The invention relates to fusion polypeptides comprising the extracellular domain of growth hormone linked either directly or indirectly to a polypeptide wherein the polypeptide is not growth hormone.
We disclose growth hormone fusion proteins that have increased in vivo stability and activity; nucleic acid molecules encoding said proteins and methods of treatment of growth hormone related diseases that would benefit from growth hormone agonists or antagonists.
A61K 38/27 - Hormone de croissance [GH], c.-à-d. somatotropine
C07K 14/61 - Hormone de croissance [GH], c.-à-d. somatotropine
C07K 14/72 - RécepteursAntigènes de surface cellulaireDéterminants de surface cellulaire pour des hormones
C12N 5/10 - Cellules modifiées par l'introduction de matériel génétique étranger, p. ex. cellules transformées par des virus
C12N 15/63 - Introduction de matériel génétique étranger utilisant des vecteursVecteurs Utilisation d'hôtes pour ceux-ciRégulation de l'expression
C07K 14/71 - RécepteursAntigènes de surface cellulaireDéterminants de surface cellulaire pour des facteurs de croissanceRécepteursAntigènes de surface cellulaireDéterminants de surface cellulaire pour des régulateurs de croissance
A61K 38/00 - Préparations médicinales contenant des peptides
A method of making a semi-polar semiconductor template comprises providing a semi-polar semiconductor wafer; etching the semiconductor wafer to form a regular semiconductor structure comprising a plurality of semiconductor regions (260) with a plurality of gaps between the regions, each of the regions (260) having a sidewall facing a respective one of the gaps, and growing semiconductor material over the semiconductor structure. The semiconductor material has a preferential growth direction (c) in which growth proceeds most rapidly from each of the sidewalls, and each of the sidewalls has at least a part which faces a vertical centre line of the respective one of the gaps so that growth in the preferential direction from said part extends towards said vertical centre line.
A method of growing a group III nitride crystal structure comprises: providing a silicon substrate(12); forming a first mask (10) on the substrate, the mask having a plurality of apertures (14) through it each exposing a respective area of the silicon substrate; etching the silicon exposed by each of the apertures to form a respective recess(16)having a plurality of facets(18, 20, 22, 24); depositing a second mask over some of the facets of each recess leaving at least one of the facets(22)of each recess exposed; and growing group III nitride on the exposed facets(22) and then over the substrate to form a continuous layer.
A method of making a semiconductor device comprising: providing a substrate (205); forming a buffer layer (206) of aluminium nitride (AIN) over the substrate; and forming a layer (210) of gallium nitride (GaN) over the buffer layer; wherein the gallium nitride includes a component of aluminium.
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 33/12 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure de relaxation des contraintes, p.ex. couche tampon
H01L 33/16 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure cristalline ou une orientation particulière, p.ex. polycristalline, amorphe ou poreuse
H01L 33/08 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une pluralité de régions électroluminescentes, p.ex. couche électroluminescente discontinue latéralement ou région photoluminescente intégrée au sein du corps semi-conducteur
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
6.
MANUFACTURING METHODS OF SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICES
A method of making a semiconductor device comprising: providing a semiconductor wafer having a semiconductor layer (210); forming a first mask layer (220) over the semiconductor layer; forming a first metal layer (225) over the first mask layer; forming a second metal layer (230) over the first metal layer, the first metal layer having a lower melting point than the second metal layer; annealing the second metal layer to form islands (231); and etching through the first mask layer and the semiconductor layer using the islands as a mask to form an array of pillars.
H01L 33/08 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une pluralité de régions électroluminescentes, p.ex. couche électroluminescente discontinue latéralement ou région photoluminescente intégrée au sein du corps semi-conducteur
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 33/18 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure cristalline ou une orientation particulière, p.ex. polycristalline, amorphe ou poreuse au sein de la région électroluminescente
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
A method of making a semiconductor device comprises: providing a semiconductor wafer having a semiconductor layer; forming a first mask layer over the semiconductor layer; forming a metal second mask layer over the first mask layer; annealing the second mask layer to form islands; forming a second metal layer over the islands; annealing the second metal layer thereby to increase the size of the islands; and etching through the first mask layer and the semiconductor layer using the islands as a mask to form an array of pillars.
We disclose growth hormone fusion proteins that have increased in vivo stability and activity; nucleic acid molecules encoding said proteins and methods of treatment of growth hormone related diseases that would benefit from growth hormone agonists or antagonists.
A61K 38/27 - Hormone de croissance [GH], c.-à-d. somatotropine
C07K 14/61 - Hormone de croissance [GH], c.-à-d. somatotropine
C07K 14/72 - RécepteursAntigènes de surface cellulaireDéterminants de surface cellulaire pour des hormones
C07K 14/71 - RécepteursAntigènes de surface cellulaireDéterminants de surface cellulaire pour des facteurs de croissanceRécepteursAntigènes de surface cellulaireDéterminants de surface cellulaire pour des régulateurs de croissance
We disclose growth hormone fusion proteins that have increased in vivo stability and activity; nucleic acid molecules encoding said proteins and methods of treatment of growth hormone related diseases that would benefit from growth hormone agonists or antagonists.
C07K 14/61 - Hormone de croissance [GH], c.-à-d. somatotropine
C07K 14/71 - RécepteursAntigènes de surface cellulaireDéterminants de surface cellulaire pour des facteurs de croissanceRécepteursAntigènes de surface cellulaireDéterminants de surface cellulaire pour des régulateurs de croissance
A method of making a semiconductor device comprises : providing a semiconductor wafer having a semiconductor layer; forming a first mask layer over the semiconductor layer; forming a second mask layer over the first mask layer; annealing the second mask layer to form islands; etching through the first mask layer and the semiconductor layer using the islands as a mask to form an array of pillars; and growing semiconductor material between the pillars and then over the tops of the pillars.
A method (100) of making a semiconductor device, for example a light emitting diode. The method (100) includes providing (105) a semiconductor wafer, and providing (110) a protective layer over the semiconductor wafer. Preferably the protective layer comprises indium-tin oxide. Processing steps are performed on the wafer and the protective layer is arranged to protect the wafer during the processing steps. The processing steps may include forming a mask layer (115) over the protective layer, which is used for etching through the protective layer and into the semiconductor wafer, removing the mask layer, or etching filling materials (150) provided over the selectively etched semiconductor wafer.
A method of producing a light emitting device comprises providing a wafer structure including a light emitting layer of III-nitride semiconductor material; dry etching the wafer at least part way through the light emitting layer so as to leave exposed surfaces of the emitting layer; and treating the exposed surfaces of the emitting layer with a plasma. The treatment may be using hot nitric acid or a hydrogen plasma.
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 33/08 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une pluralité de régions électroluminescentes, p.ex. couche électroluminescente discontinue latéralement ou région photoluminescente intégrée au sein du corps semi-conducteur
H01L 21/30 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes
H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
A light emitting device comprises first and second semiconductor layers (14,16) and an emitting layer (18) between the semiconductor layers (14,16), arranged to form a light emitting diode,- a gap (30) in one of the layers; and a metal (34) located in the gap (30) and near enough to the emitting layer (18) to permit surface plasmon coupling between the metal (34) and the emitting layer (18).
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/20 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
The disclosure relates to interleukin fusion polypeptides and dimers; nucleic acid molecules encoding said polypeptides and methods of treatment that use said polypeptides/dimers.
C07K 14/715 - RécepteursAntigènes de surface cellulaireDéterminants de surface cellulaire pour des cytokinesRécepteursAntigènes de surface cellulaireDéterminants de surface cellulaire pour des lymphokinesRécepteursAntigènes de surface cellulaireDéterminants de surface cellulaire pour des interférons
C07K 16/28 - Immunoglobulines, p. ex. anticorps monoclonaux ou polyclonaux contre du matériel provenant d'animaux ou d'humains contre des récepteurs, des antigènes de surface cellulaire ou des déterminants de surface cellulaire
We describe nucleic acid molecules that encode fusion polypeptides comprising GLP-1, or a receptor binding part thereof, linked directly or indirectly to a polypeptide that naturally binds GLP-1.
We disclose insulin fusion polypeptides and dimers; nucleic acid molecules encoding said polypeptides and methods of treatment that use said polypeptides/dimers.
We disclose TSH fusion proteins comprising TSHα and/or TSH β and methods to treat diseases that would benefit from administration of TSH agonists and antagonists.
We describe modified peptide linkers that function to link at least first and second polypeptides wherein said modified peptide linker comprises a motif for the addition of a sugar moiety.
A61K 47/48 - Préparations médicinales caractérisées par les ingrédients non actifs utilisés, p.ex. supports, additifs inertes l'ingrédient non actif étant chimiquement lié à l'ingrédient actif, p.ex. conjugués polymère-médicament
C12N 15/62 - Séquences d'ADN codant pour des protéines de fusion
We disclose fusion proteins comprising a peptide comprising a binding domain for a receptor which is linked to a polypeptide comprising the binding domain to which said peptide binds.
We disclose prolactin fusion proteins that have agonist or antagonist activity and their use in the treatment of conditions that would benefit from prolactin agonist or antagonist activity.
C07K 16/00 - Immunoglobulines, p. ex. anticorps monoclonaux ou polyclonaux
G01N 33/68 - Analyse chimique de matériau biologique, p. ex. de sang ou d'urineTest par des méthodes faisant intervenir la formation de liaisons biospécifiques par ligandsTest immunologique faisant intervenir des protéines, peptides ou amino-acides
We describe modified growth hormone fusion proteins and dimers comprising said fusion proteins; nucleic acid molecules encoding said proteins and methods of treatment that use said proteins in the treatment of conditions that result from growth hormone excess.
The disclosure relates to interferon fusion polypeptides and dimers; nucleic acid molecules encoding said polypeptides and methods of treatment that use said polypeptides/dimers.
C07K 14/715 - RécepteursAntigènes de surface cellulaireDéterminants de surface cellulaire pour des cytokinesRécepteursAntigènes de surface cellulaireDéterminants de surface cellulaire pour des lymphokinesRécepteursAntigènes de surface cellulaireDéterminants de surface cellulaire pour des interférons
C12N 15/62 - Séquences d'ADN codant pour des protéines de fusion
C07K 16/00 - Immunoglobulines, p. ex. anticorps monoclonaux ou polyclonaux
G01N 33/68 - Analyse chimique de matériau biologique, p. ex. de sang ou d'urineTest par des méthodes faisant intervenir la formation de liaisons biospécifiques par ligandsTest immunologique faisant intervenir des protéines, peptides ou amino-acides
The disclosure relates to leptin fusion polypeptides; nucleic acid molecules encoding said polypeptides and methods of treatment that use said polypeptides.
C07K 14/715 - RécepteursAntigènes de surface cellulaireDéterminants de surface cellulaire pour des cytokinesRécepteursAntigènes de surface cellulaireDéterminants de surface cellulaire pour des lymphokinesRécepteursAntigènes de surface cellulaireDéterminants de surface cellulaire pour des interférons
C12N 15/62 - Séquences d'ADN codant pour des protéines de fusion
C07K 16/00 - Immunoglobulines, p. ex. anticorps monoclonaux ou polyclonaux
G01N 33/68 - Analyse chimique de matériau biologique, p. ex. de sang ou d'urineTest par des méthodes faisant intervenir la formation de liaisons biospécifiques par ligandsTest immunologique faisant intervenir des protéines, peptides ou amino-acides
We disclose granulocyte colony stimulating factor fusion polypeptides; nucleic acid molecules encoding said polypeptides and methods of treatment that use said proteins.
C07K 14/535 - CSF du type granulocyteCSF du type granulocyte-macrophage
C07K 14/715 - RécepteursAntigènes de surface cellulaireDéterminants de surface cellulaire pour des cytokinesRécepteursAntigènes de surface cellulaireDéterminants de surface cellulaire pour des lymphokinesRécepteursAntigènes de surface cellulaireDéterminants de surface cellulaire pour des interférons
C12N 15/62 - Séquences d'ADN codant pour des protéines de fusion
This disclosure relates to erythropoietin (EPO) fusion polypeptides; nucleic acid molecules encoding said polypeptides and methods of treatment that use said polypeptides.
C07K 14/71 - RécepteursAntigènes de surface cellulaireDéterminants de surface cellulaire pour des facteurs de croissanceRécepteursAntigènes de surface cellulaireDéterminants de surface cellulaire pour des régulateurs de croissance
C12N 15/62 - Séquences d'ADN codant pour des protéines de fusion
A61K 38/18 - Facteurs de croissanceRégulateurs de croissance
C07K 16/00 - Immunoglobulines, p. ex. anticorps monoclonaux ou polyclonaux
G01N 33/68 - Analyse chimique de matériau biologique, p. ex. de sang ou d'urineTest par des méthodes faisant intervenir la formation de liaisons biospécifiques par ligandsTest immunologique faisant intervenir des protéines, peptides ou amino-acides
This disclosure relates to insulin-like growth factor fusion polypeptides; nucleic acid molecules encoding said polypeptides and methods of treatment that use said polypeptides.
C07K 14/65 - Facteurs de croissance analogues à l'insuline, c.-à-d. somatomédines, p. ex. IGF-1, IGF-2
A61K 38/30 - Facteurs de croissance analogues à l'insuline, c.-à-d. somatomédines, p. ex. IGF-1, IGF-2
C07K 14/72 - RécepteursAntigènes de surface cellulaireDéterminants de surface cellulaire pour des hormones
C07K 16/00 - Immunoglobulines, p. ex. anticorps monoclonaux ou polyclonaux
C12N 15/62 - Séquences d'ADN codant pour des protéines de fusion
G01N 33/68 - Analyse chimique de matériau biologique, p. ex. de sang ou d'urineTest par des méthodes faisant intervenir la formation de liaisons biospécifiques par ligandsTest immunologique faisant intervenir des protéines, peptides ou amino-acides
We disclose growth hormone fusion proteins that have increased in vivo stability and activity; nucleic acid molecules encoding said proteins and methods of treatment of growth hormone deficiency that use said proteins.
C07K 14/61 - Hormone de croissance [GH], c.-à-d. somatotropine
C07K 14/71 - RécepteursAntigènes de surface cellulaireDéterminants de surface cellulaire pour des facteurs de croissanceRécepteursAntigènes de surface cellulaireDéterminants de surface cellulaire pour des régulateurs de croissance
C12N 15/62 - Séquences d'ADN codant pour des protéines de fusion
We describe a chimeric protein comprising a growth hormone polypeptide linked to a polypeptide comprising the extracellular binding domain of growth hormone receptor; its use in enhancing the growth and metabolism of non-human animals and homodimers comprising said chimeric protein.
We describe a circularly permuted growth hormone polypeptide antagonist; compositions comprising said antagonist and methods to treat conditions that would benefit from administration of said antagonist.
05 - Produits pharmaceutiques, vétérinaires et hygièniques
Produits et services
Pharmaceutical and veterinary preparations; sanitary preparations for medical purposes; dietetic substances adapted for medical use, food for babies; plasters, materials for dressings; material for stopping teeth, dental wax; disinfectants; preparations for destroying vermin; fungicides, herbicides; common cytokines including growth hormones, growth factors, interleukins, interferons, leptins, erythropoietins and tumour necrosis factors; medicaments for the treatment of growth disorders, haematological disorders, metabolic disorders, autoimmune diseases, cancer and conditions associated with cancer, acromegaly, anaemia, neutropenia, multiple sclerosis, rheumatoid arthritis or diabetes, hepatitis and conditions associated with malnutrition, such as immune deficiency, tuberculosis, secondary amenorrhoea and/or infertility.
We describe ligands that specifically bind leptin and/or the leptin receptor thereby modulating receptor activity and including pharmaceutical compositions and methods that utilise the ligand in the treatment of disease.
The invention relates to the provision of oligomeric polypeptides (dimers, trimmers, etc) comprising the ligand binding domains of cytokines which are linked via flexible polypeptides linker molecules. The linker molecules optionally comprise protease sensitive sites to modulate the release of biologically active cytokines when administered to a human or animal subject.