A terminal includes a plate-like first terminal component having a through hole and a second terminal component having a columnar portion at an end thereof. The columnar portion extends through the through hole and is exposed outside the first terminal component. The second terminal component is mechanically joined to the first terminal component at the columnar portion, which has plastic deformation. An outer surface of the columnar portion contacts an inner surface of the first terminal component that bounds the through hole. The through hole has a polygonal cross section orthogonal to an axis of the columnar portion.
Provided is a semiconductor device including a portion which operates as a transistor, in which the transistor includes a gate trench portion to which a gate voltage is applied, an emitter region in contact with the gate trench portion, and a base region in contact with the gate trench portion, and a threshold voltage at which the transistor transits from an off state to an on state in an ambient temperature of 25° C. is larger than a half of a first voltage for turning on the transistor.
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
A semiconductor device includes: a semiconductor chip including upper and lower surfaces and transistor regions and diode regions being arranged alternately with one another along the upper and lower surfaces; a lead frame containing copper disposed on the upper surface of the semiconductor chip; a plating layer containing nickel disposed on a semiconductor chip-side surface of the lead frame; a solder layer that contains tin and bonds the upper surface of the semiconductor chip to the plating layer; an insulated circuit board that is disposed on the lower surface of the semiconductor chip and has a wiring layer containing copper disposed on a semiconductor chip-side surface thereof; a plating layer containing nickel that is disposed on a semiconductor chip-side surface of the wiring layer; and a solder layer containing tin that bonds the lower surface of the semiconductor chip to the plating layer.
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
H01L 23/473 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température impliquant le transfert de chaleur par des fluides en circulation par une circulation de liquides
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans la sous-classe
An electric power conversion apparatus comprising an inverter that converts input DC power into AC power and a control device that controls the inverter, wherein the control device preferentially limits one current, out of an effective current and a reactive current output from the inverter, more than the other current so that an apparent current output from the inverter is equal to or less than a limit value.
H02M 7/48 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
The present invention prevents decreases in heat dissipation. A semiconductor device (1) includes: an insulating circuit board (20) having a lower surface (23a); a heat dissipation base plate (40) including a front surface (40a), and having a placement region (40b) where the lower surface (23a) of the insulating circuit board (20) is placed on the front surface (40a) via a solder (27); a plating film (41) which is formed on the front surface (40a) of the heat dissipation base plate (40) except for at a solder region where the solder (27) is spread over the placement region (40b) of the front surface (40a); and an alloy layer which is included between the solder (27) and the placement region (40b) of the heat dissipation base plate (40), and contains solder components contained in the solder (27). In particular, in the semiconductor device (1), the plating film (41) is formed on the entire surface of the heat dissipation base plate (40) excluding an open region (41a) that surrounds the outer perimeter of the periphery of the placement region (40b) where the insulating circuit board (20) is placed via the solder (27).
Provided is a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device, the method being capable of bringing an electrode into ohmic contact with a semiconductor layer made of silicon carbide without forming a silicide layer. The method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device includes: a step for ion-implanting impurities into, on the upper surface thereof, a first semiconductor layer made of 4H-SiC silicon carbide at an angle of 30° or more but less than 90° with respect to a line normal to the upper surface of the first semiconductor layer, to form on the upper surface of the first semiconductor layer, a second semiconductor layer made of silicon carbide containing 3C-SiC at least on the upper surface side thereof; and a step for forming a main electrode on the upper surface side of the second semiconductor layer.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 21/329 - Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type bipolaire, p.ex. diodes, transistors, thyristors les dispositifs comportant une ou deux électrodes, p.ex. diodes
H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
An integrated circuit for a power supply circuit that generates an output voltage from an AC voltage. The power supply circuit includes a full-wave rectifier circuit rectifying the AC voltage, a filter receiving the rectified voltage, an inductor receiving a voltage from the filter, and a transistor controlling an inductor current flowing through the inductor. The integrated circuit is configured to switch the transistor, and comprises: a terminal configured to receive a first voltage corresponding to a sum of a first current, which flows from the filter to a ground, and the inductor current; and a switching control circuit configured to turn on the transistor in response to the inductor current becoming smaller than a predetermined value, and turn off the transistor such that a peak value of the sum and the rectified voltage have waveforms that are in phase, and are proportional in amplitude, to each other.
H02M 7/217 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 1/00 - Détails d'appareils pour transformation
H02M 1/12 - Dispositions de réduction des harmoniques d'une entrée ou d'une sortie en courant alternatif
H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
H02M 1/42 - Circuits ou dispositions pour corriger ou ajuster le facteur de puissance dans les convertisseurs ou les onduleurs
H02M 1/44 - Circuits ou dispositions pour corriger les interférences électromagnétiques dans les convertisseurs ou les onduleurs
A semiconductor module includes a wiring terminal having an insulating layer, first and second conductive layers sandwiching the insulating layer therebetween, and a semiconductor module. The insulating layer has an insulating peripheral side that extends more outwardly than a conductive peripheral side of each of the first and second conductive layers. The semiconductor module includes a semiconductor chip, first and second terminals respectively electrically connected to the semiconductor chip, and a fixing part. The first and second terminals include first and second end parts having first and second contact surfaces in contact with the first and second conductive layers, respectively. The fixed part has a basal surface facing the insulating peripheral side, having a recess between the first and second end parts into which the insulating peripheral side is inserted.
H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans la sous-classe
A semiconductor device includes a capacitor including a first connection terminal, a second connection terminal, and a second insulating member disposed between the first connection terminal and the second connection terminal, and a semiconductor module including a multi-layer terminal portion in which a first power terminal, a first insulating member, and a second power terminal are sequentially stacked. The first connection terminal and the second connection terminal extend to an outside, the first power terminal includes a first bonding area electrically connected to the first connection terminal, the second power terminal includes a second bonding area electrically connected to the second connection terminal, and the first insulating member includes a terrace portion extending from an end portion of the second power terminal toward the first connection terminal in a plan view of the semiconductor module.
H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
H01L 23/49 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p. ex. fils de connexion ou bornes formées de structures soudées du type fils de connexion
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
H01R 43/02 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication, l'assemblage, l'entretien ou la réparation de connecteurs de lignes ou de collecteurs de courant ou pour relier les conducteurs électriques pour connexions soudées
10.
SEMICONDUCTOR APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR APPARATUS
A semiconductor apparatus includes a flat portion disposed in a predetermined region containing a central depth position of a semiconductor substrate, between a fist peak disposed in an upper surface side of the semiconductor substrate and a second peak disposed in a lower surface side of the semiconductor substrate, and having a substantially flat concentration higher than a bulk donor concentration in a donor concentration distribution in a depth direction of a semiconductor substrate. The entire oxygen chemical concentration between the first peak and the second peak ranges from 3×1015 atoms/cm3 to 2×1018 atoms/cm3.
H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
H01L 29/36 - Corps semi-conducteurs caractérisés par la concentration ou la distribution des impuretés
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
A geothermal power generation system according to one embodiment of the present invention comprises: a gas-liquid separator; a first pipe; a first valve that opens and closes the flow path of the first pipe; a second pipe; an analysis device; a control device that performs control for determining at least one chemical agent from among a plurality of chemical agent candidates on the basis of the result of analysis performed by the analysis device, and for supplying the chemical agent; a chemical agent supply port which is provided to the first pipe and through which the chemical agent is supplied; a third pipe that branches off the second pipe; a chemical agent recovery line that branches off the second pipe and is connected to the second pipe; a waste liquid recovery part, a scale separation part, a first chemical agent recovery part, an impurity separation part, a second chemical agent recovery part, a chemical agent purification part, and a regenerated chemical agent tank, which are provided in midcourse of the chemical agent recovery line sequentially from the upstream side; and a waste liquid adjustment device. The waste liquid adjustment device is connected to the scale separation part, the impurity separation part, and the chemical agent purification part.
C02F 5/00 - Adoucissement de l'eauPrévention de l'entartrageAddition à l'eau d'agents antitartre ou détartrants, p. ex. addition d'agents séquestrants
B08B 3/08 - Nettoyage impliquant le contact avec un liquide le liquide ayant un effet chimique ou dissolvant
C02F 5/08 - Traitement de l'eau avec des produits chimiques complexants ou des agents solubilisants pour l'adoucissement, la prévention ou l'élimination de l'entartrage, p. ex. par addition d'agents séquestrants
C02F 5/10 - Traitement de l'eau avec des produits chimiques complexants ou des agents solubilisants pour l'adoucissement, la prévention ou l'élimination de l'entartrage, p. ex. par addition d'agents séquestrants en utilisant des substances organiques
F01D 25/00 - Parties constitutives, détails ou accessoires non couverts dans les autres groupes ou d'un intérêt non traité dans ces groupes
F01K 27/00 - Ensembles fonctionnels transformant la chaleur ou l'énergie d'un fluide en énergie mécanique, non prévus ailleurs
F03G 4/00 - Dispositifs produisant une puissance mécanique à partir d'énergie géothermique
12.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
Provided is a semiconductor device comprising an active portion and a temperature-sensitive portion. The temperature-sensitive portion includes: a temperature-sensitive trench part provided on a front surface side of the semiconductor substrate; a temperature-sensitive anode region provided inside a trench of the temperature-sensitive trench part; and a temperature-sensitive cathode region provided in contact with the temperature-sensitive anode region inside the trench of the temperature-sensitive trench part. Provided is a semiconductor device comprising: an active portion provided in a semiconductor substrate; a temperature-sensitive portion provided over the semiconductor substrate; and an interlayer insulating film provided over the active portion and the temperature-sensitive portion. The temperature-sensitive portion includes a recess region having a recess on a front surface side of the semiconductor substrate, and a temperature-sensitive diode portion provided over the semiconductor substrate in the recess region. The height position of the upper surface of the interlayer insulating film in the active portion in the depth direction of the semiconductor substrate is the same as the height position of the upper surface of the interlayer insulating film in the recess region.
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
13.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
The present invention provides a semiconductor device comprising an active part provided to a semiconductor substrate, and a temperature-sensitive part provided above the semiconductor substrate. The temperature-sensitive part has: a temperature-sensitive diode provided above the semiconductor substrate; a first interlayer insulation film provided above the temperature-sensitive diode; a temperature-sensitive contact portion provided extending from the upper surface to the lower surface of the first interlayer insulation film; and a housing portion provided below the temperature-sensitive contact portion. A bottom-surface corner section of the temperature-sensitive contact portion is in contact with the temperature-sensitive diode, and the bottom surface of the temperature-sensitive contact portion is in contact with the housing portion.
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
Provided is a semiconductor device comprising an active part and a temperature-sensitive part, the semiconductor device comprising: a semiconductor substrate; and an interlayer insulating film provided above the semiconductor substrate. The active part includes an active trench part provided on a front surface of the semiconductor substrate, and an active contact part provided in the interlayer insulating film above the active trench part. The temperature-sensitive part has a temperature-sensitive diode provided above the semiconductor substrate, and a temperature-sensitive contact part provided in the interlayer insulating film above the temperature-sensitive diode. The contact width of the temperature-sensitive contact part is larger than the contact width of the active contact part. In the depth direction of the semiconductor substrate, the extension depth of the temperature-sensitive trench contact portion extending from an upper surface of the temperature-sensitive diode in the depth direction of the semiconductor substrate is shallower than the extension depth of the plurality of active trench contact portions extending from the front surface of the semiconductor substrate in the depth direction of the semiconductor substrate.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
15.
SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MODULE
Providing a semiconductor module, including: a laminated substrate; multiple semiconductor chips provided on the laminated substrate; a bonding wire connected to the multiple semiconductor chips; a housing which accommodates the multiple semiconductor chips, the bonding wire, and the laminated substrate; a first encapsulation layer which covers the multiple semiconductor chips, the bonding wire, and the laminated substrate inside the housing; a second encapsulation layer provided on the first encapsulation layer; and a third encapsulation layer provided on the second encapsulation layer. The first encapsulation layer is filled inside the housing up to a position higher than an upper surface of the bonding wire, and hardness of the second encapsulation layer is greater than hardness of the first encapsulation layer and less than hardness of the third encapsulation layer.
Provided is a circuit apparatus including a power conversion circuit and a transmission apparatus, the transmission apparatus transmitting a signal from the power conversion circuit, the power conversion circuit having an alarm signal generation unit which generates an alarm signal indicating whether the power conversion circuit is in a preset state, and a state signal generation unit which generates a state signal having an amplitude different from that of the alarm signal and indicating a state of the power conversion circuit. The power conversion circuit may further have an output terminal which outputs an output signal in which the alarm signal and the state signal are superimposed.
H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
H02M 3/156 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p. ex. régulateurs à commutation
A semiconductor device, including: a semiconductor substrate including a first-conductivity-type region at a first main surface; a second-conductivity-type region selectively provided at the first main surface and extending in a first direction parallel to the first main surface; a first electrode provided at the first main surface, forming a Schottky junction with the first-conductivity-type region and being in contact with the second-conductivity-type region; and a second electrode provided on a second main surface. The first-conductivity-type region and the second-conductivity-type region includes a plurality of upper surface portions that are aligned in both the first direction and a second direction parallel to the first main surface and perpendicular to the first direction. Each of the upper surface portions forms a first step with another upper surface portion adjacent thereto in the second direction, and forms a second or third step with another upper surface portion adjacent thereto in the first direction.
H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement ou une région de concentration de porteurs de charges
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
A semiconductor device includes a wiring board, a semiconductor element disposed on the wiring board, and a lead having a bonding surface that is bonded to a main electrode of the semiconductor element by a bonding material. The main electrode includes a first pad and a second pad separated by an insulating layer extending in a first direction. The lead has at the bonding surface a recess that faces the main electrode so as to overlap the insulating layer and extends in the first direction. The recess has two outer ends in the first direction, one of which overlaps one end of the lead in plan view. The recess has a bottom surface that faces the main electrode of the semiconductor element, is not in contact with the bonding material and is continuous from the one of the two outer ends thereof to another end thereof in the first direction.
H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
A geothermal power generation system including a binary power generation device having a medium evaporator comprises: a gas-liquid separator that separates geothermal water from geothermal fluid ejected from a production well; first piping that sends the geothermal water separated by the gas-liquid separator to the medium evaporator; a first valve that is provided to the first piping and opens and closes a flow path of the first piping; second piping that sends the geothermal water from which heat has been recovered by the binary power generation device from the medium evaporator to a reinjection well; an analysis device into which the geothermal water flowing through the second piping flows and which analyzes components of scale included in the inflow geothermal water; and a control device that determines at least one type of cleaning agent from among a plurality of types of cleaning agent candidates on the basis of the analysis result of the analysis device, and performs control to supply the selected cleaning agent, wherein the first piping has a cleaning agent supply port to which the cleaning agent is supplied on the downstream side of the first valve.
F03G 4/00 - Dispositifs produisant une puissance mécanique à partir d'énergie géothermique
B08B 3/08 - Nettoyage impliquant le contact avec un liquide le liquide ayant un effet chimique ou dissolvant
C02F 5/00 - Adoucissement de l'eauPrévention de l'entartrageAddition à l'eau d'agents antitartre ou détartrants, p. ex. addition d'agents séquestrants
C02F 5/08 - Traitement de l'eau avec des produits chimiques complexants ou des agents solubilisants pour l'adoucissement, la prévention ou l'élimination de l'entartrage, p. ex. par addition d'agents séquestrants
C02F 5/10 - Traitement de l'eau avec des produits chimiques complexants ou des agents solubilisants pour l'adoucissement, la prévention ou l'élimination de l'entartrage, p. ex. par addition d'agents séquestrants en utilisant des substances organiques
F01D 25/00 - Parties constitutives, détails ou accessoires non couverts dans les autres groupes ou d'un intérêt non traité dans ces groupes
F01K 27/00 - Ensembles fonctionnels transformant la chaleur ou l'énergie d'un fluide en énergie mécanique, non prévus ailleurs
A geothermal power generation system according to one aspect of the present invention comprises: a gas-liquid separator; a power generation device; a retention tank; a reinjection line; a reinjection pump; a chemical injection port provided in the reinjection line between the retention tank and the reinjection pump; a first chemical addition device that injects a chemical into the chemical injection port; a branch part that is provided in the middle of the reinjection line on the downstream side of the reinjection pump and above a reinjection well in the vertical direction, and branches a flow of the geothermal water; a first liquid analyzer; a scale piece collector; a dissolving agent addition device; and a control device that, on the basis of the analysis result of the first liquid analyzer, switches between injecting of the chemical and stopping of injection by the first chemical addition device, and switches between injecting of the dissolving agent and stopping of injection by the dissolving agent addition device.
F03G 4/00 - Dispositifs produisant une puissance mécanique à partir d'énergie géothermique
B08B 3/08 - Nettoyage impliquant le contact avec un liquide le liquide ayant un effet chimique ou dissolvant
C02F 5/00 - Adoucissement de l'eauPrévention de l'entartrageAddition à l'eau d'agents antitartre ou détartrants, p. ex. addition d'agents séquestrants
C02F 5/08 - Traitement de l'eau avec des produits chimiques complexants ou des agents solubilisants pour l'adoucissement, la prévention ou l'élimination de l'entartrage, p. ex. par addition d'agents séquestrants
C02F 5/10 - Traitement de l'eau avec des produits chimiques complexants ou des agents solubilisants pour l'adoucissement, la prévention ou l'élimination de l'entartrage, p. ex. par addition d'agents séquestrants en utilisant des substances organiques
F01D 25/00 - Parties constitutives, détails ou accessoires non couverts dans les autres groupes ou d'un intérêt non traité dans ces groupes
F01K 27/00 - Ensembles fonctionnels transformant la chaleur ou l'énergie d'un fluide en énergie mécanique, non prévus ailleurs
Provided is a circuit apparatus including a power conversion circuit, and a control circuit which controls the power conversion circuit, in which the power conversion circuit includes a control terminal to which a control signal from the control circuit is input, an output terminal from which an output signal is output to the control circuit, and a data identification unit which identifies an input data signal input to the output terminal. A first superimposed signal in which the output signal and the input data signal are superimposed on each other may be input to the data identification unit, and the data identification unit may identify the input data signal based on the first superimposed signal and the output signal.
H02M 7/217 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 1/00 - Détails d'appareils pour transformation
A pressure sensor apparatus, including: a substrate; a sensor provided on the substrate and configured to measure absolute pressure; a cover attached to the substrate to form a housing space, in which the sensor is housed, with the substrate; and a shield member. The cover is attached to the substrate with the shield member disposed therebetween and fully blocking passage of air therebetween. The cover has a hole through which the housing space communicates with an outside of the housing space.
