temperature capacity retention by suppressing gas generation and increase in thickness.
H01M 10/0567 - Matériaux liquides caracterisés par les additifs
H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p. ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodesBatteries à l'ion lithium
H01M 10/0568 - Matériaux liquides caracterisés par les solutés
H01M 10/0569 - Matériaux liquides caracterisés par les solvants
76.
ELECTROLYTE SOLUTION AND SECONDARY BATTERY INCLUDING THE SAME
The present invention relates to an electrolyte solution and a secondary battery including the same. According to the present invention, the present invention has an effect of providing a secondary battery having improved charging efficiency and output due to low discharge resistance and having a long lifespan and excellent high-temperature capacity retention by suppressing gas generation and increase in thickness.
H01M 10/0567 - Matériaux liquides caracterisés par les additifs
H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p. ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodesBatteries à l'ion lithium
H01M 10/0568 - Matériaux liquides caracterisés par les solutés
H01M 10/0569 - Matériaux liquides caracterisés par les solvants
77.
SHIELDING COMPOUND, THIN FILM FORMATION METHOD USING SAME, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED THEREFROM
The present invention relates to a shielding compound, a thin film formation method using same, and a semiconductor substrate and a semiconductor device manufactured therefrom, and provides, as a shielding compound, a compound having a predetermined structure, forms, on a substrate, a shielding area for a silicon-based thin film so as to reduce the deposition speed of a silicon-based thin film, suitably lowers thin film growth rate so as to greatly improve step coverage and thickness uniformity of a thin film even if the thin film is formed on a substrate having a complex structure, and reduces corrosion or deterioration and improves thin film crystallinity such that electrical properties of the thin film are enhanced.
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H10B 43/30 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la région noyau de mémoire
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
Provided herein are protective membranes for lithography that include a core layer including carbon, an interface layer on the core layer, and a protective layer on the interface layer. The interface layer includes a reactive group bonded to a carbon atom of the core layer and the reactive group includes oxygen or nitrogen. The protective layer includes an element “M”, and the element “M” is bonded to the oxygen or nitrogen of the reactive group.
The present invention relates to an electrolyte solution and a secondary battery including the same. According to the present invention, the present invention has an effect of providing a secondary battery having improved charging efficiency and output due to low discharge resistance and having a long lifespan and excellent high-temperature capacity retention rate by suppressing increase in thickness.
H01M 10/0567 - Matériaux liquides caracterisés par les additifs
H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p. ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodesBatteries à l'ion lithium
H01M 10/0569 - Matériaux liquides caracterisés par les solvants
H01M 10/0568 - Matériaux liquides caracterisés par les solutés
80.
THIN FILM PRECURSOR COMPOUND, METHOD FOR FORMING THIN FILM BY USING SAME, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE MANUFACTURED THEREBY
The present invention relates to a method for forming a thin film by using a thin film precursor compound, a semiconductor substrate manufactured thereby, and a semiconductor device. According to the present invention, provided are a thin film precursor compound, a method for forming a thin film by using same, and a semiconductor substrate manufactured thereby, the compound, represented by a predetermined chemical formula 2, being used to greatly increase deposition rate and facilitate handling during injection into thin film deposition chamber, and, in particular, having excellent thermal stability, and thus has a very high purity and provides excellent step coverage, suppressing side reactions so as to lower thin film growth rate, greatly improving step coverage and thickness uniformity of the thin film even if a thin film is formed on a substrate with a complex structure, and improving the density of a thin film so as to greatly improve electrical properties of the thin film.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 16/18 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de composés organométalliques
The present invention relates to a method of preparing a symmetrical phosphate-based compound. According to the method of the present invention, since a dinucleating agent is used in a hydrophobic solvent under a base-free condition, the yield of a desired compound may be increased due to excellent reaction stability and reduced side reactions.
The present invention relates to a method of preparing an organosulfur compound, and more particularly, to a method of preparing an organosulfur compound including a step of synthesizing an organosulfur compound by reacting specific compounds with a metal hypohalite under a ruthenium catalyst in a mixed solvent containing water and an organic solvent, wherein the metal hypohalite is introduced in a solid state and a portion thereof reacts in an undissolved state. According to the present invention, the present invention has an effect of providing an organosulfur compound preparation method capable of preparing an organosulfur compound in high yield due to excellent reaction stability, short reaction time, and reduced side reactions.
C07D 327/10 - Composés hétérocycliques contenant des cycles comportant des atomes de soufre et d'oxygène comme uniques hétéro-atomes du cycle deux atomes d'oxygène et un atome de soufre, p. ex. sulfates cycliques
The present invention relates to a method of preparing an organosulfur compound, and more particularly, to a method of preparing an organosulfur compound including a step of synthesizing an organosulfur compound by reacting specific compounds with a metal hypohalite under a ruthenium catalyst in a mixed solvent containing water and an organic solvent, wherein reaction temperature during the synthesis is 0 to 25° C. According to the present invention, the present invention has an effect of providing an organosulfur compound preparation method capable of preparing an organosulfur compound in high yield due to excellent reaction stability, short reaction time, and reduced side reactions.
C07D 327/10 - Composés hétérocycliques contenant des cycles comportant des atomes de soufre et d'oxygène comme uniques hétéro-atomes du cycle deux atomes d'oxygène et un atome de soufre, p. ex. sulfates cycliques
B01J 23/46 - Ruthénium, rhodium, osmium ou iridium
84.
CERIUM OXIDE PARTICLES, CHEMICAL MECHANICAL POLISHING SLURRY COMPOSITION COMPRISING SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
Proposed are cerium oxide particles for chemical mechanical polishing and a slurry composition for chemical mechanical polishing comprising the same. The surfaces of the cerium oxide particles comprise Ce3+ and Ce4+. When the cerium oxide particles are used, they may exhibit a high oxide removal rate and high oxide selectivity in a low particle content range despite their fine particle size as a result of increasing the proportion of Ce3+ on the cerium oxide surface.
The present application can provide a conductive paste composition that has excellent viscosity characteristics and is easy to print and disperse, even with a small amount of conductive metal powder, by substituting a portion thereof, for example, conductive metal powder or the like, with a nickel complex ink composition. The present application can also provide a thin internal electrode using the conductive paste composition as described above.
The present invention relates to an activator, a thin film forming method using same, a semiconductor substrate manufactured therefrom, and a semiconductor device, wherein a predetermined structured compound is provided as an activator to effectively replace a ligand of an adsorption precursor, thereby improving the reaction rate and appropriately lowering the thin film growth rate, so that even when a thin film is formed on a substrate with a complicated structure, step coverage and thin film thickness uniformity can be greatly improved and impurities are reduced.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
87.
THIN FILM MODIFICATION COMPOSITION, METHOD FOR FORMING THIN FILM BY USING SAME, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR ELEMENT MANUFACTURED THEREFROM
The present invention relates to a thin film modification composition, a method for forming a thin film by using same, and a semiconductor substrate and a semiconductor element manufactured therefrom. By improving a reaction rate and appropriately lowering a thin film growth rate by using a step coverage improving agent and an amine compound together, step coverage and thickness uniformity of a thin film can be greatly improved even when the thin film is formed on a substrate with a complex structure under high temperature conditions, and an effect of improving the film quality can be achieved as impurities are reduced.
C23C 16/04 - Revêtement de parties déterminées de la surface, p. ex. au moyen de masques
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
The present invention relates to a thin film forming method, a semiconductor substrate manufactured therefrom, and a semiconductor device, wherein a reaction surface pre-treatment agent and a ligand displacement agent are used in combination to effectively replace a ligand of an adsorption precursor, thereby improving the reaction rate and appropriately lowering the thin film growth rate, so that even when a thin film is formed on a substrate with a complicated structure, step coverage and thin film thickness uniformity can be greatly improved, and the film quality is improved through impurity reduction.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 16/04 - Revêtement de parties déterminées de la surface, p. ex. au moyen de masques
The present invention relates to a thin film modification composition, a method for forming a thin film by using same, a semiconductor substrate manufactured thereby, and a semiconductor device. A step coverage enhancer and a diffusion enhancer are used in combination to improve reaction rate and suitably lower the growth rate of a thin film, and thus step coverage and thin film thickness uniformity can be greatly improved even if a thin film is formed on a substrate having a complex structure in high temperature conditions, and impurities are reduced to improve film quality.
C23C 16/04 - Revêtement de parties déterminées de la surface, p. ex. au moyen de masques
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
The present invention relates to a thin film shielding agent, a thin film forming composition comprising same, a method for forming a thin film using same, and a semiconductor substrate and a semiconductor device manufactured therefrom. By applying a thin film shielding agent, the reaction rate is improved and the thin film growth rate can be appropriately reduced. Thus, even when a thin film is formed on a substrate with a complex structure under high-temperature conditions, the step coverage and thickness uniformity of the thin film can be significantly improved, and thus, a seamless film can be formed, and impurities are reduced and the film quality is improved.
C23C 16/04 - Revêtement de parties déterminées de la surface, p. ex. au moyen de masques
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
The present invention relates to a growth inhibitor for forming a thin film, a method of forming a thin film using the growth inhibitor, and a semiconductor substrate fabricated by the method. More specifically, the growth inhibitor for forming a thin film of the present invention is a compound represented by Chemical Formula 1: AnBmXoYiZj. In Chemical Formula 1, A is carbon or silicon; B is hydrogen or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms; X includes one or more of fluorine (F), chlorine (Cl), bromine (Br), and iodine (I); Y and Z independently include one or more selected from the group consisting of oxygen, nitrogen, sulfur, and fluorine and are different from each other; n is an integer from 1 to 15; o is an integer greater than or equal to 1; m is 0 to 2n+1; and i and j are integers from 0 to 3.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
92.
STEP RATE IMPROVER, METHOD FOR FORMING THIN FILM USING SAME, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED THEREFROM
The present invention relates to a step rate improver, a method for forming a thin film using same, and a semiconductor substrate and a semiconductor device manufactured therefrom. By providing a compound having a predetermined structure as a step rate improver, a deposited layer, which has a uniform thickness due to a difference in the adsorption distribution of the corresponding compound, is formed as a shielding region on a substrate, thereby reducing the deposition rate of a thin film. In addition, by appropriately lowering the growth rate of the thin film, even when the thin film is formed on a substrate having a complicated structure, the step coverage and thickness uniformity of the thin film can be greatly improved, and there is an effect of reducing impurities.
C23C 16/04 - Revêtement de parties déterminées de la surface, p. ex. au moyen de masques
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p. ex. condensation
93.
THIN FILM MODIFICATION COMPOSITION, METHOD FOR FORMING THIN FILM USING SAME, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR ELEMENT, MANUFACTURED THEREFROM
The present invention relates to a thin film modification composition, a method for forming a thin film using same, and a semiconductor substrate and a semiconductor device, manufactured therefrom. By using a shielding material and a diffusion improving material in combination, the reaction rate can be improved, and the growth rate of a thin film is appropriately lowered, and thus, even in the case of forming a thin film on a substrate having a complicated structure under a high-temperature condition, step coverage and thickness uniformity of the thin film can be greatly improved, and impurities can be reduced, so that there is an effect of improving the quality of the film.
C23C 16/04 - Revêtement de parties déterminées de la surface, p. ex. au moyen de masques
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
The present invention relates to a shielding compound, a thin film forming method using same, and a semiconductor substrate and a semiconductor device manufactured therefrom, wherein a compound with a predetermined structure is provided as a shielding agent to form, on a substrate, a uniformly thick deposition layer as a shielding region, due to a difference in adsorption distribution of the corresponding shielding agent, thereby reducing the deposition rate of the thin film and appropriately lowering the thin film growth rate, so that even when a thin film is formed on a substrate with a complicated structure, the step coverage and the thin film thickness uniformity can be greatly improved and impurities can be reduced.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 16/04 - Revêtement de parties déterminées de la surface, p. ex. au moyen de masques
Provided in one embodiment of the present invention is a difluorophosphate preparation method comprising the steps of: injecting, into a reactor, a phosphorus compound, a nonaqueous solvent, and an alkali metal salt, which is a phosphate, borate, oxide or hydroxide of an alkali metal, thereby generating dichlorophosphate; injecting an ammonium-containing fluorinating agent into the dichlorophosphate, thereby preparing a reaction product; and removing impurities from the reaction product and obtaining difluorophosphate.
H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p. ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodesBatteries à l'ion lithium
96.
