Abrégé

An apparatus (2) for generating an ionised gaseous material or ionised vapour is disclosed. The apparatus comprises a substrate (4) of crystalline material and metallic electrical conductors (6) having first ends located at a first surface of the substrate and second ends (12) located within the substrate, wherein the conductors are adapted to be connected to a voltage supply to enable emission of electrons from the second ends into the substrate, and emission of electrons from a second surface of the substrate by means of application of an electric field to the conductors. Fluid flow channels (18) extend through the substrate to the second surface of the substrate to enable a gaseous material or vapour to be emitted from the second surface and to enable ionisation of at least some of the gaseous material or vapour by electrons emitted from the second surface. Electrodes (26) apply an electric field to electrons emitted from the second ends of the conductors.

Classes IPC  ?

• H01J 3/02 - Canons à électrons
• H01J 27/20 - Sources d'ionsCanons à ions utilisant un bombardement de particules, p. ex. ioniseurs

Abrégé

A method of etching crystalline diamond is disclosed. The method comprises depositing a catalytic metal (20) on a body of crystalline diamond (4), and causing the catalytic metal to react with the diamond to provide a metal carbide. A gas mixture (26) is reacted with carbon from the metal carbide to provide a gaseous material which includes carbon, and a eutectic regulating gas is provided for increasing the rate of provision of the carbon-containing gaseous material.

Classes IPC  ?

• C30B 29/04 - Diamant
• C30B 33/12 - Gravure dans une atmosphère gazeuse ou un plasma

Abrégé

A device for controlling electron flow is provided. The device comprises a cathode, an elongate electrical conductor embedded in a diamond substrate, an anode, and a control electrode provided on the substrate surface for modifying the electric field in the region of the end of the conductor. A method of manufacturing the device is also provided.

Classes IPC  ?

• H01J 19/30 - Électrodes autres que celles émettant des électronsÉcrans caractérisées par le matériau utilisé
• H01J 19/44 - Éléments isolants entre électrodes ou supports à l'intérieur de l'espace à vide
• H01J 9/18 - Assemblage des parties constitutives des systèmes d'électrodes
• H01J 19/38 - Électrodes de commande, p. ex. grille
• H01J 19/48 - Pièces d'assemblage des électrodes prises isolément
• H01J 21/10 - Tubes à voie de décharge unique pourvus de moyens de commande exclusivement électrostatiques à une ou plusieurs électrodes de commande intérieures fixes, p. ex. triode, pentode, octode

Abrégé

A device for controlling electron flow is provided. The device comprises a cathode, an elongate electrical conductor embedded in a diamond substrate, an anode, and a control electrode provided on the substrate surface for modifying the electric field in the region of the end of the conductor. A method of manufacturing the device is also provided.

Classes IPC  ?

• H01J 19/30 - Électrodes autres que celles émettant des électronsÉcrans caractérisées par le matériau utilisé
• H01J 19/44 - Éléments isolants entre électrodes ou supports à l'intérieur de l'espace à vide
• H01J 9/18 - Assemblage des parties constitutives des systèmes d'électrodes
• H01J 19/38 - Électrodes de commande, p. ex. grille
• H01J 19/48 - Pièces d'assemblage des électrodes prises isolément
• H01J 21/10 - Tubes à voie de décharge unique pourvus de moyens de commande exclusivement électrostatiques à une ou plusieurs électrodes de commande intérieures fixes, p. ex. triode, pentode, octode

Abrégé

An electrical device comprising a substrate of diamond material and elongate metal protrusions extending into respective recesses in the substrate. Doped semiconductor layers, arranged between respective protrusions and the substrate, behave as n type semiconducting material on application of an electric field, between the protrusions and the substrate, suitable to cause a regions of positive space charge within the semiconductor layers.

Classes IPC  ?

• H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
• H01J 1/304 - Cathodes à émission d'électrons de champ
• H01J 1/308 - Cathodes semi-conductrices, p. ex. cathodes à couches de jonction PN
• H01J 9/02 - Fabrication des électrodes ou des systèmes d'électrodes
• H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement ou une région de concentration de porteurs de charges
• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• H01L 29/861 - Diodes

Abrégé

A device (10) for controlling electron flow is provided. The device comprises a cathode (12), an elongate electrical conductor (14) embedded in a diamond substrate (16), an anode (18), and a control electrode (22) provided on the substrate surface (20) for modifying the electric field in the region of the end (26) of the conductor (14). A method of manufacturing the device (10) is also provided.

Classes IPC  ?

• H01J 1/304 - Cathodes à émission d'électrons de champ
• H01J 3/02 - Canons à électrons
• H01J 21/10 - Tubes à voie de décharge unique pourvus de moyens de commande exclusivement électrostatiques à une ou plusieurs électrodes de commande intérieures fixes, p. ex. triode, pentode, octode

Abrégé

An electrical device (2) is disclosed. The device comprises a substrate (4) of diamond material and elongate metal protrusions (18) extending into respective recesses (6) in the substrate. Doped semiconductor layers (14), arranged between respective protrusions and the substrate, behave as n type semiconducting material on application of an electric field, between the protrusions and the substrate, suitable to cause a regions of positive space charge within the semiconductor layers.

Classes IPC  ?

• H01L 29/861 - Diodes
• H01L 21/329 - Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type bipolaire, p.ex. diodes, transistors, thyristors les dispositifs comportant une ou deux électrodes, p.ex. diodes
• H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement ou une région de concentration de porteurs de charges

Abrégé

An electrical device according to one embodiment includes a substrate including at least one diamond layer; at least one first electrode in contact with said substrate, wherein at least one said first electrode includes at least one electrically conductive protrusion extending into said substrate; and at least one second electrode in contact with said substrate and spaced from the or each said first electrode.

Classes IPC  ?

• H01L 31/0312 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIVBIV, p.ex. SiC
• H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives

Abrégé

An electrical switching device (30) is disclosed. The device comprises a diamond substrate (24), a cathode (34) in contact with the substrate and having electrically conductive emitters (32) extending into the substrate, and an upper electrode (36) in contact with the substrate and spaced from the cathode.

Classes IPC  ?

• H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
• H01L 31/0312 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIVBIV, p.ex. SiC

Abrégé

An electrical switching device (30) is disclosed. The device comprises a diamond substrate (24), a cathode (34) in contact with the substrate and having electrically conductive emitters (32) extending into the substrate, and an upper electrode (36) in contact with the substrate and spaced from the cathode.

Classes IPC  ?

• H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
• H01L 29/861 - Diodes
• H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter