A method of measuring detectable features indicative of strain arising from subsurface damage below a surface of single crystal diamond having an area of at least 1 mm2 is described. The method comprising using any of Raman microscopy to highlight a peak shift indicative of strain; and fluorescence imaging to highlight features associated with defects.
A method of electrochemical oxidation of per- and polyfluoroalkyl substances, PFAS, in a solution. The method comprises providing an electrochemical reactor, the electrochemical reactor comprising at least one boron-doped diamond electrode. The PFAS-containing solution is passed over the boron-doped diamond electrode. The electrochemical reactor is operated at a temperature of at least 100° C., a pressure of at least bar, and an electrode current density of at least 1 000 Am−2.
C02F 1/467 - Traitement de l'eau, des eaux résiduaires ou des eaux d'égout par des procédés électrochimiques par électrolyse par désinfection électrochimique
C02F 1/461 - Traitement de l'eau, des eaux résiduaires ou des eaux d'égout par des procédés électrochimiques par électrolyse
C02F 1/74 - Traitement de l'eau, des eaux résiduaires ou des eaux d'égout par oxydation au moyen de l'air
C02F 101/36 - Composés organiques contenant des atomes d'halogène
A window assembly comprising: a frame defining an opening; a ceramic window; wherein the frame is bonded to the ceramic window to substantially cover the opening; and wherein the frame comprises two portions, wherein the thickness of a first portion of the two portions in the direction perpendicular to the main plane of the opening is smaller than the thickness of a second of the two portions in the direction perpendicular to the plane of the opening.
G02B 7/00 - Montures, moyens de réglage ou raccords étanches à la lumière pour éléments optiques
G02B 1/02 - Éléments optiques caractérisés par la substance dont ils sont faitsRevêtements optiques pour éléments optiques faits de cristaux, p. ex. sel gemme, semi-conducteurs
A ceramic window assembly, comprising a ceramic window, a mount bonded to the ceramic window and comprising an asymmetry; and a superstructure, wherein the superstructure is mechanically stressed.
C04B 37/00 - Liaison des articles céramiques cuits avec d'autres articles céramiques cuits ou d'autres articles, par chauffage
C04B 35/52 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes à base de carbone, p. ex. graphite
G02B 1/00 - Éléments optiques caractérisés par la substance dont ils sont faitsRevêtements optiques pour éléments optiques
5.
SYNTHETIC ENGINEERED DIAMOND MATERIALS WITH SPIN IMPURITIES AND METHODS OF MAKING THE SAME
Disclosed are synthetic diamond materials for quantum and optical applications, such as quantum information processing, quantum key distribution, quantum repeaters, and quantum sensing devices, based on spin defects in diamond. This includes methods for synthesizing and treating diamond in order to create spin defects with improved spin coherence and optical emission properties, as well as treating the diamond to eliminate unwanted defects that degrade these properties.
A single crystal CVD diamond material is disclosed, the material comprising a total nitrogen concentration of at least 3 ppm as measured by secondary ion mass spectrometry (SIMS); and a low optical birefringence such that in a sample of the single crystal CVD diamond material having an area of at least 1.3 mm×1.3 mm, and measured using a pixel size of area in a range 1×1 μm2 to 20×20 μm2, a maximum value of Δn[average] does not exceed 1.5×10−4, where Δn[average] is an average value of a difference between refractive index for light polarised parallel to slow and fast axes averaged over the sample thickness. A method of making the material is also disclosed.
A method and reactor for electrochemical oxidation of per - and polyfluoroalkyl substances, PFAS, in a solution. An electrochemical reactor comprising at least one boron-doped diamond electrode is provided. The PFAS-containing solution is passed over the boron-doped diamond electrode. The electrochemical reactor is operated under first conditions of a current-limited mode with an electrode current density of at least 2000 A m-2. It is then subsequently operated under second conditions of a voltage of at least 20 V and an electrode current density of no more than 200 A m-2. The first operating conditions are optimised to remove organics from the solution, the second operating conditions are optimised to remove PFAS from the solution.
C02F 1/467 - Traitement de l'eau, des eaux résiduaires ou des eaux d'égout par des procédés électrochimiques par électrolyse par désinfection électrochimique
C02F 1/461 - Traitement de l'eau, des eaux résiduaires ou des eaux d'égout par des procédés électrochimiques par électrolyse
A method of producing CVD single crystal diamond material using a chemical vapour deposition process. The method comprises providing a single crystal diamond material having a largest linear dimension of at least 50 mm. The single crystal diamond material is processed to produce a plurality of substrates from the single crystal diamond material, each substrate of the plurality of substrates having a largest linear dimension of at least 50 mm. Each of the plurality of substrates is used to grow a plurality of further single crystal diamond products, each further single crystal diamond product having a largest linear dimension of at least 50 mm.
A a microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material. The microwave plasma reactor comprises a microwave generator configured to generate microwaves, a plasma chamber having an internal wall comprising aluminium, a microwave coupling configuration for feeding microwaves from the microwave generator into the plasma chamber, a gas flow system for feeding process gases into the plasma chamber and removing them therefrom, a substrate holder disposed in the plasma chamber and comprising a supporting surface for supporting a substrate on which the synthetic diamond material is to be deposited in use, and a corrosion-resistant cooling system in thermal contact with the plasma chamber.
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material, the microwave plasma reactor comprising a microwave generator configured to generate microwaves, a plasma chamber, a microwave coupling configuration for feeding microwaves from the microwave generator into the plasma chamber, a gas flow system for feeding process gases into the plasma chamber and removing them therefrom, a substrate holder disposed in the plasma chamber and comprising a supporting surface for supporting a substrate on which the synthetic diamond material is to be deposited in use, a cooling system configured to pass a cooling fluid around the plasma chamber, a first temperature sensor configured to measure a temperature of the cooling fluid at an inlet of the cooling system, a second temperature sensor configured to measure a temperature of the cooling fluid at an outlet of the cooling system, and means for determining a flow rate of the cooling fluid in the cooling system.
A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material. The microwave plasma reactor comprises a microwave generator configured to generate microwaves, a plasma chamber, a microwave coupling configuration for feeding microwaves from the microwave generator into the plasma chamber, a gas flow system for feeding process gases into the plasma chamber and removing them therefrom, a substrate holder disposed in the plasma chamber and comprising a supporting surface for supporting a substrate on which the synthetic diamond material is to be deposited in use, a first sensor configured to sense interference of emitted infrared radiation from the substrate with reflections from the diamond plasma interface.
C23C 16/511 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques utilisant des décharges à micro-ondes
C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt
G01B 11/06 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques optiques pour mesurer la longueur, la largeur ou l'épaisseur pour mesurer l'épaisseur
G05D 23/20 - Commande de la température caractérisée par l'utilisation de moyens électriques avec un élément sensible présentant une variation de ses propriétés électriques ou magnétiques avec les changements de température
G01J 5/00 - Pyrométrie des radiations, p. ex. thermométrie infrarouge ou optique
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
A radio frequency signal sensor comprising a first module optimized for broadband radio frequency sensing, and a sub-module optimized for sensing at a pre-determined frequency. Any of the first module and the sub-module comprises a quantum host material comprising at least one spin defect, a magnetic field generator arranged to provide a non-uniform magnetic field across the quantum host material, an optical excitation source, and a detector arranged to detect resonance frequencies from the spin defect.
A radio frequency signal sensor comprising a material comprising at least one spin defect. A magnetic field generator is arranged to provide a magnetic field across the material. There is also provided an optical excitation source and a detector arranged to detect resonance frequencies from the spin defect. The magnetic field generator is located in a static position relative to the material and is configured to generate an inhomogeneous magnetic field comprising at least one inflection point, the inflection point having a non-zero second order derivative value and a gradient of at least 0.1 T/mm.
A rare earth doped single crystal diamond showing photoluminescence using off-resonant excitation at 853 nm and having a full width half maximum spectral linewidth at 1508 nm of less than 1.0 nm. There is also disclosed a method of producing rare earth doped single crystal diamond. A single crystal diamond is provided, and a rare earth metal is implanted into the single crystal diamond using ion implantation. The implanted single crystal diamond is then annealed at a pressure of at least 5 GPa and a temperature of at least 1600°C.
C30B 33/04 - Post-traitement des monocristaux ou des matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée en utilisant des champs électriques ou magnétiques ou des rayonnements corpusculaires
C23C 14/06 - Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement caractérisé par le matériau de revêtement
A composite diamond material comprising a single crystal diamond having a major surface aligned substantially in a {100} crystallographic plane. At least a portion of the major surface comprises a plurality of trenches, the trenches having surfaces aligned substantially in a {111} crystallographic plane. A diamond layer is disposed on the surface of the trenches.
A CVD single crystal diamond having a concentration of single substitutional nitrogen atoms, Ns0, in their neutral charge state as measured by EPR of between 0.25 and 3 ppm, and wherein the CVD single crystal diamond has a total concentration of nitrogen vacancy centres in their neutral and negative charge states (NV0 and NV−) that is between 0.1 and 0.8 times the Ns0 concentration.
C30B 33/04 - Post-traitement des monocristaux ou des matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée en utilisant des champs électriques ou magnétiques ou des rayonnements corpusculaires
A method of manufacturing CVD single crystal diamond material using a chemical vapour deposition process. A first single crystal diamond material is provided having a largest linear dimension of at least 50 mm and a surface dislocation density of at least 107cm-2. A first buffer layer is disposed on a surface of the first single crystal diamond material, the buffer layer configured to limit the propagation of dislocations. Diamond material is homoepitaxially grown on the first buffer layer on the first single crystal diamond material. A further buffer layer is disposed on a surface of the homoepitaxially grown diamond material, the further buffer layer configured to limit the propagation of dislocations. Further diamond material is homoepitaxially grown on the further buffer layer. The final two steps are repeated until the homoepitaxially grown diamond material has a surface dislocation density of less than 105cm-2.
A method of processing a CVD single crystal diamond, the method comprises providing a CVD single crystal diamond with a minimum lateral dimension of at least 20 mm, the CVD single crystal diamond further comprising a major surface. The major surface is processed using a diamond-matrix wheel, the diamond-matrix wheel comprising embedded diamond particles embedded in a matrix. There is also provided a CVD single crystal diamond having a largest linear dimension of at least 20 mm and a major surface, the major surface having a surface roughness Sa of less than 1 nm over at least 90% of the major surface.
C30B 33/00 - Post-traitement des monocristaux ou des matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée
B24B 7/22 - Machines ou dispositifs pour meuler les surfaces planes des pièces, y compris ceux pour le polissage des surfaces planes en verreAccessoires à cet effet caractérisés par le fait qu'ils sont spécialement étudiés en fonction des propriétés de la matière des objets non métalliques à meuler pour meuler de la matière inorganique, p. ex. de la pierre, des céramiques, de la porcelaine
A sensor assembly comprising single crystal diamond material, the single crystal diamond material comprising a surface which is configured in use to contact a fluid, the surface comprising a sensing surface region, wherein the single crystal diamond material comprises a plurality of quantum spin defects in proximity to the sensing surface region. The sensor assembly further comprises a first electrode and a second electrode. The electrodes are located such that, in use, they generate an electric field proximate to a surface of the sensing surface region, the electric field being sufficient to generate oxidising species in the fluid for removing contaminant material from the sensing surface region.
A sensor device formed of diamond material. The sensor device has a spin defect located in the diamond material, and an electrically conducting region located so as to be interactable with the spin defect. The electrically conducting region extends from an interior location of the diamond material to a surface of the diamond material. The electrically conducting region at the surface of the diamond material is arranged to connect to a detector, the detector configured to detect charge carriers excited from the at least one spin defect via the electrically conducting region. This allows the use of a higher volume of the diamond sensor than would be the case if one were limited to using spin defects close to the surface.
G01R 33/26 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques faisant intervenir la résonance magnétique pour la mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques utilisant le pompage optique
G01R 33/00 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
21.
METHOD AND APPARATUS FOR PROCESSING DIAMOND SURFACE
There is provided a method and apparatus for processing a diamond surface. The method comprises: i. locating a diamond material having a first surface and a second, opposite surface, in a holder, the holder located at the end of a positioning arm; ii. processing the first surface on a rotating wheel; iii. while the diamond material is in the holder, measuring an angle of the first surface relative to the second surface; iv. repeating steps (ii) and (iii) until a desired angle is achieved.
B24B 49/04 - Appareillage de mesure ou de calibrage pour la commande du mouvement d'avance de l'outil de meulage ou de la pièce à meulerAgencements de l'appareillage d'indication ou de mesure, p. ex. pour indiquer le début de l'opération de meulage comparant la cote instantanée de la pièce travaillée à la cote cherchée, la mesure ou le calibrage étant continus ou intermittents impliquant la mesure de la cote de la pièce sur le lieu du meulage pendant l'opération de meulage
B24B 9/16 - Machines ou dispositifs pour meuler les bords ou les biseaux des pièces ou pour enlever des bavuresAccessoires à cet effet caractérisés par le fait qu'ils sont spécialement étudiés en fonction des propriétés de la matière propre aux objets à meuler de matière inorganique non métallique, p. ex. de la pierre, des céramiques, de la porcelaine des diamantsMachines ou dispositifs pour meuler les bords ou les biseaux des pièces ou pour enlever des bavuresAccessoires à cet effet caractérisés par le fait qu'ils sont spécialement étudiés en fonction des propriétés de la matière propre aux objets à meuler de matière inorganique non métallique, p. ex. de la pierre, des céramiques, de la porcelaine des pierres précieuses ou similairesSupports pour enchâsser les diamants
B24B 49/12 - Appareillage de mesure ou de calibrage pour la commande du mouvement d'avance de l'outil de meulage ou de la pièce à meulerAgencements de l'appareillage d'indication ou de mesure, p. ex. pour indiquer le début de l'opération de meulage impliquant des dispositifs optiques
An electrode and a method of forming an electrode, the electrode being formed from boron doped diamond, the electrode having a total solution accessible electrode area comprising at least 60% diamond stabilised non-diamond carbon. There is also disclosed an electrochemical cell the electrode.
C02F 1/467 - Traitement de l'eau, des eaux résiduaires ou des eaux d'égout par des procédés électrochimiques par électrolyse par désinfection électrochimique
A method for forming a single crystal diamond product. A diamond material is provided, which has extended defects. At least 75% of the extended defects are oriented in a defect direction substantially parallel to each other. A damage layer is formed in the diamond material, the damage layer comprising sp2 bonded carbon. The damage layer is substantially parallel to the defect direction. The presence of the damage layer defines a first diamond layer and a second diamond layer either side of the damage layer. The damage layer is etched to separate the second diamond layer from first diamond layer.
A CVD single crystal diamond having a smallest linear dimension of no less than 3.5 mm, a concentration of single substitutional nitrogen atoms in their neutral charge state (Ns0), as measured by EPR, of between 20 and 250 ppb, a hue angle, hab, between 75 and 135°.
A method of manufacturing a plurality of single crystal diamonds. A first and a second single crystal diamond substrate are located on a carrier. Each single crystal diamond substrate comprises a growth surface lying within 15° of a {100} crystallographic plane and edges lying within 15° of a {100} crystallographic plane. The first single crystal diamond substrate is separated from the second single crystal diamond substrate with a centre-to-centre separation perpendicular to a {110} plane relative to a longest edge length of the single crystal diamond substrate of at least √2 and no more than 2. The carrier and the single crystal diamond substrates are placed into a chemical vapour deposition reactor and a first single crystal diamond and a second single crystal diamond are grown on the first and a second single crystal diamond substrates respectively.
A device that utilises an electronic Zeeman splitting effect comprises a solid-state material that comprises at least one spin defect, a magnetic field generator configured to generate a bias magnetic field, and a compensation system to compensate for an effect of changes in temperature on the bias magnetic field. The compensation system comprises a temperature sensor configured to measure any of a temperature and a change in temperature of the magnetic field generator, and a computer device configured to determine a change in the bias magnetic field as a result of a change in the measured temperature or the measured change in temperature. The computer device is further configured to adjust a predetermined bias magnetic field value using the determined change in bias magnetic field and using the value as an input to the compensation system to compensate for the effect of changes in temperature on the bias magnetic field.
G01R 33/032 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs magnéto-optiques, p. ex. par effet Faraday
G01R 33/00 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
G01R 33/26 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques faisant intervenir la résonance magnétique pour la mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques utilisant le pompage optique
27.
SINGLE CRYSTAL DIAMOND COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING
A single crystal CVD diamond component and a method of fabricating the single crystal CVD diamond component. The single crystal CVD diamond component comprises a surface, wherein at least a portion of the surface has been processed by chemical mechanical polishing, CMP, and a layer of quantum spin defects, said layer of quantum spin defects being disposed within 500 nm of the surface.
C30B 33/04 - Post-traitement des monocristaux ou des matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée en utilisant des champs électriques ou magnétiques ou des rayonnements corpusculaires
C30B 33/10 - Gravure dans des solutions ou des bains fondus
A method of measuring detectable features indicative of strain arising from subsurface damage below a surface of single crystal diamond having an area of at least 1 mm2 is described. The method comprising using any of Raman microscopy to highlight a peak shift indicative of strain; and fluorescence imaging to highlight features associated with defects.
A method of electrochemical oxidation of per - and polyfluoroalkyl substances, PFAS, in a solution. The method comprises providing an electrochemical reactor, the electrochemical reactor comprising at least one boron-doped diamond electrode. The PFAS-containing solution is passed over the boron-doped diamond electrode. The electrochemical reactor is operated at a temperature of at least 100°C, a pressure of at least bar, and an electrode current density of at least 1 000 Am-2.
C02F 1/461 - Traitement de l'eau, des eaux résiduaires ou des eaux d'égout par des procédés électrochimiques par électrolyse
C02F 1/467 - Traitement de l'eau, des eaux résiduaires ou des eaux d'égout par des procédés électrochimiques par électrolyse par désinfection électrochimique
C02F 101/36 - Composés organiques contenant des atomes d'halogène
A Photonic Integrated Circuit (PIC) and a single crystal diamond layer disposed on the PIC. The single crystal diamond substrate comprises at least one spin defect, and has a largest surface with a surface area of at least 250,000 µm2. The PIC comprises at least one alignment structure and the single crystal diamond layer comprises at least one corresponding diamond alignment structure. The PIC further comprises at least one photonic structure optically coupled to the at least one spin defect.
G02F 1/01 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
B82Y 20/00 - Nano-optique, p. ex. optique quantique ou cristaux photoniques
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
A ceramic window assembly, comprising a ceramic window, a mount bonded to the ceramic window and comprising an asymmetry; and a superstructure, wherein the superstructure is mechanically stressed.
C04B 37/02 - Liaison des articles céramiques cuits avec d'autres articles céramiques cuits ou d'autres articles, par chauffage avec des articles métalliques
G02B 7/00 - Montures, moyens de réglage ou raccords étanches à la lumière pour éléments optiques
32.
SYSTEM AND METHOD FOR DETERMINING GEOLOCATION DATA
A system and sensor device for determining geolocation data. A plurality of nodes, each at a predetermined location is provided. Each node emits a time-varying magnetic field, each time-varying magnetic field having a characteristic identifying the node. A sensor device comprises a magnetometer, the magnetometer configured to detect the time-varying magnetic field from at least one of the plurality of nodes, the magnetometer comprising diamond comprising at least one quantum spin defect. The sensor device has a processor configured to determine the identifying characteristic from the sensed time-varying magnetic field, and is further configured to determine geolocation data on the basis of at least the determined identifying characteristic.
G01C 21/20 - Instruments pour effectuer des calculs de navigation
G01S 5/16 - Localisation par coordination de plusieurs déterminations de direction ou de ligne de positionLocalisation par coordination de plusieurs déterminations de distance utilisant des ondes électromagnétiques autres que les ondes radio
s, ratio of at least 0.7. Such a diamond is observed to have a relatively low amount of brown colouration despite the relatively high concentration of nitrogen. A method of making the single crystal diamond is also disclosed, the method including growing the CVD diamond in process gases comprising 60 to 200 ppm nitrogen, in addition to a carbon-containing gas, and hydrogen, wherein the ratio of carbon atoms in the carbon-containing gas to hydrogen atoms in the hydrogen gas is 0.5 to 1.5%.
C30B 25/20 - Croissance d'une couche épitaxiale caractérisée par le substrat le substrat étant dans le même matériau que la couche épitaxiale
C23C 16/00 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD]
A bonded diamond assembly and a method of forming the assembly. The assembly comprises a polycrystalline diamond wafer having a largest linear dimension of between 25 mm and 200 mm, a substrate and a bonding layer located between the diamond and the substrate and bonding them together. The bonding layer, when inspected using ultrasound using a resolution of 50 μm, a focal length selected to inspect the bonding layer, and frequencies of 100 MHz and 30 MHz, comprises low numbers of voids extending either across the thickness of the bonding layer and low numbers of voids that do not extend across the thickness of the bonding layer.
C02F 1/461 - Traitement de l'eau, des eaux résiduaires ou des eaux d'égout par des procédés électrochimiques par électrolyse
B32B 7/12 - Liaison entre couches utilisant des adhésifs interposés ou des matériaux interposés ayant des propriétés adhésives
B32B 9/00 - Produits stratifiés composés essentiellement d'une substance particulière non couverte par les groupes
B32B 9/04 - Produits stratifiés composés essentiellement d'une substance particulière non couverte par les groupes comprenant une telle substance comme seul composant ou composant principal d'une couche adjacente à une autre couche d'une substance spécifique
B32B 15/092 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal comprenant un métal comme seul composant ou comme composant principal d'une couche adjacente à une autre couche d'une substance spécifique de résine synthétique comprenant des résines époxy
B32B 27/38 - Produits stratifiés composés essentiellement de résine synthétique comprenant des résines époxy
B32B 37/06 - Procédés ou dispositifs pour la stratification, p. ex. par polymérisation ou par liaison à l'aide d'ultrasons caractérisés par le procédé de chauffage
B32B 37/10 - Procédés ou dispositifs pour la stratification, p. ex. par polymérisation ou par liaison à l'aide d'ultrasons caractérisés par la technique de pressage, p. ex. faisant usage de l'action directe du vide ou d'un fluide sous pression
B32B 37/12 - Procédés ou dispositifs pour la stratification, p. ex. par polymérisation ou par liaison à l'aide d'ultrasons caractérisés par l'usage d'adhésifs
B32B 37/18 - Procédés ou dispositifs pour la stratification, p. ex. par polymérisation ou par liaison à l'aide d'ultrasons caractérisés par les propriétés des couches toutes les couches existant et présentant une cohésion avant la stratification impliquant uniquement l'assemblage de feuilles ou de panneaux individualisés
C09J 5/06 - Procédés de collage en généralProcédés de collage non prévus ailleurs, p. ex. relatifs aux amorces comprenant un chauffage de l'adhésif appliqué
C09J 163/00 - Adhésifs à base de résines époxyAdhésifs à base de dérivés des résines époxy
−2. The synthetic single crystal diamond substrate wafer is located over a substrate holder within a chemical vapour deposition reactor. Process gases are fed into the reactor, the process gases including a gas comprising carbon. Crack-free synthetic diamond material is grown on a surface of the single crystal diamond substrate wafer at a temperature of at least 900° C. to a thickness of at least 0.5 mm and with lateral dimensions of at least 4 mm by 4 mm.
A sensor device formed of diamond material. The sensor device has a spin defect located in the diamond material, and an electrically conducting region located so as to be interactable with the spin defect. The electrically conducting region extends from an interior location of the diamond material to a surface of the diamond material. The electrically conducting region at the surface of the diamond material is arranged to connect to a detector, the detector configured to detect charge carriers excited from the at least one spin defect via the electrically conducting region. This allows the use of a higher volume of the diamond sensor than would be the case if one were limited to using spin defects close to the surface.
