A semiconductor module includes a stacked substrate, a semiconductor device mounted to the stacked substrate, a case housing encapsulated members that include the semiconductor device and the stacked substrate, an encapsulant filling in the case to encapsulate the encapsulated members, and a mica sheet provided on an upper surface of the encapsulant. The encapsulant includes a gel at a position facing the mica sheet and the mica sheet is provided on the gel.
H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
In a semiconductor device having an active region and a termination region surrounding a periphery of an active region, the termination region includes a semiconductor substrate of a first conductivity type; a first semiconductor region of the first conductivity type, provided on a surface of the semiconductor substrate, the first semiconductor region having a thickness “d”; an insulating film provided on a surface of the first semiconductor region; and a polyimide film provided on a surface of the insulating film, the polyimide film being provided at least a distance of 0.66 d from an end of the semiconductor device.
H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 23/29 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par le matériau
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
A semiconductor device includes a semiconductor chip, a main current lead frame having a main die pad on which the semiconductor chip is disposed, a control element connected to the semiconductor chip via a first control wiring, and a control lead frame having a control die pad on which the control element is disposed. The control lead frame includes a first frame having the control die pad and a second frame connected to the control element via a second control wiring. The first frame further includes a bent portion that is bent such that the control die pad is positioned lower than the second frame in a thickness direction (Z direction) of the semiconductor chip.
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
A resist film formed on a surface electrode is exposed and developed, thereby forming a fine resist pattern. An exposure focus is aligned with a surface of the resist film on a normal portion of the surface electrode, whereby deficient pattern portions of the resist pattern are caused on a convex defect and on a concave defect of the surface electrode. The deficient pattern portions of the resist pattern are detected either using a difference of intensities of lights reflected from the resist pattern on the surface electrode between an area thereof where the deficient pattern portion is formed and an area thereof where no surface defect occurs by irradiating light on the resist pattern, or using a comparison between a surface image of deficient pattern portion and a surface image of the surface where no surface defect occurs by photographing the surface of the semiconductor wafer.
G01B 11/30 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques optiques pour mesurer la rugosité ou l'irrégularité des surfaces
H01L 21/3205 - Dépôt de couches non isolantes, p. ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantesPost-traitement de ces couches
H01L 21/3213 - Gravure physique ou chimique des couches, p. ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
5.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
Provided is a method for manufacturing a semiconductor device, the method comprising: a step for forming a plurality of trenches on a front surface of a semiconductor substrate; a step for forming an injection mask in a first trench among the plurality of trenches; and a step for injecting a second conductivity-type dopant into a second trench, in which the injection mask is not formed, among the plurality of trenches, in order to form a trench bottom part in a bottom part of the second trench. In the step of injecting the dopant, the second conductivity-type dopant is also injected into a first mesa part adjacent to the first trench and a second mesa part adjacent to the second trench.
H10D 62/10 - Formes, dimensions relatives ou dispositions des régions des corps semi-conducteursFormes des corps semi-conducteurs
H10D 84/80 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si caractérisés par l'intégration d'au moins un composant couvert par les groupes ou , p. ex. l'intégration de transistors IGFET
6.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
Provided is a semiconductor device comprising: a semiconductor substrate having an upper surface; a first electrode that is provided on or above the upper surface of the semiconductor substrate; a protective film that is provided on or above the first electrode; a plated layer that is provided on or above the first electrode and has a non-superposed portion that is not overlapped with the protective film in a top view; and a nitride film that is continuously provided from a part between the protective film and the first electrode and a part between the non-superposed portion and the first electrode, wherein a thickness of the plated layer that is positioned upper than the nitride film is greater than a thickness of the nitride film.
H01L 29/51 - Matériaux isolants associés à ces électrodes
H01L 21/28 - Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
Provided is a kaolin powder capable of preventing quick setting and an increase in viscosity with respect to a geopolymer. This kaolin powder is derived from a coal-seam kaolin and has an ignition loss of 1.5 to 10 mass% and an amorphous content of 56 mass% or greater. Also provided is a composition for a geopolymer, the composition containing this kaolin powder.
A semiconductor device comprising a semiconductor substrate including an upper surface and a lower surface wherein a donor concentration of a drift region is higher than a base doping concentration of the semiconductor substrate, entirely over the drift region in a depth direction connecting the upper surface and the lower surface is provided.
H01L 21/22 - Diffusion des impuretés, p. ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductricesRedistribution des impuretés, p. ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire
H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
H01L 21/268 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée les radiations étant électromagnétiques, p. ex. des rayons laser
H10D 62/10 - Formes, dimensions relatives ou dispositions des régions des corps semi-conducteursFormes des corps semi-conducteurs
H10D 62/17 - Régions semi-conductrices connectées à des électrodes ne transportant pas de courant à redresser, amplifier ou commuter, p. ex. régions de canal
H10D 62/53 - Défectuosités physiques les défectuosités étant à l'intérieur du corps semi-conducteur
H10D 64/00 - Électrodes de dispositifs ayant des barrières de potentiel
H10D 84/60 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si caractérisés par l'intégration d'au moins un composant couvert par les groupes ou , p. ex. l'intégration de transistors BJT
Provided is a semiconductor device, including: a trench portion which is provided in an upper surface side of a semiconductor substrate, a cathode region of a first conductivity type or a collect region of a second conductivity type which is provided in a lower surface side of the semiconductor substrate, a buffer region of the first conductivity type which is provided between a lower end of the trench portion and the cathode region or the collect region, and has a first peak, a second peak, a third peak and a fourth peak higher than a bulk donor concentration of the semiconductor substrate in a doping concentration distribution in a depth direction.
H10D 12/00 - Dispositifs bipolaires contrôlés par effet de champ, p. ex. transistors bipolaires à grille isolée [IGBT]
H10D 62/17 - Régions semi-conductrices connectées à des électrodes ne transportant pas de courant à redresser, amplifier ou commuter, p. ex. régions de canal
H10D 84/40 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si caractérisés par l'intégration d'au moins un composant couvert par les groupes ou avec au moins un composant couvert par les groupes ou , p. ex. l'intégration de transistors IGFET avec des transistors BJT
10.
METHOD FOR EVALUATING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
Provided is a method for evaluating a semiconductor substrate, comprising: implanting hydrogen ions from an implantation surface of a silicon-containing semiconductor substrate; annealing the semiconductor substrate; measuring a differential carrier concentration that is a difference between a first carrier concentration in a conduction region of the semiconductor substrate through which the hydrogen ions have passed and a second carrier concentration in a non-conduction region of the semiconductor substrate where the hydrogen ions have not reached; and evaluating a carbon concentration in the semiconductor substrate on the basis of the differential carrier concentration.
H10D 12/00 - Dispositifs bipolaires contrôlés par effet de champ, p. ex. transistors bipolaires à grille isolée [IGBT]
H10D 30/66 - Transistors FET DMOS verticaux [VDMOS]
H10D 62/10 - Formes, dimensions relatives ou dispositions des régions des corps semi-conducteursFormes des corps semi-conducteurs
H10D 84/80 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si caractérisés par l'intégration d'au moins un composant couvert par les groupes ou , p. ex. l'intégration de transistors IGFET
11.
SEMICONDUCTOR MODULE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
A semiconductor module includes: a substrate for mounting a semiconductor element; a frame-shaped housing that surrounds the substrate; a lead terminal that passes through the housing from an inside to an outside of the housing; and a bonding wire configured to electrically connect the semiconductor element to the lead terminal within the housing. The lead terminal has a pad disposed in the housing. The housing has a first surface that is joined to the pad, and a second surface that is joined to the substrate with an adhesive agent, the second surface facing in a direction opposite to the first surface. The inner peripheral surface of the housing has a groove that extends over the entire range from the first surface to the second surface, the groove extending from the substrate toward the pad.
H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs différents groupes principaux de la même sous-classe , , , , ou
An integrated circuit for a power supply circuit that generates an output voltage at a target level, the power supply circuit including a transformer and a transistor. The integrated circuit drives the transistor, and includes: a first terminal receiving a power supply voltage corresponding to a coil voltage at an auxiliary coil of the transformer; a determination circuit configured to determine whether the target level is a first level or a second level based on the coil voltage; a first comparator circuit configured to compare a first voltage corresponding to the power supply voltage with a first reference voltage, which is at a third level and a fourth level when the target level is the first level and the second level, respectively; and a driver circuit configured to drive, and to stop driving, the transistor when the first voltage is higher and lower than the first reference voltage, respectively.
H02M 7/217 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 1/00 - Détails d'appareils pour transformation
13.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
Provided is a semiconductor device having a semiconductor substrate with the oxygen chemical concentration of 1×1016 atoms/cm3 or more, wherein it includes the bulk donor and an increased donor, includes a buffer region of a first conductivity type that has a doping concentration higher than that of the drift region, and has a concentration of the thermal donor that is 10% or less of a concentration of the increased donor at a same depth position throughout an entire first range from a lower end of the buffer region to the deepest peak.
H10D 62/60 - Distribution ou concentrations d’impuretés
H01L 21/225 - Diffusion des impuretés, p. ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductricesRedistribution des impuretés, p. ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase solide, p. ex. une couche d'oxyde dopée
H10D 12/00 - Dispositifs bipolaires contrôlés par effet de champ, p. ex. transistors bipolaires à grille isolée [IGBT]
H10D 84/00 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si
A layout of electrode pads on a front surface of a first semiconductor chip is different from a layout of them on a second semiconductor chip. An overall layout of the semiconductor chips mounted on the insulated substrate and the layouts of the electrode pads on the front surfaces of the semiconductor chips including the first and second semiconductor chips are determined so that a value of a resistance component and/or a value of a reactance component between each two electrode pads that are the same type respectively on different semiconductor chips and are connected in parallel become the same. As a result, current waveform oscillation between semiconductor devices fabricated on the semiconductor chips, respectively, may be suppressed.
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
15.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
Provided is a semiconductor device, comprising a semiconductor substrate with an upper surface and a lower surface, wherein: the semiconductor substrate has one or more hydrogen peaks, which are peaks of hydrogen chemical concentration, in a depth direction, and the one or more hydrogen peaks include a deepest peak furthest away from the lower surface of the semiconductor substrate; the semiconductor substrate has a lower region from the lower surface to the deepest peak, and an upper region arranged from the deepest peak to the upper surface; and for at least one of a carbon chemical concentration or an oxygen chemical concentration, a concentration in the lower region is twice or more of a concentration of the upper region.
H10D 84/00 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si
H10D 62/53 - Défectuosités physiques les défectuosités étant à l'intérieur du corps semi-conducteur
A semiconductor device, including: a semiconductor chip including a switching element, the switching chip having a first control electrode formed on a front surface thereof; and a mirror clamping circuit including a mirror clamping circuit switching element that is located on the first control electrode of the semiconductor chip. The semiconductor chip and the mirror clamping circuit switching element are incorporated in a same package. The switching element is configured to operate in an on state and an off state. The mirror clamping circuit is configured to suppress a rise in a potential of the first control electrode of the switching chip when the switching element is in the off state.
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
A semiconductor device includes: a first switching element provided in a first semiconductor chip; a first control circuit provided in a second semiconductor chip so as to output a signal for controlling the first switching element; a level-shift circuit provided to convert a potential of the signal output from the first control circuit; and a drive circuit provided in a third semiconductor chip so as to drive the first switching element in accordance with the signal with the potential converted by the level-shift circuit, wherein the third semiconductor chip is provided on the first semiconductor chip.
On a single semiconductor substrate, a main semiconductor device is provided in an active-region operating region and a current sensing portion for detecting overcurrent flowing through the main semiconductor device is provided in a sensing region. The main semiconductor device and the current sensing portion are vertical IGBTs with a trench gate structure. All cells of the main semiconductor device have a CS region. Some of the cells of the current sensing portion have the same structure as the structure of the cells of the main semiconductor device while some of the cells have a structure that is free of CS regions but otherwise the same as the structure of the cells of the main semiconductor device. An average carrier concentration of the CS regions per unit area of the sensing region is less than that of the CS regions per unit area of the active-region operating region.
H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
The semiconductor substrate has an active region, a termination regions surrounding a periphery of the active region, and a transition region between the active region and the termination region. The transition region has a portion that overlaps an outer peripheral portion of the active region by a predetermined width. The portion of the transition region includes at least one pair of one of the n-type column regions in the active region and an adjacent one of the p-type column regions in the active region. The parallel pn layer exhibits doping concentration distributions of n-type and p-type in each of which the doping concentration is relatively high in a center portion of the active region, progressively decreases in the transition region in a direction from the active region to the edge termination region, and is relatively high in the termination region.
A test circuit for conducting a test on a switching device having a ground electrode, a control electrode, and a power-supply electrode. The test circuit includes: a first terminal configured to be connected to the ground electrode of the switching device; a second terminal configured to be connected to the control electrode of the switching device; a third terminal configured to be connected to the power-supply electrode of the switching device; a fourth terminal configured to receive a power supply voltage; and a first switch connected between the third terminal and the fourth terminal, and being configured to turn off in response to a predetermined time period having elapsed since turning off of the switching device. The predetermined time period is shorter than a time period from when the switching device is turned off to when a drive current flowing through the switching device reaches zero without being interrupted.
Provided is a semiconductor device comprising a transistor part and a diode part, wherein the semiconductor device comprises a drift region of a first conductivity type provided on the semiconductor substrate, and a plurality of trench parts extending in a predetermined trench extension direction, the transistor part having a base region of a second conductivity type, a plurality of emitter regions of a first conductivity type discretely provided in the trench extension direction and having a doping concentration higher than that of the drift region, a contact region of a second conductivity type having a doping concentration higher than that of the base region, a trench contact part provided extending from the front surface of the semiconductor substrate in the depth direction of the semiconductor substrate in a mesa part between two adjacent trench parts among the plurality of trench parts, and a thinning region provided between two emitter regions adjacent to each other in the trench extension direction among the plurality of emitter regions and having a lower doping concentration of the second conductivity type than the contact region.
H10D 30/66 - Transistors FET DMOS verticaux [VDMOS]
H10D 84/80 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si caractérisés par l'intégration d'au moins un composant couvert par les groupes ou , p. ex. l'intégration de transistors IGFET
22.
SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF
A silicon carbide semiconductor device, including: a semiconductor substrate; a first semiconductor region, a plurality of second semiconductor regions, a plurality of third semiconductor regions, and a plurality of fourth semiconductor regions formed in the semiconductor substrate; a plurality of gate trenches penetrating through the second to fourth semiconductor regions, to reach the first semiconductor region; a plurality of first high concentration regions facing bottoms of the plurality of gate trenches. Each second semiconductor region is formed between adjacent two of the gate trenches. The silicon carbide semiconductor device has a double-gate structure in which a channel is formed over an entire area of each second semiconductor region, and is sandwiched by adjacent two of the gate trenches. Each first high concentration region has a width that is no more than a width of each gate trench, but is more than a distance between adjacent two of the gate trenches.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
A silicon carbide semiconductor device, including: a semiconductor substrate; a parallel pn layer, a first semiconductor region, a plurality of second semiconductor regions, and a plurality of third semiconductor regions formed in the semiconductor substrate; a plurality of gate trenches penetrating through the first to third semiconductor regions; and a plurality of first high concentration regions. The silicon carbide semiconductor device has a double gate structure in which, for each adjacent two gate trenches, a channel is formed over an entire area of a portion of the first semiconductor region therebetween, and is sandwiched by the adjacent two gate trenches. Each first-conductivity-type region of the PN layer has a width greater than a width of each first high concentration region. Each second-conductivity-type region has a width smaller than that of each portion of the first high concentration region and greater than a distance between any adjacent two gate trenches.
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
A semiconductor device includes, in an active region and a termination region of a semiconductor substrate, a parallel pn layer in which regions of a first conductivity type and regions of a second conductivity type are disposed repeatedly alternating with each other. The semiconductor device further includes a third semiconductor region of the second conductivity type, configuring a voltage withstanding structure, in the termination region. Each of the regions of the second conductivity type includes multiple sub-regions stacked on one another, the multiple sub-regions including a topmost subregion that is closest to a first main surface of the semiconductor substrate. The third semiconductor region is formed at least partially by the plurality of topmost sub-regions in the termination region.
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
A semiconductor device includes an output element, a temperature detection circuit, a current limiting circuit, and an overcurrent detection circuit. The output element is a power semiconductor element that drives a load, and is turned on by applying a predetermined turn-on voltage to a gate of the output element in a normal state. The temperature detection circuit detects the temperature of the output element as a detected temperature, during the operation of the output element. The overcurrent detection circuit detects an overcurrent state of the output element. When the overcurrent state is detected and the detected temperature exceeds a set temperature, the current limiting circuit sets a gate voltage of the output element to a set voltage lower than the predetermined turn-on voltage. In addition, the current limiting circuit increases the set voltage in stages as the temperature decreases.
