BOE Technologies Group Co., Ltd.

Chine

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2024 3
2022 1
Avant 2021 2
Classe IPC
G09G 3/3233 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] utilisant une matrice active avec un circuit de pixel pour commander le courant à travers l'élément électroluminescent 2
H10K 59/131 - Interconnexions, p. ex. lignes de câblage ou bornes 2
G02F 1/1368 - Cellules à adressage par une matrice active dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes 1
G06F 3/01 - Dispositions d'entrée ou dispositions d'entrée et de sortie combinées pour l'interaction entre l'utilisateur et le calculateur 1
G06F 3/041 - Numériseurs, p. ex. pour des écrans ou des pavés tactiles, caractérisés par les moyens de transduction 1
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Résultats pour  brevets

1.

Pixel driving circuit and driving method thereof, display panel, and display device

      
Numéro d'application 17914386
Numéro de brevet 12307964
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-09-08
Date de la première publication 2024-11-21
Date d'octroi 2025-05-20
Propriétaire
  • CHENGDU BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
  • BOE TECHNOLOGIES GROUP CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • Wang, Zhu
  • Shi, Ling

Abrégé

The present disclosure relates to a pixel driving circuit and a driving method thereof, a display panel, and a display device, the pixel driving circuit includes: a driving circuit, a control circuit, a first reset circuit, and a second reset circuit and a coupling circuit. The driving circuit, the control circuit, the first reset circuit and the second reset circuit all include transistors, the transistors in the driving circuit, the control circuit, the first reset circuit and the second reset circuit are all N-type transistors, the transistors in the first reset circuit are at least partially oxide transistors, and the transistors in the second reset circuit are at least partially the oxide transistors.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/3233 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] utilisant une matrice active avec un circuit de pixel pour commander le courant à travers l'élément électroluminescent
  • H10K 59/131 - Interconnexions, p. ex. lignes de câblage ou bornes

2.

Touch structure, display panel and electronic device

      
Numéro d'application 18610783
Numéro de brevet 12254160
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-03-20
Date de la première publication 2024-07-04
Date d'octroi 2025-03-18
Propriétaire
  • Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co., Ltd. (Chine)
  • Boe Technologies Group Co., Ltd. (Chine)
Inventeur(s)
  • Wang, Yu
  • He, Fan
  • Zhang, Guodong
  • Xu, Peng
  • Zhao, Jiancheng

Abrégé

A touch structure, a display panel and an electronic device. The touch structure includes: a plurality of touch sub-electrodes spaced apart from each other and a dummy electrode; the dummy electrode is embedded into at least one touch sub-electrode among the plurality of touch sub-electrodes, and is spaced apart from the touch sub-electrode where the dummy electrode is located, so as to be insulated from each other; the at least one touch sub-electrode includes a strip-shaped channel and a main body portion surrounding the dummy electrode and the channel, the strip-shaped channel penetrates through the dummy electrode, and two ends of the strip-shaped channel in an extension direction thereof are both connected to the main body portion.

Classes IPC  ?

  • G06F 3/044 - Numériseurs, p. ex. pour des écrans ou des pavés tactiles, caractérisés par les moyens de transduction par des moyens capacitifs
  • G06F 3/041 - Numériseurs, p. ex. pour des écrans ou des pavés tactiles, caractérisés par les moyens de transduction

3.

Wearable display device

      
Numéro d'application 17776482
Numéro de brevet 12236010
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-05-27
Date de la première publication 2024-05-16
Date d'octroi 2025-02-25
Propriétaire BOE Technologies Group Co., Ltd. (Chine)
Inventeur(s)
  • Li, Yapeng
  • Feng, Xuan
  • Wang, Lei
  • Zhang, Ping
  • Tian, Wenhao
  • Qin, Yunke
  • Li, Yangbing
  • Xu, Chengfu

Abrégé

Provided is a wearable display device. The wearable display device includes a display panel, comprising a display region and a peripheral region surrounding the display region; a plurality of light-emitting elements, configured to emit light to be irradiated to eyes of a user; a lens assembly, disposed on a light-exiting side of the display panel, the lens assembly comprising a lens mount and a lens within the lens mount, a light transmittance of the lens mount being greater than a threshold; and a plurality of photoelectric sensor assemblies in the peripheral region.

Classes IPC  ?

  • G06F 3/01 - Dispositions d'entrée ou dispositions d'entrée et de sortie combinées pour l'interaction entre l'utilisateur et le calculateur

4.

Electronic device, display apparatus, display substrate and manufacturing method therefor

      
Numéro d'application 17418075
Numéro de brevet 12219840
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-11-03
Date de la première publication 2022-03-10
Date d'octroi 2025-02-04
Propriétaire
  • Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co., Ltd. (Chine)
  • BOE TECHNOLOGIES GROUP CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Wang, Yang

Abrégé

A display apparatus, a display substrate and a manufacturing method therefor are provided. The display substrate comprises: a driving back plate, having a first driving area and a second driving area; a first electrode pattern, comprising a plurality of transparent first electrodes and a second electrode; a light emitting layer, comprising a first light emitting portion in the first driving area and a second light emitting portion in the second driving area; a second electrode pattern, comprising a plurality of transparent third electrodes in the first driving area and a fourth electrode located in the second driving area. The first electrode, the first light emitting portion and the third electrode corresponding to the first driving area constitute a Passive matrix organic light-emitting diode structure.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/32 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
  • H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs
  • H01L 51/56 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
  • H10K 50/813 - Anodes caractérisées par leur forme
  • H10K 50/822 - Cathodes caractérisées par leur forme
  • H10K 59/121 - Affichages à OLED à matrice active [AMOLED] caractérisés par la géométrie ou la disposition des éléments de pixel
  • H10K 59/17 - Affichages à OLED à matrice passive
  • H10K 59/173 - Affichages à OLED à matrice passive comprenant des bords ou des masques d'ombre
  • H10K 59/179 - Interconnexions, p. ex. lignes de câblage ou bornes
  • H10K 59/35 - Dispositifs spécialement adaptés à l'émission de lumière multicolore comprenant des sous-pixels rouge-vert-bleu [RVB]
  • H10K 71/00 - Fabrication ou traitement spécialement adaptés aux dispositifs organiques couverts par la présente sous-classe
  • H10K 59/131 - Interconnexions, p. ex. lignes de câblage ou bornes
  • H10K 59/65 - OLED intégrées avec des capteurs d'images inorganiques

5.

Pixel driving circuit, pixel driving method, display panel and display device

      
Numéro d'application 14769346
Numéro de brevet 09640109
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2015-01-23
Date de la première publication 2016-09-01
Date d'octroi 2017-05-02
Propriétaire
  • BOE TECHNOLOGIES GROUP CO., LTD. (Chine)
  • BEIJING BOE OPTOELECTRONICS TECHOLOGY CO. (Chine)
Inventeur(s) Yang, Shengji

Abrégé

The present disclosure provides a pixel driving circuit, including a first pixel driving unit and a second pixel driving unit. The first pixel driving unit includes a first driving transistor, a first storage capacitor and a first driving control unit. The first driving control unit is configured to apply a jumping voltage onto the data voltage at a first compensation stage, so as to perform jumping compensation on a threshold voltage of the first driving transistor. The second pixel driving unit includes a second driving transistor, a second storage capacitor and a second driving control unit. The second driving control unit is configured to apply a jumping voltage onto the data voltage at a second compensation stage, so as to perform jumping compensation on a threshold voltage of the second driving transistor and control the second light-emitting element to emit light.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/3225 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] utilisant une matrice active
  • G09G 3/3233 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] utilisant une matrice active avec un circuit de pixel pour commander le courant à travers l'élément électroluminescent
  • G09G 3/3291 - Détails des circuits de commande pour les électrodes de données dans lequel le circuit de commande de données fournit une tension de données variable pour le réglage du courant à travers les éléments électroluminescents, ou de la tension aux bornes de ces éléments

6.

Pixel array structure having doped active layer with uneven thickness and manufacturing method thereof, array substrate and display device

      
Numéro d'application 14426298
Numéro de brevet 09985140
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2014-07-18
Date de la première publication 2016-01-28
Date d'octroi 2018-05-29
Propriétaire
  • BOE Technologies Group Co., Ltd. (Chine)
  • Beijing BOE Optoelectronics Technology Co., Ltd. (Chine)
Inventeur(s) Li, Tiansheng

Abrégé

A pixel array structure and manufacturing method thereof, an array substrate and a display device are provided. The manufacturing method of the pixel array structure includes: forming a doped active layer over an active layer, the doped active layer having a portion with a larger thickness and a portion with a smaller thickness; forming a source/drain metal layer on the doped active layer and the active layer; conducting an etching process on the source/drain metal layer, so as to form a source electrode and a drain electrode, one of which partially covers the portion of the doped active layer with a larger thickness; conducting an etching process on the doped active layer and the active layer in a region between the source electrode and the drain electrode, forming an optimized channel. With the manufacturing method, the on-state current of a channel of a thin film transistor can be raised.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/14 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit ra
  • H01L 29/04 - Corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline, p.ex. polycristalline, cubique ou à orientation particulière des plans cristallins
  • H01L 29/15 - Structures avec une variation de potentiel périodique ou quasi périodique, p.ex. puits quantiques multiples, superréseaux
  • H01L 31/036 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline ou par l'orientation particulière des plans cristallins
  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince
  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • G02F 1/1368 - Cellules à adressage par une matrice active dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes