H01L 41/319 - Application de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support par dépôt de couches piézo-électriques ou électrostrictives, p.ex. par impression par aérosol ou par sérigraphie à l’aide de couches intermédiaires, p.ex. pour contrôler la croissance
C23C 14/06 - Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement caractérisé par le matériau de revêtement
This film structure comprises: a substrate (11) which is a silicon substrate having an upper surface (11a) that is the (100) plane; an alignment film (12) which is formed on the upper surface (11a) and has a cubic crystal structure, while containing a zirconium oxide film oriented in the (100) direction; and a conductive film (13) which is formed on the alignment film (12) and has a cubic crystal structure, while containing a platinum film oriented in the (100) direction. The average interface roughness of an interface (IF1) between the alignment film (12) and the conductive film (13) is higher than the average interface roughness of an interface (IF2) between the substrate (11) and the alignment film (12).
H01L 41/319 - Application de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support par dépôt de couches piézo-électriques ou électrostrictives, p.ex. par impression par aérosol ou par sérigraphie à l’aide de couches intermédiaires, p.ex. pour contrôler la croissance
H01L 41/316 - Application de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support par dépôt de couches piézo-électriques ou électrostrictives, p.ex. par impression par aérosol ou par sérigraphie par dépôt en phase vapeur
[Problem] To provide a processing device that is able to reduce the waiting time period when a conveyance robot conveys a substrate from a processing chamber to another processing chamber, even if the number of processing chambers is increased. [Solution] One aspect of the present invention is a processing device provided with: a first delivery chamber 231; a first stage 241 that holds a substrate; a first conveyance chamber 261 that is connected to the first delivery chamber via a first gate valve 222; a first conveyance robot 261a; a first processing chamber 212 that is connected to the first conveyance chamber via a second gate valve 223; a second stage 242 that holds a substrate; a second processing chamber 213 that is connected to the first conveyance chamber via a third gate valve 224; a third stage 243 that holds a substrate; a second delivery chamber 232 that is connected to the first conveyance chamber via a first opening 271; and a fourth stage 244 that holds a substrate.
H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p. ex. entre différents postes de travail
H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p. ex. condensation
H01L 21/316 - Couches inorganiques composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde
The film-forming device according to one embodiment of the present invention has: a chamber 21 electrically connected to a grounding potential; a target TG disposed in the chamber; a power supply section 32 that supplies high-frequency power to the target; gas supply sections 23, 24 that supply a gas to the inside of the chamber; a substrate holding insulating section 25b, which is disposed in the chamber, and which holds a substrate SB by having the substrate face the target; a conductive supporting section 42 that supports the substrate holding insulating section; and a first insulating member 53 disposed between the conductive supporting section and the chamber. The conductive supporting section is electrically floating from the chamber due to the first insulating member, the substrate is held by the substrate holding insulating section when an outer peripheral section of the substrate comes into contact with the substrate holding insulating section, the substrate is electrically floating from the conductive supporting section, and the substrate holding insulating section does not overlap a center section of the substrate in plan view.
H01L 21/203 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale en utilisant un dépôt physique, p. ex. dépôt sous vide, pulvérisation
H01L 41/316 - Application de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support par dépôt de couches piézo-électriques ou électrostrictives, p.ex. par impression par aérosol ou par sérigraphie par dépôt en phase vapeur
Provided is a film structure having a conductive film formed on a substrate and a piezoelectric film formed on the conductive film, wherein the piezoelectric constant of the piezoelectric film can be increased. A film structure 10 has a conductive film 13, a film 14, and a film 15 that are sequentially formed on a substrate 11. The conductive film 13 contains platinum that has a cubic crystal structure and that is (100)-oriented. The film 14 contains a first composite oxide that is represented by Pb(Zr1−xTix)O3 and that is (100)-oriented in the pseudocubic representation. The film 15 contains a second composite oxide that is represented by Pb(Zr1−yTiy)O3 and that is (100)-oriented in the pseudocubic representation. x and y satisfy 0 < x < 1, 0 ≤ y ≤ 0.1, and y < x.
H01L 41/316 - Application de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support par dépôt de couches piézo-électriques ou électrostrictives, p.ex. par impression par aérosol ou par sérigraphie par dépôt en phase vapeur
H01L 41/317 - Application de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support par dépôt de couches piézo-électriques ou électrostrictives, p.ex. par impression par aérosol ou par sérigraphie par dépôt en phase liquide
H01L 41/319 - Application de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support par dépôt de couches piézo-électriques ou électrostrictives, p.ex. par impression par aérosol ou par sérigraphie à l’aide de couches intermédiaires, p.ex. pour contrôler la croissance
Provided is a film structure having a conductive film formed on a substrate and a piezoelectric film formed on the conductive film, wherein the piezoelectric constant of the piezoelectric film can be increased. A method for manufacturing a film structure according to the present invention has steps for: forming, on a substrate 11, a conductive film 13 containing platinum that has a cubic crystal structure and that is (100)-oriented; applying heat treatment to the conductive film 13 at a temperature of 450-600°C; and then forming a film 15 containing a second composite oxide represented by Pb(Zr1−yTiy)O3, with a film 14 containing a first composite oxide represented by Sr(Ti1−xRux)O3 interposed therebetween. x satisfies 0 ≤ x ≤ 1, and y satisfies 0 ≤ y ≤ 0.1.
H01L 41/319 - Application de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support par dépôt de couches piézo-électriques ou électrostrictives, p.ex. par impression par aérosol ou par sérigraphie à l’aide de couches intermédiaires, p.ex. pour contrôler la croissance
H01L 21/316 - Couches inorganiques composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde
H01L 41/316 - Application de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support par dépôt de couches piézo-électriques ou électrostrictives, p.ex. par impression par aérosol ou par sérigraphie par dépôt en phase vapeur
H01L 41/317 - Application de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support par dépôt de couches piézo-électriques ou électrostrictives, p.ex. par impression par aérosol ou par sérigraphie par dépôt en phase liquide
A film structure (10), having: a substrate (11); a piezoelectric film (14) which is formed on the substrate (11) and which includes a first composite oxide represented by the composition formula Pb(Zr1-xTix)O3; and a piezoelectric film (15) which is formed on the piezoelectric film (14) and which includes a second composite oxide represented by the composition formula Pb(Zr1-yTiy)O3. x satisfies 0.10 ឬ x ≤ 0.20, y satisfies 0.35 ≤ y ≤ 0.55, the piezoelectric film (14) has tensile stress, and the piezoelectric film (15) has compressive stress.
H01L 21/316 - Couches inorganiques composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde
H01L 41/316 - Application de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support par dépôt de couches piézo-électriques ou électrostrictives, p.ex. par impression par aérosol ou par sérigraphie par dépôt en phase vapeur
H01L 41/317 - Application de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support par dépôt de couches piézo-électriques ou électrostrictives, p.ex. par impression par aérosol ou par sérigraphie par dépôt en phase liquide
Provided is a release agent that can adhere easily to the surface of a component. An aspect of the invention is a release agent comprising particles 53, and an oil and/or a solvent, wherein: the particles, the oil, and the solvent each have a heat resistance of 250°C or higher; each particle includes a grain 51, and a first film 52 or a substance covering the grain; and the first film or the substance has a friction coefficient of 0.4 or less (preferably 0.3 or less, more preferably 0.2 or less).
C23C 14/06 - Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement caractérisé par le matériau de revêtement
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
C23C 26/00 - Revêtements non prévus par les groupes
9.
LUBRICANT, METHOD FOR PRODUCING SAME, LUBRICANT PRODUCT, LUBRICANT AEROSOL, COMPONENT PROVIDED WITH LUBRICANT, AND METHOD FOR PRODUCING MOVABLE COMPONENT PROVIDED WITH LUBRICANT
Provided is a lubricant that can adhere easily to the surface of a component. An aspect of the invention is a lubricant comprising particles 53, wherein: each particle includes a grain 51, and a first film 52 or a substance covering the grain; and the first film or the substance has a friction coefficient of 0.4 or less. The water contact angle on the surface of the particle 53 is preferably 60° or greater, and the grain 51 preferably includes a substance having a friction coefficient of 0.4 or less. The lubricant preferably includes a solvent.
[Problem] To provide a gas supply device that supplies to a vacuum chamber a sublimable solid organic compound with a large molecular weight. [Solution] One aspect of the present invention is a gas supply device that supplies gas to a vacuum chamber 21, and that is provided with the following: a container 16 that is connected to the vacuum chamber via a first pipe 19; a heating mechanism 20 that heats the container; a sublimable solid organic compound 17 stored in the container; and a carrier gas supply source 11 that is connected to the container via a second pipe 18.
C23C 16/448 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour produire des courants de gaz réactifs, p. ex. par évaporation ou par sublimation de matériaux précurseurs
C23C 16/509 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques utilisant des décharges à radiofréquence utilisant des électrodes internes
G11B 5/72 - Revêtements protecteurs, p. ex. antistatiques
G11B 5/725 - Revêtements protecteurs, p. ex. antistatiques contenant un lubrifiant
G11B 5/84 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication de supports d'enregistrement
11.
BxNyCzOw FILM, METHOD FOR FORMING FILM, MAGNETIC RECORDING MEDIUM, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
[Problem] To provide a BxNyCzOw film having a surface having a water contact angle of 50 ° or less. [Solution] One embodiment of the present invention is a BxNyCzOw film formed on a substrate, wherein x, y, z, and w in the BxNyCzOw film satisfy equations (1)-(5) below. (1) 0.4 < x < 0.6 (2) 0.4 < y < 0.6 (3) 0 ≤ z < 0.1 (4) 0 ≤ w < 0.1 (5) x + y + z + w = 1
Noise filling in perceptual transform audio codecs is improved by performing the noise filling with a spectrally global tilt, rather than in a spectrally flat manner.
G10L 21/00 - Techniques de traitement du signal de parole ou de voix pour produire un autre signal audible ou non audible, p. ex. visuel ou tactile, afin de modifier sa qualité ou son intelligibilité
G10L 19/012 - Codage du bruit de confort ou du silence
G10L 19/04 - Techniques d'analyse ou de synthèse de la parole ou des signaux audio pour la réduction de la redondance, p. ex. dans les vocodeursCodage ou décodage de la parole ou des signaux audio utilisant les modèles source-filtre ou l’analyse psychoacoustique utilisant des techniques de prédiction
G10L 19/028 - Remplacement du bruit, c.-à-d. en substituant des sources de bruit à des composantes spectrales non-tonales
13.
Film forming apparatus, substrate for forming oxide thin film and production method thereof
The invention provides a film forming apparatus that is capable of forming films sequentially with two types of film forming mechanisms in the same chamber. The film forming apparatus according to the present invention includes a Pt target disposed at one side within a film forming chamber, a sputtering output mechanism to supply to the Pt target, a Pt vapor deposition source disposed at an other side within the film forming chamber, a vapor deposition output mechanism to supply to the Pt vapor deposition source, a substrate holder disposed between the Pt target and the Pt vapor deposition source within the film forming chamber to mount a substrate, a rotating mechanism to move the substrate holder so that the substrate directs to the Pt target or to the Pt vapor deposition source, a heating mechanism to heat the substrate when the substrate is subjected to a sputtering film forming, and a cooling mechanism to cool the substrate when the substrate is subjected to vapor deposition film forming.
brevets