A resin composition including a lignin skeleton capable of producing a heat-resistant molded article and being decomposed under relatively mild conditions. The resin composition contains a lignin skeleton including, as a base component, a phenolated lignin or a derivative thereof that contains a reactive monomer group, the phenolated lignin containing a phenol-containing monomer represented by the following general formula (I):
A resin composition including a lignin skeleton capable of producing a heat-resistant molded article and being decomposed under relatively mild conditions. The resin composition contains a lignin skeleton including, as a base component, a phenolated lignin or a derivative thereof that contains a reactive monomer group, the phenolated lignin containing a phenol-containing monomer represented by the following general formula (I):
A resin composition including a lignin skeleton capable of producing a heat-resistant molded article and being decomposed under relatively mild conditions. The resin composition contains a lignin skeleton including, as a base component, a phenolated lignin or a derivative thereof that contains a reactive monomer group, the phenolated lignin containing a phenol-containing monomer represented by the following general formula (I):
wherein R1 to R5 are each independently a monovalent group selected from H, OH, a C1 to C6 alkyl group, a C1 to C6 alkoxy group, and a C6to C10 aryl group, or adjacent substituents among R1 to R5 form a substituted or unsubstituted aromatic ring together, at least one of R1 and R2 is a hydroxyl group, and R6 is OCH3 or H; a molded article thereof, as well as a recycling method for a molded article formed in a mold formed of the resin composition.
C08H 7/00 - LignineLignine modifiéeProduits dérivés à haut poids moléculaire
B29C 39/00 - Moulage par coulée, c.-à-d. en introduisant la matière à mouler dans un moule ou entre des surfaces enveloppantes sans pression significative de moulageAppareils à cet effet
C08G 18/76 - Polyisocyanates ou polyisothiocyanates cycliques aromatiques
C08G 59/06 - Polycondensats contenant plusieurs groupes époxyde par molécule de composés polyhydroxylés avec l'épihalohydrine ou ses précurseurs de polyphénols
C08L 97/00 - Compositions contenant des matières contenant de la lignine
C22B 7/00 - Mise en œuvre de matériaux autres que des minerais, p. ex. des rognures, pour produire des métaux non ferreux ou leurs composés
27.
SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MODULE AND MANUFACTURING METHOD
Provided is a semiconductor device having a switching element in which a first main electrode plate, a second main electrode plate and a control electrode plate are provided on one surface, a first main electrode being connected to the first main electrode plate, a second main electrode being connected to the second main electrode plate, and a control electrode being connected to the control electrode plate, and a semiconductor module including the semiconductor device.
A semiconductor module has a stacked substrate, a semiconductor device mounted to the stacked substrate, a lead frame in contact with and electrically connecting the semiconductor device and a conductive plate on the stacked substrate, and an encapsulation resin that encapsulates encapsulated members, which include the semiconductor device, the lead frame, and the stacked substrate. The lead frame is configured by a Cu layer and an Al layer, the Cu layer being provided facing the semiconductor device and the Al layer being provided facing the encapsulation resin.
A semiconductor device, including: a semiconductor substrate containing silicon carbide, the semiconductor substrate having a first main surface and a second main surface opposite to each other; an n-type region provided in the semiconductor substrate; a p-type region provided in the semiconductor substrate, between the first main surface of the semiconductor substrate and n-type region, the p-type region being in contact with the n-type region; a first electrode electrically connected to the p-type region; and a second electrode electrically connected to the n-type region. At least one portion of the p-type region is a p-type polysilicon portion.
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
30.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
A semiconductor device includes an active region, a first-conductivity-type region, and a termination region. The active region has first second-conductivity-type regions, silicide films, and a first electrode; the termination region has a second second-conductivity-type region. The active region is configured by ohmic regions where the first electrode is in contact with the silicide films, and Schottky regions where the first electrode is in contact with the first-conductivity-type region. When a doping concentration of the first-conductivity-type region is a low concentration, a greater number of the ohmic regions is provided in a chip center portion than in a chip outer peripheral portion and when the doping concentration of the first-conductivity-type region is a high concentration, a greater number of the ohmic regions is provided in the chip outer peripheral portion than in the chip center portion.
H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
A semiconductor device includes a circuit substrate having a semiconductor element thereon, a case surrounding a periphery of the circuit substrate so as to house the circuit substrate therein, and a lid disposed above the circuit substrate so as to close the case at an upper side thereof. The lid includes a plurality of extending portions including a first extending portion and a second extending portion, and a plurality of deformation holes respectively provided for one of the plurality of extending portions. The plurality of extending portions each extend from a lower surface of the lid facing the circuit substrate toward the circuit substrate and have a protrusion at an end thereof. The protrusion of the first extending portion protrudes in a first direction and the protrusion of the second extending portion protrudes in a second direction opposite to the first direction. The case includes a plurality of hooked portions that respectively hook on respective ones of the protrusions of the plurality of extending portions.
H01L 23/047 - ConteneursScellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base conductrice qui sert de support et en même temps de connexion électrique pour le corps semi-conducteur les autres connexions étant parallèles à la base
H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans la sous-classe
A power conversion apparatus includes a lid including a boost-converter lid arranged to include a placement area for a boost converter, and a direct-current/direct-current-converter lid arranged on a direct current/direct current converter side with respect to the boost-converter lid to include a placement area for a direct current/direct current converter, to exclude the placement area for the boost converter, and to overlap the boost-converter lid.
H02M 1/00 - Détails d'appareils pour transformation
H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
H02M 7/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continuTransformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
An electromagnetic contactor includes: a box-shaped arc extinguishing wall which is arranged in a housing and in which a pair of fixed contacts and a movable contact are arranged; first and second arc extinguishing spaces provided on one side and the other side of the movable contact in its longitudinal direction, the first and second arc extinguishing spaces being spaces surrounded by the arc extinguishing wall; a pair of arc extinguishing permanent magnets arranged to face each other and configured to extend a first arc generated between the first fixed contact point and the first movable contact point in the first arc extinguishing space and to extend a second arc generated between the second fixed contact point and the second movable contact point in the second arc extinguishing space; a first opening provided in a wall portion of the arc extinguishing wall which wall portion is on a side toward which the first arc is extended; and a second opening provided in a wall portion of the arc extinguishing wall which wall portion is on a side toward which the second arc is extended.
Provided is a wide bandgap semiconductor device having a configuration capable of detecting a temperature of a substrate with high accuracy during operation of a main transistor. The wide bandgap semiconductor device includes: a substrate mainly including a wide bandgap semiconductor; a vertical MOSFET serving as a main transistor provided in a first region of the substrate; and a lateral MOSFET for temperature detection provided in a second region of the substrate.
H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 29/49 - Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
A power conversion apparatus is arranged on or above a load for supplying electric power to the load and includes an inverter for converting direct current power input from a direct current power supply into alternate current power and supplying the alternate current power to the load, and a DCDC converter for converting a voltage of the direct current power into a different voltage. The inverter and the DCDC converter are stacked or layered in this order from the load side.
H02K 11/33 - Circuits d’entraînement, p. ex. circuits électroniques de puissance
H02M 3/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu
H02M 7/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continuTransformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
A semiconductor module includes an insulated circuit board including wiring boards each having a thickness between 600 and 900 μm; a wide-gap semiconductor chip disposed on a wiring board via a first bonding material and having a thickness between 50 and 120 μm; and a conductive member including a first bonding part, a beam part, and a second bonding part. The first bonding part is connected to the semiconductor chip via a second bonding material, and has a thickness between 0.1 and 0.8 mm and an area between 25 and 60% of the area of the semiconductor chip in plan view. The beam part extends continuously from the first bonding part via a first bent part. The second bonding part extends continuously from the beam part via a second bent part and is connected to a different wiring board adjacent to the wiring board with the semiconductor chip thereon.
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
A semiconductor device includes a wire electrically connected to a semiconductor chip, a terminal having top and bottom surfaces opposite to each other and a plurality of side surfaces between the top and bottom surfaces, a resin case, and a sealing material. The terminal has a wire connection area on the top surface thereof to which the wire is connected, a terminal coupling portion having a step formed by one of the plurality of side surfaces and a flat surface parallel to the top surface, to form a concave portion therein, and a protrusion on the top surface protruding away from the top surface, adjacent to the concave portion. The resin case is in contact with the bottom surface of the terminal and has a case coupling portion coupled with and extending upward along the terminal coupling portion to have a height above the protrusion of the terminal.
