A MOD YIG epitaxial process for fabricating YIG nanofilms which, when deposited on GGG substrates, have single crystal epitaxial properties. The films may have thicknesses of 50 nm for a single layer, 100 nm for two layers, and 130 nm for three layers, and have a gyromagnetic ratio of 2.80 MHz per Oe, Gilbert damping ranges from 0.0003 to 0.001, 4πM$ values between 1650 G to 1780 G, coercivity from 1 Oe. to 5 Oe, and surface roughness of RMS 0.20 nm for up to 10 layers. Fabrication is economical and uses only a spinner, a drying station (RT to 150 C temperature control), and a quartz tube furnace that accommodates a flowing atmosphere of research grade oxygen, thereby eliminating the need for high vacuum deposition chambers.
C30B 29/28 - Oxydes complexes de formule A3Me5O12, dans laquelle A est un métal des terres rares et Me est Fe, Ga, Sc, Cr, Co ou Al, p. ex. grenats
C30B 1/02 - Croissance des monocristaux à partir de l'état solide par traitement thermique, p. ex. recuit sous contrainte
H01F 41/28 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateursAppareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques pour appliquer des pellicules magnétiques sur des substrats à partir de liquides par épitaxie en phase liquide
H01F 41/30 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateursAppareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques pour appliquer des pellicules magnétiques sur des substrats pour appliquer des structures nanométriques, p. ex. en utilisant l'épitaxie par jets moléculaires [MBE]
2.
SINGLE CRYSTAL YIG NANOFILM FABRICATED BY A METAL ORGANIC DEPOSITION EPITAXIAL GROWTH PROCESS
A MOD YIG epitaxial process for fabricating YIG nanofilms which, when deposited on GGG substrates, have single crystal epitaxial properties. The films may have thicknesses of 50 nm for a single layer, 100 nm for two layers, andl30 nm for three layers, and have a gyromagnetic ratio of 2.80 MHz per Oe, Gilbert damping ranges from.0003 to.001, 4πΜ$ values between 1650 Gto 1780 G, coercivity from 1 Oe. to 5 Oe, and surface roughness of RMS 0.20 nm for up to 10 layers. Fabrication is economical and uses only a spinner, a drying station (RT to 150 C temperature control), and a quartz tube furnace that accommodates a flowing atmosphere of research grade oxygen, thereby eliminating the need for high vacuum deposition chambers.
C30B 7/02 - Croissance des monocristaux à partir de solutions en utilisant des solvants liquides à la température ordinaire, p. ex. à partir de solutions aqueuses par évaporation du solvant
C30B 19/12 - Croissance d'une couche épitaxiale à partir de la phase liquide caractérisée par le substrat
H01P 1/218 - Sélecteurs de fréquence, p. ex. filtres utilisant un matériau ferromagnétique le matériau ferromagnétique se comportant en élément de couplage sélectif en fréquence, p. ex. filtres YIG
C04B 35/505 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de composés de terres rares à base d'oxyde d'yttrium
C30B 19/00 - Croissance d'une couche épitaxiale à partir de la phase liquide
C30B 7/00 - Croissance des monocristaux à partir de solutions en utilisant des solvants liquides à la température ordinaire, p. ex. à partir de solutions aqueuses
H03B 9/12 - Production d'oscillations par utilisation des effets du temps de transit utilisant des dispositifs à l'état solide, p. ex. dispositifs à effet Gunn
A differential resonant ring oscillator (“DRRO*) circuit using a ring oscillator topology to electronically tune the oscillator over multi-octave bandwidths. The oscillator tuning is substantially linear, because the oscillator frequency is related to the magnetic tuning of a YIG sphere, which has a resonant frequency equal to a fundamental constant multiplied by the DC magnetic field. The simple circuit topology uses half turn or multiple half turn loops magnetic coupling methods connecting a differential pair of amplifiers into a feedback loop configuration having a four port YIG tuned filter, thus creating a closed loop ring oscillator. The oscillator may use SiGe bipolar junction transistor technology and amplifiers employing heterojunction bipolar transistor technology SiGe is the preferred transitor material as it keeps the transistor's 1/f noise to an absolute minimum in order to achieve minimum RF phase noise.
