Pallidus, Inc.

États‑Unis d’Amérique

Retour au propriétaire
1-38 de 38 pour Pallidus, Inc. Trier par
Recheche Texte
Affiner par
Juridiction
        États-Unis 28
        International 5
        Canada 5
Date
Nouveautés (dernières 4 semaines) 1
2026 octobre (MACJ) 1
2026 juillet 1
2026 (AACJ) 4
2025 2
Voir plus
Classe IPC
C04B 35/571 - Céramiques fines obtenues à partir de précurseurs polymères 25
C08G 77/20 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes aliphatiques non saturés 22
C04B 35/56 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes à base de carbures 21
C04B 35/80 - Fibres, filaments, "whiskers", paillettes ou analogues 21
C08G 77/00 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone 21
Voir plus
Statut
En Instance 15
Enregistré / En vigueur 23
Résultats pour  brevets

1.

High Purity SiOC and SiC, Methods Compositions and Applications

      
Numéro d'application 19199043
Statut En instance
Date de dépôt 2025-05-05
Date de la première publication 2026-10-01
Propriétaire Pallidus, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Land, Mark S.
  • Diwanji, Ashish P.
  • Hopkins, Andrew R.
  • Sherwood, Walter J.
  • Dukes, Douglas M.
  • Sandgren, Glenn
  • Benac, Brian L.

Abrégé

Organosilicon chemistry, polymer derived ceramic materials, and methods. Such materials and methods for making polysilocarb (SiOC) and Silicon Carbide (SiC) materials having 3-nines, 4-nines, 6-nines and greater purity. Processes and articles utilizing such high purity SiOC and SiC.

Classes IPC  ?

  • C01B 32/956 - Carbure de silicium
  • C01B 32/977 - Préparation à partir de composés organiques contenant du silicium
  • C04B 35/56 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes à base de carbures
  • C04B 35/571 - Céramiques fines obtenues à partir de précurseurs polymères
  • C04B 35/80 - Fibres, filaments, "whiskers", paillettes ou analogues
  • C08G 77/00 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone
  • C08G 77/12 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à l'hydrogène
  • C08G 77/20 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes aliphatiques non saturés
  • C08G 77/50 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone dans lesquels au moins deux atomes de silicium, mais pas la totalité, sont liés autrement que par des atomes d'oxygène par des liaisons au carbone
  • C08L 83/00 - Compositions contenant des composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant uniquement du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carboneCompositions contenant des dérivés de tels polymères
  • C08L 83/04 - Polysiloxanes
  • C30B 23/00 - Croissance des monocristaux par condensation d'un matériau évaporé ou sublimé
  • C30B 23/02 - Croissance d'une couche épitaxiale
  • C30B 29/06 - Silicium
  • C30B 29/36 - Carbures
  • H10D 12/01 - Fabrication ou traitement
  • H10D 30/01 - Fabrication ou traitement
  • H10D 62/832 - Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux étant des matériaux du groupe IV, p. ex. Si dopé B ou Ge non dopé étant des matériaux du groupe IV comprenant deux éléments ou plus, p. ex. SiGe
  • H10P 14/20 -
  • H10P 14/24 -

2.

SiC VOLUMETRIC SHAPES AND METHODS OF FORMING BOULES

      
Numéro d'application 19238590
Statut En instance
Date de dépôt 2025-06-16
Date de la première publication 2026-07-30
Propriétaire Pallidus, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Dukes, Douglas M.
  • Sandgren, Glenn
  • Hopkins, Andrew R.
  • Burlingham, Isabel
  • Land, Mark S.

Abrégé

Volumetric shapes of SiC starting materials for boule growth. Methods of controlling vapor deposition growth of SiC boules, and providing directional flux. Methods of increase the number of wafers, the number of electronic components and the number of operable devices from a single boule growth cycle.

Classes IPC  ?

  • C01B 32/963 - Préparation à partir de composés contenant du silicium
  • C30B 23/00 - Croissance des monocristaux par condensation d'un matériau évaporé ou sublimé
  • C30B 23/02 - Croissance d'une couche épitaxiale
  • C30B 25/16 - Commande ou régulation
  • C30B 29/36 - Carbures
  • C30B 29/66 - Cristaux de forme géométrique complexe, p. ex. tubes, cylindres

3.

SiC VOLUMETRIC SHAPES AND METHODS OF FORMING BOULES

      
Numéro d'application 19238586
Statut En instance
Date de dépôt 2025-06-16
Date de la première publication 2026-05-14
Propriétaire Pallidus, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Dukes, Douglas M.
  • Sandgren, Glenn
  • Hopkins, Andrew R.
  • Burlingham, Isabel
  • Land, Mark S.

Abrégé

Volumetric shapes of SiC starting materials for boule growth. Methods of controlling vapor deposition growth of SiC boules, and providing directional flux. Methods of increase the number of wafers, the number of electronic components and the number of operable devices from a single boule growth cycle.

Classes IPC  ?

  • C01B 32/963 - Préparation à partir de composés contenant du silicium
  • C30B 23/00 - Croissance des monocristaux par condensation d'un matériau évaporé ou sublimé
  • C30B 23/02 - Croissance d'une couche épitaxiale
  • C30B 25/16 - Commande ou régulation
  • C30B 29/36 - Carbures
  • C30B 29/66 - Cristaux de forme géométrique complexe, p. ex. tubes, cylindres

4.

SiC VOLUMETRIC SHAPES AND METHODS OF FORMING BOULES

      
Numéro d'application 19238588
Statut En instance
Date de dépôt 2025-06-16
Date de la première publication 2026-05-14
Propriétaire Pallidus, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Dukes, Douglas M.
  • Sandgren, Glenn
  • Hopkins, Andrew R.
  • Burlingham, Isabel
  • Land, Mark S.

Abrégé

Volumetric shapes of SiC starting materials for boule growth. Methods of controlling vapor deposition growth of SiC boules, and providing directional flux. Methods of increase the number of wafers, the number of electronic components and the number of operable devices from a single boule growth cycle.

Classes IPC  ?

  • C01B 32/963 - Préparation à partir de composés contenant du silicium
  • C30B 23/00 - Croissance des monocristaux par condensation d'un matériau évaporé ou sublimé
  • C30B 23/02 - Croissance d'une couche épitaxiale
  • C30B 25/16 - Commande ou régulation
  • C30B 29/36 - Carbures
  • C30B 29/66 - Cristaux de forme géométrique complexe, p. ex. tubes, cylindres

5.

DOPED HIGH PURITY POLYSILOCARB MATERIALS, APPLICATIONS AND PROCESSES

      
Numéro d'application 18959480
Statut En instance
Date de dépôt 2024-11-25
Date de la première publication 2025-09-11
Propriétaire Pallidus, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Dukes, Douglas M.
  • Diwanji, Ashish P.
  • Hopkins, Andrew R.
  • Sherwood, Walter J.
  • Sandgren, Glenn
  • Land, Mark S.
  • Benac, Brian L.

Abrégé

Organosilicon chemistry, polymer derived ceramic materials, and methods. Such materials and methods for making polysilocarb (SiOC) and Silicon Carbide (SiC) materials having 3-nines, 4-nines, 6-nines and greater purity. Processes and articles utilizing such high purity SiOC and SiC.

Classes IPC  ?

  • C01B 32/907 - OxycarburesSulfocarburesMélange de carbures
  • C04B 35/56 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes à base de carbures
  • C04B 35/571 - Céramiques fines obtenues à partir de précurseurs polymères
  • C04B 35/80 - Fibres, filaments, "whiskers", paillettes ou analogues
  • C08G 77/00 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone
  • C08G 77/12 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à l'hydrogène
  • C08G 77/20 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes aliphatiques non saturés
  • C08G 77/50 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone dans lesquels au moins deux atomes de silicium, mais pas la totalité, sont liés autrement que par des atomes d'oxygène par des liaisons au carbone
  • C08L 83/04 - Polysiloxanes
  • C09K 8/80 - Compositions pour renforcer les fractures, p. ex. compositions pour agents de soutènement utilisés pour maintenir les fractures ouvertes

6.

HIGH PURITY POLYSILOCARB DERIVED SILICON CARBIDE MATERIALS, APPLICATIONS AND PROCESSES

      
Numéro d'application 19044327
Statut En instance
Date de dépôt 2025-02-03
Date de la première publication 2025-07-24
Propriétaire Pallidus, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Dukes, Douglas M.
  • Hopkins, Andrew R.
  • Diwanji, Ashish P.
  • Sherwood, Walter J.
  • Sandgren, Glenn
  • Land, Mark S.
  • Benac, Brian L.

Abrégé

Organosilicon chemistry, polymer derived ceramic materials, and methods. Such materials and methods for making polysilocarb (SiOC) and Silicon Carbide (SiC) materials having 3-nines, 4-nines, 6-nines and greater purity. Processes and articles utilizing such high purity SiOC and SiC.

Classes IPC  ?

  • C01B 32/956 - Carbure de silicium
  • C01B 32/977 - Préparation à partir de composés organiques contenant du silicium
  • C04B 35/56 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes à base de carbures
  • C04B 35/571 - Céramiques fines obtenues à partir de précurseurs polymères
  • C04B 35/80 - Fibres, filaments, "whiskers", paillettes ou analogues
  • C08G 77/00 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone
  • C08G 77/12 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à l'hydrogène
  • C08G 77/20 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes aliphatiques non saturés
  • C08G 77/50 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone dans lesquels au moins deux atomes de silicium, mais pas la totalité, sont liés autrement que par des atomes d'oxygène par des liaisons au carbone
  • C08L 83/04 - Polysiloxanes
  • C09K 8/80 - Compositions pour renforcer les fractures, p. ex. compositions pour agents de soutènement utilisés pour maintenir les fractures ouvertes
  • C23C 16/32 - Carbures
  • C23C 16/40 - Oxydes
  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives

7.

POLYSILOCARB BASED SILICON CARBIDE MATERIALS, APPLICATIONS AND DEVICES

      
Numéro d'application 18515107
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-20
Date de la première publication 2024-10-17
Propriétaire Pallidus, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Dukes, Douglas M.
  • Hopkins, Andrew R.
  • Sherwood, Walter J.
  • Diwanji, Ashish P.
  • Sandgren, Glenn
  • Land, Mark S.
  • Benac, Brian L.

Abrégé

Organosilicon chemistry, polymer derived ceramic materials, and methods. Such materials and methods for making polysilocarb (SiOC) and Silicon Carbide (SiC) materials having 3-nines, 4-nines, 6-nines and greater purity. Processes and articles utilizing such high purity SiOC and SiC.

Classes IPC  ?

  • C01B 32/956 - Carbure de silicium
  • C01B 32/40 - Oxyde de carbone
  • C01B 32/50 - Anhydride carbonique
  • C01B 32/977 - Préparation à partir de composés organiques contenant du silicium
  • C04B 35/56 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes à base de carbures
  • C04B 35/571 - Céramiques fines obtenues à partir de précurseurs polymères
  • C04B 35/80 - Fibres, filaments, "whiskers", paillettes ou analogues
  • C08G 77/20 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes aliphatiques non saturés
  • C08G 77/50 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone dans lesquels au moins deux atomes de silicium, mais pas la totalité, sont liés autrement que par des atomes d'oxygène par des liaisons au carbone
  • C08L 83/04 - Polysiloxanes
  • C08G 77/00 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone
  • C08G 77/12 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à l'hydrogène
  • C09K 8/80 - Compositions pour renforcer les fractures, p. ex. compositions pour agents de soutènement utilisés pour maintenir les fractures ouvertes

8.

Vapor deposition apparatus and techniques using high purity polymer derived silicon carbide

      
Numéro d'application 18214324
Numéro de brevet 12617686
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-06-26
Date de la première publication 2024-06-13
Date d'octroi 2026-05-05
Propriétaire Pallidus, Inc. (USA)
Inventeur(s) Land, Mark S.

Abrégé

Organosilicon chemistry, polymer derived ceramic materials, and methods. Such materials and methods for making polysilocarb (SiOC) and Silicon Carbide (SIC) materials having 3-nines, 4-nines, 6-nines and greater purity. Vapor deposition processes and articles formed by those processes utilizing such high purity SiOC and SiC.

Classes IPC  ?

  • C01B 32/956 - Carbure de silicium
  • C01B 32/977 - Préparation à partir de composés organiques contenant du silicium
  • C04B 35/515 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes
  • C04B 35/56 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes à base de carbures
  • C04B 35/571 - Céramiques fines obtenues à partir de précurseurs polymères
  • C04B 35/80 - Fibres, filaments, "whiskers", paillettes ou analogues
  • C08G 77/20 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes aliphatiques non saturés
  • C08G 77/50 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone dans lesquels au moins deux atomes de silicium, mais pas la totalité, sont liés autrement que par des atomes d'oxygène par des liaisons au carbone
  • C08L 83/04 - Polysiloxanes
  • C23C 14/06 - Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement caractérisé par le matériau de revêtement
  • C30B 25/02 - Croissance d'une couche épitaxiale
  • C30B 29/36 - Carbures
  • C08G 77/00 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone
  • C08G 77/12 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à l'hydrogène

9.

ELECTROCHEMICAL SYSTEMS AND METHODS FOR FINISHING SiC WAFERS

      
Numéro d'application 18191037
Statut En instance
Date de dépôt 2023-03-28
Date de la première publication 2024-02-29
Propriétaire Pallidus, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Land, Mark
  • Hansen, Darren
  • Torres, Victor
  • Mervich, Robert
  • Kegg, Thomas

Abrégé

Methods and systems for the electrochemical finishing of SiC wafers. Embodiments of these methods use an applied electrical bias, an electrolytic oxidant removal solution and light to remove raised surface features and imperfections of an SiC wafer.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 21/3063 - Gravure électrolytique
  • H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants

10.

ELECTROCHEMICAL SYSTEMS AND METHODS FOR FINISHING SIC WAFERS

      
Numéro d'application US2023065012
Numéro de publication 2023/192837
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-03-28
Date de publication 2023-10-05
Propriétaire PALLIDUS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Land, Mark
  • Hansen, Darren
  • Torres, Victor
  • Mervich, Robert
  • Kegg, Thomas

Abrégé

Methods and systems for the electrochemical finishing of SiC wafers. Embodiments of these methods use an applied electrical bias, an electrolytic oxidant removal solution and light to remove raised surface features and imperfections of an SiC wafer.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/3063 - Gravure électrolytique
  • H01L 21/465 - Traitement chimique ou électrique, p. ex. gravure électrolytique
  • C25F 3/30 - Polissage des matériaux semi-conducteurs
  • C30B 33/00 - Post-traitement des monocristaux ou des matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée

11.

SiC P-TYPE, AND LOW RESISTIVITY, CRYSTALS, BOULES, WAFERS AND DEVICES, AND METHODS OF MAKING THE SAME

      
Numéro d'application 17861187
Statut En instance
Date de dépôt 2022-07-09
Date de la première publication 2023-06-01
Propriétaire Pallidus, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Dukes, Douglas
  • Hansen, Darren
  • Loboda, Mark
  • Land, Mark
  • Torres, Victor
  • Rojo, Juan Carlos

Abrégé

A doped SiOC liquid starting material provides a p-type polymer derived ceramic SiC crystalline materials, including boules and wafers. P-type SiC electronic devices. Low resistivity SiC crystals, wafers and boules, having phosphorous as a dopant. Polymer derived ceramic doped SiC shaped charge source materials for vapor deposition growth of doped SiC crystals.

Classes IPC  ?

  • C30B 23/06 - Chauffage de l'enceinte de dépôt, du substrat ou du matériau à évaporer
  • C30B 29/36 - Carbures

12.

SiC P-TYPE, AND LOW RESISTIVITY, CRYSTALS, BOULES, WAFERS AND DEVICES, AND METHODS OF MAKING THE SAME

      
Numéro d'application 17861186
Statut En instance
Date de dépôt 2022-07-09
Date de la première publication 2023-06-01
Propriétaire Pallidus, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Dukes, Douglas
  • Hansen, Darren
  • Loboda, Mark
  • Land, Mark
  • Torres, Victor
  • Rojo, Juan Carlos

Abrégé

A doped SiOC liquid starting material provides a p-type polymer derived ceramic SiC crystalline materials, including boules and wafers. P-type SiC electronic devices. Low resistivity SiC crystals, wafers and boules, having phosphorous as a dopant. Polymer derived ceramic doped SiC shaped charge source materials for vapor deposition growth of doped SiC crystals.

Classes IPC  ?

13.

SiC P-TYPE, AND LOW RESISTIVITY, CRYSTALS, BOULES, WAFERS AND DEVICES, AND METHODS OF MAKING THE SAME

      
Numéro d'application 17861188
Statut En instance
Date de dépôt 2022-07-09
Date de la première publication 2023-06-01
Propriétaire Pallidus, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Hansen, Darren
  • Dukes, Douglas
  • Loboda, Mark
  • Land, Mark
  • Torres, Victor
  • Rojo, Juan Carlos

Abrégé

A doped SiOC liquid starting material provides a p-type polymer derived ceramic SiC crystalline materials, including boules and wafers. P-type SiC electronic devices. Low resistivity SiC crystals, wafers and boules, having phosphorous as a dopant. Polymer derived ceramic doped SiC shaped charge source materials for vapor deposition growth of doped SiC crystals.

Classes IPC  ?

14.

High purity SiOC and SiC, methods compositions and applications

      
Numéro d'application 17844041
Numéro de brevet 12291456
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-06-19
Date de la première publication 2023-03-23
Date d'octroi 2025-05-06
Propriétaire Pallidus, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Dukes, Douglas M.
  • Diwanji, Ashish P.
  • Hopkins, Andrew R.
  • Sherwood, Walter J.
  • Land, Mark S.
  • Sandgren, Glenn
  • Benac, Brian L.

Abrégé

Organosilicon chemistry, polymer derived ceramic materials, and methods. Such materials and methods for making polysilocarb (SiOC) and Silicon Carbide (SiC) materials having 3-nines, 4-nines, 6-nines and greater purity. Processes and articles utilizing such high purity SiOC and SiC.

Classes IPC  ?

  • C01B 32/956 - Carbure de silicium
  • C01B 32/977 - Préparation à partir de composés organiques contenant du silicium
  • C04B 35/56 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes à base de carbures
  • C04B 35/571 - Céramiques fines obtenues à partir de précurseurs polymères
  • C04B 35/80 - Fibres, filaments, "whiskers", paillettes ou analogues
  • C08G 77/20 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes aliphatiques non saturés
  • C08G 77/50 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone dans lesquels au moins deux atomes de silicium, mais pas la totalité, sont liés autrement que par des atomes d'oxygène par des liaisons au carbone
  • C08L 83/00 - Compositions contenant des composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant uniquement du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carboneCompositions contenant des dérivés de tels polymères
  • C08L 83/04 - Polysiloxanes
  • C30B 23/00 - Croissance des monocristaux par condensation d'un matériau évaporé ou sublimé
  • C30B 23/02 - Croissance d'une couche épitaxiale
  • C30B 29/06 - Silicium
  • C30B 29/36 - Carbures
  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • C08G 77/00 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone
  • C08G 77/12 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à l'hydrogène

15.

High purity polysilocarb materials, applications and processes

      
Numéro d'application 17687735
Numéro de brevet 12151940
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-03-07
Date de la première publication 2023-03-23
Date d'octroi 2024-11-26
Propriétaire Pallidus, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Dukes, Douglas M.
  • Diwanji, Ashish P.
  • Hopkins, Andrew R.
  • Sherwood, Walter J.
  • Sandgren, Glenn
  • Land, Mark S.
  • Benac, Brian L.

Abrégé

Organosilicon chemistry, polymer derived ceramic materials, and methods. Such materials and methods for making polysilocarb (SiOC) and Silicon Carbide (SiC) materials having 3-nines, 4-nines, 6-nines and greater purity. Processes and articles utilizing such high purity SiOC and SiC.

Classes IPC  ?

  • C01B 32/907 - OxycarburesSulfocarburesMélange de carbures
  • C04B 35/56 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes à base de carbures
  • C04B 35/571 - Céramiques fines obtenues à partir de précurseurs polymères
  • C04B 35/80 - Fibres, filaments, "whiskers", paillettes ou analogues
  • C08G 77/20 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes aliphatiques non saturés
  • C08G 77/50 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone dans lesquels au moins deux atomes de silicium, mais pas la totalité, sont liés autrement que par des atomes d'oxygène par des liaisons au carbone
  • C08L 83/04 - Polysiloxanes
  • C08G 77/00 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone
  • C08G 77/12 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à l'hydrogène
  • C09K 8/80 - Compositions pour renforcer les fractures, p. ex. compositions pour agents de soutènement utilisés pour maintenir les fractures ouvertes

16.

SIC P-TYPE, AND LOW RESISTIVITY, CRYSTALS, BOULES, WAFERS AND DEVICES, AND METHODS OF MAKING THE SAME

      
Numéro de document 03225056
Statut En instance
Date de dépôt 2022-07-09
Date de disponibilité au public 2023-01-12
Propriétaire PALLIDUS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Hansen, Darren
  • Dukes, Douglas
  • Loboda, Mark
  • Land, Mark
  • Rojo, Juan Carlos
  • Torres, Victor

Abrégé

A doped SiOC liquid starting material provides a p-type polymer derived ceramic SiC crystalline materials, including boules and wafers. P-type SiC electronic devices. Low resistivity SiC crystals, wafers and boules, having phosphorous as a dopant. Polymer derived ceramic doped SiC shaped charge source materials for vapor deposition growth of doped SiC crystals.

Classes IPC  ?

  • B01J 2/06 - Procédés ou dispositifs pour la granulation de substances, en généralTraitement de matériaux particulaires leur permettant de s'écouler librement, en général, p. ex. en les rendant hydrophobes par division du produit liquide en gouttelettes, p. ex. par pulvérisation, et solidification des gouttelettes en milieu liquide
  • B28B 11/24 - Appareillages ou procédés pour le traitement ou le travail des objets façonnés pour faire prendre ou durcir
  • C01B 32/956 - Carbure de silicium
  • C04B 35/524 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes à base de carbone, p. ex. graphite obtenus à partir de précurseurs polymères, p. ex. carbone vitreux
  • C04B 35/565 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes à base de carbures à base de carbure de silicium
  • C04B 35/571 - Céramiques fines obtenues à partir de précurseurs polymères

17.

SIC P-TYPE, AND LOW RESISTIVITY, CRYSTALS, BOULES, WAFERS AND DEVICES, AND METHODS OF MAKING THE SAME

      
Numéro de document 03225061
Statut En instance
Date de dépôt 2022-07-09
Date de disponibilité au public 2023-01-12
Propriétaire PALLIDUS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Hansen, Darren
  • Dukes, Douglas
  • Loboda, Mark
  • Land, Mark
  • Rojo, Juan Carlos
  • Torres, Victor

Abrégé

A doped SiOC liquid starting material provides a p-type polymer derived ceramic SiC crystalline materials, including boules and wafers. P-type SiC electronic devices. Low resistivity SiC crystals, wafers and boules, having phosphorous as a dopant. Polymer derived ceramic doped SiC shaped charge source materials for vapor deposition growth of doped SiC crystals.

Classes IPC  ?

18.

SIC P-TYPE, AND LOW RESISTIVITY, CRYSTALS, BOULES, WAFERS AND DEVICES, AND METHODS OF MAKING THE SAME

      
Numéro de document 03225066
Statut En instance
Date de dépôt 2022-07-09
Date de disponibilité au public 2023-01-12
Propriétaire PALLIDUS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Hansen, Darren
  • Dukes, Douglas
  • Loboda, Mark
  • Land, Mark
  • Rojo, Juan Carlos
  • Torres, Victor

Abrégé

A doped SiOC liquid starting material provides a p-type polymer derived ceramic SiC crystalline materials, including boules and wafers. P-type SiC electronic devices. Low resistivity SiC crystals, wafers and boules, having phosphorous as a dopant. Polymer derived ceramic doped SiC shaped charge source materials for vapor deposition growth of doped SiC crystals.

Classes IPC  ?

19.

SIC P-TYPE, AND LOW RESISTIVITY, CRYSTALS, BOULES, WAFERS AND DEVICES, AND METHODS OF MAKING THE SAME

      
Numéro d'application US2022036595
Numéro de publication 2023/283471
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-07-09
Date de publication 2023-01-12
Propriétaire PALLIDUS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Hansen, Darren
  • Dukes, Douglas
  • Loboda, Mark
  • Land, Mark
  • Rojo, Juan, Carlos
  • Torres, Victor

Abrégé

A doped SiOC liquid starting material provides a p-type polymer derived ceramic SiC crystalline materials, including boules and wafers. P-type SiC electronic devices. Low resistivity SiC crystals, wafers and boules, having phosphorous as a dopant. Polymer derived ceramic doped SiC shaped charge source materials for vapor deposition growth of doped SiC crystals.

Classes IPC  ?

  • C04B 35/565 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes à base de carbures à base de carbure de silicium
  • C04B 35/524 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes à base de carbone, p. ex. graphite obtenus à partir de précurseurs polymères, p. ex. carbone vitreux
  • C04B 35/571 - Céramiques fines obtenues à partir de précurseurs polymères
  • C01B 32/956 - Carbure de silicium
  • B28B 11/24 - Appareillages ou procédés pour le traitement ou le travail des objets façonnés pour faire prendre ou durcir
  • B01J 2/06 - Procédés ou dispositifs pour la granulation de substances, en généralTraitement de matériaux particulaires leur permettant de s'écouler librement, en général, p. ex. en les rendant hydrophobes par division du produit liquide en gouttelettes, p. ex. par pulvérisation, et solidification des gouttelettes en milieu liquide

20.

SIC P-TYPE, AND LOW RESISTIVITY, CRYSTALS, BOULES, WAFERS AND DEVICES, AND METHODS OF MAKING THE SAME

      
Numéro d'application US2022036597
Numéro de publication 2023/283472
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-07-09
Date de publication 2023-01-12
Propriétaire PALLIDUS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Hansen, Darren
  • Dukes, Douglas
  • Loboda, Mark
  • Land, Mark
  • Rojo, Juan Carlos
  • Torres, Victor

Abrégé

A doped SiOC liquid starting material provides a p-type polymer derived ceramic SiC crystalline materials, including boules and wafers. P-type SiC electronic devices. Low resistivity SiC crystals, wafers and boules, having phosphorous as a dopant. Polymer derived ceramic doped SiC shaped charge source materials for vapor deposition growth of doped SiC crystals.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
  • C01B 32/963 - Préparation à partir de composés contenant du silicium

21.

SIC P-TYPE, AND LOW RESISTIVITY, CRYSTALS, BOULES, WAFERS AND DEVICES, AND METHODS OF MAKING THE SAME

      
Numéro d'application US2022036606
Numéro de publication 2023/283474
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-07-09
Date de publication 2023-01-12
Propriétaire PALLIDUS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Hansen, Darren
  • Dukes, Douglas
  • Loboda, Mark
  • Land, Mark
  • Rojo, Juan, Carlos
  • Torres, Victor

Abrégé

A doped SiOC liquid starting material provides a p-type polymer derived ceramic SiC crystalline materials, including boules and wafers. P-type SiC electronic devices. Low resistivity SiC crystals, wafers and boules, having phosphorous as a dopant. Polymer derived ceramic doped SiC shaped charge source materials for vapor deposition growth of doped SiC crystals.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
  • C01B 32/963 - Préparation à partir de composés contenant du silicium

22.

Polysilocarb based silicon carbide materials, applications and devices

      
Numéro d'application 17396687
Numéro de brevet 11820666
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-08-07
Date de la première publication 2022-06-02
Date d'octroi 2023-11-21
Propriétaire Pallidus, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Dukes, Douglas M.
  • Hopkins, Andrew R.
  • Sherwood, Walter J.
  • Diwanji, Ashish P.
  • Sandgren, Glenn
  • Land, Mark S.
  • Benac, Brian L.

Abrégé

Organosilicon chemistry, polymer derived ceramic materials, and methods. Such materials and methods for making polysilocarb (SiOC) and Silicon Carbide (SiC) materials having 3-nines, 4-nines, 6-nines and greater purity. Processes and articles utilizing such high purity SiOC and SiC.

Classes IPC  ?

  • C01B 33/00 - SiliciumSes composés
  • C01B 32/956 - Carbure de silicium
  • C04B 35/571 - Céramiques fines obtenues à partir de précurseurs polymères
  • C08G 77/50 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone dans lesquels au moins deux atomes de silicium, mais pas la totalité, sont liés autrement que par des atomes d'oxygène par des liaisons au carbone
  • C04B 35/56 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes à base de carbures
  • C08L 83/04 - Polysiloxanes
  • C08G 77/20 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes aliphatiques non saturés
  • C01B 32/40 - Oxyde de carbone
  • C01B 32/50 - Anhydride carbonique
  • C01B 32/977 - Préparation à partir de composés organiques contenant du silicium
  • C04B 35/80 - Fibres, filaments, "whiskers", paillettes ou analogues
  • C08G 77/12 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à l'hydrogène
  • C09K 8/80 - Compositions pour renforcer les fractures, p. ex. compositions pour agents de soutènement utilisés pour maintenir les fractures ouvertes
  • C08G 77/00 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone

23.

Methods of providing high purity SiOC and SiC materials

      
Numéro d'application 17329001
Numéro de brevet 12698241
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-05-24
Date de la première publication 2022-05-26
Date d'octroi 2026-08-04
Propriétaire Pallidus, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Dukes, Douglas M.
  • Diwanji, Ashish P.
  • Hopkins, Andrew R.
  • Sherwood, Walter J.
  • Sandgren, Glenn
  • Land, Mark S.
  • Benac, Brian L.

Abrégé

Organosilicon chemistry, polymer derived ceramic materials, and methods. Such materials and methods for making polysilocarb (SiOC) and Silicon Carbide (SiC) materials having 3-nines, 4-nines, 6-nines and greater purity. Processes and articles utilizing such high purity SiOC and SiC.

Classes IPC  ?

  • C04B 35/80 - Fibres, filaments, "whiskers", paillettes ou analogues
  • C01B 32/907 - OxycarburesSulfocarburesMélange de carbures
  • C04B 35/515 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes
  • C04B 35/56 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes à base de carbures
  • C04B 35/571 - Céramiques fines obtenues à partir de précurseurs polymères
  • C04B 35/64 - Procédés de cuisson ou de frittage
  • C08G 77/20 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes aliphatiques non saturés
  • C08G 77/50 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone dans lesquels au moins deux atomes de silicium, mais pas la totalité, sont liés autrement que par des atomes d'oxygène par des liaisons au carbone
  • C08L 83/04 - Polysiloxanes
  • C08G 77/00 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone
  • C08G 77/12 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à l'hydrogène
  • C09K 8/80 - Compositions pour renforcer les fractures, p. ex. compositions pour agents de soutènement utilisés pour maintenir les fractures ouvertes

24.

Doped SiC and SiOC compositions and Methods

      
Numéro d'application 17367380
Numéro de brevet 12030819
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-07-04
Date de la première publication 2022-01-06
Date d'octroi 2024-07-09
Propriétaire Pallidus, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Dukes, Douglas M.
  • Diwanji, Ashish P.
  • Hopkins, Andrew R.
  • Sherwood, Walter J.
  • Sandgren, Glenn
  • Land, Mark S.
  • Benac, Brian L.

Abrégé

Materials and methods for making polysilocarb (SiOC) and Silicon Carbide (SiC) materials having 3-nines, 4-nines, 6-nines and greater purity. Processes and articles utilizing such high purity SiOC and SiC. Doped SiOC and SiC materials for providing semiconductor properties to SiC wafers, including p- and n-type properties.

Classes IPC  ?

  • C01B 32/956 - Carbure de silicium
  • C01B 32/977 - Préparation à partir de composés organiques contenant du silicium
  • C04B 35/515 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes
  • C04B 35/56 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes à base de carbures
  • C04B 35/571 - Céramiques fines obtenues à partir de précurseurs polymères
  • C04B 35/80 - Fibres, filaments, "whiskers", paillettes ou analogues
  • C08G 77/20 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes aliphatiques non saturés
  • C08G 77/50 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone dans lesquels au moins deux atomes de silicium, mais pas la totalité, sont liés autrement que par des atomes d'oxygène par des liaisons au carbone
  • C08L 83/00 - Compositions contenant des composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant uniquement du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carboneCompositions contenant des dérivés de tels polymères
  • C08L 83/04 - Polysiloxanes
  • C08G 77/00 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone
  • C08G 77/12 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à l'hydrogène

25.

Vapor deposition apparatus and techniques using high purity polymer derived silicon carbide

      
Numéro d'application 17000552
Numéro de brevet 11685660
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-08-24
Date de la première publication 2021-02-18
Date d'octroi 2023-06-27
Propriétaire Pallidus, Inc. (USA)
Inventeur(s) Land, Mark S.

Abrégé

Organosilicon chemistry, polymer derived ceramic materials, and methods. Such materials and methods for making polysilocarb (SiOC) and Silicon Carbide (SiC) materials having 3-nines, 4-nines, 6-nines and greater purity. Vapor deposition processes and articles formed by those processes utilizing such high purity SiOC and SiC.

Classes IPC  ?

  • C23C 14/06 - Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement caractérisé par le matériau de revêtement
  • C01B 32/977 - Préparation à partir de composés organiques contenant du silicium
  • C01B 32/956 - Carbure de silicium
  • C30B 25/02 - Croissance d'une couche épitaxiale
  • C30B 29/36 - Carbures
  • C04B 35/571 - Céramiques fines obtenues à partir de précurseurs polymères
  • C08G 77/20 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes aliphatiques non saturés
  • C08G 77/50 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone dans lesquels au moins deux atomes de silicium, mais pas la totalité, sont liés autrement que par des atomes d'oxygène par des liaisons au carbone
  • C04B 35/56 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes à base de carbures
  • C08L 83/04 - Polysiloxanes
  • C04B 35/515 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes
  • C04B 35/80 - Fibres, filaments, "whiskers", paillettes ou analogues
  • C08G 77/12 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à l'hydrogène
  • C08G 77/00 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone

26.

High purity SiOC and SiC, methods compositions and applications

      
Numéro d'application 16825162
Numéro de brevet 11365124
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-03-20
Date de la première publication 2021-01-14
Date d'octroi 2022-06-21
Propriétaire Pallidus, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Land, Mark S.
  • Diwanji, Ashish P.
  • Hopkins, Andrew R.
  • Sherwood, Walter J.
  • Dukes, Douglas M.
  • Sandgren, Glenn
  • Benac, Brian L.

Abrégé

Organosilicon chemistry, polymer derived ceramic materials, and methods. Such materials and methods for making polysilocarb (SiOC) and Silicon Carbide (SiC) materials having 3-nines, 4-nines, 6-nines and greater purity. Processes and articles utilizing such high purity SiOC and SiC.

Classes IPC  ?

  • C01B 32/977 - Préparation à partir de composés organiques contenant du silicium
  • C01B 32/956 - Carbure de silicium
  • C30B 23/00 - Croissance des monocristaux par condensation d'un matériau évaporé ou sublimé
  • C30B 23/02 - Croissance d'une couche épitaxiale
  • C30B 29/36 - Carbures
  • C30B 29/06 - Silicium
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
  • C04B 35/56 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes à base de carbures
  • C04B 35/571 - Céramiques fines obtenues à partir de précurseurs polymères
  • C08G 77/20 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes aliphatiques non saturés
  • C08G 77/50 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone dans lesquels au moins deux atomes de silicium, mais pas la totalité, sont liés autrement que par des atomes d'oxygène par des liaisons au carbone
  • C08L 83/04 - Polysiloxanes
  • C04B 35/80 - Fibres, filaments, "whiskers", paillettes ou analogues
  • C08L 83/00 - Compositions contenant des composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant uniquement du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carboneCompositions contenant des dérivés de tels polymères
  • C08G 77/12 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à l'hydrogène
  • C08G 77/00 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone

27.

Pressed and self sintered polymer derived SiC materials, applications and devices

      
Numéro d'application 16442915
Numéro de brevet 11053167
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-06-17
Date de la première publication 2020-01-09
Date d'octroi 2021-07-06
Propriétaire Pallidus, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Sandgren, Glenn
  • Diwanji, Ashish P.
  • Hopkins, Andrew R.
  • Sherwood, Walter J.
  • Dukes, Douglas M.
  • Land, Mark S.
  • Benac, Brian L.

Abrégé

Organosilicon chemistry, polymer derived ceramic materials, and methods. Such materials and methods for making polysilocarb (SiOC) and Silicon Carbide (SiC) materials having 3-nines, 4-nines, 6-nines and greater purity. Processes and articles utilizing such high purity SiOC and SiC.

Classes IPC  ?

  • C01B 32/956 - Carbure de silicium
  • C04B 35/571 - Céramiques fines obtenues à partir de précurseurs polymères
  • C04B 35/56 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes à base de carbures
  • C04B 35/80 - Fibres, filaments, "whiskers", paillettes ou analogues
  • C08G 77/20 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes aliphatiques non saturés
  • C08G 77/50 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone dans lesquels au moins deux atomes de silicium, mais pas la totalité, sont liés autrement que par des atomes d'oxygène par des liaisons au carbone
  • C08L 83/04 - Polysiloxanes
  • C01B 32/977 - Préparation à partir de composés organiques contenant du silicium
  • C08L 83/00 - Compositions contenant des composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant uniquement du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carboneCompositions contenant des dérivés de tels polymères
  • C08G 77/12 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à l'hydrogène
  • C08G 77/00 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone

28.

SIC VOLUMETRIC SHAPES AND METHODS OF FORMING BOULES

      
Numéro d'application US2018024978
Numéro de publication 2018/183585
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-03-28
Date de publication 2018-10-04
Propriétaire PALLIDUS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Dukes, Douglas
  • Sandgren, Glenn
  • Hopkins, Andrew, R.
  • Burlingham, Isabel
  • Land, Mark, S.

Abrégé

Volumetric shapes of SiC starting materials for boule growth. Methods of controlling vapor deposition growth of SiC boules, and providing directional flux. Methods of increase the number of wafers, the number of electronic components and the number of operable devices from a single boule growth cycle.

Classes IPC  ?

  • C04B 35/515 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes
  • C04B 35/64 - Procédés de cuisson ou de frittage
  • C08G 77/20 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes aliphatiques non saturés

29.

Pressed and self sintered polymer derived SiC materials, applications and devices

      
Numéro d'application 15924141
Numéro de brevet 10322974
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-03-16
Date de la première publication 2018-07-19
Date d'octroi 2019-06-18
Propriétaire Pallidus, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Land, Mark S.
  • Diwanji, Ashish P.
  • Hopkins, Andrew R.
  • Sherwood, Walter J.
  • Dukes, Douglas M.
  • Sandgren, Glenn
  • Benac, Brian L.

Abrégé

Organosilicon chemistry, polymer derived ceramic materials, and methods. Such materials and methods for making polysilocarb (SiOC) and Silicon Carbide (SiC) materials having 3-nines, 4-nines, 6-nines and greater purity. Processes and articles utilizing such high purity SiOC and SiC.

Classes IPC  ?

  • C01B 32/956 - Carbure de silicium
  • C04B 35/571 - Céramiques fines obtenues à partir de précurseurs polymères
  • C04B 35/56 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes à base de carbures
  • C04B 35/80 - Fibres, filaments, "whiskers", paillettes ou analogues
  • C08G 77/20 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes aliphatiques non saturés
  • C08G 77/50 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone dans lesquels au moins deux atomes de silicium, mais pas la totalité, sont liés autrement que par des atomes d'oxygène par des liaisons au carbone
  • C08L 83/04 - Polysiloxanes
  • C08L 83/00 - Compositions contenant des composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant uniquement du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carboneCompositions contenant des dérivés de tels polymères
  • C08G 77/12 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à l'hydrogène
  • C08G 77/00 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone

30.

High purity polymer derived 3C SiC, methods compositions and applications

      
Numéro d'application 15593938
Numéro de brevet 10597794
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-05-12
Date de la première publication 2018-03-08
Date d'octroi 2020-03-24
Propriétaire Pallidus, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Land, Mark S.
  • Diwanji, Ashish P.
  • Hopkins, Andrew R.
  • Sherwood, Walter J.
  • Dukes, Douglas M.
  • Sandgren, Glenn
  • Benac, Brian L.

Abrégé

Organosilicon chemistry, polymer derived ceramic materials, and methods. Such materials and methods for making polysilocarb (SiOC) and Silicon Carbide (SiC) materials having 3-nines, 4-nines, 6-nines and greater purity. Processes and articles utilizing such high purity SiOC and SiC.

Classes IPC  ?

  • C03B 23/00 - Finition du verre façonné
  • C30B 23/00 - Croissance des monocristaux par condensation d'un matériau évaporé ou sublimé
  • C30B 23/02 - Croissance d'une couche épitaxiale
  • C30B 29/36 - Carbures
  • C30B 29/06 - Silicium
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
  • C04B 35/56 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes à base de carbures
  • C04B 35/571 - Céramiques fines obtenues à partir de précurseurs polymères
  • C04B 35/80 - Fibres, filaments, "whiskers", paillettes ou analogues
  • C08G 77/20 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes aliphatiques non saturés
  • C08G 77/50 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone dans lesquels au moins deux atomes de silicium, mais pas la totalité, sont liés autrement que par des atomes d'oxygène par des liaisons au carbone
  • C08L 83/04 - Polysiloxanes
  • C01B 32/956 - Carbure de silicium
  • C08L 83/00 - Compositions contenant des composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant uniquement du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carboneCompositions contenant des dérivés de tels polymères
  • C08G 77/12 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à l'hydrogène
  • C08G 77/00 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone

31.

Vapor deposition apparatus and techniques using high puritiy polymer derived silicon carbide

      
Numéro d'application 15275055
Numéro de brevet 10753010
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2016-09-23
Date de la première publication 2017-07-20
Date d'octroi 2020-08-25
Propriétaire Pallidus, Inc. (USA)
Inventeur(s) Land, Mark S.

Abrégé

Organosilicon chemistry, polymer derived ceramic materials, and methods. Such materials and methods for making polysilocarb (SiOC) and Silicon Carbide (SiC) materials having 3-nines, 4-nines, 6-nines and greater purity. Vapor deposition processes and articles formed by those processes utilizing such high purity SiOC and SiC.

Classes IPC  ?

  • C23C 14/06 - Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement caractérisé par le matériau de revêtement
  • C01B 32/977 - Préparation à partir de composés organiques contenant du silicium
  • C30B 25/02 - Croissance d'une couche épitaxiale
  • C30B 29/36 - Carbures
  • C04B 35/571 - Céramiques fines obtenues à partir de précurseurs polymères
  • C04B 35/80 - Fibres, filaments, "whiskers", paillettes ou analogues
  • C08G 77/20 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes aliphatiques non saturés
  • C08G 77/50 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone dans lesquels au moins deux atomes de silicium, mais pas la totalité, sont liés autrement que par des atomes d'oxygène par des liaisons au carbone
  • C04B 35/56 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes à base de carbures
  • C01B 32/956 - Carbure de silicium
  • C08L 83/04 - Polysiloxanes
  • C08G 77/12 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à l'hydrogène
  • C08G 77/00 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone

32.

High purity SiOC and SiC, methods compositions and applications

      
Numéro d'application 14864539
Numéro de brevet 09657409
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2015-09-24
Date de la première publication 2016-07-21
Date d'octroi 2017-05-23
Propriétaire PALLIDUS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Sandgren, Glen
  • Diwanji, Ashish P.
  • Hopkins, Andrew R.
  • Sherwood, Walter J.
  • Dukes, Douglas M.
  • Land, Mark S.
  • Benac, Brian L.

Abrégé

Organosilicon chemistry, polymer derived ceramic materials, and methods. Such materials and methods for making polysilocarb (SiOC) and Silicon Carbide (SiC) materials having 3-nines, 4-nines, 6-nines and greater purity. Processes and articles utilizing such high purity SiOC and SiC.

Classes IPC  ?

  • C30B 23/00 - Croissance des monocristaux par condensation d'un matériau évaporé ou sublimé
  • C01B 31/36 - Carbures de silicium ou de bore
  • C30B 23/02 - Croissance d'une couche épitaxiale
  • C30B 29/36 - Carbures
  • C30B 29/06 - Silicium
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
  • C04B 35/56 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes à base de carbures
  • C04B 35/571 - Céramiques fines obtenues à partir de précurseurs polymères
  • C04B 35/80 - Fibres, filaments, "whiskers", paillettes ou analogues
  • C08G 77/20 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes aliphatiques non saturés
  • C08G 77/50 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone dans lesquels au moins deux atomes de silicium, mais pas la totalité, sont liés autrement que par des atomes d'oxygène par des liaisons au carbone
  • C08L 83/04 - Polysiloxanes
  • C08G 77/12 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à l'hydrogène
  • C08G 77/00 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone

33.

High purity polysilocarb materials, applications and processes

      
Numéro d'application 14864642
Numéro de brevet 10322936
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2015-09-24
Date de la première publication 2016-07-21
Date d'octroi 2019-06-18
Propriétaire Pallidus, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Dukes, Douglas M.
  • Diwanji, Ashish P.
  • Hopkins, Andrew R.
  • Sherwood, Walter J.
  • Sandgren, Glenn
  • Land, Mark S.
  • Benac, Brian L.

Abrégé

Organosilicon chemistry, polymer derived ceramic materials, and methods. Such materials and methods for making polysilocarb (SiOC) and Silicon Carbide (SiC) materials having 3-nines, 4-nines, 6-nines and greater purity. Processes and articles utilizing such high purity SiOC and SiC.

Classes IPC  ?

  • C04B 35/56 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes à base de carbures
  • C01B 31/30 - Carbures
  • C04B 35/571 - Céramiques fines obtenues à partir de précurseurs polymères
  • C04B 35/80 - Fibres, filaments, "whiskers", paillettes ou analogues
  • C08G 77/20 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes aliphatiques non saturés
  • C08G 77/50 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone dans lesquels au moins deux atomes de silicium, mais pas la totalité, sont liés autrement que par des atomes d'oxygène par des liaisons au carbone
  • C08L 83/04 - Polysiloxanes
  • C09K 8/80 - Compositions pour renforcer les fractures, p. ex. compositions pour agents de soutènement utilisés pour maintenir les fractures ouvertes
  • C08G 77/12 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à l'hydrogène
  • C08G 77/00 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone

34.

Polysilocarb based silicon carbide materials, applications and devices

      
Numéro d'application 14864125
Numéro de brevet 11091370
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2015-09-24
Date de la première publication 2016-07-21
Date d'octroi 2021-08-17
Propriétaire Pallidus, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Diwanji, Ashish P.
  • Hopkins, Andrew R.
  • Sherwood, Walter J.
  • Dukes, Douglas M.
  • Sandgren, Glenn
  • Land, Mark S.
  • Benac, Brian L.

Abrégé

Organosilicon chemistry, polymer derived ceramic materials, and methods. Such materials and methods for making polysilocarb (SiOC) and Silicon Carbide (SiC) materials having 3-nines, 4-nines, 6-nines and greater purity. Processes and articles utilizing such high purity SiOC and SiC.

Classes IPC  ?

  • C01B 32/956 - Carbure de silicium
  • C04B 35/56 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes à base de carbures
  • C04B 35/80 - Fibres, filaments, "whiskers", paillettes ou analogues
  • C04B 35/571 - Céramiques fines obtenues à partir de précurseurs polymères
  • C08G 77/50 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone dans lesquels au moins deux atomes de silicium, mais pas la totalité, sont liés autrement que par des atomes d'oxygène par des liaisons au carbone
  • C08L 83/04 - Polysiloxanes
  • C08G 77/20 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes aliphatiques non saturés
  • C01B 32/40 - Oxyde de carbone
  • C01B 32/50 - Anhydride carbonique
  • C01B 32/977 - Préparation à partir de composés organiques contenant du silicium
  • C08G 77/12 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à l'hydrogène
  • C09K 8/80 - Compositions pour renforcer les fractures, p. ex. compositions pour agents de soutènement utilisés pour maintenir les fractures ouvertes
  • C08G 77/00 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone

35.

Methods of providing high purity SiOC and SiC materials

      
Numéro d'application 14864196
Numéro de brevet 11014819
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2015-09-24
Date de la première publication 2016-07-21
Date d'octroi 2021-05-25
Propriétaire Pallidus, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Dukes, Douglas M.
  • Diwanji, Ashish P.
  • Hopkins, Andrew R.
  • Sherwood, Walter J.
  • Sandgren, Glenn
  • Land, Mark S.
  • Benac, Brian L.

Abrégé

Organosilicon chemistry, polymer derived ceramic materials, and methods. Such materials and methods for making polysilocarb (SiOC) and Silicon Carbide (SiC) materials having 3-nines, 4-nines, 6-nines and greater purity. Processes and articles utilizing such high purity SiOC and SiC.

Classes IPC  ?

  • C01B 32/907 - OxycarburesSulfocarburesMélange de carbures
  • C04B 35/56 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes à base de carbures
  • C04B 35/571 - Céramiques fines obtenues à partir de précurseurs polymères
  • C04B 35/64 - Procédés de cuisson ou de frittage
  • C08G 77/20 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes aliphatiques non saturés
  • C04B 35/80 - Fibres, filaments, "whiskers", paillettes ou analogues
  • C04B 35/515 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes
  • C08L 83/04 - Polysiloxanes
  • C08G 77/50 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone dans lesquels au moins deux atomes de silicium, mais pas la totalité, sont liés autrement que par des atomes d'oxygène par des liaisons au carbone
  • C09K 8/80 - Compositions pour renforcer les fractures, p. ex. compositions pour agents de soutènement utilisés pour maintenir les fractures ouvertes
  • C08G 77/12 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à l'hydrogène
  • C08G 77/00 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone

36.

Pressed and self sintered polymer derived SiC materials, applications and devices

      
Numéro d'application 14864498
Numéro de brevet 09919972
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2015-09-24
Date de la première publication 2016-07-21
Date d'octroi 2018-03-20
Propriétaire PALLIDUS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Land, Mark S.
  • Diwanji, Ashish P.
  • Hopkins, Andrew R.
  • Sherwood, Walter J.
  • Dukes, Douglas M.
  • Sandgren, Glenn
  • Benac, Brian L.

Abrégé

Organosilicon chemistry, polymer derived ceramic materials, and methods. Such materials and methods for making polysilocarb (SiOC) and Silicon Carbide (SiC) materials having 3-nines, 4-nines, 6-nines and greater purity. Processes and articles utilizing such high purity SiOC and SiC.

Classes IPC  ?

  • C08L 83/04 - Polysiloxanes
  • C04B 35/571 - Céramiques fines obtenues à partir de précurseurs polymères
  • C01B 31/36 - Carbures de silicium ou de bore
  • C04B 35/56 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes à base de carbures
  • C04B 35/80 - Fibres, filaments, "whiskers", paillettes ou analogues
  • C08G 77/20 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes aliphatiques non saturés
  • C08G 77/50 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone dans lesquels au moins deux atomes de silicium, mais pas la totalité, sont liés autrement que par des atomes d'oxygène par des liaisons au carbone
  • C08G 77/12 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à l'hydrogène
  • C08G 77/00 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone

37.

POLYSILOCARB BASED SILICON CARBIDE MATERIALS, APPLICATIONS AND DEVICES

      
Numéro de document 03199812
Statut En instance
Date de dépôt 2015-09-24
Date de disponibilité au public 2016-03-31
Propriétaire PALLIDUS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Diwanji, Ashish P.
  • Hopkins, Andrew R.
  • Sherwood, Walter J.
  • Dukes, Douglas M.
  • Sandgren, Glenn
  • Land, Mark S.
  • Benac, Brian L.

Abrégé

Organosilicon chemistry, polymer derived ceramic materials, and methods. Such materials and methods for making polysilocarb (SiOC) and Silicon Carbide (SiC) materials having 3-nines, 4-nines, 6-nines and greater purity. Processes and articles utilizing such high purity SiOC and SiC.

Classes IPC  ?

  • C01B 32/956 - Carbure de silicium
  • C01B 32/984 - Préparation à partir du silicium élémentaire
  • C04B 35/565 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes à base de carbures à base de carbure de silicium
  • C04B 35/571 - Céramiques fines obtenues à partir de précurseurs polymères
  • C04B 35/622 - Procédés de mise en formeTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques

38.

POLYSILOCARB BASED SILICON CARBIDE MATERIALS, APPLICATIONS AND DEVICES

      
Numéro de document 02962602
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2015-09-24
Date de disponibilité au public 2016-03-31
Date d'octroi 2023-09-05
Propriétaire PALLIDUS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Diwanji, Ashish, P.
  • Hopkins, Andrew, R.
  • Sherwood, Walter, J.
  • Dukes, Douglas, M.
  • Sandgren, Glenn
  • Land, Mark, S.
  • Benac, Brian, L.

Abrégé

Organosilicon chemistry, polymer derived ceramic materials, and methods. Such materials and methods for making polysilocarb (SiOC) and Silicon Carbide (SiC) materials having 3-nines, 4-nines, 6-nines and greater purity. Processes and articles utilizing such high purity SiOC and SiC. A method of making silicon carbide includes: providing a solvent free liquid including silicon, carbon and oxygen; curing the liquid to provide a cured material consisting essential of silicon, carbon and oxygen; having the cured material at a temperature of less than 150 degrees Centigrade; transforming the cured material to a ceramic material consisting essentially of silicon, carbon and oxygen; and, removing essentially all of the oxygen from the ceramic material.

Classes IPC  ?