THIN FILM MODIFICATION COMPOSITION, METHOD FOR FORMING THIN FILM USING SAME, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR ELEMENT MANUFACTURED THEREFROM
The present invention relates to a thin film modification composition, a method for forming a thin film using same, and a semiconductor substrate and a semiconductor element manufactured therefrom. The thin film modification composition, which is composed of a film growth/film quality improvement compound with a specific structure and a solvent with a specific dielectric constant, can be used during a vacuum-based thin film process to appropriately reduce the growth rate of the deposited film and thereby significantly enhance step coverage and the thickness uniformity of the thin film even when forming the thin film on a substrate having a complex structure, can also improve the efficiency of an etching film, and has the effect of significantly reducing impurity contamination.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 16/30 - Dépôt de composés, de mélanges ou de solutions solides, p. ex. borures, carbures, nitrures
97.
ETCHING COMPOSITION FOR ETCHING MOLYBDENUM FILM AND METHOD OF MANUFACTURING INTEGRATED CIRCUIT DEVICE USING THE SAME
An etching composition for etching a molybdenum film, the etching composition includes about 0.1 wt % to about 5 wt % of an oxidant; about 10 wt % to about 40 wt % of a chelate agent, the chelate agent including a mineral acid; about 0.01 wt % to about 3 wt % of a corrosion inhibitor, the corrosion inhibitor including an ammonium salt, an amine compound, or a combination thereof; and an organic solvent, all wt % being based on a total weight of the etching composition.
C09K 13/06 - Compositions pour l'attaque chimique, la gravure, le brillantage de surface ou le décapage contenant un acide inorganique avec une substance organique
H01L 21/3213 - Gravure physique ou chimique des couches, p. ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H01L 21/3205 - Dépôt de couches non isolantes, p. ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantesPost-traitement de ces couches
98.
Etchant composition for etching silicon germanium film and method of manufacturing integrated circuit device by using the same
An etchant composition for etching a silicon germanium film includes, based on a total weight of the etchant composition, about 5 wt % to about 14 wt % of an oxidant, about 0.01 wt % to about 5 wt % of a fluorine compound, about 0.01 wt % to about 5 wt % of an amine compound, about 0.01 wt % to about 1 wt % of an alcohol compound having a hydrophilic head and a hydrophobic tail, about 60 wt % to about 90 wt % of an organic solvent, and a balance of water. A method of manufacturing an integrated circuit device includes: forming, on a substrate, a structure in which a plurality of silicon films and a plurality of silicon germanium films are alternately stacked; and selectively removing the plurality of silicon germanium films by using the etchant composition.
C09K 13/10 - Compositions pour l'attaque chimique, la gravure, le brillantage de surface ou le décapage contenant un acide inorganique contenant un composé du bore
C09K 13/08 - Compositions pour l'attaque chimique, la gravure, le brillantage de surface ou le décapage contenant un acide inorganique contenant un composé du fluor
H01L 21/306 - Traitement chimique ou électrique, p. ex. gravure électrolytique
H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]
99.
GROWTH INHIBITOR FOR FORMING THIN FILM, METHOD OF FORMING THIN FILM USING GROWTH INHIBITOR, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE FABRICATED BY METHOD
The present invention relates to a growth inhibitor for forming a thin film, a method of forming a thin film using the growth inhibitor, and a semiconductor substrate fabricated by the method. More particularly, the growth inhibitor for forming a thin film according to the present invention is a compound represented by Chemical Formula 1: AnBmXoYiZj. A is carbon or silicon; B is hydrogen or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms; X is a leaving group having a bond dissociation energy of 50 to 350 KJ/mol; Y and Z independently include one or more selected from the group consisting of oxygen, nitrogen, sulfur, and fluorine and are different from each other; n is an integer from 1 to 15; o is an integer greater than or equal to 1; m is 0 to 2n+1; and i and j are integers from 0 to 3.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
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OXIDE FILM REACTION SURFACE CONTROL AGENT, METHOD FOR FORMING OXIDE FILM BY USING SAME, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED THEREFROM
The present invention relates to an oxide film reaction surface control agent, a method for forming an oxide film by using same, and a semiconductor substrate and a semiconductor device manufactured therefrom. A compound with a predetermined structure is provided as an oxide film reaction surface control agent to form, on a substrate, a sediment layer, as a shielding region, having a uniform thickness resulting from a difference in adsorption distribution of the corresponding oxide film reaction surface control agent, thereby reducing the deposition rate of a thin film and appropriately lowering the growth rate of the thin film, leading to significant improvements in step coverage and thickness uniformity of the thin film even when the thin film is formed on a substrate with a complicated structure, and a reduction in impurities.
C23C 16/04 - Revêtement de parties déterminées de la surface, p. ex. au moyen de masques
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