G01L 19/00 - Détails ou accessoires des appareils pour la mesure de la pression permanente ou quasi permanente d'un milieu fluent dans la mesure où ces détails ou accessoires ne sont pas particuliers à des types particuliers de manomètres
G01L 19/06 - Moyens pour empêcher la surcharge ou l'influence délétère du milieu à mesurer sur le dispositif de mesure ou vice versa
A semiconductor module, including: a circuit board including a semiconductor element having an electrode on an upper surface thereof; a lead bonded to the electrode by a bonding material; and a sealing material that seals the semiconductor element and the lead. The lead includes: a bonding portion bonded to the electrode, the bonding portion having a lower surface facing the electrode, and an upper surface opposite to the lower surface, and a plurality of recesses formed on the upper surface of the bonding portion. In a plan view of the semiconductor module, the bonding portion has a plurality of sides, and each recess has a bottom surface of a planar shape, the planar shape having a side extending in a direction that is not orthogonal to any of the sides of the bonding portion. Each of the recesses a barbed portion protruding from a wall surface thereof.
A semiconductor module, including: a circuit board including a semiconductor element; a lead bonded to an electrode of the semiconductor element by a bonding material; and a sealing material sealing the semiconductor element and the lead. The lead includes: a bonding portion bonded to the electrode, and a roughening recess formed on an upper surface of the bonding portion. The roughening recess includes: a main recess having a first wall surfaces and a second wall surface opposite to each other, and a barbed portion formed on the first wall surface and protruding toward the second wall surface, and a sub-recess having: a center, which is located, in a plan view of the semiconductor module, outside the main recess and at a position away from the first wall surface by a predetermined distance, and an inclined surface that becomes shallower from the center toward an opening end of the main recess.
A method of manufacturing a vertical silicon carbide semiconductor device having an electrode on each of two main surfaces of a semiconductor chip in which an n-type low concentration buffer layer and an epitaxial layer are grown by epitaxy on a silicon carbide substrate. Defects extending from the silicon carbide substrate to the epitaxial layer and defects generated in the epitaxial layer during epitaxial growth are detected by a PL image of the n-type low concentration buffer layer; the defects generated in the epitaxial layer during the epitaxy are detected by a PL image of the epitaxial layer; the defects extending from the silicon carbide substrate to the epitaxial layer are detected by the difference between detection results; and semiconductor chips free of the defects extending from the silicon carbide substrate to the epitaxial layer are identified.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
The present invention ensures sufficient withstand voltage characteristics. A control conductive pattern (13d) includes a connection region (13d1) electrically connected to a control electrode (15a1), and, in a plan view, is adjacent to the opposite side of a chip region of a terminal region of an output conductive pattern (13c). Furthermore, the terminal region of the output conductive pattern (13c) has a recess (13c3) recessed from a first side to a second side on the +X direction side, in a plan view. The connection region (13d1) of the control conductive pattern (13d) is provided in the recess (13c3). The connection region (13d1) of the control conductive pattern (13d) is separated from the output terminal (63a).
H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p. ex. fils de connexion ou bornes
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans la sous-classe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs différents groupes principaux de la même sous-classe , , , , ou
27.
SEMICONDUCTOR MODULE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
A semiconductor module includes: a mounting board; a semiconductor chip mounted on the mounting board; a tubular support conductor mounted on the mounting board; a housing part that accommodates the mounting board, the semiconductor chip, and the support conductor; a connection terminal electrically connected to the semiconductor chip, the connection terminal including a first end portion press-fitted into the support conductor and a second end portion protruding from the housing part; and a conductive first joining part located between an inner wall surface of the support conductor and an outer wall surface of the connection terminal, and configured to join between the support conductor and the connection terminal.
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/053 - ConteneursScellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base isolante qui sert de support pour le corps semi-conducteur
H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
A semiconductor module includes: a heat radiation plate; a first insulating substrate disposed on a first surface of the heat radiation plate and having a semiconductor chip provided thereon; a frame-shaped case surrounding the first insulating substrate; external terminals provided across the inside and the outside of the case and electrically connected to the semiconductor chip via a bonding wire; and at least one second insulating substrate disposed between the heat radiation plate and the external terminals and having heat conductivity greater than that of the case. The second insulating substrate and the first surface of the heat radiation plate are bonded to each other by a heat conductive bonding material. Each external terminal and the second insulating substrate are joined to each other by press-fitting.
H01L 23/049 - ConteneursScellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base conductrice qui sert de support et en même temps de connexion électrique pour le corps semi-conducteur les autres connexions étant perpendiculaires à la base
H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans la sous-classe
29.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
Provided is a semiconductor device including: a semiconductor substrate including an active portion in which transistor portions and diode portions are alternately provided and provided with a plurality of trench portions extending in an extending direction of the transistor portion and the diode portion; an emitter electrode provided above a front surface of the semiconductor substrate; and a protective film of polyimide provided on an upper surface of the emitter electrode, wherein the diode portion includes a lifetime control region including a lifetime killer irradiated from a front surface side of the semiconductor substrate, wherein the active portion includes a protected region provided with the protective film and an unprotected region not provided with the protective film, and wherein the diode portion is included in the unprotected region and the protected region is included in the transistor portion.
H01L 21/22 - Diffusion des impuretés, p. ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductricesRedistribution des impuretés, p. ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire
H01L 23/29 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par le matériau
H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/32 - Corps semi-conducteurs ayant des surfaces polies ou rugueuses les défectuosités étant à l'intérieur du corps semi-conducteur
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
A semiconductor module includes at least one substrate and semiconductor switching elements. The substrate includes a first electrode pattern, a second electrode pattern, and a third electrode pattern, in which the first electrode pattern is positioned between the second electrode pattern and the third electrode pattern in plan view. Each semiconductor switching element has a first surface to be joined to the first electrode pattern, and a second surface facing in an opposite direction to the first surface. On the second surface, a control electrode, a control line to be connected to the control electrode, and a main electrode including regions divided by the control line are provided. Each of the regions is electrically connected to the second electrode pattern via a first wire and is electrically connected to the third electrode pattern via a second wire. The second electrode pattern is a pattern for a principal current. The third electrode pattern is used as an auxiliary pattern for control.
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/057 - ConteneursScellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base isolante qui sert de support pour le corps semi-conducteur les connexions étant parallèles à la base
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans la sous-classe
A semiconductor module, including: a semiconductor unit including first and second switching elements; a terminal structure including: a positive terminal electrically connected to a positive electrode of the first switching element, a negative terminal electrically connected to a negative electrode of the second switching element, a first insulating member sandwiched between the positive terminal and the negative terminal, and includes a protruding portion where a part of the first insulating member protrudes from between the positive terminal and the negative terminal, and second and third insulating members sandwiching the terminal structure and covering front and rear surfaces of at least a part of the protruding portion; and a case that is integrally molded with the terminal structure, and that houses the semiconductor unit.
H01L 23/043 - ConteneursScellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base conductrice qui sert de support et en même temps de connexion électrique pour le corps semi-conducteur
H01L 25/10 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés
Provided is a semiconductor device comprising a diode portion, comprising: a plurality of trench portions provided at a front surface of a semiconductor substrate; a drift region of a first conductivity type provided on the semiconductor substrate; an anode region of a second conductivity type provided above the drift region in the diode portion; a first plug region of the second conductivity type provided above the drift region in the diode portion, which has a doping concentration higher than a doping concentration of the anode region; a front surface side electrode provided above the semiconductor substrate; and an interlayer dielectric film provided above a mesa portion provided between the plurality of trench portions; wherein the anode region is connected to the front surface side electrode on side surfaces of the plurality of trench portions.
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/49 - Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur
A semiconductor device includes: an insulated circuit substrate including an insulating plate and a conductive plate provided on a top surface side of the insulating plate; a semiconductor chip provided on a top surface side of the conductive plate; a first external terminal electrically connected to the semiconductor chip; a first insulating member including a covering part covering a part of the first external terminal and a first engagement part provided on a top surface side of the covering part; a second external terminal provided on a top surface side of the first external terminal with the covering part interposed, and including a second engagement part so as to engage with the first engagement part; and a sealing resin provided to seal the semiconductor chip and partly seal each of the first external terminal, the first insulating member, and the second external terminal.
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 23/544 - Marques appliquées sur le dispositif semi-conducteur, p. ex. marques de repérage, schémas de test
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
A semiconductor device for operating an inductive load, including: a switching element having a control terminal, a low potential terminal and a high potential terminal; a drive circuit configured to apply a control voltage to the control terminal of the switching element to switching-drive the switching element, and operate the inductive load connected to the switching element; an extracting circuit configured to extract control terminal charges from the control terminal of the switching element when the switching element makes a transition from an on state to an off state; and a voltage control circuit connected to a connection point between the low potential terminal of the switching element and the inductive load, the voltage control circuit being configured to clamp a drop in a voltage at the connection point to a predetermined voltage while the extracting circuit is extracting the control terminal charges.
H03K 17/082 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension par réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
A beverage supply device 1 comprises a raw material box 51 in which a raw material is accommodated and stored, and which discharges the raw material to an extractor 30 by driving of a built-in raw material supply drive unit 51a, the beverage supply device 1 supplying a beverage produced with the extractor 30 to a cup C. The raw material box 51 includes: a delivery unit 511 having the built-in raw material supply drive unit 51a and delivering the raw material to the extractor 30 by driving of the raw material supply drive unit 51a; and an accommodation portion 512 which, by being engaged with the delivery unit 511 with a communication port 5122 of the accommodation portion 512 being in communication with an introduction port 5112 of the delivery unit 511, is disposed with a part thereof being exposed from a body cabinet 10, and is provided detachably with respect to the delivery unit 511. An operation unit 5115 for engaging and disengaging the accommodation portion 512 with or from the delivery unit 511 is disposed inside the body cabinet 10.
A47J 31/40 - Appareils à préparer des boissons avec des moyens de distribution pour ajouter une quantité mesurée d'ingrédients, p. ex. du café, de l'eau, du sucre, du cacao, du lait, du thé
B67D 1/07 - Nettoyage des appareils pour débiter des boissons
B67D 1/08 - Appareils ou dispositifs pour débiter des boissons à la pression Détails
Provided is a semiconductor device comprising: a drift region of a first conductivity type which is provided to a semiconductor substrate; an emitter region of the first conductivity type which is provided to a front surface of the semiconductor substrate and which has a higher doping concentration than the drift region; a plurality of trench parts which are provided above the drift region; a trench contact part which is provided to a mesa part between the plurality of trench parts; and a plug region of a second conductivity type which is provided in contact with a lower end of the trench contact part. The trench contact part may have a main trench contact which, in a plan view, extends in the trench extension direction, and a sub trench contact which, in a plan view, extends from the main trench contact in a direction differing from the trench extension direction.
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
A semiconductor device, including: a switch element configured to receive an input signal, and to switch on and off according to the input signal; and a protection control circuit configured to receive an operating state signal from the switch element, and to protect the switch element according to the operating state signal, the operating state signal including one of a short-circuit pulse with a first pulse width, which is generated by the switch element in a short-circuit state, or a micro short-circuit pulse with a second pulse width shorter than the first pulse width, the protection control circuit protecting the switch element upon detecting consecutive occurrences of the micro short-circuit pulse.
H03K 17/082 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension par réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
A semiconductor module includes: a semiconductor element; a conductor pattern including a terminal contact portion electrically connected to the semiconductor element; a sealing body provided to seal the semiconductor element and including an upper surface from which the terminal contact portion is exposed; a case provided with an accommodating portion configured to accommodate the sealing body; and an elastic member that, when an external terminal is inserted, applies a pressing force from a surface of the inserted external terminal opposite to a surface in contact with the terminal contact portion. The case is provided with a first insertion portion into which the external terminal is inserted.
H01L 23/049 - ConteneursScellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base conductrice qui sert de support et en même temps de connexion électrique pour le corps semi-conducteur les autres connexions étant perpendiculaires à la base
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
39.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
A semiconductor device includes: a semiconductor module including a semiconductor chip; a cooler configured to cool the semiconductor module; a thermal conductive layer interposed between the semiconductor module and the cooler; and a protective film covering: a boundary between the semiconductor module and the thermal conductive layer; and a boundary between the cooler and the thermal conductive layer, in which the protective film has a water absorption rate that is less than a water absorption rate of the thermal conductive layer.
The present invention provides a geothermal power generation system that can control deposition of silica scale. A geothermal power generation system includes: a production well; a steam separator that separates a geothermal fluid which is obtained from the production well, into steam and hot water; a turbine that is rotated by the steam separated by the steam separator; a reinjection well to which the geothermal fluid that has passed through the steam separator and/or the turbine is returned; a pH measurement system that extracts a part of the hot water separated by the steam separator and measures a pH of the hot water, and a first thermometer that measures a temperature of the hot water; an injection device that injects an alkaline chemical into the geothermal fluid; a second thermometer that measures a temperature of the geothermal fluid at a pH estimation point which is selected from the group consisting of an injection portion for the alkaline chemical, an outlet of the steam separator, and an inlet of the reinjection well; and a control device that controls the injection of the alkaline chemical by the injection device, on the basis of measurement results of the pH measurement system, the first thermometer, and the second thermometer.
Provided is a semiconductor device that has a plurality of gate trench portions electrically connected to a gate electrode, and a plurality of dummy trench portions electrically connected to an emitter electrode, and includes a first trench group that includes one gate trench portion and two dummy trench portions adjacent to the gate trench portion and adjacent to each other, and a second trench group that includes two gate trench portions adjacent to each other.
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
Provided is a semiconductor apparatus, comprising: a first electrode arranged above the semiconductor substrate; a protective film having a portion provided above the first electrode; a solder portion arranged sandwiching the protective film in a first direction parallel to an upper surface of the first electrode, a leadframe fixed by the solder portion and arranged above the protective film; and a second electrode, wherein when a width of the protective film is denoted as W1, a length of the protective film is denoted as L1, an arithmetic average roughness of a surface of the protective film is denoted as Ra, a scatter index is denoted as I, and a distance between the protective film and the second electrode is denoted as Dmin, following equations are satisfied: I=((Ra/4)×L1)/(2×(W1×W1/π)0.5), Dmin>2.583×I−16599.
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
In the present invention, the cooling performance of a cooler applied to a semiconductor device is improved. A cooler (2) comprises: a top plate on a first surface of which a heat-dissipating surface is formed; a bottom plate that is disposed facing the top plate and that has a greater thickness than that of the top plate; a plurality of fins (210) connected to at least the top plate; and a peripheral wall part formed, between the top plate and the bottom plate, so as to surround the outer periphery of the plurality of fins. A refrigerant flow path (260) surrounded by the top plate, the bottom plate, and the peripheral wall part is formed, the refrigerant flow path having a refrigerant inflow port (251) provided toward one end in a first direction of the refrigerant flow path and a refrigerant outflow port (252) provided toward the other end thereof in the first direction. The plurality of fins each include an inclined portion that, in a first plan view when viewed from a second direction perpendicular to the first direction, extends in a direction of displacement toward the refrigerant inflow port as the distance from the first surface of the top plate increases and that, in a second plan view when viewed from the first direction, extends in a direction of displacement in the second direction as the distance from the first surface of the top plate increases.
H01L 23/36 - Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p. ex. dissipateurs de chaleur
H01L 23/473 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température impliquant le transfert de chaleur par des fluides en circulation par une circulation de liquides
H05K 7/20 - Modifications en vue de faciliter la réfrigération, l'aération ou le chauffage
A semiconductor device includes: an insulated circuit board including an insulating plate and a conductive layer provided on a top surface side of the insulating plate; a semiconductor chip provided on a top surface side of the conductive layer; a sealing resin sealing the semiconductor chip; and an external terminal electrically connected to the semiconductor chip and having a lower portion embedded in the sealing resin and an upper portion projecting above a top surface of the sealing resin.
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans la sous-classe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs différents groupes principaux de la même sous-classe , , , , ou
A semiconductor device includes: an insulated circuit substrate; a semiconductor chip provided on a top surface side of the insulated circuit substrate; a sealing resin provided so as to seal the semiconductor chip; a first external terminal electrically connected to the semiconductor chip so as to be exposed on a first side surface of the sealing resin; a second external terminal electrically connected to the semiconductor chip and having a part opposed parallel to the first external terminal on an upper side of the first external terminal so as to be exposed on a top surface of the sealing resin; and a first insulating member interposed between the first external terminal and the second external terminal.
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans la sous-classe
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
A semiconductor apparatus includes (i) semiconductor chips including a power semiconductor chip including a switch and a control semiconductor chip including a control circuit configured to control the switch, (ii) redistribution layers including a first redistribution layer that electrically connects a first semiconductor chip to a second semiconductor chip from among the semiconductor chips, (iii) a first sealing material that seals the semiconductor chips and the redistribution layers, (iv) an insulating substrate including a first conductor layer, a second conductor layer and an insulating layer between the first and second conductor layers, in which the insulating substrate is fixed to the first sealing material to be opposed to the semiconductor chips and the redistribution layers, and (v) a second sealing material that seals the insulating substrate and the first sealing material.
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
An integrated circuit for a power supply circuit that includes a transformer, a transistor and a capacitor. The power supply circuit generates an output voltage from an AC voltage. The integrated circuit drives the transistor, and includes: a terminal connected to the capacitor and receiving a power supply voltage; a mode detection circuit detecting whether an operation mode of the power supply circuit is a first mode or a second mode; a discharge circuit discharging the capacitor and lowering the power supply voltage to a first level, when the operation mode is the first mode; and a drive signal output circuit outputting, to the transistor, a drive signal that is at a level of the power supply voltage, and at a predetermined level lower than the level of the power supply voltage, when the operation mode is detected to be the first mode and the second mode, respectively.
H02M 1/00 - Détails d'appareils pour transformation
H02M 7/217 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
48.
SEMICONDUCTOR MODULE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND VEHICLE
A semiconductor module includes a circuit board mounted on a base, a case having a sidewall and a lid and covering the circuit board, a plurality of conductive plates each parallel to a predetermined plane, electrically connected to different conductive patterns. The lid of the case has a partition that protrudes from an inner surface of the lid toward the base between two of the conductive plates. The partition has a first portion at a position where the partition and the conductive plates overlap each other, and a second portion at a position where the partition and the conductive plates do not overlap each other in a side view. The second portion has a cutout section disposed such that in a depth direction, a distance from the base to the second portion is greater than a distance from the base to the first portion.
A semiconductor device, including a semiconductor substrate, a transistor section and a diode section arranged in a predetermined arrangement direction and provided on the semiconductor substrate, is provided. The diode section includes a drift region of a first conductivity-type provided in the semiconductor substrate, a base region of a second conductivity-type extending to a height of an upper surface of the semiconductor substrate and provided above the drift region, first cathode regions of the first conductivity-type, and second and third cathode regions of the second conductivity-type. The first, second, and third cathode regions extend to a height of a lower surface of the semiconductor substrate in a depth direction and provided below the drift region. The first and second cathode regions are provided in contact with each other, alternating in the arrangement direction, and sandwiched between the third cathode regions in an extension direction orthogonal to the arrangement direction.
H01L 27/07 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive les composants ayant une région active en commun
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
The present invention provides a semiconductor device comprising: a transistor part; a current sensing part for detecting a current flowing in the transistor part; a gate pad provided above a semiconductor substrate; and a resistance adjustment part that is electrically connected to the gate pad and that adjusts the gate resistance of the transistor part and the current sensing part. The resistance adjustment part includes a main adjustment part that is electrically connected to a gate conductive part of the transistor part, and a sense adjustment part that is electrically connected to the gate conductive part of the current sensing part. Each of the main adjustment part and the sense adjustment part includes a diode element part having a plurality of diodes provided in reverse parallel, and a resistance part connected to the diode element part.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
This cooler comprises: a heat dissipation substrate (210) including a first main surface (210S1) on which one or more semiconductor elements (10) are mounted and a second main surface (210S2) which has a fin part provided thereto; a case body (200) which is in close contact with the second main surface and accommodates the fin part; and a structural body (240). The case body includes a first wall part (200M1), a second wall part (200M2) facing the first wall part, an introduction port (204A) through which a refrigerant is introduced into the case body, and a discharge port (204B) which is positioned in the direction of a main line (L) from the first wall part toward the second wall part with respect to the introduction port and through which the refrigerant is discharged from the inside of the case body. The structural body takes in the refrigerant flowing in from the introduction port, guides the refrigerant in a guide direction that intersects the main line, and causes the refrigerant to flow out from a position corresponding to the fin part.
H01L 23/473 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température impliquant le transfert de chaleur par des fluides en circulation par une circulation de liquides
H02M 7/48 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
H05K 7/20 - Modifications en vue de faciliter la réfrigération, l'aération ou le chauffage
A semiconductor module includes: a first semiconductor switching element including a first input electrode and a first output electrode; a second semiconductor switching element including a second input electrode and a second output electrode; an input part that receives an input of current; a first connection part that electrically connects the first input electrode and the input part; a second connection part that electrically connects the second input electrode and the input part; and an output part electrically connected to the first output electrode and the second output electrode. Each of the first connection part and the second connection part includes, as a current path, a variable resistive member comprising material with a positive temperature resistance coefficient higher than a temperature resistance coefficient of material of the input part.
H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans la sous-classe
53.
pH ESTIMATION DEVICE AND pH ESTIMATION METHOD FOR SILICA-SUPERSATURATED FLUID
A pH of a fluid is estimated without using a pH meter. A pH estimation system for a silica-supersaturated fluid includes: a first flow path that branches off from a pipe in which a fluid containing silica flows, and extracts a part of the fluid; a first measurement unit that is connected to the first flow path via an on-off valve; a retention portion that is connected to the first flow path; a second flow path that is connected to the retention portion and returns the fluid to the pipe; a second measurement unit that is connected to the second flow path via an on-off valve; and a computing device that is electrically connected to the first measurement unit and the second measurement unit, wherein the first measurement unit and the second measurement unit include a fluid temperature measurement device and a silica concentration measurement device; and the computing device stores a relational expression of a rate of decrease in a silica concentration, a silica saturation concentration, a temperature and a pH, and calculates the pH of the fluid, on the basis of measurement results in the first measurement unit and the second measurement unit and the relational expression.
G01N 15/06 - Recherche de la concentration des suspensions de particules
G01K 13/02 - Thermomètres spécialement adaptés à des fins spécifiques pour mesurer la température de fluides en mouvement ou de matériaux granulaires capables de s'écouler
A beverage supply apparatus includes an extractor that feeds ground coffee beans and hot water into a cylinder to extract coffee. The apparatus supplies the coffee extracted by the extractor to a cup. The extractor includes a passage constituting member having a tubular shape and disposed in such a manner as to allow its interior to communicate with an upper surface opening of the cylinder to constitute a passage of the ground coffee beans and the hot water. The passage constituting member is elastically deformed by an external force to be able to close the passage.
A47J 31/36 - Appareils à préparer le café dans lesquels l'eau chaude passe sous pression à travers le filtre avec de l'eau chaude sous pression d'un liquide avec des moyens mécaniques pour produire la pression
A47J 31/06 - Filtres ou passoires pour appareils à café et à thé
Provided is a semiconductor device for which a reduction in size can be achieved while maintaining insulation between terminals. According to the present invention, a case affixes a first terminal (10), a second terminal (20), and a first insulating member (30), while exposing respective exposure regions of the first terminal (10), the second terminal (20), and the first insulating member (30). A second insulating member (40) covers second portions (31a2, 31c2) that are less than or equal to a predetermined distance of the front surface of the exposure region of the second terminal (20) from terminal edge portions (11a, 11c) and a terminal outer end portion (11d) of the exposure region of the first terminal (10). The second portions (31a2, 31c2) of the first insulating member (30) extend outward from the terminal edge portions (11a, 11c) and the terminal outer end portion (11d) of the first terminal (10).
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans la sous-classe
H01L 23/12 - Supports, p. ex. substrats isolants non amovibles
H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p. ex. fils de connexion ou bornes
A semiconductor device includes: a base body of a first conductivity-type; a first well region of a second conductivity-type provided in the base body and including a high-side circuit; a first voltage blocking region of the second conductivity-type provided along a circumference of the first well region; a second voltage blocking region of the first conductivity-type provided on an outer circumferential side of the first voltage blocking region; a first level shift element provided to encompass a part of the first voltage blocking region; a first isolation region of the first conductivity-type provided to surround a circumference of the first level shift element; and a field plate provided over the first voltage blocking region and the first isolation region with an insulating film interposed, the field plate having a first distance from the first isolation region greater than a second distance from the first voltage blocking region.
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H03K 17/567 - Circuits caractérisés par l'utilisation d'au moins deux types de dispositifs à semi-conducteurs, p. ex. BIMOS, dispositifs composites tels que IGBT
H03K 19/0185 - Dispositions pour le couplageDispositions pour l'interface utilisant uniquement des transistors à effet de champ
57.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
A semiconductor device, including: a stacked substrate; a plurality of semiconductor chips provided on the stacked substrate; an external output terminal; a circuit board configured to electrically connect the plurality semiconductor chips, and to electrically connect the plurality of semiconductor chips to the external output terminal, the circuit board having a first surface and a second surface opposite to each other, the second surface facing the stacked substrate; a sealing resin sealing the stacked substrate and the circuit board; and a plurality of flow velocity control pins attached to the circuit board, at the first surface of the circuit board.
H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/12 - Supports, p. ex. substrats isolants non amovibles
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
58.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
Provided is a semiconductor device provided with a vertical element, where the vertical element has: a drift region of a first conductivity type provided in a semiconductor substrate; a first implantation portion provided below the drift region; and a second implantation portion provided below the drift region and having lower carrier implantation efficiency than the first implantation portion, an area of the first implantation portion is larger than an area of the second implantation portion at a back surface of the semiconductor substrate, and the vertical element has the first implantation portion and the second implantation portion which are alternately provided in a predetermined direction.
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/32 - Corps semi-conducteurs ayant des surfaces polies ou rugueuses les défectuosités étant à l'intérieur du corps semi-conducteur
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
To more effectively prevent separation of a contact unit at the time of short-circuit in an electromagnetic contactor. A capsule case is made of resin. A fixed yoke is arranged between a pair of fixed contact pieces, and at least a portion of the fixed yoke is held in a skeleton forming a capsule case. A movable yoke is disposed on a movable contact piece and is opposed to the fixed yoke. The fixed yoke and the movable yoke attract each other caused by a magnetic circuit being formed about an axis in a conduction direction in which current flows in the movable contact piece when a contact unit is closed.
A semiconductor device includes: a semiconductor substrate; a first metallic layer provided over the semiconductor substrate; a second metallic layer provided on the first metallic layer; and a protective film including an opening, the protective film being provided on the second metallic layer, in which the protective film is in contact with the second metallic layer, and is made of a resin material, the first metallic layer and the second metallic layer are each provided across a region that includes the opening in plan view, and the second metallic layer has a part interposed between the first metallic layer and the protective film.
H01L 23/528 - Configuration de la structure d'interconnexion
H01L 21/3213 - Gravure physique ou chimique des couches, p. ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
H01L 23/29 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par le matériau
H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 23/532 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées caractérisées par les matériaux
61.
SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A WIRE BONDING PAD STRUCTURE CONNECTED THROUGH VIAS TO LOWER WIRING
A semiconductor device includes first conductive films that are provided, above a semiconductor substrate, at least on both sides of a non-formation region in which the first conductive films are not provided; an interlayer dielectric film including a first portion that is provided on the non-formation region, second portions provided above the first conductive film on both sides of the non-formation region, and a step portion that connects the first portion and the second portions; a second conductive film provided above the interlayer dielectric film; through terminal portions that penetrate the second portions of the interlayer dielectric film; and a wire bonded with the second conductive film above the first portion, where the through terminal portions include one or more first through terminal portions and one or more second through terminal portions being provided at positions opposite to each other with a bonded portion of the wire being interposed therebetween.
A semiconductor device, including a circuit board, a case member, and first and second main terminals each having an outer terminal portion and an inner terminal portion. The case member includes a terminal arrangement portion having a recess formed between the outer terminal portions of the first and second main terminals and extending in a direction from a first end to a second end thereof, the first end being closer to a housing portion of the case member than the second end, and than first end portions of the outer terminal portions of the main terminals, and the second end being farther from the housing portion than second end portions of the outer terminal portion of the main terminals. A protrusion is formed on a wall surface of the terminal arrangement portion toward the housing portion, and is aligned with the recess and separates the recess and the housing portion.
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
H01L 23/053 - ConteneursScellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base isolante qui sert de support pour le corps semi-conducteur
H01L 23/36 - Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p. ex. dissipateurs de chaleur
A semiconductor device including an active portion is provided, the semiconductor device comprising: a drift region of a first conductivity type provided in the semiconductor substrate; a base region of a second conductivity type provided above the drift region; a gate pad provided above the semiconductor substrate; an emitter electrode provided above the semiconductor substrate; a gate trench portion provided on a front surface of the semiconductor substrate in the active portion; and a gate wiring portion for connecting the gate pad and the gate trench portion; wherein the gate wiring portion has: a first gate trench wiring portion which extends in a predetermined direction; and a second gate trench wiring portion which extends in a different direction from the first gate trench wiring portion and intersects the first gate trench wiring portion at an intersection portion; and the emitter electrode is provided above the intersection portion.
H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
A channel stopper electrode (52) and an n+-type channel stopper region (53) are respectively provided spaced apart from an outermost peripheral FLR (41) and an outermost peripheral FLR (41) outside a voltage-withstand structure (40). The n+-type channel stopper region (53) faces an inner end part (52a) of the channel stopper electrode (52) in a depth direction Z with an interlayer insulating film (21) therebetween. The width (L2) of an inner portion (53-1) of the n+-type channel stopper region (53) further inward than the inner end part (52a) of the channel stopper electrode (52) is less than or equal to half the distance (L1) between the channel stopper electrode (52) and one of the outermost peripheral FP (42) and the outermost peripheral FLR (41) of the voltage-withstand structure (40). The depth (d2) of the n+-type channel stopper region (53) is shallower than the depth (d1) of the FLR (41). Thus, a predetermined breakdown voltage of the semiconductor device (10) can be stably secured.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
According to the present invention, a screw is securely fastened to a case. A molding space (61a) is composed of: a molding inner surface (60d2) which defines an outer frame and a housing region; a molding outer surface (60d1) which is provided on the outer side of the molding inner surface (60d2), and in which an injection port (60da) that is in communication with the molding space (61a) is formed so as to be inwardly separated from each end in a plan view; and a molding bottom surface (60d3) which connects the molding inner surface (60d2) and the molding outer surface (60d1) to each other, and is in contact with the lower surface of the outer frame. A mold pin part (62) is disposed at a corner part of the molding space (61a) in a plan view so as to be perpendicular to the molding bottom surface (60d3). During an injection step, a rod-shaped second mold component (64) is disposed in parallel to the mold pin part (62) at a position between the mold pin part (62) and the injection port (60da) in the molding space (61a) in a plan view, the position being closer to the molding inner surface (60d2) than to the molding outer surface (60d1).
H01L 23/08 - ConteneursScellements caractérisés par le matériau du conteneur ou par ses propriétés électriques le matériau étant un isolant électrique, p. ex. du verre
H01L 23/28 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
A semiconductor device includes an active region, which is a region where main current flows, an edge termination region surrounding the active region, a step surface surrounding the edge termination region, and a dicing line surrounding the step surface. The active region has a first pn junction of a first semiconductor region and a second semiconductor layer and a second pn junction of an outer peripheral region and the second semiconductor layer. The step surface is provided with a first protective film for shielding light generated as forward current flows through the first and second pn junctions in the active region.
H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
67.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
A semiconductor device includes a base plate that includes a body plate containing a silicon carbide, a metal-filled body having a top surface and a bottom surface opposite to each other and having a through hole, and a protective member disposed on the bottom surface of the metal-filled body and having a hardness less than a hardness of the body plate, an insulating board disposed on the base plate, a semiconductor element mounted on a top surface of the base plate via the insulating board, and a cooling member attached to a bottom surface of the base plate and fastened to the base plate with a screw that passes through the through-hole.
H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
68.
SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING GATE ELECTRODE AND INTERLAYER INSULATING FILM PROVIDED IN TRENCH
At a front surface of a silicon carbide base, an n−-type drift layer, a p-type base layer, a first n+-type source region, a second n+-type source region, and a trench that penetrates the first and the second n+-type source regions and the p-type base layer and reaches the n-type region are provided. In the trench, the gate electrode is provided via a gate insulating film, an interlayer insulating film is provided in the trench on the gate electrode.
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
A gas sensor capable of detecting carbon dioxide and having high stability is provided. A carbon dioxide gas sensor comprising an insulating substrate 3 and a gas sensing layer 1 formed on one major surface of the insulating substrate 3 via electrodes 2, wherein the gas sensing layer 1 comprises:
(a) one or more rare earth metal oxycarbonates represented by Ln2O2CO3, Ln being at least one rare earth metal element selected from Sc, Y, La, Ce, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Pr, Yb and Lu, the rare earth metal oxycarbonate containing a hexagonal rare earth metal oxycarbonate as a main component; or
(b) monoclinic samarium dioxycarbonate,
a production method of the gas sensor, and a method of selectively producing crystal polymorphism of lanthanum dioxycarbonate represented by La2O2CO3 are provided.
G01N 27/14 - Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques en recherchant l'impédance en recherchant la résistance d'un corps chauffé électriquement dépendant de variations de température
G01N 27/406 - Cellules et sondes avec des électrolytes solides
Provided is a semiconductor device comprising a semiconductor substrate comprising: a gate trench portion having a longitudinal side in a first direction at the upper surface of the semiconductor substrate; an emitter region of the first conductivity type which is provided to be exposed on the upper surface in the semiconductor substrate, is in contact with the gate trench portion, and has a length in the first direction that is longer than a length in a second direction orthogonal to the first direction; a base region of a second conductivity type which is provided between the emitter region and the drift region and is in contact with the gate trench portion: an emitter electrode provided above the upper surface of the semiconductor substrate; and a resistance portion provided between the emitter region and the emitter electrode.
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
outoutout) at a predetermined position in a system interconnection system, and outputs a difference (P*outoutoutrefref) of the active power, the difference (P*outout), and the virtual synchronous generator function.
H02M 7/48 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
H02J 3/24 - Dispositions pour empêcher ou réduire les oscillations de puissance dans les réseaux
H02J 3/38 - Dispositions pour l’alimentation en parallèle d’un seul réseau, par plusieurs générateurs, convertisseurs ou transformateurs
A semiconductor device includes first and second terminals, a first conductor having a plurality of semiconductor elements arranged side by side in an arrangement direction thereon, and electrically connecting the plurality of semiconductor elements to the first terminal via first wiring, and a second conductor electrically connecting the plurality of semiconductor elements on the first conductor to the second terminal via second wiring. The first and second terminals are respectively located on opposite sides of the first and second conductors with respect to the arrangement direction. The second conductor has a shoulder portion that extends in a width direction perpendicular to the arrangement direction and two extended portions arranged at the shoulder portion spaced apart from each other in the width direction. The two extended portions respectively extend in the arrangement direction and are electrically connected to the plurality of semiconductor elements.
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans la sous-classe
A semiconductor device includes: an inner region including a base region of a second conductivity type provided between an upper surface of the semiconductor substrate and the drift region; and well regions having a higher doping concentration than that of the base region, provided from the upper surface of the semiconductor substrate to a depth position greater than a lower end of the base region, and arranged with the inner region interposed therebetween at the upper surface of the semiconductor substrate. The inner region includes a longitudinal side in a predetermined longitudinal direction at the upper surface of the semiconductor substrate and a plurality of trench portions which extend from the upper surface of the semiconductor substrate to the drift region. At least one of the trench portions is separated into two or more partial trenches in the longitudinal direction, in a region which does not overlap the well regions.
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
Provided is a semiconductor device comprising a transistor part and a diode part. The semiconductor device comprises: a plurality of trench portions that are provided on the front surface of a semiconductor substrate; a drift region, of a first conductivity type, that is provided on the semiconductor substrate; a base region, of a second conductivity type, that is provided above the drift region; an emitter region, of the first conductivity type, that is provided above the base region and has a doping concentration higher than that of the drift region; a first contact region, of the second conductivity type, that is provided in a mesa portion of the transistor part and has a doping concentration higher than that of the base region; an anode region, of the second conductivity type, that is provided above the drift region in the diode part; and a second contact region, of the second conductivity type, that is provided in a mesa portion of the diode part and has a doping concentration higher than that of the anode region. The amount per unit volume of the dopant of the second conductivity type in the mesa portion of the diode part is equal to or more than the amount per unit volume of the dopant of the second conductivity type in the mesa portion of the transistor part.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
A silicon carbide semiconductor device, including: a semiconductor substrate; a first semiconductor region, a second semiconductor region and a third semiconductor region provided in the semiconductor substrate; a first trench penetrating through the third semiconductor region and the second semiconductor region in a depth direction and terminating in the first semiconductor region; a gate electrode provided in the first trench, via a gate insulating film; a plurality of second trenches penetrating through the third semiconductor region in the depth direction and terminating in the second semiconductor region; a fourth semiconductor region provided opposing, in the depth direction, a portion of the second semiconductor region that is below a bottom of each of the plurality of second trenches; and a first electrode and a second electrode provided at two main surfaces of the semiconductor substrate.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
H01L 29/167 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée caractérisés en outre par le matériau de dopage
A test method of testing a test target transistor device is provided, the test method including: arranging the test target transistor device and a test transistor device in series between a high voltage side wire and a low voltage side wire; and causing a gate voltage applied to the test transistor device to be higher than a gate voltage applied to the test target transistor device. A difference between the gate voltage applied to the test transistor device and the gate voltage applied to the test target transistor device may be 5.0 V or less.
Provided is a SiC semiconductor device that suppresses the decrease in the device design flexibility. The SiC semiconductor device includes a first SiC layer 14 containing SiC with a 4H structure, a second SiC layer 15 containing SiC with a 3C structure and stacked on the top face of the first SiC layer, a first conductivity type drift layer 2 provided in the first SiC layer, second conductivity type base regions 5a, 5b provided in the first SiC layer, first conductivity type main regions 6a, 6b including source extension regions 61a, 61b provided in the first SiC layer and source contact regions 62a, 62b provided in the second SiC layer, a gate insulating film 7b provided in a trench 7a penetrating the main region and the base region, a gate electrode 7c embedded in the trench, and a main electrode (11, 12) provided in contact with the source contact region.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
78.
SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR MODULE
A semiconductor module includes: a circuit board including a semiconductor element; a housing for housing the semiconductor element; a lead terminal penetrating the housing; and a bonding wire electrically connecting the semiconductor element to the lead terminal within the housing, in which the lead terminal includes a pad coupled to the bonding wire, the housing includes a recess having a bottom surface constituted of at least a part of the pad such that the recess surrounds the pad, a first side surface of the recess overlaps with the bonding wire as viewed in a thickness direction of the circuit board, the first side surface has a first end adjacent to the bottom surface and a second end close to the semiconductor element, the first side surface is inclined relative to a direction perpendicular to the pad such that the second end is higher than the first end.
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans la sous-classe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs différents groupes principaux de la même sous-classe , , , , ou
A semiconductor device includes a circuit board including: a heat dissipation base having a top surface; an insulating layer having a front surface, and a rear surface which is opposite to the front surface and which is disposed on the top surface of the heat dissipation base, the insulating layer having a placement area set therefor; and a conductive circuit layer having a rear surface which is disposed in the placement area of the insulating layer. A first thickness of the insulating layer in the placement area is less than a second thickness of the insulating layer in an outside area outside the placement area.
H01L 23/528 - Configuration de la structure d'interconnexion
H01L 23/532 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées caractérisées par les matériaux
A semiconductor device includes: a drift layer of a first conductivity-type; a base region of a second conductivity-type provided on a top surface side of the drift layer; a main region of the first conductivity-type provided on a top surface side of the base region; a first gate electrode buried in a first trench in contact with the main region and the base region with a gate insulating film interposed; a well region of the second conductivity-type provided on the top surface side of the drift layer; a temperature detector provided on a top surface side of the well region with an insulating film interposed; and a second gate electrode buried in a second trench provided in the well region and at least partly located immediately under the temperature detector with the gate insulating film interposed.
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
G01K 7/01 - Mesure de la température basée sur l'utilisation d'éléments électriques ou magnétiques directement sensibles à la chaleur utilisant des éléments semi-conducteurs à jonctions PN
H01L 27/07 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive les composants ayant une région active en commun
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
A semiconductor module includes semiconductor units arrayed in a line, a first sensing terminal disposed on a first side of the line, and a second sensing terminal disposed on a second side of the line. Each semiconductor unit includes an upper arm circuit, a lower arm circuit, and an insulating substrate including a first conductor pattern. The first sensing terminal is connected to an emitter of a first semiconductor chip included in any one semiconductor unit via a first wiring route including a first sensing conductor pattern provided on the insulating substrate. The second sensing terminal is connected to the emitter of the first semiconductor chip connected to the first sensing terminal, via a second wiring route including a second sensing conductor pattern provided on the insulating substrate separately from the first conductor pattern, without passing via the first conductor pattern.
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans la sous-classe
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
A semiconductor module includes a semiconductor element, a wiring board on which the semiconductor element is mounted, and a heat dissipation base including a first surface having a first region in which the wiring board is bonded and a second surface opposite to the first surface. The heat dissipation base is warped to be convexed in a direction from the first surface toward the second surface. The heat dissipation base has a plurality of fastening holes respectively provided at respective ones of a plurality of corner portions of the heat dissipation base, and a plurality of recesses provided in the first surface in respective ones of a plurality of peripheral areas. The plurality of peripheral areas are respectively located in a second region excluding the first region, at a peripheral edge of the first surface around respective ones of the plurality of fastening holes.
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
83.
NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
Provided is a nitride semiconductor device including a p-type region having a high concentration, and a method of manufacturing the same. The nitride semiconductor device includes a nitride crystal layer, and a p-type region provided in the nitride crystal layer. The p-type region includes Mg at a concentration in a range of 3×1018 cm−3 or greater and 1×1021 cm−3 or less, and at least either a group-13 element or an acceptor element at a concentration in a range of 3×1017 cm−3 or greater and 5×1021 cm−3 or less.
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
A cooling case has outer lateral surfaces located on long sides and outer lateral surfaces located on short sides thereof in plan view. The cooling case has a flow passage having a concave shape therein. The flow passage includes a main passage, and an inflow passage recessed from a bottom surface of the main passage toward a bottom side of the cooling case. The cooling case further has an inlet that is provided at one of the outer lateral surface to be directly connected to the inflow passage. The inlet introduces a cooling medium that flows through the inlet in a longitudinal direction of the cooling case toward the flow passage and the inflow passage has a diffusion surface that faces an opening of the inlet.
H01L 23/473 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température impliquant le transfert de chaleur par des fluides en circulation par une circulation de liquides
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 23/36 - Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p. ex. dissipateurs de chaleur
H01L 25/10 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés
A silicon carbide semiconductor device, including: a semiconductor substrate; a first semiconductor region, a second semiconductor region and a plurality of third semiconductor regions provided in the semiconductor substrate; a plurality of first trenches penetrating through the third semiconductor regions and the second semiconductor region in a depth direction and terminating in the first semiconductor region; a plurality of gate electrodes provided in the first trenches via gate insulating films; a plurality of second trenches penetrating through the third semiconductor regions in the depth direction and terminating in the second semiconductor region; and a first electrode and a second electrode provided respectively on two main surfaces of the semiconductor substrate. The second trenches are provided at a predetermined first pitch in a direction parallel to the semiconductor substrate. The first trenches are disposed at a predetermined second pitch in the direction, each between adjacent two of the second trenches.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
This semiconductor device comprises a transistor portion and a diode portion, the semiconductor device comprising: a plurality of trench portions that are provided on a front surface of a semiconductor substrate and include a gate trench portion; a first-conductivity-type drift region that is provided on the semiconductor substrate; a second-conductivity-type base region that is provided above the drift region; a first-conductivity-type emitter region that is provided above the base region and has a doping concentration higher than that of the drift region; a first-conductivity-type first accumulation region that is provided above the base region and has a doping concentration higher than that of the drift region; and a second-conductivity-type contact region that is provided above the base region and has a doping concentration higher than that of the base region. The transistor portion includes a boundary mesa portion that is sandwiched between the plurality of trench portions and has a boundary region that is provided adjacent to the diode portion. The boundary region includes the emitter region that is provided in the boundary mesa portion, a first-conductivity-type second accumulation region that is provided in the boundary mesa portion and has a doping concentration higher than that of the first accumulation region, and the gate trench portion that is provided in contact with the boundary mesa portion.
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
Provided is a semiconductor device with which it is possible to improve the reliability of insulation around a bonding wire. This semiconductor device comprises: a semiconductor chip (3) having a first main electrode (31) on the upper surface side and a second main electrode (33) on the lower surface side; a bonding wire (4b) connected to the first main electrode (31); an insulating layer (9b) covering the outer periphery of the bonding wire (4b); and a sealing member (7) for sealing the semiconductor chip (3), the bonding wire (4b) and the insulating layer (4b). The ratio of the Young's modulus of the insulating layer (9b) to the Young's modulus of the sealing member (7) is 10 or more.
H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
H01L 23/28 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
88.
SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MODULE
A semiconductor module, including: a stacked substrate; a semiconductor device element mounted on the stacked substrate, the semiconductor device element having an Ni layer at a back surface thereof; and a solder bonding the back surface of the semiconductor device element to the stacked substrate. The solder is formed of a composition containing: Sb in a range of more than 6 mass % but not more than 8.5 mass %, Ag in a range of 2 mass % to 4.5 mass %, Cu in a range of 1.25 mass % to 2.0 mass %, and Sn as a remaining portion thereof.
A power converter comprises an enclosure case having a cooling medium flow channel for a cooling medium to flow through, a power semiconductor module housed in the enclosure case, a smoothing capacitor and an AC output unit being electrically connected to the power semiconductor module and housed in the enclosure case, and an enclosure cover fixed to a periphery of an opening in an upper portion of the enclosure case. In the power converter, at least one of a first electrically connected portion configured to electrically connect a power semiconductor module to a smoothing capacitor and a plurality of second electrically connected portions configured to electrically connect the power semiconductor module to an AC output unit is thermally connected to an inner wall on a side of a cooling medium flow channel via cooling terminal blocks, and convex portions for pressing the first electrically connected portion and the second electrically connected portions to the cooling terminal blocks are formed in an inner wall of an enclosure cover.
H05K 7/20 - Modifications en vue de faciliter la réfrigération, l'aération ou le chauffage
H02M 7/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continuTransformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
H05K 5/02 - Enveloppes, coffrets ou tiroirs pour appareils électriques Détails
An integrated circuit includes a Wheatstone bridge and a bias voltage circuit. The Wheatstone bridge includes a first resistor connected between a first node on a high potential side at which a predetermined voltage is generated and a second node, a second resistor connected between the second node and a third node on a low potential side, a third resistor connected between the first node and a fourth node, and a fourth resistor connected between the fourth node and the third node. The bias voltage circuit includes a fifth resistor having a first end connected to the third node and a second end, and a first operational amplifier circuit having an inverting input terminal to which the second end of the fifth resistor is connected, a non-inverting input terminal configured to receive a reference voltage lower than the predetermined voltage, and an output terminal connected to the third node.
H03K 17/56 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs
G01L 9/04 - Mesure de la pression permanente, ou quasi permanente d’un fluide ou d’un matériau solide fluent par des éléments électriques ou magnétiques sensibles à la pressionTransmission ou indication par des moyens électriques ou magnétiques du déplacement des éléments mécaniques sensibles à la pression, utilisés pour mesurer la pression permanente ou quasi permanente d’un fluide ou d’un matériau solide fluent en faisant usage des variations de la résistance ohmique, p. ex. de potentiomètre de jauges de contrainte à résistance
A semiconductor device includes first and second semiconductor chips disposed away from each other by a chip distance on an insulated circuit board. A lower limit of the chip distance between the first and second semiconductor chips is set based on a first distance where a minimum thermal resistance of a heat dissipation path from a heat generation point on the front surface of the first semiconductor chip to a heat dissipation point on the bottom surface of the board is achieved with respect to the chip width of the first and second semiconductor chips. The heat dissipation point is positioned at the bottom surface of the board directly under a midpoint between the first and second semiconductor chips in side view.
H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans la sous-classe
92.
POWER CONVERTER, DETERIORATION DETERMINATION DEVICE, AND DETERIORATION DETERMINATION METHOD
A power converter includes a semiconductor device including a semiconductor element having first and second main electrodes and a control electrode, a first main terminal connected to the first main electrode, a second main terminal connected to the second main electrode, an auxiliary terminal connected to the second main electrode, and a control terminal connected to the control electrode. The power converter further includes a circuit generating a command for switching the semiconductor element, a circuit applying a drive voltage to the control electrode according to the command, a circuit detecting a voltage between the auxiliary and second main terminals, a circuit generating a trigger signal when the detected voltage becomes greater than or equal to a threshold voltage, and a circuit determining deterioration of the semiconductor device, using a determination value corresponding to a current flowing between the first and second main terminals in response to the trigger signal.
A cooler includes first and second flow paths inside a container, respectively communicating with an inlet and an outlet, a third flow path, and first and second flow rate adjusting members respectively disposed between the first and third flow paths, and the second and third flow paths. The first flow rate adjusting member includes one or more openings through which a coolant flows from the first flow path to the third flow path, and has a first region with a first open area ratio and a second region with a second open area ratio less than the first one. The second flow rate adjusting member includes one or more openings through which the coolant flows from the third flow path to the second flow path, and has a third region with a third area ratio and a fourth region with a fourth open area ratio greater than the third one.
H01L 23/473 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température impliquant le transfert de chaleur par des fluides en circulation par une circulation de liquides
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans la sous-classe
94.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
A semiconductor device, including: a semiconductor substrate, a drift layer provided on the semiconductor substrate, a base layer provided in the drift layer at a surface thereof, a plurality of source regions selectively provided in the base layer at a surface thereof, a plurality of gate electrodes provided in the base layer and the source regions via a plurality of gate insulating films, respectively, an interlayer insulating film covering the source regions and the gate electrodes, a plurality of contact holes provided in the interlayer insulating film and in the source regions at the surfaces thereof, and a front electrode provided on the interlayer insulating film. A longitudinal direction of each contact hole is a first direction. The front electrode includes an upper electrode provided on a lower electrode, the upper electrode having a plurality of recesses formed therein each extending in a second direction orthogonal to the first direction.
Provided is a semiconductor device comprising: a semiconductor substrate; a plurality of peaks of a doping concentration provided on a back surface of the semiconductor substrate; and a flat part, with a doping concentration more than or equal to 2.5 times a substrate concentration of the semiconductor substrate, provided between the plurality of peaks in a depth direction of the semiconductor substrate, wherein at least one of the plurality of peaks is a first peak provided on a front surface side relative to the flat part, wherein a doping concentration of the first peak is less than or equal to twice the doping concentration of the flat part.
A semiconductor device, allowing easy hole extraction, including a semiconductor substrate having drift and base regions; and transistor and diode portions, in which trench portions and mesa portions are formed, is provided. The transistor portion includes emitter and contact regions above the base region and exposed to an upper surface of the semiconductor substrate. The emitter region has a higher concentration than the drift region. The contact region has a higher concentration than the base region. The mesa portions include boundary mesa portion(s) at a boundary between the transistor and diode portions. The trench portions include dummy trench portion(s) provided adjacent to a trench portion adjacent to the boundary mesa portion(s) and provided on the transistor portion side relative to the trench portion adjacent to the boundary mesa portion(s). The boundary mesa portion(s) include a base boundary mesa portion in which the base region is exposed to the upper surface.
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 21/76 - Réalisation de régions isolantes entre les composants
H01L 21/765 - Réalisation de régions isolantes entre les composants par effet de champ
H01L 27/07 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive les composants ayant une région active en commun
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/32 - Corps semi-conducteurs ayant des surfaces polies ou rugueuses les défectuosités étant à l'intérieur du corps semi-conducteur
H01L 29/36 - Corps semi-conducteurs caractérisés par la concentration ou la distribution des impuretés
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
Provided is a semiconductor device including one or more first mesa portions, each of which is provided with a first lifetime adjustment region and has a first contact portion in contact with an upper electrode, and one or more second mesa portions, each of which is not provided with the first lifetime adjustment region and has a second contact portion in contact with the upper electrode, and a first depth position of the first contact portion of at least one of the one or more first mesa portions is provided at a position deeper than a second depth position of the second contact portion of at least one of the one or more second mesa portions with respect to an upper surface of a semiconductor substrate.
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 29/32 - Corps semi-conducteurs ayant des surfaces polies ou rugueuses les défectuosités étant à l'intérieur du corps semi-conducteur
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
Provided is a semiconductor device including: a temperature sensing portion provided above a semiconductor substrate; a temperature sensing wiring portion electrically connected to the temperature sensing portion; and a protective film including a temperature sensing protective film provided above the temperature sensing portion and a first wiring protective film provided above the temperature sensing wiring portion, where the first wiring protective film includes: a first region adjacent to the temperature sensing protective film; and a second region provided more spaced apart from the temperature sensing protective film than the first region and having a width narrower than that of the first region.
A semiconductor device, including: first to fourth semiconductor regions, the fourth semiconductor region containing a first-conductivity-type impurity having a higher concentration than the first semiconductor region; first and second trenches; a gate electrode provided in the first trench; a Schottky electrode formed at an inner wall of the second trench, and in contact with the fourth semiconductor region; and a first electrode embedded in the second trench and in contact with the Schottky electrode. The fourth semiconductor region includes: an SBD portion formed at a sidewall of the second trench and in contact with the Schottky electrode, and an upper JFET portion provided between a sidewall of the first trench and the SBD portion. A junction between surfaces of the Schottky electrode and the SBD portion forms an SBD. A carrier concentration of the SBD portion is lower than the concentration of the first-conductivity-type impurity in the upper JFET portion.
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
H01L 29/167 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée caractérisés en outre par le matériau de dopage
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
A semiconductor module includes: a semiconductor element; a housing for housing the semiconductor element, the housing including a terminal hole; a terminal in the terminal hole and being electrically connected to the semiconductor element; a holding member bonded by an adhesive to the housing; and a potting material in the housing, in which the terminal includes a plate-shaped leg between the holding member and the housing including a recess for accommodating the leg, the recess has a depth greater than a thickness of the leg, in the recess, a portion of the leg in a direction of length of the leg is provided with a passage for the adhesive, the passage being across the leg in a direction of thickness of the leg, and a width of the passage is greater than a difference between the depth of the recess and the thickness of the leg.
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
