Produits et services

Hydrogen production equipment; chemical processing machines and apparatus; hydrogen station equipment; fuel supply system for vehicles and its components; AC motors and DC motors [not including those for land vehicles but including parts for any AC motors and DC motors]; alternators; direct current generators; hydrogen-powered gas turbine generator; hydrogen-based boiler power generation equipment; semiconductor manufacturing equipment and its parts; organic light-emitting diode manufacturing equipment; manufacturing equipment for organic EL display devices and their parts; LCD panel manufacturing equipment; semiconductor thin film formation equipment; vacuum thin film forming equipment; vacuum deposition equipment and its parts; molecular launcher for thin film deposition in semiconductor manufacturing; sputtering equipment; ultrasonic cleaning equipment; manufacturing equipment for electronic circuit boards; plasma etching equipment; gate valves for vacuum deposition equipment used in semiconductor manufacturing; semiconductor manufacturing equipment manufacturing jigs; semiconductor manufacturing equipment manufacturing tools. Solar cell; solar panel; photovoltaic modules; photovoltaic apparatus and installations; fuel cells; accumulators, electric; electrical junction box for solar power generation equipment; solar power generation inverter; power conditioner for solar power generation equipment; power indicator for solar power generation equipment; organic light-emitting diodes [OLED]; organic EL display devices and their parts; electron gun. Chiller units for industrial equipment; thin film deposition crucibles; vacuum drying equipment; solar cell lighting fixtures. Repair or maintenance of hydrogen production equipment and its parts; repair or maintenance of hydrogen station equipment and its parts; repair or maintenance of fuel supply systems and parts thereof for passenger vehicles; repair or maintenance of AC motors and DC motors (excluding AC motors and DC motors for land vehicles (excluding their parts)) and their parts; repair or maintenance of alternators and their parts; repair or maintenance of DC generators and their parts; repair or maintenance of hydrogen-based gas turbine power generation equipment and its parts; repair or maintenance of biomass power generation equipment and its parts; battery repair or maintenance; installation, repair and maintenance of solar power generation equipment; repair or maintenance of semiconductor manufacturing equipment and its parts; repair or maintenance of LCD panel manufacturing equipment and its parts; repair or maintenance of organic light-emitting diode manufacturing equipment and its parts; repair or maintenance of manufacturing equipment for organic EL displays and their parts; repair or maintenance of manufacturing equipment for electronic circuit boards and parts thereof; repair and maintenance of vacuum pumps. Cleaning and regeneration of semiconductor manufacturing equipment and its parts; vacuum pump cleaning and regeneration; remanufacturing used parts for semiconductor manufacturing equipment; remanufacturing used parts for semiconductor manufacturing processes; remanufacturing used parts for LCD panel manufacturing equipment; remanufacturing used parts for organic light-emitting diode manufacturing equipment; remanufacturing used parts for manufacturing equipment for organic EL displays; recycling of used parts of manufacturing equipment for electronic devices; recycling process, namely, recovery of valuable materials from semiconductor manufacturing equipment; recycling process, namely, recovery of valuable materials from used solar cells; assembly or processing of semiconductor devices; semiconductor cutting, grinding or processing; semiconductor material cleaning; semiconductor wafer cleaning; metal processing for vacuum equipment parts; metalworking.

Produits et services

Hydrogen production equipment; chemical processing machines and apparatus; hydrogen station equipment; fuel supply system for vehicles and ITS components; AC motors and DC motors [not including those for land vehicles but including parts for any AC motors and DC motors]; alternators; direct current generators; hydrogen-powered gas turbine generator; hydrogen-based boiler power generation equipment; semiconductor manufacturing equipment and ITS parts; organic light-emitting diode manufacturing equipment; manufacturing equipment for organic EL display devices and their parts; LCD panel manufacturing equipment; semiconductor thin film formation equipment; vacuum thin film forming equipment; vacuum deposition equipment and ITS parts; molecular launcher for thin film deposition in semiconductor manufacturing; sputtering equipment; ultrasonic cleaning equipment; manufacturing equipment for electronic circuit boards; plasma etching equipment; gate valves for vacuum deposition equipment used in semiconductor manufacturing; semiconductor manufacturing equipment manufacturing jigs; semiconductor manufacturing equipment manufacturing tools. Cleaning and regeneration of semiconductor manufacturing equipment and ITS parts; vacuum pump cleaning and regeneration; remanufacturing used parts for semiconductor manufacturing equipment; remanufacturing used parts for semiconductor manufacturing processes; remanufacturing used parts for LCD panel manufacturing equipment; remanufacturing used parts for organic light-emitting diode manufacturing equipment; remanufacturing used parts for manufacturing equipment for organic EL displays; recycling of used parts of manufacturing equipment for electronic devices; recycling process, namely, recovery of valuable materials from semiconductor manufacturing equipment; recycling process, namely, recovery of valuable materials from used solar cells; assembly or processing of semiconductor devices; semiconductor cutting, grinding or processing; semiconductor material cleaning; semiconductor wafer cleaning; metal processing for vacuum equipment parts; metalworking; installation, repair and maintenance of solar power generation equipment; repair or maintenance of semiconductor manufacturing equipment and ITS parts; repair or maintenance of LCD panel manufacturing equipment and ITS parts; repair or maintenance of organic light-emitting diode manufacturing equipment and ITS parts; repair or maintenance of manufacturing equipment for organic EL displays and their parts; repair or maintenance of manufacturing equipment for electronic circuit boards and parts thereof; repair and maintenance of vacuum pumps. Solar cell; solar panel; photovoltaic modules; photovoltaic apparatus and installations; fuel cells; accumulators, electric; electrical junction box for solar power generation equipment; solar power generation inverter; power conditioner for solar power generation equipment; power indicator for solar power generation equipment; organic light-emitting diodes [OLED]; organic EL display devices and their parts; electron gun. Chiller units for industrial equipment; thin film deposition crucibles; vacuum drying equipment; solar cell lighting fixtures. Repair or maintenance of hydrogen production equipment and ITS parts; repair or maintenance of hydrogen station equipment and ITS parts; repair or maintenance of fuel supply systems and parts thereof for passenger vehicles; repair or maintenance of AC motors and DC motors (excluding AC motors and DC motors for land vehicles (excluding their parts)) and their parts; repair or maintenance of alternators and their parts; repair or maintenance of DC generators and their parts; repair or maintenance of hydrogen-based gas turbine power generation equipment and ITS parts; repair or maintenance of biomass power generation equipment and ITS parts; battery repair or maintenance; installation, repair and maintenance of solar power generation equipment; repair or maintenance of semiconductor manufacturing equipment and ITS parts; repair or maintenance of LCD panel manufacturing equipment and ITS parts; repair or maintenance of organic light-emitting diode manufacturing equipment and ITS parts; repair or maintenance of manufacturing equipment for organic EL displays and their parts; repair or maintenance of manufacturing equipment for electronic circuit boards and parts thereof; repair and maintenance of vacuum pumps.

Produits et services

Machines for generating hydrogen by electrolysis; fuel dispensing machines for vehicles and parts and accessories thereof; hydrogen supplying machines for service stations; hydrogen supplying machines for fuel cell vehicles for service stations. Fuel cells; electric storage batteries.

Produits et services

Machines for generating hydrogen by electrolysis; fuel dispensing machines for vehicles and parts and accessories thereof; hydrogen supplying machines for service stations; hydrogen supplying machines for fuel cell vehicles for service stations; electric motors for machines; alternators; DC generators; emergency power generators; current generators; hydrogen fuel cell generator. Fuel cells; electric storage batteries.

Produits et services

Fuel dispensing machines for vehicles; electric motors for machines; alternators; DC generators; emergency power generators; current generators; hydrogen fuel cell electricity generator used for supplying electricity to loading-unloading machines and apparatus; hydrogen fuel cell electricity generator used for supplying electricity to land vehicles and small watercraft and aircraft; hydrogen fuel cell electricity generator used as emergency power generator for supplying electricity to factories and buildings; hydrogen fuel cell electricity generator used as power generator for supplying electricity to outdoor events and concerts; hydrogen fuel cell electricity generator used for supplying electricity to lighting apparatus of stadium facilities; hydrogen fuel cell electricity generator used as emergency power generator; hydrogen fuel cell electricity generator used as power generator for supplying electricity at construction sites Fuel cells; electric storage batteries

Produits et services

Hydrogen generating apparatus being electrolysis machines for generating hydrogen for powering a variety of land vehicles and small watercraft and small aircraft not being large seagoing or aviating vessels known as ships; fuel dispensing machines for land vehicles and small watercraft and aircraft not typically described as ships; hydrogen supplying machines for service stations for powering a variety of land vehicles and small watercraft and aircraft not being large seagoing or aviating vessels known as ships; hydrogen supplying machines for fuel cell vehicles for service stations for powering a variety of land vehicles and small watercraft and aircraft not being large seagoing or aviating vessels known as ships Fuel cells for powering a variety of land vehicles and small watercraft and aircraft not being large seagoing or aviating vessels known as ships; electric storage batteries for powering a variety of land vehicles and small watercraft and aircraft not being large seagoing or aviating vessels known as ships

Abrégé

In the present invention, recovery after maintenance is facilitated in a film forming device. Specifically, a film forming device 7 is provided: with a chamber 10 for accommodating base material; and an electrode unit 20 provided detachably on the chamber 10 and having electrodes 25 for discharging for performing film formation with the base material in the chamber 10. The electrodes 25 have linear parts 31, 32 and a folded part 33 for connecting one linear part 31 with the other linear part 32. The electrode unit 20 further has an atmospheric box 27 for covering the folded part 33 and assuring airtightness inside. The atmospheric box 27 is provided inside the chamber 10.

Classes IPC  ?

• C23C 16/509 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques utilisant des décharges à radiofréquence utilisant des électrodes internes
• C23C 16/42 - Siliciures
• H01L 21/31 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour former des couches isolantes en surface, p. ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiquesPost-traitement de ces couchesEmploi de matériaux spécifiés pour ces couches
• H01L 21/318 - Couches inorganiques composées de nitrures

Abrégé

Provided is a photovoltaic element of which the output characteristics are less temperature dependent and which is capable of maintaining fine characteristics even at a high temperature. A photovoltaic element (10) according to the present invention is provided with: an n-type crystal semiconductor substrate (11); an n-type amorphous semiconductor layer (13) stacked on the light incident surface side of the n-type crystal semiconductor substrate; and a p-type amorphous semiconductor layer (16) stacked on the surface side opposite to the light incident surface side of the n-type crystal semiconductor substrate, and is characterized in that a semiconductor material forming the n-type amorphous semiconductor layer (13) is an n-type amorphous silicon oxide. The amorphous silicon oxide is preferably represented by Si1-xOx (0.01≤x≤0.12). A semiconductor material forming the p-type amorphous semiconductor layer (16) is preferably a p-type amorphous silicon oxide.

Classes IPC  ?

• H01L 31/0747 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction comprenant uniquement une hétérojonction AIVBIV, p.ex. cellules solaires Si/Ge, SiGe/Si ou Si/SiC comprenant une hétérojonction avec des matériaux cristallins et amorphes, p.ex. cellules solaires avec une couche mince intrinsèque ou HIT®

Abrégé

Provided are: a photovoltaic element that has a low contact resistance in a collecting electrode, and that can increase conversion efficiency since the collecting electrode is formed with thin wires; and a method for manufacturing the photovoltaic element. The photovoltaic element is provided with: a layer structural body that has a transparent conductive film at least as an outermost layer on one side and that generates an electromotive force through photoirradiation; and a linear collecting electrode arranged on the outer surface of the transparent conductive film. The collecting electrode is characterized by having: a barrier layer that is layered on the outer surface of the transparent conductive film and that contains silver, copper, and at least one of palladium and gallium; and a copper layer that is layered on the outer surface of the barrier layer and of which the main ingredient is copper. The layer structural body preferably further has: a p-type or n-type crystal semiconductor substrate; a first true amorphous semiconductor layer and a p-type amorphous semiconductor layer that are layered in this order on one surface side of the crystal semiconductor substrate; and a n-layer side intermediate layer and a n-type amorphous semiconductor layer that are layered in this order on the other surface side of the crystal semiconductor substrate.

Classes IPC  ?

• H01L 31/0224 - Electrodes

Abrégé

Provided are: a photovoltaic power generation element wherein a collector electrode on the rear surface side can be formed in a thin film, while maintaining output characteristics; and a method for manufacturing the photovoltaic power generation element. A photovoltaic power generation element of the present invention is provided with: a p-type or n-type crystalline semiconductor substrate; a first intrinsic amorphous semiconductor layer, a p-type amorphous semiconductor layer, a first transparent conductive film, and a first collector electrode, which are laminated in this order on one surface side of the crystalline semiconductor substrate; and a first intrinsic amorphous semiconductor layer, an n-type amorphous semiconductor layer, a second transparent conductive film, and a second collector electrode, which are laminated in this order on the other surface side of the crystalline semiconductor substrate. The photovoltaic power generation element is characterized in that the first collector electrode or the second collector electrode is a metal film containing silver, copper, and palladium and/or gallium. The average thickness of the metal film is preferably 15-60 nm. It is preferable that the photovoltaic power generation element is annealed.

Classes IPC  ?

• H01L 31/0224 - Electrodes

Abrégé

2ex (nm), and which has high durability, is advantageous in terms of cost and suitable for use on solar cells, and can improve the photoelectric conversion efficiency of solar cells by converting light in a wavelength region not contributable to power generation to light in another wavelength region contributable to power generation.

Classes IPC  ?

• H01L 31/055 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] Éléments optiques directement associés ou intégrés à la cellule PV, p.ex. moyens réflecteurs ou concentrateurs de lumière où la lumière est absorbée et réémise avec une longueur d’onde différente par l’élément optique directement associé ou intégré à la cellule PV, p.ex. en utilisant un matériau luminescent, des concentrateurs fluorescents ou des dispositions de convers
• H02S 40/22 - Moyens réflecteurs ou concentrateurs de lumière
• H01L 31/048 - Encapsulation de modules
• H01L 31/042 - Modules PV ou matrices de cellules PV individuelles

Abrégé

A photovoltaic module (100) is provided with the following: a heterojunction-type photovoltaic element (10); a plurality of first super-fine wires (21) that are joined and fixed, by a first adhesive layer (22), to a first electrode (15) of one surface of the photovoltaic element (10); and a first resin film (23) that sandwiches the plurality of first super-fine wires (21) between the film itself and the one surface of the photovoltaic element (10), and that is joined to the one surface of the photovoltaic element (10) via the first adhesive layer (22). The photovoltaic module (100) is further provided with a first protective layer (40) which is light transmissive, and a first sealing layer (30) which is filled in between the first protective layer (40) and the first resin film (23). The first adhesive layer (22) is formed from a resin material which includes any of (A) and (B) below. (A) A copolymer containing ethylene and unsaturated carboxylic acid, or an ionomer of the copolymer. (B) A copolymer containing ethylene and glycidyl (meth)acrylate.

Classes IPC  ?

• H01L 31/05 - Moyens d’interconnexion électrique entre les cellules PV à l’intérieur du module PV, p.ex. connexion en série de cellules PV
• H01L 31/0747 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction comprenant uniquement une hétérojonction AIVBIV, p.ex. cellules solaires Si/Ge, SiGe/Si ou Si/SiC comprenant une hétérojonction avec des matériaux cristallins et amorphes, p.ex. cellules solaires avec une couche mince intrinsèque ou HIT®

Abrégé

[Problem] To provide a photovoltaic element, solar cell module, photovoltaic power generation system, and photovoltaic element manufacturing method. [Solution] A photovoltaic element 10 is provided with: a crystalline silicon substrate 12 of one conductivity type (n type); an amorphous n-type silicon layer 16 of the one conductivity type, said layer being laminated on a first main surface 12a of the silicon substrate 12; a first transparent conductive film 18 laminated on the n-type silicon layer 16; an amorphous p-type silicon layer 24 of the other conductivity-type (p type), said layer being laminated on a second main surface 12b of the silicon substrate 12; and a second transparent conductive film 26 laminated on the p-type silicon layer 24. The photovoltaic element is characterized in that: the second transparent conductive film 26 is provided in a region further toward the inner side than a peripheral end of a main surface of the p-type silicon layer 24; a collecting electrode 20 is provided on the first transparent conductive film 18; and a rear surface electrode 28 is provided on the second transparent conductive film 26.

Classes IPC  ?

• H01L 31/0224 - Electrodes
• H01L 31/0747 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction comprenant uniquement une hétérojonction AIVBIV, p.ex. cellules solaires Si/Ge, SiGe/Si ou Si/SiC comprenant une hétérojonction avec des matériaux cristallins et amorphes, p.ex. cellules solaires avec une couche mince intrinsèque ou HIT®

Abrégé

[Problem] To provide: a transparent conductive film which achieves high hole mobility by adequately adjusting the cerium concentration and the partial pressure of the hydrogen source in the growth atmosphere; a device or a solar cell using this transparent conductive film; and a method for producing a transparent conductive film. [Solution] A transparent conductive film 12 which is formed of a polycrystalline structure of indium oxide containing hydrogen and a lanthanoid element, and which is characterized by having a hole mobility of 120 cm2/(V·s) or more.

Classes IPC  ?

• H01B 5/14 - Conducteurs ou corps conducteurs non isolés caractérisés par la forme comprenant des couches ou pellicules conductrices sur supports isolants
• C23C 14/08 - Oxydes
• G02F 1/1343 - Électrodes
• H01B 13/00 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de conducteurs ou câbles
• H01G 9/20 - Dispositifs photosensibles
• H01L 31/0224 - Electrodes
• H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
• H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
• H05B 33/14 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions caractérisées par la composition chimique ou physique ou la disposition du matériau électroluminescent
• H05B 33/28 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions caractérisées par la composition ou la disposition du matériau conducteur utilisé comme électrode des électrodes translucides

Abrégé

Provided is a mirrortron sputtering device capable of reducing discharge voltage during sputtering to prevent occurrence of abnormal discharges, etc. and make continuous stable sputtering possible. This mirrortron sputtering device is equipped with a pair of target shields, which are disposed at the outer edges of respective targets that are set inside a vacuum container or at positions near same on the magnetic field space-side of the respective targets so as to face the respective targets and which have an opening that faces the erosion region of the respective target. The respective target shields have an opening with a peripheral edge that roughly corresponds to the outer edge of the erosion region of the respective target and is located about 1-11 mm or about 3-5 mm to the outside of the outer edge of the erosion region in the radial direction or the longitudinal direction.

Classes IPC  ?

• C23C 14/34 - Pulvérisation cathodique

Abrégé

Provided is a line source that is capable of highly accurately controlling, in film formation, a speed or the like of forming a film on a substrate, and a vapor deposition rate or the like by each vapor deposition material in co-deposition. A line source of the present invention is provided with: a vacuum container; a vapor discharge section, which is configured from a substantially cylindrical long body that is disposed in the vacuum container, and which has disposed therein a plurality of discharge ports in the longitudinal direction, said discharge ports discharging vapor in the substrate direction from the inside; a vapor generating section, which is disposed outside of the vacuum container, and which supplies vapor to the inside of the vapor discharge section, said vapor having been generated by heating a vapor deposition material contained in a crucible; and a connecting section, which airtightly connects the vapor generating section and an end portion of the vapor discharge section to each other, and which is provided with a valve for adjusting a quantity of the vapor to be supplied to the inside of the vapor discharge section from the vapor generating section.

Classes IPC  ?

• C23C 14/24 - Évaporation sous vide

Abrégé

This photovoltaic element (10), of which one side is used as a light entrance surface, is provided with: an n-type crystalline semiconductor substrate (11); an n-type amorphous semiconductor thin film (13) and a first transparent conductive film (14) laminated in the given sequence to one side of the n-type crystalline semiconductor substrate (11); and a p-type amorphous semiconductor thin film (16) and a second transparent conductive film (17) laminated in the given sequence to the other side of the n-type crystalline semiconductor substrate (11). The first and/or second transparent conductive film (14, 17) is formed from indium oxide that has been doped by at least tantalum.

Classes IPC  ?

• H01L 31/0224 - Electrodes
• H01L 31/0747 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction comprenant uniquement une hétérojonction AIVBIV, p.ex. cellules solaires Si/Ge, SiGe/Si ou Si/SiC comprenant une hétérojonction avec des matériaux cristallins et amorphes, p.ex. cellules solaires avec une couche mince intrinsèque ou HIT®

Abrégé

A photovoltaic element 10 has: an n-type crystalline semiconductor substrate 11; a p-type non-crystalline semiconductor film 13 and a first transparent conductive film 14 which are laminated on one side of the n-type crystalline semiconductor substrate 11 in this order; and an n-type non-crystalline semiconductor film 16 and a second transparent conductive film 17 which are laminated on the other side of the n-type crystalline semiconductor substrate 11 in this order. At least one of the first and second transparent conductive films 14, 17 is a transparent conductive film (α) formed of indium oxide doped with at least tantalum.

Classes IPC  ?

• H01L 31/0224 - Electrodes
• C23C 14/08 - Oxydes
• H01L 31/0747 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction comprenant uniquement une hétérojonction AIVBIV, p.ex. cellules solaires Si/Ge, SiGe/Si ou Si/SiC comprenant une hétérojonction avec des matériaux cristallins et amorphes, p.ex. cellules solaires avec une couche mince intrinsèque ou HIT®

Abrégé

A photovoltaic element 10 is a hetero-junction type and has a first transparent conductive film 14 and a second transparent conductive film 17. At least one of the first and second transparent conductive films 14, 17 is a transparent conductive film (α) formed of crystalline indium oxide. The crystalline indium oxide is doped with one or more elements (x) in a group 4, a group 5, or a group 6 of the periodic table. An average in-surface crystal grain major axis size of the crystalline indium oxide is not less than 10 nm and less than 300 nm.

Classes IPC  ?

• H01L 31/0224 - Electrodes
• H01L 31/0747 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction comprenant uniquement une hétérojonction AIVBIV, p.ex. cellules solaires Si/Ge, SiGe/Si ou Si/SiC comprenant une hétérojonction avec des matériaux cristallins et amorphes, p.ex. cellules solaires avec une couche mince intrinsèque ou HIT®

Abrégé

This photovoltaic element (10), of which one side is used as a light entrance surface, is provided with: an n-type crystalline semiconductor substrate (11); an n-type amorphous semiconductor thin film (13) and a first transparent conductive film (14) laminated in the given sequence to one side of the n-type crystalline semiconductor substrate (11); and a p-type amorphous semiconductor thin film (16) and a second transparent conductive film (17) laminated in the given sequence to the other side of the n-type crystalline semiconductor substrate (11). The first and/or second transparent conductive film (14, 17) is a transparent conductive film (α) formed from crystalline indium oxide doped with at least one element (x) belonging to groups 4, 5, and 6 of the periodic table, the average major-axis crystal grain size of the crystalline indium oxide being at least 10 nm and less than 300 nm.

Classes IPC  ?

• H01L 31/0224 - Electrodes
• H01L 31/0747 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction comprenant uniquement une hétérojonction AIVBIV, p.ex. cellules solaires Si/Ge, SiGe/Si ou Si/SiC comprenant une hétérojonction avec des matériaux cristallins et amorphes, p.ex. cellules solaires avec une couche mince intrinsèque ou HIT®

Abrégé

This photovoltaic element (10), of which one side is used as a light entrance surface, is provided with: an n-type crystalline semiconductor substrate (11); a first conductive amorphous semiconductor layer (13) and first transparent conductive film (14) that are laminated in the given sequence on one side of the n-type crystalline semiconductor substrate (11); and a second conductive amorphous semiconductor layer (17), second transparent conductive film (18), and metal film (19) that are laminated in the given sequence on the other side of the n-type crystalline semiconductor substrate (11). A pyramidal bumpy structure resulting from anisotropic etching is formed at both surfaces of the n-type crystalline semiconductor substrate (11), and the thickness of the second transparent conductive film (18) is at least 40 nm and less than 70 nm.

Classes IPC  ?

• H01L 31/0236 - Textures de surface particulières
• H01L 31/0224 - Electrodes
• H01L 31/0747 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction comprenant uniquement une hétérojonction AIVBIV, p.ex. cellules solaires Si/Ge, SiGe/Si ou Si/SiC comprenant une hétérojonction avec des matériaux cristallins et amorphes, p.ex. cellules solaires avec une couche mince intrinsèque ou HIT®

Abrégé

This photovoltaic element (10), of which one side is used as a light entrance surface, is provided with: an n-type crystalline semiconductor substrate (11); a first conductive amorphous semiconductor layer (13) and first transparent conductive film (14) that are laminated in the given sequence on one side of the n-type crystalline semiconductor substrate (11); and a second conductive amorphous semiconductor layer (17) and second transparent conductive film (18) that are laminated in the given sequence on the other side of the n-type crystalline semiconductor substrate (11). A transparent insulating film (15) directly laminated to one side of the first transparent conductive film (14) is further provided.

Classes IPC  ?

• H01L 31/0747 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction comprenant uniquement une hétérojonction AIVBIV, p.ex. cellules solaires Si/Ge, SiGe/Si ou Si/SiC comprenant une hétérojonction avec des matériaux cristallins et amorphes, p.ex. cellules solaires avec une couche mince intrinsèque ou HIT®
• H01L 31/0216 - Revêtements

Abrégé

Provided are a photovoltaic element and a manufacturing method therefor wherein, without using any organic solvents that are harmful to humans, pyramid-shaped irregularities are etched into a silicon substrate so as to increase the generating efficiency of said photovoltaic element. Said photovoltaic element (10) is provided with the following: a silicon substrate (11), the surface of which has a large number of pyramid-shaped irregularities formed thereon via anisotropic etching; and amorphous silicon thin films (12 through 15) formed on top of the pyramid-shaped irregularities via chemical vapor deposition. The etching conditions are selected such that the mean length of the diagonals of the pyramids that form the pyramid-shaped irregularities, as defined by the following equation, is less than 5 µm. Mean length of diagonals = (2 × surface area in field of view / number of pyramid apexes in field of view)0.5

Classes IPC  ?

• H01L 31/0236 - Textures de surface particulières
• H01L 31/0747 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction comprenant uniquement une hétérojonction AIVBIV, p.ex. cellules solaires Si/Ge, SiGe/Si ou Si/SiC comprenant une hétérojonction avec des matériaux cristallins et amorphes, p.ex. cellules solaires avec une couche mince intrinsèque ou HIT®
• H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives

Abrégé

The purpose of the present invention is to provide a photovoltaic device that has a high fill factor. This photovoltaic device (10) is provided with a multilayer photovoltaic element (11), a first collection member (12) laminated to one surface of said photovoltaic element (11), and a second collection member (13) laminated to the other surface of the photovoltaic element (11). The photovoltaic element (11) has the following: an n-type crystalline semiconductor substrate (14); a first intrinsic amorphous silicon thin film (15), a p-type amorphous silicon thin film (16), and a first transparent conductive film (17) layered in that order on the side of the n-type crystalline semiconductor substrate (14) facing the first collector member (12); and an n-type amorphous silicon thin film (19) and a second transparent conductive film (20) layered in that order on the side of the n-type crystalline semiconductor substrate (14) facing the second collector member (13). The p-type amorphous silicon thin film (16) is less than 6 nm thick, and the maximum width (S1) of the regions (25) of the surface of the first transparent conductive film (17) not covered by the first collector member (12) is less than 2 mm.

Classes IPC  ?

• H01L 31/0747 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction comprenant uniquement une hétérojonction AIVBIV, p.ex. cellules solaires Si/Ge, SiGe/Si ou Si/SiC comprenant une hétérojonction avec des matériaux cristallins et amorphes, p.ex. cellules solaires avec une couche mince intrinsèque ou HIT®
• H01L 31/20 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives - les dispositifs ou leurs parties constitutives comprenant un matériau semi-conducteur amorphe

Abrégé

A photovoltaic element that has a sufficient fill factor and makes it possible to reduce manufacturing costs is provided, as is a method for manufacturing said photovoltaic element. Said photovoltaic element (10), which has an n-type crystalline semiconductor substrate (11), a p-type amorphous silicon thin film (13) laminated to one side of said n-type crystalline semiconductor substrate (11), and an n-type amorphous silicon thin film (15) laminated to the other side of the n-type crystalline semiconductor substrate (11), has an intrinsic amorphous silicon thin film (12) interposed between the n-type crystalline semiconductor substrate (11) and the p-type amorphous silicon thin film (13). The n-type crystalline semiconductor substrate (11) and the n-type amorphous silicon thin film (15) are joined to each other directly, and the n-type amorphous silicon thin film (15) side is used as the light incidence surface.

Classes IPC  ?

• H01L 31/0747 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction comprenant uniquement une hétérojonction AIVBIV, p.ex. cellules solaires Si/Ge, SiGe/Si ou Si/SiC comprenant une hétérojonction avec des matériaux cristallins et amorphes, p.ex. cellules solaires avec une couche mince intrinsèque ou HIT®

Abrégé

The purpose of the present invention is to enable an interconnector and finger electrodes to be electrically connected reliably and at a low cost by forming on the surface of a solar battery cell a conductive adhesive layer along a direction orthogonal to the length direction of the finger electrodes and at a non-uniform width. A conductive adhesive layer (3), for electrically connecting a plurality of finger electrodes (1) to each other via an interconnector (2), is intermittently formed in the range in which the interconnector (2) is disposed on the surface of a solar battery module (10).

Classes IPC  ?

• H01L 31/05 - Moyens d’interconnexion électrique entre les cellules PV à l’intérieur du module PV, p.ex. connexion en série de cellules PV

Abrégé

A photovoltaic apparatus (10), comprising: a plurality of photovoltaic elements (11) for generating power using light irradiation, on the front and back surfaces of which transparent conductive oxide layers (18, 19) are formed; and collector members provided on the front and back of each photovoltaic element (11). The front-side collector member is provided with: finger electrodes (27) formed in parallel by gravure offset printing on the front-side transparent conductive oxide layer (18), the finger electrodes (27) having a thickness of no more than 5 µm; and a plurality of metal conductive wires (28) joined perpendicularly to the finger electrodes (27); the metal conductive wires (28) being further extended in one direction and joined to the collector member provided on the back side of the adjacent serially connected photovoltaic element (11).

Classes IPC  ?

• H01L 31/0224 - Electrodes
• H01L 31/05 - Moyens d’interconnexion électrique entre les cellules PV à l’intérieur du module PV, p.ex. connexion en série de cellules PV

Abrégé

This invention is related to novel perylene diester derivatives represented by the general formula (I) or general formula (II) as described herein. The derivatives are useful in various applications, such as luminescent dyes for optical light collection systems, fluorescence-based solar collectors, fluorescence-activated displays, and/or single-molecule spectroscopy. The invention also relates to a luminescent medium, such as a luminescent film, that can significantly enhance the solar harvesting efficiency of thin film CdS/CdTe or CIGS solar cells. The luminescent medium comprises an optically transparent polymer matrix and at least one luminescent dye that comprises a perylene diester derivative. Over 16% of an efficiency enhancement to a CdS/CdTe solar cell and over 12% of an efficiency enhancement to a CIGS solar cell can be achieved.

Classes IPC  ?

• H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
• H01L 31/0216 - Revêtements
• C09B 3/14 - Dérivés du pérylène
• C09K 11/06 - Substances luminescentes, p. ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances organiques luminescentes

Abrégé

Provided are a photovoltaic element and a method for manufacturing the same, with which fill factor decline is reduced, and an increase in the amount of light absorbed onto a photoelectric conversion layer and an improvement in the fill factor can both be achieved. Hydrogen gas is introduced from an inlet tube (32) to inside a film-formation chamber (103). The atmosphere during formation of a transparent electrode film on a substrate (11) is made to contain approximately 1% hydrogen. IWO evaporated from within a crucible (104) by means of an electron flow discharged from an arc plasma gun (105) is deposited onto the substrate (11) together with oxygen introduced from an inlet tube (31) and the hydrogen introduced from the inlet tube (32).

Classes IPC  ?

• H01L 31/04 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV]

Abrégé

This invention relates to an encapsulation structure comprising a luminescent wavelength conversion material for at least one solar cell or photovoltaic device which acts to enhance the solar harvesting efficiency of the solar cell device. The luminescent wavelength conversion material comprises at least one chromophore and an optically transparent polymer matrix. Application of the encapsulation structure, as disclosed herein, to solar harvesting devices, including solar cells, solar panels, and photovoltaic devices, improves the solar harvesting efficiency of the device by widening the spectrum of incoming sunlight that can be effectively converted into electricity by the device.

Classes IPC  ?

• H01L 31/055 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] Éléments optiques directement associés ou intégrés à la cellule PV, p.ex. moyens réflecteurs ou concentrateurs de lumière où la lumière est absorbée et réémise avec une longueur d’onde différente par l’élément optique directement associé ou intégré à la cellule PV, p.ex. en utilisant un matériau luminescent, des concentrateurs fluorescents ou des dispositions de convers
• H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
• H01L 31/048 - Encapsulation de modules
• C09K 11/06 - Substances luminescentes, p. ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances organiques luminescentes

Abrégé

Described herein are wavelength conversion films that are easy-to-apply to solar cells, solar panels, or photovoltaic devices using an adhesive layer. The wavelength conversion films include a wavelength conversion layer with a photostable chromophore and are useful for improving the solar harvesting efficiency of solar cells, solar panels, and photovoltaic devices.

Classes IPC  ?

• C09J 7/02 - sur supports
• B32B 27/00 - Produits stratifiés composés essentiellement de résine synthétique
• B32B 5/00 - Produits stratifiés caractérisés par l'hétérogénéité ou la structure physique d'une des couches
• H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
• C09J 175/04 - Polyuréthanes
• C09J 133/08 - Homopolymères ou copolymères d'esters de l'acide acrylique
• B32B 33/00 - Produits stratifiés caractérisés par des propriétés particulières ou des caractéristiques de surface particulières, p. ex. par des revêtements de surface particuliersProduits stratifiés conçus pour des buts particuliers non couverts par une seule autre classe
• B32B 37/16 - Procédés ou dispositifs pour la stratification, p. ex. par polymérisation ou par liaison à l'aide d'ultrasons caractérisés par les propriétés des couches toutes les couches existant et présentant une cohésion avant la stratification
• C09J 131/04 - Homopolymères ou copolymères de l'acétate de vinyle
• C09K 11/06 - Substances luminescentes, p. ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances organiques luminescentes
• C09B 3/14 - Dérivés du pérylène
• H01L 31/055 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] Éléments optiques directement associés ou intégrés à la cellule PV, p.ex. moyens réflecteurs ou concentrateurs de lumière où la lumière est absorbée et réémise avec une longueur d’onde différente par l’élément optique directement associé ou intégré à la cellule PV, p.ex. en utilisant un matériau luminescent, des concentrateurs fluorescents ou des dispositions de convers
• H05B 33/14 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions caractérisées par la composition chimique ou physique ou la disposition du matériau électroluminescent
• C09B 57/00 - Autres colorants synthétiques de structure connue

Abrégé

Provided is a raw material silicon crushing device that makes it possible to crush raw material silicon mechanically without lowering the purity and makes it possible to minimize fineness loss. A raw material silicon crushing device (10) that solves the above problems can be provided by configuring a first bed (12) with a first case (22), a first silicon for crushing (20), part of which projects outward from an opening in the first case (22), and a first antifouling member (24) interposed between the first silicon for crushing (20) and the first case (22), and by configuring a second bed (14) with a second case (42), a second silicon for crushing (41), part of which projects outward from an opening in the second case (42), a pair of side silicons (44) that cover both sides of a space (A) sandwiched between a pair of crushing surfaces (16) and (18), a second antifouling member (48) interposed between the second silicon for crushing (41) and second case (42), and a third antifouling member (49) interposed between the side silicon (44) and a side silicon case (45).

Classes IPC  ?

• C01B 33/02 - Silicium

Abrégé

The invention provides highly fluorescent materials comprising a single (n=0) or a series (n=1, 2, etc.) of benzo heterocyclic systems. The photo-stable highly luminescent chromophores are useful in various applications, including in wavelength conversion films. Wavelength conversion films have the potential to significantly enhance the solar harvesting efficiency of photovoltaic or solar cell devices.

Classes IPC  ?

• C07D 249/18 - Benzotriazoles
• C09B 11/02 - Colorants des diaryl- ou triarylméthanes dérivés de diarylméthanes
• C09B 57/00 - Autres colorants synthétiques de structure connue
• H01L 31/055 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] Éléments optiques directement associés ou intégrés à la cellule PV, p.ex. moyens réflecteurs ou concentrateurs de lumière où la lumière est absorbée et réémise avec une longueur d’onde différente par l’élément optique directement associé ou intégré à la cellule PV, p.ex. en utilisant un matériau luminescent, des concentrateurs fluorescents ou des dispositions de convers
• H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives