Abrégé

Disclosed are a tantalum carbide composite material and a method for manufacturing the tantalum carbide composite material. The tantalum carbide composite material comprises: a substrate; a buffer layer deposited on the entire surface of the substrate; and a tantalum carbide layer deposited on the upper surface of the buffer layer.

Classes IPC  ?

• C04B 41/50 - Revêtement ou imprégnation avec des substances inorganiques
• C04B 41/89 - Revêtement ou imprégnation pour obtenir au moins deux revêtements superposés de compositions différentes
• C04B 41/85 - Revêtement ou imprégnation avec des substances inorganiques
• C04B 41/45 - Revêtement ou imprégnation
• C04B 35/52 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes à base de carbone, p. ex. graphite

Abrégé

Disclosed are an edge ring for a semiconductor manufacturing apparatus and a manufacturing method therefor. The edge ring for a semiconductor manufacturing apparatus comprises: an upper layer having high hardness; and a lower layer positioned below the upper layer and having lower hardness than the upper layer, wherein the lower layer may be positioned to be in contact with an internal component of a plasma etching apparatus.

Classes IPC  ?

• H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
• H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
• C23C 16/32 - Carbures

Abrégé

The present invention relates to a silicon nanopowder manufacturing apparatus and a silicon nanopowder manufacturing method and, more particularly, to a silicon nanopowder manufacturing apparatus and a silicon nanopowder manufacturing method using same, the silicon nanopowder manufacturing apparatus comprising: a supplier that supplies silicon-containing raw materials and a reducing agent; a cylindrical reactor that causes a reaction between the silicon-containing raw materials and the reducing agent at a reducing temperature; and a powder recovery unit that recovers reduced silicon powder from the cylindrical reactor.

Classes IPC  ?

• C01B 33/023 - Préparation par réduction de silice ou d'un matériau contenant de la silice
• C01B 33/037 - Purification
• H01M 4/38 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'éléments simples ou d'alliages
• B01J 8/18 - Procédés chimiques ou physiques en général, conduits en présence de fluides et de particules solidesAppareillage pour de tels procédés les particules étant fluidisées
• B01J 8/00 - Procédés chimiques ou physiques en général, conduits en présence de fluides et de particules solidesAppareillage pour de tels procédés
• B01J 19/00 - Procédés chimiques, physiques ou physico-chimiques en généralAppareils appropriés
• B01J 19/20 - Réacteurs fixes avec éléments internes mobiles en forme d'hélice, p. ex. réacteurs à vis
• H01M 4/02 - Électrodes composées d'un ou comprenant un matériau actif

Abrégé

The present disclosure relates to a tantalum carbide-coated material, which may comprise a buffer layer formed on a substrate, and a tantalum carbide film.

Classes IPC  ?

• C23C 16/32 - Carbures
• C23C 16/02 - Pré-traitement du matériau à revêtir
• H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces

Abrégé

The present invention relates to a carbon-silicon composite and a preparation method therefor. An aspect of the present invention provides a carbon-silicon composite comprising: a core including a carbon material and silicon particles; and a shell which is formed on the surface of the core and includes amorphous carbon, wherein the silicon particles are uniformly distributed from the center to the surface of the core.

Classes IPC  ?

• C01B 32/05 - Préparation ou purification du carbone non couvertes par les groupes , , ,

Abrégé

The present invention relates to a semiconductor manufacturing part including a boron carbide plasma-resistance member. An aspect of the present invention provides a semiconductor manufacturing part which includes boron carbide formed by chemical vapor deposition (CVD), a preferred growth peak in X-ray diffractometry corresponds to (021) plane, and the boron carbide includes 20-60 atomic% of carbon (C).

Classes IPC  ?

• H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
• C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
• C23C 4/10 - Oxydes, borures, carbures, nitrures ou siliciuresLeurs mélanges

Abrégé

The present invention relates to a component for a semiconductor manufacturing apparatus, and a heat-resistant material, and the component for a semiconductor manufacturing apparatus, according to the present invention, has a level difference with a plurality of layers on a cross-section thereof, wherein the plurality of layers includes a first surface exposed to plasma and a second surface loaded on the semiconductor manufacturing apparatus.

Classes IPC  ?

• H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
• C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants

Abrégé

The present invention relates to a component for manufacturing a semiconductor manufactured by using a CVD method. A SiC structure formed by the CVD method according to one aspect of the present invention is used such that the SiC structure is exposed to plasma inside a chamber, wherein the SiC structure comprises a crystal grain structure in which the length in a first direction is longer than the length in a second direction when defining a direction perpendicular to the surface most exposed to the plasma as the first direction and a direction horizontal to the surface most exposed to the plasma as the second direction.

Classes IPC  ?

• H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
• C23C 16/32 - Carbures

Abrégé

Described herein are edge ring among components for manufacturing semiconductors used in a semiconductor manufacturing process. The SiC edge ring includes: a first deposition part having a plasma-damaged portion and a non-damaged portion and including SiC; and a second deposition part formed on the first deposition part and including SiC, wherein a boundary between the damaged portion of the first deposition part and the second deposition part includes an uneven surface.

Classes IPC  ?

• H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
• H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 21/3065 - Gravure par plasmaGravure au moyen d'ions réactifs
• H01L 21/311 - Gravure des couches isolantes

Abrégé

The present invention relates to a carbon-silicon composite and a preparation method therefor. An aspect of the present invention provides a carbon-silicon composite comprising: a core including a carbon material and silicon particles; and a shell which is formed on the surface of the core and includes amorphous carbon, wherein the silicon particles are uniformly distributed from the center to the surface of the core.

Classes IPC  ?

• H01M 4/36 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs
• H01M 4/587 - Matériau carboné, p. ex. composés au graphite d'intercalation ou CFx pour insérer ou intercaler des métaux légers
• H01M 4/38 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'éléments simples ou d'alliages
• H01M 4/62 - Emploi de substances spécifiées inactives comme ingrédients pour les masses actives, p. ex. liants, charges
• C01B 32/05 - Préparation ou purification du carbone non couvertes par les groupes , , ,
• C01B 32/21 - Post-traitement
• C01B 33/18 - Préparation de silice finement divisée ni sous forme de sol ni sous forme de gelPost-traitement de cette silice
• H01M 10/052 - Accumulateurs au lithium

Abrégé

The present disclosure relates to a tantalum carbide-coated carbon material and a method for manufacturing the same, and an aspect of the present disclosure provides a tantalum carbide-coated carbon material including: a carbon substrate; and a tantalum carbide coating layer formed on the carbon substrate by a CVD method, wherein microcracks included in the tantalum carbide coating layer have a maximum width of 1.5 μm to 2.6 μm.

Classes IPC  ?

• C23C 16/32 - Carbures
• C23C 16/02 - Pré-traitement du matériau à revêtir
• C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt
• C30B 35/00 - Appareillages non prévus ailleurs, spécialement adaptés à la croissance, à la production ou au post-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée

Abrégé

The present invention relates to a tantalum carbide coated carbon material, and more particularly, to a tantalum carbide coated carbon material including a tantalum carbide film having a surface contact angle of 50° or more and low surface energy.

Classes IPC  ?

• C23C 16/32 - Carbures
• C30B 35/00 - Appareillages non prévus ailleurs, spécialement adaptés à la croissance, à la production ou au post-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée

Abrégé

4, which is a material with a high thermal shock strength, to grow together via a CVD method.

Classes IPC  ?

• C04B 35/622 - Procédés de mise en formeTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques
• C04B 35/565 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes à base de carbures à base de carbure de silicium

Abrégé

Described herein are an SiC material and a method for manufacturing same. The SiC material includes an SiC layer having a low thermal conductivity region formed in at least a portion thereof, wherein the low thermal conductivity region has an average crystal grain size of 3.5 μm or less and (111) plane preferential growth according to X-ray diffraction analysis.

Classes IPC  ?

• C23C 16/32 - Carbures
• H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
• B01J 20/32 - Imprégnation ou revêtement
• B82B 3/00 - Fabrication ou traitement des nanostructures par manipulation d’atomes ou de molécules, ou d’ensembles limités d’atomes ou de molécules un à un comme des unités individuelles
• H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
• C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• C30B 23/06 - Chauffage de l'enceinte de dépôt, du substrat ou du matériau à évaporer
• C30B 29/36 - Carbures
• H01L 21/324 - Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p. ex. recuit, frittage

Abrégé

The present invention relates to an anode active material, a preparation method therefor, and a lithium secondary battery comprising same. An anode active material according to one aspect of the present invention comprises a carbon material and silicon particles, wherein the carbon material encompasses, inside bulk particles, the silicon particles and a method for preparing the anode active material, according to another aspect, comprises the steps of: preparing a mixture powder by mixing a carbon material and silicon particles; and mechanically over-mixing the mixture powder.

Classes IPC  ?

• H01M 4/587 - Matériau carboné, p. ex. composés au graphite d'intercalation ou CFx pour insérer ou intercaler des métaux légers
• H01M 4/38 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'éléments simples ou d'alliages
• H01M 4/04 - Procédés de fabrication en général
• H01M 4/36 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs

Abrégé

The present invention relates to a component for manufacturing a semiconductor manufactured by using a CVD method. A SiC structure formed by the CVD method according to one aspect of the present invention is used such that the SiC structure is exposed to plasma inside a chamber, wherein the SiC structure comprises a crystal grain structure in which the length in a first direction is longer than the length in a second direction when defining a direction perpendicular to the surface most exposed to the plasma as the first direction and a direction horizontal to the surface most exposed to the plasma as the second direction.

Classes IPC  ?

• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
• H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
• H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces

Abrégé

Described herein are a bonded ceramic and a manufacturing method therefor. The bonded ceramic includes: a first ceramic substrate; and a second ceramic substrate, wherein the first ceramic substrate and the second ceramic substrate are bonded to each other without an adhesive layer therebetween and include pores, each of which is formed along a bonded surface therebetween and has a size of 0.01 to 50 μm.

Classes IPC  ?

• C04B 37/00 - Liaison des articles céramiques cuits avec d'autres articles céramiques cuits ou d'autres articles, par chauffage
• B32B 18/00 - Produits stratifiés composés essentiellement de céramiques, p. ex. de produits réfractaires
• B32B 38/00 - Opérations auxiliaires liées aux procédés de stratification
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
• B32B 37/00 - Procédés ou dispositifs pour la stratification, p. ex. par polymérisation ou par liaison à l'aide d'ultrasons

Abrégé

The present invention relates to an edge ring among components for manufacturing semiconductors used in a semiconductor manufacturing process. The SiC edge ring of the present invention comprises: a first deposition part having a plasma-damaged portion and a non-damaged portion and comprising SiC; and a second deposition part formed on the first deposition part and comprising SiC, wherein a boundary between the damaged portion of the first deposition part and the second deposition part includes an uneven surface.

Classes IPC  ?

• H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 21/3065 - Gravure par plasmaGravure au moyen d'ions réactifs

Abrégé

The present invention relates to an SiC material and a method for manufacturing same and, more particularly, to an SiC material and a method for manufacturing same, wherein the SiC material includes an SiC layer having a low thermal conductivity region formed in at least a portion thereof, wherein the low thermal conductivity region has an average crystal grain size of 3.5 µm or less and (111) plane preferential growth according to X-ray diffraction analysis.

Classes IPC  ?

• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 21/324 - Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p. ex. recuit, frittage

Abrégé

34343434344, which is a material with a high thermal shock strength, to grow together via a CVD method.

Classes IPC  ?

• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 21/324 - Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p. ex. recuit, frittage

Abrégé

Described herein is a method for manufacturing an activated carbon for an electrode material, the method including a step of heat-treating an activated carbon material in an atmosphere containing a chlorine-containing gas, wherein the content of metal impurities contained in the activated carbon material after the heat treating step is 0.1 to 20 ppm.

Classes IPC  ?

• C01B 32/348 - Composés métalliques
• C01B 32/318 - Préparation caractérisée par les matières de départ
• C01B 32/378 - Purification
• C01B 32/336 - Préparation caractérisée par des agents d’activation gazeux
• H01G 11/34 - Électrodes caractérisées par leur matériau à base de carbone caractérisées par la carbonisation ou l’activation de carbone
• H01M 4/587 - Matériau carboné, p. ex. composés au graphite d'intercalation ou CFx pour insérer ou intercaler des métaux légers
• H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p. ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodesBatteries à l'ion lithium

Abrégé

The present invention relates to a carbon material coated with tantalum carbide and, more specifically, to a carbon material coated with tantalum carbide, comprising: a carbon substrate; and a tantalum carbide coated surface formed on the carbon substrate, wherein the carbon material coated with tantalum carbide has, as main peaks, X-ray diffraction peaks of the (111) plane, the (200) plane, the (220) plane and the (311) plane, of the tantalum carbide coated surface, and the peak of the (111) plane among the peaks has the maximum diffraction intensity. The present invention can provide the carbon material coated with tantalum carbide, having excellent chemical and physical resistance and extended lifespan.

Classes IPC  ?

• C01B 32/05 - Préparation ou purification du carbone non couvertes par les groupes , , ,
• C01B 32/914 - Carbures d’un seul élément

Abrégé

−6/° C. or more.

Classes IPC  ?

• C01B 32/914 - Carbures d’un seul élément
• C01B 32/156 - Post-traitement
• C01B 32/194 - Post-traitement
• C01B 32/21 - Post-traitement
• C23C 16/32 - Carbures

Abrégé

The present invention relates to an anode active material, a preparation method therefor, and a lithium secondary battery comprising same. An anode active material according to one aspect of the present invention comprises a carbon material and silicon particles, wherein the carbon material encompasses, inside bulk particles, the silicon particles and a method for preparing the anode active material, according to another aspect, comprises the steps of: preparing a mixture powder by mixing a carbon material and silicon particles; and mechanically over-mixing the mixture powder.

Classes IPC  ?

• H01M 4/36 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs
• H01M 4/38 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'éléments simples ou d'alliages
• H01M 4/587 - Matériau carboné, p. ex. composés au graphite d'intercalation ou CFx pour insérer ou intercaler des métaux légers
• H01M 4/62 - Emploi de substances spécifiées inactives comme ingrédients pour les masses actives, p. ex. liants, charges
• H01M 10/052 - Accumulateurs au lithium
• C01B 33/02 - Silicium
• C01B 32/21 - Post-traitement
• C01B 32/05 - Préparation ou purification du carbone non couvertes par les groupes , , ,

Abrégé

The present invention relates to carbon material having, on the base material, a coating layer that includes TaC, and a method for producing the carbon material. For example, the carbon material may include a base material and a coating layer on the surface of the base material. The coating layer may include TaC, which may have a maximum diffraction peak value on the (111) surface, where diffraction peak values may be generated by diffractions of X-rays in XRD analysis.

Classes IPC  ?

• C23C 16/32 - Carbures
• C23C 16/56 - Post-traitement

Abrégé

The present invention relates to carbon material having, on the base material, a coating layer that includes tantalum carbide (TaC), and a method for producing the carbon material. For example, the carbon material may include a base material and a coating layer on the surface of the base material. The coating layer may include TaC having average crystal grain size of 10-50 μm.

Classes IPC  ?

• C23C 16/32 - Carbures
• C23C 16/56 - Post-traitement

Abrégé

The present invention relates to a method for manufacturing semiconductor manufacturing parts used in a dry etching process, and a jig usable therein, and the method for manufacturing semiconductor manufacturing parts by using the jig, of the present invention, comprises the steps of: preparing a base material; supporting at least one surface of the base material by the jig; forming a deposition layer by spraying source gas on the base material supported by the jig; and processing the base material on which the deposition layer is formed, wherein the jig has a tapered cross-section of which the width increases in the direction of approaching the surface of the base material.

Classes IPC  ?

• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction

Abrégé

The present invention relates to an activated carbon and a method for manufacturing same and, more specifically, to: an activated carbon containing micropores and mesopores, wherein a micropore volume per unit mass is 0.9 cm3/g or less and a volume fraction of pores having a diameter of 5 Å or more in the micropore volume per unit mass is 50% or more; and a method for manufacturing same.

Classes IPC  ?

• C01B 32/306 - Charbon actif avec des propriétés de tamis moléculaires
• C01B 32/33 - Préparation caractérisée par les matières de départ à partir de résidus de distillation de charbon ou de pétrolePréparation caractérisée par les matières de départ à partir de boue acide de pétrole
• C01B 32/348 - Composés métalliques
• C01B 32/378 - Purification

Abrégé

The present invention relates to a semiconductor manufacturing component for manufacturing a semiconductor device by using a substrate such as a wafer in a dry etching process, and a manufacturing method thereof. The semiconductor manufacturing component comprising a deposition layer covering an interlayer boundary according to the present invention comprises: a base material containing carbon; a first deposition layer formed on the base material; a second deposition layer formed on the first deposition layer; and a third deposition layer formed on the first deposition layer and the second deposition layer, and formed to cover at least one portion of a boundary line between the first deposition layer and the second deposition layer.

Classes IPC  ?

• C23C 16/01 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] sur des substrats temporaires, p. ex. sur des substrats qui sont ensuite enlevés par attaque chimique
• C23C 28/04 - Revêtements uniquement de matériaux inorganiques non métalliques
• C23C 16/32 - Carbures
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants

Abrégé

The present invention relates to semiconductor manufacturing parts used in a dry etching process. Semiconductor manufacturing parts comprising a SiC deposition layer, of the present invention, comprises: a base material; and a SiC deposition layer formed on the surface of the base material, wherein the thickness ratio of the base material and the SiC deposition layer is 2:1 to 100:1.

Classes IPC  ?

• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
• H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée

Abrégé

Provided according to an embodiment of the present invention is a component for fabricating an SiC semiconductor, having a plurality of layers having different transmittances, the component comprising two or more superposed layers, wherein each of the superposed layers contains SiC and has a transmittance value different from that of another adjacent layer.

Classes IPC  ?

• H01L 21/205 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c.-à-d. un dépôt chimique
• H01L 21/3065 - Gravure par plasmaGravure au moyen d'ions réactifs
• H01L 21/3213 - Gravure physique ou chimique des couches, p. ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 29/24 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , ,  ou
• H01L 21/311 - Gravure des couches isolantes

Abrégé

The present invention relates to a method for manufacturing an activated carbon for an electrode material, the method comprising a step of heat-treating an activated carbon material in an atmosphere containing a chlorine-containing gas, wherein the content of metal impurities contained in the activated carbon material after the heat treating step is 0.1 to 20 ppm.

Classes IPC  ?

• H01G 11/34 - Électrodes caractérisées par leur matériau à base de carbone caractérisées par la carbonisation ou l’activation de carbone
• H01B 1/04 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisésEmploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement soit de compositions à base de carbone-silicium, soit de carbone soit de silicium
• C01B 32/312 - Préparation

Abrégé

The present invention relates to a bonded ceramic having a channel through which a fluid can flow, and a method for manufacturing the same and, more particularly, to a bonded ceramic having a channel through which a fluid can flow, and a method for manufacturing the same, the bonded ceramic comprising: a first ceramic base material; and a second ceramic base material, wherein: the first ceramic base material and the second ceramic base material are bonded by adhesive layer-free bonding; a pattern is formed on either or both of the bonding surface of the first ceramic base material where the first ceramic base material comes in contact with the second ceramic base material and the bonding surface of the second ceramic base material where the second ceramic base material comes in contact with the first ceramic base material; and the bonded ceramic comprises pores having a size of 0.01µm to 50µm and formed along the bonding surface between the first ceramic base material and the second ceramic base material.

Classes IPC  ?

• C04B 37/00 - Liaison des articles céramiques cuits avec d'autres articles céramiques cuits ou d'autres articles, par chauffage
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension

Abrégé

The present invention relates to a bonded ceramic and a manufacturing method therefor and, more specifically, to a bonded ceramic and a manufacturing method therefor, the bonded ceramic comprising: a first ceramic substrate; and a second ceramic substrate, wherein the first ceramic substrate and the second ceramic substrate are bonded to each other without an adhesive layer therebetween and include pores, each of which is formed along a bonded surface therebetween and has a size of 0.01 to 50µm.

Classes IPC  ?

• C04B 37/00 - Liaison des articles céramiques cuits avec d'autres articles céramiques cuits ou d'autres articles, par chauffage
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension

Abrégé

A method of manufacturing a material including tantalum carbide (TaC) with a particularly low impurity content, and a TaC material formed by the method are provided. The method includes preparing a base material, and forming a TaC coating layer on a surface of the base material at a temperature of 1,600° C. to 2,500° C.

Classes IPC  ?

• C23C 16/32 - Carbures
• C01B 32/914 - Carbures d’un seul élément
• C23C 16/04 - Revêtement de parties déterminées de la surface, p. ex. au moyen de masques
• C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt
• C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement

Abrégé

The present invention relates to an SiC material and an SiC composite material and, more particularly, to an SiC material and an SiC composite material having a diffraction intensity ratio (I) of an X-ray diffraction peak, calculated by formula 1 down below, of less than 1.5. The present invention can provide an SiC material and an SiC composite material which can be etched evenly when exposed to plasma and thereby reduce the occurrence of cracks, holes and so forth. [Formula 1] Diffraction intensity ratio (I)=(peak intensity of plane (200)+peak intensity of plane (220))/peak intensity of plane (111).

Classes IPC  ?

• H01M 4/02 - Électrodes composées d'un ou comprenant un matériau actif
• C01B 32/956 - Carbure de silicium
• C30B 29/36 - Carbures
• C23C 16/32 - Carbures

Abrégé

The present invention relates to a method for manufacturing activated carbon for electrode material, and, more specifically, to activated carbon having alkali metal content of 50 ppm or less for electrode material, and to a method for manufacturing the activated carbon. The activated carbon according to the present invention can lower the activation agent content, and thus is stable and can provide improved performance.

Classes IPC  ?

• C01B 32/348 - Composés métalliques
• C01B 32/33 - Préparation caractérisée par les matières de départ à partir de résidus de distillation de charbon ou de pétrolePréparation caractérisée par les matières de départ à partir de boue acide de pétrole
• C01B 32/378 - Purification
• H01M 4/583 - Matériau carboné, p. ex. composés au graphite d'intercalation ou CFx
• H01G 11/34 - Électrodes caractérisées par leur matériau à base de carbone caractérisées par la carbonisation ou l’activation de carbone

Abrégé

The present invention relates to carbon material having, on the base material, a coating layer comprising TaC, and a method for producing the carbon material, the carbon material, which has a coating layer comprising TaC, according to the present invention comprising: base material; and a coating layer, on the surface of the base material, comprising TaC which has the maximum diffraction peak value on the (111) surface, the diffraction peak values being generated by diffractions of X-rays in XRD analysis.

Classes IPC  ?

• C04B 41/87 - Céramiques
• C04B 35/52 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes à base de carbone, p. ex. graphite
• C04B 38/00 - Mortiers, béton, pierre artificielle ou articles de céramiques poreuxLeur préparation
• C04B 41/45 - Revêtement ou imprégnation
• C04B 41/50 - Revêtement ou imprégnation avec des substances inorganiques
• C04B 41/00 - Post-traitement des mortiers, du béton, de la pierre artificielle ou des céramiquesTraitement de la pierre naturelle

Abrégé

The present invention relates to carbon material having, on the base material, a coating layer comprising tantalum carbide (TaC), and a method for producing the carbon material, the carbon material, which has a coating layer comprising TaC, according to the present invention comprising: base material; and a coating layer, on the surface of the base material, comprising TaC having average crystal grain size of 10-50 ㎛.

Classes IPC  ?

• C04B 41/87 - Céramiques
• C04B 35/52 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes à base de carbone, p. ex. graphite
• C04B 38/00 - Mortiers, béton, pierre artificielle ou articles de céramiques poreuxLeur préparation
• C04B 41/45 - Revêtement ou imprégnation
• C04B 41/50 - Revêtement ou imprégnation avec des substances inorganiques
• C04B 41/00 - Post-traitement des mortiers, du béton, de la pierre artificielle ou des céramiquesTraitement de la pierre naturelle

Abrégé

The present invention relates to a semiconductor manufacturing component for manufacturing a semiconductor device by using a substrate such as a wafer in a dry etching process, and a manufacturing method thereof. The semiconductor manufacturing component comprising a deposition layer covering an interlayer boundary according to the present invention comprises: a base material containing carbon; a first deposition layer formed on the base material; a second deposition layer formed on the first deposition layer; and a third deposition layer formed on the first deposition layer and the second deposition layer, and formed to cover at least one portion of a boundary line between the first deposition layer and the second deposition layer.

