Disclosed are a wafer edge polishing drum and wafer edge polishing equipment including the same. The wafer edge polishing drum includes a body part having a disc shape and a polishing part extending from a peripheral portion of a first surface of the body part while being inclined with respect to the first surface of the body part. The polishing part includes an inner surface surrounding a polishing area adjacent to the first surface of the body part. The inner surface of the polishing part includes a first surface extending from the first surface of the body part and a second surface formed so as to be brought into contact with an edge area of a wafer. The second surface of the polishing part has a second angle with respect to the first surface of the body part, and the second angle is variable.
B24B 9/06 - Machines ou dispositifs pour meuler les bords ou les biseaux des pièces ou pour enlever des bavuresAccessoires à cet effet caractérisés par le fait qu'ils sont spécialement étudiés en fonction des propriétés de la matière propre aux objets à meuler de matière inorganique non métallique, p. ex. de la pierre, des céramiques, de la porcelaine
2.
SUSCEPTOR FOR EPITAXIAL GROWTH AND EPITAXIAL GROWTH APPARATUS INCLUDING THE SAME
Provided are a susceptor for epitaxial growth, which is capable of forming a thin film having an uniform thickness through upper temperature uniformization of a wafer, and an epitaxial growth apparatus including the same. A susceptor for an epitaxial growth apparatus includes a body provided with a pocket, in which a wafer is seated, on a top surface thereof, and a temperature control plate seated in the pocket and having a plate shape in which the wafer is supported on a top surface thereof. The temperature control plate has a plurality of hollows.
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
Disclosed is a susceptor including a susceptor including a body including a bottom surface configured to support a wafer and a side wall configured to extend upward from a perimeter of the bottom surface, and a temperature control member disposed inside the side wall adjacent to the side wall at an edge of the bottom surface.
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
C23C 16/46 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour le chauffage du substrat
A method for manufacturing an epitaxial wafer may comprise polishing a back surface and a front surface of a wafer using a double-side polishing process, forming a protective film on the back surface of the polished wafer, forming an epi layer on the front surface of the wafer on which the protective film is formed to form an epitaxial wafer, and cleaning the epitaxial wafer.
A wafer double-side polishing apparatus is disclosed. The wafer double-side polishing apparatus includes an upper plate and a lower plate facing each other, polishing pads respectively disposed at a lower portion of the upper plate and at an upper portion of the lower plate, a first gear disposed in a central region of an upper surface of the lower plate, a second gear disposed in a peripheral region of the upper surface of the lower plate, and carriers disposed between the polishing pads while being engaged between the first gear and the second gear. The upper plate includes a plurality of slurry supply holes extending in a vertical direction. Each of the carriers includes at least one wafer accommodation hole. The sum of cross-sectional areas of the wafer accommodation holes of the carriers is 32 to 34% of the cross-sectional area of the lower plate.
B24B 37/28 - Supports de pièce pour rodage double face de surfaces planes
B24B 37/08 - Machines ou dispositifs de rodageAccessoires conçus pour travailler les surfaces planes caractérisés par le déplacement de la pièce ou de l'outil de rodage pour un rodage double face
B24B 37/24 - Tampons de rodage pour travailler les surfaces planes caractérisés par la composition ou les propriétés des matériaux du tampon
B24B 49/04 - Appareillage de mesure ou de calibrage pour la commande du mouvement d'avance de l'outil de meulage ou de la pièce à meulerAgencements de l'appareillage d'indication ou de mesure, p. ex. pour indiquer le début de l'opération de meulage comparant la cote instantanée de la pièce travaillée à la cote cherchée, la mesure ou le calibrage étant continus ou intermittents impliquant la mesure de la cote de la pièce sur le lieu du meulage pendant l'opération de meulage
6.
Ingot growing apparatus and monitoring method thereof
An apparatus for growing an ingot from a melt accommodated in a crucible of a chamber comprises a first senor and a controller.
The first sensor is installed on one side of the chamber for detecting a detection signal in real time from a side portion of the ingot. The side portion of the ingot rotates via a detection area focused by the first sensor. The controller obtains a detection signal at each of a plurality of sampling points based on detection signals detected in real time, obtains a value of a central point of the ingot based on the detection signal at each of the plurality of sampling points, and determines whether or not the ingot is defective based on the value of the central point of the ingot.
An embodiment of the present invention provides a device for measuring a wafer polishing amount, comprising: a first weighing unit for measuring the weight of a loading cassette in which wafers are accommodated before polishing; a second weighing unit for measuring the weight of an unloading cassette in which the wafers are stored after polishing; and a control unit for calculating the polishing amount of the wafers before/after polishing according to measurement values of the first and second weighing units.
B24B 49/03 - Appareillage de mesure ou de calibrage pour la commande du mouvement d'avance de l'outil de meulage ou de la pièce à meulerAgencements de l'appareillage d'indication ou de mesure, p. ex. pour indiquer le début de l'opération de meulage comparant la cote instantanée de la pièce travaillée à la cote cherchée, la mesure ou le calibrage étant continus ou intermittents fonctionnant selon la cote finale de la pièce précédemment rectifiée
B24B 37/005 - Moyens de commande pour machines ou dispositifs de rodage
The present invention provides a shape analysis method for a wafer, comprising the steps of: scanning, in an edge area in one direction of a wafer, from a top surface up to side surfaces and a bottom surface so as to obtain shape profile data; calculating a maximum curvature point from the shape profile data; and calculating a radius of curvature from the maximum curvature point.
G01B 11/24 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques optiques pour mesurer des contours ou des courbes
G01B 11/03 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques optiques pour mesurer la longueur, la largeur ou l'épaisseur en mesurant les coordonnées de points
H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
G01B 11/255 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques optiques pour mesurer des contours ou des courbes pour mesurer le rayon de courbure
G01B 11/25 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques optiques pour mesurer des contours ou des courbes en projetant un motif, p. ex. des franges de moiré, sur l'objet
G06T 7/155 - DécoupageDétection de bords impliquant des opérateurs morphologiques
9.
WAFER CLEANING APPARATUS AND CLEANING METHOD THEREFOR
A wafer cleaning apparatus of the present invention comprises: a cleaning bath in which a cleaning liquid and a wafer to be cleaned are accommodated; a plurality of megasonic vibrating plates which are provided in the cleaning bath to generate megasonic waves; a lift unit which stacks the wafer thereon and puts the stacked wafer into the cleaning bath or lifts the wafer accommodated in the cleaning bath; and a processor which controls the lift unit and the plurality of megasonic vibrating plates such that the plurality of megasonic vibrating plates are differently controlled according to at least one lift interval during which the wafer is lifted.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
B08B 3/12 - Nettoyage impliquant le contact avec un liquide avec traitement supplémentaire du liquide ou de l'objet en cours de nettoyage, p. ex. par la chaleur, par l'électricité ou par des vibrations par des vibrations soniques ou ultrasoniques
Disclosed is a device for separating wafers sheet by sheet from ingot blocks having a plurality of sliced wafers bonded thereto. The wafer separation device includes a water tank configured to receive the ingot blocks and a liquid, a heating member configured to heat the liquid, a barrier rib provided in the water tank to isolate the ingot blocks from each other, an arm configured to separate the wafers sheet by sheet from the ingot blocks, and a sensor configured to sense the barrier rib.
The wafer wrapping device comprises: a lower platen; an upper platen disposed above the lower platen to wrap a wafer while being engaged with the lower platen; a cylinder which moves the upper platen up and down by a rod; a detection target unit which descends together with the upper platen; multiple position sensors for detecting the detection target unit which descends together with the upper platen to detect the descending position of the upper platen; a displacement sensor for detecting the detection target unit which descends together with the upper platen to detect the descending displacement of the upper platen; and a control unit for controlling the descending speed of the upper platen on the basis of the descending displacement of the upper platen and the descending position of the upper platen.
H01L 21/304 - Traitement mécanique, p. ex. meulage, polissage, coupe
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
This wire sawing device comprises: wires for cutting an ingot into a plurality of wafers; a clamp which is positioned above the wires, supports the ingot, and can move up and down; a support inserted into the clamp; and a deformation adjustment unit mounted on the lower side of the support and adjusting the deformation of the ingot.
B28D 5/04 - Travail mécanique des pierres fines, pierres précieuses, cristaux, p. ex. des matériaux pour semi-conducteursAppareillages ou dispositifs à cet effet par outils autres que ceux du type rotatif, p. ex. par des outils animés d'un mouvement alternatif
B28D 5/00 - Travail mécanique des pierres fines, pierres précieuses, cristaux, p. ex. des matériaux pour semi-conducteursAppareillages ou dispositifs à cet effet
13.
EXTERNAL CRUCIBLE ACCOMMODATING SILICON MELT AND SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT GROWTH APPARATUS INCLUDING THE SAME
An external crucible accommodating a silicon melt is disclosed. The external crucible includes a body configured to accommodate a silicon melt and divided into first to n-th sections. At least one of the first to n-th sections is formed to have a shape different from shapes of remaining ones of the first to n-th sections.
The present invention presents a single wafer-type wafer cleaning device and a single wafer-type method for controlling the surface roughness of a wafer, in which, in a wafer cleaning process, mutually different cleaning processes are carried out on the respective two sides of a wafer, and also, mutually different chemicals are used depending on the side of the wafer being cleaned, thereby enabling the respective roughness of the two sides to differ. The single wafer-type wafer cleaning device comprises a spin chamber, a first chemical supply device, a second chemical supply device and a third chemical supply device.
B08B 3/02 - Nettoyage par la force de jets ou de pulvérisations
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
15.
APPARATUS FOR ANALYZING METAL CONTAMINATION OF A WAFER AND A METHOD THEREOF
A method for analyzing metal contamination of a wafer comprises obtaining a contamination level of a first metal and a contamination level of a second metal for the wafer, obtaining a correction value by substituting the obtained contamination level of the second metal into a correlation equation, and obtaining a final contamination level of the first metal, by correcting the contamination level of the obtained first metal based on the correction value.
The present invention relates to a polishing control system, which can actively control a change in edge sector frontside reference Q deviation (ESFQD) by means of lifetime elapsing of a polishing pad, and, more specifically, to a polishing control system comprising: a plurality of slurry storage units in which a plurality of slurry solutions with different composition ratios of an alkali solution are stored by composition ratio of the alkali solution; a memory unit in which first data about a wafer edge portion polishing amount according to the lifetime elapsing of the polishing pad and second data regarding wafer edge portion polishing amounts according to the composition ratios of the alkali solution included in the slurry solutions stored in the slurry storage units are stored; and a slurry supply unit for supplying, on the basis of the first data and the second data stored in the memory unit, the slurry solutions stored in the slurry storage units to a polishing table of final polishing equipment.
B24B 57/02 - Dispositifs pour l'alimentation, l'application, le triage ou la récupération de produits de meulage, polissage ou rodage pour l'alimentation en produits de meulage, polissage ou rodage à l'état fluide, vaporisés, pulvérisés ou liquéfiés
B24B 49/02 - Appareillage de mesure ou de calibrage pour la commande du mouvement d'avance de l'outil de meulage ou de la pièce à meulerAgencements de l'appareillage d'indication ou de mesure, p. ex. pour indiquer le début de l'opération de meulage comparant la cote instantanée de la pièce travaillée à la cote cherchée, la mesure ou le calibrage étant continus ou intermittents
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
17.
APPARATUS AND METHOD FOR GROWING SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT
Provided in an embodiment is an apparatus for growing a silicon (Si) single crystal ingot, comprising: a chamber; a crucible, which is provided inside the chamber and accommodates Si melt; a heating unit provided at the periphery and/or the lower portion of the crucible; a first water cooling tube fixed at the upper portion of the inside of the chamber and arranged at the periphery of a Si single crystal ingot grown from the Si melt and raised; a heat-insulating member provided in an adjacent area of the crucible; a heat shield provided on the upper portion of the crucible and the heat-insulating member; an elevation member for elevating the heat shield; a second water cooling tube connected to the elevation member so as to be elevated upward and downward, and provided on the heat shield; and a current measurement unit for measuring the current between the elevation member and the heat-insulating member.
Disclosed is a method of growing a single crystal silicon ingot, including dipping a seed in a silicon melt, and sequentially growing a neck, a shoulder, and a body from the seed by pulling the seed, growing the neck includes growing a first neck part configured to have a cross-sectional area decreased from the seed, and growing a second neck part configured to have a constant cross-sectional area from the first neck part, and, in growing the first neck part, the seed is pulled at a speed equal to or less than 2.0 mm/min.
In this method for cleaning a semiconductor substrate, the semiconductor substrate is subjected to: a first cleaning process of supplying a first cleaning solution to the semiconductor substrate rotating at a first rotational speed during a first cleaning period; a second cleaning process of supplying a second cleaning solution to the semiconductor substrate rotating at a second rotational speed, which is lower than the first rotational speed, during a second cleaning period; and a third cleaning process of supplying a third cleaning solution to the semiconductor substrate rotating at a third rotational speed, which is higher than the second rotational speed, during a third cleaning period. The second cleaning solution is identical to the third cleaning solution.
A carrier recycling process designed to recycle carriers discarded after use for a certain period of time. The carrier recycling process includes dipping a carrier to be discarded in an organic solvent to remove a bond and to separate a body and an insert from each other, securing a surface roughness of one side surface of the body from which the insert has been separated, depositing a diamond-like-carbon (DLC) coating layer on the one side surface of the body having the secured surface roughness using a PECVD process, and coupling the insert to a circumference of the body having the DLC coating layer deposited thereon.
C23C 18/12 - Revêtement chimique par décomposition soit de composés liquides, soit de solutions des composés constituant le revêtement, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtementDépôt par contact par décomposition thermique caractérisée par le dépôt sur des matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques
21.
METHOD AND APPARATUS FOR GROWING SILICON SINGLE CRYSTAL INGOTS
An embodiment provides a method for growing silicon single crystal ingots, comprising the steps of: (a) injecting polysilicon into a crucible inside a chamber; (b) melting the polysilicon in the crucible to form a silicon melt; (c) measuring the degree of melting of the polysilicon; and (d) increasing, after a predetermined part of the polysilicon has been melted, the supply amount of an inert gas supplied to the chamber, and decreasing the pressure inside the chamber.
C30B 15/02 - Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p. ex. méthode de Czochralski en introduisant dans le matériau fondu le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ
C30B 15/14 - Chauffage du bain fondu ou du matériau cristallisé
C30B 15/30 - Mécanismes pour faire tourner ou pour déplacer soit le bain fondu, soit le cristal
According to an aspect of an embodiment, provided is an apparatus for cleaning a substrate, the apparatus comprising: a cleaning tank containing a plurality of substrates and a cleaning solution; a megasonic that is provided below the cleaning tank and emits ultrasonic waves toward the substrates during a cleaning time (t); first and second side arms disposed on either side of the inside of the cleaning tank; a plurality of first and second side combs provided below the first and second side arms and supporting either side of the lower part of the substrates; a center arm disposed in the center of the inside of the cleaning tank; a plurality of center combs provided below the center arm and supporting the center of the lower part of the substrates; and a driving unit for moving up and down or swinging the center arm relative to the center of the substrate during the cleaning time (t).
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p. ex. entre différents postes de travail
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
B08B 3/06 - Nettoyage impliquant le contact avec un liquide utilisant des tambours perforés dans lesquels est placé l'objet ou le matériau
B08B 3/12 - Nettoyage impliquant le contact avec un liquide avec traitement supplémentaire du liquide ou de l'objet en cours de nettoyage, p. ex. par la chaleur, par l'électricité ou par des vibrations par des vibrations soniques ou ultrasoniques
Disclosed are a pin hole inspection apparatus and method for determining whether or not the vacuum-packed state of a Front Opening Shipping Box (FOSB) vacuum-packed with film paper is defective. The pin hole inspection apparatus includes a receiving unit configured such that the FOSB vacuum-packed with the film paper is received thereon and supported thereby, an adsorption unit vacuum-adsorbed onto a target part of the film paper, configured to surround the FOSB received on and supported by the receiving unit, so as to pull the film paper, a displacement measurement unit configured to measure a degree of swelling of the film paper pulled through the adsorption unit, and a processing unit configured to determine whether or not a pin hole is generated by comparing a measurement displacement value acquired through the displacement measurement unit with a pre-stored reference displacement value.
G01M 3/36 - Examen de l'étanchéité des structures ou ouvrages vis-à-vis d'un fluide par utilisation d'un fluide ou en faisant le vide par détection des variations dans les dimensions de la structure à tester
An ingot growing apparatus is composed of a neck portion, a shoulder portion, a body portion, and a tail portion. The ingot growing apparatus comprises a memory configured to store an artificial neural network and a processor.
The processor learns the artificial neural network to obtain a primary shoulder shape model corresponding to training data, updates the obtained primary shoulder shape model based on shoulder information obtained during the growth of a shoulder portion of a first ingot to obtain a secondary shoulder shape model, sets a target tail temperature for growth a tail portion of the first ingot based on the secondary shoulder shape model, and controls the growth of the tail portion of the first ingot according to the set target tail temperature.
A device for evaluating edge defects in a silicon wafer comprises an image acquiring unit configured to acquire image data of an edge region of the silicon wafer, a data preprocessing unit configured to measure an edge region of the silicon wafer using a measurement equipment when an edge defect is detected in the acquired image data to determine a defect attribute of the detected edge defect, and a processor.
A device for evaluating edge defects in a silicon wafer comprises an image acquiring unit configured to acquire image data of an edge region of the silicon wafer, a data preprocessing unit configured to measure an edge region of the silicon wafer using a measurement equipment when an edge defect is detected in the acquired image data to determine a defect attribute of the detected edge defect, and a processor.
The processor controls to learn the acquired image data to output a defect attribute corresponding to the detected edge defect, and verifies an accuracy of the output defect attribute of the edge defect based on the determined defect attribute of the edge defect.
G06V 10/74 - Appariement de motifs d’image ou de vidéoMesures de proximité dans les espaces de caractéristiques
G06V 10/82 - Dispositions pour la reconnaissance ou la compréhension d’images ou de vidéos utilisant la reconnaissance de formes ou l’apprentissage automatique utilisant les réseaux neuronaux
According to an aspect of the present disclosure, there is provided a liner of an epitaxial reactor, including a lower body including an entrance stepped portion which is disposed on an upper end of one side of an outer side surface of the lower body and through which a source gas is introduced, a plurality of lower partitions disposed apart from each other on the entrance stepped portion, an upper body disposed on the lower body to face the lower body and including an entrance cover part forming a flow path which is interposed between the entrance stepped portion and the entrance cover part and through which the source gas is introduced, and a plurality of upper partitions disposed apart from each other on the entrance cover part, wherein the upper partitions are more densely disposed in both side portions than in a central portion of the entrance cover part.
C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
Disclosed is a method for determining fine particle defects on a silicon wafer that includes detecting first defects on the surface of the silicon wafer, depositing a thin film thereon, detecting second defects thereon, determining whether or not additional defects are formed after deposition of the thin film, and removing noise therefrom. Using the method, it is possible to identify ultrafine particle defects present on the surface of the silicon wafer before detection of the first defects.
A wax coating apparatus for wafer mounting of the embodiment includes: a vacuum chuck in which a vacuum flow path providing vacuum pressure is embedded; a heating plate mounted on an upper side of the vacuum chuck and having holes and grooves connected to the vacuum flow path of the vacuum chuck in order to suck a block to which a wafer is adhered; a rotating shaft connected to a lower side of the vacuum chuck; a driving motor for rotating the rotating shaft; and a wax nozzle provided to be spaced apart from the upper side of the vacuum chuck, wherein the heating plate may be operated so as to heat the block while the wax nozzle sprays wax on the block.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
29.
Workplate for Y-axis compensation of ingot and Y-axis compensation method of ingot using the same
Disclosed is a workplate for Y-axis compensation of an ingot and a Y-axis compensation method of the ingot using the same, which is configured to facilitate Y-axis compensation of the ingot in a state in which the ingot is attached to the workplate at a cutting-plane angle so as to be cut using a wire-cutting apparatus. More particularly, the workplate includes a bottom plate, having an upper surface formed to be curved downwards with respect to a longitudinal direction of the ingot attached to the workplate, and a top plate, coupled to the bottom plate such that a lower surface thereof is movable along the upper surface of the bottom plate and configured to enable the ingot to be coupled to an upper portion thereof at an X-axis cutting-plane angle.
B28D 7/04 - Accessoires spécialement conçus pour leur utilisation avec les machines ou les dispositifs des autres groupes de la présente sous-classe pour supporter ou maintenir les pièces travaillées
B28D 5/00 - Travail mécanique des pierres fines, pierres précieuses, cristaux, p. ex. des matériaux pour semi-conducteursAppareillages ou dispositifs à cet effet
B28D 5/04 - Travail mécanique des pierres fines, pierres précieuses, cristaux, p. ex. des matériaux pour semi-conducteursAppareillages ou dispositifs à cet effet par outils autres que ceux du type rotatif, p. ex. par des outils animés d'un mouvement alternatif
30.
Automatic abrasion compensation system of lower plate and wafer lapping apparatus having the same
Disclosed are an automatic abrasion compensation system of a lower plate and a wafer lapping apparatus having the same. The automatic abrasion compensation system reduces wafer misloading and errors in wafer loading inspection occurring when the distance between the lower plate and a transfer robot is gradually increased due to abrasion of the lower plate during a lapping process. The automatic abrasion compensation system includes an ultrasonic sensor provided on the transfer robot, a jig located directly under the ultrasonic sensor and mounted on the lower plate, a controller configured to acquire measurement distance information by measuring a distance from the jig through the ultrasonic sensor, to compare the measurement distance information with set reference distance information and to generate an adjustment control signal, and a driver configured to automatically adjust a Z-axis position of the transfer robot depending on the adjustment control signal transmitted by the controller.
An embodiment of the present invention provides a device for measuring a wafer polishing amount, comprising: a first weighing unit for measuring the weight of a loading cassette in which wafers are accommodated before polishing; a second weighing unit for measuring the weight of an unloading cassette in which the wafers are stored after polishing; and a control unit for calculating the polishing amount of the wafers before/after polishing according to measurement values of the first and second weighing units.
B24B 49/02 - Appareillage de mesure ou de calibrage pour la commande du mouvement d'avance de l'outil de meulage ou de la pièce à meulerAgencements de l'appareillage d'indication ou de mesure, p. ex. pour indiquer le début de l'opération de meulage comparant la cote instantanée de la pièce travaillée à la cote cherchée, la mesure ou le calibrage étant continus ou intermittents
H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
G01G 3/14 - Appareils de pesée caractérisés par l'utilisation d'organes déformables par élasticité, p. ex. balances à ressort dans lesquels l'élément de pesée est constitué par un corps solide soumis à une pression ou une traction pendant la pesée utilisant la mesure des variations de la résistance électrique
The present invention provides an ASC process automation device including: a loading part into which an ingot having been subjected to a wire sawing is input; a kerosene cleaning part for cleaning the ingot with kerosene; a precleaning part for precleaning the ingot; a main cleaning part for cleaning the ingot multiple times; a wafer peeling part for peeling the ingot to produce multiple wafers; and a transport unit for moving the ingot linearly and upward/downward while proceeding to the kerosene cleaning part, the precleaning part, the main cleaning part, and the wafer peeling part.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
B28D 5/00 - Travail mécanique des pierres fines, pierres précieuses, cristaux, p. ex. des matériaux pour semi-conducteursAppareillages ou dispositifs à cet effet
A method of evaluating a defect area on a wafer, the method including preparing a mirror-polished wafer, heat-treating the wafer, cleaning the wafer to remove an oxide film formed during the heat-treating, polishing the wafer, and evaluating a defect on a surface of the wafer, is disclosed.
One embodiment provides a lift pin comprising: a body which is inserted into a through-hole in a susceptor; and a head provided at the end of the body to come into contact with the underside of a wafer, wherein the top surface of the head is formed to have a concavoconvex structure.
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
35.
POLISHING PAD FOR WAFER POLISHING DEVICE, AND APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
The present invention provides a method for manufacturing a polishing pad, the method comprising: a step for manufacturing a non-woven pad; a polyurethane impregnation step for impregnating the non-woven pad with polyurethane; and a surface polishing step for polishing the surface of the non-woven pad impregnated with polyurethane, wherein the polyurethane impregnation step and the surface polishing step are performed such that the density ratio between the surface layer and the inside of the polishing pad is uniform.
Provided is a wire sawing device comprising an ingot temperature controller, the wire sawing device comprising: a chamber; an ingot clamp supporting an ingot inside the chamber; a first roller and a second roller; a wire which is wound around the first roller and the second roller and cuts the ingot into a plurality of wafers by rotating; a temperature measuring unit which is mounted inside the chamber, in which the ingot is cut, and measures the temperature of the ingot; and a heater unit mounted inside the chamber.
B28D 5/04 - Travail mécanique des pierres fines, pierres précieuses, cristaux, p. ex. des matériaux pour semi-conducteursAppareillages ou dispositifs à cet effet par outils autres que ceux du type rotatif, p. ex. par des outils animés d'un mouvement alternatif
C30B 15/14 - Chauffage du bain fondu ou du matériau cristallisé
37.
Wafer polishing head, method for manufacturing wafer polishing head, and wafer polishing apparatus comprising same
The present invention provides a method for manufacturing a wafer polishing head, the method comprising the steps of: coupling a guide ring consisting of a plurality of layers to the edge of a base substrate; rounding the edge of the guide ring; forming a first coating layer on the rounded surface of the guide ring through coating; fixing a rubber chuck to the base substrate; and forming a second coating layer on the outer circumferential surfaces of an adhesive and an adhesive material through coating, from the rubber chuck to the first coating layer.
Provided is a raw material supply unit comprising: a body having a space filled with a raw material; a partition for dividing the body, in the longitudinal direction, into at least two areas; at least two valves each provided in the respective areas in the body divided by the partition so as to open/close the lower portion of the body; and a drive unit for raising, in the vertical direction, each of the valves independently of each other.
C30B 15/02 - Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p. ex. méthode de Czochralski en introduisant dans le matériau fondu le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ
Provided is a raw material supply unit comprising: a main body having a space into which raw material is filled; a barrier for dividing the main body into two or more areas in the longitudinal direction; a rod extending from above the main body into the interior of same; and a valve, connected to the rod, for covering or exposing the lower portion of the main body, wherein the bottom surface of the main body has a step.
C30B 15/10 - Creusets ou récipients pour soutenir le bain fondu
C30B 15/30 - Mécanismes pour faire tourner ou pour déplacer soit le bain fondu, soit le cristal
C30B 35/00 - Appareillages non prévus ailleurs, spécialement adaptés à la croissance, à la production ou au post-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée
40.
Method and apparatus for growing silicon single crystal ingot
Embodiments provide a method of growing a silicon single crystal ingot, the method including growing a silicon single crystal ingot having crystal orientation of (111) using the Czochralski method, measuring a diameter of the silicon single crystal ingot, calculating a length of a facet of the silicon single crystal ingot, calculating a correction formula for a rotation speed of a seed and a correction formula for a pulling speed of the silicon single crystal ingot based on the calculated facet length, and correcting the rotation speed of the seed and the pulling speed of the silicon single crystal ingot based on a result of the calculation.
C30B 15/10 - Creusets ou récipients pour soutenir le bain fondu
C30B 15/14 - Chauffage du bain fondu ou du matériau cristallisé
C30B 15/36 - Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p. ex. méthode de Czochralski caractérisée par le germe, p. ex. par son orientation cristallographique
41.
SINGLE WAFER-TYPE WAFER CLEANING DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING SURFACE ROUGHNESS OF WAFER USING SAME
The present invention presents a single wafer-type wafer cleaning device and a single wafer-type method for controlling the surface roughness of a wafer, in which, in a wafer cleaning process, mutually different cleaning processes are carried out on the respective two sides of a wafer, and also, mutually different chemicals are used depending on the side of the wafer being cleaned, thereby enabling the respective roughness of the two sides to differ. The single wafer-type wafer cleaning device comprises a spin chamber, a first chemical supply device, a second chemical supply device and a third chemical supply device.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
B08B 3/02 - Nettoyage par la force de jets ou de pulvérisations
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
42.
Apparatus of oxidation-combusting an ingot grower and method thereof
A method of oxidation-combusting an ingot grower comprises a) blocking between the filter housing and the exhaust pipe, b) forming the filter housing in a vacuum state, and c) injecting air into the filter housing through an injection pipe connected to a first side of the filter housing to combust the filter housing.
C30B 15/04 - Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p. ex. méthode de Czochralski en introduisant dans le matériau fondu le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ avec addition d'un matériau de dopage, p. ex. pour une jonction n–p
A method of evaluating quality of a wafer or an apparatus of evaluating quality of a wafer may include: performing a copper-haze evaluation on a piece of wafer or a single crystal ingot; collecting copper-haze map data and a copper-haze evaluation score based on a result of the copper-haze evaluation; training an artificial intelligence model based on the copper-haze map data and the copper-haze evaluation score; and performing crystal defect evaluation on the piece of the wafer or the single crystal ingot using the learned artificial intelligence model that outputs the copper-haze evaluation score when the copper-haze map data is input.
A raw material feed hopper according to the present embodiment may include a hollow tube having a raw material accommodating space formed therein, a supporter supporting the hollow tube, a cone accommodated in the raw material accommodating space so as to be able to lift up and down, a rod connected to the cone, a connector connected to an upper portion of the rod, a lifting rod connected to the connector, and an elevator installed on the supporter for lifting up and down the lifting rod.
C30B 15/02 - Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p. ex. méthode de Czochralski en introduisant dans le matériau fondu le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ
B65D 88/26 - Trémies, c.-à-d. réceptacles présentant des sections de déchargement en forme d'entonnoir
Disclosed are an air circulation system and a final polishing apparatus including the same. The air circulation system improves the degree of contamination in a final polishing apparatus including a housing formed to accommodate a load unit, an unload unit, and a plurality of polishing units. The air circulation system includes air purification units mounted at positions corresponding to the positions of the load unit, the unload unit, and the plurality of polishing units. The air purification units discharge contaminated air in the housing to the outside of the housing, purify the discharged air, and supply the purified air again into the housing.
B24B 55/06 - Équipement d'enlèvement des poussières sur les machines à meuler ou à polir
B01D 46/00 - Filtres ou procédés spécialement modifiés pour la séparation de particules dispersées dans des gaz ou des vapeurs
B01D 46/58 - Filtres ou procédés spécialement modifiés pour la séparation de particules dispersées dans des gaz ou des vapeurs avec plusieurs éléments filtrants, caractérisés par leur disposition relative montés en parallèle
An embodiment provides a method for growing silicon single crystal ingots, comprising the steps of: (a) injecting polysilicon into a crucible inside a chamber; (b) melting the polysilicon in the crucible to form a silicon melt; (c) measuring the degree of melting of the polysilicon; and (d) increasing, after a predetermined part of the polysilicon has been melted, the supply amount of an inert gas supplied to the chamber, and decreasing the pressure inside the chamber.
An apparatus of cleaning a polishing pad includes: a first gas nozzle for spraying gas onto the pores of the polishing pad; and a first liquid nozzle for spraying a liquid to the pores of the polishing pad.
An embodiment provides an epitaxial water evaluation method comprising the steps of: cutting a wafer into a first specimen and a second specimen; growing and thermally treating epitaxial layers of the first and second specimens under different conditions; and measuring the diffusion distance of a dopant in each of the epitaxial layers of the first and second specimens.
H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
H01L 21/22 - Diffusion des impuretés, p. ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductricesRedistribution des impuretés, p. ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire
A single crystal ingot growth control device includes: an input unit that receives a diameter error that is a difference value between a measured diameter of the ingot and a target diameter; a calculation unit that performs integral calculation on the diameter error received by the input unit in real time and calculates a final pulling speed for each set time that is increased stepwise by reflecting the diameter error integral value, and an output unit that outputs the final pulling speed calculated by the calculation unit to a pulling controller during the set time.
G05B 6/02 - Dispositions de rétroaction interne pour obtenir des caractéristiques particulières, p. ex. proportionnelles, intégrales ou différentielles électriques
Disclosed is a method for analyzing a shape of a wafer. The method includes measuring external shapes of a plurality of wafers, detecting a first point having a maximum curvature in an edge region of each wafer from measured values acquired in the measuring the external shapes of the wafers, detecting a second point spaced apart from the first point in a direction towards an apex of a corresponding one of the wafers, measuring a first angle formed between a first line configured to connect the first point and the second point and a front side of the corresponding one of the wafers, forming a thin film layer on a surface of each wafer, measuring a thickness profile of the thin film layer, and confirming a wafer in which a maximum value of the thickness profile of the thin film layer is the smallest among the wafers.
The present invention provides an ASC process automation device including: a loading part into which an ingot having been subjected to a wire sawing is input; a kerosene cleaning part for cleaning the ingot with kerosene; a precleaning part for precleaning the ingot; a main cleaning part for cleaning the ingot multiple times; a wafer peeling part for peeling the ingot to produce multiple wafers; and a transport unit for moving the ingot linearly and upward/downward while proceeding to the kerosene cleaning part, the precleaning part, the main cleaning part, and the wafer peeling part.
B28D 5/00 - Travail mécanique des pierres fines, pierres précieuses, cristaux, p. ex. des matériaux pour semi-conducteursAppareillages ou dispositifs à cet effet
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
52.