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/04 - ConteneursScellements caractérisés par la forme
H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans la sous-classe
Provided is a beverage supply device 1 that discharges and supplies a beverage generated by an extractor 30 through a nozzle 22a into a cup C placed on a beverage supply part 22, wherein: the beverage supply device 1 comprises a control unit 12 for supplying hot water to the extractor 30 as rinsing hot water and cleaning the extractor 30, which discharges the rinsing hot water supplied for cleaning of the extractor 30 through the nozzle 22a, when a prescribed cleaning condition is provided; and the control unit 12 restricts supply of the rinsing hot water to the extractor 30 when the integrated value of beverage supply counts from a time point at which a previous cleaning condition is provided to a time point at which the current cleaning condition is provided is equal to or less than a predetermined reference value.
Provided is a semiconductor device comprising: a plurality of trench portions arranged in a predetermined arrangement direction on a front surface side of a semiconductor substrate, the plurality of trench portions having a repeating structure in which a gate trench portion and a dummy trench portion are repeated at predetermined intervals in the arrangement direction; a first conductivity type drift region provided on the semiconductor substrate; a second conductivity type base region provided above the drift region; a first conductivity type emitter region provided above the base region and having a doping concentration higher than that of the drift region; a second conductivity type contact region provided above the base region and having a doping concentration higher than that of the base region; and a second conductivity type trench bottom region provided below the gate trench portion and having a doping concentration lower than that of the base region. The trench bottom region is provided below the emitter region, and the length of the trench bottom region in the arrangement direction is shorter than the length of the repeating structure.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 21/322 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour modifier leurs propriétés internes, p. ex. pour produire des défectuosités internes
H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
Provided is a vibration suppression circuit connected to a DC bus to which DC power is supplied. The DC bus is connected to at least two capacitors, and the vibration suppression circuit absorbs energy of the DC bus and emits the energy to the DC bus, whereby electric vibration of the DC bus is suppressed. The vibration suppression circuit may emit energy to the DC bus at a voltage lower than the voltage when absorbing the energy of the DC bus.
H02M 7/48 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
H02M 3/155 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
41.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
A front electrode is in ohmic contact with a semiconductor substrate via a contact structure having a TiSix film, a TiN film, and a metal plug. The TiSix film is deposited directly by sputtering, and is provided along sidewalls (side surfaces of an interlayer insulating film) of a contact hole to an inner wall of a source contact trench. Ends of the TiSix film terminate on the side surfaces of the interlayer insulating film. A thickness of the TiSix film is uniform from the sidewalls of the contact hole to sidewalls of the source contact trench. The TiN film is provided along a surface of the TiSix film. The metal plug is embedded in the contact hole and the source contact trench, onto the TiN film.
H01L 21/28 - Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes
H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p. ex. condensation
H01L 21/324 - Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p. ex. recuit, frittage
H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H01L 23/485 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p. ex. fils de connexion ou bornes formées de couches conductrices inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées formées de structures en couches comprenant des couches conductrices et isolantes, p. ex. contacts planaires
H10D 30/66 - Transistors FET DMOS verticaux [VDMOS]
A semiconductor device including: a semiconductor substrate; a temperature sensing unit provided on a front surface of the semiconductor substrate; an anode pad and a cathode pad electrically connected with the temperature sensing unit; a front surface electrode being set to a predetermined reference potential; and a bidirectional diode unit electrically connected in a serial bidirectional way between the cathode pad and the front surface electrode is provided. The bidirectional diode unit may be arranged between the anode pad and the cathode pad on the front surface.
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
G01R 31/26 - Test de dispositifs individuels à semi-conducteurs
H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
A semiconductor device includes a semiconductor substrate of a first conductivity type, a first semiconductor layer of the first conductivity type, a second semiconductor layer of a second conductivity type, first semiconductor regions of the first conductivity type, second semiconductor regions of the second conductivity type, gate insulating films, gate electrodes, an insulating film, first electrodes, a second electrode, and trenches. The first semiconductor regions and the second semiconductor regions are periodically disposed apart from one another in a first direction in which the trenches extend in a stripe pattern.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
There is provided a semiconductor device including: a pad portion that is provided above the upper surface of the semiconductor substrate and that is separated from the emitter electrode; a wire wiring portion that is connected to a connection region on an upper surface of the pad portion; a wiring layer that is provided between the semiconductor substrate and the pad portion and that includes a region overlapping the connection region; an interlayer dielectric film that is provided between the wiring layer and the pad portion and that has a through hole below the connection region; a tungsten portion that contains tungsten and that is provided inside the through hole and electrically connects the wiring layer and the pad portion; and a barrier metal layer that contains titanium and that is provided to cover an upper surface of the interlayer dielectric film below the connection region.
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
H01L 23/29 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par le matériau
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
A switching control circuit configured to control switching of a first switching device on a power supply side and a second switching device on a ground side, the first and second switching devices being configured to drive a load, the first switching device having an electrode on a low-potential side thereof. The switching control circuit includes: a first level shifter circuit including a first resistor and a first transistor; a driver circuit configured to drive the first switching device, in response to an output from the first level shifter circuit; a first switch connected in parallel with the first resistor; and an ON-OFF control circuit configured to turn on the first switch, in response to a voltage at the electrode becoming negative.
A driver circuit comprises a switching device having a control electrode, a power supply side electrode, and a ground side electrode; a current detection circuit configured to detect a drive current flowing through the switching device; and a control circuit configured to set a voltage level of the control electrode to a first level, so that when a current value of the drive current exceeds a predetermined value, the drive current continues to flow but the current value of the drive current decreases, wherein the control circuit changes the voltage level of the control electrode from the first level to a second level so that when a period during which the current value of the drive current exceeds the predetermined value reaches a predetermined period, the drive current continues to flow but the current value of the drive current further decreases.
H03K 17/0812 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension sans réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande par des dispositions prises dans le circuit de commande
H03K 17/08 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension
A power conversion apparatus includes a direct current/direct current converter, an inverter arranged at a position facing to the direct current/direct current converter, a capacitor arranged on the inverter side and connected to the direct current/direct current converter, and a first busbar arranged in an electrically insulating housing accommodating the capacitor and configured to serve as wiring for electrically connecting the direct current/direct current converter to the direct current power supply arranged on the inverter side.
H02M 7/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continuTransformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
H02M 7/537 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs, p. ex. onduleurs à impulsions à un seul commutateur
A semiconductor device, including: a first board and a second board facing each other with a space therebetween; a heat dissipation base having a front surface, on which the first board is bonded via a first f solder layer and the second board is bonded via a second solder layer; and a resist formed along the first solder layer and the second solder layer. The first solder layer has an edge portion thereof, which is a first edge portion, facing the second solder layer. The second solder layer has an edge portion thereof, which is a second edge portion, facing the first solder layer. The resist is in contact with the first edge portion and the second edge portion.
H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
H01L 23/047 - ConteneursScellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base conductrice qui sert de support et en même temps de connexion électrique pour le corps semi-conducteur les autres connexions étant parallèles à la base
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans la sous-classe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs différents groupes principaux de la même sous-classe , , , , ou
A power conversion apparatus includes a direct current/direct current converter, an inverter, a boost converter, a current sensor for measuring a current that flows through the boost converter, and a base, wherein the current sensor includes a sensing part for measuring the current flowing through the boost converter, and a housing having a single fastening through hole through which a fastener is inserted to fasten the current sensor to the base and a positioning through hole for positioning the current sensor with respect to the base.
H05K 7/14 - Montage de la structure de support dans l'enveloppe, sur cadre ou sur bâti
H02M 1/00 - Détails d'appareils pour transformation
H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
H02M 7/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continuTransformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
A power conversion apparatus includes a boost converter including a reactor formed of a resin to include a coil a part of which is exposed by resin molding. The reactor is arranged to bring the exposed coil part, which is exposed from the resin, of the coil in contact with a contact part of a lid to be in contact with the reactor.
H02M 7/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continuTransformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
H05K 7/20 - Modifications en vue de faciliter la réfrigération, l'aération ou le chauffage
A silicon carbide semiconductor device (10) is provided with: a silicon carbide semiconductor substrate (11) that has a first conductivity type; a first semiconductor layer (12) that has the first conductivity type; a second semiconductor layer (13) that has a second conductivity type; a first semiconductor region (14) that has the first conductivity type; a second semiconductor region (15) that has the second conductivity type; a trench (16); a gate insulating film (17); a gate electrode (18); a high-concentration region (21) that has the second conductivity type and is positioned so as to face the trench (16) in the depth direction; and a connection region (23) that has the second conductivity type and is selectively provided so as to be in contact with the high-concentration region (21) and the second semiconductor layer (13) at a position that is closer to the second semiconductor layer (13) than the high-concentration region (21) and is closer to the silicon carbide semiconductor substrate (11) than the second semiconductor layer (13). The second semiconductor region (15) is periodically disposed in the longitudinal direction of the trench (16), and the connection region (23) is periodically disposed in the longitudinal direction of the trench (16) in a region where the connection region (23) does not overlap the second semiconductor region (15) in a plan view.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
Provided is an insulated gate type semiconductor device in which a mesa portion between trenches can be miniaturized. The insulated gate type semiconductor device comprises: a drift layer (1) of a first conduction type; base regions (3a-3d) of a second conduction type provided over the drift layer (1); contact regions (5a-5d) of the second conduction type provided in upper portions of the base regions (3a-3d); main electrode regions (4a-4h) of the first conduction type provided on the base regions (3a-3d) and the contact regions (5a-5d); gate electrodes (8a, 8c, 8e) filled in gate trenches (6a, 6c, 6e); dummy electrodes (8b, 8d) filled in dummy trenches (6b, 6d); and contact parts (9a-9d) filled in contact trenches (10a-10d). The contact trenches (10a-10d) are each located further toward the dummy trench (6b, 6d) side than a position equidistant from the gate trench (6a, 6c, 6e) and the dummy trench (6b, 6d).
The present invention provides a semiconductor device which includes an upper arm circuit and a lower arm circuit, and is provided with a positive electrode terminal, a negative electrode terminal, and an output terminal. The semiconductor device includes an insulating plate, a first wiring pattern that is provided on the insulating plate, and a second wiring pattern that is provided at a distance from the first wiring pattern on the insulating plate. The upper arm circuit includes a circuit where the positive electrode terminal, a first diode part that is provided on the first wiring pattern, a first transistor part that is connected in series with the first diode part and is provided on the first wiring pattern, and the output terminal are connected and arranged in this order. The lower arm circuit includes a second transistor part that is provided on the second wiring pattern, and a second diode part that is provided on the second wiring pattern.
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans la sous-classe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs différents groupes principaux de la même sous-classe , , , , ou
H02M 7/48 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
54.
IGBT with electric field relaxation doping profile
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H10D 12/00 - Dispositifs bipolaires contrôlés par effet de champ, p. ex. transistors bipolaires à grille isolée [IGBT]
H10D 62/10 - Formes, dimensions relatives ou dispositions des régions des corps semi-conducteursFormes des corps semi-conducteurs
An object of the present invention is to provide a control circuit and a semiconductor module that can control detection of a defective state due to the life of an optical coupler. A control circuit includes: a photo coupler defect detecting circuit configured to detect a defective state including deterioration and abnormality of a photo coupler; and a warning output circuit configured to notify that the defective state of the photo coupler is detected by the photo coupler defect detecting circuit.
In a semiconductor substrate, on an n+-type starting substrate constituting an n+-type drain region, an n−-type epitaxial layer constituting an n−-type drift region, another n-type epitaxial layer constituting an n-type current spreading region, and a p-type epitaxial layer constituting a p-type base region are sequentially stacked. In the epitaxial layers, a crystallinity in an active-region operating portion, in which a trench gate structure is formed, is superior to a crystallinity in a region outside the active-region operating portion by removing a portion of the epitaxial layers having the superior crystallinity. Thus, in the stacked structure, in an entire region outside the active-region operating portion, all portions where the minority carrier lifetime is longer than the minority carrier lifetime of the n−-type drift region are completely removed, thereby making the minority carrier lifetime uniform.
Provided is a silicon carbide MOSFET inverter circuit in which a first and second silicon carbide MOSFETs are connected in series, wherein: a current density of a transient current is less than 1000A/cm2 during a turn-off period of a to-be-controlled MOSFET; and a gate of the to-be-controlled MOSFET is turned on during the turn-off period such that a saturation current period is less than 5 μs. Provided is a control method of a silicon carbide MOSFET inverter circuit in which a first and second silicon carbide MOSFETs are connected in series, comprising: turning off a to-be-controlled MOSFET; and turning on a gate of the to-be-controlled MOSFET during a turn-off period of the to-be-controlled MOSFET such that a saturation current period is less than 5 μs, wherein a current density of a transient current is less than 1000A/cm2 during the turn-off period.
H02M 7/5387 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs, p. ex. onduleurs à impulsions à un seul commutateur dans une configuration en pont
H01L 27/07 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive les composants ayant une région active en commun
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
Provided is a semiconductor device, including: a semiconductor substrate including an active portion provided with a transistor portion; an emitter electrode provided above a front surface of the semiconductor substrate; and a protective film provided above the emitter electrode, where the active portion includes: an emitter region of a first conductivity type provided on the front surface of the semiconductor substrate; a contact region of a second conductivity type; and a plurality of trench portions, where the emitter electrode includes an exposed portion not covered by the protective film, and where the active portion includes: in a region in which the exposed portion is provided, a first region; and a second region provided at an outer circumference of the first region and having a channel density lower than that of the first region.
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
A semiconductor device includes a plurality of semiconductor units connected in parallel to each other; a housing for surrounding the plurality of semiconductor units; a lid disposed on the housing and facing the plurality of semiconductor units; a wiring portion disposed on the lid; and a plurality of connecting portions, each corresponding to one of the plurality of semiconductor units, in which: each of the plurality of semiconductor units includes a first conductor; a semiconductor chip disposed on the first conductor; and a second conductor connected to the semiconductor chip so as to control the semiconductor chip, and a connecting portion that is any one of the plurality of connecting portions is interposed between the wiring portion and a second conductor included in a corresponding semiconductor unit and is electrically connecting the wiring portion to the second conductor included in the corresponding semiconductor unit.
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
Provided is a semiconductor device which includes: a current detection part through which a detection current corresponding to a main current of a transistor part flows; a current detection pad disposed above a semiconductor substrate and disposed side by side with the current detection part in a first direction; a built-in resistance part which is provided above the semiconductor substrate and which connects the current detection part and the current detection pad; and gate wiring disposed above the semiconductor substrate and connected to a gate conductive part. The built-in resistance part and the gate wiring are disposed side by side, between the current detection part and the current detection pad, in the first direction.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
A power converter includes a capacitor, a substrate on which a plurality of switching elements for power conversion are mounted, a housing that accommodates the substrate, and a plurality of lines. Each line is electrically connected to the capacitor and many of the plurality of switching elements. At least one line among the plurality of lines includes a conductive pattern formed on the substrate.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
H02M 7/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continuTransformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
H02M 7/537 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs, p. ex. onduleurs à impulsions à un seul commutateur
H02M 7/5387 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs, p. ex. onduleurs à impulsions à un seul commutateur dans une configuration en pont
A semiconductor device, including a wiring member having a coil portion. The coil portion includes: a plurality of first slits and a plurality of second slits arranged alternately in a first direction, each first slit extending from a first side of the wiring member in a second direction, and each second slit extending from a second side of the wiring member in a direction opposite to the second direction, a plurality of first inter-slit regions each between one of the first slits and one of the second slits adjacent thereto in the first direction, and a plurality of second inter-slit regions each between one of the second slits and one of the first slits adjacent thereto in the first direction. The first and second inter-slit regions have first peak portions and second peak portions at center portions thereof, on opposite sides of a principal surface of the wiring member.
H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
A semiconductor device includes: first and second semiconductor chips provided separately from each other, each semiconductor chip including a first main electrode on a top surface side and a second main electrode on a bottom surface side; and a printed circuit board provided at a circumference of the first and second semiconductor chips, the printed circuit board including a plurality of wiring layers including a first wiring layer which is an uppermost layer electrically connected to the first main electrode of the first semiconductor chip through a connection member, and a second wiring layer which is a lowermost layer electrically connected to the first wiring layer through a via and further to the second main electrode of the second semiconductor chip, and an insulating layer provided between the respective wiring layers.
H01L 25/11 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans la sous-classe
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif
H05K 1/11 - Éléments imprimés pour réaliser des connexions électriques avec ou entre des circuits imprimés
A semiconductor device, having: a circuit board, including a wiring board and a semiconductor element disposed on a first surface of the wiring board; a case having a hollow portion housing the circuit board; and a first conductive terminal and a second conductive terminal attached to the case, each of the first conductive terminal and the second conductive terminal having an inner connection portion exposed to the hollow portion of the case. The inner connection portions have a first gap therebetween in the hollow portion of the case. The first conductive terminal and the second conductive terminal each have a discharge portion facing each other across a second gap narrower than the first gap. The discharge portion of the first conductive terminal and the discharge portion of the second conductive terminal protrude to a position away from other members.
H01L 23/62 - Protection contre l'excès de courant ou la surcharge, p. ex. fusibles, shunts
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/057 - ConteneursScellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base isolante qui sert de support pour le corps semi-conducteur les connexions étant parallèles à la base
H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 23/36 - Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p. ex. dissipateurs de chaleur
H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
H02M 7/539 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs, p. ex. onduleurs à impulsions à un seul commutateur avec commande automatique de la forme d'onde ou de la fréquence de sortie
H03K 17/08 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension
Provided is a semiconductor device including: a plurality of transistor regions; a gate pad provided over a semiconductor substrate; a built-in resistance part electrically connected to the gate pad; a plurality of gate wiring parts electrically connected to the built-in resistance part and provided in accordance with the plurality of transistor regions; and a plurality of wiring resistance parts provided in accordance with the plurality of gate wiring parts. The plurality of gate wiring parts may include a gate metal layer provided over the semiconductor substrate and a gate runner provided under the gate metal layer.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 21/3205 - Dépôt de couches non isolantes, p. ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantesPost-traitement de ces couches
H01L 23/532 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées caractérisées par les matériaux
H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
The present invention maintains insulating properties between electroconductive plates. According to the present invention, a semiconductor device is equipped with: a first electroconductive plate (22a), which comprises copper or a copper alloy as a main component; a second electroconductive plate (23a), which has a second back surface (23a7) facing the first electroconductive plate (22a) and a side surface connected to the second back surface (23a7) and comprises copper or a copper alloy as a main component; and a second oxide film (23b), which is provided on the second back surface (23a7) and side surface of the second electroconductive plate (23a), has electrical insulating properties, and includes an oxide of a metal element differing from the metal(s) of the second electroconductive plate (23a). A first oxide film (22b) and the second oxide film (23b) are used as insulating members between a first wiring part (22a2) of the first electroconductive plate (22a) and a second wiring part (23a2) of the second electroconductive plate (23a).
H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p. ex. fils de connexion ou bornes
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans la sous-classe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs différents groupes principaux de la même sous-classe , , , , ou
Provided is a semiconductor device including: a front surface electrode provided above the semiconductor substrate; a trench contact portion at which the front surface electrode and the mesa portion are connected to each other in the transistor portion; and a front surface contact portion at which the front surface electrode and the mesa portion are connected to each other in the diode portion, where a lower end of the front surface contact portion is arranged above a lower end of the trench contact portion.
H01L 27/07 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive les composants ayant une région active en commun
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
A semiconductor device, including: a semiconductor element; a main terminal that includes a fastening portion including a fastening hole, through which the main terminal is fastenable to an external conductor by a screw and a nut, and an extending portion extending from a first side of the fastening portion toward the semiconductor element, the extending portion being electrically connected to the semiconductor element; and a case that houses the semiconductor element. The case has a recess configured to accommodate the nut fastening the main terminal through the fastening hole. The main terminal further includes a bent portion that is bent from a peripheral edge of the fastening portion at a second side thereof different from the first side, and that is disposed between a wall surface of the recess in the case and the nut fastening the main terminal through the fastening hole.
H01L 23/057 - ConteneursScellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base isolante qui sert de support pour le corps semi-conducteur les connexions étant parallèles à la base
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
A semiconductor device, including an electrically conductive portion, and a terminal. The terminal includes a bonding portion that is of a flat plate shape and has: a rear surface bonded to the electrically conductive portion, and a front surface having an indentation formed thereon. The front surface has two opposite sides that are respectively a bonding front-end side and a bonding rear-end side. The indentation has two opposite sides that are respectively an indentation front-end side and an indentation rear-end side. The indentation front-end side is flush with the bonding front-end side. A length of the indentation rear-end side is shorter than a length of the bonding rear-end side.
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/057 - ConteneursScellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base isolante qui sert de support pour le corps semi-conducteur les connexions étant parallèles à la base
H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 23/36 - Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p. ex. dissipateurs de chaleur
H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
70.
SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MODULE
A semiconductor module, including: a stacked substrate including a plurality of circuit boards formed on an upper surface of an insulating plate; a semiconductor element formed on an upper surface of one of the plurality of circuit boards; and a metal wiring board formed on an upper surface of the semiconductor element. The metal wiring board has a bonding portion bonded to the upper surface of the semiconductor element via a bonding material. The bonding portion includes a plate-shaped portion having an upper surface and a lower surface. The plate-shaped portion has a roughened region in which a plurality of recessed portions are formed on the upper surface of the plate-shaped portion. The plurality of recessed portions include a plurality of first recessed portions that each has a peeling suppressing portion protruding inward to thereby narrow a width of each first recessed portion.
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans la sous-classe
A semiconductor module, including: a stacked substrate, which includes an insulating plate, and a plurality of circuit boards formed on an upper surface of the insulating plate; a semiconductor element formed on an upper surface of one of the plurality of circuit boards; and a metal wiring board formed on an upper surface of the semiconductor element. The metal wiring board has a plate-shaped bonding portion bonded to the upper surface of the semiconductor element via a bonding material. The plate-shaped bonding portion has a plurality of recessed portions formed on an upper surface thereof, each recessed portion is of a hexagonal shape in a plan view of the semiconductor module.
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans la sous-classe
H05K 1/14 - Association structurale de plusieurs circuits imprimés
72.
PRESS-FIT TERMINAL, TERMINAL STRUCTURE, AND SEMICONDUCTOR MODULE
A press-fit terminal to be connected to a substrate having a through hole includes a press-fit portion configured to be press-fitted and held inside the through hole; and a fitting portion configured to fit to an outer surface of the substrate outside the through hole and restrict movement of the press-fit terminal in a direction in which the press-fit terminal comes off from the through hole.
H01R 12/58 - Connexions fixes pour circuits imprimés rigides ou structures similaires caractérisées par les bornes bornes pour insertion dans des trous
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans la sous-classe
A semiconductor module, including: a stacked substrate including a plurality of circuit boards formed on an upper surface of an insulating plate; a semiconductor element formed on an upper surface of one of the plurality of circuit boards; and a metal wiring board formed on an upper surface of the semiconductor element. The metal wiring board has a bonding portion bonded to the upper surface of the semiconductor element via a bonding material. The bonding portion includes a plate-shaped portion having an upper surface and a lower surface. The plate-shaped portion has a roughened region in which a plurality of recessed portions are formed on the upper surface thereof. The plurality of recessed portions include a plurality of kinds, each kind differing in at least one of a size, a shape, and a depth of the recess portions therein from another kind.
Provided is a semiconductor device (100) comprising a floating region (202) of a second conductivity type which is disposed under a lower end (43) of a first gate trench part (40) on the upper surface side of a semiconductor substrate (10) and does not extend under a lower end (33) of a first dummy trench part. A first mesa part is provided in contact with the first gate trench part and includes: an emitter region (12) of a first conductivity type having a higher concentration than in a drift region (18); and a base region (14) of the second conductivity type provided between the emitter region and the drift region and being in contact with the first gate trench part. The lower end of the first dummy trench part is in contact with the region of the first conductivity type.
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
A semiconductor device according to the present invention includes a transistor part and a diode part. The transistor part includes a first gate trench part provided closest to the diode part, and a first mesa part that is in contact with the first gate trench part and is provided between the first gate trench part and the diode part. A first floating region is provided below the first gate trench part, and the first mesa part has a non-covering region that does not overlap the first floating region.
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
A semiconductor module includes a stacked substrate in which a plurality of circuit boards are arranged on an upper surface of an insulating plate, a semiconductor element arranged on an upper surface of at least one of the circuit boards, and a metal wiring board arranged on an upper surface of the semiconductor element. The metal wiring board has a first bonding portion bonded to the upper surface of the semiconductor element via a bonding material. The first bonding portion includes a plate-shaped portion having an upper surface and a lower surface, and at least one groove is provided along an outer periphery of the first bonding portion on the upper surface of the plate-shaped portion.
ELECTROMAGNETIC CONTACTOR, INTER-CONTACT GAP ADJUSTMENT METHOD OF ELECTROMAGNETIC CONTACTOR, AND STROKE AMOUNT CALCULATION METHOD AND WIPE AMOUNT CALCULATION METHOD OF ELECTROMAGNETIC CONTACTOR
An electromagnetic contactor comprises: fixed contact pieces 3 including fixed contacts 9; an electromagnet unit 5 to which a movable contact piece 4, the movable contact piece 4 including movable contacts 10, the movable contacts 10 coming into contact with and being separated from the fixed contacts, is joined via a contact support 11; and a hermetically sealed container 2 configured to contain the fixed contact pieces, the movable contact piece, and the electromagnet unit in the same space, wherein in the electromagnet unit 5, unit-side joining portions 25a and 25b, the unit-side joining portions 25a and 25b being joined to container-side joining portions 33 and 36 arranged on the hermetically sealed container from the direction of movement of the movable contact piece, respectively, are arranged, and flat plate-shaped spacers 34 and 37 by which an inter-contact gap G between the fixed contacts and the movable contacts is adjusted are arranged interposed between the container-side joining portion and the unit-side joining portion.
A semiconductor device includes an insulating substrate having a plurality of wiring patterns thereon, a semiconductor chip disposed on one wiring pattern among the plurality of wiring patterns, metal wiring electrically connected to the semiconductor chip, a case having a bottom at which the insulating substrate is disposed, and an insulating encapsulating member that fills in the case from an upper surface of the insulating substrate to have a thickness sufficient to cover the semiconductor chip while leaving at least part of the metal wiring exposed.
A semiconductor apparatus is provided, comprising: a heat sink; a first semiconductor module cell which is provided above the heat sink; a second semiconductor module cell which is provided above the heat sink and is provided to be in contact with the first semiconductor module cell; and a casing portion which is coupled to the heat sink and accommodates the first semiconductor module cell and the second semiconductor module cell, the first semiconductor module cell having: a first semiconductor chip; and a first encapsulating portion which covers the first semiconductor chip, the second semiconductor module cell having: a second semiconductor chip; and a second encapsulating portion which covers the second semiconductor chip, a side surface of the first encapsulating portion and that of the second encapsulating portion being in contact with each other.
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
A semiconductor device, including: a semiconductor chip formed on a heat dissipation plate; a pool part including a bottom surface, two long lateral faces, and two short lateral faces defining a pool space; a guide part installed in the pool space and having first and second ends both connected to one of the short lateral face, at positions opposite to each other across an inlet formed on the one short lateral face, so as to separate a guide space from the pool space; and a guide plate disposed in the pool space on the guide part. In the plan view, the guide plate has a slit formed within an area thereof overlapping the guide space. The heat dissipation plate is disposed on the pool part. A geometrical area of a cross-section of the guide space becomes smaller as the cross-section is farther away from the inlet of the pool part.
H01L 23/473 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température impliquant le transfert de chaleur par des fluides en circulation par une circulation de liquides
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 23/36 - Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p. ex. dissipateurs de chaleur
H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
An integrated circuit including: a first command value output circuit outputting a first command value to turn on a transistor for a first time period; an on signal output circuit outputting an on signal to turn on the transistor, in response to an inductor current decreasing to or below a predetermined value after turning-off of the transistor; a delay circuit delaying the on signal by a predetermined time period; a correction circuit generating a second command value to turn on the transistor for a second time period; a driver circuit turning on and off the transistor respectively based on the delayed on-signal and the second command value; and a second estimation circuit estimating the rectified voltage. The correction circuit corrects the first command value based on the first voltage, the estimated rectified voltage, and the predetermined time period.
H02M 1/42 - Circuits ou dispositions pour corriger ou ajuster le facteur de puissance dans les convertisseurs ou les onduleurs
H02M 1/00 - Détails d'appareils pour transformation
H02M 3/156 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p. ex. régulateurs à commutation
Solder material with excellent elongation at break in high-temperature environments. Provided are: a solder material containing 5.0% by mass or more and 10.0% by mass or less of Sb, 2.0% by mass or more and 6.0% by mass or less of Ag, 0.1% by mass or more and 0.5% by mass or less of Ni, 3.0% by mass or more and 8.0% by mass or less of Cu, and the remainder consisting of Sn and inevitable impurities; a solder bonding portion including a bonding layer in which the solder material is melted; and a semiconductor device including the bonding portion.
Provided is a semiconductor device comprising a semiconductor substrate having an upper surface and a lower surface, with a bulk donor distributed between the upper surface and the lower surface, that has a drift region of a first conductivity type provided thereon, the semiconductor device comprising a high-concentration region of a first conductivity type that is arranged between the drift region and the lower surface of the semiconductor substrate, includes a hydrogen donor, and has a carrier concentration that is higher than a bulk donor concentration, wherein the high-concentration region has a first portion in which a hydrogen donor concentration obtained by subtracting a bulk donor concentration from a carrier concentration is 7×1013/cm3 or more and 1.5×1014/cm3 or less, and a length of the first portion in a depth direction of the semiconductor substrate is 50% or more of a length of the high-concentration region.
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
A reference voltage circuit includes: a first resistor and a first pn junction device connected in series, and a second resistor, a third resistor, and a second pn junction device connected in series, both between a predetermined line and a ground; a first capacitor and a second capacitor; a voltage output circuit configured to amplify a first voltage at a first node between the first resistor and the first pn junction device, and amplify a second voltage at a second node between the second resistor and the third resistor, for a first time period and a second time period to thereby output a resultant voltage to the first capacitor and the second capacitor, respectively; and an amplifier circuit configured to amplify a difference between voltages at the first and second capacitors. A reference voltage corresponding to a voltage from the first amplifier circuit is applied to the predetermined line.
G05F 3/30 - Régulateurs utilisant la différence entre les tensions base-émetteur de deux transistors bipolaires fonctionnant à des densités de courant différentes
G01L 9/02 - Mesure de la pression permanente, ou quasi permanente d’un fluide ou d’un matériau solide fluent par des éléments électriques ou magnétiques sensibles à la pressionTransmission ou indication par des moyens électriques ou magnétiques du déplacement des éléments mécaniques sensibles à la pression, utilisés pour mesurer la pression permanente ou quasi permanente d’un fluide ou d’un matériau solide fluent en faisant usage des variations de la résistance ohmique, p. ex. de potentiomètre
A semiconductor module includes a printed circuit board and an internal terminal unit. The internal terminal unit includes an internal terminal group including a plurality of internal terminals that are aligned in a predetermined direction and each have a first width in the predetermined direction, and an extended internal terminal that has a step portion formed by a first portion having the first width and a second portion having a second width greater than the first width in the predetermined direction and that supports the printed circuit board by the second portion. The extended internal terminal is located at a first end of the internal terminal unit that is opposite to a second end of the internal terminal unit in the predetermined direction. The second portion extends from the first portion in the predetermined direction from the second end toward the first end of internal unit.
A controller is configured to perform a process including operating or releasing an electrically driven hermetic retention device configured to retain airtightness between a door and an opening of a railway vehicle, according to whether or not there is a possibility of an opening operation of the door within a predetermined period.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
Provided is a semiconductor device including a portion which operates as a transistor, in which the transistor includes a gate trench portion to which a gate voltage is applied, an emitter region in contact with the gate trench portion, and a base region in contact with the gate trench portion, and a threshold voltage at which the transistor transits from an off state to an on state in an ambient temperature of 25° C. is larger than a half of a first voltage for turning on the transistor.
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
A semiconductor device includes: a semiconductor chip including upper and lower surfaces and transistor regions and diode regions being arranged alternately with one another along the upper and lower surfaces; a lead frame containing copper disposed on the upper surface of the semiconductor chip; a plating layer containing nickel disposed on a semiconductor chip-side surface of the lead frame; a solder layer that contains tin and bonds the upper surface of the semiconductor chip to the plating layer; an insulated circuit board that is disposed on the lower surface of the semiconductor chip and has a wiring layer containing copper disposed on a semiconductor chip-side surface thereof; a plating layer containing nickel that is disposed on a semiconductor chip-side surface of the wiring layer; and a solder layer containing tin that bonds the lower surface of the semiconductor chip to the plating layer.
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
H01L 23/473 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température impliquant le transfert de chaleur par des fluides en circulation par une circulation de liquides
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans la sous-classe
90.
TERMINAL, METHOD FOR MANUFACTURING TERMINAL, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
A terminal includes a plate-like first terminal component having a through hole and a second terminal component having a columnar portion at an end thereof. The columnar portion extends through the through hole and is exposed outside the first terminal component. The second terminal component is mechanically joined to the first terminal component at the columnar portion, which has plastic deformation. An outer surface of the columnar portion contacts an inner surface of the first terminal component that bounds the through hole. The through hole has a polygonal cross section orthogonal to an axis of the columnar portion.