Classes IPC  ?

• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 21/3213 - Gravure physique ou chimique des couches, p. ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
• H05H 1/46 - Production du plasma utilisant des champs électromagnétiques appliqués, p. ex. de l'énergie à haute fréquence ou sous forme de micro-ondes
• H01L 21/3065 - Gravure par plasmaGravure au moyen d'ions réactifs

Abrégé

An embodiment of the present invention provides a part for manufacturing a semiconductor, the part comprising a composite containing SiC and C, wherein an atomic ratio of Si:C in the composite is 1:1.1 to 1:2.8.

Classes IPC  ?

• H01L 21/3065 - Gravure par plasmaGravure au moyen d'ions réactifs
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 21/3213 - Gravure physique ou chimique des couches, p. ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
• H01J 49/10 - Sources d'ionsCanons à ions
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants

Abrégé

The present invention relates to a method for manufacturing semiconductor manufacturing parts used in a dry etching process, and a jig usable therein, and the method for manufacturing semiconductor manufacturing parts by using the jig, of the present invention, comprises the steps of: preparing a base material; supporting at least one surface of the base material by the jig; forming a deposition layer by spraying source gas on the base material supported by the jig; and processing the base material on which the deposition layer is formed, wherein the jig has a tapered cross-section of which the width increases in the direction of approaching the surface of the base material.

Classes IPC  ?

• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H05H 1/46 - Production du plasma utilisant des champs électromagnétiques appliqués, p. ex. de l'énergie à haute fréquence ou sous forme de micro-ondes
• H01L 21/3065 - Gravure par plasmaGravure au moyen d'ions réactifs
• H01L 21/205 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c.-à-d. un dépôt chimique
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants

Abrégé

The present invention relates to semiconductor manufacturing parts used in a dry etching process. Semiconductor manufacturing parts comprising a SiC deposition layer, of the present invention, comprises: a base material; and a SiC deposition layer formed on the surface of the base material, wherein the thickness ratio of the base material and the SiC deposition layer is 2:1 to 100:1.

Classes IPC  ?

• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 21/3065 - Gravure par plasmaGravure au moyen d'ions réactifs
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
• H01L 21/205 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c.-à-d. un dépôt chimique
• H01L 21/324 - Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p. ex. recuit, frittage

Abrégé

Provided according to an embodiment of the present invention is a component for fabricating an SiC semiconductor, having a plurality of layers having different transmittances, the component comprising two or more superposed layers, wherein each of the superposed layers contains SiC and has a transmittance value different from that of another adjacent layer.

Classes IPC  ?

• H01L 29/24 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , ,  ou
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 21/3213 - Gravure physique ou chimique des couches, p. ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
• H01L 21/3065 - Gravure par plasmaGravure au moyen d'ions réactifs
• H01L 21/205 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c.-à-d. un dépôt chimique

Abrégé

The present invention relates to an SiC material and an SiC composite material and, more particularly, to an SiC material and an SiC composite material having a diffraction intensity ratio (I) of an X-ray diffraction peak, calculated by formula 1 down below, of less than 1.5. The present invention can provide an SiC material and an SiC composite material which can be etched evenly when exposed to plasma and thereby reduce the occurrence of cracks, holes and so forth. [Formula 1] Diffraction intensity ratio (I) = (peak intensity of plane (200) + peak intensity of plane (220)) / peak intensity of plane (111)

Classes IPC  ?

• C01B 32/956 - Carbure de silicium

Abrégé

The present invention relates to a carbon material coated with tantalum carbide and, more specifically, to a carbon material coated with tantalum carbide, comprising: a carbon substrate; and a tantalum carbide coated surface formed on the carbon substrate, wherein the carbon material coated with tantalum carbide has, as main peaks, X-ray diffraction peaks of the (111) plane, the (200) plane, the (220) plane and the (311) plane, of the tantalum carbide coated surface, and the peak of the (111) plane among the peaks has the maximum diffraction intensity. The present invention can provide the carbon material coated with tantalum carbide, having excellent chemical and physical resistance and extended lifespan.

Classes IPC  ?

• C01B 32/10 - Fluorures de carbone, p. ex. [CF]n ou [C2F]n
• C01B 32/914 - Carbures d’un seul élément
• C01G 35/00 - Composés du tantale
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension

Abrégé

According to one embodiment of the present invention, provided is a high-hardness carbon material coated with TaC comprising: a carbon base material; and a TaC coating layer formed on top of the carbon base material, wherein the content of TaC in the area reaching a depth of 150µm from the surface of the carbon base material is 15 to 20 vol%.

Classes IPC  ?

• C23C 16/32 - Carbures
• C01B 32/914 - Carbures d’un seul élément
• C23C 14/06 - Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement caractérisé par le matériau de revêtement
• C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt
• C23C 4/10 - Oxydes, borures, carbures, nitrures ou siliciuresLeurs mélanges

Abrégé

A method and apparatus for reproducing a component of a semiconductor manufacturing apparatus, and a reproduced component are provided. The method may include a preparing step of preparing a damaged component of a semiconductor manufacturing apparatus, a first cleaning step of cleaning the damaged component, a masking step of masking at least one of areas including an undamaged part of the damaged component, a reproduced part forming step of forming a reproduced part on the damaged component using a chemical vapor deposition (CVD), a post-grinding step of grinding the damaged component with the reproduced part, and a second cleaning step of cleaning the damaged component with the reproduced part.

Classes IPC  ?

• H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
• C23C 16/02 - Pré-traitement du matériau à revêtir
• C23C 16/56 - Post-traitement
• C23C 16/04 - Revêtement de parties déterminées de la surface, p. ex. au moyen de masques
• C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement

Abrégé

The present invention relates to a material with multiple coatings of tantalum carbide, and the material with multiple coatings of tantalum carbide, according to one embodiment of the present invention, comprises: a carbon substrate; a lower tantalum carbide layer formed on top of the carbon substrate; and an upper tantalum carbide layer formed on top of the lower tantalum carbide layer, wherein the average size of tantalum carbide grains in the upper tantalum carbide layer is larger than the average size of the tantalum carbide grains in the lower tantalum carbide layer.

Classes IPC  ?

• C23C 16/32 - Carbures
• C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt
• C23C 16/54 - Appareillage spécialement adapté pour le revêtement en continu

Abrégé

The present invention relates to a susceptor regeneration method comprising heating a susceptor having a TaC coating layer formed thereon to 1,500°C to 2,700°C for 10 to 300 minutes under hydrogen supply conditions to thereby remove an SiC layer from the surface of the TaC coating layer. The present invention is capable of removing the SiC layer through a heat treatment in a hydrogen atmosphere without damaging the TaC coating layer, and thus has the effect of preventing the exposure of a graphite matrix and the occurrence of foreign matter due to damage to the TaC coating layer.

Classes IPC  ?

• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
• H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée

Abrégé

A method of repairing a semiconductor processing component is provided, in which the method includes preparing a semiconductor processing component including a tantalum carbide (TaC) coating layer on which a silicon carbide (SiC)-deposited layer is formed, and performing a thermal process on the semiconductor processing component at a temperature of 1,700° C. to 2,700° C. under a gaseous condition using at least one gas selected from the group consisting of a gas including hydrogen, a gas including chlorine, and an inert gas, or under a vacuum condition.

Classes IPC  ?

• B05D 7/00 - Procédés, autres que le flocage, spécialement adaptés pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides, à des surfaces particulières, ou pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides particuliers
• C23C 16/32 - Carbures
• C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement

Abrégé

A method of manufacturing a silicon carbide structure includes forming a silicon carbide layer by depositing silicon carbide on a base plate by chemical vapor deposition, removing the base plate, decreasing electrical conductivity by heat-treating the silicon carbide structure, and removing a thickness of 200 μm from an upper surface and a lower surface of the silicon carbide structure. In the present invention, silicon carbide is deposited by a CVD method, and the electrical conductivity of the silicon carbide is reduced to the electrical conductivity required for a protection ring of a plasma device through a post-treatment and a post-process. The electrical conductivity may be adjusted even without using separate additives.

Classes IPC  ?

• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives