Volterra Semiconductor LLC

États‑Unis d’Amérique

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Type PI
        Brevet 60
        Marque 2
Date
2024 1
2021 2
Avant 2020 59
Classe IPC
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique 33
H01F 27/28 - Bobines; Enroulements; Connexions conductrices 15
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation 12
H01F 17/04 - Inductances fixes du type pour signaux avec noyau magnétique 8
H01F 27/24 - Noyaux magnétiques 8
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Résultats pour

1.

Magnetic devices for power converters with light load enhancers

      
Numéro d'application 17373575
Numéro de brevet 11862389
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-07-12
Date de la première publication 2024-01-02
Date d'octroi 2024-01-02
Propriétaire VOLTERRA SEMICONDUCTOR LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Ikriannikov, Alexandr
  • Stratakos, Anthony J.

Abrégé

A magnetic device includes a magnetic core, a plurality of first windings forming respective first winding turns, and a second winding forming a second winding turn. Each first winding turn is within the second winding turn, as seen when the magnetic device is viewed cross-sectionally in a first direction. Yet another magnetic device includes a magnetic core, one or more first windings, and one or more second windings magnetically isolated from the one or more first windings.

Classes IPC  ?

  • H01F 27/28 - Bobines; Enroulements; Connexions conductrices
  • H01F 3/10 - Dispositions composites de circuits magnétiques
  • H01F 27/38 - Organes de noyaux auxiliaires; Bobines ou enroulements auxiliaires
  • H02M 1/44 - Circuits ou dispositions pour corriger les interférences électromagnétiques dans les convertisseurs ou les onduleurs
  • H02M 3/155 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
  • H01F 38/08 - Transformateurs ou inductances à fortes fuites
  • H01F 38/02 - Adaptations de transformateurs ou d'inductances à des applications ou des fonctions spécifiques pour fonctionnement non linéaire
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

2.

Magnetic devices for power converters with light load enhancers

      
Numéro d'application 16360612
Numéro de brevet 11062830
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-03-21
Date de la première publication 2021-07-13
Date d'octroi 2021-07-13
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Ikriannikov, Alexandr
  • Stratakos, Anthony J.

Abrégé

A magnetic device includes a magnetic core, a plurality of first windings forming respective first winding turns, and a second winding forming a second winding turn. Each first winding turn is within the second winding turn, as seen when the magnetic device is viewed cross-sectionally in a first direction. Yet another magnetic device includes a magnetic core, one or more first windings, and one or more second windings magnetically isolated from the one or more first windings.

Classes IPC  ?

  • H01F 27/28 - Bobines; Enroulements; Connexions conductrices
  • H01F 3/10 - Dispositions composites de circuits magnétiques
  • H02M 3/155 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
  • H01F 27/38 - Organes de noyaux auxiliaires; Bobines ou enroulements auxiliaires
  • H01F 38/08 - Transformateurs ou inductances à fortes fuites
  • H02M 1/44 - Circuits ou dispositions pour corriger les interférences électromagnétiques dans les convertisseurs ou les onduleurs
  • H01F 38/02 - Adaptations de transformateurs ou d'inductances à des applications ou des fonctions spécifiques pour fonctionnement non linéaire
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

3.

Air core coupled inductors and associated systems and methods

      
Numéro d'application 16029944
Numéro de brevet 10910142
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-07-09
Date de la première publication 2021-02-02
Date d'octroi 2021-02-02
Propriétaire VOLTERRA SEMICONDUCTOR LLC (USA)
Inventeur(s) Ikriannikov, Alexandr

Abrégé

A switching power converter includes a first and second switching device, an air core coupled inductor, and a controller. The air core coupled inductor includes a first winding electrically coupled to the first switching device and a second winding electrically coupled to the second switching device. The first and second windings are magnetically coupled. The controller is operable to cause the first and second switching devices to repeatedly switch between their conductive and non-conductive states at a frequency of at least 100 kilohertz to cause current through the first and second windings to repeatedly cycle, thereby providing power to an output port. The switching power converter may have a topology including, but not limited to, a buck converter topology, a boost converter topology, and a buck-boost converter topology.

Classes IPC  ?

  • H01F 27/28 - Bobines; Enroulements; Connexions conductrices
  • H02M 1/15 - Dispositions de réduction des ondulations d'une entrée ou d'une sortie en courant continu utilisant des éléments actifs
  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique

4.

Systems and methods for DC-to-DC converter control

      
Numéro d'application 15589555
Numéro de brevet 10222814
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-05-08
Date de la première publication 2019-03-05
Date d'octroi 2019-03-05
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Chakraborty, Sombuddha
  • Xiong, Yali
  • Mcjimsey, Michael D.
  • Stratakos, Anthony J.
  • Garcea, Giovanni
  • Jergovic, Ilija
  • Burstein, Andrew
  • Pizzutelli, Andrea

Abrégé

A method for controlling a number of phases that are active in a multiphase direct-current-to-direct-current (DC-to-DC) converter includes (a) filtering a current signal representing a magnitude of current processed by the multiphase DC-to-DC converter to generate a filtered signal, (b) comparing the filtered signal to a first threshold value, (c) deactivating one or more phases of the multiphase DC-to-DC converter in response to the filtered signal falling below the first threshold value, (d) comparing the current signal to a second threshold value, the second threshold value being greater than the first threshold value, and (e) activating one or more phases of the multiphase DC-to-DC converter in response to the current signal rising above the second threshold value.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
  • G05F 1/46 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu

5.

Systems and methods for controlling DC-to-DC converters including unregulated operating modes

      
Numéro d'application 15670206
Numéro de brevet 10205390
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-08-07
Date de la première publication 2019-02-12
Date d'octroi 2019-02-12
Propriétaire VOLTERRA SEMICONDUCTOR LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Chakraborty, Sombuddha
  • Chen, Jingquan
  • Choi, Paul H.

Abrégé

A method for controlling a DC-to-DC converter includes: (a) regulating a magnitude of an output voltage of the DC-to-DC converter according to a magnitude of a reference voltage; (b) in response to a command to enter the unregulated operating mode, allowing the magnitude of the output voltage to fall; and (c) adjusting the magnitude of the reference voltage to track the magnitude of the output voltage. A controller for a DC-to-DC converter includes reference and switching modules. The reference module generates a reference voltage, such that: (a) a magnitude of the reference voltage is fixed, in a regulated operating mode, and (b) the magnitude of the reference voltage tracks a magnitude of an output voltage of the DC-to-DC converter, in the unregulated operating mode. The switching module controls a power stage of the DC-to-DC converter to regulate the magnitude of the output voltage, in the regulated operating mode.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique

6.

Air core coupled inductors

      
Numéro d'application 14215969
Numéro de brevet 10020109
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2014-03-17
Date de la première publication 2018-07-10
Date d'octroi 2018-07-10
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s) Ikriannikov, Alexandr

Abrégé

A switching power converter includes a first and second switching device, an air core coupled inductor, and a controller. The air core coupled inductor includes a first winding electrically coupled to the first switching device and a second winding electrically coupled to the second switching device. The first and second windings are magnetically coupled. The controller is operable to cause the first and second switching devices to repeatedly switch between their conductive and non-conductive states at a frequency of at least 100 kilohertz to cause current through the first and second windings to repeatedly cycle, thereby providing power to an output port. The switching power converter may have a topology including, but not limited to, a buck converter topology, a boost converter topology, and a buck-boost converter topology.

Classes IPC  ?

  • H01F 27/28 - Bobines; Enroulements; Connexions conductrices
  • H01F 17/02 - Inductances fixes du type pour signaux sans noyau magnétique

7.

Voltage regulators with kickback protection

      
Numéro d'application 15845600
Numéro de brevet 10243467
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-12-18
Date de la première publication 2018-04-19
Date d'octroi 2019-03-26
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Chiang, Chiteh
  • Zuniga, Marco A.
  • Lu, Yang

Abrégé

The subject matter of this document can be embodied in a method that includes a voltage regulator having an input terminal and an output terminal. The voltage regulator includes a high-side transistor between the input terminal and an intermediate terminal, and a low-side transistor between the intermediate terminal and ground. The voltage regulator includes a low-side driver circuit including a capacitor and an inverter. The output of the inverter is connected to the gate of the low-side transistor. The voltage regulator also includes a controller that drives the high-side and low-side transistors to alternately couple the intermediate terminal to the input terminal and ground. The controller is configured to drive the low-side transistor by controlling the inverter. The voltage regulator further includes a switch coupled to the low-side driver circuit. The switch is configured to block charge leakage out of the capacitor during an off state of the low-side transistor.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
  • H02M 3/156 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation
  • H03K 17/06 - Modifications pour assurer un état complètement conducteur
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

8.

Voltage regulators with multiple transistors

      
Numéro d'application 15663249
Numéro de brevet 10284072
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-07-28
Date de la première publication 2017-11-23
Date d'octroi 2019-05-07
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Zuniga, Marco A.
  • Chiang, Chiteh
  • Lu, Yang
  • Fatemizadeh, Badredin
  • Paul, Amit
  • Ruan, Jun
  • Cassella, Craig

Abrégé

A voltage regulator includes a high-side device, a low-side device, and a controller. The high-side device includes first and second transistors each coupled between an input terminal and an intermediate terminal, where the first transistor has a higher breakdown voltage than the second transistor. The low-side device is coupled between the intermediate terminal and a ground terminal. The controller is configured to drive the high-side and low-side devices to (a) alternately couple the intermediate terminal to the input terminal and the ground terminal and (b) cause the first transistor to control a voltage across the second transistor during switching transitions of the second transistor.

Classes IPC  ?

  • H02M 1/088 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques pour la commande simultanée de dispositifs à semi-conducteurs connectés en série ou en parallèle
  • H02M 1/38 - Moyens pour empêcher la conduction simultanée de commutateurs
  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique

9.

Coupled inductors with non-uniform winding terminal distributions

      
Numéro d'application 15645211
Numéro de brevet 10276288
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-07-10
Date de la première publication 2017-10-26
Date d'octroi 2019-04-30
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s) Ikriannikov, Alexandr

Abrégé

A coupled inductor includes a ladder magnetic core including two opposing rails extending in a lengthwise direction and joined by a plurality of rungs. The coupled inductor further includes a respective winding wound around each of the plurality of rungs. The plurality of rungs are divided into at least two groups of rungs, and a lengthwise separation distance between adjacent rungs in each group of rungs is less than a lengthwise separation distance between adjacent rungs of different groups of rungs.

Classes IPC  ?

  • H01F 17/04 - Inductances fixes du type pour signaux avec noyau magnétique
  • H01F 3/12 - Circuits magnétiques en dérivation
  • H01F 30/12 - Transformateurs diphasés, triphasés ou polyphasés
  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique

10.

Multistage and multiple-output DC-DC converters having coupled inductors

      
Numéro d'application 14324594
Numéro de brevet 09774259
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2014-07-07
Date de la première publication 2017-09-26
Date d'octroi 2017-09-26
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Ikriannikov, Alexandr
  • Djekic, Ognjen

Abrégé

A multiple-output DC-DC converter has a first and a second DC-DC sub-converter, each DC-DC subconverter may be a buck, boost, or buck-boost converter having a primary energy-storage inductor. Each DC-DC subconverter drives a separate output of the multiple-output converter and typically has a separate feedback control circuit for controlling output voltage and/or current. The converter has a common timing circuit to maintain a phase offset between the first and DC-DC subconverters. The primary energy storage inductors of the first and second DC-DC converter are magnetically coupled to raise an effective ripple frequency of the converter and simplify output filtering.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu
  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
  • H02M 1/14 - Dispositions de réduction des ondulations d'une entrée ou d'une sortie en courant continu

11.

Coupled inductors enabling increased switching stage pitch

      
Numéro d'application 14805981
Numéro de brevet 09767947
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2015-07-22
Date de la première publication 2017-09-19
Date d'octroi 2017-09-19
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s) Ikriannikov, Alexandr

Abrégé

A coupled inductor includes a first end magnetic element, a second end magnetic element, N connecting magnetic elements, and N windings, where N is an integer greater than one. Each of the N connecting magnetic elements connects to both of the first and second end magnetic elements. Each of the N windings is wound around a respective one of the N connecting magnetic elements such that the N windings are wound in alternating opposing directions. Possible applications of the coupled inductor include, but are not limited to, switching power converter applications.

Classes IPC  ?

  • H01F 27/28 - Bobines; Enroulements; Connexions conductrices
  • H01F 5/04 - Dispositions des connexions électriques aux bobines, p.ex. fils de connexion
  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique

12.

Systems and methods for controlling DC-to-DC converters including unregulated operating modes

      
Numéro d'application 14140366
Numéro de brevet 09729052
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2013-12-24
Date de la première publication 2017-08-08
Date d'octroi 2017-08-08
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Chakraborty, Sombuddha
  • Chen, Jingquan
  • Choi, Paul H.

Abrégé

A method for controlling a DC-to-DC converter includes: (a) regulating a magnitude of an output voltage of the DC-to-DC converter according to a magnitude of a reference voltage; (b) in response to a command to enter the unregulated operating mode, allowing the magnitude of the output voltage to fall; and (c) adjusting the magnitude of the reference voltage to track the magnitude of the output voltage. A controller for a DC-to-DC converter includes reference and switching modules. The reference module generates a reference voltage, such that: (a) a magnitude of the reference voltage is fixed, in a regulated operating mode, and (b) the magnitude of the reference voltage tracks a magnitude of an output voltage of the DC-to-DC converter, in the unregulated operating mode. The switching module controls a power stage of the DC-to-DC converter to regulate the magnitude of the output voltage, in the regulated operating mode.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique

13.

Coupled inductors with leakage plates, and associated systems and methods

      
Numéro d'application 14642451
Numéro de brevet 09721719
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2015-03-09
Date de la première publication 2017-08-01
Date d'octroi 2017-08-01
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s) Ikriannikov, Alexandr

Abrégé

A coupled inductor includes a ladder magnetic core, a first common leakage plate formed of a magnetic material, and N windings, where N is an integer greater than one. The ladder magnetic core includes first and second rails and N rungs, where each of the N rungs connects the first and second rails. Each of the N windings includes a respective first portion. Each of the N windings is wound around a respective one of the N rungs, and at least two of the N windings are wrapped at least partially around the first common leakage plate such that a first portion of the winding is disposed between an outer surface of the first rail and an outer surface of the first common leakage plate.

Classes IPC  ?

  • H01F 27/24 - Noyaux magnétiques
  • H01F 27/34 - Moyens particuliers pour éviter ou réduire les effets électriques ou magnétiques indésirables, p.ex. pertes à vide, courants réactifs, harmoniques, oscillations, champs de fuite
  • H01F 27/26 - Fixation des parties du noyau entre elles; Fixation ou montage du noyau dans l'enveloppe ou sur un support

14.

Magnetic devices for power converters with light load enhancers

      
Numéro d'application 14537263
Numéro de brevet 09691538
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2014-11-10
Date de la première publication 2017-06-27
Date d'octroi 2017-06-27
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Ikriannikov, Alexandr
  • Stratakos, Anthony J.

Abrégé

A magnetic device includes a magnetic core, one or more first windings, and one or more second windings. Each first winding forms a respective first turn around a respective first winding center axis, and each second winding forms a respective second turn around a common second winding center axis that is orthogonal to each first winding center axis. Another magnetic device includes a magnetic core, a plurality of first windings forming respective first winding turns, and a second winding forming a second winding turn. Each first winding turn is within the second winding turn, as seen when the magnetic device is viewed cross-sectionally in a first direction. Yet another magnetic device includes a magnetic core, one or more first windings, and one or more second windings magnetically isolated from the one or more first windings.

Classes IPC  ?

  • H01F 17/04 - Inductances fixes du type pour signaux avec noyau magnétique
  • H01F 27/24 - Noyaux magnétiques
  • H01F 27/28 - Bobines; Enroulements; Connexions conductrices
  • H01F 17/06 - Inductances fixes du type pour signaux avec noyau magnétique avec noyau refermé sur lui-même, p.ex. tore

15.

Systems and methods for controlling maximum power point tracking controllers

      
Numéro d'application 15418962
Numéro de brevet 09966899
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-01-30
Date de la première publication 2017-05-18
Date d'octroi 2018-05-08
Propriétaire Volterra Semiconductor, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Stratakos, Anthony J.
  • Mcjimsey, Michael D.
  • Jergovic, Ilija
  • Yao, Kaiwei
  • Zhang, Xin
  • Ng, Vincent W.

Abrégé

A method for testing a photovoltaic device electrically coupled to an input port of a maximum power point tracking (MPPT) controller, where the MPPT controller includes a switching circuit adapted to transfer power between the input port and an output port of the MPPT controller, includes the steps of: (a) driving a test current into the output port of the MPPT controller; (b) detecting presence of the test current; and (c) in response to detecting presence of the test current, causing the switching circuit to provide a path for the test current from the output port to the photovoltaic device.

Classes IPC  ?

  • H02S 50/10 - Tests de dispositifs PV, p.ex. de modules PV ou de cellules PV individuelles
  • H02J 3/38 - Dispositions pour l’alimentation en parallèle d’un seul réseau, par plusieurs générateurs, convertisseurs ou transformateurs

16.

Coupled inductor arrays and associated methods

      
Numéro d'application 14974482
Numéro de brevet 10128035
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2015-12-18
Date de la première publication 2017-02-16
Date d'octroi 2018-11-13
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Yao, Di
  • Ikriannikov, Alexandr

Abrégé

A coupled inductor array includes a monolithic magnetic core formed of magnetic materials having a distributed gap, first and second windings, and a low-permeability magnetic structure. The first and second windings form respective first and second winding turns around a common winding axis extending in the height direction. The low-permeability magnetic structure is embedded in the monolithic magnetic core and forms a loop around the common winding axis. The low-permeability magnetic structure separates the first and second winding turns in the height direction, and the low-permeability magnetic structure is formed of a magnetic material having a lower magnetic permeability than the one or more magnetic materials forming the monolithic magnetic core. One possible application of the coupled inductor array is in a multi-phase switching power converter.

Classes IPC  ?

  • H01F 27/28 - Bobines; Enroulements; Connexions conductrices
  • H01F 27/24 - Noyaux magnétiques
  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
  • H01F 3/10 - Dispositions composites de circuits magnétiques
  • H01F 17/04 - Inductances fixes du type pour signaux avec noyau magnétique
  • H01F 27/255 - Noyaux magnétiques fabriqués à partir de particules
  • H01F 27/29 - Bornes; Aménagements de prises
  • H02M 1/14 - Dispositions de réduction des ondulations d'une entrée ou d'une sortie en courant continu
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

17.

DC-to-DC converter controllers including over-current protection, and associated systems and methods

      
Numéro d'application 14030871
Numéro de brevet 09490629
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2013-09-18
Date de la première publication 2016-11-08
Date d'octroi 2016-11-08
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Chakraborty, Sombuddha
  • Panseri, Luigi

Abrégé

A DC-to-DC converter includes a switching circuit, an energy storage inductor electrically coupled to the switching circuit, and a controller. The controller includes a control signal generator, a current sensing subsystem, an over-current detection subsystem, and filter logic. The control signal generator generates unfiltered control signals to control the switching circuit, and the current sensing subsystem senses current flowing through the energy storage inductor. The over-current detection subsystem asserts an over-current signal if a magnitude of positive current flowing through the energy storage inductor exceeds a maximum permissible value. The filter logic filters the unfiltered control signals to generate filtered control signals in response to assertion of the over-current signal, such that respective widths of one or more pulses of the filtered control signals are less than respective widths of corresponding pulses of the unfiltered control signals.

Classes IPC  ?

  • H02H 9/02 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion sensibles à un excès de courant

18.

Switching circuits for extracting power from an electric power source and associated methods

      
Numéro d'application 15095495
Numéro de brevet 09698599
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2016-04-11
Date de la première publication 2016-08-04
Date d'octroi 2017-07-04
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Stratakos, Anthony J.
  • Mcjimsey, Michael D.
  • Jergovic, Ilija
  • Ikriannikov, Alexandr
  • Der Minassians, Artin
  • Yao, Kaiwei
  • Lidsky, David B.
  • Zuniga, Marco A.
  • Borisavljevic, Ana

Abrégé

An electric power system includes N electric power sources and N switching circuits, where N is an integer greater than one. Each switching circuit includes an input port electrically coupled to a respective one of the N electric power sources, an output port, and a first switching device adapted to switch between its conductive and non-conductive states to transfer power from the input port to the output port. The output ports of the N switching circuits are electrically coupled in series and to a load to establish an output circuit. Each of the N switching circuits uses an interconnection inductance of the output circuit as a primary energy storage inductance of the switching circuit.

Classes IPC  ?

  • H02J 1/10 - Fonctionnement de sources à courant continu en parallèle
  • H02J 3/38 - Dispositions pour l’alimentation en parallèle d’un seul réseau, par plusieurs générateurs, convertisseurs ou transformateurs
  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
  • H03K 17/10 - Modifications pour augmenter la tension commutée maximale admissible
  • H03K 17/12 - Modifications pour augmenter le courant commuté maximal admissible
  • H03K 17/14 - Modifications pour compenser les variations de valeurs physiques, p.ex. de la température
  • H03K 17/693 - Dispositifs de commutation comportant plusieurs bornes d'entrée et de sortie, p.ex. multiplexeurs, distributeurs

19.

Systems and methods for DC-to-DC converter control

      
Numéro d'application 14563041
Numéro de brevet 09407145
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2014-12-08
Date de la première publication 2016-08-02
Date d'octroi 2016-08-02
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Burstein, Andrew
  • Chakraborty, Sombuddha
  • Xiong, Yali
  • Mcjimsey, Michael D.
  • Roessig, Trey A.
  • Panseri, Luigi
  • Choi, Paul H.
  • Burmas, Theodore V.
  • Beronja, Biljana
  • Garcea, Giovanni
  • Jergovic, Ilija
  • Pizzutelli, Andrea
  • Stratakos, Anthony J.

Abrégé

A regulated, power supply system is described using multiphase DC-DC converters with dynamic fast-turnon, slow-turnoff phase shedding, early phase turn-on, and both load-voltage and drive-transistor feedback to pulsewidth modulators to provide fast response to load transients. In an embodiment, a system master can automatically determine whether all, or only some, slave phase units are fully populated. The programmable system includes fault detection with current and voltage sensing, telemetry capability, and automatic shutdown capability. In an embodiment, these are buck-type converters with or without coupled inductors, however some of the embodiments illustrated include boost configurations.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
  • H02M 1/084 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques utilisant un circuit de commande commun à plusieurs phases d'un système polyphasé

20.

DC-to-DC converters capable of communicating information between a slave circuit and a master controller, and associated devices and methods

      
Numéro d'application 14138023
Numéro de brevet 09385608
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2013-12-21
Date de la première publication 2016-07-05
Date d'octroi 2016-07-05
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s) Chakraborty, Sombuddha

Abrégé

A slave circuit for a DC-to-DC converter includes a switching circuit adapted to repeatedly switch a switching node between two different voltage levels, a slave control adapted to control switching of the switching circuit based at least in part on control signals from a master controller, a communication port, and a communication module. The communication module is adapted to (a) generate an analog slave communication signal at the communication port, where the analog slave communication signal represents information associated with the slave circuit, and (b) generate a digital slave communication signal at the communication port in response to occurrence of an event, where the digital slave communication signal represents additional information associated with the slave circuit.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/157 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation avec commande numérique
  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
  • H02M 3/156 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
  • H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique

21.

Coupled inductor arrays and associated methods

      
Numéro d'application 14199833
Numéro de brevet 09373438
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2014-03-06
Date de la première publication 2016-06-21
Date d'octroi 2016-06-21
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Ikriannikov, Alexandr
  • Jergovic, Ilija
  • Burstein, Andrew
  • Zhak, Serhii Mikhailovich
  • Miwa, Brett A.
  • Qiu, Jizheng
  • Baker, Michael W.
  • Burkhart, Justin Michael
  • Zhou, Xin

Abrégé

A coupled inductor array has length, width, and height. The coupled inductor array includes a monolithic magnetic core formed of a magnetic material having a distributed gap, and a plurality of windings embedded in the monolithic magnetic core. Each winding forms a respective winding loop of one or more turns around a respective winding axis, and each winding axis extends in the height direction. Areas of the monolithic magnetic core enclosed by the winding loops are greater than areas of the monolithic magnetic core outside of the winding loops, as seen when the coupled inductor array is viewed cross-sectionally in the height direction. One possible application of the coupled inductor array is in a multi-phase switching power converter.

Classes IPC  ?

  • H01F 17/04 - Inductances fixes du type pour signaux avec noyau magnétique
  • H01F 27/24 - Noyaux magnétiques
  • H01F 27/02 - Enveloppes
  • H01F 27/28 - Bobines; Enroulements; Connexions conductrices
  • H01F 27/255 - Noyaux magnétiques fabriqués à partir de particules
  • H01F 41/02 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateurs; Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques pour la fabrication de noyaux, bobines ou aimants

22.

Systems and methods for DC-to-DC converter control

      
Numéro d'application 14263103
Numéro de brevet 09374003
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2014-04-28
Date de la première publication 2016-06-21
Date d'octroi 2016-06-21
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Mcjimsey, Michael D.
  • Lidsky, David B.
  • Burstein, Andrew
  • Garcea, Giovanni
  • Flasck, Jeremy M.
  • Jergovic, Ilija
  • Pizzutelli, Andrea

Abrégé

A regulated, power supply system is described using multiphase DC-DC converters with dynamic fast-turnon, slow-turnoff phase shedding, early phase turn-on, and both load-voltage and drive-transistor feedback to pulsewidth modulators to provide fast response to load transients. In an embodiment, a system master can automatically determine whether all, or only some, slave phase units are fully populated. The programmable system includes fault detection with current and voltage sensing, telemetry capability, and automatic shutdown capability. In an embodiment, these are buck-type converters with or without coupled inductors, however some of the embodiments illustrated include boost configurations.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/157 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation avec commande numérique
  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique

23.

Testing of LDMOS device

      
Numéro d'application 13208204
Numéro de brevet 09362388
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2011-08-11
Date de la première publication 2016-06-07
Date d'octroi 2016-06-07
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Zuniga, Marco A.
  • Cassella, Craig

Abrégé

A method for testing an LDMOS transistor by measuring leakage current between the source and drain in the presence of a bias voltage. The leakage current is indicative of defects in the structure of the transistor.

Classes IPC  ?

  • G01R 31/02 - Essai des appareils, des lignes ou des composants électriques pour y déceler la présence de courts-circuits, de discontinuités, de fuites ou de connexions incorrectes de lignes
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

24.

Coupled inductors with non-uniform winding terminal distributions

      
Numéro d'application 15018318
Numéro de brevet 09704629
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2016-02-08
Date de la première publication 2016-06-02
Date d'octroi 2017-07-11
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s) Ikriannikov, Alexandr

Abrégé

A coupled inductor includes a ladder magnetic core including two opposing rails extending in a lengthwise direction and joined by a plurality of rungs. The coupled inductor further includes a respective winding wound around each of the plurality of rungs. The plurality of rungs are divided into at least two groups of rungs, and a lengthwise separation distance between adjacent rungs in each group of rungs is less than a lengthwise separation distance between adjacent rungs of different groups of rungs.

Classes IPC  ?

  • H01F 5/00 - Bobines d'induction
  • H01F 27/02 - Enveloppes
  • H01F 27/28 - Bobines; Enroulements; Connexions conductrices
  • H01F 17/06 - Inductances fixes du type pour signaux avec noyau magnétique avec noyau refermé sur lui-même, p.ex. tore
  • H01F 27/24 - Noyaux magnétiques
  • H01F 17/04 - Inductances fixes du type pour signaux avec noyau magnétique
  • H01F 3/12 - Circuits magnétiques en dérivation
  • H01F 30/12 - Transformateurs diphasés, triphasés ou polyphasés
  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique

25.

Multi-row coupled inductors and associated systems and methods

      
Numéro d'application 14067718
Numéro de brevet 09336941
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2013-10-30
Date de la première publication 2016-05-10
Date d'octroi 2016-05-10
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s) Ikriannikov, Alexandr

Abrégé

A multi-row coupled inductor has length, width, and height and includes a magnetic core including (1) opposing first and second plates separated from each other in the height direction, and (2) one or more pairs of coupling teeth. Each of the one or more pairs is separated from each other in the widthwise direction, and each of the one or more pairs includes a first coupling tooth and a second coupling tooth separated from and opposing each other in the lengthwise direction. The multi-row coupled inductor further includes: (1) a respective first winding wound around the first coupling tooth, and (2) a respective second winding wound around the second coupling tooth. The first winding mirrors the second winding in each of the one or more pairs, when seen looking toward the magnetic core cross-sectionally in the height direction.

Classes IPC  ?

26.

DC-to-DC converter controllers including clamping or boosting subsystems, and associated methods

      
Numéro d'application 14030890
Numéro de brevet 09276471
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2013-09-18
Date de la première publication 2016-03-01
Date d'octroi 2016-03-01
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s) Chakraborty, Sombuddha

Abrégé

A DC-to-DC converter includes one or more switching circuits, a respective energy storage inductor electrically coupled to each of the one or more switching circuits, and a controller. The controller includes a current deficit signal generator, an integration subsystem, one or more modulators, and a clamping subsystem. The current deficit signal generator is adapted to generate a current deficit signal. The integration subsystem is adapted to integrate the current deficit signal to generate a modulator control voltage. The one or more modulators are adapted to control the one or more switching circuits to transfer power from an input power source to a load, based at least in part on the modulator control voltage. The clamping subsystem is adapted to shunt a portion of the current deficit signal away from the integration subsystem, to prevent the modulator control voltage from falling below a predetermined minimum permissible value.

Classes IPC  ?

  • G05F 1/56 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final
  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique

27.

Pin inductors and associated systems and methods

      
Numéro d'application 13423744
Numéro de brevet 09263177
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2012-03-19
Date de la première publication 2016-02-16
Date d'octroi 2016-02-16
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Ikriannikov, Alexandr
  • Djekic, Ognjen

Abrégé

A magnetic device includes a magnetic core and N windings wound at least partially around respective portions of the magnetic core. Each of the N windings has opposing first and second ends. Each first end forms a first connector, and each second end forms a second connector. Each first connector is adapted for coupling to a first substrate in a first plane, and each second connector is adapted for coupling to a second substrate in a second plane, where the second plane is different from the first plane. N is an integer greater than zero. An electrical assembly includes a substrate and a power supply module including a magnetic device. The magnetic device at least partially electrically couples the power supply module to the substrate.

Classes IPC  ?

28.

DC-to-DC converter controllers including oscillation prevention subsystems, and associated systems and methods

      
Numéro d'application 13968165
Numéro de brevet 09250640
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2013-08-15
Date de la première publication 2016-02-02
Date d'octroi 2016-02-02
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s) Chakraborty, Sombuddha

Abrégé

A controller for a DC-to-DC converter includes a control signal generator and an oscillation prevention subsystem. The control signal generator is adapted to control one or more switching circuits of the DC-to-DC converter such that the DC-to-DC converter transfers power from an input power source to a load. The oscillation prevention subsystem is adapted to shift a switching frequency of the DC-to-DC converter away from a frequency of an alternating current component of a load current flowing between the DC-to-DC converter and the load.

Classes IPC  ?

  • H02M 1/12 - Dispositions de réduction des harmoniques d'une entrée ou d'une sortie en courant alternatif
  • G05F 1/46 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu
  • G05F 1/618 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série et en parallèle avec la charge comme dispositifs de réglage final

29.

Voltage regulators with kickback protection

      
Numéro d'application 14867831
Numéro de brevet 09847722
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2015-09-28
Date de la première publication 2016-01-21
Date d'octroi 2017-12-19
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Chiang, Chiteh
  • Zuniga, Marco A.
  • Lu, Yang

Abrégé

The subject matter of this document can be embodied in a method that includes a voltage regulator having an input terminal and an output terminal. The voltage regulator includes a high-side transistor between the input terminal and an intermediate terminal, and a low-side transistor between the intermediate terminal and ground. The voltage regulator includes a low-side driver circuit including a capacitor and an inverter. The output of the inverter is connected to the gate of the low-side transistor. The voltage regulator also includes a controller that drives the high-side and low-side transistors to alternately couple the intermediate terminal to the input terminal and ground. The controller is configured to drive the low-side transistor by controlling the inverter. The voltage regulator further includes a switch coupled to the low-side driver circuit. The switch is configured to block charge leakage out of the capacitor during an off state of the low-side transistor.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
  • H02M 3/156 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation
  • H03K 17/06 - Modifications pour assurer un état complètement conducteur
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

30.

Maximum power point tracking controllers and associated systems and methods

      
Numéro d'application 14838805
Numéro de brevet 10778097
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2015-08-28
Date de la première publication 2015-12-24
Date d'octroi 2020-09-15
Propriétaire VOLTERRA SEMICONDUCTOR LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Mcjimsey, Michael D.
  • Stratakos, Anthony J.
  • Jergovic, Ilija
  • Zhang, Xin
  • Yao, Kaiwei
  • Ng, Vincent W.
  • Nguyen, Phong T.
  • Minassians, Artin Der
  • Ricchiuti, Ryan James

Abrégé

A maximum power point tracking controller includes an input port for electrically coupling to an electric power source, an output port for electrically coupling to a load, a control switching device, and a control subsystem. The control switching device is adapted to repeatedly switch between its conductive and non-conductive states to transfer power from the input port to the output port. The control subsystem is adapted to control switching of the control switching device to regulate a voltage across the input port, based at least in part on a signal representing current flowing out of the output port, to maximize a signal representing power out of the output port.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
  • G05F 1/67 - Régulation de la puissance électrique à la puissance maximale que peut fournir un générateur, p.ex. une cellule solaire
  • G01R 21/06 - Dispositions pour procéder aux mesures de la puissance ou du facteur de puissance par mesure du courant et de la tension
  • H03K 3/356 - Circuits bistables
  • H02J 3/38 - Dispositions pour l’alimentation en parallèle d’un seul réseau, par plusieurs générateurs, convertisseurs ou transformateurs

31.

Integrated circuits including magnetic devices

      
Numéro d'application 14797392
Numéro de brevet 09559679
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2015-07-13
Date de la première publication 2015-11-05
Date d'octroi 2017-01-31
Propriétaire Volterra Semiconductor, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Ikriannikov, Alexandr
  • Burstein, Andrew J.
  • Stratakos, Anthony J.

Abrégé

An integrated circuit includes a semiconductor die including one or more switching circuits, a magnetic core having length and width, first and second metallic leads, and integrated circuit packaging material. The first metallic lead forms a first winding turn around a portion of the magnetic core, and the first metallic lead is electrically coupled to the semiconductor die. The second metallic lead forms a second winding turn around a portion of the magnetic core. The first and second winding turns are offset from each other along both of the width and length of the magnetic core. The integrated circuit is, for example, included in an integrated electronic assembly.

Classes IPC  ?

  • H03K 17/0412 - Modifications pour accélérer la commutation sans réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande par des dispositions prises dans le circuit de commande
  • H01F 27/28 - Bobines; Enroulements; Connexions conductrices
  • H01L 23/64 - Dispositions relatives à l'impédance
  • H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides
  • H01F 17/00 - Inductances fixes du type pour signaux
  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique

32.

Chip-scale packaging with protective heat spreader

      
Numéro d'application 14753514
Numéro de brevet 09806001
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2015-06-29
Date de la première publication 2015-10-22
Date d'octroi 2017-10-31
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Michael, Mihalis
  • Jergovic, Ilija

Abrégé

A semiconductor package can include a semiconductor die having an integrated circuit, a first die surface, and an opposite second die surface. A packaging can be attached to the die and have a holder surface opposite the first die surface. A heat spreader can be configured to cover the second die surface and the packaging surface and can be attached thereto by a layer of adhesive positioned between the heat spreader and the semiconductor die. A semiconductor package array can include an array of semiconductor dies and a heat spreader configured to cover each semiconductor die. A conductive lead can be electrically connected to the integrated circuit in a semiconductor die and can extend from the first die surface. Manufacturing a semiconductor package can include applying thermally conductive adhesive to the heat spreader and placing the heat spreader proximate the semiconductor die.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif
  • H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
  • H01L 23/42 - Choix ou disposition de matériaux de remplissage ou de pièces auxiliaires dans le conteneur pour faciliter le chauffage ou le refroidissement
  • H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

33.

Switching circuits for extracting power from an electric power source and associated methods

      
Numéro d'application 14714850
Numéro de brevet 09806523
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2015-05-18
Date de la première publication 2015-09-10
Date d'octroi 2017-10-31
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Stratakos, Anthony J.
  • Mcjimsey, Michael D.
  • Jergovic, Ilija
  • Ikriannikov, Alexandr
  • Der Minassians, Artin
  • Yao, Kaiwei
  • Lidsky, David B.
  • Zuniga, Marco A.
  • Borisavljevic, Ana

Abrégé

A switching circuit for extracting power from an electric power source includes (1) an input port for electrically coupling to the electric power source, (2) an output port for electrically coupling to a load, (3) a first switching device configured to switch between its conductive state and its non-conductive state to transfer power from the input port to the output port, (4) an intermediate switching node that transitions between at least two different voltage levels at least in part due to the first switching device switching between its conductive state and its non-conductive state, and (5) a controller for controlling the first switching device to maximize an average value of a voltage at the intermediate switching node.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
  • H02J 1/10 - Fonctionnement de sources à courant continu en parallèle
  • H02J 3/38 - Dispositions pour l’alimentation en parallèle d’un seul réseau, par plusieurs générateurs, convertisseurs ou transformateurs
  • H03K 17/10 - Modifications pour augmenter la tension commutée maximale admissible
  • H03K 17/12 - Modifications pour augmenter le courant commuté maximal admissible
  • H03K 17/14 - Modifications pour compenser les variations de valeurs physiques, p.ex. de la température
  • H03K 17/693 - Dispositifs de commutation comportant plusieurs bornes d'entrée et de sortie, p.ex. multiplexeurs, distributeurs

34.

Systems and methods for DC-to-DC converter control

      
Numéro d'application 13167665
Numéro de brevet 09106201
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2011-06-23
Date de la première publication 2015-08-11
Date d'octroi 2015-08-11
Propriétaire VOLTERRA SEMICONDUCTOR LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Chakraborty, Sombuddha
  • Xiong, Yali
  • Mcjimsey, Michael D.
  • Stratakos, Anthony J.
  • Garcea, Giovanni
  • Jergovic, Ilija
  • Burstein, Andrew
  • Pizzutelli, Andrea

Abrégé

A regulated, power supply system is described using multiphase DC-DC converters with dynamic fast-turnon, slow-turnoff phase shedding, early phase turn-on, and both load-voltage and drive-transistor feedback to pulsewidth modulators to provide fast response to load transients. In an embodiment, a system master can automatically determine whether all, or only some, slave phase units are fully populated. The programmable system includes fault detection with current and voltage sensing, telemetry capability, and automatic shutdown capability. In an embodiment, these are buck-type converters with or without coupled inductors, however some of the embodiments illustrated include boost configurations.

Classes IPC  ?

  • G05F 1/00 - Systèmes automatiques dans lesquels les écarts d'une grandeur électrique par rapport à une ou plusieurs valeurs prédéterminées sont détectés à la sortie et réintroduits dans un dispositif intérieur au système pour ramener la grandeur détectée à sa va
  • H02J 3/08 - Synchronisation de réseaux
  • H03H 7/20 - Déphaseurs à deux accès produisant un déphasage ajustable
  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique

35.

Switching circuits for extracting power from an electric power source and associated methods

      
Numéro d'application 14580932
Numéro de brevet 09577426
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2014-12-23
Date de la première publication 2015-04-23
Date d'octroi 2017-02-21
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Stratakos, Anthony J.
  • Mcjimsey, Michael D.
  • Jergovic, Ilija
  • Ikriannikov, Alexandr
  • Der Minassians, Artin
  • Yao, Kaiwei
  • Lidsky, David B.
  • Zuniga, Marco A.
  • Borisavljevic, Ana

Abrégé

An integrated circuit chip includes a first input port, a first output port, and first and second transistors electrically coupled in series across the first input port. The second transistor is also electrically coupled across the first output port and is adapted to provide a path for current flowing through the first output port when the first transistor is in its non-conductive state. The integrated circuit chip additionally includes first driver circuitry for driving gates of the first and second transistors to cause the transistors to switch between their conductive and non-conductive states. The integrated circuit chip further includes first controller circuitry for controlling the first driver circuitry such that the first and second transistors switch between their conductive and non-conductive states to at least substantially maximize an amount of electric power extracted from an electric power source electrically coupled to the first input port.

Classes IPC  ?

  • G08B 13/00 - Alarmes contre les cambrioleurs, les voleurs ou tous intrus
  • H02J 1/10 - Fonctionnement de sources à courant continu en parallèle
  • H02J 3/38 - Dispositions pour l’alimentation en parallèle d’un seul réseau, par plusieurs générateurs, convertisseurs ou transformateurs
  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
  • H03K 17/10 - Modifications pour augmenter la tension commutée maximale admissible
  • H03K 17/12 - Modifications pour augmenter le courant commuté maximal admissible
  • H03K 17/14 - Modifications pour compenser les variations de valeurs physiques, p.ex. de la température
  • H03K 17/693 - Dispositifs de commutation comportant plusieurs bornes d'entrée et de sortie, p.ex. multiplexeurs, distributeurs

36.

Dual gate lateral double-diffused MOSFET (LDMOS) transistor

      
Numéro d'application 13784559
Numéro de brevet 08936980
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2013-03-04
Date de la première publication 2015-01-20
Date d'octroi 2015-01-20
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Zuniga, Marco A.
  • You, Budong

Abrégé

Method and apparatus for providing a lateral double-diffused MOSFET (LDMOS) transistor having a dual gate. The dual gate includes a first gate and a second gate. The first gate includes a first oxide layer formed over a substrate, and the second gate includes a second oxide layer formed over the substrate. The first gate is located a pre-determined distance from the second gate. A digitally implemented voltage regulator is also provided that includes a switching circuit having a dual gate LDMOS transistor.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/72 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

37.

Conductive routings in integrated circuits using under bump metallization

      
Numéro d'application 14194414
Numéro de brevet 08933520
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2014-02-28
Date de la première publication 2015-01-13
Date d'octroi 2015-01-13
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Jergovic, Ilija
  • Lacap, Efren M.

Abrégé

An integrated circuit structure includes a first conductive layer and an under bump metallization layer over the first conductive layer. The first conductive layer has a first conductive region and a second conductive region electrically isolated from the first conductive region. The under bump metallization layer has a first conductive area and a second conductive area electrically isolated from the first conductive area, the first conductive area substantially located over the first conductive region and the second conductive area substantially located over the second conductive region. At least one of the first conductive area or the first conductive region includes a first protrusion extending toward the second conductive area or second conductive region, respectively. Conductive vias connect the first conductive region to the second conductive area and connect the second conductive region to the first conductive area, and the vias include at least one via connected to the first protrusion.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
  • H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
  • H01L 23/482 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes formées de couches conductrices inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 23/532 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées caractérisées par les matériaux

38.

Voltage converter inductor having a nonlinear inductance value

      
Numéro d'application 14486175
Numéro de brevet 09627125
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2014-09-15
Date de la première publication 2015-01-01
Date d'octroi 2017-04-18
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Ikriannikov, Alexandr
  • Djekic, Ognjen

Abrégé

Single phase inductors have non-linear inductance values, and M-phase coupled inductors having non-linear leakage inductance values. Each inductor includes, for example, at least one of the following: a saturable magnetic element, a gap of non-uniform thickness, a core formed of a distributed gap material, or a non-homogeneous core. A DC-to-DC converter includes an inductor having a non-linear inductance value, a switching subsystem, and an output filer. Another DC-to-DC converter includes an output filter, a coupled inductor having non-linear leakage inductance values, and switching subsystems.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
  • G05F 1/32 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type alternatif utilisant des dispositifs magnétiques à degré de saturation réglable comme dispositifs de réglage final
  • H01F 27/24 - Noyaux magnétiques
  • G05F 1/38 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type alternatif utilisant des dispositifs magnétiques à degré de saturation réglable comme dispositifs de réglage final associés à des tubes à décharge ou à des dispositifs à semi-conducteurs à dispositifs à semi-conducteurs uniquement
  • G05F 1/325 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type alternatif utilisant des dispositifs magnétiques à degré de saturation réglable comme dispositifs de réglage final avec un noyau à structure particulière, p.ex. entrefer, ouverture, fente, aimant permanent
  • G05F 1/33 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type alternatif utilisant des dispositifs magnétiques à degré de saturation réglable comme dispositifs de réglage final avec plusieurs enroulements conduisant le courant à régler
  • H01F 3/14 - Contractions; Fentes, p.ex. entrefers
  • H01F 38/02 - Adaptations de transformateurs ou d'inductances à des applications ou des fonctions spécifiques pour fonctionnement non linéaire
  • H02M 7/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu; Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif

39.

Vertical gate LDMOS device

      
Numéro d'application 14487574
Numéro de brevet 09159804
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2014-09-16
Date de la première publication 2014-12-25
Date d'octroi 2015-10-13
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Zuniga, Marco A.
  • Lu, Yang
  • Fatemizadeh, Badredin
  • Prasad, Jayasimha
  • Paul, Amit
  • Ruan, Jun

Abrégé

Described here are transistors and fabrication methods thereof. In one implementation, a transistor includes an n-well region implanted into a surface of a substrate, and a trench in the n-well region. The trench extends from the surface to a first depth. The trench includes a gate of conductive material in the trench, and dielectric material filling a volume of the trench not filled by the conductive material. The transistor also includes a p-type material in a first region extending from a second depth to a third depth, the second depth and the third depth being greater than the first depth. The transistor further includes a source region and a drain region.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
  • H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
  • H01L 21/28 - Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes
  • H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 29/45 - Electrodes à contact ohmique
  • H01L 29/49 - Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur
  • H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus

40.

Switching circuits for extracting power from an electric power source and associated methods

      
Numéro d'application 14483011
Numéro de brevet 09312769
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2014-09-10
Date de la première publication 2014-12-25
Date d'octroi 2016-04-12
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Stratakos, Anthony J.
  • Mcjimsey, Michael D.
  • Jergovic, Ilija
  • Ikriannikov, Alexandr
  • Der Minassians, Artin
  • Yao, Kaiwei
  • Lidsky, David B.
  • Zuniga, Marco A.
  • Borisavljevic, Ana

Abrégé

An electric power system includes N electric power sources and N switching circuits, where N is an integer greater than one. Each switching circuit includes an input port electrically coupled to a respective one of the N electric power sources, an output port, and a first switching device adapted to switch between its conductive and non-conductive states to transfer power from the input port to the output port. The output ports of the N switching circuits are electrically coupled in series and to a load to establish an output circuit. Each of the N switching circuits uses an interconnection inductance of the output circuit as a primary energy storage inductance of the switching circuit.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
  • H02J 3/38 - Dispositions pour l’alimentation en parallèle d’un seul réseau, par plusieurs générateurs, convertisseurs ou transformateurs
  • H02J 1/10 - Fonctionnement de sources à courant continu en parallèle
  • H03K 17/10 - Modifications pour augmenter la tension commutée maximale admissible
  • H03K 17/12 - Modifications pour augmenter le courant commuté maximal admissible
  • H03K 17/14 - Modifications pour compenser les variations de valeurs physiques, p.ex. de la température
  • H03K 17/693 - Dispositifs de commutation comportant plusieurs bornes d'entrée et de sortie, p.ex. multiplexeurs, distributeurs
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

41.

Systems and methods for DC-to-DC converter control

      
Numéro d'application 13167684
Numéro de brevet 08907642
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2011-06-23
Date de la première publication 2014-12-09
Date d'octroi 2014-12-09
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Burstein, Andrew
  • Chakraborty, Sombuddha
  • Xiong, Yali
  • Mcjimsey, Michael D.
  • Roessig, Trey A.
  • Panseri, Luigi
  • Choi, Paul H.
  • Burmas, Theodore V.
  • Beronja, Biljana
  • Garcea, Giovanni
  • Jergovic, Ilija
  • Pizzutelli, Andrea
  • Stratakos, Anthony J.

Abrégé

A regulated, power supply system is described using multiphase DC-DC converters with dynamic fast-turnon, slow-turnoff phase shedding, early phase turn-on, and both load-voltage and drive-transistor feedback to pulsewidth modulators to provide fast response to load transients. In an embodiment, a system master can automatically determine whether all, or only some, slave phase units are fully populated. The programmable system includes fault detection with current and voltage sensing, telemetry capability, and automatic shutdown capability. In an embodiment, these are buck-type converters with or without coupled inductors, however some of the embodiments illustrated include boost configurations.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique

42.

Voltage regulators with load-dependent bias

      
Numéro d'application 13830357
Numéro de brevet 09178408
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2013-03-14
Date de la première publication 2014-09-18
Date d'octroi 2015-11-03
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Zuniga, Marco A.
  • Chiang, Chiteh
  • Numann, William
  • Lu, Yang
  • Ruan, Jun

Abrégé

This document describes systems and techniques related to voltage regulators. The subject matter of this document can be embodied in a method that includes measuring an output current of a switching regulator. The switching regulator includes a high-side transistor and a low side-transistor wherein the high-side transistor and the low-side transistor are driven using a first gate voltage and a second, different gate voltage, respectively. The method also includes adjusting a direct-current (DC) voltage source of the switching regulator such that the first gate voltage is adjusted in accordance with the measured output current.

Classes IPC  ?

  • G05F 1/00 - Systèmes automatiques dans lesquels les écarts d'une grandeur électrique par rapport à une ou plusieurs valeurs prédéterminées sont détectés à la sortie et réintroduits dans un dispositif intérieur au système pour ramener la grandeur détectée à sa va
  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
  • H02M 3/156 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation
  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

43.

Coupled inductors with non-uniform winding terminal distributions

      
Numéro d'application 13802363
Numéro de brevet 09287038
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2013-03-13
Date de la première publication 2014-09-18
Date d'octroi 2016-03-15
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s) Ikriannikov, Alexandr

Abrégé

A coupled inductor includes a ladder magnetic core including two opposing rails extending in a lengthwise direction and joined by a plurality of rungs. The coupled inductor further includes a respective winding wound around each of the plurality of rungs. The plurality of rungs are divided into at least two groups of rungs, and a lengthwise separation distance between adjacent rungs in each group of rungs is less than a lengthwise separation distance between adjacent rungs of different groups of rungs.

Classes IPC  ?

  • H01F 5/00 - Bobines d'induction
  • H01F 27/02 - Enveloppes
  • H01F 27/28 - Bobines; Enroulements; Connexions conductrices
  • H01F 17/06 - Inductances fixes du type pour signaux avec noyau magnétique avec noyau refermé sur lui-même, p.ex. tore
  • H01F 27/24 - Noyaux magnétiques
  • H01F 17/04 - Inductances fixes du type pour signaux avec noyau magnétique
  • H01F 30/12 - Transformateurs diphasés, triphasés ou polyphasés
  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique

44.

Voltage regulators with kickback protection

      
Numéro d'application 13830535
Numéro de brevet 09148054
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2013-03-14
Date de la première publication 2014-09-18
Date d'octroi 2015-09-29
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Chiang, Chiteh
  • Zuniga, Marco A.
  • Lu, Yang

Abrégé

The subject matter of this document can be embodied in a method that includes a voltage regulator having an input terminal and an output terminal. The voltage regulator includes a high-side transistor between the input terminal and an intermediate terminal, and a low-side transistor between the intermediate terminal and ground. The voltage regulator includes a low-side driver circuit including a capacitor and an inverter. The output of the inverter is connected to the gate of the low-side transistor. The voltage regulator also includes a controller that drives the high-side and low-side transistors to alternately couple the intermediate terminal to the input terminal and ground. The controller is configured to drive the low-side transistor by controlling the inverter. The voltage regulator further includes a switch coupled to the low-side driver circuit. The switch is configured to block charge leakage out of the capacitor during an off state of the low-side transistor.

Classes IPC  ?

  • G05F 3/04 - Régulation de la tension ou du courant là où la tension ou le courant sont alternatifs
  • H02M 3/156 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation
  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
  • H03K 17/06 - Modifications pour assurer un état complètement conducteur
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

45.

Voltage regulators with multiple transistors

      
Numéro d'application 14213958
Numéro de brevet 09722483
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2014-03-14
Date de la première publication 2014-09-18
Date d'octroi 2017-08-01
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Zuniga, Marco A.
  • Chiang, Chiteh
  • Lu, Yang
  • Fatemizadeh, Badredin
  • Paul, Amit
  • Ruan, Jun
  • Cassella, Craig

Abrégé

A voltage regulator has an input terminal and a ground terminal. The voltage regulator includes a high-side device, a low side device, and a controller. The high-side device is coupled between the input terminal and an intermediate terminal. The high-side device includes first and second transistors each coupled between the input terminal and the intermediate terminal, such that the first transistor controls a drain-source switching voltage of the second transistor. The low-side device is coupled between the intermediate terminal and the ground terminal. The controller drives the high-side and low-side devices to alternately couple the intermediate terminal to the input terminal and the ground terminal.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
  • H02M 1/088 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques pour la commande simultanée de dispositifs à semi-conducteurs connectés en série ou en parallèle
  • H02M 1/38 - Moyens pour empêcher la conduction simultanée de commutateurs

46.

Low profile inductors for high density circuit boards

      
Numéro d'application 14215288
Numéro de brevet 08941459
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2014-03-17
Date de la première publication 2014-07-17
Date d'octroi 2015-01-27
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s) Ikriannikov, Alexandr

Abrégé

An inductor includes a core formed of a magnetic material and a foil winding wound at least partially around or through at least a portion of the core. A first end of the winding extends away from the core to form an extended output tongue configured and arranged to supplement or serve as a substitute for a printed circuit board foil trace. A second end of the winding forms a solder tab. At least a portion of the extended output tongue and the solder tab are formed at a same height relative to a bottom surface of the core. Another inductor includes a core formed of a magnetic material, a winding wound at least partially around or through at least a portion of the core, and a ground return conductor attached to the core. The core does not form a magnetic path loop around the ground return conductor.

Classes IPC  ?

47.

Multi-turn inductors

      
Numéro d'application 14171047
Numéro de brevet 09281115
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2014-02-03
Date de la première publication 2014-05-29
Date d'octroi 2016-03-08
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s) Ikriannikov, Alexandr

Abrégé

A multi-winding inductor includes a first foil winding and a second foil winding. One end of the first foil winding extends from a first side of the core and wraps under the core to form a solder tab under the core. One end of the second foil winding extends from a second side of the core and wraps under the core to form another solder tab under the core. Respective portions of each solder tab are laterally adjacent under the magnetic core. A coupled inductor includes a magnetic core including a first and a second end magnetic element and a plurality of connecting magnetic elements disposed between and connecting the first and second end magnetic elements. A respective first and second single turn foil winding is wound at least partially around each connecting magnetic element. Each foil winding has two ends forming respective solder tabs.

Classes IPC  ?

  • H01F 27/29 - Bornes; Aménagements de prises
  • H01F 17/04 - Inductances fixes du type pour signaux avec noyau magnétique
  • G05F 1/10 - Régulation de la tension ou de l'intensité
  • H01F 27/28 - Bobines; Enroulements; Connexions conductrices
  • H01F 27/30 - Fixation ou serrage de bobines, d'enroulements ou de parties de ceux-ci entre eux; Fixation ou montage des bobines ou enroulements sur le noyau, dans l'enveloppe ou sur un autre support
  • H02M 3/02 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif

48.

Method of fabricating power transistor with protected channel

      
Numéro d'application 14159971
Numéro de brevet 09224603
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2014-01-21
Date de la première publication 2014-05-15
Date d'octroi 2015-12-29
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Lu, Yang
  • You, Budong
  • Zuniga, Marco A.
  • Yilmaz, Hamza

Abrégé

A transistor includes a substrate, a well formed in the substrate, a drain including a first impurity region implanted in the well, a source including a second impurity region implanted in the well and spaced apart from the first impurity region, a channel for current flow from the drain to the source, and a gate to control a depletion region between the source and the drain. The channel has an intrinsic breakdown voltage, and the well, drain and source are configured to provide an extrinsic breakdown voltage lower than the intrinsic breakdown voltage and such that breakdown occurs in a breakdown region in the well located outside the channel and adjacent the drain or the source.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
  • H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/40 - Electrodes
  • H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter

49.

Systems and methods for controlling maximum power point tracking controllers

      
Numéro d'application 13653389
Numéro de brevet 09557758
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2012-10-16
Date de la première publication 2014-04-17
Date d'octroi 2017-01-31
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Stratakos, Anthony J.
  • Mcjimsey, Michael D.
  • Jergovic, Ilija
  • Yao, Kaiwei
  • Zhang, Xin
  • Ng, Vincent W.

Abrégé

A method for operating a maximum power point tracking (MPPT) controller including a switching circuit adapted to transfer power between an input port and an output port includes the steps of: (a) in a first operating mode of the MPPT controller, causing a first switching device of the switching circuit to operate at a fixed duty cycle; and (b) in a second operating mode of the MPPT controller, causing a control switching device of the switching circuit to repeatedly switch between its conductive and non-conductive states to maximize an amount of power extracted from a photovoltaic device electrically coupled to the input port.

Classes IPC  ?

  • G05F 1/46 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu
  • G05F 1/67 - Régulation de la puissance électrique à la puissance maximale que peut fournir un générateur, p.ex. une cellule solaire
  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

50.

Maximum power point tracking controllers and associated systems and methods

      
Numéro d'application 13653381
Numéro de brevet 09141123
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2012-10-16
Date de la première publication 2014-04-17
Date d'octroi 2015-09-22
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Mcjimsey, Michael D.
  • Stratakos, Anthony J.
  • Jergovic, Ilija
  • Zhang, Xin
  • Yao, Kaiwei
  • Ng, Vincent W.
  • Nguyen, Phong T.
  • Minassians, Artin Der

Abrégé

A maximum power point tracking controller includes an input port for electrically coupling to an electric power source, an output port for electrically coupling to a load, a control switching device, and a control subsystem. The control switching device is adapted to repeatedly switch between its conductive and non-conductive states to transfer power from the input port to the output port. The control subsystem is adapted to control switching of the control switching device to regulate a voltage across the input port, based at least in part on a signal representing current flowing out of the output port, to maximize a signal representing power out of the output port.

Classes IPC  ?

  • G05F 1/00 - Systèmes automatiques dans lesquels les écarts d'une grandeur électrique par rapport à une ou plusieurs valeurs prédéterminées sont détectés à la sortie et réintroduits dans un dispositif intérieur au système pour ramener la grandeur détectée à sa va
  • G05F 1/67 - Régulation de la puissance électrique à la puissance maximale que peut fournir un générateur, p.ex. une cellule solaire
  • H03K 3/356 - Circuits bistables
  • H02J 3/38 - Dispositions pour l’alimentation en parallèle d’un seul réseau, par plusieurs générateurs, convertisseurs ou transformateurs

51.

Bridge magnetic devices and associated systems and methods

      
Numéro d'application 13598281
Numéro de brevet 09281739
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2012-08-29
Date de la première publication 2014-03-06
Date d'octroi 2016-03-08
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s) Ikriannikov, Alexandr

Abrégé

An electrical assembly includes a substrate, a bridge magnetic device disposed on an outer surface of the substrate, and at least one electrical component. The bridge magnetic device includes (1) a magnetic core disposed over and offset from a first portion of the outer surface of the substrate, (2) N windings wound around at least a portion of the magnetic core and electrically coupled to conductors of the substrate, where N is an integer greater than zero, and (3) a ground return conductor disposed on an outer surface of the magnetic core facing the first portion of the outer surface of the substrate. The at least one electrical component is disposed on the first portion of the outer surface of the substrate.

Classes IPC  ?

  • H01F 27/29 - Bornes; Aménagements de prises
  • H01F 5/00 - Bobines d'induction
  • H01F 27/28 - Bobines; Enroulements; Connexions conductrices
  • H02M 1/14 - Dispositions de réduction des ondulations d'une entrée ou d'une sortie en courant continu
  • H01F 17/00 - Inductances fixes du type pour signaux
  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique

52.

System and method for proportioned power distribution in power converter arrays

      
Numéro d'application 13922202
Numéro de brevet 09397502
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2013-06-19
Date de la première publication 2014-02-06
Date d'octroi 2016-07-19
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Weir, Steve
  • Macris, Eric
  • Lawrence, Eric

Abrégé

A system and method for proportioned power distribution in arrays of power converters are disclosed. According to one embodiment, a method includes distributing a node-specific transfer function to each node of a plurality of nodes via a communication bus. Each node includes a power converter, and nodes of the plurality of nodes are electrically connected in series. Each node-specific transfer function enables each node to contribute a positive impedance to a total impedance of the plurality of nodes. The computer-implemented method further includes coordinating a setting of a parameter of each node-specific transfer function to regulate a common bus current across the plurality of nodes, and assigning to each node an electrical characteristic based on a parameter of each node-specific transfer function.

Classes IPC  ?

  • H02J 4/00 - Circuits pour réseaux principaux ou de distribution, la nature alternative ou continue du courant n'étant pas précisée
  • B60L 11/18 - utilisant de l'énergie fournie par des piles primaires, des piles secondaires ou des piles à combustibles
  • H02J 7/00 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries
  • B60L 3/00 - Dispositifs électriques de sécurité sur véhicules propulsés électriquement; Contrôle des paramètres de fonctionnement, p.ex. de la vitesse, de la décélération ou de la consommation d’énergie
  • B60L 3/04 - Coupure de l'alimentation en énergie en cas de fausse manœuvre
  • B60L 7/14 - Freinage dynamo-électrique par récupération pour véhicules propulsés par moteurs à courant alternatif
  • B60L 11/00 - Propulsion électrique par source d’énergie intérieure au véhicule (B60L 8/00, B60L 13/00 ont priorité;agencements ou montage de moteurs primaires constitués de moteurs électriques et de moteurs à combustion interne pour une propulsion réciproque ou commune B60K 6/20)
  • B60L 11/14 - avec possibilité de propulsion mécanique directe
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

53.

Integrated photovoltaic panel with sectional maximum power point tracking

      
Numéro d'application 13662166
Numéro de brevet 09837556
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2012-10-26
Date de la première publication 2013-05-02
Date d'octroi 2017-12-05
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Jergovic, Ilija
  • Yao, Kaiwei
  • Stratakos, Anthony J.

Abrégé

An integrated photovoltaic panel has one or more integral DC-DC converter circuits. The DC-DC converter input port couples to a section of at least one photovoltaic (PV) device of the panel separate from PV devices feeding other converters. The converter has an MPPT controller for operating the converter to transfer maximum power from coupled photovoltaic devices to its output port. The PV panel has a transparent substrate to which PV devices are mounted. A laminating material seals PV devices and converters to the substrate. In embodiments, the panel has multiple converters connected with output ports in series. The integrated PV panel provides summed maximum powers of each section of PV devices. In some embodiments the DC-DC converters are complete with inductors, in other embodiments a common inductor is shared by multiple converters of the panel, in a particular embodiment the common inductor is parasitic inductance of the panel.

Classes IPC  ?

  • H01L 31/02 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails
  • H01L 31/05 - Moyens d’interconnexion électrique entre les cellules PV à l’intérieur du module PV, p.ex. connexion en série de cellules PV
  • H02J 3/38 - Dispositions pour l’alimentation en parallèle d’un seul réseau, par plusieurs générateurs, convertisseurs ou transformateurs
  • H02S 40/32 - Composants électriques comprenant un onduleur CC/CA associé au module PV lui-même, p.ex. module CA

54.

Vertical gate LDMOS device

      
Numéro d'application 13572015
Numéro de brevet 08866217
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2012-08-10
Date de la première publication 2013-05-02
Date d'octroi 2014-10-21
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Zuniga, Marco A.
  • Lu, Yang
  • Fatemizadeh, Badredin
  • Prasad, Jayasimha
  • Paul, Amit
  • Ruan, Jun

Abrégé

Described here are transistors and fabrication methods thereof. In one implementation, a transistor includes an n-well region implanted into a surface of a substrate, and a trench in the n-well region. The trench extends from the surface to a first depth. The trench includes a gate of conductive material in the trench, and dielectric material filling a volume of the trench not filled by the conductive material. The transistor also includes a p-type material in a first region extending from a second depth to a third depth, the second depth and the third depth being greater than the first depth. The transistor further includes a source region and a drain region.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

55.

Transistor with buried P+ and source contact

      
Numéro d'application 13572110
Numéro de brevet 10147801
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2012-08-10
Date de la première publication 2013-05-02
Date d'octroi 2018-12-04
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Zuniga, Marco A.
  • Lu, Yang
  • Fatemizadeh, Badredin
  • Prasad, Jayasimha
  • Paul, Amit
  • Ruan, Jun

Abrégé

The present application features a transistor that includes an n-well region implanted into a surface of a substrate, a gate region, and a source region, and a drain region. The source region is on a first side of the gate region and includes a p-body region in the n-well region. An n+ region and a p+ region are implanted in the p-body region such that the p+ region is below the n+ region. The drain region is on a second side of the gate region and includes an n+ region.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
  • H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
  • H01L 21/28 - Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes
  • H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 29/45 - Electrodes à contact ohmique
  • H01L 29/49 - Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur
  • H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus

56.

Lead assembly for a flip-chip power switch

      
Numéro d'application 13336821
Numéro de brevet 08942009
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2011-12-23
Date de la première publication 2013-02-14
Date d'octroi 2015-01-27
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Lacap, Efren M.
  • Jergovic, Ilija

Abrégé

A power switch assembly includes a flip-chip type integrated circuit chip and a lead-frame with a plurality of spaced apart parallel lead sections. The flip-chip type integrated circuit chip includes a distributed transistor, and first and second pluralities of flip-chip interconnects connected to source and drain regions, respectively. The first and second lead sections at least partially overlap along the first axis. Each of the plurality of lead sections includes a contact portion and an extended portion extending laterally from the contact portion. The extended portions of the first and second lead section extend from the contact portion in opposite directions. The first side of the first and second lead section contacts at least two of the first and plurality of flip-chip interconnects, respectively. The second side of the first and second lead are configured to contact a first and second contact area on a printed circuit board, respectively.

Classes IPC  ?

  • H05K 5/02 - Enveloppes, coffrets ou tiroirs pour appareils électriques - Détails
  • H05K 7/18 - Structure des bâtis ou des cadres
  • H01L 23/50 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes pour des dispositifs à circuit intégré
  • H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique

57.

Two-phase coupled inductors which promote improved printed circuit board layout

      
Numéro d'application 13460363
Numéro de brevet 08890644
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2012-04-30
Date de la première publication 2012-08-23
Date d'octroi 2014-11-18
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s) Ikriannikov, Alexandr

Abrégé

Two-phase coupled inductors including a magnetic core, at least a first winding, and at least three solder tabs. Power supplies including a printed circuit board, a two-phase coupled inductor affixed to the printed circuit board, and first and second switching circuits affixed to the printed circuit board. Each of the first and second switching circuits are electrically coupled to a respective solder tab of the two-phase coupled inductor affixed to the printed circuit board.

Classes IPC  ?

  • H01F 27/29 - Bornes; Aménagements de prises
  • H01F 27/02 - Enveloppes
  • H01F 5/00 - Bobines d'induction
  • H02M 7/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu; Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
  • H01F 27/30 - Fixation ou serrage de bobines, d'enroulements ou de parties de ceux-ci entre eux; Fixation ou montage des bobines ou enroulements sur le noyau, dans l'enveloppe ou sur un autre support
  • H01F 27/28 - Bobines; Enroulements; Connexions conductrices
  • H01F 17/06 - Inductances fixes du type pour signaux avec noyau magnétique avec noyau refermé sur lui-même, p.ex. tore
  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique

58.

Systems and methods for intelligent, adaptive management of energy storage packs

      
Numéro d'application 13308330
Numéro de brevet 10283974
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2011-11-30
Date de la première publication 2012-05-17
Date d'octroi 2019-05-07
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s) Macris, Eric

Abrégé

Systems and methods for intelligent, adaptive management of energy storage packs are disclosed. A method comprises receiving a first current measurement of a first energy storage cell electrically connected to a first converter circuit. The first converter circuit controls the charge and discharge of the first energy storage cell. A first voltage measurement of the first energy storage cell is received. A first temperature measurement of the first energy storage cell is received. The first current measurement, the first voltage measurement, and the first temperature measurement are translated into a state of charge of the first energy storage cell.

Classes IPC  ?

  • H02J 7/00 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries
  • B60L 11/18 - utilisant de l'énergie fournie par des piles primaires, des piles secondaires ou des piles à combustibles
  • G01R 31/3842 - Dispositions pour la surveillance de variables des batteries ou des accumulateurs, p.ex. état de charge combinant des mesures de tension et de courant
  • G01R 31/396 - Acquisition ou traitement de données pour le test ou la surveillance d’éléments particuliers ou de groupes particuliers d’éléments dans une batterie
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

59.

System, method, module, and energy exchanger for optimizing output of series-connected photovoltaic and electrochemical devices

      
Numéro d'application 13211984
Numéro de brevet 09331499
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2011-08-17
Date de la première publication 2012-02-23
Date d'octroi 2016-05-03
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Ikriannikov, Alexandr
  • Stratakos, Anthony J.

Abrégé

An energy transfer device for solar power systems operates to draw power from high-producing photovoltaic devices and apply that power across low-producing photovoltaic devices. An embodiment is a self-regulating energy exchanger using bidirectional DC-DC converters that operates to maintain uniform voltage across each series-connected photovoltaic device. An alternative embodiment is an energy exchanger that is controlled to maintain each of several series-connected photovoltaic devices at a maximum power point by drawing power from high-performing devices and applying that power across low-performing devices to provide uniform current among series-connected photovoltaic devices.

Classes IPC  ?

  • H02J 7/00 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries
  • H02J 1/10 - Fonctionnement de sources à courant continu en parallèle

60.

LDMOS with no reverse recovery

      
Numéro d'application 12750568
Numéro de brevet 09293577
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2010-03-30
Date de la première publication 2011-10-06
Date d'octroi 2016-03-22
Propriétaire Volterra Semiconductor LLC (USA)
Inventeur(s) Zuniga, Marco A.

Abrégé

A transistor includes a source region including a first impurity region implanted into a substrate, a drain region including a second impurity region implanted into the substrate, and a gate including an oxide layer formed over the substrate and a conductive material formed over the oxide layer, the oxide layer comprising a first side and a second side, the first side formed over a portion of the first impurity region and the second side formed over a portion of the second impurity region, the first side having a thickness of less than about 100 Å, and the second side having a thickness equal to or greater than 125 Å.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
  • H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus

61.

VOLTERRA

      
Numéro de série 75591829
Statut Enregistrée
Date de dépôt 1998-11-19
Date d'enregistrement 2001-12-04
Propriétaire VOLTERRA SEMICONDUCTOR LLC ()
Classes de Nice  ? 09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques

Produits et services

semiconductors and electronic power supplies used for power regulation for electronic, computer and telecommunications equipment

62.

VOLTERRA

      
Numéro de série 75591924
Statut Enregistrée
Date de dépôt 1998-11-19
Date d'enregistrement 2001-12-04
Propriétaire VOLTERRA SEMICONDUCTOR LLC ()
Classes de Nice  ? 09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques

Produits et services

Semiconductors and electronic power supplies used for power regulation for electronic, computer and telecommunications equipment