Crytur spol s.r.o.

République tchèque

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Juridiction
        États-Unis 13
        International 11
Date
2024 1
2023 1
2022 3
Avant 2021 19
Classe IPC
C09K 11/77 - Substances luminescentes, p. ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant des métaux des terres rares 12
G01T 1/202 - Mesure de l'intensité de radiation avec des détecteurs à scintillation le détecteur étant du cristal 12
C30B 15/00 - Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p. ex. méthode de Czochralski 6
C30B 29/24 - Oxydes complexes de formule AMeO3, dans laquelle A est un métal des terres rares et Me est Fe, Ga, Sc, Cr, Co ou Al, p. ex. orthoferrites 6
C30B 33/02 - Traitement thermique 6
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Statut
En Instance 1
Enregistré / En vigueur 23
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1.

Method of producing a crystal for a scintillation crystal detector and a crystal for a scintillation crystal detector

      
Numéro d'application 18519129
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-27
Date de la première publication 2024-06-06
Propriétaire
  • CRYTUR, spol. s r.o. (République tchèque)
  • Fyzikalni ustav AV CR, v.v.i. (République tchèque)
Inventeur(s)
  • Blazek, Karel
  • Nikl, Martin
  • Tous, Jan
  • Bartos, Karel
  • Polak, Jan
  • Marek, Tomáš

Abrégé

The invention relates to a method of producing a crystal from a material with the general composition of CexGdyY1−x−yAlO3 known to the professional public for scintillation crystal detectors, which has not yet been industrially produced by the Czochralski method. The invented method makes it possible to produce crystals with a diameter larger than units of mm. In particular, the invention adds to the initial Czochralski method the steps of annealing the input raw materials as well as the controlled flow of a reducing hydrogen-argon atmosphere through a crystal growth furnace.

Classes IPC  ?

  • C30B 15/04 - Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p. ex. méthode de Czochralski en introduisant dans le matériau fondu le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ avec addition d'un matériau de dopage, p. ex. pour une jonction n–p
  • C01F 17/34 - Aluminates, p. ex. YAlO3 ou Y3-xGdxAl5O12
  • C09K 11/77 - Substances luminescentes, p. ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant des métaux des terres rares
  • C30B 15/20 - Commande ou régulation
  • C30B 29/24 - Oxydes complexes de formule AMeO3, dans laquelle A est un métal des terres rares et Me est Fe, Ga, Sc, Cr, Co ou Al, p. ex. orthoferrites
  • C30B 33/02 - Traitement thermique
  • G01T 1/202 - Mesure de l'intensité de radiation avec des détecteurs à scintillation le détecteur étant du cristal

2.

Light source

      
Numéro d'application 18034716
Numéro de brevet 12510229
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-12-09
Date de la première publication 2023-12-28
Date d'octroi 2025-12-30
Propriétaire CRYTUR, spol. s.r.o. (République tchèque)
Inventeur(s)
  • Novotný, Štepán
  • Kubát, Jan
  • Pokorný, Martin

Abrégé

A light source using a light-converting material, in particular for the conversion of collimated or focused light, which does not operate solely on the principle of geometric concentration as known from the prior art, but which reflects light away from the interface between the surface of the conversion body (1) and the surroundings due to the high refractive index of the conversion body (1), possibly by means of an applied reflective layer. The light source uses the high refractive index and high transmittance of the phosphor material as the properties necessary to direct the light in the desired direction directly by the conversion body (1) itself. The light source emits collimated or focused intense secondary light, or a homogenised mix of primary and secondary light, or it may transmit supplementary light.

Classes IPC  ?

  • F21V 9/32 - Éléments contenant un matériau photoluminescent distinct de la source de lumière ou espacé de cette source caractérisés par la disposition du matériau photoluminescent
  • C09K 11/67 - Substances luminescentes, p. ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant des métaux réfractaires
  • C09K 11/77 - Substances luminescentes, p. ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant des métaux des terres rares
  • F21V 29/502 - Dispositions de refroidissement caractérisées par l’adaptation au refroidissement de composants spécifiques
  • F21V 29/70 - Dispositions de refroidissement caractérisées par des éléments passifs de dissipation de chaleur, p. ex. puits thermiques

3.

Calorimetric detector for measuring the energy of electrons and photons

      
Numéro d'application 17713393
Numéro de brevet 11885919
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-04-05
Date de la première publication 2022-10-13
Date d'octroi 2024-01-30
Propriétaire CRYTUR, spol. s r.o. (République tchèque)
Inventeur(s)
  • Houzvicka, Jindrich
  • Sykorova, Silvia
  • Hradecky, Patrik

Abrégé

A calorimetric detector (1) for measuring energy of electrons and photons comprises a light energy absorber and scintillating fibers (2). The absorber is formed of a tungsten matrix (3), comprising a first assembly (4) and a second assembly (5) of parallel tungsten plates. The first assembly (4) is perpendicular to the second assembly (5) forming a grid, while each plate is in one half formed by alternating teeth (6) and gaps (7). The first assembly's (4) plates fit detachably with their teeth (6) into the gaps (7) of the second assembly (5) and vice versa. Spaces between the plates of the first assembly (4) and the second assembly (5) form longitudinal sections (8) with inner cross-section size of one pixel. The scintillating fibers (2) are longitudinally arranged, made of a single crystal material. The tungsten matrix (3) is in a protective metal frame (9) having tungsten inner walls (10).

Classes IPC  ?

  • G01T 1/20 - Mesure de l'intensité de radiation avec des détecteurs à scintillation
  • G01T 1/202 - Mesure de l'intensité de radiation avec des détecteurs à scintillation le détecteur étant du cristal

4.

LIGHT SOURCE

      
Numéro d'application CZ2021050147
Numéro de publication 2022/122058
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-12-09
Date de publication 2022-06-16
Propriétaire CRYTUR, SPOL.S R.O. (République tchèque)
Inventeur(s)
  • Novotný, Štěpán
  • Kubát, Jan
  • Pokorný, Martin

Abrégé

A light source using a light-converting material, in particular for the conversion of collimated or focused light, which does not operate solely on the principle of geometric concentration as known from the prior art, but which reflects light away from the interface between the surface of the conversion body (1) and the surroundings due to the high refractive index of the conversion body (1), possibly by means of an applied reflective layer. The light source uses the high refractive index and high transmittance of the phosphor material as the properties necessary to direct the light in the desired direction directly by the conversion body (1) itself. The light source emits collimated or focused intense secondary light, or a homogenised mix of primary and secondary light, or it may transmit supplementary light.

Classes IPC  ?

  • F21K 9/64 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des moyens de conversion de longueur d’onde distincts ou espacés de l’élément générateur de lumière, p. ex. une couche de phosphore éloignée
  • F21K 9/69 - Détails des réfracteurs faisant partie de la source lumineuse
  • F21V 5/10 - Réfracteurs pour sources lumineuses comprenant un matériau photoluminescent
  • F21V 7/00 - Réflecteurs pour sources lumineuses
  • F21V 29/70 - Dispositions de refroidissement caractérisées par des éléments passifs de dissipation de chaleur, p. ex. puits thermiques
  • F21V 29/504 - Dispositions de refroidissement caractérisées par l’adaptation au refroidissement de composants spécifiques de réfracteurs
  • F21Y 115/10 - Diodes électroluminescentes [LED]
  • F21Y 115/30 - Lasers à semi-conducteurs

5.

DEVICE FOR MEASURING THE CONTENT OF NATURAL RADIOACTIVE ISOTOPES IN ROCK SAMPLE

      
Numéro d'application CZ2021050083
Numéro de publication 2022/037730
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-08-16
Date de publication 2022-02-24
Propriétaire
  • CRYTUR, SPOL.S R.O. (République tchèque)
  • GEORADIS S.R.O. (République tchèque)
Inventeur(s)
  • Blažek, Karel
  • Marek, Tomáš
  • Touš, Jan
  • Brunclík, Tomáš
  • Mašek, Petr
  • Hynek, Ondřej

Abrégé

The device for measuring the content of natural radioactive isotopes in a rock sample (1), especially in drill core. The device comprises at least one detection means for measuring the ionizing radiation emanating from the sample (1) and at least one means for positioning the sample (1). The device also comprises at least one shielding of the sample (1) and/or the detection means communicatively connected to at least one evaluation unit (2). The detection means consists of at least one ring-shaped assembly (3) composed of at least three ring- shaped segments arranged side by side so that the end ring-shaped segments (4) shield from the radiation background. At least one detection ring-shaped segment (5) is arranged between the end shielding ring-shaped segments (4), provided with at least one ionizing radiation detector (6). The means for positioning the sample (1) are adapted to move the sample (1) through the ring-shaped assembly (3).

Classes IPC  ?

  • G01N 33/24 - Matériaux de la terre
  • G01T 1/20 - Mesure de l'intensité de radiation avec des détecteurs à scintillation

6.

High transmittance single crystal YAP scintillators

      
Numéro d'application 16560296
Numéro de brevet 10663605
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-09-04
Date de la première publication 2020-01-02
Date d'octroi 2020-05-26
Propriétaire CRYTUR (République tchèque)
Inventeur(s)
  • Kubat, Jan
  • Polak, Jan
  • Klejch, Martin
  • Marek, Tomas

Abrégé

A single crystal yttrium aluminum perovskite scintillator has a minimum thickness of at least 5 mm and a transmittance of at least 50% at a wavelength of 370 nm. A method for fabricating the yttrium aluminum perovskite scintillator includes acquiring a yttrium aluminum perovskite single crystal boule, annealing the yttrium aluminum perovskite single crystal boule in an oxygen containing environment to obtain a partially annealed crystal, and annealing the partially annealed crystal in an inert environment or a reducing environment to obtain the yttrium aluminum perovskite single crystal scintillator.

Classes IPC  ?

  • G01T 1/202 - Mesure de l'intensité de radiation avec des détecteurs à scintillation le détecteur étant du cristal
  • C09K 11/77 - Substances luminescentes, p. ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant des métaux des terres rares
  • C30B 15/00 - Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p. ex. méthode de Czochralski
  • C01F 17/34 - Aluminates, p. ex. YAlO3 ou Y3-xGdxAl5O12
  • C30B 29/24 - Oxydes complexes de formule AMeO3, dans laquelle A est un métal des terres rares et Me est Fe, Ga, Sc, Cr, Co ou Al, p. ex. orthoferrites
  • C30B 33/02 - Traitement thermique
  • E21B 47/00 - Relevés dans les trous de forage ou dans les puits
  • G01V 5/04 - Prospection ou détection au moyen de rayonnement ionisant, p. ex. de la radioactivité naturelle ou provoquée spécialement adaptée au carottage
  • G01V 5/10 - Prospection ou détection au moyen de rayonnement ionisant, p. ex. de la radioactivité naturelle ou provoquée spécialement adaptée au carottage en utilisant des sources de radiation nucléaire primaire ou des rayons X en utilisant des sources de neutrons
  • E21B 49/00 - Test pour déterminer la nature des parois des trous de forageEssais de couchesProcédés ou appareils pour prélever des échantillons du terrain ou de fluides en provenance des puits, spécialement adaptés au forage du sol ou aux puits

7.

Method of shortening scintillation response of luminescense centres and material of scintillator with shortened scintillation response

      
Numéro d'application 15763836
Numéro de brevet 10976451
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2016-10-05
Date de la première publication 2018-10-04
Date d'octroi 2021-04-13
Propriétaire
  • CRYTUR, SPOL.S R.O. (République tchèque)
  • FYZIKÁLN.Í´ÚSTAV AV CR, V.V.I (République tchèque)
Inventeur(s)
  • Hou{hacek Over (z)}vi{hacek Over (c)}ka, Jind{hacek Over (r)}ich
  • Bla{hacek Over (z)}ek, Karel
  • Horodyský, Petr
  • Nikl, Martin
  • Bohá{hacek Over (c)}ek, Pavel

Abrégé

2 ions group. Having had the luminescence centres electrons excited as a result of absorbed electromagnetic radiation, the scintillator created in this method is capable of taking away a part of the energy from the excited luminescence centres via a non-radiative energy transfer, which results in a significant shortening of the time of duration of the amplitude-dominant component of the scintillation response.

Classes IPC  ?

  • G01T 1/202 - Mesure de l'intensité de radiation avec des détecteurs à scintillation le détecteur étant du cristal
  • C09K 11/77 - Substances luminescentes, p. ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant des métaux des terres rares
  • G21K 4/00 - Écrans de conversion pour transformer une distribution spatiale de particules ou de rayonnements ionisants en images visibles, p. ex. écrans fluorescents

8.

High transmittance single crystal YAP scintillators

      
Numéro d'application 15965079
Numéro de brevet 10444379
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-04-27
Date de la première publication 2018-08-30
Date d'octroi 2019-10-15
Propriétaire CRYTUR (République tchèque)
Inventeur(s)
  • Kubat, Jan
  • Polak, Jan
  • Klejch, Martin
  • Marek, Tomas

Abrégé

A single crystal yttrium aluminum perovskite scintillator has a minimum thickness of at least 5 mm and a transmittance of at least 50% at a wavelength of 370 nm. A method for fabricating the yttrium aluminum perovskite scintillator includes acquiring a yttrium aluminum perovskite single crystal boule, annealing the yttrium aluminum perovskite single crystal boule in an oxygen containing environment to obtain a partially annealed crystal, and annealing the partially annealed crystal in an inert environment or a reducing environment to obtain the yttrium aluminum perovskite single crystal scintillator.

Classes IPC  ?

  • G01T 1/202 - Mesure de l'intensité de radiation avec des détecteurs à scintillation le détecteur étant du cristal
  • C09K 11/77 - Substances luminescentes, p. ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant des métaux des terres rares
  • C30B 29/24 - Oxydes complexes de formule AMeO3, dans laquelle A est un métal des terres rares et Me est Fe, Ga, Sc, Cr, Co ou Al, p. ex. orthoferrites
  • C30B 33/02 - Traitement thermique
  • E21B 47/00 - Relevés dans les trous de forage ou dans les puits
  • G01V 5/04 - Prospection ou détection au moyen de rayonnement ionisant, p. ex. de la radioactivité naturelle ou provoquée spécialement adaptée au carottage
  • G01V 5/10 - Prospection ou détection au moyen de rayonnement ionisant, p. ex. de la radioactivité naturelle ou provoquée spécialement adaptée au carottage en utilisant des sources de radiation nucléaire primaire ou des rayons X en utilisant des sources de neutrons
  • C30B 15/00 - Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p. ex. méthode de Czochralski
  • C01F 17/00 - Composés des métaux des terres rares
  • E21B 49/00 - Test pour déterminer la nature des parois des trous de forageEssais de couchesProcédés ou appareils pour prélever des échantillons du terrain ou de fluides en provenance des puits, spécialement adaptés au forage du sol ou aux puits

9.

Optical element

      
Numéro d'application 15735275
Numéro de brevet 10768314
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2016-06-10
Date de la première publication 2018-05-03
Date d'octroi 2020-09-08
Propriétaire
  • IQ Structures S.R.O. (République tchèque)
  • Crytur SPOL. S.R.O. (République tchèque)
Inventeur(s)
  • Houha, Roman
  • Tethal, Tomas
  • Ryzi, Zbynek
  • Kubat, Jan
  • Fidler, Tomas

Abrégé

wherein the extraction structure (4, 6) is constructed and configured such that radiation at an output (19) of the body (2) is directionally modified, especially in terms of energy or intensity or of directional distribution or of both, as compared with radiation at the output of the body (2) in the absence of said extraction structure (4, 6), by interaction of radiation entering and/or propagating within and/or exiting the body (2) with the said extraction structure (4, 6), e.g. such as to reduce or ameliorate the deleterious effects of TIR within the body (2).

Classes IPC  ?

  • G01T 1/20 - Mesure de l'intensité de radiation avec des détecteurs à scintillation
  • H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
  • H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images
  • F21K 9/64 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des moyens de conversion de longueur d’onde distincts ou espacés de l’élément générateur de lumière, p. ex. une couche de phosphore éloignée
  • G01T 1/202 - Mesure de l'intensité de radiation avec des détecteurs à scintillation le détecteur étant du cristal

10.

Scintillation detector for detection of ionising radiation

      
Numéro d'application 15541476
Numéro de brevet 10067246
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2016-02-08
Date de la première publication 2018-03-01
Date d'octroi 2018-09-04
Propriétaire
  • CRYTUR, SPOL. S R.O. (République tchèque)
  • FYZIKÁLNÍ ÚSTAV AV CR, V.V.I. (République tchèque)
Inventeur(s)
  • Hospodková, Alice
  • Bla{circumflex Over (z)}ek, Karel
  • Hulicius, Eduard
  • Touŝ, Jan
  • Nikl, Martin

Abrégé

1-x-yN.

Classes IPC  ?

  • G01T 1/29 - Mesure effectuée sur des faisceaux de radiations, p. ex. sur la position ou la section du faisceauMesure de la distribution spatiale de radiations
  • G01T 1/164 - Scintigraphie
  • G01T 1/24 - Mesure de l'intensité de radiation avec des détecteurs à semi-conducteurs
  • H01J 37/244 - DétecteursComposants ou circuits associés
  • H01J 49/02 - Spectromètres pour particules ou tubes séparateurs de particules Détails
  • G01T 1/202 - Mesure de l'intensité de radiation avec des détecteurs à scintillation le détecteur étant du cristal

11.

Light source having solid-state laser irradiating single-crystal phosphor with specific composition

      
Numéro d'application 15318418
Numéro de brevet 10584852
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2015-05-05
Date de la première publication 2017-08-24
Date d'octroi 2020-03-10
Propriétaire CRYTUR, SPOL.S R.O. (République tchèque)
Inventeur(s)
  • Fidler, Tomas
  • Kubat, Jan
  • Novotny, Stepan
  • Houzvicka, Jindrich

Abrégé

q.

Classes IPC  ?

  • F21V 9/30 - Éléments contenant un matériau photoluminescent distinct de la source de lumière ou espacé de cette source
  • C09K 11/77 - Substances luminescentes, p. ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant des métaux des terres rares
  • F21V 13/12 - Combinaisons de trois sortes d'éléments uniquement
  • F21K 9/64 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des moyens de conversion de longueur d’onde distincts ou espacés de l’élément générateur de lumière, p. ex. une couche de phosphore éloignée
  • F21V 8/00 - Utilisation de guides de lumière, p. ex. dispositifs à fibres optiques, dans les dispositifs ou systèmes d'éclairage
  • H01S 5/00 - Lasers à semi-conducteurs
  • F21V 3/00 - GlobesVasquesVerres de protection
  • F21V 9/08 - Éléments modifiant les caractéristiques spectrales, la polarisation ou l’intensité de la lumière émise, p. ex. filtres pour produire une lumière colorée, p. ex. monochromatiqueÉléments modifiant les caractéristiques spectrales, la polarisation ou l’intensité de la lumière émise, p. ex. filtres pour réduire l’intensité de la lumière
  • F21V 15/01 - Boîtiers, p. ex. matériau ou assemblage de parties du boîtier
  • F21Y 115/30 - Lasers à semi-conducteurs
  • F21K 9/61 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des guides de lumière
  • F21Y 115/10 - Diodes électroluminescentes [LED]
  • H01S 5/022 - SupportsBoîtiers
  • H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes

12.

High transmittance single crystal YAP scintillators

      
Numéro d'application 15378133
Numéro de brevet 09958555
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2016-12-14
Date de la première publication 2017-05-04
Date d'octroi 2018-05-01
Propriétaire CRYTUR (République tchèque)
Inventeur(s)
  • Kubat, Jan
  • Polak, Jan
  • Klejch, Martin
  • Marek, Tomas

Abrégé

A single crystal yttrium aluminum perovskite scintillator has a minimum thickness of at least 5 mm and a transmittance of at least 50% at a wavelength of 370 nm. A method for fabricating the yttrium aluminum perovskite scintillator includes acquiring a yttrium aluminum perovskite single crystal boule, annealing the yttrium aluminum perovskite single crystal boule in an oxygen containing environment to obtain a partially annealed crystal, and annealing the partially annealed crystal in an inert environment or a reducing environment to obtain the yttrium aluminum perovskite single crystal scintillator.

Classes IPC  ?

  • G01T 1/202 - Mesure de l'intensité de radiation avec des détecteurs à scintillation le détecteur étant du cristal
  • G01V 5/10 - Prospection ou détection au moyen de rayonnement ionisant, p. ex. de la radioactivité naturelle ou provoquée spécialement adaptée au carottage en utilisant des sources de radiation nucléaire primaire ou des rayons X en utilisant des sources de neutrons
  • C30B 15/00 - Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p. ex. méthode de Czochralski
  • C30B 29/24 - Oxydes complexes de formule AMeO3, dans laquelle A est un métal des terres rares et Me est Fe, Ga, Sc, Cr, Co ou Al, p. ex. orthoferrites
  • C30B 33/02 - Traitement thermique
  • C01F 17/00 - Composés des métaux des terres rares
  • C09K 11/77 - Substances luminescentes, p. ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant des métaux des terres rares
  • E21B 49/00 - Test pour déterminer la nature des parois des trous de forageEssais de couchesProcédés ou appareils pour prélever des échantillons du terrain ou de fluides en provenance des puits, spécialement adaptés au forage du sol ou aux puits

13.

MANNER OF SHORTENING SCINTILLATION RESPONSE OF LUMINESCENCE CENTRES AND MATERIAL OF SCINTILLATOR WITH SHORTENED SCINTILLATION RESPONSE

      
Numéro d'application CZ2016000112
Numéro de publication 2017/059832
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2016-10-05
Date de publication 2017-04-13
Propriétaire
  • CRYTUR, SPOL.S R.O. (République tchèque)
  • FYZIKÁLNÍ ÚSTAV AV ČR, V.V.I. (République tchèque)
Inventeur(s)
  • Houžvička Jindřich
  • Blažek, Karel
  • Horodyský, Petr
  • Nikl, Martin
  • Boháček, Pavel

Abrégé

Problem to be solved: Currently, the known manner of shortening the scintillation response of scintillation material is to suppress the amplitude-minor slower components (2) of the scintillation response, whereas the possibilities of significant shortening of the amplitude- dominant component of the scintillation response in this manner are limited. Solution: The invention concerns the manner of shortening the scintillation response of scintillator luminescence centres which uses co-doping with Ce or Pr together with co-doping with ions from the lanthanoids, 3d transition metals, 4d transition metals or 5s2 or 6s2 ions group. Having had the luminescence centres electrons excited as a result of absorbed electromagnetic radiation, the scintillator created in this manner is capable of taking away a part of the energy from the excited luminescence centres via a non-radiative energy transfer, which results in a significant shortening of the time of duration of the amplitude-dominant component (1) of the scintillation response.

Classes IPC  ?

  • G01T 1/202 - Mesure de l'intensité de radiation avec des détecteurs à scintillation le détecteur étant du cristal
  • C09K 11/08 - Substances luminescentes, p. ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes

14.

OPTICAL ELEMENT

      
Numéro d'application EP2016063295
Numéro de publication 2016/198598
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2016-06-10
Date de publication 2016-12-15
Propriétaire
  • IQ STRUCTURES S.R.O. (République tchèque)
  • CRYTUR SPOL. S.R.O. (République tchèque)
Inventeur(s)
  • Houha, Roman
  • Tethal, Tomas
  • Ryzi, Zbynek
  • Kubat, Jan
  • Fidler, Tomas

Abrégé

An optical element (1) comprises: a body (2) of radiation converting monocrystalline material, e.g. of a luminescent or scintillator material, and an extraction structure (4, 6) applied to at least one output and/or input surface of the body (2) of radiation converting monocrystalline material; wherein the extraction structure (4, 6) is constructed and configured such that radiation at an output (19) of the body (2) of radiation converting monocrystalline material is directionally modified, as compared with radiation at the output of the body (2) of radiation converting monocrystalline material in the absence of said extraction structure (4, 6), by interaction of radiation entering and/or propagating within and/or exiting the body (2) of radiation converting monocrystalline material with the said extraction structure (4, 6), e.g. by: i) modifying the energy or intensity of the radiation at the output (19) of the body (2) via interaction(s) of radiation entering and/or propagating within and/or exiting the body (2) with the said surface, and/or ii) modifying the directional distribution of radiation exiting and/or entering and/or propagating within the body (2) via the said surface, e.g. such as to reduce or ameliorate the deleterious effects of TIR within the body (2).

Classes IPC  ?

  • G01T 1/20 - Mesure de l'intensité de radiation avec des détecteurs à scintillation
  • G01T 1/202 - Mesure de l'intensité de radiation avec des détecteurs à scintillation le détecteur étant du cristal
  • H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde

15.

SCINTILLATION DETECTOR FOR DETECTION OF IONISING RADIATION

      
Numéro d'application CZ2016000012
Numéro de publication 2016/127959
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2016-02-08
Date de publication 2016-08-18
Propriétaire
  • CRYTUR, SPOL. S R.O. (République tchèque)
  • FYZIKÁLNÍ ÚSTAV AV ČR, V.V.I. (République tchèque)
Inventeur(s)
  • Hospodková, Alice
  • Blažek, Karel
  • Hulicius, Eduard
  • Touš, Jan
  • Nikl, Martin

Abrégé

The scintillation detector for the detection of ionising radiation, especially electron, X-ray or particle radiation, including a monocrystalline substrate (1), minimally one buffer layer (2), minimally one nitride semiconductor layer (3, 4, 5, 6) applied onto the substrate (1) with epitaxy which is described by the AlyInxGa1-x-yN general formula where 0 ≤ x ≤1, 0 ≤ y ≤1 and 0 ≤ x+y ≤1 is valid, where minimally two nitride semiconductor layers (3, 4) are arranged in a layered heterostructure, whose structure contains minimally one potential well for radiant recombinations of electrons and holes. In the structure there is arranged minimally one active couple of nitride semiconductor layers (3, 4) of principally the same polarisation consisting of the barrier layer (4) of the AlybInxbGa1-xb-ybN type and from layer (5) of the AlywInxwGa1-xw-ywN type representing a potential well where xb ≤ xw and yb ≤ yw is valid, or there is minimally one carrier attracting layer (7) of the AlydInxdGa1-xd-ydN type with the thickness (t3) less than 2 nm in which yd ≤ yw and xd ≥ xw+0,3 inserted in minimally one active couple of nitride semiconductor layers (4, 5) to decrease the luminescence decay time.

Classes IPC  ?

  • G01T 1/24 - Mesure de l'intensité de radiation avec des détecteurs à semi-conducteurs

16.

METHOD OF COINCIDENCE IMAGING USING SECONDARY ELECTRONS AND A DEVICE FOR EXECUTING THIS METHOD

      
Numéro d'application CZ2015000131
Numéro de publication 2016/070858
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2015-11-03
Date de publication 2016-05-12
Propriétaire
  • CRYTUR, SPOL. S R.O. (République tchèque)
  • ČESKE VYSOKÉ UČENĺ TECHNICKÉ V PRAZE (République tchèque)
Inventeur(s)
  • Jakůbek, Jan
  • Jakůbek, Martin

Abrégé

The invention relates to a method of coincidence imaging using secondary electrons (1). Part of the invention is also a device (9) for executing this method. During the passage of primary radiation (5) through a conductive planar electrode (2), secondary electrons (1) are emitted. The impact of the secondary electrons (1) onto the detector (4) is recorded. To avoid the results of the detection from being distorted by random secondary electrons (1), e.g. from thermal emission, only the coincidence groups of secondary electrons (1) that carry sufficient energy (E) to overcome the detection threshold (6) are registered.

Classes IPC  ?

  • G01T 1/24 - Mesure de l'intensité de radiation avec des détecteurs à semi-conducteurs
  • G01T 1/28 - Mesure de l'intensité de radiation avec des détecteurs à émission secondaire

17.

White light emitting diode with single crystal phosphor and the manner of production

      
Numéro d'application 14779666
Numéro de brevet 09985185
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2014-04-22
Date de la première publication 2016-02-25
Date d'octroi 2018-05-29
Propriétaire CRYTUR, SPOL. S.R.O. (République tchèque)
Inventeur(s)
  • Kubat, Jan
  • Houzvicka, Jindrich
  • Polak, Jan

Abrégé

3+ atoms.

Classes IPC  ?

  • C09K 11/77 - Substances luminescentes, p. ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant des métaux des terres rares
  • H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
  • C30B 29/28 - Oxydes complexes de formule A3Me5O12, dans laquelle A est un métal des terres rares et Me est Fe, Ga, Sc, Cr, Co ou Al, p. ex. grenats
  • H05B 33/14 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions caractérisées par la composition chimique ou physique ou la disposition du matériau électroluminescent
  • H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
  • H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
  • H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
  • H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet

18.

LIGHT SOURCE

      
Numéro d'application CZ2015000040
Numéro de publication 2015/169270
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2015-05-05
Date de publication 2015-11-12
Propriétaire CRYTUR, SPOL.S R.O. (République tchèque)
Inventeur(s)
  • Fidler, Tomáš
  • Kubát, Jan
  • Novotný, Štěpán
  • Houžvička, Jindřich

Abrégé

The light source (1) is based on a high-efficiency solid-state laser source (2) of the excitation coherent radiation (3) and a single crystal phosphor (4) which is machined in a form of an optic element for emitted light parameterisation. The single crystal phosphor (4) is produced from a single crystal material on the basis of garnets of the (Ax, Lu1-x)aAlbO12:Cec general formula or from a single crystal material on the basis of perovskite structure of the B1-qAIO3:Dq general formula. The efficient light source (1) shall be utilized e.g. in the automotive industry.

Classes IPC  ?

  • C09K 11/77 - Substances luminescentes, p. ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant des métaux des terres rares

19.

High transmittance single crystal YAP scintillators

      
Numéro d'application 14217712
Numéro de brevet 09541669
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2014-03-18
Date de la première publication 2015-09-24
Date d'octroi 2017-01-10
Propriétaire CRYTUR (CS)
Inventeur(s)
  • Kubat, Jan
  • Polak, Jan
  • Klejch, Martin
  • Marek, Tomas

Abrégé

A single crystal yttrium aluminum perovskite scintillator has a minimum thickness of at least 5 mm and a transmittance of at least 50% at a wavelength of 370 nm. A method for fabricating the yttrium aluminum perovskite scintillator includes acquiring a yttrium aluminum perovskite single crystal boule, annealing the yttrium aluminum perovskite single crystal boule in an oxygen containing environment to obtain a partially annealed crystal, and annealing the partially annealed crystal in an inert environment or a reducing environment to obtain the yttrium aluminum perovskite single crystal scintillator.

Classes IPC  ?

  • G01V 5/10 - Prospection ou détection au moyen de rayonnement ionisant, p. ex. de la radioactivité naturelle ou provoquée spécialement adaptée au carottage en utilisant des sources de radiation nucléaire primaire ou des rayons X en utilisant des sources de neutrons
  • C09K 11/77 - Substances luminescentes, p. ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant des métaux des terres rares
  • C30B 29/24 - Oxydes complexes de formule AMeO3, dans laquelle A est un métal des terres rares et Me est Fe, Ga, Sc, Cr, Co ou Al, p. ex. orthoferrites
  • C30B 33/02 - Traitement thermique
  • E21B 47/00 - Relevés dans les trous de forage ou dans les puits
  • G01V 5/04 - Prospection ou détection au moyen de rayonnement ionisant, p. ex. de la radioactivité naturelle ou provoquée spécialement adaptée au carottage
  • G01T 1/202 - Mesure de l'intensité de radiation avec des détecteurs à scintillation le détecteur étant du cristal
  • C30B 15/00 - Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p. ex. méthode de Czochralski

20.

HIGH TRANSMITTANCE SINGLE CRYSTAL YAP SCINTILLATORS

      
Numéro d'application EP2015055718
Numéro de publication 2015/140227
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2015-03-18
Date de publication 2015-09-24
Propriétaire CRYTUR (République tchèque)
Inventeur(s)
  • Kubat, Jan
  • Polak, Jan
  • Klejch, Martin
  • Marek, Tomas

Abrégé

A single crystal yttrium aluminum perovskite scintillator has a minimum thickness of at least 5 mm and a transmittance of at least 50% at a wavelength of 370 nm. A method for fabricating the yttrium aluminum perovskite scintillator includes acquiring a yttrium aluminum perovskite single crystal boule, annealing the yttrium aluminum perovskite single crystal boule in an oxygen containing environment to obtain a partially annealed crystal, and annealing the partially annealed crystal in an inert environment or a reducing environment to obtain the yttrium aluminum perovskite single crystal scintillator.

Classes IPC  ?

  • C30B 29/24 - Oxydes complexes de formule AMeO3, dans laquelle A est un métal des terres rares et Me est Fe, Ga, Sc, Cr, Co ou Al, p. ex. orthoferrites
  • C04B 35/115 - Produits translucides ou transparents
  • C09K 11/77 - Substances luminescentes, p. ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant des métaux des terres rares
  • C30B 33/02 - Traitement thermique
  • G01T 1/202 - Mesure de l'intensité de radiation avec des détecteurs à scintillation le détecteur étant du cristal
  • G01V 5/10 - Prospection ou détection au moyen de rayonnement ionisant, p. ex. de la radioactivité naturelle ou provoquée spécialement adaptée au carottage en utilisant des sources de radiation nucléaire primaire ou des rayons X en utilisant des sources de neutrons

21.

WHITE LIGHT EMITTING DIODE WITH SINGLE CRYSTAL PHOSPHOR AND THE MANNER OF PRODUCTION

      
Numéro d'application CZ2014000039
Numéro de publication 2014/173376
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2014-04-22
Date de publication 2014-10-30
Propriétaire CRYTUR SPOL. S R.O. (République tchèque)
Inventeur(s)
  • Kubát, Jan
  • Houžvička, Jindřich
  • Polák, Jan

Abrégé

According to the invention, the diode with a single crystal phosphor placed over the chip selected from the InGaN, GaN or AIGaN group comprises the fact that the single crystal phosphor (21) is created from the monocrystalline ingot (51), created by LuYAG and/or YAP and/or GGAG masters, doped with the atoms selected from the Ce 3+, Ti 3+, Cr 3+, Eu 2+, Sm 2+, B 3+, C, Gd 3+or Ga3+ group, grown from the melt with the method selected from the Czochralski, HEM, Badgasarov, Kyropoulos or EFG group, when the L u 3+, y3+ and A1 3+ atoms can be replaced in the master up to the amount of 99.9 % with the B 3+, Gd 3+ or Ga3+ atoms. The composition and manner of production of the phosphor (21), treatment and shape of its surface and construction of the whole diode ensure the extraction of the converted light in the direction from the InGaN chip (13) itself of the diode towards the object that is being illuminated and limit the total reflection effect on the interface of the single crystal phosphor (21) and encapsulant (31) or single crystal phosphor (21) and surrounding environment (44).

Classes IPC  ?

  • C09K 11/77 - Substances luminescentes, p. ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant des métaux des terres rares

22.

Method for the preparation of doped garnet structure single crystals with diameters of up to 500 mm

      
Numéro d'application 13979751
Numéro de brevet 09499923
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2012-01-10
Date de la première publication 2013-11-07
Date d'octroi 2016-11-22
Propriétaire CRYTUR SPOL S.R.O. (République tchèque)
Inventeur(s)
  • Hou{hacek Over (z)}vi{hacek Over (c)}ka, Jind{hacek Over (r)}ich
  • Barto{hacek Over (s)}, Karel

Abrégé

Preparation of lutetium and yttrium aluminate single crystals doped with rare earth oxides and transition elements consists in the preparation of oxide mixture sinter which is melted throughout and homogenized for a period of at least one hour. The crystal growth rate and broadening of the crystal cone are maintained uniform at an angle of at least 60° from the crystal axis up to a diameter of at least 80% of the crucible diameter which is at least 100 mm. The completion of the process occurs by separating the crystal from the melt while the crystal continues to be positioned inside the crucible in the zone wherein it was grown, and wherein final tempering of the crystal also takes place.

Classes IPC  ?

  • C30B 15/22 - Stabilisation, ou commande de la forme, de la zone fondue au voisinage du cristal tiréCommande de la section du cristal
  • C30B 15/00 - Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p. ex. méthode de Czochralski
  • C30B 29/28 - Oxydes complexes de formule A3Me5O12, dans laquelle A est un métal des terres rares et Me est Fe, Ga, Sc, Cr, Co ou Al, p. ex. grenats

23.

PREPARATION OF DOPED GARNET STRUCTURE SINGLE CRYSTALS WITH DIAMETERS OF UP TO 500 MM

      
Numéro d'application CZ2012000006
Numéro de publication 2012/110009
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2012-01-10
Date de publication 2012-08-23
Propriétaire CRYTUR SPOL.S R.O. (République tchèque)
Inventeur(s)
  • Houžvička, Jindřich
  • Bartoš, Karel

Abrégé

Preparation of lutetium and yttrium aluminate single crystals doped with rare earth oxides and transition elements consists in the preparation of oxide mixture sinter which is melted throughout and homogenized for a period of at least one hour. The single crystal seed has the minimum dimensions of 8 x 8 mm and length of 100 mm. The crystal growth rate and broadening of the crystal cone are maintained uniform at an angle of at least 60o from the crystal axis up to a diameter of at least 80% of the crucible diameter which is at least 100 mm. Thereafter the diameter thereof continues to be maintained by temperature regulation at the crystal/melt interface and by the crystal pulling and rotation speeds. The completion of the process occurs by separating the crystal from the melt while the crystal continues to be positioned inside the crucible in the zone wherein it was grown, and wherein final tempering of the crystal also takes place.

Classes IPC  ?

  • C30B 15/00 - Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p. ex. méthode de Czochralski
  • C30B 29/28 - Oxydes complexes de formule A3Me5O12, dans laquelle A est un métal des terres rares et Me est Fe, Ga, Sc, Cr, Co ou Al, p. ex. grenats

24.

SCINTILLATION DETECTION UNIT FOR THE DETECTION OF BACK- SCATTERED ELECTRONS ELECTRON OR ION MICROSCOPES

      
Numéro d'application CZ2011000098
Numéro de publication 2012/045291
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2011-10-06
Date de publication 2012-04-12
Propriétaire
  • TESCAN A.S. (République tchèque)
  • CRYTUR, SPOL. S R.O. (République tchèque)
Inventeur(s)
  • Zadražil, Martin
  • Dokulilová, Silvie
  • Blažek, Karel
  • Horodyský, Petr

Abrégé

A scintillation detection unit for the detection of back-scattered electrons for electron and ion microscopes having a column (2) with longitudinal axis (3), in which the scintillation detection unit (1) consists of body (5) and at least one system (6) for processing the light signal comprising a photodetector or a photodetector preceded with additional optical members where the body (5) is at least partly made of scintillation material and is at least partly situated in a column (2) of an electron or ion microscope and is made up of at least one hollow part (11,11.1,11.2,11.3,11.4). The height (h) of the body (5) of scintillation detection unit (1) measured in the direction of longitudinal axis (3) is greater than one-and-a-half times the greatest width (w) measured in the direction perpendicular to the longitudinal axis (3) of the hollow part (11,11.1,11.2,11.3,11.4) with the greatest width. ˙

Classes IPC  ?

  • H01J 37/244 - DétecteursComposants ou circuits associés