Silicon single crystal growth method and apparatus
An embodiment provides a silicon single crystal growth method comprising the steps of: (a) allowing the shoulder of a single crystal to grow vertically; (b) allowing the shoulder to grow horizontally after the vertical growth; and (c) allowing the shoulder to grow in a downward convex shape after the horizontal growth of the shoulder, wherein the shoulder grows at a preset rate on the basis of the final diameter of the shoulder and the shoulder growth height according to steps (b) and (c).
C30B 15/10 - Creusets ou récipients pour soutenir le bain fondu
C30B 15/22 - Stabilisation, ou commande de la forme, de la zone fondue au voisinage du cristal tiréCommande de la section du cristal
C30B 15/36 - Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p. ex. méthode de Czochralski caractérisée par le germe, p. ex. par son orientation cristallographique
This embodiment comprises: a step for preparing a sample wafer; a step for forming a first oxide film on the sample wafer at a temperature of 700-800° C.; a step for forming a second oxide film on the first oxide film at a temperature of 800-1000° C.; a step for forming a third oxide film on the second oxide film at a temperature of 1000-1100° C.; a step for forming a fourth oxide film on the third oxide film at a temperature of 1100-1200° C.; a step for removing the first to fourth oxide films; a step for forming a haze on the surface of the sample wafer by etching the sample wafer from which the first to fourth oxide films have been removed; and a step for evaluating a defective region of the sample wafer on the basis of the haze.
The present invention provides logistics automation equipment for a semiconductor wafer manufacturing device, comprising: a first processing device having a first stage part; a second processing device having a second stage part; a main body part provided at the first processing device and the second processing device so as to transfer a cassette to the first processing device and the second processing device; sensor parts which are respectively provided at the first stage part and the second stage part and which detect the location of the cassette; and a control unit which is mounted on the main body part, and which controls the transfer unit, the first processing device and the second processing device.
H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p. ex. entre différents postes de travail
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
55.
APPARATUS FOR SUPPLYING RAW MATERIAL FOR SINGLE CRYSTAL GROWTH
An apparatus for supplying a raw material for single crystal growth, according to an embodiment of the present invention, comprises: a feed unit in which a poly-raw material is stored and which supplies the poly-raw material in a predetermined amount; a dust removal unit including a ramp one end of which is disposed below the feed unit and which has dust suction ports for filtering out dust in the poly-raw material supplied from the feed unit; and a transfer unit which is disposed below the other end of the ramp to automatically transfer the poly-raw material having passed through the ramp to a charging hopper.
C30B 35/00 - Appareillages non prévus ailleurs, spécialement adaptés à la croissance, à la production ou au post-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée
C30B 15/00 - Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p. ex. méthode de Czochralski
B08B 15/02 - Précautions prises pour empêcher les crasses ou les fumées de s'échapper de la zone où elles sont produitesRamassage ou enlèvement des crasses ou des fumées de cette zone par utilisation de chambres ou de hottes recouvrant cette zone
56.
POLISHING PAD FOR WAFER POLISHING DEVICE, AND APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
The present invention provides a method for manufacturing a polishing pad, the method comprising: a step for manufacturing a non-woven pad; a polyurethane impregnation step for impregnating the non-woven pad with polyurethane; and a surface polishing step for polishing the surface of the non-woven pad impregnated with polyurethane, wherein the polyurethane impregnation step and the surface polishing step are performed such that the density ratio between the surface layer and the inside of the polishing pad is uniform.
Provided is a wire sawing device comprising an ingot temperature controller, the wire sawing device comprising: a chamber; an ingot clamp supporting an ingot inside the chamber; a first roller and a second roller; a wire which is wound around the first roller and the second roller and cuts the ingot into a plurality of wafers by rotating; a temperature measuring unit which is mounted inside the chamber, in which the ingot is cut, and measures the temperature of the ingot; and a heater unit mounted inside the chamber.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
B28D 5/04 - Travail mécanique des pierres fines, pierres précieuses, cristaux, p. ex. des matériaux pour semi-conducteursAppareillages ou dispositifs à cet effet par outils autres que ceux du type rotatif, p. ex. par des outils animés d'un mouvement alternatif
B28D 5/00 - Travail mécanique des pierres fines, pierres précieuses, cristaux, p. ex. des matériaux pour semi-conducteursAppareillages ou dispositifs à cet effet
58.
First cleaning apparatus, cleaning equipment including the same, and cleaning method
Disclosed is a first cleaning apparatus including a first cleaning bath, a cover provided at the upper part of the first cleaning bath, a drainage portion provided at the lower part of the first cleaning bath, a first cleaning unit and a second cleaning unit provided respectively at a first side surface and a second side surface in the first cleaning bath, and first and second moving units configured to move the first and second cleaning units, respectively, wherein each of the first and second cleaning units includes a plurality of cleaning solution supply pipes provided at different heights and a plurality of nozzles provided at each of the cleaning solution supply pipes, the nozzles provided at one cleaning solution supply pipe have identical cleaning solution spray angles, and the nozzles provided at the other cleaning solution supply pipes have different cleaning solution spray angles.
H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
59.
APPARATUS AND METHOD FOR GROWING SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT
An embodiment provides an apparatus for growing a silicon single crystal ingot, comprising: a chamber; a crucible which is provided inside the chamber and accommodates a silicon melt; a heating part which is provided inside the chamber and disposed around the crucible; a first water cooling pipe which is fixed and is provided at an upper portion of the inside of the chamber, and is disposed around an ingot that is grown and pulled from the crucible; a heat shield which is provided on an upper portion of the crucible; and a second water cooling pipe which is movable and is provided in an outer area of the first water cooling pipe.
The present embodiments provide a mechanism for computing a thickness of a scanned wafer shape to determine a profile, and computing a delta correction value and a polishing end point time by using a computed PV value by the profile and a set predicted PV value and reflecting the same on the polishing time of each wafer which is under polishing. Accordingly, excellent flatness of a wafer surface can be achieved and simultaneously, a plurality of controllers can be controlled simultaneously to reduce equipment cost.
B24B 37/013 - Dispositifs ou moyens pour détecter la fin de l'opération de rodage
B24B 49/02 - Appareillage de mesure ou de calibrage pour la commande du mouvement d'avance de l'outil de meulage ou de la pièce à meulerAgencements de l'appareillage d'indication ou de mesure, p. ex. pour indiquer le début de l'opération de meulage comparant la cote instantanée de la pièce travaillée à la cote cherchée, la mesure ou le calibrage étant continus ou intermittents
B24B 49/04 - Appareillage de mesure ou de calibrage pour la commande du mouvement d'avance de l'outil de meulage ou de la pièce à meulerAgencements de l'appareillage d'indication ou de mesure, p. ex. pour indiquer le début de l'opération de meulage comparant la cote instantanée de la pièce travaillée à la cote cherchée, la mesure ou le calibrage étant continus ou intermittents impliquant la mesure de la cote de la pièce sur le lieu du meulage pendant l'opération de meulage
B24B 49/12 - Appareillage de mesure ou de calibrage pour la commande du mouvement d'avance de l'outil de meulage ou de la pièce à meulerAgencements de l'appareillage d'indication ou de mesure, p. ex. pour indiquer le début de l'opération de meulage impliquant des dispositifs optiques
B24B 37/16 - Plateaux de rodage pour travailler les surfaces planes caractérisés par la forme ou le profil de la surface du plateau de rodage, p. ex. rainurée
B24B 37/04 - Machines ou dispositifs de rodageAccessoires conçus pour travailler les surfaces planes
B24B 7/22 - Machines ou dispositifs pour meuler les surfaces planes des pièces, y compris ceux pour le polissage des surfaces planes en verreAccessoires à cet effet caractérisés par le fait qu'ils sont spécialement étudiés en fonction des propriétés de la matière des objets non métalliques à meuler pour meuler de la matière inorganique, p. ex. de la pierre, des céramiques, de la porcelaine
61.
LIFT PIN, WAFER PROCESSING APPARATUS COMPRISING SAME, AND METHOD FOR PRODUCING WAFERS
One embodiment provides a lift pin comprising: a body which is inserted into a through-hole in a susceptor; and a head provided at the end of the body to come into contact with the underside of a wafer, wherein the top surface of the head is formed to have a concavoconvex structure.
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
The present invention relates to a wafer carrier thickness measuring device capable of accurately measuring an inner/outer circumferential thickness of a wafer carrier in a non-contact manner. The present invention provides a wafer carrier thickness measuring device including: a first table installed to be capable of rotating and moving vertically and capable of supporting a central portion of a wafer carrier; a second table disposed outside the first table and rotatably installed, and capable of supporting an outer circumferential portion of the wafer carrier; upper and lower sensors for calculating a thickness of the wafer carrier by measuring a distance to upper and lower surfaces of the wafer carrier supported by one of the first and second tables in a non-contact manner; and a sensor driving unit located at one side of the second table and moving the upper and lower sensors to an upper side or a lower side of the wafer carrier supported by one of the first and second tables.
G01B 11/06 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques optiques pour mesurer la longueur, la largeur ou l'épaisseur pour mesurer l'épaisseur
G01B 11/02 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques optiques pour mesurer la longueur, la largeur ou l'épaisseur
G01N 21/95 - Recherche de la présence de criques, de défauts ou de souillures caractérisée par le matériau ou la forme de l'objet à analyser
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
Provided is a raw material supply unit comprising: a main body having a space into which raw material is filled; a barrier for dividing the main body into two or more areas in the longitudinal direction; a rod extending from above the main body into the interior of same; and a valve, connected to the rod, for covering or exposing the lower portion of the main body, wherein the bottom surface of the main body has a step.
C30B 35/00 - Appareillages non prévus ailleurs, spécialement adaptés à la croissance, à la production ou au post-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée
C30B 15/00 - Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p. ex. méthode de Czochralski
C30B 30/04 - Production de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée, caractérisée par l'action de champs électriques ou magnétiques, de l'énergie ondulatoire ou d'autres conditions physiques spécifiques en utilisant des champs magnétiques
64.
RAW MATERIAL SUPPLY UNIT, SINGLE CRYSTAL SILICON INGOT GROWING APPARATUS COMPRISING SAME AND RAW MATERIAL SUPPLY METHOD
Provided is a raw material supply unit comprising: a body having a space filled with a raw material; a partition for dividing the body, in the longitudinal direction, into at least two areas; at least two valves each provided in the respective areas in the body divided by the partition so as to open/close the lower portion of the body; and a drive unit for raising, in the vertical direction, each of the valves independently of each other.
C30B 15/02 - Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p. ex. méthode de Czochralski en introduisant dans le matériau fondu le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ
The present invention provides a method for manufacturing a wafer polishing head, the method comprising the steps of: coupling a guide ring consisting of a plurality of layers to the edge of a base substrate; rounding the edge of the guide ring; forming a first coating layer on the rounded surface of the guide ring through coating; fixing a rubber chuck to the base substrate; and forming a second coating layer on the outer circumferential surfaces of an adhesive and an adhesive material through coating, from the rubber chuck to the first coating layer.
B24D 3/00 - Propriétés physiques des corps ou feuilles abrasives, p. ex. surfaces abrasives de nature particulièreCorps ou feuilles abrasives caractérisés par leurs constituants
B24D 3/28 - Propriétés physiques des corps ou feuilles abrasives, p. ex. surfaces abrasives de nature particulièreCorps ou feuilles abrasives caractérisés par leurs constituants les constituants étant utilisés comme agglomérants et étant essentiellement organiques en résines
66.
Wafer cassette stocker and wafer cassette drying method using the same
An embodiment provides a wafer cassette stoker comprising: a cassette on which a plurality of wafers are loaded; a plurality of chambers disposed in one line while forming at least one layer, wherein the cassette after being cleaned is inserted in each of the chambers and a humidity control unit for supplying a compressed dry air (CDA) into the insides of the chambers so as to control humidity of the cassette.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01L 21/673 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants utilisant des supports spécialement adaptés
H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p. ex. entre différents postes de travail
67.
APPARATUS FOR PREPARING WAFER POLISHING PAD AND METHOD FOR PREPARING WAFER POLISHING PAD USING SAME
The present invention provides an apparatus, for preparing a wafer polishing pad, comprising: a polishing pad which has an upper pad having a plurality of lattice grooves and a lower pad attached to the bottom part of the upper pad; a first roller around which the polishing pad is wound; a buffing roller for buffing the upper pad of the polishing pad; and a second roller for feeding the polishing pad which is wound around the first roller to the buffing roller and discharging the buffed polishing pad, wherein the buffing roller and second roller rotate in the same direction.
B24D 18/00 - Fabrication d'outils pour meuler, p. ex. roues, non prévue ailleurs
B08B 15/00 - Précautions prises pour empêcher les crasses ou les fumées de s'échapper de la zone où elles sont produitesRamassage ou enlèvement des crasses ou des fumées de cette zone
The present invention relates to a wafer cleaning device which can prevent a cleaning solution from leaking and enables prompt treatment. The present invention provides a wafer cleaning device comprising: a cleaning bath which receives a cleaning solution and from which the cleaning solution overflows according to the dipping of wafers; a plurality of lift parts arranged at the outside of the cleaning bath and dipping the cassette into the cleaning solution in the cleaning bath; an external water tank having the cleaning bath and the lift parts received therein and including a drain hole through which the cleaning solution is drained; and a tray which can be detachably attached to the inner bottom surface of the external water tank and collects the cleaning solution to guide same to the drain hole.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
B08B 3/04 - Nettoyage impliquant le contact avec un liquide
B08B 3/08 - Nettoyage impliquant le contact avec un liquide le liquide ayant un effet chimique ou dissolvant
H01L 21/673 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants utilisant des supports spécialement adaptés
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
The present invention relates to a crucible for an ingot growing apparatus capable of increasing the life span of a graphite crucible. One embodiment of the present invention provides a crucible for an ingot growing apparatus including: a quartz crucible containing a silicon melt and having a lower surface part with a curved shape; a graphite crucible accommodating the quartz crucible and having a body shape divided into at least two parts with respect to a lower surface thereof; and an inner supporter supported between the lower surface of the quartz crucible and the graphite crucible.
The present invention provides a driving unit measuring apparatus, the apparatus including: a crucible support for supporting a crucible; a pulling unit for elevating or rotating a seed at an upper portion of the crucible; a crucible driving unit for rotating or elevating the crucible support; a flat nut detachably coupled to the pulling unit; a crucible shaft inspection jig detachably coupled to the crucible driving unit; and a displacement measuring unit coupled to the flat nut and the crucible shaft inspection jig and measuring at least one of elevation and rotational displacement of the pulling unit and the crucible driving unit.
The present invention provides a polishing pad for a wafer polishing apparatus, comprising: an upper pad having a front surface part, which has a cut surface and is in contact with a wafer, a rear surface part positioned on the lower part of the front surface part, and a plurality of grid grooves passing through the front surface part and the rear surface part; a lower pad, which is arranged on the lower part of the upper pad and can be attached to a surface plate; and an adhesion part positioned between the upper pad and the lower pad to couple the upper pad with the lower pad.
B24B 37/26 - Tampons de rodage pour travailler les surfaces planes caractérisés par la forme ou le profil de la surface du tampon de rodage, p. ex. rainurée
B24B 37/013 - Dispositifs ou moyens pour détecter la fin de l'opération de rodage
B24B 37/22 - Tampons de rodage pour travailler les surfaces planes caractérisés par une structure multicouche
72.
DAMPING DEVICE AND EPITAXIAL REACTOR INCLUDING SAME
An embodiment provides a damping device comprising: a body including a coupling groove; and a damper member disposed in the coupling groove, wherein the damper member reduces the impact occurring when a wafer is brought into contact with a lift pin.
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
73.
BUFFER DEVICE AND EPITAXIAL REACTOR COMPRISING SAME
An embodiment provides a buffer device comprising a buffer member arranged at the lower part of a lift pin shaft coming into contact with a lift pin that supports a wafer, wherein the buffer member relieves the shock generated when the wafer comes into contact with the lift pin.
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
74.
SUSCEPTOR AND DEVICE FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR
A susceptor comprises: a body including a top surface having a rim shape; a recess including a bottom surface which is lower than the top surface and surrounded by the top surface; and a ledge extending between the top surface and the bottom surface in order to support a wafer. The ledge has a shape inclined toward the center of the bottom surface, and the flatness of the surface of the ledge may have a deviation between 10 μm and 50 μm.
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
The present invention provides a wafer lapping apparatus comprising: a top lap; a plurality of through holes perforated in the top lap; a plurality of supply tubes respectively coupled to the plurality of through holes, to supply slurry or air to under the top lap; and a backflow prevention unit provided in the supply tubes, to prevent the slurry under the top lap from backflowing.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
An embodiment provides a epitaxial wafer evaluation method comprising the steps of: cutting a wafer into a first specimen and a second specimen; growing and thermally treating epitaxial layers of the first and second specimens under different conditions; and measuring the diffusion distance of a dopant in each of the epitaxial layers of the first and second specimens.
H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
H01L 21/78 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
H01L 21/76 - Réalisation de régions isolantes entre les composants
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/324 - Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p. ex. recuit, frittage
An embodiment provides a silicon supply part including: a silicon supply chamber; a holder provided on an inner wall of a lower region of the silicon supply chamber; a tube elevating vertically by a first cable inside the silicon supply chamber; a guide provided outside the tube and overlapped with the holder vertically; and a stopper elevating vertically by a second cable and inserted into a lower portion of the tube to open and close the lower portion of the tube.
C30B 15/02 - Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p. ex. méthode de Czochralski en introduisant dans le matériau fondu le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ
C30B 15/10 - Creusets ou récipients pour soutenir le bain fondu
C30B 15/14 - Chauffage du bain fondu ou du matériau cristallisé
C30B 15/30 - Mécanismes pour faire tourner ou pour déplacer soit le bain fondu, soit le cristal
The present invention provides an apparatus for packing wafer cassettes, the apparatus including: a loading part to which a wafer cassette is loaded; an accessory inspecting part configured to check a recipe attached to the wafer cassette and inspect accessories of the wafer cassette; a first label attaching part configured to attach a first label to the wafer cassette on which the accessory inspection has been completed; a primary film packing part configured to receive a primary film according to the recipe and pack the wafer cassette using the primary film; a secondary film packing part configured to receive a secondary film according to the recipe and secondarily pack the wafer cassette using the secondary film; a second label attaching part configured to attach a second label to the secondary film with which the wafer cassette has been packed; and an unloading part configured to discharge the wafer cassette which has been completely packaged.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01L 21/673 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants utilisant des supports spécialement adaptés
H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p. ex. entre différents postes de travail
80.
Apparatus and method for measuring particle on surface of wafer
An embodiment provides a method for measuring particles on a wafer surface, the method including: disposing and rotating a wafer on a stage; irradiating a laser in a first region of a center of a surface of the rotating wafer, a second region between the first region and a third region, and the third region at an edge thereof; and measuring a laser reflected from the first to third regions of the wafer, wherein a second output of the laser irradiated in the second region is larger than a first output of the laser irradiated in the first region and a third output of the laser irradiated in the third region is larger than the second output of the laser irradiated in the second region.
G01N 21/95 - Recherche de la présence de criques, de défauts ou de souillures caractérisée par le matériau ou la forme de l'objet à analyser
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
G01N 21/956 - Inspection de motifs sur la surface d'objets
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
A semiconductor substrate manufacturing method according to an embodiment comprises the steps of: contaminating at least one of a surface layer of a doped semiconductor substrate having a specific resistance of less than 0.1 Ω·cm and a bulk layer below the surface layer with at least one metal of Fe, Cu, and Ni; performing dry oxidation at 950° C. for 30 minutes to forcibly form an oxide film on the surface of the semiconductor substrate; and assessing at least one of the presence and the degree of contamination of metal contained in at least one of the oxide film-formed surface layer and bulk layer by using a photoluminescence assessment method.
H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/223 - Diffusion des impuretés, p. ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductricesRedistribution des impuretés, p. ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase gazeuse
H01L 21/304 - Traitement mécanique, p. ex. meulage, polissage, coupe
H01L 21/324 - Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p. ex. recuit, frittage
This embodiment comprises: a step for preparing a sample wafer; a step for forming a first oxide film on the sample wafer at a temperature of 700-800°C; a step for forming a second oxide film on the first oxide film at a temperature of 800-1000°C; a step for forming a third oxide film on the second oxide film at a temperature of 1000-1100°C; a step for forming a fourth oxide film on the third oxide film at a temperature of 1100-1200°C; a step for removing the first to fourth oxide films; a step for forming a haze on the surface of the sample wafer by etching the sample wafer from which the first to fourth oxide films have been removed; and a step for evaluating a defective region of the sample wafer on the basis of the haze.
The present invention relates to an ingot growth control device capable of quickly and accurately controlling a diameter of an ingot during an ingot growing process and improving quality of the ingot, and a control method thereof.
In the ingot growth control device and a control method thereof according to the present invention, when an input unit provides diameter data obtained by filtering a diameter measurement value of an ingot, a diameter controller reflects the diameter data to control a pulling speed of the ingot, while a temperature controller reflects the diameter data to control power of a heater.
The present invention relates to a wafer cleaning device which can prevent a cleaning solution from leaking and enables prompt treatment. The present invention provides a wafer cleaning device comprising: a cleaning bath which receives a cleaning solution and from which the cleaning solution overflows according to the dipping of wafers; a plurality of lift parts arranged at the outside of the cleaning bath and dipping the cassette into the cleaning solution in the cleaning bath; an external water tank having the cleaning bath and the lift parts received therein and including a drain hole through which the cleaning solution is drained; and a tray which can be detachably attached to the inner bottom surface of the external water tank and collects the cleaning solution to guide same to the drain hole.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
85.
Apparatus for growing single crystalline ingot and method for growing same
The present invention relates to an apparatus for growing a single crystal ingot capable of uniformly controlling an oxygen concentration in a longitudinal direction and a radial direction of a single crystal ingot by uniformly maintaining a convection pattern on a silicon melt interface, and a method for growing the same. In an apparatus for growing a single crystal ingot and a method for growing the same according to the present invention, a horizontal magnet is positioned to be movable up and down by a magnet moving unit around a crucible, so that a maximum gauss position (MGP) is positioned to be higher than the silicon melt interface and simultaneously, a rate of increase in the MGP is controlled to 3.5 mm/hr to 6.5 mm/hr, and thus it possible to secure simplicity and symmetry of convection on the silicon melt interface. Accordingly, in the present invention, it is possible to reduce an Oi deviation and a BMD deviation in a longitudinal direction and a radial direction of a single crystal ingot, thereby improving quality.
C30B 15/30 - Mécanismes pour faire tourner ou pour déplacer soit le bain fondu, soit le cristal
C30B 30/04 - Production de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée, caractérisée par l'action de champs électriques ou magnétiques, de l'énergie ondulatoire ou d'autres conditions physiques spécifiques en utilisant des champs magnétiques
86.
WAFER CASSETTE STOKER AND WAFER CASSETTE DRYING METHOD USING SAME
An embodiment provides a wafer cassette stoker comprising: a cassette on which a plurality of wafers are loaded; a plurality of chambers disposed in one line while forming at least one layer, wherein the cassette after being cleaned is inserted in each of the chambers; and a humidity control unit for supplying a compressed dry air (CDA) into the insides of the chambers so as to control humidity of the cassette.
H01L 21/673 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants utilisant des supports spécialement adaptés
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p. ex. entre différents postes de travail
87.
WAFER TRANSFER MECHANISM AND CVD DEVICE HAVING SAME
The present invention provides a wafer transfer mechanism comprising: a first blade coupled to a robot arm; a second and a third blade each extending from the first blade; an inner mounting part provided to the first blade and supporting one side of a wafer; and outer mounting parts provided to the respective outer sides of the second and third blades and supporting the other side of the wafer, wherein the outer mounting parts each comprise a support block for supporting the inner area of the edge of the other side of the wafer, an edge block spaced apart so as to surround the edge of the wafer, and a recessed groove positioned below the edge of the wafer and formed between the support block and the edge block.
H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p. ex. entre différents postes de travail
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
A wafer defect analysis method according to one embodiment comprises the steps of: thermally treating a wafer at different temperatures; measuring an oxygen precipitate index of the thermally treated wafer; determining a characteristic temperature at which the oxygen precipitate index is maximized; and discriminating a type of defect region of the wafer depending on the determined characteristic temperature.
One embodiment provides a silicon supply part comprising: a silicon supply chamber; a holder provided on an inner wall of the lower region of the silicon supply chamber; a tube which moves vertically, by means of a first cable, inside the silicon supply chamber; a guide provided outside the tube and vertically overlapping with the holder; and a stopper which moves vertically by means of a second cable and is inserted to the lower part of the tube, for opening and closing the lower part of the tube.
C30B 15/02 - Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p. ex. méthode de Czochralski en introduisant dans le matériau fondu le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ
The present invention provides a polishing pad for a wafer polishing apparatus, comprising: an upper pad having a front surface part, which has a cut surface and is in contact with a wafer, a rear surface part positioned on the lower part of the front surface part, and a plurality of grid grooves passing through the front surface part and the rear surface part; a lower pad, which is arranged on the lower part of the upper pad and can be attached to a surface plate; and an adhesion part positioned between the upper pad and the lower pad to couple the upper pad with the lower pad.
B24B 37/26 - Tampons de rodage pour travailler les surfaces planes caractérisés par la forme ou le profil de la surface du tampon de rodage, p. ex. rainurée
B24B 37/22 - Tampons de rodage pour travailler les surfaces planes caractérisés par une structure multicouche
B24D 18/00 - Fabrication d'outils pour meuler, p. ex. roues, non prévue ailleurs
B24D 11/00 - Caractéristiques de construction des matériaux abrasifs flexiblesCaractéristiques particulières de la fabrication de ces matériaux
91.
SILICON SINGLE CRYSTAL GROWTH METHOD AND APPARATUS
An embodiment provides a silicon single crystal growth method comprising the steps of: (a) allowing the shoulder of a single crystal to grow vertically; (b) allowing the shoulder to grow horizontally after the vertical growth; and (c) allowing the shoulder to grow in a downward convex shape after the horizontal growth of the shoulder, wherein the shoulder grows at a preset rate on the basis of the final diameter of the shoulder and the shoulder growth height according to steps (b) and (c).
C30B 15/22 - Stabilisation, ou commande de la forme, de la zone fondue au voisinage du cristal tiréCommande de la section du cristal
C30B 15/36 - Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p. ex. méthode de Czochralski caractérisée par le germe, p. ex. par son orientation cristallographique
C30B 15/10 - Creusets ou récipients pour soutenir le bain fondu
The present invention relates to a pulling control device for growing a single crystal ingot capable of controlling an eccentricity of a single crystal ingot by varying a seed rotation number in real time, and a pulling control method applied thereto.
in) and controlling a rotation number (f) of a seed cable, and it is possible to prevent fluctuation of the melt and an eccentricity phenomenon of the ingot.
The present invention relates to a temperature control device for growing a single crystal ingot capable of accurately measuring a temperature of a silicon melt and quickly controlling to a target temperature during an ingot growing process, and a temperature control method applied thereto.
The present invention provides a temperature control device for growing a single crystal ingot, which controls an operation of a heater for heating a crucible configured to accommodate a silicon melt, the device including: an input unit configured to measure a temperature of the silicon melt accommodated in the crucible and process the measured temperature of the silicon melt; a control unit configured to perform a proportional-integral-derivative (PID) calculation of one of the measured temperature T1 and the processing temperature T2 of the input unit and a set target temperature T0 and calculate as an output of the heater; and an output unit configured to input the output of the heater calculated in the control unit to the heater.
C30B 15/14 - Chauffage du bain fondu ou du matériau cristallisé
G05B 19/4155 - Commande numérique [CN], c.-à-d. machines fonctionnant automatiquement, en particulier machines-outils, p. ex. dans un milieu de fabrication industriel, afin d'effectuer un positionnement, un mouvement ou des actions coordonnées au moyen de données d'un programme sous forme numérique caractérisée par le déroulement du programme, c.-à-d. le déroulement d'un programme de pièce ou le déroulement d'une fonction machine, p. ex. choix d'un programme
According to the present invention, there is provided a slurry supply system including: a slurry mixing unit configured to mix slurry; a slurry supply unit in which the slurry mixed in the slurry mixing unit is stored and configured to supply the slurry to a polishing apparatus; a pipe configured to connect the slurry mixing unit and the slurry supply unit; and a slurry cooling unit installed in at least one of pipes configured to connect the slurry supply unit and the polishing apparatus to cool down the mixed slurry.
B24B 55/02 - Équipement pour refroidir les surfaces abrasives, p. ex. dispositifs d'alimentation en agent de refroidissement
B24B 57/02 - Dispositifs pour l'alimentation, l'application, le triage ou la récupération de produits de meulage, polissage ou rodage pour l'alimentation en produits de meulage, polissage ou rodage à l'état fluide, vaporisés, pulvérisés ou liquéfiés
B24B 37/04 - Machines ou dispositifs de rodageAccessoires conçus pour travailler les surfaces planes
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
The present invention provides a wafer polishing apparatus, including: a surface plate having a polishing pad attached on an upper surface thereof; a slurry injection nozzle configured to inject slurry toward the polishing pad; at least one polishing head configured to accommodate a wafer and rotate at an upper portion of the surface plate; an index configured to support so as to connect the at least one polishing head at an upper portion thereof; and a particle suction part coupled to the index and configured to suck particles generated during polishing of the wafer.
B24B 37/10 - Machines ou dispositifs de rodageAccessoires conçus pour travailler les surfaces planes caractérisés par le déplacement de la pièce ou de l'outil de rodage pour un rodage simple face
B24B 55/03 - Équipement pour refroidir les surfaces abrasives, p. ex. dispositifs d'alimentation en agent de refroidissement conçus comme équipement complet d'alimentation en agent de refroidissement ou de clarification de celui-ci
According to the present invention, there is provided an ingot clamp including: a clamp body configured to have a holder mounting groove and a cavity; a fixing part configured to support and fix one side of an ingot holder inserted in the holder mounting groove; a movable fixing part disposed in the cavity and the holder mounting groove and configured to press and fix the other side of the ingot holder; a cover assembly coupled with the clamp body and configured to cover the cavity; and an air supply part coupled with the cover assembly and configured to supply air into the cavity.
B23Q 9/00 - Agencements pour le support ou le guidage d'appareils ou de machines portatifs pour le travail du métal
B28D 5/00 - Travail mécanique des pierres fines, pierres précieuses, cristaux, p. ex. des matériaux pour semi-conducteursAppareillages ou dispositifs à cet effet
B28D 5/04 - Travail mécanique des pierres fines, pierres précieuses, cristaux, p. ex. des matériaux pour semi-conducteursAppareillages ou dispositifs à cet effet par outils autres que ceux du type rotatif, p. ex. par des outils animés d'un mouvement alternatif
A method of identifying a wafer defect region is disclosed. The method includes preparing a sample wafer, forming a primary oxide film on the sample wafer at a temperature of 800° C. to 1000° C., forming a secondary oxide film on the primary oxide film at a temperature of 1000° C. to 1100° C., forming a tertiary oxide film on the secondary oxide film at a temperature of 1100° C. to 1200° C., removing the primary to tertiary oxide films, etching one surface of the sample wafer from which the primary to tertiary oxide films are removed to form haze on one surface of the sample wafer, and identifying a defect region of the sample wafer based on the haze.
An embodiment provides a method of predicting a thickness of an oxide layer of a silicon wafer including: aging a heat treatment furnace (furnace); measuring a thickness of each of the oxide layers after disposing a plurality of reference wafers in slots of a heat treatment boat in the furnace and forming oxide layers; and measuring a thickness of each of the oxide layers after disposing the plurality of reference wafers and test wafers in the slots of the heat treatment boat in the furnace and forming oxide layers.
H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
G01B 21/08 - Dispositions pour la mesure ou leurs détails, où la technique de mesure n'est pas couverte par les autres groupes de la présente sous-classe, est non spécifiée ou est non significative pour mesurer la longueur, la largeur ou l'épaisseur pour mesurer l'épaisseur
99.
Wafer with beveled edge region and method for analyzing shape of the same
Embodiments provide a method of analyzing a shape of a wafer, including: measuring a cross-sectional shape of a plurality of wafers; obtaining a first angle formed by a first line connecting a first point to a second point having a maximum curvature in an edge region of the wafer and a front surface of the wafer; forming a thin film layer on a surface of each of the wafers; measuring a thickness profile of an edge region of the wafer on which each of the thin film layers is formed; and confirming a wafer having a smallest maximum thickness profile of the thin film layer among the plurality of wafers.
As a process of preparing for a restart of an epitaxial reactor in which epitaxial growth for a wafer is performed, an embodiment includes injecting a nitrogen gas into a process chamber provided in the epitaxial reactor and purging the gas for a predetermined time; heating the inside of the process chamber non-linearly according to time; and measuring MCLT for the epitaxial wafer after growing the epitaxial wafer. A method of preparing for a restart of an epitaxial reactor of the embodiment removes moisture and contaminants stagnated inside the process chamber at a higher rate compared to the related art and also reduces a time to reach the minimum value of MCLT for preparing for a restart of an epitaxial reactor, and thus a time for preparing for a restart of an epitaxial reactor may also be reduced.
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
C30B 25/10 - Chauffage de l'enceinte de réaction ou du substrat
