Abrégé

A hydrogen permeable membrane that includes a PdCu alloy and can be used for hydrogen purification. The hydrogen permeable membrane includes 38.75 mass % or more and 39.5 mass % or less of Cu with the balance being Pd and inevitable impurities as the PdCu alloy, and the area percentage of a β phase on an arbitrary cross section is 95% or more. The hydrogen permeable membrane of the present invention has a hydrogen permeability coefficient ϕ of 2.0×10−8 mol/m·S·Pa1/2 or more at any temperature in a temperature range of 150° C. or higher and 350°° C. or lower. This value exceeds the hydrogen permeability coefficient of a PdCu alloy membrane containing Cu concentration of 40 mass %, which has been thus far considered to be optimal, demonstrating that the present invention is excellent in terms of hydrogen permeability.

Classes IPC  ?

• B01D 71/02 - Matériaux inorganiques
• B01D 53/22 - SÉPARATION Épuration chimique ou biologique des gaz résiduaires, p.ex. gaz d'échappement des moteurs à combustion, fumées, vapeurs, gaz de combustion ou aérosols par diffusion
• B01D 67/00 - Procédés spécialement adaptés à la fabrication de membranes semi-perméables destinées aux procédés ou aux appareils de séparation
• B01D 69/02 - Membranes semi-perméables destinées aux procédés ou aux appareils de séparation, caractérisées par leur forme, leur structure ou leurs propriétés; Procédés spécialement adaptés à leur fabrication caractérisées par leurs propriétés
• C22C 5/04 - Alliages à base d'un métal du groupe du platine

Abrégé

A catalyst for an oxygen reduction reaction containing catalyst particles having a shell-core structure containing a PtCo alloy or a PtCoMn alloy as a core, and platinum as a shell layer. A specific plane of a face-centered cubic lattice is formed by a plurality of platinum atoms contained in the shell layer, and a lattice constant of the plane of the face-centered cubic lattice on the catalyst particle surface is 3.70 Å or more and 4.05 Å or less (in a PtCo alloy), or 3.870 Å or more and 4.10 Å or less (in a PtCoMn alloy). A catalyst design method includes a step of calculating, with respect to an orientation plane such as the plane formed by platinum atoms of the shell layer, adsorption energies for an oxygen molecule, an OH group and a water molecule by first-principles calculation based on density functional theory.

Classes IPC  ?

• H01M 4/92 - Métaux du groupe du platine
• H01M 8/10 - PROCÉDÉS OU MOYENS POUR LA CONVERSION DIRECTE DE L'ÉNERGIE CHIMIQUE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE, p.ex. BATTERIES Éléments à combustible; Leur fabrication Éléments à combustible avec électrolytes solides
• H01M 8/1018 - Matériaux d’électrolyte polymère

Abrégé

The present invention is an Au-Ni-Pd-Pt-based noble metal alloy obtained by adding a metal element α to a base alloy comprising Au, Ni, Pd, and Pt. In the present invention, the metal element α is at least one metal element selected from In, Sn, Mg, Al, and Ti. In addition, the noble metal alloy according to the present invention includes: Au at 4 to 24 atom%; Ni at 5 to 60 atom% or less; Pd at 2.5 to 40 atom%; Pt at 10 to 60 atom%; metallic element α at 0.15 to 7.5 atom%; and unavoidable impurities. The noble metal alloy according to the present invention is configured to have a high hardness as a result of a modulated structure due to spinodal decomposition and/or a regular phase due to regulation, and is configured to have a Vickers hardness of 500 Hv or more. The noble metal alloy according to the present invention is a high-hardness noble metal alloy to which a strengthening mechanism different from conventional methods such as work hardening and precipitation hardening has been applied.

Classes IPC  ?

• C22C 5/04 - Alliages à base d'un métal du groupe du platine
• C22C 30/04 - Alliages contenant moins de 50% en poids de chaque constituant contenant de l'étain ou du plomb
• C22F 1/00 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid
• C22F 1/14 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid des métaux nobles ou de leurs alliages
• C22F 1/16 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid des autres métaux ou de leurs alliages

Abrégé

The present invention relates to a metal paste for forming a metal wiring containing a solid content of a silver particle and kneaded with a solvent. The solid content of the metal paste contains a silver particle having prescribed particle size distribution and average particle size, and using an amine compound as a protective agent. The solvent is a mixed solvent in which two organic solvents of a solvent A and a solvent B are mixed. The solvent A is dihydroterpineol or terpineol, and the solvent B is at least one organic solvent having a boiling point of 240° C. or more. The mixed solvent has a Hansen solubility parameter distance Ra from dihydroterpineol of 3.0 MPa1/2 or less. The metal paste further contains a high molecular weight ethyl cellulose as a first additive, and a polyvinyl acetal resin as a second additive.

Classes IPC  ?

• C08K 3/08 - Métaux
• B22F 1/102 - Poudres métalliques revêtues de matériaux organiques
• B22F 1/107 - Poudres métalliques contenant des agents lubrifiants ou liants; Poudres métalliques contenant des matières organiques contenant des matériaux organiques comportant des solvants, p.ex. pour la coulée en moule poreux ou absorbant
• B22F 1/145 - Traitement chimique, p.ex. passivation ou décarburation
• C08L 29/14 - Homopolymères ou copolymères d'acétals ou de cétals obtenus par polymérisation d'acétals ou de cétals non saturés ou par post-traitement des polymères d'alcools non saturés

Abrégé

The interposer substrate is joined in an overlapping state to one or more members having a connection part at one place or more, and electrically connected to the member. The interposer substrate includes a base material having one or more connection regions corresponding to connection parts of the member to be joined. A plurality of through-holes are formed in the connection region. A segment as one unit for electrical connection is constituted by forming the plurality of through-holes adjacent to each other. One or more segments are formed in the connection region. In the through-hole are formed a through electrode and a bump with a wide width formed at an end of the through electrode. The through electrode and bump are composed of a metal powder sintered body formed by sintering a metal powder including gold or the like having a predetermined purity and average particle size.

Classes IPC  ?

• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

A photoelectric conversion element including a thin film composed of a transition metal dichalcogenide and formed on a base material. In the present invention, a surface of the thin film composed of the transition metal dichalcogenide is modified with at least any nanorod particles of Au nanorod particles composed of Au and Ag nanorod particles composed of Ag. An average aspect ratio of the Au nanorod particles is 3.0 or more and 12.0 or less, and an average aspect ratio of the Ag nanorod particles is 3.0 or more and 13.0 or less. In the invention, the sensitivity to light having wavelengths in the near-infrared region improves by a sensitizing action attributed to localized surface plasmon resonance that is developed by the Au and Ag nanorod particles. The photoelectric conversion element exhibits sensitivity even to light having wavelengths in the near-infrared region near a wavelength range of 1600 nm.

Classes IPC  ?

• H01L 31/0384 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline ou par l'orientation particulière des plans cristallins comprenant d'autres matériaux non cristallins, p.ex. des particules semi-conductrices incorporées dans un matériau isolant
• B22F 1/054 - Particules de taille nanométrique
• C01B 19/04 - Composés binaires
• G01S 7/481 - Caractéristiques de structure, p.ex. agencements d'éléments optiques
• H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes

Abrégé

The present invention provides: a noble metal alloy molded body which has both high crystallinity and excellent composition uniformity; and a sintered body. The molded body is formed of an alloy powder and a resin. The alloy powder is a noble metal alloy powder which is formed of an alloy of five or more noble metal elements, and has an average particle diameter of 0.1 µm to 100 µm and a crystallite size of 60 nm or more. With respect to the X-ray diffraction spectrum of the alloy powder, one peak is found within the diffraction angle 2θ range of 38° to 44°.

Classes IPC  ?

• B22F 1/00 - Poudres métalliques; Traitement des poudres métalliques, p.ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
• B22F 1/05 - Poudres métalliques caractérisées par la dimension ou la surface spécifique des particules
• B22F 1/07 - Poudres métalliques caractérisées par des particules ayant une structure nanométrique
• B22F 1/14 - Traitement des poudres métalliques
• B22F 9/20 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensions; Appareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par un procédé chimique avec réduction de mélanges métalliques à partir de mélanges métalliques solides
• B82Y 30/00 - Nanotechnologie pour matériaux ou science des surfaces, p.ex. nanocomposites
• C22C 5/00 - Alliages à base de métaux nobles
• C22C 30/00 - Alliages contenant moins de 50% en poids de chaque constituant

Abrégé

The purpose of the present invention is to provide a sputtering target having high composition uniformity. This sputtering target is formed from a noble metal alloy. The noble metal alloy is formed from 5 or more species of noble metal elements. In an X-ray diffraction spectrum, the number of peaks observed within a range of the diffraction angle 2θ between 38° and 44° is 1.

Classes IPC  ?

• C23C 14/34 - Pulvérisation cathodique
• B22F 1/00 - Poudres métalliques; Traitement des poudres métalliques, p.ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
• B22F 1/05 - Poudres métalliques caractérisées par la dimension ou la surface spécifique des particules
• B22F 1/07 - Poudres métalliques caractérisées par des particules ayant une structure nanométrique
• B22F 1/10 - Poudres métalliques contenant des agents lubrifiants ou liants; Poudres métalliques contenant des matières organiques
• B22F 1/14 - Traitement des poudres métalliques
• B22F 1/107 - Poudres métalliques contenant des agents lubrifiants ou liants; Poudres métalliques contenant des matières organiques contenant des matériaux organiques comportant des solvants, p.ex. pour la coulée en moule poreux ou absorbant
• B22F 1/142 - Traitement thermique ou thermomécanique
• B22F 1/145 - Traitement chimique, p.ex. passivation ou décarburation
• B22F 3/02 - Compactage seul
• B22F 3/10 - Frittage seul
• B22F 9/04 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensions; Appareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par des procédés physiques à partir d'un matériau solide, p.ex. par broyage, meulage ou écrasement à la meule
• B22F 9/20 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensions; Appareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par un procédé chimique avec réduction de mélanges métalliques à partir de mélanges métalliques solides
• B22F 10/28 - Fusion sur lit de poudre, p.ex. fusion sélective par laser [FSL] ou fusion par faisceau d’électrons [EBM]
• B22F 10/34 - Commande ou régulation des opérations des caractéristiques de la poudre, p.ex. densité, oxydation ou fluidité
• B82Y 30/00 - Nanotechnologie pour matériaux ou science des surfaces, p.ex. nanocomposites
• B82Y 35/00 - Procédés ou appareils pour la mesure ou l’analyse des nanostructures
• B82Y 40/00 - Fabrication ou traitement des nanostructures
• C22C 5/00 - Alliages à base de métaux nobles
• C22C 30/00 - Alliages contenant moins de 50% en poids de chaque constituant

Abrégé

The present invention provides a noble metal alloy powder which has both high crystallinity and composition uniformity. This noble metal alloy powder is formed of an alloy of five or more noble metal elements, and has an average particle diameter of 10 µm or less and a crystallite size of 80 nm to 140 nm. With respect to the X-ray diffraction spectrum of this noble metal alloy powder, one peak is found within the diffraction angle 2θ range of 38° to 44°.

Classes IPC  ?

• B22F 1/00 - Poudres métalliques; Traitement des poudres métalliques, p.ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
• B22F 1/05 - Poudres métalliques caractérisées par la dimension ou la surface spécifique des particules
• B22F 1/07 - Poudres métalliques caractérisées par des particules ayant une structure nanométrique
• B22F 1/14 - Traitement des poudres métalliques
• B22F 9/20 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensions; Appareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par un procédé chimique avec réduction de mélanges métalliques à partir de mélanges métalliques solides
• B82Y 30/00 - Nanotechnologie pour matériaux ou science des surfaces, p.ex. nanocomposites
• C22C 5/00 - Alliages à base de métaux nobles
• C22C 30/00 - Alliages contenant moins de 50% en poids de chaque constituant

Abrégé

Semiconductor nanoparticles according to the present invention are composed of a compound that contains, as essential constituent elements, Ag, Au, a chalcogen element which necessarily includes Se, and a metal M. This metal M is at least one of Al, Ga, In, Tl, Zn, Cd, Hg, and Cu. In the compound that constitutes the semiconductor nanoparticles according to the present invention, the total content of Ag, Au, the chalcogen element which necessarily includes Se, and the metal M is not less than 95 mass%. Further, it is preferable that the content of the metal M in the compound be 1-50 at%. The semiconductor nanoparticles according to the present invention can exhibit favorable light-absorbing/light-emitting characteristics in wavelength regions such as a near infrared region and a short-wave infrared region.

Classes IPC  ?

• C01B 19/00 - Sélénium; Tellure; Leurs composés
• B82Y 30/00 - Nanotechnologie pour matériaux ou science des surfaces, p.ex. nanocomposites
• C09K 11/58 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du cuivre, de l'argent ou de l'or
• C09K 11/62 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du gallium, de l'indium ou du thalium
• C09K 11/88 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du sélénium, du tellure ou des chalcogènes non spécifiés
• H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices

Abrégé

The present invention relates to a thin film containing a chalcogenide of Ir or Ru of a platinum group metal. This thin film is formed on a prescribed substrate, contains a platinum group metal chalcogenide, and the platinum group metal chalcogenide contains any one of Ir2S3, IrS2, RuS2, and RuSe2. A thickness of the thin film is 0.5 nm or more and 500 nm or less. The present invention has revealed, through an experimental method and simulation using first-principles calculation based on density functional theory (DFT), that a thin film containing Ir2S3, IrS2, RuS2 or RuSe2 can exhibit a photoelectric effect by near infrared light irradiation. The present invention is drawn to a thin film that is characterized by sensitivity to light with a wavelength in a near infrared region in particular, and contains a platinum group metal chalcogenide having a constitution previously unknown.

Classes IPC  ?

• H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes

Abrégé

An electrically-conductive material containing Ag in an amount of 10 mass % or more and 70 mass % or less, Pd in an amount of 30 mass % or more and 90 mass % or less, Ni in an amount of more than 5 mass % and 45 mass % or less, and inevitable impurities. A ratio of a Ni content (mass %) to a Ag content (mass %) (Ni (mass %)/Ag (mass %)) is 0.1 or more and 5.0 or less, metal structures include a AgPd alloy phase and a PdNi alloy phase, and a volume ratio of the PdNi alloy phase is 18 vol % or more and 80 vol % or less. Ni is added in a high concentration to a AgPd alloy, and the amount of PdNi alloy phases generated as separate phases is controlled to strengthen the entire alloy.

Classes IPC  ?

• C22C 5/04 - Alliages à base d'un métal du groupe du platine
• C22C 5/00 - Alliages à base de métaux nobles
• C22C 5/06 - Alliages à base d'argent
• C22C 9/06 - Alliages à base de cuivre avec le nickel ou le cobalt comme second constituant majeur
• C22C 19/03 - Alliages à base de nickel ou de cobalt, seuls ou ensemble à base de nickel
• H01B 1/02 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement de métaux ou d'alliages
• H01B 13/00 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de conducteurs ou câbles
• H02K 13/00 - Association structurelle de collecteurs de courant et de moteurs ou de génératrices, p.ex. plaques de montage des balais ou connexions avec les enroulements; Agencement des collecteurs de courant dans les moteurs ou les génératrices; Dispositions pour améliorer la commutation

Abrégé

CAuCAuAu of the gold powder. The gold powder according to the present invention has exceptional low-temperature sinterability, and the gold paste in which the gold powder is used has excellent workability in a dried state after being applied.

Classes IPC  ?

• H01B 1/22 - Matériau conducteur dispersé dans un matériau organique non conducteur le matériau conducteur comportant des métaux ou des alliages
• B22F 1/00 - Poudres métalliques; Traitement des poudres métalliques, p.ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
• B22F 1/05 - Poudres métalliques caractérisées par la dimension ou la surface spécifique des particules
• B22F 1/16 - Particules métalliques revêtues d'un non-métal
• B22F 9/00 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensions; Appareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet
• H01B 1/00 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs

Abrégé

The present invention relates to a positive electrode active material for a Li-ion secondary battery containing a Li-transition metal composite oxide. This Li-transition metal composite oxide has a layered rock salt crystal structure, and is represented by a formula (1): (1−x)Li2RuO3—xLiMnO2 (Mn is trivalent Mn, and x is a real number satisfying 0

Classes IPC  ?

• H01M 4/505 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de manganèse d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du manganèse pour insérer ou intercaler des métaux légers, p.ex. LiMn2O4 ou LiMn2OxFy
• H01M 4/02 - PROCÉDÉS OU MOYENS POUR LA CONVERSION DIRECTE DE L'ÉNERGIE CHIMIQUE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE, p.ex. BATTERIES Électrodes Électrodes composées d'un ou comprenant un matériau actif
• H01M 4/04 - Procédés de fabrication en général
• H01M 4/485 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes pour insérer ou intercaler des métaux légers, p.ex. LiTi2O4 ou LiTi2OxFy
• H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p.ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodes; Batteries à l'ion lithium

Abrégé

The present invention is a gold powder composed of 99.9 mass% or more pure gold, characterized in that the average particle size is from 0.1 μm to 0.5 μm and the coefficient of variation in the particle size is 18% or less. The gold powder according to the present invention is produced by a wet reduction method that includes a gold colloid synthesis step that synthesizes gold colloid particles by mixing a gold salt, a reducing agent, and a dispersant in a solvent and a gold powder granulation step that adds a gold salt and a reducing agent to the reaction solution containing the gold colloid particles generated by gold colloid synthesis and makes the gold colloid particles into gold powder. A dispersant containing a surfactant having a C16-18 alkyl group is used as the dispersant mixed in the gold colloid synthesis step.

Classes IPC  ?

• B22F 1/00 - Poudres métalliques; Traitement des poudres métalliques, p.ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
• B22F 1/05 - Poudres métalliques caractérisées par la dimension ou la surface spécifique des particules
• B22F 1/102 - Poudres métalliques revêtues de matériaux organiques
• B22F 1/107 - Poudres métalliques contenant des agents lubrifiants ou liants; Poudres métalliques contenant des matières organiques contenant des matériaux organiques comportant des solvants, p.ex. pour la coulée en moule poreux ou absorbant
• B22F 1/148 - Agglomération
• B22F 9/24 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensions; Appareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par un procédé chimique avec réduction de mélanges métalliques à partir de mélanges métalliques liquides, p.ex. de solutions

Abrégé

The present invention relates to a metal powder which has an average particle diameter of 0.1-0.4 μm and comprises Au, Ag, or Cu metal having a purity of 99.9 mass% or higher or an alloy of these. In this metal powder, the proportion by number of non-spherical metal particles having a ratio between the minor-axis length a and the major-axis length b of 3 or greater is 1% or less. In a preferred embodiment, the proportion by number of coarse particles each having a particle diameter of 0.5 μm or larger is 10% or less. This method for producing such metal powder is a wet reduction method comprising a metal colloid synthesis step and a metal powder particle formation step in which metal colloid particles are formed into particles to obtain a metal powder. In the metal colloid synthesis step and the metal powder particle formation step, use is made of first and second dispersants which are preferably surfactants each having an alkyl group in which the number of carbon atoms is within a given range.

Classes IPC  ?

• B22F 1/065 - Particules sphériques
• B22F 1/00 - Poudres métalliques; Traitement des poudres métalliques, p.ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
• B22F 1/052 - Poudres métalliques caractérisées par la dimension ou la surface spécifique des particules caractérisées par un mélange de particules de dimensions différentes ou par la distribution granulométrique des particules
• B22F 1/102 - Poudres métalliques revêtues de matériaux organiques
• B22F 1/107 - Poudres métalliques contenant des agents lubrifiants ou liants; Poudres métalliques contenant des matières organiques contenant des matériaux organiques comportant des solvants, p.ex. pour la coulée en moule poreux ou absorbant
• B22F 9/00 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensions; Appareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet
• B22F 9/24 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensions; Appareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par un procédé chimique avec réduction de mélanges métalliques à partir de mélanges métalliques liquides, p.ex. de solutions

Abrégé

The present invention is a semiconductor nanoparticle composed of a semiconductor crystal of a compound containing Ag, Au and S as essential constitutional elements. A AgAuS-based compound constituting the semiconductor nanoparticle has a total content of Ag, Au and S of 95 mass % or more. In addition, the compound is preferably a AgAuS ternary compound represented by the general formula Ag(nx)Au(ny)S(nz). In the formula, n is any positive integer. x, y and z represent proportions of the number of atoms of the respective atoms of Ag, Au and S in the compound and are real numbers satisfying 0

Classes IPC  ?

• C09K 11/58 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du cuivre, de l'argent ou de l'or
• B82Y 5/00 - Nanobiotechnologie ou nanomédecine, p.ex. génie protéique ou administration de médicaments
• B82Y 20/00 - Nano-optique, p.ex. optique quantique ou cristaux photoniques
• C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension

Abrégé

The present invention relates to a catalyst for a solid polymeric fuel cell in which catalyst particles that contain Pt as an essential catalyst metal are carried on a carbon powder carrier. The present invention comprises a barrier layer comprising a hydrophobic porous polymer that coats a carbon powder carrier and/or at least one catalyst particle. Due to the presence of the porous barrier layer, the catalyst according to the present invention is such that, in a pore distribution curve derived from a log differential pore volume distribution, a peak in log differential pore volume (dV/d(logD)) is present in a pore diameter region of 50-200 nm inclusive. The barrier layer is configured from any porous polymer from among polyvinyl acetate, polylactic acid, polymethyl methacrylate, polypropylene, polyvinyl chloride, polyethylene, polyacrylonitrile, polyvinyl alcohol, polyvinylidene fluoride, polyethylenimine, and polystyrene.

Classes IPC  ?

• H01M 4/86 - PROCÉDÉS OU MOYENS POUR LA CONVERSION DIRECTE DE L'ÉNERGIE CHIMIQUE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE, p.ex. BATTERIES Électrodes Électrodes inertes ayant une activité catalytique, p.ex. pour piles à combustible
• B01J 31/28 - Catalyseurs contenant des hydrures, des complexes de coordination ou des composés organiques contenant en outre des composés métalliques inorganiques non prévus dans les groupes du groupe du platine, du cuivre ou du groupe du fer
• B01J 33/00 - Protection des catalyseurs, p.ex. par revêtement
• B01J 35/60 - caractérisés par leurs propriétés de surface ou leur porosité
• B01J 37/04 - Mélange
• B01J 37/08 - Traitement thermique
• H01M 4/88 - Procédés de fabrication
• H01M 4/90 - Emploi de matériau catalytique spécifié
• H01M 4/92 - Métaux du groupe du platine
• H01M 8/10 - PROCÉDÉS OU MOYENS POUR LA CONVERSION DIRECTE DE L'ÉNERGIE CHIMIQUE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE, p.ex. BATTERIES Éléments à combustible; Leur fabrication Éléments à combustible avec électrolytes solides

Abrégé

A bushing for producing glass fibers, including: a plurality of nozzles made of platinum or the like to discharge molten glass; and a base plate made of platinum or the like. A coating layer is preferentially formed on an outer circumferential face on a tip part on the side of glass discharge of the nozzle, and a width of the coating layer is 5% or more and 95% or less with respect to the entire length of the nozzle. The base plate includes a non-coating area. Areas of the nozzles and the base plate not provided with the coating layer act as a sacrificial metal for protecting the nozzle tip parts. In consideration of the sacrificial metal, a coverage rate P of the coating layer on the nozzle tip parts calculated with a prescribed equation is preferably 5% or more and 350% or less.

Classes IPC  ?

• C03B 37/095 - Emploi de matériaux spécifiés à cet effet

Abrégé

The present invention relates to a noble metal separation method that is characterized by adding at least one heterocyclic compound selected from aliphatic heterocyclic compounds and aromatic heterocyclic compounds to a solution containing a noble metal to adsorb the noble metal to the heterocyclic compound. The present invention also relates to a noble metal separation method that is characterized by adding at least one heterocyclic compound selected from aliphatic heterocyclic compounds and aromatic heterocyclic compounds to a solution containing a noble metal to precipitate the noble metal.

Classes IPC  ?

• C22B 11/00 - Obtention des métaux nobles
• C22B 3/24 - Traitement ou purification de solutions, p.ex. de solutions obtenues par lixiviation par des procédés physiques, p.ex. par filtration, par des moyens magnétiques par adsorption sur des substances solides, p.ex. par extraction avec des résines solides

Abrégé

The present invention relates to a methane combustion catalyst including platinum and iridium supported on a tin oxide carrier for combusting methane in a combustion exhaust gas containing sulfur oxide. In this methane combustion catalyst, in line analysis by electron probe microanalysis performed on an arbitrary cross-section thereof from a deepest catalyst portion toward a catalyst surface, a first region where all of platinum, iridium and tin are detected and a second region where tin is essentially detected but platinum is not detected are both observable. In a specific form, the catalyst includes a base catalyst layer where platinum and iridium are supported on a tin oxide carrier, and an overcoat layer including tin oxide formed on the base catalyst layer. The methane combustion catalyst of the present invention is excellent in initial activity, and is improved in durability.

Classes IPC  ?

• B01J 23/62 - Métaux du groupe du platine avec du gallium, de l'indium, du thallium, du germanium, de l'étain ou du plomb
• B01D 53/94 - Epuration chimique ou biologique des gaz résiduaires des gaz d'échappement des moteurs à combustion par des procédés catalytiques

Abrégé

The present invention is drawn to a raw material for chemical deposition for producing a ruthenium thin film or a ruthenium compound thin film by a chemical deposition method, containing an organoruthenium compound represented by the following formula 1, and further containing β-diketone that is the same as a ligand of the organoruthenium compound. The raw material for chemical deposition of the present invention is inhibited in discoloration/precipitation even when heated at a high temperature, and enables to form a stable ruthenium thin film or ruthenium compound thin film. The present invention is drawn to a raw material for chemical deposition for producing a ruthenium thin film or a ruthenium compound thin film by a chemical deposition method, containing an organoruthenium compound represented by the following formula 1, and further containing β-diketone that is the same as a ligand of the organoruthenium compound. The raw material for chemical deposition of the present invention is inhibited in discoloration/precipitation even when heated at a high temperature, and enables to form a stable ruthenium thin film or ruthenium compound thin film. The present invention is drawn to a raw material for chemical deposition for producing a ruthenium thin film or a ruthenium compound thin film by a chemical deposition method, containing an organoruthenium compound represented by the following formula 1, and further containing β-diketone that is the same as a ligand of the organoruthenium compound. The raw material for chemical deposition of the present invention is inhibited in discoloration/precipitation even when heated at a high temperature, and enables to form a stable ruthenium thin film or ruthenium compound thin film. wherein substituents R1 and R2 are each hydrogen, or a linear or branched alkyl group.

Classes IPC  ?

• C23C 16/18 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de composés organométalliques
• C23C 16/448 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour produire des courants de gaz réactifs, p.ex. par évaporation ou par sublimation de matériaux précurseurs

Abrégé

The present invention relates to a composite material formed by carrying Au nanoclusters, each containing two or more Au atoms, on carriers via ligands. In the present invention, hydrophobic bodies, such as carbon powder, are employed as the carriers and an L-cysteine or an L-cysteine derivative that has a nonpolar residue is employed as the ligands. Also, the present invention discloses a method for effectively carrying the Au nanoclusters on hydrophobic carriers. With the present invention, as a result of reacting an Au source and the L-cysteine or the like, serving as the ligands, in a state in which the hydrophobic carriers are dispersed in an aqueous solvent, Au nanocluster synthesis and carrying thereof on the hydrophobic carriers simultaneously proceed. With the present invention, it is possible to manufacture a composite material in which Au nanoclusters are carried on hydrophobic carriers in a highly dispersed manner.

Classes IPC  ?

• B01J 31/26 - Catalyseurs contenant des hydrures, des complexes de coordination ou des composés organiques contenant en outre des composés métalliques inorganiques non prévus dans les groupes
• B01J 35/02 - Catalyseurs caractérisés par leur forme ou leurs propriétés physiques, en général solides
• B01J 37/02 - Imprégnation, revêtement ou précipitation
• B01J 37/04 - Mélange

Abrégé

22), and has a surface palladium cobalt oxide concentration of 90.0-99.5 mass%.

Classes IPC  ?

• C23C 14/34 - Pulvérisation cathodique
• C04B 35/01 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur composition; Compositions céramiques; Traitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base d'oxydes

Abrégé

This Co-Cr-Pt-oxide-based sputtering target comprises 50 at% or more of Co, more than 0 at% and 20 at% or less of Cr, and more than 0 at% and 25 at% or less of Pt, with the remainder made up of one or more oxides and unavoidable impurities, the Co-Cr-Pt-oxide-based sputtering target being characterized in containing (A) a composite phase in which Co, Pt, and oxides are mutually dispersed, and (B) a metallic Cr phase, and containing 10 or more metal Cr phases having an equivalent circle diameter of more than 10 μm and100 μm or less within an observation field measuring 1 mm × 1 mm by SEM with an observation magnification of 50 times.

Classes IPC  ?

• C23C 14/34 - Pulvérisation cathodique

Abrégé

Provided are: a palladium cobalt oxide thin film; a delafossite-type oxide thin film; a schottky electrode having a delafossite-type oxide thin film; a method for producing a palladium cobalt oxide thin film; and a method for producing a delafossite-type oxide thin film. This palladium cobalt oxide thin film has such a property that the grain diameter of each crystal in the film is 100 nm to 500 nm inclusive, the thickness is larger than a critical thickness, and the height difference between a projected part and a depressed part in the thickness direction is 4 nm or less.

Classes IPC  ?

• C04B 35/01 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur composition; Compositions céramiques; Traitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base d'oxydes
• C23C 14/08 - Oxydes
• C23C 14/34 - Pulvérisation cathodique
• H01L 21/28 - Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes
• H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p.ex. condensation
• H01L 29/47 - Electrodes à barrière de Schottky
• H01L 29/872 - Diodes Schottky

Abrégé

The present invention relates to a photoelectric conversion element material provided with a base material and a light-receiving layer including a semiconductor film formed on the base material. The semiconductor film that forms this light-receiving layer includes Ag2−xBixSx+1 (x is an integer of 0 or 1) and has a crystallite diameter of 10 nm or more and 40 nm or less. The light-receiving layer can be produced by applying an ink containing the semiconductor nanoparticles dispersed in a dispersion medium to a base material and then firing the ink at 200° C. or higher and 350° C. or lower. The photoelectric conversion element material of the present invention has an absorption property with respect to light with wavelengths in the near infrared region and excellent photoresponsivity.

Classes IPC  ?

• H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes
• H01L 31/036 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline ou par l'orientation particulière des plans cristallins
• H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
• C09K 11/58 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du cuivre, de l'argent ou de l'or
• C09K 11/74 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant de l'arsenic, de l'antimoine ou du bismuth

Abrégé

2323233 composite oxide migrate to the Li ion site after the first full charge. The above-described suitable migration of Ru ions contributes to the retention of the interlayer distance, and enables the achievement of a high cycle performance. This migration of Ru ions was found out by a crystal structure analysis on the basis of the X-ray diffraction patterns in stages of the first charging process.

Classes IPC  ?

• H01M 4/485 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes pour insérer ou intercaler des métaux légers, p.ex. LiTi2O4 ou LiTi2OxFy
• C01G 55/00 - Composés du ruthénium, du rhodium, du palladium, de l'osmium, de l'iridium, ou du platine

Abrégé

The present invention relates to a platinum-based sputtering target containing platinum or a platinum alloy. The platinum-based sputtering target of the present invention is characterized by a material structure in a thickness-direction cross section thereof. Specifically, when a thickness-direction cross section is equally divided into n sections (n=5 to 20) along a thickness direction, a region including (n−2) sections excluding both end sections is set as a determination region, and when an average grain size in each of the sections is measured in the determination region, as well as an average grain size in the entire determination region is measured, the average grain size in the entire determination region is 150 μm or less, and a coefficient of variation calculated based on the average grain size in each of the sections of the determination region is 15% or less.

Classes IPC  ?

• C23C 14/34 - Pulvérisation cathodique
• C23C 14/14 - Matériau métallique, bore ou silicium

Abrégé

The present invention relates to a method for producing a ruthenium thin film or a ruthenium compound thin film by a chemical vapor deposition process, wherein a ruthenium thin film or a ruthenium compound thin film is formed by reacting an organic ruthenium compound with a reaction gas on a substrate. According to the present invention, the chemical vapor deposition process comprises: a first film formation step for using a non-oxidizing gas as a reaction gas; and a second film formation step for forming a film by using an oxidizing gas as a reaction gas after forming the film in the first film formation step. In addition, as the organic ruthenium compound serving as a precursor, any one among predetermined organic ruthenium compounds α β, and γ containing a carbonyl ligand is used. The chemical vapor deposition process makes it possible to efficiently form a high-quality ruthenium thin film while suppressing the oxidation of the substrate.

Classes IPC  ?

• C23C 16/18 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de composés organométalliques
• C23C 16/16 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de métaux carbonyles
• H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p.ex. condensation

Abrégé

A catalyst for an oxygen reduction reaction containing catalyst particles having a shell-core structure containing a PtCo alloy or a PtCoMn alloy as a core, and platinum as a shell layer. A specific plane of a face-centered cubic lattice is formed by a plurality of platinum atoms contained in the shell layer, and a lattice constant of the plane of the face-centered cubic lattice on the catalyst particle surface is 3.70 Å or more and 4.05 Å or less (in a PtCo alloy), or 3.870 Å or more and 4.10 Å or less (in a PtCoMn alloy). A catalyst design method includes a step of calculating, with respect to an orientation plane such as the plane formed by platinum atoms of the shell layer, adsorption energies for an oxygen molecule, an OH group and a water molecule by first-principles calculation based on density functional theory.

Classes IPC  ?

• H01M 4/92 - Métaux du groupe du platine
• H01M 8/10 - PROCÉDÉS OU MOYENS POUR LA CONVERSION DIRECTE DE L'ÉNERGIE CHIMIQUE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE, p.ex. BATTERIES Éléments à combustible; Leur fabrication Éléments à combustible avec électrolytes solides
• H01M 8/1018 - Matériaux d’électrolyte polymère

Abrégé

A bonding structure to be formed in bonding of a Si semiconductor or the like and a substrate, as materials to be bonded, with transient liquid phase diffusion bonding. The bonding structure includes a bonding portion presenting a specific material texture. A metal composition of the bonding portion includes 78.0% by mass or more and 80.0% by mass or less of Ag, 20.0% by mass or more and 22.0% by mass or less of Sn, and an inevitable impurity element. A characteristic material texture configured from an island-like Ag phase including 95% by mass or more of Ag and a Ag3Sn phase including a Ag3Sn intermetallic compound and surrounding the island-like Ag phase is presented in observation of any cross section of the bonding portion.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

The present invention relates to an electric contact formed of electric contact members comprising: a rivet contact that includes a head portion having a contact material in at least a part of the surface thereof, and a leg portion that supports the head portion and is inserted into a terminal member; and a terminal member that has an insertion hole for inserting the leg portion of the rivet contact, and that fixes the rivet contact. The rivet contact has a flange portion formed between the head portion and the leg portion, the flange portion being wider than the leg portion having a swaging margin. The terminal member is formed with a counterbored hole for fitting the flange portion therein. The electric contact of the present invention is manufactured by swaging the flange portion of the rivet contact in the counterbored hole of the terminal member so as to achieve excellent adhesion.

Classes IPC  ?

• H01H 1/00 - Contacts
• H01H 1/06 - Contacts caractérisés par la forme ou la structure de la surface de contact, p.ex. striée
• H01H 11/06 - Fixation des contacts sur le support

Abrégé

The present invention relates to an organoruthenium compound raw material for a chemical deposition method. An organoruthenium compound is represented by the following Formula 1 in which a trimethylenemethane-based ligand (L1), and two carbonyl ligands and a ligand X coordinate to divalent ruthenium. In Formula 1, the trimethylenemethane-based ligand (L1) is represented by the following Formula 2. Besides, the ligand X is any one of an isocyanide ligand, a pyridine ligand, an amine ligand, an imidazole ligand, a pyridazine ligand, a pyrimidine ligand, and a pyrazine ligand. The present invention relates to an organoruthenium compound raw material for a chemical deposition method. An organoruthenium compound is represented by the following Formula 1 in which a trimethylenemethane-based ligand (L1), and two carbonyl ligands and a ligand X coordinate to divalent ruthenium. In Formula 1, the trimethylenemethane-based ligand (L1) is represented by the following Formula 2. Besides, the ligand X is any one of an isocyanide ligand, a pyridine ligand, an amine ligand, an imidazole ligand, a pyridazine ligand, a pyrimidine ligand, and a pyrazine ligand. wherein a substituent R of the ligand L1 is hydrogen, or any one of an alkyl group, a cyclic alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, and an amino group having a predetermined number of carbon atoms.

Classes IPC  ?

• C07F 15/00 - Composés contenant des éléments des groupes 8, 9, 10 ou 18 de la classification périodique
• H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p.ex. condensation

Abrégé

The present invention discloses a water electrolysis catalyst suitable for a solid electrolyte-type water electrolysis apparatus, and an anode electrode membrane in which said catalyst is used. A water electrolysis catalyst according to the present invention is a water electrolysis catalyst made from powdered iridium oxide. This iridium oxide powder includes amorphous iridium oxide powder and has an average particle size of 0.01-30 μm. The water electrolysis catalyst made from the iridium oxide powder according to the present invention includes amorphous iridium oxide, and exhibits unique characteristics in a TG-DTA analysis. In the TG-DTA analysis, an exothermic peak appears in the range of 300-450°C.

Classes IPC  ?

• C25B 11/04 - PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES POUR LA PRODUCTION DE COMPOSÉS ORGANIQUES OU MINÉRAUX, OU DE NON-MÉTAUX; APPAREILLAGES À CET EFFET Électrodes; Leur fabrication non prévue ailleurs caractérisées par le matériau
• B01J 23/46 - Ruthénium, rhodium, osmium ou iridium
• C01B 3/04 - Production d'hydrogène ou de mélanges gazeux contenant de l'hydrogène par décomposition de composés inorganiques, p.ex. de l'ammoniac
• C25B 1/04 - Hydrogène ou oxygène par électrolyse de l'eau
• C25B 9/00 - PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES POUR LA PRODUCTION DE COMPOSÉS ORGANIQUES OU MINÉRAUX, OU DE NON-MÉTAUX; APPAREILLAGES À CET EFFET Éléments de structure des cellules; Assemblages d'éléments de structure, p.ex. assemblages d'électrode-diaphragme; Caractéristiques des cellules relatives aux procédés
• C25B 9/23 - Cellules comprenant des électrodes fixes de dimensions stables; Assemblages de leurs éléments de structure avec des diaphragmes comprenant des membranes échangeuses d'ions dans ou sur lesquelles est incrusté du matériau pour électrode

Abrégé

This Co-Cr-Pt-B ferromagnetic body sputtering target is characterized by comprising: a Co-Cr-Pt-B alloy phase (A) that includes B in the amount of more than 0 at% but not more than 30 at%, where B aggregate phase is not eccentrically located and B is distributed throughout; and an alloy phase (B) which is a Co-B alloy, a Co-Cr-B alloy, or a Co-Pt-B alloy, and which includes B in the amount of more than 0 at% but not more than 20 at%, where B aggregate phase is not eccentrically located and B is distributed throughout. The alloy phase (A) accounts for 50 vol% or more of the sputtering target, and the alloy phase (B) accounts for less than 50 vol% of the sputtering target.

Classes IPC  ?

• C23C 14/34 - Pulvérisation cathodique
• B22F 1/00 - Poudres métalliques; Traitement des poudres métalliques, p.ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
• B22F 3/14 - Compactage et frittage simultanément
• B22F 9/08 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensions; Appareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par des procédés physiques à partir d'un matériau liquide par coulée, p.ex. à travers de petits orifices ou dans l'eau, par atomisation ou pulvérisation
• C22C 1/04 - Fabrication des alliages non ferreux par métallurgie des poudres
• C22C 5/04 - Alliages à base d'un métal du groupe du platine
• C22C 19/07 - Alliages à base de nickel ou de cobalt, seuls ou ensemble à base de cobalt
• C22C 30/00 - Alliages contenant moins de 50% en poids de chaque constituant
• H01F 1/047 - Alliages caractérisés par leur composition
• H01F 41/18 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateurs; Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques pour appliquer des pellicules magnétiques sur des substrats par pulvérisation cathodique

Abrégé

Cu) converted as given that a Ag—Pd—Cu ternary alloy is formed from only such three elements all fall within a predetermined range in a Ag—Pd—Cu ternary system phase diagram. The probe pin material is excellent in resistance value and hardness/wear resistance, and also is enhanced in bending resistance.

Classes IPC  ?

• C22C 5/04 - Alliages à base d'un métal du groupe du platine
• C22C 30/02 - Alliages contenant moins de 50% en poids de chaque constituant contenant du cuivre
• C22F 1/14 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid des métaux nobles ou de leurs alliages
• C22C 30/06 - Alliages contenant moins de 50% en poids de chaque constituant contenant du zinc
• C22C 30/04 - Alliages contenant moins de 50% en poids de chaque constituant contenant de l'étain ou du plomb

Abrégé

The present invention relates to semiconductor nanoparticles composed of a compound containing Ag, Au, S, and a metal M as essential constituent elements. In the present invention, the metal M is at least one of Al, Ga, In, Tl, Zn, Cd, Hg, and Cu, and the total content value for Ag, Au, S, and the metal M in the compound is 95 mass% or greater. Additionally, the ratio (x/(x+y)) of the number of atoms of Ag to the total of the number x of atoms of Ag and the number y of atoms of Au is preferably 0.50-0.88 inclusive. These semiconductor nanoparticles have biocompatibility as well as suitable light emission/absorption characteristics.

Classes IPC  ?

• C01G 7/00 - Composés de l'or
• B82Y 20/00 - Nano-optique, p.ex. optique quantique ou cristaux photoniques
• B82Y 30/00 - Nanotechnologie pour matériaux ou science des surfaces, p.ex. nanocomposites
• C01G 5/00 - Composés de l'argent
• C09K 11/08 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes
• C09K 11/58 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du cuivre, de l'argent ou de l'or
• C09K 11/62 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du gallium, de l'indium ou du thalium
• C09K 11/64 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant de l'aluminium
• C09K 11/89 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du mercure

Abrégé

The present invention relates to a gold paste for dip coating a gold film onto an appropriate member to be coated. The gold paste of the present invention has a purity of 99.9 mass% or greater and comprises gold powder of 0.1-0.5 μm in average particle size, and an organic solvent. The present invention adopts an organic solvent in which the distance Ra between Hansen solubility parameters for the metal powder is 7.0 MPa1/2 or more, and the intrinsic viscosity as measured using a rotational viscometer at a shearing rate of 4/s at 25°C is 1.5-6.5 mPa•s. The gold paste according to the present invention has favorable coating properties for dip coating and limits angular protrusions and film thickness unevenness of the member to be coated when the same is drawn up. Additionally, according to the present invention, the surface roughness of the gold paste in the dip tank is reduced.

Classes IPC  ?

• H01B 1/22 - Matériau conducteur dispersé dans un matériau organique non conducteur le matériau conducteur comportant des métaux ou des alliages
• B22F 1/00 - Poudres métalliques; Traitement des poudres métalliques, p.ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
• B22F 1/10 - Poudres métalliques contenant des agents lubrifiants ou liants; Poudres métalliques contenant des matières organiques
• B22F 9/00 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensions; Appareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet
• B22F 9/24 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensions; Appareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par un procédé chimique avec réduction de mélanges métalliques à partir de mélanges métalliques liquides, p.ex. de solutions
• H01B 13/00 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de conducteurs ou câbles

Abrégé

3Ru-TMM)) having a structure represented by the following formula 1 is used as the ruthenium precursor, and the method includes a stage of forming a ruthenium thin film by an atomic layer deposition at a temperature ranging from 200° C. to 350° C. using this ruthenium precursor and a reaction gas. As the reaction gas, one or more selected from the group consisting of oxygen, hydrogen, water and ammonia are preferably applied.

Classes IPC  ?

• C23C 16/16 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de métaux carbonyles
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/56 - Post-traitement

Abrégé

The present invention relates to an electroconductive multilayered product having a multilayer configuration of substrate/ITO layer/Ag layer, the multilayer configuration comprising a substrate, an ITO layer made of indium tin oxide formed on at least some of one or both surfaces of the substrate, and an Ag layer made of Ag formed on at least some of the ITO layer. This electroconductive multilayered product includes a binder layer comprising a polymer and disposed between the ITO layer and the Ag layer. The binder layer comprises a polymer having a linear chain as the main chain and an OH group and/or a COOH group as a pendent chain. This electroconductive multilayered product is produced by applying a polymer, e.g., poly(acrylic acid), to the ITO layer to form a binder layer and applying and burning an Ag ink including Ag particles to form an Ag layer.

Classes IPC  ?

• B32B 15/04 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal comprenant un métal comme seul composant ou comme composant principal d'une couche adjacente à une autre couche d'une substance spécifique
• B32B 9/00 - Produits stratifiés composés essentiellement d'une substance particulière non couverte par les groupes
• H01B 5/14 - Conducteurs ou corps conducteurs non isolés caractérisés par la forme comprenant des couches ou pellicules conductrices sur supports isolants
• H01B 13/00 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de conducteurs ou câbles

Abrégé

25255 particles is 0.1-6.0 mass%. A sliding contact material according to the present invention is suitable as a constituent material of a motor brush of a small-sized direct current motor, has favorable mechanical wear resistance and spark resistance, and also has excellent low noise properties. Moreover, the present invention is a sliding contact material that can be substituted for a Ag-Pd-based alloy of which the cost is high due to a recent surge in palladium prices.

Classes IPC  ?

• H02K 13/00 - Association structurelle de collecteurs de courant et de moteurs ou de génératrices, p.ex. plaques de montage des balais ou connexions avec les enroulements; Agencement des collecteurs de courant dans les moteurs ou les génératrices; Dispositions pour améliorer la commutation
• B22F 1/00 - Poudres métalliques; Traitement des poudres métalliques, p.ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
• B22F 7/00 - Fabrication de couches composites, de pièces ou d'objets à base de poudres métalliques, par frittage avec ou sans compactage
• C22C 5/06 - Alliages à base d'argent
• H01R 39/20 - Contacts pour coopération avec collecteur ou bague collectrice, p.ex. balais de contact caractérisés par le matériau utilisé

Abrégé

The present invention relates to a metal wiring, to be formed on a flexible substrate, including a sintered body of silver particles. The sintered body constituting the metal wiring has a volume resistivity of 20 μΩ·cm or less, hardness of 0.38 GPa or less, and a Young's modulus of 7.0 GPa or less. A conductive sheet provided with the metal wiring can be produced by applying/calcinating, on a substrate, a metal paste containing, as a solid content, silver particles having prescribed particle size and particle size distribution, and further containing, as a conditioner, an ethyl cellulose having a number average molecular weight of 10,000 or more and 90,000 or less. The metal wiring of the present invention is excellent in bending resistance with change in electrical characteristics suppressed even through repetitive bending deformation.

Classes IPC  ?

• B22F 5/12 - Fabrication de pièces ou d'objets à partir de poudres métalliques caractérisée par la forme particulière du produit à réaliser de tubes ou de fils
• B22F 1/054 - Particules de taille nanométrique
• B22F 1/107 - Poudres métalliques contenant des agents lubrifiants ou liants; Poudres métalliques contenant des matières organiques contenant des matériaux organiques comportant des solvants, p.ex. pour la coulée en moule poreux ou absorbant
• B22F 3/10 - Frittage seul
• H01B 1/22 - Matériau conducteur dispersé dans un matériau organique non conducteur le matériau conducteur comportant des métaux ou des alliages

Abrégé

An in-plane magnetized film for use as a hard bias layer of a magnetoresistive effect element contains metal Co, metal Pt, and an oxide and has a thickness of 20 nm or more and 80 nm or less, wherein: the in-plane magnetized film contains the metal Co in an amount of 45 at% or more and 80 at% or less and the metal Pt in an amount of 20 at% or more and 55 at% or less relative to a total of metal components of the in-plane magnetized film; the in-plane magnetized film contains the oxide in an amount of 3 vol% or more and 25 vol% or less relative to a whole amount of the in-plane magnetized film; and the in-plane direction average grain diameter of magnetic crystal grains of the in-plane magnetized film is 15 nm or more and 30 nm or less.

Classes IPC  ?

• H01F 10/16 - Métaux ou alliages contenant du cobalt
• C23C 14/34 - Pulvérisation cathodique
• C23C 14/16 - Matériau métallique, bore ou silicium sur des substrats métalliques, en bore ou en silicium

Abrégé

The present invention relates to a methane combustion catalyst including platinum and iridium supported on a tin oxide carrier for combusting methane in a combustion exhaust gas containing sulfur oxide. In the methane combustion catalyst, a ratio RTO of platinum oxides to metal platinum is 8.00 or more, wherein the ratio RTO is based on existence percentages of the metal platinum (Pt) and the platinum oxides (PtO and PtO2) obtained from a platinum 4f spectrum analyzed and measured by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and calculated in accordance with the following expression. In the following expression, RPt is an existence percentage of the metal platinum (Pt), RPto is an existence percentage of PtO, and RPto2 is an existence percentage of PtO2. The present invention relates to a methane combustion catalyst including platinum and iridium supported on a tin oxide carrier for combusting methane in a combustion exhaust gas containing sulfur oxide. In the methane combustion catalyst, a ratio RTO of platinum oxides to metal platinum is 8.00 or more, wherein the ratio RTO is based on existence percentages of the metal platinum (Pt) and the platinum oxides (PtO and PtO2) obtained from a platinum 4f spectrum analyzed and measured by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and calculated in accordance with the following expression. In the following expression, RPt is an existence percentage of the metal platinum (Pt), RPto is an existence percentage of PtO, and RPto2 is an existence percentage of PtO2. RTO=(RPtO+RPtO2)/RPt  [Expression 1]

Classes IPC  ?

• B01J 23/46 - Ruthénium, rhodium, osmium ou iridium
• B01J 23/42 - Platine
• B01J 23/14 - Catalyseurs contenant des métaux, oxydes ou hydroxydes métalliques non prévus dans le groupe du germanium, de l'étain ou du plomb
• B01J 37/02 - Imprégnation, revêtement ou précipitation
• B01J 37/08 - Traitement thermique
• B01D 53/86 - Procédés catalytiques

Abrégé

An in-plane magnetized film multilayer structure for use as a hard bias layer of a magnetoresistive effect element contains a plurality of in-plane magnetized films and a nonmagnetic intermediate layer. The nonmagnetic intermediate layer is disposed between the in-plane magnetized films, and the in-plane magnetized films adjacent across the nonmagnetic intermediate layer are coupled by a ferromagnetic coupling. Each of the in-plane magnetized films contains metal Co and metal Pt, and contains the metal Co in an amount of 45 at % or more and 80 at % or less and the metal Pt in an amount of 20 at % or more and 55 at % or less relative to a total of metal components of the each of the in-plane magnetized films. A total thickness of the plurality of in-plane magnetized films is 30 nm or more.

Classes IPC  ?

• G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
• H10N 50/10 - Dispositifs magnéto-résistifs
• H10N 50/85 - Matériaux actifs magnétiques
• H01F 10/16 - Métaux ou alliages contenant du cobalt

Abrégé

A gold sputtering target is made of gold and inevitable impurities, and has a surface to be sputtered. In the gold sputtering target, an average value of Vickers hardness is 40 or more and 60 or less, and an average crystal grain size is 15 μm or more and 200 μm or less. A {110} plane of gold is preferentially oriented at the surface to be sputtered.

Classes IPC  ?

• H01J 37/34 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse fonctionnant par pulvérisation cathodique
• C23C 14/34 - Pulvérisation cathodique
• C23C 14/14 - Matériau métallique, bore ou silicium
• C22F 1/00 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid
• C22F 1/14 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid des métaux nobles ou de leurs alliages

Abrégé

A gold sputtering target has a gold purity of 99.999% or more. In such a gold sputtering target, an average value of Vickers hardness is 20 or more and less than 40, an average crystal grain size is 15 μm or more and 200 μm or less, and a {110} plane of gold is preferentially oriented to a surface to be sputtered of the gold sputtering target.

Classes IPC  ?

• C23C 14/34 - Pulvérisation cathodique

Abrégé

The present invention relates to a metal paste for forming metal wiring lines, the metal paste being obtained by kneading a solid content that is composed of silver particles into a solvent. The solid content of the metal paste is composed of silver particles which have a specific particle size distribution and a specific average particle diameter, while using an amine compound as a protective agent. The solvent is a mixed solvent which is obtained by mixing two organic solvents, namely a solvent A and a solvent B. The solvent A is composed of dihydroterpineol or terpineol; and the solvent B is composed of at least one organic solvent that has a boiling point of 240°C or more. This mixed solvent has a distance Ra of Hansen solubility parameter of 3.0 MPa1/2 or less with respect to dihydroterpineol. In addition, the metal paste contains a high-molecular-weight ethyl cellulose as a first additive, while containing a polyvinyl acetal resin as a second additive. The metal paste according to the present invention is capable of forming a metal wiring line which exhibits good adhesion, while having good printing and drawing properties and good continuous printability.

Classes IPC  ?

• B22F 9/00 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensions; Appareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet
• C09D 5/24 - Peintures électriquement conductrices
• C09D 17/00 - Pigments en pâtes, p.ex. pour pigmenter les peintures
• C08L 1/00 - Compositions contenant de la cellulose, de la cellulose modifiée ou des dérivés de la cellulose 
• C09D 11/52 - Encres conductrices de l’électricité
• H01B 1/00 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs
• H01B 1/22 - Matériau conducteur dispersé dans un matériau organique non conducteur le matériau conducteur comportant des métaux ou des alliages
• C08K 3/08 - Métaux
• H05K 1/09 - Emploi de matériaux pour réaliser le parcours métallique
• B22F 1/052 - Poudres métalliques caractérisées par la dimension ou la surface spécifique des particules caractérisées par un mélange de particules de dimensions différentes ou par la distribution granulométrique des particules
• B22F 1/102 - Poudres métalliques revêtues de matériaux organiques
• B22F 1/107 - Poudres métalliques contenant des agents lubrifiants ou liants; Poudres métalliques contenant des matières organiques contenant des matériaux organiques comportant des solvants, p.ex. pour la coulée en moule poreux ou absorbant

Abrégé

PtAuNiPdPdPdPtAuNiAuAu)3AuAu)2AuAu+d In the formulae, variables a, b, c and d are respectively the following values. a = 0.00077, b = -0.102, c = 3.607, d = 1.722

Classes IPC  ?

• C22C 5/02 - Alliages à base d'or
• C22C 5/04 - Alliages à base d'un métal du groupe du platine
• C22C 30/00 - Alliages contenant moins de 50% en poids de chaque constituant
• C22C 19/03 - Alliages à base de nickel ou de cobalt, seuls ou ensemble à base de nickel
• C22F 1/00 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid
• C22F 1/10 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid du nickel ou du cobalt ou de leurs alliages
• C22F 1/14 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid des métaux nobles ou de leurs alliages

Abrégé

The present invention relates to a medical Au-Pt-Pd alloy including Au, Pt,Pd, and inevitable impurities. The Au-Pt-Pd alloy has an alloy compositioninside a polygon (A1-A2-A3-A4) surrounded by straight lines connected at pointA1 (Au: 53 atom%, Pt: 4 atom%, and Pd: 43 atom%), point A2 (Au: 70 atom%,Pt: 4 atom%, and Pd: 26 atom%), point A3 (Au: 69.9 atom%, Pt: 30 atom%, and Pd: 0.1 atom%), and point A4 (Au: 49.9 atom%, Pt: 50 atom%, and Pd: 0.1 atom%) in a Au-Pt-Pd ternary state diagram. In a metal structure of the alloy, at least one of a Au-rich phase and a Pt-rich phase is distributed, and the total of the area ratio of the Au-rich phase and the area ratio of the Pt-rich phase is 1.5% or more and 25.4% or less.

Classes IPC  ?

• C22C 5/02 - Alliages à base d'or
• A61L 29/02 - Matériaux inorganiques
• A61L 31/02 - Matériaux inorganiques
• C22F 1/14 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid des métaux nobles ou de leurs alliages

Abrégé

A high strength/highly conductive copper alloy plate material of the present invention contains silver in a range of 4% by mass or more and 13% by mass or less, and balancing copper and unavoidable impurities. In the high strength/highly conductive copper alloy plate material, a minimum value of a tensile strength (UTS) is 600 MPa or more and 1250 MPa or less, and a conductivity (% IACS) is 60% or more and 90% or less.

Classes IPC  ?

• H01R 13/02 - Contacts
• C22F 1/08 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid du cuivre ou de ses alliages
• C22C 9/00 - Alliages à base de cuivre
• H01B 1/02 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement de métaux ou d'alliages

Abrégé

1 is represented by the following Formula 2: 1 is hydrogen, or any one of an alkyl group, a cyclic alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, and an amino group having a predetermined number of carbon atoms.

Classes IPC  ?

• C23C 16/18 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de composés organométalliques
• C07F 15/00 - Composés contenant des éléments des groupes 8, 9, 10 ou 18 de la classification périodique

Abrégé

The present invention relates to a medical Pt—W alloy, containing 10 mass % or more and 15 mass % or less of W, with the balance being Pt and inevitable impurities, in which a Zr content is 1000 ppm or less. Limiting the Zr content can improve workability, particularly workability at the stage of hot working. Regarding impurity control, further limiting a Ca content to 250 ppm or less can provide more suitable workability. The present invention is good in workability in processing into a wire included in an embolic coil, a guide wire or the like.

Classes IPC  ?

• C22C 5/04 - Alliages à base d'un métal du groupe du platine
• A61L 31/02 - Matériaux inorganiques
• A61L 31/14 - Matériaux caractérisés par leur fonction ou leurs propriétés physiques

Abrégé

The present invention is drawn to a medical Pt alloy wire, made of a Pt—W alloy containing 10% by mass or more and 15% by mass or less of W, a balance of Pt, and inevitable impurities. The Pt alloy wire has Vickers hardness of 400 Hv or more and 600 Hv or less, and has hardness and strength superior to those of a conventional Pt alloy wire having the same composition. The Pt alloy wire of the present invention has properties preferable as a coil applied to an embolic coil or a guide wire or the like, and is also good in workability in secondary processing for producing such a medical tool.

Classes IPC  ?

• C22C 5/04 - Alliages à base d'un métal du groupe du platine

Abrégé

2344, HfN, NbN, TaN, TiN, VN, or any combination of these; and is characterized by having a Zr impurities concentration, when measured as metallic Zr, that is restricted to no more than 1,000 ppm and a Vickers hardness Hv of 200–600 when measured under a 3 kgf load.

Classes IPC  ?

• C23C 14/34 - Pulvérisation cathodique
• G11B 5/64 - Supports d'enregistrement caractérisés par l'emploi d'un matériau spécifié comportant uniquement le matériau magnétique, sans produit de liaison
• G11B 5/851 - Revêtement d'un support avec une couche magnétique par pulvérisation cathodique
• H01F 41/18 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateurs; Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques pour appliquer des pellicules magnétiques sur des substrats par pulvérisation cathodique

Abrégé

The present invention relates to a hydrogen permeable membrane which is formed of a PdCu alloy and is applicable to hydrogen purification. This hydrogen permeable membrane is characterized in that: the PdCu alloy contains 38.75% by mass to 39.5% by mass of Cu, with the balance being made up of Pd and unavoidable impurities; and the area ratio of the β phase in an arbitrary cross-section is 95% or more. A hydrogen permeable membrane according to the present invention has a hydrogen permeability coefficient φ of 2.0 × 10-8mol/m∙S∙Pa1/2 or more at a temperature within the range of 150°C to 350°C. Since this hydrogen permeability coefficient is higher than that of a PdCu alloy film containing 40% by mass of Cu, the PdCu alloy film having been considered to be optimal before now, it is shown that the hydrogen permeable membrane according to the present invention has excellent hydrogen permeability.

Classes IPC  ?

• C22C 5/04 - Alliages à base d'un métal du groupe du platine
• B01D 53/22 - SÉPARATION Épuration chimique ou biologique des gaz résiduaires, p.ex. gaz d'échappement des moteurs à combustion, fumées, vapeurs, gaz de combustion ou aérosols par diffusion
• B01D 69/02 - Membranes semi-perméables destinées aux procédés ou aux appareils de séparation, caractérisées par leur forme, leur structure ou leurs propriétés; Procédés spécialement adaptés à leur fabrication caractérisées par leurs propriétés
• B01D 69/10 - Membranes sur support; Supports pour membranes
• B01D 69/12 - Membranes composites; Membranes ultraminces
• B01D 71/02 - Matériaux inorganiques
• C01B 3/56 - Séparation de l'hydrogène ou des gaz contenant de l'hydrogène à partir de mélanges gazeux, p.ex. purification par contact avec des solides; Régénération des solides usés
• C22F 1/00 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid
• C22F 1/14 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid des métaux nobles ou de leurs alliages
• H01M 8/0612 - Combinaison d’éléments à combustible avec des moyens de production de réactifs ou pour le traitement de résidus avec des moyens de production des réactifs gazeux à partir de matériaux contenant du carbone
• H01M 8/0662 - Traitement des réactifs gazeux ou des résidus gazeux, p.ex. nettoyage

Abrégé

22N, VN, AlN, NbN, TaN, HfN and any combination of these.

Classes IPC  ?

• G11B 5/851 - Revêtement d'un support avec une couche magnétique par pulvérisation cathodique
• C23C 14/34 - Pulvérisation cathodique
• G11B 5/02 - Procédés d'enregistrement, de reproduction ou d'effacement; Circuits correspondants pour la lecture, l'écriture ou l'effacement
• G11B 5/65 - Supports d'enregistrement caractérisés par l'emploi d'un matériau spécifié comportant uniquement le matériau magnétique, sans produit de liaison caractérisé par sa composition
• H01F 41/18 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateurs; Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques pour appliquer des pellicules magnétiques sur des substrats par pulvérisation cathodique

Abrégé

22222222322. The sensitive part, formed from a thin film of this noble metal chalcogenide compound, exhibits high responsivity with high sensitivity to various detection gases, and can achieve reduction in sensitive part of gas sensor.

Classes IPC  ?

• G01N 27/12 - Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques en recherchant l'impédance en recherchant la résistance d'un corps solide dépendant de la réaction avec un fluide
• G01N 27/04 - Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques en recherchant l'impédance en recherchant la résistance

Abrégé

Provided are core-shell nanoparticles having a gold nanoshell and having high dispersion stability, and a method for manufacturing the core-shell nanoparticles.　A method for manufacturing core-shell particles having, on the core particle surface, a gold nanoshell and a protective agent, the manufacturing method including: (a) a step for mixing a solution of core particles and a solution of gold nanoclusters; (b) a step for adding a protective agent and a reducing agent, stirring the components, and adding a gold complex to form a gold nanoshell on the surface of the core particles; and (c) a step for recovering the core-shell particles produced in step (b).

Classes IPC  ?

• B22F 1/18 - Particules non métalliques revêtues de métal
• B01J 13/12 - Elimination du solvant à partir de la solution de substance formant les parois
• B22F 1/102 - Poudres métalliques revêtues de matériaux organiques
• B82Y 5/00 - Nanobiotechnologie ou nanomédecine, p.ex. génie protéique ou administration de médicaments
• B82Y 20/00 - Nano-optique, p.ex. optique quantique ou cristaux photoniques
• B82Y 30/00 - Nanotechnologie pour matériaux ou science des surfaces, p.ex. nanocomposites
• B82Y 40/00 - Fabrication ou traitement des nanostructures
• C01B 33/18 - Préparation de silice finement divisée ni sous forme de sol ni sous forme de gel; Post-traitement de cette silice

Abrégé

A bonding method in which applied is a prescribed conductive bonding material, which contains a molded article of a metal powder. The metal powder is one or more selected from the group consisting of a gold powder, a silver powder, a platinum powder, and a palladium powder, and has a purity of 99.9% by mass or more, and an average particle size of 0.005 μm to 1.0 μm, and the conductive bonding material has a compressive deformation rate M, represented by the following expression, of 5% or more and 30% or less when compressed with a compression pressure of 5 MPa. [Expression 1] M={(h1−h2)/h1}×100, wherein h1 represents an average thickness of the conductive bonding material before compression, and h2 represents an average thickness of the conductive bonding material after the compression.

Classes IPC  ?

• H01B 5/00 - Conducteurs ou corps conducteurs non isolés caractérisés par la forme
• B22F 1/05 - Poudres métalliques caractérisées par la dimension ou la surface spécifique des particules
• B22F 7/06 - Fabrication de couches composites, de pièces ou d'objets à base de poudres métalliques, par frittage avec ou sans compactage de pièces ou objets composés de parties différentes, p.ex. pour former des outils à embouts rapportés
• H01B 1/02 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement de métaux ou d'alliages
• H01L 21/52 - Montage des corps semi-conducteurs dans les conteneurs

Abrégé

Provided are a sputtering target and method for producing the same, whereby the generation of arcing is curbed and product yield is improved.　This sputtering target is characterized in that, when observed by a laser microscope at 400x magnification, at least a non-sputtered region has a surface shape where (a) the minimum autocorrelation length Sal is 3 to 30 μm.

Classes IPC  ?

• C23C 14/34 - Pulvérisation cathodique

Abrégé

23222232222 may realize a photoelectric effect due to irradiation by near-infrared light. The present invention is characterized by a sensitivity to light of a wavelength in the near-infrared region in particular, and is a thin film comprising a platinum group metal chalcogenide of a hitherto unknown structure.

Classes IPC  ?

• H01L 31/0264 - Matériaux inorganiques
• H01L 31/08 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances

Abrégé

Provided is an Fe—Pt—BN-based sputtering target that has a high relative density and that suppresses particle generation. Provided is an Fe—Pt—BN-based sputtering target that has a high relative density and that suppresses particle generation. The Fe—Pt—BN-based sputtering target has, as a residue after dissolution in aqua regia measured by a procedure below, the particle size distribution in which D90 is 5.5 μm or less and a proportion of fine particles smaller than 1 μm is 35% or less. The procedure includes: (1) cutting out an about 4 mm-square sample piece from the sputtering target, followed by pulverizing to prepare a pulverized product; (2) classifying the pulverized product using sieves of 106 μm and 300 μm in opening size and collecting a powder that has passed through the 300 μm sieve and remained on the 106 μm sieve; (3) immersing the powder in aqua regia heated to 200° C. to prepare a residue-containing solution in which the powder has been dissolved; (4) filtering the residue-containing solution through a 5A filter paper specified in JIS P 3801 and drying a residue on the filter paper at 80° C. to prepare a residue powder; (5) dispersing the residue powder in water containing a surfactant to prepare a sample solution; and (6) setting the sample solution in a particle size analyzer and measuring the particle size distribution.

Classes IPC  ?

• C23C 14/34 - Pulvérisation cathodique
• C22C 38/00 - Alliages ferreux, p.ex. aciers alliés
• C22C 33/02 - Fabrication des alliages ferreux par des techniques de la métallurgie des poudres

Abrégé

The present invention pertains to a bushing for producing glass fibers, said bushing comprising a plurality of nozzles made of platinum, etc. for discharging a molten glass and a base plate made of platinum, etc. In the present invention, a coating layer is preferentially formed on the outer surface of the tip on the glass discharge side of the nozzles. The width of the coating layer is 5-95% inclusive relative to the total nozzle length. The base plate includes an uncoated area having no coating layer at least in a part thereof. The areas of the nozzles and base plate having no coating layer serve as a sacrificial metal for protecting the nozzle tips where the coating layer is formed. Taking the the action of the sacrificial metal into consideration, it is preferred in the present invention to adjust the coverage P, which is calculated in accordance with a predetermined formula for the coating layer at the nozzle tips, to 5-350% inclusive. The present invention clarifies the major factor causing wear and tear of the nozzles in the bushing for producing glass fibers and, as a result, minimizes wear and tear of the nozzles even during prolonged use.

Classes IPC  ?

• C03B 37/083 - Tétons de filière; Plaques de filière

Abrégé

A DC high-voltage relay with at least one contact pair including a movable contact and a fixed contact, the contact pair having a contact force and/or an opening force of 100 gf or more, having a rated voltage of 48 V or more, the movable contact and/or the fixed contact includes a Ag oxide-based contact material. Metal components contain at least one metal M essentially containing Zn, and a balance being Ag and inevitable impurity metals, and the contact material has a content of the metal M of 0.2% by mass or more and 8% by mass or less based on a total mass. The contact material has a material structure in which one or more oxides of the metal M having an average particle size of 0.01 μm or more and 0.4 μm or less are dispersed in a matrix including Ag or a Ag alloy.

Classes IPC  ?

• H01H 1/0237 - Matériau composite avec un métal noble comme matériau de base et contenant des oxydes
• H01H 50/54 - Dispositions de contact
• H01H 50/44 - Bobines ou enroulements d'excitation
• C22C 5/06 - Alliages à base d'argent

Abrégé

232233.

Classes IPC  ?

• H01M 4/505 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de manganèse d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du manganèse pour insérer ou intercaler des métaux légers, p.ex. LiMn2O4 ou LiMn2OxFy

Abrégé

122 are substituents and each represent hydrogen or a straight-chain or branched alkyl group.

Classes IPC  ?

• C23C 16/18 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de composés organométalliques
• C07C 49/12 - Cétones comportant plus d'un groupe cétone
• C07F 15/00 - Composés contenant des éléments des groupes 8, 9, 10 ou 18 de la classification périodique
• H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p.ex. condensation

Abrégé

(nx)(ny)(nz)(nz). In the formula, n represents an arbitrary positive integer; x, y and z respectively represent number-based content ratios of Ag, Au and S atoms in the compound, and independently represent a real number satisfying the following formula 0 < x,y,z ≦ 1; and x/y is 1/7 to 7 inclusive.

Classes IPC  ?

• C01G 7/00 - Composés de l'or
• B82Y 20/00 - Nano-optique, p.ex. optique quantique ou cristaux photoniques

Abrégé

A sputtering target for a magnetic recording medium, comprises: a metal phase containing Pt and at least one or more selected from Mn and V, with the balance being Co and incidental impurities; and an oxide phase containing at least B and O.

Classes IPC  ?

• H01J 37/34 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse fonctionnant par pulvérisation cathodique
• C23C 14/34 - Pulvérisation cathodique
• G11B 5/65 - Supports d'enregistrement caractérisés par l'emploi d'un matériau spécifié comportant uniquement le matériau magnétique, sans produit de liaison caractérisé par sa composition

Abrégé

Provided are a filling method and a filling device for a syringe by which mixing of air bubbles into a nozzle section can be suppressed. This filling method is for filling, with a paste P, a syringe 1 which has a cylindrical body section 10 to be filled with the paste P, a cylindrical nozzle section 11 disposed at the tip of the body section 10 and having a smaller diameter than the body section 10, and a bottomed cylindrical cap 2 fitted over the tip of the nozzle section 11, and which discharges the paste P from a tip opening of the nozzle section 11. The method includes a filling step for filling internal spaces of the body section 10 and the nozzle section 11 with the paste P by discharging the paste P from a filling nozzle 6, wherein in said filling step, the discharging of the paste P from the filling nozzle 6 is started after the filling nozzle 6 has been inserted in the cylindrical part of the nozzle section 11.

Classes IPC  ?

• B65B 3/12 - Procédés ou moyens pour charger le matériau dans les réceptacles ou récipients en exerçant une pression sur le matériau mécaniquement, p.ex. par pistons ou pompes
• B65B 37/06 - Approvisionnement ou alimentation des matériaux solides fluents, plastiques ou liquides, ou de masses en vrac, de petits objets, à emballer par pistons ou pompes
• B05C 5/00 - Appareillages dans lesquels un liquide ou autre matériau fluide est projeté, versé ou répandu sur la surface de l'ouvrage

Abrégé

A liquid sample testing device includes: an upper case having: a hole allowing a liquid sample to be dropped in the hole; and a window to determine a test result, the hole and the window being located beside each other; a lower case assembled to the upper case; and a test strip housed between the upper case and the lower case. The upper case has: a first protrusion protruding toward the lower case; and a second protrusion protruding toward the lower case. The first protrusion and the second protrusion each has a predetermined shape to allow a capillary force generated between the second protrusion and the liquid sample to be larger than a capillary force generated between the first protrusion and the liquid sample.

Classes IPC  ?

• G01N 33/543 - Tests immunologiques; Tests faisant intervenir la formation de liaisons biospécifiques; Matériaux à cet effet avec un support insoluble pour l'immobilisation de composés immunochimiques

Abrégé

22 (M is a transition metal and X is a chalcogen atom other than oxygen) is formed on a base material. The semiconductor characteristics of the thin film are improved in the present invention by modifying the defect sites of the transition metal dichalcogenide thin film surface by modifying metal nanoparticles comprising a metal N on the thin film. The metal nanoparticles are preferably noble metal nanoparticles. In addition, a sulfide, selenide, or telluride of Pt or Pd is preferred for the transition metal M of the transition metal dichalcogenide thin film on the base material. The application of atomic layer deposition (ALD) is particularly preferred for the modification process for the metal nanoparticles.

Classes IPC  ?

• C23C 16/18 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de composés organométalliques
• B82Y 20/00 - Nano-optique, p.ex. optique quantique ou cristaux photoniques
• B82Y 40/00 - Fabrication ou traitement des nanostructures

Abrégé

The present invention relates to a method for forming a metal pattern on a pattern formation section set on a base material. In the present invention, a substrate provided with a fluorine-containing resin layer on a surface of the base material including the pattern formation section is used. The present inventive method for forming a metal pattern includes steps of: forming a functional group on the pattern formation section; and applying a metal ink including an amine compound and a fatty acid as protective agents to the base material surface to fix the metal particles on the pattern formation section. In the present invention, a fluorine-containing resin having a surface free energy measured by the Owens-Wendt method of 13 mN/m or more and 20 mN/m or less is applied as the fluorine-containing resin layer. Further, a metal ink including ethyl cellulose as an additive is applied as the metal ink.

Classes IPC  ?

• H05K 3/12 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés dans lesquels le matériau conducteur est appliqué au support isolant de manière à former le parcours conducteur recherché utilisant la technique de l'impression pour appliquer le matériau conducteur
• B05D 3/10 - Traitement préalable des surfaces sur lesquelles des liquides ou d'autres matériaux fluides doivent être appliqués; Traitement ultérieur des revêtements appliqués, p.ex. traitement intermédiaire d'un revêtement déjà appliqué, pour préparer les applications ultérieures de liquides ou d'autres matériaux fluides par d'autres moyens chimiques
• B05D 5/06 - Procédés pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides aux surfaces pour obtenir des effets, finis ou des structures de surface particuliers pour obtenir des effets multicolores ou d'autres effets optiques
• B05D 7/24 - Procédés, autres que le flocage, spécialement adaptés pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides, à des surfaces particulières, ou pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides particuliers pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides particuliers
• B05D 7/00 - Procédés, autres que le flocage, spécialement adaptés pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides, à des surfaces particulières, ou pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides particuliers
• C09D 11/03 - Encres d’imprimerie caractérisées par des particularités autres que la nature chimique du liant
• C09D 11/52 - Encres conductrices de l’électricité

Abrégé

The present invention relates to a photoelectric conversion element which comprises a thin film that is formed on a base material, while being composed of a transition metal dichalcogenide. According to the present invention, the surface of the thin film, which is composed of a transition metal dichalcogenide, is modified with at least either of Au nanorod particles that are formed of Au or Ag nanorod particles that are formed of Ag. Meanwhile, the average aspect ratio of the Au nanorod particles is from 3.0 to 12.0; and the average aspect ratio of the Ag nanorod particles is from 3.0 to 13.0. According to the present invention, sensitivity to the light having a wavelength within the near-infrared range is improved by the sensitizing action due to localized surface plasmon resonance that appears in the Au/Ag nanorod particles. A photoelectric conversion element according to the present invention also exhibits a good sensitivity to the light having a wavelength within the near-infrared range around 1600 nm.

Classes IPC  ?

• H01L 31/0264 - Matériaux inorganiques
• B82Y 20/00 - Nano-optique, p.ex. optique quantique ou cristaux photoniques
• H01L 31/08 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances

Abrégé

A raw material for chemical deposition for producing a manganese thin film or a manganese compound thin film by chemical deposition method, including an organomanganese compound represented Chemical Formula 1 in which a cyclopentadienyl ligand and an isocyanide ligand are coordinated to manganese, which has basic characteristics as a raw material for chemical deposition and enables formation of a manganese thin film with a reducing gas such as hydrogen used as a reaction gas.

Classes IPC  ?

• C23C 16/06 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique
• C07F 13/00 - Composés contenant des éléments des groupes 7 ou 17 de la classification périodique
• C23C 16/18 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de composés organométalliques

Abrégé

The present invention relates to a methane combustion catalyst comprising platinum and iridium supported by a tin oxide support, the catalyst serving the purpose of combusting methane which is present in a combustion exhaust gas containing sulfur oxide. This methane combustion catalyst is such that, for an arbitrary cross-section, when a line analysis is performed by electron probe microanalysis in the direction from the deep-most portion of the catalyst to the surface of the catalyst, two regions are observable, which are a first region wherein platinum, iridium, and tin are all detected, and a second region wherein tin is unconditionally detected and no platinum is detected. In one concrete mode, this methane combustion catalyst is constituted from: a catalyst base layer comprising platinum and iridium supported by a tin oxide support; and an overcoat layer comprising tin oxide and formed over the catalyst base layer. This methane combustion catalyst has excellent initial activity and improved durability.

Classes IPC  ?

• B01J 23/62 - Métaux du groupe du platine avec du gallium, de l'indium, du thallium, du germanium, de l'étain ou du plomb
• B01D 53/94 - Epuration chimique ou biologique des gaz résiduaires des gaz d'échappement des moteurs à combustion par des procédés catalytiques

Abrégé

A gold powder comprising gold having a purity of 99.9% by mass or more and having an average particle size of 0.01 μm or more and 1.0 μm or less, a content of a chloride ion is 100 ppm or less, and a content of a cyanide ion is 10 ppm or more and 1000 ppm or less. A total of the content of a chloride ion and the content of a cyanide ion is preferably 110 ppm or more and 1000 ppm or less. The gold powder has improved adaptability to various processes including bonding or the like with a content of a chloride ion, that is, an impurity, optimized. A gold paste using this gold powder is suitably used in various uses for bonding such as die bonding of a semiconductor chip, sealing a semiconductor package, and forming an electrode/wire.

Classes IPC  ?

• B22F 9/18 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensions; Appareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par un procédé chimique avec réduction de mélanges métalliques
• B22F 1/00 - Poudres métalliques; Traitement des poudres métalliques, p.ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
• B22F 1/05 - Poudres métalliques caractérisées par la dimension ou la surface spécifique des particules
• B22F 1/0545 - Dispersions ou suspensions de particules de taille nanométrique
• B22F 1/10 - Poudres métalliques contenant des agents lubrifiants ou liants; Poudres métalliques contenant des matières organiques
• B22F 1/145 - Traitement chimique, p.ex. passivation ou décarburation
• B23K 35/30 - Emploi de matériaux spécifiés pour le soudage ou le brasage dont le principal constituant fond à moins de 1550 C
• B29C 65/02 - Assemblage d'éléments préformés; Appareils à cet effet par chauffage, avec ou sans pressage
• C22C 1/04 - Fabrication des alliages non ferreux par métallurgie des poudres

Abrégé

2-xxx+1x+1 (x is an integer of 0 or 1), and has a crystallite diameter of 10-40 nm. The light receiving layer can be produced by applying ink, obtained by dispersing the semiconductor nanoparticles in a dispersion medium, to the base material and then firing the ink at 200-350ºC. A photoelectric conversion element material according to the present invention has absorption properties with respect to light having wavelengths in a near-infrared range, and has excellent photoresponsivity.

Classes IPC  ?

• H01L 31/08 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances

Abrégé

The present invention relates to a medical Au—Pt—Pd alloy including Au, Pt, Pd, and inevitable impurities. The alloy has an alloy composition inside a polygon (A1-A2-A3-A4-A5-A6) surrounded by straight lines connected at point A1 (Au: 37.9 atom %, Pt: 0.1 atom %, and Pd: 62 atom %), point A2 (Au: 79.9 atom %, Pt: 0.1 atom %, and Pd: 20 atom %), point A3 (Au: 79.9 atom %, Pt: 20 atom %, and Pd: 0.1 atom %), point A4 (Au: 69.9 atom %, Pt: 30 atom %, and Pd: 0.1 atom %), point A5 (Au: 49 atom %, Pt: 30 atom %, and Pd: 21 atom %), and point A6 (Au: 39 atom %, Pt: 40 atom %, and Pd: 21 atom %) in a Au—Pt—Pd ternary state diagram. The metal structure of the alloy is optimized, and the metal structure is close to a single-phase structure, and has little precipitation of a Au-rich phase and a Pt-rich phase different in composition from a mother phase.

Classes IPC  ?

• C22C 5/02 - Alliages à base d'or
• C22C 1/02 - Fabrication des alliages non ferreux par fusion

Abrégé

The present invention pertains to a catalyst for an oxygen reduction reaction comprising catalyst particles of a core-shell structure that contains a PtCo alloy or PtCoMn alloy as the core and platinum as a shell layer. With this catalyst, a plurality of platinum atoms constituting the shell layer form the (111) plane of a face-centered cubic lattice, and the lattice constant of the (111) plane of the face-centered cubic lattice on the catalyst particle surface is 3.70 to 4.05 Å (PtCo alloy) or 3.870 to 4.10 Å (PtCoMn alloy). This method of designing a catalyst comprises a step for calculating the adsorption energy for molecular oxygen, OH groups, and water molecules by ab initio calculation based on density functional theory with regard to orientation planes such as the (111) plane formed by the platinum atoms of the shell layer.

Classes IPC  ?

• B01J 23/89 - Catalyseurs contenant des métaux, oxydes ou hydroxydes métalliques non prévus dans le groupe du cuivre ou des métaux du groupe du fer combinés à des métaux nobles
• H01M 4/86 - PROCÉDÉS OU MOYENS POUR LA CONVERSION DIRECTE DE L'ÉNERGIE CHIMIQUE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE, p.ex. BATTERIES Électrodes Électrodes inertes ayant une activité catalytique, p.ex. pour piles à combustible
• H01M 4/92 - Métaux du groupe du platine
• H01M 8/10 - PROCÉDÉS OU MOYENS POUR LA CONVERSION DIRECTE DE L'ÉNERGIE CHIMIQUE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE, p.ex. BATTERIES Éléments à combustible; Leur fabrication Éléments à combustible avec électrolytes solides

Abrégé

The present invention relates to an interposer board that is joined in a stacked state with at least one member to be joined having a connection part at at least one location, and that is electrically connected to the member to be joined. The interposer board comprises a substrate having at least one connection region corresponding to the connection part of the member to be joined. A plurality of through holes are formed in each connection region of the substrate, and the plurality of through holes are formed close to each other, thereby creating a segment serving as one unit for electrical connection. At least one segment is formed in the connection region, and a through electrode is formed in each through hole and a wide bump is formed at an end of the through electrode. The through electrode and the bump are constituted by a metallic powder sintered body which is obtained by sintering a metallic powder made of gold, etc. having a predetermined purity and average particle size.

Classes IPC  ?

• H01L 23/12 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
• H05K 1/02 - Circuits imprimés - Détails
• H05K 1/11 - Eléments imprimés pour réaliser des connexions électriques avec ou entre des circuits imprimés
• H05K 3/32 - Connexions électriques des composants électriques ou des fils à des circuits imprimés

Abrégé

A problem of the present invention is to provide a solid polymer membrane electrode capable of obtaining electrolyzed hydrogen water in which an increase of the pH is suppressed and which has a sufficient dissolved-hydrogen amount. The present invention is concerned with a solid polymer membrane electrode for generating electrolyzed water, wherein the solid polymer membrane electrode includes a solid polymer membrane and catalyst layers containing a platinum group metal and provided on the back and front of the solid polymer membrane; and the solid polymer membrane is a hydrocarbon-based cation exchange membrane and has an ion exchange capacity per unit area of 0.002 mmol/cm2 or more and 0.030 mmol/cm2 or less.

Classes IPC  ?

• C25B 9/23 - Cellules comprenant des électrodes fixes de dimensions stables; Assemblages de leurs éléments de structure avec des diaphragmes comprenant des membranes échangeuses d'ions dans ou sur lesquelles est incrusté du matériau pour électrode
• B01J 23/42 - Platine
• B01J 23/46 - Ruthénium, rhodium, osmium ou iridium
• C25B 1/04 - Hydrogène ou oxygène par électrolyse de l'eau
• C25B 9/73 - Assemblages comprenant plusieurs cellules du type filtre-presse
• C25B 11/04 - PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES POUR LA PRODUCTION DE COMPOSÉS ORGANIQUES OU MINÉRAUX, OU DE NON-MÉTAUX; APPAREILLAGES À CET EFFET Électrodes; Leur fabrication non prévue ailleurs caractérisées par le matériau
• B01J 23/40 - Catalyseurs contenant des métaux, oxydes ou hydroxydes métalliques non prévus dans le groupe des métaux nobles des métaux du groupe du platine

Abrégé

An object of the invention is to provide a detection reagent which can detect human metapneumovirus in an actual analyte with an excellent sensitivity. The invention relates to a human metapneumovirus detection reagent characterized by containing an antibody which recognizes the matrix protein of human metapneumovirus, an immunological assay for human metapneumovirus including detecting human metapneumovirus in an analyte with an antibody which recognizes the matrix protein of human metapneumovirus and the like.

Classes IPC  ?

• G01N 33/569 - Tests immunologiques; Tests faisant intervenir la formation de liaisons biospécifiques; Matériaux à cet effet pour micro-organismes, p.ex. protozoaires, bactéries, virus
• G01N 33/58 - Analyse chimique de matériau biologique, p.ex. de sang ou d'urine; Test par des méthodes faisant intervenir la formation de liaisons biospécifiques par ligands; Test immunologique faisant intervenir des substances marquées

Abrégé

The present invention relates to a platinum-base sputtering target formed from platinum or a platinum alloy. This platinum-base sputtering target has a characteristic material composition in the thickness-direction cross-section. Specifically, dividing a thickness-direction cross-section into n equal parts (n = 5-20) in the thickness direction and defining a determination region as the region made up of (n-2) sections with the both ends removed, when the average particle diameter of the entire determination region is measured together with the average particle diameter in each section of the determination region, the average particle diameter of the entire determination region is less than or equal to 150 μm, and the coefficient of variation, calculated from the average particle diameters of each section in the determination region, is less than or equal to 15%.

Classes IPC  ?

• C23C 14/34 - Pulvérisation cathodique
• C22C 5/04 - Alliages à base d'un métal du groupe du platine
• C22F 1/00 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid
• C22F 1/14 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid des métaux nobles ou de leurs alliages

Abrégé

333Sn intermetallic compound surrounding the island-shaped Ag phase. The bonding part provided to this bonding structure has suitable bonding strength and is excellent in heat resistance and durability due to the aforementioned material construction.

Classes IPC  ?

• B23K 20/00 - Soudage non électrique par percussion ou par une autre forme de pression, avec ou sans chauffage, p.ex. revêtement ou placage
• C22C 5/06 - Alliages à base d'argent
• H01L 21/52 - Montage des corps semi-conducteurs dans les conteneurs
• B22F 3/24 - Traitement ultérieur des pièces ou objets

Abrégé

The invention relates to an immunochromatography analysis device which enables simple and rapid diagnosis of dengue virus infection, and an object thereof is to provide an immunochromatography analysis device which can reduce a cross-reaction with a virus belonging to Flaviviridae other than dengue virus and which can specifically detect dengue virus. The invention relates to an immunochromatography analysis device for detecting dengue virus including a sample application part, a labeling substance-holding part, a chromatography medium part having a detection part and an absorption part, wherein the labeling substance-holding part contains a first antibody which recognizes the amino acid sequence of SEQ ID NO: 2 that is present in the whole amino acid sequence of dengue virus NS1 of SEQ ID NO: 1, and the detection part contains a second antibody which recognizes the three-dimensional structure of dengue virus NS1.

Classes IPC  ?

• G01N 33/543 - Tests immunologiques; Tests faisant intervenir la formation de liaisons biospécifiques; Matériaux à cet effet avec un support insoluble pour l'immobilisation de composés immunochimiques
• G01N 33/569 - Tests immunologiques; Tests faisant intervenir la formation de liaisons biospécifiques; Matériaux à cet effet pour micro-organismes, p.ex. protozoaires, bactéries, virus

Abrégé

An object is to enhance the durability of substrates of a probe substrate and/or the probe substrate and a member to be joined. A probe substrate according to the present disclosure includes: a plurality of electrical contactors respectively brought into electrical contact with a plurality of electrode terminals of a member to be inspected, a joint portion for a member to be joined is provided on one or each of a first surface and a second surface of the probe substrate and the member to be joined is joined to the joint portion with a metal layer that includes, in a metal component, at least 70 atomic percent or more of a transition metal and that is formed by sintering, and/or in a joining surface between a plurality of substrates of the probe substrate, the substrates are joined together with the metal layer formed by sintering, in the metal layer formed by sintering, a plurality of organic component parts and/or voids formed by heating an adhesive composition including a thermoplastic resin are left and the organic component parts and/or the voids included in the metal layer formed by sintering have 5 to 80 area percent in a vertical cross section of the metal layer formed by sintering.

Classes IPC  ?

• G01R 1/04 - Boîtiers; Organes de support; Agencements des bornes
• G01R 1/067 - Sondes de mesure
• G01R 1/073 - Sondes multiples
• G01R 31/28 - Test de circuits électroniques, p.ex. à l'aide d'un traceur de signaux
• G01R 3/00 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des appareils de mesure
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
• H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement

Abrégé

A sealing structure including: a set of base members forming a sealed space; a through-hole which is formed in at least one of the base members, and communicates with the sealed space; and a sealing member that seals the through-hole. An underlying metal film including a bulk-like metal such as gold is provided on a surface of the base member provided with the through-hole. The sealing member seals the through-hole while being bonded to the underlying metal film, and includes: a sealing material which is bonded to the underlying metal film, and includes a compressed product of a metal powder of gold or the like, the metal powder having a purity of 99.9% by mass or more; and a lid-like metal film which is bonded to the sealing material, and includes a bulk-like metal such as gold. Further, the sealing material includes: an outer periphery-side densified region being in contact with an underlying metal film; and a center-side porous region being in contact with the through-hole. The densified region has a porosity of 10% or less in terms of an area ratio at any cross-section.

Classes IPC  ?

• H01L 23/10 - Conteneurs; Scellements caractérisés par le matériau ou par la disposition des scellements entre les parties, p.ex. entre le couvercle et la base ou entre les connexions et les parois du conteneur
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension

Abrégé

The present invention relates to an organoiridium complex for an organic electroluminescent element in which a C-N ligand and an ancillary ligand are coordinated with iridium. This organoiridium complex contains a 2-(dibenzo[b,d]thiophen-4-yl)quinolinate ligand having at least one methyl group introduced thereinto coordinated as the C-N ligand, and is represented by the following Formula. The present inventive organoiridiurn complex is suitable as a red emitting phosphorescent material for an OLED, has high photoluminescence quantum yield ΦPL, and is excellent in color purity. The present invention relates to an organoiridium complex for an organic electroluminescent element in which a C-N ligand and an ancillary ligand are coordinated with iridium. This organoiridium complex contains a 2-(dibenzo[b,d]thiophen-4-yl)quinolinate ligand having at least one methyl group introduced thereinto coordinated as the C-N ligand, and is represented by the following Formula. The present inventive organoiridiurn complex is suitable as a red emitting phosphorescent material for an OLED, has high photoluminescence quantum yield ΦPL, and is excellent in color purity. The present invention relates to an organoiridium complex for an organic electroluminescent element in which a C-N ligand and an ancillary ligand are coordinated with iridium. This organoiridium complex contains a 2-(dibenzo[b,d]thiophen-4-yl)quinolinate ligand having at least one methyl group introduced thereinto coordinated as the C-N ligand, and is represented by the following Formula. The present inventive organoiridiurn complex is suitable as a red emitting phosphorescent material for an OLED, has high photoluminescence quantum yield ΦPL, and is excellent in color purity. (In the aforementioned Formula, R1, R2, R3, R4, R5, R6, and R7 are each a methyl group or a hydrogen atom, provided that at least one of R1, R2, R3, R4 is a methyl group; and X-Y is the ancillary ligand.)

Classes IPC  ?

• H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
• C07F 15/00 - Composés contenant des éléments des groupes 8, 9, 10 ou 18 de la classification périodique
• C09K 11/06 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances organiques luminescentes

Abrégé

A porous body includes: a porous electrically conductive base material having communication voids and a skeleton forming the voids; and a metal coating film provided on at least a portion of a surface of the skeleton, wherein a porosity of the porous electrically conductive base material is 10% or more, 70% by mass or more of the metal coating film exists in a region lying within 30% from one surface of the porous body as measured in the thickness direction, and a thickness of an oxide film between the skeleton and the metal coating film is 2 nm or less in at least a part of the oxide film. An amount of a metal for the metal coating film has been reduced and growth of an oxide film between the base material and the metal coating film has been suppressed.

Classes IPC  ?

• C25B 11/03 - PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES POUR LA PRODUCTION DE COMPOSÉS ORGANIQUES OU MINÉRAUX, OU DE NON-MÉTAUX; APPAREILLAGES À CET EFFET Électrodes; Leur fabrication non prévue ailleurs caractérisées par la configuration ou la forme perforées ou foraminées
• C25D 7/00 - Dépôt électrochimique caractérisé par l'objet à revêtir

Abrégé

The present invention addresses the problem regarding particle generation in a Fe-Pt-BN-based sputtering target having a high relative density. This Fe-Pt-BN-based sputtering target is characterized by containing carbon (C) and boron oxide and BN or a non-magnetic component formed of boron oxide and BN, and by having a relative density of 88% or more, and an oxygen content more than 4000 wtppm but not more than 10,000 wtppm, and is characterized in that the ratio of a water soluble boron concentration (wt%) with respect to the total boron concentration (wt%) as determined through a specific procedure is 1.0% or more.

Classes IPC  ?

• C23C 14/34 - Pulvérisation cathodique
• C04B 35/5835 - Composites
• C04B 35/645 - Frittage sous pression
• C22C 1/05 - Mélanges de poudre métallique et de poudre non métallique
• C22C 5/04 - Alliages à base d'un métal du groupe du platine
• G11B 5/65 - Supports d'enregistrement caractérisés par l'emploi d'un matériau spécifié comportant uniquement le matériau magnétique, sans produit de liaison caractérisé par sa composition
• G11B 5/708 - Supports d'enregistrement caractérisés par l'emploi d'un matériau spécifié comportant une ou plusieurs couches de particules magnétisables mélangées de façon homogène avec un produit de liaison sur une couche de base caractérisés par l'addition de particules non magnétiques à la couche magnétique
• G11B 5/851 - Revêtement d'un support avec une couche magnétique par pulvérisation cathodique

Abrégé

The present invention relates to a medical Au—Pt—Pd alloy including Au, Pt, Pd, and inevitable impurities. The Au—Pt—Pd alloy has an alloy composition inside a polygon (A1-A2-A3-A4) surrounded by straight lines connected at point A1 (Au: 53 atom %, Pt: 4 atom %, and Pd: 43 atom %), point A2 (Au: 70 atom %, Pt: 4 atom %, and Pd: 26 atom %), point A3 (Au: 69.9 atom %, Pt: 30 atom %, and Pd: 0.1 atom %), and point A4 (Au: 49.9 atom %, Pt: 50 atom %, and Pd: 0.1 atom %) in a Au—Pt—Pd ternary state diagram. In a metal structure of the alloy, at least one of a Au-rich phase and a Pt-rich phase is distributed, and the total of the area ratio of the Au-rich phase and the area ratio of the Pt-rich phase is 1.5% or more and 25.4% or less.

Classes IPC  ?

• C22C 5/02 - Alliages à base d'or
• C22F 1/14 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid des métaux nobles ou de leurs alliages
• A61L 31/02 - Matériaux inorganiques
• A61L 29/02 - Matériaux inorganiques

Abrégé

The present invention relates to a method for forming a ruthenium thin film, wherein a ruthenium thin film is formed by utilizing a ruthenium precursor, said method comprising a step wherein tricarbonyl(η4-methylene-1, 3-propanediyl)ruthenium having a structure represented by chemical formula 1 (tricarbonyl(η433Ru-TMM)) is used as a ruthenium precursor, and a ruthenium thin film is formed by utilizing this ruthenium precursor and a reaction gas by means of an atomic layer deposition method at a temperature within the range of from 200°C to 350°C. It is preferable that one or more substances selected from the group consisting of oxygen, hydrogen, water and ammonia are used as the reaction gas.

Classes IPC  ?

• C23C 16/18 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de composés organométalliques
• H01L 21/28 - Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes
• H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p.ex. condensation

Abrégé

An electrically-conductive material containing Ag in an amount of 10 mass % or more and 70 mass % or less, Pd in an amount of 30 mass % or more and 90 mass % or less, Ni in an amount of more than 5 mass % and 45 mass % or less, and inevitable impurities. A ratio of a Ni content (mass %) to a Ag content (mass %) (Ni (mass %)/Ag (mass %)) is 0.1 or more and 5.0 or less, metal structures include a AgPd alloy phase and a PdNi alloy phase, and a volume ratio of the PdNi alloy phase is 18 vol % or more and 80 vol % or less. Ni is added in a high concentration to a AgPd alloy, and the amount of PdNi alloy phases generated as separate phases is controlled to strengthen the entire alloy.

Classes IPC  ?

• C22C 5/04 - Alliages à base d'un métal du groupe du platine
• C22C 5/00 - Alliages à base de métaux nobles
• C22C 5/06 - Alliages à base d'argent
• C22C 9/06 - Alliages à base de cuivre avec le nickel ou le cobalt comme second constituant majeur
• C22C 19/03 - Alliages à base de nickel ou de cobalt, seuls ou ensemble à base de nickel
• H01B 1/02 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement de métaux ou d'alliages
• H01B 13/00 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de conducteurs ou câbles
• H02K 13/00 - Association structurelle de collecteurs de courant et de moteurs ou de génératrices, p.ex. plaques de montage des balais ou connexions avec les enroulements; Agencement des collecteurs de courant dans les moteurs ou les génératrices; Dispositions pour améliorer la commutation

Abrégé

Pt is 1.5 or less. The present invention can be applied to various kinds of devices for medical use, such as catheter, embolic coils, and guide wires, in addition to stents such as flow-diverter stents.

Classes IPC  ?

• C22C 19/07 - Alliages à base de nickel ou de cobalt, seuls ou ensemble à base de cobalt
• A61L 31/02 - Matériaux inorganiques

Abrégé

2 coordinated to ruthenium are represented by the following Chemical Formula 2. The raw material for chemical deposition according to the present invention can be formed into a high quality thin film even if a reaction gas containing an oxygen atom is not used. 2, are each independently any one of a hydrogen atom, and a linear or branched alkyl group having a carbon number of 1 or more and 4 or less.

Classes IPC  ?

• C23C 16/18 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de composés organométalliques

Abrégé

An electroconductive substrate including a base material and a metal wiring made of at least either of silver and copper, and the electroconductive substrate has an antireflection region formed on part or all of the metal wiring surface. This antireflection region is composed of roughened particles made of at least either of silver and copper and blackened particles finer than the roughened particles and embedded between the roughened particles. The blackened particles are made of silver or a silver compound, copper or a copper compound, or carbon or an organic substance having a carbon content of 25 wt % or more. The antireflection region has a surface with a center line average roughness of 15 nm or more and 70 nm or less. The electroconductive substrate is formed from metal wiring from a metal ink that forms roughened particles, followed by application of a blackening ink containing blackened particles.

Classes IPC  ?

• H05K 1/09 - Emploi de matériaux pour réaliser le parcours métallique
• C09D 11/037 - Encres d’imprimerie caractérisées par des particularités autres que la nature chimique du liant caractérisées par le pigment
• H01B 1/02 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement de métaux ou d'alliages
• H05K 3/12 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés dans lesquels le matériau conducteur est appliqué au support isolant de manière à former le parcours conducteur recherché utilisant la technique de l'impression pour appliquer le matériau conducteur
• C09D 11/52 - Encres conductrices de l’électricité

Abrégé

The present invention pertains to metal wiring that is formed on a flexible substrate and that is formed of a sintered body of silver particles. The sintered body forming the metal wiring is characterized by having a volume resistivity of at most 20 μΩ·cm, a hardness of at most 0.38 GPa, and a Young's modulus of at most 7.0 GPa. A conductive sheet provided with the metal wiring can be produced by applying and baking, on a substrate, a metal paste containing, as a solid content, silver particles that has a predetermined particle size and particle size distribution, and containing, as an adjusting agent, an ethyl cellulose having a number-average molecular weight of 10,000-90,000. The metal wiring according to the present invention has excellent bending resistance because the electrical characteristics of the metal wiring is inhibited from being changed even when the metal wiring is repeatedly subjected to bending deformation.

Classes IPC  ?

• B22F 1/02 - Traitement particulier des poudres métalliques, p.ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre, d'améliorer leurs propriétés; Poudres métalliques en soi, p.ex. mélanges de particules de compositions différentes comportant un enrobage des particules
• B22F 9/00 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensions; Appareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet
• C22C 1/04 - Fabrication des alliages non ferreux par métallurgie des poudres
• H01B 1/22 - Matériau conducteur dispersé dans un matériau organique non conducteur le matériau conducteur comportant des métaux ou des alliages
• H01B 5/14 - Conducteurs ou corps conducteurs non isolés caractérisés par la forme comprenant des couches ou pellicules conductrices sur supports isolants
• H05K 1/09 - Emploi de matériaux pour réaliser le parcours métallique
• G06F 3/041 - Numériseurs, p.ex. pour des écrans ou des pavés tactiles, caractérisés par les moyens de transduction
• B22F 1/00 - Poudres métalliques; Traitement des poudres métalliques, p.ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés

Abrégé

2 or more. The in-plane magnetized film for use as a hard bias layer of a magnetoresistive element contains metal Co, metal Pt, and an oxide. The in-plane magnetized film contains the metal Co in an amount of 55 at % or more and less than 95 at % and the metal Pt in an amount of more than 5 at % and 45 at % or less relative to a total of metal components of the in-plane magnetized film, and contains the oxide in an amount of 10 vol % or more and 42 vol % or less relative to a whole amount of the in-plane magnetized film. The in-plane magnetized film has a thickness of 20 nm or more and 80 nm or less.

Classes IPC  ?

• H01F 10/16 - Métaux ou alliages contenant du cobalt
• C23C 14/34 - Pulvérisation cathodique
• H01F 41/18 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateurs; Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques pour appliquer des pellicules magnétiques sur des substrats par pulvérisation cathodique