G01R 33/26 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques faisant intervenir la résonance magnétique pour la mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques utilisant le pompage optique
G01R 33/32 - Systèmes d'excitation ou de détection, p. ex. utilisant des signaux radiofréquence
G01R 33/60 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques faisant intervenir la résonance magnétique utilisant la résonance paramagnétique électronique
G01N 24/10 - Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de la résonance magnétique nucléaire, de la résonance paramagnétique électronique ou d'autres effets de spin en utilisant la résonance paramagnétique électronique
A sensor device comprising a first sensing surface area and a second sensing surface area. The first sensing surface area and the second sensing surface area are located on a diamond material. The first sensing surface area is within an interactable distance of a first at least one spin defect, and the second sensing surface area is within an interactable distance of a second at least one spin defect, the spin defects being in the diamond material. There is also provided a magnetic excitation source configured to provide a bias magnetic field, a light source configured to excite charge carriers into the conduction band, and a current detector configured to detect charge carriers excited from the one or more spin defect proximate to at least one of the sensing surface areas. The first and second sensing surface areas are optimised for different sensing purposes.
G01R 33/00 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
G01R 33/032 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs magnéto-optiques, p. ex. par effet Faraday
G01R 33/26 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques faisant intervenir la résonance magnétique pour la mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques utilisant le pompage optique
A sensor assembly comprising single crystal diamond material, the single crystal diamond material comprising a surface which is configured in use to contact a fluid, the surface comprising a sensing surface region, wherein the single crystal diamond material comprises a plurality of quantum spin defects in proximity to the sensing surface region. The sensor assembly further comprises a first electrode and a second electrode. The electrodes are located such that, in use, they generate an electric field proximate to a surface of the sensing surface region, the electric field being sufficient to generate oxidising species in the fluid for removing contaminant material from the sensing surface region.
G01R 33/032 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs magnéto-optiques, p. ex. par effet Faraday
G01N 33/48 - Matériau biologique, p. ex. sang, urineHémocytomètres
G01R 33/12 - Mesure de propriétés magnétiques des articles ou échantillons de solides ou de fluides
G01R 33/26 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques faisant intervenir la résonance magnétique pour la mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques utilisant le pompage optique
G01N 24/10 - Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de la résonance magnétique nucléaire, de la résonance paramagnétique électronique ou d'autres effets de spin en utilisant la résonance paramagnétique électronique
39.
METHOD AND APPARATUS FOR PROCESSING DIAMOND SURFACE
There is provided a method and apparatus for processing a diamond surface. The method comprises: i. locating a diamond material having a first surface and a second, opposite surface, in a holder, the holder located at the end of a positioning arm; ii. processing the first surface on a rotating wheel; iii. while the diamond material is in the holder, measuring an angle of the first surface relative to the second surface; iv. repeating steps (ii) and (iii) until a desired angle is achieved.
B24B 9/16 - Machines ou dispositifs pour meuler les bords ou les biseaux des pièces ou pour enlever des bavuresAccessoires à cet effet caractérisés par le fait qu'ils sont spécialement étudiés en fonction des propriétés de la matière propre aux objets à meuler de matière inorganique non métallique, p. ex. de la pierre, des céramiques, de la porcelaine des diamantsMachines ou dispositifs pour meuler les bords ou les biseaux des pièces ou pour enlever des bavuresAccessoires à cet effet caractérisés par le fait qu'ils sont spécialement étudiés en fonction des propriétés de la matière propre aux objets à meuler de matière inorganique non métallique, p. ex. de la pierre, des céramiques, de la porcelaine des pierres précieuses ou similairesSupports pour enchâsser les diamants
B24B 49/12 - Appareillage de mesure ou de calibrage pour la commande du mouvement d'avance de l'outil de meulage ou de la pièce à meulerAgencements de l'appareillage d'indication ou de mesure, p. ex. pour indiquer le début de l'opération de meulage impliquant des dispositifs optiques
B24B 49/04 - Appareillage de mesure ou de calibrage pour la commande du mouvement d'avance de l'outil de meulage ou de la pièce à meulerAgencements de l'appareillage d'indication ou de mesure, p. ex. pour indiquer le début de l'opération de meulage comparant la cote instantanée de la pièce travaillée à la cote cherchée, la mesure ou le calibrage étant continus ou intermittents impliquant la mesure de la cote de la pièce sur le lieu du meulage pendant l'opération de meulage
A CVD single crystal diamond having a smallest linear dimension of no less than 3.5 mm, a concentration of single substitutional nitrogen atoms in their neutral charge state (Ns0), as measured by EPR, of between 20 and 250 ppb, a hue angle, hab, between 75 and 135°.
ss 0, in their neutral charge state as measured by EPR of between 0.25 and 3 ppm, and wherein the CVD single crystal diamond has a total concentration of nitrogen vacancy centres in their neutral and negative charge states (NV0and NV-ss 0 concentration.
C30B 33/04 - Post-traitement des monocristaux ou des matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée en utilisant des champs électriques ou magnétiques ou des rayonnements corpusculaires
A diamond lens (3) configured for use in a multispectral imaging system (1). The diamond lens (3) has a largest linear dimension of at least 10 mm and is formed from diamond material having a birefringence An of greater than 1×10−4, measured over a specified area of at least 4 mm by 4 mm through a maximum thickness of at least 400 μm. A multispectral imaging system (1) comprising the diamond lens (3) and a component (2) comprising the diamond lens are also described.
G02B 1/02 - Éléments optiques caractérisés par la substance dont ils sont faitsRevêtements optiques pour éléments optiques faits de cristaux, p. ex. sel gemme, semi-conducteurs
G02B 3/08 - Lentilles simples ou composées à surfaces non sphériques à surfaces discontinues, p. ex. lentille de Fresnel
An electrode and a method of forming an electrode, the electrode being formed from boron doped diamond, the electrode having a total solution accessible electrode area that went through an ablative surface modification process and comprises at least 60% diamond stabilised non-diamond carbon. There is also disclosed an electrochemical cell the electrode.
C02F 1/467 - Traitement de l'eau, des eaux résiduaires ou des eaux d'égout par des procédés électrochimiques par électrolyse par désinfection électrochimique
C02F 1/461 - Traitement de l'eau, des eaux résiduaires ou des eaux d'égout par des procédés électrochimiques par électrolyse
A diamond Raman laser system comprising a laser for providing laser light having a wavelength less than 750 nm, the laser comprising at least one pump laser and further comprising a Raman oscillator, the at least one pump laser and the Raman oscillator being configured to provide an n-order Raman oscillation, where n is an integer. The Raman oscillator comprises single crystal diamond, the single crystal diamond having an optical absorption coefficient measured by optical spectroscopy at 450 nm of less than 0.5 cm-1.
H01S 3/30 - Lasers, c.-à-d. dispositifs utilisant l'émission stimulée de rayonnement électromagnétique dans la gamme de l’infrarouge, du visible ou de l’ultraviolet utilisant des effets de diffusion, p. ex. l'effet Brillouin ou Raman stimulé
H01S 3/108 - Commande de l'intensité, de la fréquence, de la phase, de la polarisation ou de la direction du rayonnement, p. ex. commutation, ouverture de porte, modulation ou démodulation par commande de dispositifs placés dans la cavité utilisant des dispositifs optiques non linéaires, p. ex. produisant une diffusion par effet Brillouin ou Raman
H01S 3/04 - Dispositions pour la gestion thermique
H01S 3/042 - Dispositions pour la gestion thermique pour des lasers à l'état solide
H01S 3/094 - Procédés ou appareils pour l'excitation, p. ex. pompage utilisant le pompage optique par de la lumière cohérente
H01S 3/0941 - Procédés ou appareils pour l'excitation, p. ex. pompage utilisant le pompage optique par de la lumière cohérente produite par un laser à semi-conducteur, p. ex. par une diode laser
H01S 3/11 - Blocage de modesCommutation-QAutres techniques d'impulsions géantes, p. ex. vidange de cavité
C01B 32/28 - Post-traitement, p. ex. purification, irradiation, séparation ou récupération
C23C 14/06 - Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement caractérisé par le matériau de revêtement
A device that utilises an electronic Zeeman splitting effect comprises a solid-state material that comprises at least one spin defect. The device also comprises a magnetic field generator configured to generate a bias magnetic field, and a compensation system to compensate for an effect of changes in temperature on the bias magnetic field. The compensation comprises a temperature sensor configured to measure any of a temperature and a change in temperature of the magnetic-field generator, and a computer device configured to determine a change in the bias magnetic field as a result of a change in the measured temperature or the measured change in temperature. The computer device is further configured to adjust a predetermined bias magnetic field value using the determined change in bias magnetic field and using the value as an input to the compensation system to compensate for the effect of changes in temperature on the bias magnetic field.
G01R 33/032 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs magnéto-optiques, p. ex. par effet Faraday
G01R 33/00 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
G01R 33/26 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques faisant intervenir la résonance magnétique pour la mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques utilisant le pompage optique
47.
SINGLE CRYSTAL DIAMOND COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING
A single crystal CVD diamond component and a method of fabricating the single crystal CVD diamond component. The single crystal CVD diamond component comprises a surface, wherein at least a portion of the surface has been processed by chemical mechanical polishing, CMP, and a layer of quantum spin defects, said layer of quantum spin defects being disposed within 500 nm of the surface.
A method of fabricating a CVD synthetic diamond material, the method comprising providing a compacted diamond carrier material consisting of compacted non-intergrown diamond particles substantially free of a second phase, and growing CVD synthetic diamond material on a surface of the compacted diamond carrier material. Composite diamond bodies made by the method are also described.
A non-planar chemical vapour deposition polycrystalline diamond body has a dome body having an apex and an outer periphery. The dome body has an average radius of curvature in a range of 4 mm to 25 mm and a maximum linear dimension at the outer periphery of the dome body of no more than 26 mm. The average radius of curvature is no less than 0.6 times the maximum linear dimension at the outer periphery. A method of fabricating the non-planar diamond body is also disclosed.
C23C 16/01 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] sur des substrats temporaires, p. ex. sur des substrats qui sont ensuite enlevés par attaque chimique
H04R 31/00 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des transducteurs ou de leurs diaphragmes
50.
LASER DIODE ASSEMBLY AND A METHOD OF ASSEMBLING SUCH A LASER DIODE ASSEMBLY
There is described a laser diode assembly comprising one or more laser diodes, a carrier, the carrier including a heat spreader comprising Chemical Vapour Deposition, CVD, diamond, and a layer of solder interposed between the one or more laser diodes and the carrier, the layer of solder comprising silver. A method of making such a laser diode assembly is also described.
A method of fabricating a polycrystalline CVD synthetic diamond wafer is disclosed. A first polycrystalline CVD synthetic diamond wafer is grown using a CVD process to a first thickness on a substrate. A second smaller wafer is cut from the polycrystalline CVD synthetic diamond wafer. The second smaller wafer is located on a carrier, and further polycrystalline CVD synthetic diamond material is grown on the second smaller wafer to a second thickness to give a polycrystalline CVD synthetic diamond material having a total thickness of the combined first and second thicknesses.
C23C 16/01 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] sur des substrats temporaires, p. ex. sur des substrats qui sont ensuite enlevés par attaque chimique
A non-planar body (1) comprising a dome body (2) having an apex (3) and an outer periphery, the apex (3) located on a first plane (4) and the outer periphery located on a second plane (6) substantially parallel to the first plane (4). A peripheral body (5) extends at least partially around the outer periphery of the dome body (2), and at an angle (7) of less than 180° with respect to a tangent (8) relative to the dome body (2) at the outer periphery of the dome body (2), the angle (7) being measured at an outer surface of the dome body (2). Any of the dome body (2) and the peripheral body are formed from polycrystalline diamond.
C23C 16/01 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] sur des substrats temporaires, p. ex. sur des substrats qui sont ensuite enlevés par attaque chimique
An electrode comprising synthetic high-pressure high-temperature diamond material, the diamond material comprising a substitutional boron concentration of between 1×1020 and 5×1021 atoms/cm3 and a nitrogen concentration of no more than 1019 atoms/cm3. The electrode has a ΔE3/4-1/4 as measured with respect to a saturated calomel reference electrode in an aqueous solution containing 0.1 M KNO3 and 1 mM of Ru(NH3)63+ selected any of less than 70 mV, less than 68 mV, less than 66 mV, and less than 64 mV, and/or a peak to peak separation ΔEp as measured with respect to a saturated calomel reference electrode in an aqueous solution containing 0.1 M KNO3 and 1 mM of Ru(NH3)63+ selected any of less than 70 mV, less than 68 mV, less than 66 mV, and less than 64 mV.
s, ratio of at least 0.7. Such a diamond is observed to have a relatively low amount of brown colouration despite the relatively high concentration of nitrogen A method of making the single crystal diamond is also disclosed, the method including growing the CVD diamond in process gases comprising 60 to 200 ppm nitrogen, in addition to a carbon-containing gas, and hydrogen, wherein the ratio of carbon atoms in the carbon-containing gas to hydrogen atoms in the hydrogen gas is 0.5 to 1.5%.
C23C 16/00 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD]
C30B 25/20 - Croissance d'une couche épitaxiale caractérisée par le substrat le substrat étant dans le même matériau que la couche épitaxiale
C23C 16/00 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD]
A bonded diamond assembly and a method of forming the assembly. The assembly comprises a polycrystalline diamond wafer having a largest linear dimension of between 25 mm and 200 mm, a substrate and a bonding layer located between the diamond and the substrate and bonding them together. The bonding layer, when inspected using ultrasound using a resolution of 50 µm, a focal length selected to inspect the bonding layer, and frequencies of 100 MHz and 30 MHz, comprises low numbers of voids extending either across the thickness of the bonding layer and low numbers of voids that do not extend across the thickness of the bonding layer.
H01L 21/18 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement ou une région de concentration de porteurs de charges les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV du tableau périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p. ex. des matériaux de dopage
H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement ou une région de concentration de porteurs de charges
A synthetic diamond plate comprises a polygonal plate formed of synthetic diamond material, the polygonal plate of synthetic diamond material having a thickness in a range 0.4 mm to 1.5 mm, and rounded corners having a radius of curvature in a range 1 mm to 6 mm. A mounted synthetic diamond plate is also disclosed comprising a polygonal synthetic diamond plate as described and a base to which the polygonal synthetic diamond plate is bonded, wherein the base comprises a cooling channel. An array of mounted synthetic diamond plates is also described, comprising a plurality of mounted synthetic diamond plates described above, wherein the cooling channels of the mounted synthetic diamond plates are linked to form a common cooling channel across the array of mounted synthetic diamond plates.
C30B 29/64 - Cristaux plats, p. ex. plaques, bandes ou pastilles
58.
Methods of fabricating synthetic diamond materials using microwave plasma activated chemical vapour deposition techniques and products obtained using said methods
A method of fabricating synthetic diamond material using a microwave plasma activated chemical vapour deposition technique is provided which utilizes high and uniform microwave power densities applied over large areas and for extended periods of time. Products fabricated using such a synthesis technique are described including a single crystal CVD diamond layer which has a large area and a low nitrogen concentration, and a high purity, fast growth rate single crystal CVD diamond material.
C23C 16/511 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques utilisant des décharges à micro-ondes
C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt
−2. The synthetic single crystal diamond substrate wafer is located over a substrate holder within a chemical vapour deposition reactor. Process gases are fed into the reactor, the process gases including a gas comprising carbon. Crack-free synthetic diamond material is grown on a surface of the single crystal diamond substrate wafer at a temperature of at least 900° C. to a thickness of at least 0.5 mm and with lateral dimensions of at least 4 mm by 4 mm.
A method for forming a diamond product. Diamond material is provided and a damage layer comprising sp2bonded carbon is formed in the material. The presence of the damage layer defines a first diamond layer above and in contact with the damage layer and a second diamond layer below and in contact with the damage layer. The damage layer is electrochemically etched to separate it from the first layer, wherein the electrochemical etching is performed in a solution containing ions, the solution having an electrical conductivity of at least 500 µS cm-1, and wherein the ions are capable of forming radicals during electrolysis. The diamond product is also described.
A diamond lens (3) configured for use in a multispectral imaging system (1). The diamond lens (3) has a largest linear dimension of at least 10 mm and is formed from diamond material having a birefringence An of greater than 1x10-4, measured over a specified area of at least 4 mm by 4 mm through a maximum thickness of at least 400 μm. A multispectral imaging system (1) comprising the diamond lens (3) and a component (2) comprising the diamond lens are also described.
G02B 1/02 - Éléments optiques caractérisés par la substance dont ils sont faitsRevêtements optiques pour éléments optiques faits de cristaux, p. ex. sel gemme, semi-conducteurs
G02B 13/14 - Objectifs optiques spécialement conçus pour les emplois spécifiés ci-dessous à utiliser avec des radiations infrarouges ou ultraviolettes
62.