The present invention prevents decreases in heat dissipation. A semiconductor device (1) includes: an insulating circuit board (20) having a lower surface (23a); a heat dissipation base plate (40) including a front surface (40a), and having a placement region (40b) where the lower surface (23a) of the insulating circuit board (20) is placed on the front surface (40a) via a solder (27); a plating film (41) which is formed on the front surface (40a) of the heat dissipation base plate (40) except for at a solder region where the solder (27) is spread over the placement region (40b) of the front surface (40a); and an alloy layer which is included between the solder (27) and the placement region (40b) of the heat dissipation base plate (40), and contains solder components contained in the solder (27). In particular, in the semiconductor device (1), the plating film (41) is formed on the entire surface of the heat dissipation base plate (40) excluding an open region (41a) that surrounds the outer perimeter of the periphery of the placement region (40b) where the insulating circuit board (20) is placed via the solder (27).
An electric power conversion apparatus comprising an inverter that converts input DC power into AC power and a control device that controls the inverter, wherein the control device preferentially limits one current, out of an effective current and a reactive current output from the inverter, more than the other current so that an apparent current output from the inverter is equal to or less than a limit value.
H02M 7/48 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
93.
SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING SAME
Provided is a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device, the method being capable of bringing an electrode into ohmic contact with a semiconductor layer made of silicon carbide without forming a silicide layer. The method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device includes: a step for ion-implanting impurities into, on the upper surface thereof, a first semiconductor layer made of 4H-SiC silicon carbide at an angle of 30° or more but less than 90° with respect to a line normal to the upper surface of the first semiconductor layer, to form on the upper surface of the first semiconductor layer, a second semiconductor layer made of silicon carbide containing 3C-SiC at least on the upper surface side thereof; and a step for forming a main electrode on the upper surface side of the second semiconductor layer.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 21/329 - Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type bipolaire, p.ex. diodes, transistors, thyristors les dispositifs comportant une ou deux électrodes, p.ex. diodes
H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
An integrated circuit for a power supply circuit that generates an output voltage from an AC voltage. The power supply circuit includes a full-wave rectifier circuit rectifying the AC voltage, a filter receiving the rectified voltage, an inductor receiving a voltage from the filter, and a transistor controlling an inductor current flowing through the inductor. The integrated circuit is configured to switch the transistor, and comprises: a terminal configured to receive a first voltage corresponding to a sum of a first current, which flows from the filter to a ground, and the inductor current; and a switching control circuit configured to turn on the transistor in response to the inductor current becoming smaller than a predetermined value, and turn off the transistor such that a peak value of the sum and the rectified voltage have waveforms that are in phase, and are proportional in amplitude, to each other.
H02M 7/217 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 1/00 - Détails d'appareils pour transformation
H02M 1/12 - Dispositions de réduction des harmoniques d'une entrée ou d'une sortie en courant alternatif
H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
H02M 1/42 - Circuits ou dispositions pour corriger ou ajuster le facteur de puissance dans les convertisseurs ou les onduleurs
H02M 1/44 - Circuits ou dispositions pour corriger les interférences électromagnétiques dans les convertisseurs ou les onduleurs
A semiconductor module includes a wiring terminal having an insulating layer, first and second conductive layers sandwiching the insulating layer therebetween, and a semiconductor module. The insulating layer has an insulating peripheral side that extends more outwardly than a conductive peripheral side of each of the first and second conductive layers. The semiconductor module includes a semiconductor chip, first and second terminals respectively electrically connected to the semiconductor chip, and a fixing part. The first and second terminals include first and second end parts having first and second contact surfaces in contact with the first and second conductive layers, respectively. The fixed part has a basal surface facing the insulating peripheral side, having a recess between the first and second end parts into which the insulating peripheral side is inserted.
H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans la sous-classe
A semiconductor device includes a capacitor including a first connection terminal, a second connection terminal, and a second insulating member disposed between the first connection terminal and the second connection terminal, and a semiconductor module including a multi-layer terminal portion in which a first power terminal, a first insulating member, and a second power terminal are sequentially stacked. The first connection terminal and the second connection terminal extend to an outside, the first power terminal includes a first bonding area electrically connected to the first connection terminal, the second power terminal includes a second bonding area electrically connected to the second connection terminal, and the first insulating member includes a terrace portion extending from an end portion of the second power terminal toward the first connection terminal in a plan view of the semiconductor module.
H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
H01L 23/49 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p. ex. fils de connexion ou bornes formées de structures soudées du type fils de connexion
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
H01R 43/02 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication, l'assemblage, l'entretien ou la réparation de connecteurs de lignes ou de collecteurs de courant ou pour relier les conducteurs électriques pour connexions soudées
97.
SEMICONDUCTOR APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR APPARATUS
A semiconductor apparatus includes a flat portion disposed in a predetermined region containing a central depth position of a semiconductor substrate, between a fist peak disposed in an upper surface side of the semiconductor substrate and a second peak disposed in a lower surface side of the semiconductor substrate, and having a substantially flat concentration higher than a bulk donor concentration in a donor concentration distribution in a depth direction of a semiconductor substrate. The entire oxygen chemical concentration between the first peak and the second peak ranges from 3×1015 atoms/cm3 to 2×1018 atoms/cm3.
H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
H01L 29/36 - Corps semi-conducteurs caractérisés par la concentration ou la distribution des impuretés
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
A geothermal power generation system according to one embodiment of the present invention comprises: a gas-liquid separator; a first pipe; a first valve that opens and closes the flow path of the first pipe; a second pipe; an analysis device; a control device that performs control for determining at least one chemical agent from among a plurality of chemical agent candidates on the basis of the result of analysis performed by the analysis device, and for supplying the chemical agent; a chemical agent supply port which is provided to the first pipe and through which the chemical agent is supplied; a third pipe that branches off the second pipe; a chemical agent recovery line that branches off the second pipe and is connected to the second pipe; a waste liquid recovery part, a scale separation part, a first chemical agent recovery part, an impurity separation part, a second chemical agent recovery part, a chemical agent purification part, and a regenerated chemical agent tank, which are provided in midcourse of the chemical agent recovery line sequentially from the upstream side; and a waste liquid adjustment device. The waste liquid adjustment device is connected to the scale separation part, the impurity separation part, and the chemical agent purification part.
C02F 5/00 - Adoucissement de l'eauPrévention de l'entartrageAddition à l'eau d'agents antitartre ou détartrants, p. ex. addition d'agents séquestrants
B08B 3/08 - Nettoyage impliquant le contact avec un liquide le liquide ayant un effet chimique ou dissolvant
C02F 5/08 - Traitement de l'eau avec des produits chimiques complexants ou des agents solubilisants pour l'adoucissement, la prévention ou l'élimination de l'entartrage, p. ex. par addition d'agents séquestrants
C02F 5/10 - Traitement de l'eau avec des produits chimiques complexants ou des agents solubilisants pour l'adoucissement, la prévention ou l'élimination de l'entartrage, p. ex. par addition d'agents séquestrants en utilisant des substances organiques
F01D 25/00 - Parties constitutives, détails ou accessoires non couverts dans les autres groupes ou d'un intérêt non traité dans ces groupes
F01K 27/00 - Ensembles fonctionnels transformant la chaleur ou l'énergie d'un fluide en énergie mécanique, non prévus ailleurs
F03G 4/00 - Dispositifs produisant une puissance mécanique à partir d'énergie géothermique
99.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
Provided is a semiconductor device comprising an active portion and a temperature-sensitive portion. The temperature-sensitive portion includes: a temperature-sensitive trench part provided on a front surface side of the semiconductor substrate; a temperature-sensitive anode region provided inside a trench of the temperature-sensitive trench part; and a temperature-sensitive cathode region provided in contact with the temperature-sensitive anode region inside the trench of the temperature-sensitive trench part. Provided is a semiconductor device comprising: an active portion provided in a semiconductor substrate; a temperature-sensitive portion provided over the semiconductor substrate; and an interlayer insulating film provided over the active portion and the temperature-sensitive portion. The temperature-sensitive portion includes a recess region having a recess on a front surface side of the semiconductor substrate, and a temperature-sensitive diode portion provided over the semiconductor substrate in the recess region. The height position of the upper surface of the interlayer insulating film in the active portion in the depth direction of the semiconductor substrate is the same as the height position of the upper surface of the interlayer insulating film in the recess region.
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
100.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
The present invention provides a semiconductor device comprising an active part provided to a semiconductor substrate, and a temperature-sensitive part provided above the semiconductor substrate. The temperature-sensitive part has: a temperature-sensitive diode provided above the semiconductor substrate; a first interlayer insulation film provided above the temperature-sensitive diode; a temperature-sensitive contact portion provided extending from the upper surface to the lower surface of the first interlayer insulation film; and a housing portion provided below the temperature-sensitive contact portion. A bottom-surface corner section of the temperature-sensitive contact portion is in contact with the temperature-sensitive diode, and the bottom surface of the temperature-sensitive contact portion is in contact with the housing portion.
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