Polycrystalline chemical vapour deposition synthetic diamond material
−1, a thickness of at least 2.5 mm and a visible transmittance through the thickness of the polycrystalline CVD synthetic diamond of at least 25%. A wafer comprising the material is also provided, wherein at least 70% of a total area of the wafer has the properties of the polycrystalline CVD synthetic diamond material. A method for fabricating the wafer is also disclosed.
C23C 16/511 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques utilisant des décharges à micro-ondes
C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt
A non-planar chemical vapour deposition polycrystalline diamond body has a dome body having an apex and an outer periphery. The dome body has an average radius of curvature in a range of 4 mm to 25 mm and a maximum linear dimension at the outer periphery of the dome body of no more than 26 mm. The average radius of curvature is no less than 0.6 times the maximum linear dimension at the outer periphery. A method of fabricating the non-planar diamond body is also disclosed.
C23C 16/01 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] sur des substrats temporaires, p. ex. sur des substrats qui sont ensuite enlevés par attaque chimique
C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
H04R 31/00 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des transducteurs ou de leurs diaphragmes
64.
SYSTEM AND METHOD FOR DETERMINING GEOLOCATION DATA
A system and sensor device for determining geolocation data. A plurality of nodes, each at a predetermined location is provided. Each node emits a time-varying magnetic field, each time-varying magnetic field having a characteristic identifying the node. A sensor device comprises a magnetometer, the magnetometer configured to detect the time-varying magnetic field from at least one of the plurality of nodes, the magnetometer comprising diamond comprising at least one quantum spin defect. The sensor device has a processor configured to determine the identifying characteristic from the sensed time-varying magnetic field, and is further configured to determine geolocation data on the basis of at least the determined identifying characteristic.
G01C 21/20 - Instruments pour effectuer des calculs de navigation
G01S 5/02 - Localisation par coordination de plusieurs déterminations de direction ou de ligne de positionLocalisation par coordination de plusieurs déterminations de distance utilisant les ondes radioélectriques
G01S 5/16 - Localisation par coordination de plusieurs déterminations de direction ou de ligne de positionLocalisation par coordination de plusieurs déterminations de distance utilisant des ondes électromagnétiques autres que les ondes radio
H04W 4/029 - Services de gestion ou de suivi basés sur la localisation
65.
METHOD FOR PRODUCING CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION DIAMOND
A method of fabricating a CVD synthetic diamond material, the method comprising providing a compacted diamond carrier material consisting of compacted non-intergrown diamond particles substantially free of a second phase, and growing CVD synthetic diamond material on a surface of the compacted diamond carrier material. Composite diamond bodies made by the method are also described.
An optical element comprising a window formed of synthetic diamond material and an optical surface pattern formed directly in a surface of the synthetic diamond material. The window of synthetic diamond material is in the form of a wedged diamond window with non-parallel major surfaces defining a wedge angle in a range (1) arcminute to 10° and the optical surface pattern is formed directly in one or both of the non-parallel major surfaces. There is also described a laser system comprising the optical element and a laser having a coherence length, wherein the coherence length of the laser is greater than twice a thickness of the wedged diamond window at its thickest point.
G02B 1/118 - Revêtements antiréfléchissants ayant des structures de surface de longueur d’onde sous-optique conçues pour améliorer la transmission, p. ex. structures du type œil de mite
G02B 1/02 - Éléments optiques caractérisés par la substance dont ils sont faitsRevêtements optiques pour éléments optiques faits de cristaux, p. ex. sel gemme, semi-conducteurs
H01S 3/00 - Lasers, c.-à-d. dispositifs utilisant l'émission stimulée de rayonnement électromagnétique dans la gamme de l’infrarouge, du visible ou de l’ultraviolet
67.
Single crystal synthetic diamond material via chemical vapour deposition
−3; and is wherein every 1.3 mm×1.3 mm area of the sample of the single crystal CVD diamond material comprises at least one of said regions of high optical birefringence. There is also described a method of making the CVD diamond material.
C30B 25/18 - Croissance d'une couche épitaxiale caractérisée par le substrat
C30B 25/20 - Croissance d'une couche épitaxiale caractérisée par le substrat le substrat étant dans le même matériau que la couche épitaxiale
C30B 33/04 - Post-traitement des monocristaux ou des matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée en utilisant des champs électriques ou magnétiques ou des rayonnements corpusculaires
C30B 33/12 - Gravure dans une atmosphère gazeuse ou un plasma
A synthetic diamond plate comprising a polygonal plate formed of synthetic diamond material, the polygonal plate of synthetic diamond material having a thickness in a range 0.4 mm to 1. mm, and rounded corners having a radius of curvature in a range 1 mm to 6 mm. A mounted synthetic diamond plate is also disclosed comprising a polygonal synthetic diamond plate as described and a base to which the polygonal synthetic diamond plate is bonded, wherein the base comprises a cooling channel. An array of mounted synthetic diamond plates is also described, comprising a plurality of mounted synthetic diamond plates described above, wherein the cooling channels of the mounted synthetic diamond plates are linked to form a common cooling channel across the array of mounted synthetic diamond plates.
A single crystal CVD diamond material is disclosed, the material comprising a total nitrogen concentration of at least 3 ppm as measured by secondary ion mass spectrometry (SIMS); and a low optical birefringence such that in a sample of the single crystal CVD diamond material having an area of at least 1.3 mm×1.3 mm, and measured using a pixel size of area in a range 1×1 μm2 to 20×20 μm2, a maximum value of Δn[average] does not exceed 1.5×10−4, where Δn[average] is an average value of a difference between refractive index for light polarised parallel to slow and fast axes averaged over the sample thickness. A method of making the material is also disclosed.
C30B 33/04 - Post-traitement des monocristaux ou des matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée en utilisant des champs électriques ou magnétiques ou des rayonnements corpusculaires
C30B 31/20 - Dopage par irradiation au moyen de radiations électromagnétiques ou par rayonnement corpusculaire
C30B 30/04 - Production de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée, caractérisée par l'action de champs électriques ou magnétiques, de l'énergie ondulatoire ou d'autres conditions physiques spécifiques en utilisant des champs magnétiques
A non-planar body (1) comprising a dome body (2) having an apex (3) and an outer periphery, the apex (3) located on a first plane (4) and the outer periphery located on a second plane (6) substantially parallel to the first plane (4). A peripheral body (5) extends at least partially around the outer periphery of the dome body (2), and at an angle (7) of less than 180° with respect to a tangent (8) relative to the dome body (2) at the outer periphery of the dome body (2), the angle (7) being measured at an outer surface of the dome body (2). Any of the dome body (2) and the peripheral body are formed from polycrystalline diamond.
A synthetic diamond material comprises a surface, wherein the surface comprises a first surface region comprising a first concentration of quantum spin defects. A second surface region has a predetermined area and is located adjacent to the first surface region, the second region comprising a second concentration of quantum spin defects. The first concentration of quantum spin defects is at least ten times greater than the second concentration of quantum spin defects, and at least one of the first or second surface regions comprises chemical vapour deposition, CVD, synthetic diamond. A method of producing the synthetic diamond material is also disclosed.
G01N 24/10 - Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de la résonance magnétique nucléaire, de la résonance paramagnétique électronique ou d'autres effets de spin en utilisant la résonance paramagnétique électronique
G01R 33/30 - Dispositions pour le traitement des échantillons, p. ex. cellules d'essai, mécanismes rotationnels
G01R 33/60 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques faisant intervenir la résonance magnétique utilisant la résonance paramagnétique électronique
B82Y 10/00 - Nanotechnologie pour le traitement, le stockage ou la transmission d’informations, p. ex. calcul quantique ou logique à un électron
73.
BORON DOPED SYNTHETIC DIAMOND ELECTRODES AND MATERIALS
An electrode comprising synthetic high-pressure high-temperature diamond material, the diamond material comprising a substitutional boron concentration of between 1 x 1020and 5 x 1021atoms/cm3and a nitrogen concentration of no more than 1019atoms/cm33/4-1/43366 3+p3366 3+ selected any of less than 70 mV, less than 68 mV, less than 66 mV, and less than 64 mV.
A method of fabricating a polycrystalline CVD synthetic diamond wafer is disclosed. A first polycrystalline CVD synthetic diamond wafer is grown using a CVD process to a first thickness on a substrate. A second smaller wafer is cut from the polycrystalline CVD synthetic diamond wafer. The second smaller wafer is located on a carrier, and further polycrystalline CVD synthetic diamond material is grown on the second smaller wafer to a second thickness to give a polycrystalline CVD synthetic diamond material having a total thickness of the combined first and second thicknesses.
C23C 16/01 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] sur des substrats temporaires, p. ex. sur des substrats qui sont ensuite enlevés par attaque chimique
ss 0ss, ratio of at least 0.7. Such a diamond is observed to have a relatively low amount of brown colouration despite the relatively high concentration of nitrogen. A method of making the single crystal diamond is also disclosed, the method including growing the CVD diamond in process gases comprising 60 to 200 ppm nitrogen, in addition to a carbon-containing gas,and hydrogen, wherein the ratio of carbon atoms in the carbon-containing gas to hydrogen atoms in the hydrogen gas is 0.5 to 1.5%.
A method of forming a diamond composite body and the diamond composite body. A first single crystal diamond body is provided, which contains nitrogen and has a uniform strain such that over an area of at least 1x1 mm, at least 90 percent of points display a modulus of strain-induced shift of NV resonance of less than 200 kHz, wherein each point in the area is a resolved region of 50 µm2. The first single crystal diamond body is treated to convert at least some of the nitrogen to form at least 0.3 ppm nitrogen-vacancy, NV-, centres. A a CVD process is used to grow a second single crystal diamond body on a surface of the first single crystal diamond body. The second single crystal diamond body has an NV-concentration less than or equal to 10 times lower than the NV- concentration in the first single crystal diamond body.
Disclosed are synthetic diamond materials for quantum and optical applications, such as quantum information processing, quantum key distribution, quantum repeaters, and quantum sensing devices, based on spin defects in diamond. This includes methods for synthesizing and treating diamond in order to create spin defects with improved spin coherence and optical emission properties, as well as treating the diamond to eliminate unwanted defects that degrade these properties.
A method of fabricating a plurality of single crystal CVD diamonds. The method includes mounting a plurality of single crystal diamond substrates on a first carrier substrate. The plurality of single crystal diamond substrates is subjected to a first CVD diamond growth process to form a plurality of single crystal CVD diamonds on the plurality of single crystal diamond substrates. The plurality of single crystal CVD diamonds are mounted in a recessed carrier substrate and subjected to a second CVD diamond growth process.
A heat sink comprising a heat spreader (2) made from synthetic diamond and having a front surface for mounting one or more components to be cooled like a laser disc (8) and a rear surface for direct fluid cooling (10). A plurality of ribs (4,7) is bonded to the rear surface of the heat spreader (2) to stiffen the heat spreader. Both the heat spreader and the plurality of ribs are formed of synthetic diamond material. The ribs (4,7) may be fixed to the heat spreader by braze bonds (6).
H01S 5/02 - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
H01L 23/473 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température impliquant le transfert de chaleur par des fluides en circulation par une circulation de liquides
H05K 7/20 - Modifications en vue de faciliter la réfrigération, l'aération ou le chauffage
80.
METHOD OF MANUFACTURE OF SINGLE CRYSTAL SYNTHETIC DIAMOND MATERIAL
A method of manufacturing synthetic diamond material using a chemical vapour deposition process, and a diamond obtained by such a method are described. The method comprises providing a freestanding synthetic single crystal diamond substrate wafer having a dislocation density of at least 107cm-2. The synthetic single crystal diamond substrate wafer is located over a substrate holder within a chemical vapour deposition reactor. Process gases are fed into the reactor, the process gases including a gas comprising carbon. Crack-free synthetic diamond material is grown on a surface of the single crystal diamond substrate wafer at a temperature of at least 900°C to a thickness of at least 0.5 mm and with lateral dimensions of at least 4 mm by 4 mm.
Apolycrystalline CVD synthetic diamond material is provided that has an average thermal conductivity at room temperature through a thickness of the polycrystalline CVD synthetic diamond material of between 1700 and 2400 Wm-1K-1, a thickness of at least 2.5 mm and a visible transmittance through the thickness of the polycrystalline CVD synthetic diamond of at least 25%. A wafer comprising the material is also provided, wherein at least 70% of a total area of the wafer has the properties of the polycrystalline CVD synthetic diamond material. A method for fabricating the wafer is also disclosed.
C23C 16/01 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] sur des substrats temporaires, p. ex. sur des substrats qui sont ensuite enlevés par attaque chimique
C23C 16/46 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour le chauffage du substrat
An electrochemical sensor comprising a boron doped diamond electrode formed of boron doped diamond material, an array of non-diamond carbon sites disposed on a sensing surface of the boron doped diamond electrode, electrochemically active non-diamond carbon surface groups bonded to the non-diamond carbon sites for generating a first redox peak at a first potential associated with dissolved oxygen and a second redox peak at a second potential which changes with pH, the first and second redox peaks being separated such that they do not overlap, an electrical controller configured to scan the boron doped diamond electrode over a potential range to generate at least said first redox peak, and a processor configured to give an electrochemical reading based on one or both of a position and an intensity of said first redox peak.
011 resonant mode at the frequency f and is further configured to have a diameter that satisfies the condition that a ratio of the resonance cavity height/the resonance cavity diameter is in the range 0.3 to 1.0.
C23C 16/511 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques utilisant des décharges à micro-ondes
84.
Attenuated total reflection crystal fabricated from diamond material
An attenuated total reflection (ATR) crystal (10) for ATR spectroscopy of a sample to be analysed. The ATR crystal is formed of a diamond material and configured to have an inlet surface (12) for an infrared analysis beam, an outlet surface (14) for the infrared analysis beam, and a working surface (16) for contacting the sample to be analysed. The ATR crystal (10) is in the form of a chamfered cylinder comprising two flat chamfered side walls forming the inlet and outlet surfaces (12, 14), and an end surface of the chamfered cylinder forming the working surface (16). The analysis beam can be directed through the inlet surface (12) to an inner side of the working surface (16) in contact with the sample to be analysed and internally reflected at the inner side of the working surface (16) in contact with the sample to be analysed such that the analysis beam passes out of the ATR crystal through the outlet surface (14). The working surface (16) is convexly curved.
G01N 21/35 - CouleurPropriétés spectrales, c.-à-d. comparaison de l'effet du matériau sur la lumière pour plusieurs longueurs d'ondes ou plusieurs bandes de longueurs d'ondes différentes en recherchant l'effet relatif du matériau pour les longueurs d'ondes caractéristiques d'éléments ou de molécules spécifiques, p. ex. spectrométrie d'absorption atomique en utilisant la lumière infrarouge
A synthetic diamond material comprises a surface, wherein the surface comprises a first surface region comprising a first concentration of quantum spin defects. A second surface region has a predetermined area and is located adjacent to the first surface region, the second region comprising a second concentration of quantum spin defects. The first concentration of quantum spin defects is at least ten times greater than the second concentration of quantum spin defects, and at least one of the first or second surface regions comprises chemical vapour deposition, CVD, synthetic diamond. A method of producing the synthetic diamond material is also disclosed.
C30B 31/22 - Dopage par irradiation au moyen de radiations électromagnétiques ou par rayonnement corpusculaire par implantation d'ions
C30B 33/12 - Gravure dans une atmosphère gazeuse ou un plasma
G01N 24/10 - Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de la résonance magnétique nucléaire, de la résonance paramagnétique électronique ou d'autres effets de spin en utilisant la résonance paramagnétique électronique
G01R 33/60 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques faisant intervenir la résonance magnétique utilisant la résonance paramagnétique électronique
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
H01L 29/167 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée caractérisés en outre par le matériau de dopage
A synthetic diamond heat spreader that includes a first layer of synthetic diamond material forming a base support layer and a second layer of synthetic diamond material disposed on the first layer of synthetic diamond material and forming a diamond surface layer. The diamond surface layer has a thickness equal to or less than a thickness of the base support layer. The diamond surface layer has a nitrogen content less than that of the base support layer. The nitrogen content of the diamond surface layer and the diamond support layer is selected such that the thermal conductivity of the base support layer is in a range 1000 W/mK to 1800 W/mK and the thermal conductivity of the surface support layer is in a range 1900 W/mK to 2800 W/mK.
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
88.
Thick optical quality synthetic polycrystalline diamond material with low bulk absorption and low microfeature density
C02F 1/467 - Traitement de l'eau, des eaux résiduaires ou des eaux d'égout par des procédés électrochimiques par électrolyse par désinfection électrochimique
C02F 1/461 - Traitement de l'eau, des eaux résiduaires ou des eaux d'égout par des procédés électrochimiques par électrolyse
C25B 11/057 - Électrodes comportant des électro-catalyseurs sur un substrat ou un support caractérisées par le matériau du substrat ou du support formé d’un seul élément ou composé
90.
Method of fabricating a plurality of single crystal CVD synthetic diamonds
A method of fabricating a plurality of single crystal CVD diamonds, the method comprising: coating a carrier substrate with a layer of polycrystalline CVD diamond material; bonding a plurality of single crystal diamond substrates to the layer of polycrystalline CVD diamond material on the carrier substrate; growing single crystal CVD diamond material on the plurality of single crystal diamond substrates to form a plurality of single crystal CVD diamonds; and separating the plurality of single crystal CVD diamonds from the layer of polycrystalline CVD diamond material on the carrier substrate and any polycrystalline CVD diamond material which has grown between the plurality of single crystal CVD diamonds to yield a plurality of individual single crystal CVD diamonds.
An electrochemical sensor comprising a boron doped diamond electrode formed of boron doped diamond material, an array of non-diamond carbon sites disposed on a sensing surface of the boron doped diamond electrode, electrochemically active non-diamond carbon surface groups bonded to the non-diamond carbon sites for generating a first redox peak at a first potential associated with dissolved oxygen and a second redox peak at a second potential which changes with pH, the first and second redox peaks being separated such that they do not overlap, an electrical controller configured to scan the boron doped diamond electrode over a potential range to generate at least said first redox peak, and a processor configured to give an electrochemical reading based on one or both of a position and an intensity of said first redox peak.
A microwave generator system for use in a microwave plasma enhanced chemical vapour deposition (MPECVD) system, the microwave generator system comprising: a microwave generator unit configured to produce microwaves at an operating power output suitable for fabricating synthetic diamond material via a chemical vapour deposition process; a fault detection system configured to detect a fault in the microwave generator unit which results in a reduction in the operating power output or a change in frequency; and a re-start system configured to restart the microwave generator unit in response to a fault being detected and recover the operating power output or frequency in a time period of less than 10 seconds after the fault in the microwave generator unit which caused the reduction in the operating power output or the change in frequency.
C23C 16/511 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques utilisant des décharges à micro-ondes
H01J 37/244 - DétecteursComposants ou circuits associés
H05H 1/46 - Production du plasma utilisant des champs électromagnétiques appliqués, p. ex. de l'énergie à haute fréquence ou sous forme de micro-ondes
A synthetic diamond plate comprising a polygonal plate formed of synthetic diamond material, the polygonal plate of synthetic diamond material having a thickness in a range 0.4 mm to 1. mm, and rounded corners having a radius of curvature in a range 1 mm to 6 mm. A mounted synthetic diamond plate is also disclosed comprising a polygonal synthetic diamond plate as described and a base to which the polygonal synthetic diamond plate is bonded,wherein the base comprises a cooling channel. An array of mounted synthetic diamond plates is also described, comprising a plurality of mounted synthetic diamond plates described above, wherein the cooling channels of the mounted synthetic diamond plates are linked to form a common cooling channel across the array of mounted synthetic diamond plates.
G02B 1/02 - Éléments optiques caractérisés par la substance dont ils sont faitsRevêtements optiques pour éléments optiques faits de cristaux, p. ex. sel gemme, semi-conducteurs
A heat sink comprising a heat spreader (2) made from synthetic diamond and having a front surface for mounting one or more components to be cooled like a laser disc (8) and a rear surface for direct fluid cooling (10). A plurality of ribs (4,7) is bonded to the rear surface of the heat spreader (2) to stiffen the heat spreader. Both the heat spreader and the plurality of ribs are formed of synthetic diamond material. The ribs (4,7) may be fixed to the heat spreader by braze bonds (6).
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 16/01 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] sur des substrats temporaires, p. ex. sur des substrats qui sont ensuite enlevés par attaque chimique
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
C23C 16/46 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour le chauffage du substrat
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
C23C 16/511 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques utilisant des décharges à micro-ondes
G02B 1/113 - Revêtements antiréfléchissants utilisant des couches comportant uniquement des matériaux inorganiques
An optical element comprising a window formed of synthetic diamond material and an optical surface pattern formed directly in a surface of the synthetic diamond material. The window of synthetic diamond material is in the form of a wedged diamond window with non-parallel major surfaces defining a wedge angle in a range (1) arcminute to 10° and the optical surface pattern is formed directly in one or both of the non-parallel major surfaces. There is also described a laser system comprising the optical element and a laser having a coherence length, wherein the coherence length of the laser is greater than twice a thickness of the wedged diamond window at its thickest point.
G02B 1/02 - Éléments optiques caractérisés par la substance dont ils sont faitsRevêtements optiques pour éléments optiques faits de cristaux, p. ex. sel gemme, semi-conducteurs
G02B 1/118 - Revêtements antiréfléchissants ayant des structures de surface de longueur d’onde sous-optique conçues pour améliorer la transmission, p. ex. structures du type œil de mite
A single crystal CVD diamond material is disclosed, the material comprising a total nitrogen concentration of at least 3 ppm as measured by secondary ion mass spectrometry (SIMS); and a low optical birefringence such that in a sample of the single crystal CVD diamond material having an area of at least 1.3 mm x 1.3 mm, and measured using a pixel size of area in a range 1 x 1 μm2 to 20 x 20 μm2, a maximum value of Δn[average] does not exceed 1.5 x 10-4, where Δn[average] is an average value of a difference between refractive index for light polarised parallel to slow and fast axes averaged over the sample thickness. A method of making the material is also disclosed.
A single crystal CVD diamond material is disclosed, the material comprising a total nitrogen concentration of at least 3 ppm as measured by secondary ion mass spectrometry (SIMS); and a low optical birefringence such that in a sample of the single crystal CVD diamond material having an area of at least 1.3 mm x 1.3 mm, and measured using a pixel size of area in a range 1 x 1 µm2 to 20 x 20 µm2, a maximum value of ?n[average] does not exceed 1.5 x 10-4, where ?n[average] is an average value of a difference between refractive index for light polarised parallel to slow and fast axes averaged over the sample thickness. A method of making the material is also disclosed.
There is described a single crystal CVD diamond material comprising three orthogonal dimensions of at least 2 mm;one or more regions of low optical birefringence, indicative of low strain, such that in a sample of the single crystal CVD diamond material having a thickness in a range 0.5 mm to 1.0 mm and an area of greater than 1.3 mm x 1.3 mm and measured using a pixel size of area in a range 1 x 1 µm2 to 20 x 20 µm2, a maximum value of Δn[average] does not exceed 1.5 x 10-4 for the one or more regions of low optical birefringence, where Δn[average] is an average value of a difference between refractive index for light polarised parallel to slow and fast axes averaged over the sample thickness;one or more regions of high optical birefringence, indicative of high strain, such that in said sample of the single crystal CVD diamond material and measured using said pixel size, Δn[average] is greater than 1.5 x 10-4 and less than 3 x 10-3; and wherein every 1.3 mm x 1.3 mm area of the sample of the single crystal CVD diamond material comprises at least one of said regions of high optical birefringence. There is also described a method of making the CVD diamond material.
A method of fabricating a plurality of single crystal CVD diamonds. The method includes mounting a plurality of single crystal diamond substrates on a first carrier substrate. The plurality of single crystal diamond substrates is subjected to a first CVD diamond growth process to form a plurality of single crystal CVD diamonds on the plurality of single crystal diamond substrates. The plurality of single crystal CVD diamonds are mounted in a recessed carrier substrate and subjected to a second CVD diamond growth process.
brevets
