This method is for transferring, from a first holding member (20A) to a second holding member (20B), an electronic component (1) that has one end and the other end, the method comprising: a first step (D1) for shortening the distance between the first holding member to which the other end of the electronic component has been bonded and the second holding member, and bonding the other end of the electronic component to the second holding member; and a second step (D2 and D3, or D2 and D4) for detaching the electronic component, which is bonded to the second holding member, from the first holding member by using a difference in bonding strength between the first holding member and the second holding member. The second step includes a distance extension movement (D3) for extending the distance between the first holding member and the second holding member, and a position changing movement (D2 or D4) for parallelly moving one of the first holding member and the second holding member relative to the other at least at the time of and/or before starting the distance extension movement.
H01G 13/00 - Appareils spécialement adaptés à la fabrication de condensateursProcédés spécialement adaptés à la fabrication de condensateurs non prévus dans les groupes
An intaglio jig for manufacturing an electronic component having an external electrode by applying a conductive paste to an electronic component body includes an elastic body, and a recessed portion that is formed in the elastic body and in which the conductive paste is contained. The recessed portion includes an opening having an opening width that conforms to a width of the external electrode, a bottom surface at a predetermined depth from the opening, and at least one protrusion portion in which a protrusion height locally protruding from the bottom surface is less than the predetermined depth.
H01G 13/00 - Appareils spécialement adaptés à la fabrication de condensateursProcédés spécialement adaptés à la fabrication de condensateurs non prévus dans les groupes
A method for forming a zeolite membrane by performing an ALD cycle, the ALD cycle including a silicon oxide film forming step and an aluminum oxide film forming step. In the silicon oxide film forming step, an organic Si compound is used as a first raw material gas and OH radicals are used as a reaction gas; in the aluminum oxide film forming step, an organic Al compound is used as a second raw material gas and OH radicals are used as a reaction gas; and the silicon oxide films and the aluminum oxide films are alternately formed in forward or reverse order to form the zeolite membrane.
B01J 20/28 - Compositions absorbantes ou adsorbantes solides ou compositions facilitant la filtrationAbsorbants ou adsorbants pour la chromatographieProcédés pour leur préparation, régénération ou réactivation caractérisées par leur forme ou leurs propriétés physiques
B01D 53/04 - Séparation de gaz ou de vapeursRécupération de vapeurs de solvants volatils dans les gazÉpuration chimique ou biologique des gaz résiduaires, p. ex. gaz d'échappement des moteurs à combustion, fumées, vapeurs, gaz de combustion ou aérosols par adsorption, p. ex. chromatographie préparatoire en phase gazeuse avec adsorbants fixes
4.
ELECTRONIC COMPONENT MANUFACTURING METHOD AND ELECTRONIC COMPONENT MANUFACTURING DEVICE
This electronic component manufacturing device includes a grip plate (22, 25, 27), and the grip plate has a jig (20A, 20B) having a plurality of holes (23, 26, 28-1) into which each one of a plurality of electronic components (10) is inserted, and a first external stimulation device (100). In the jig, the grip plate is configured from a first material in which the size of each of the plurality of holes is reduced in response to a first external stimulus from the first external stimulation device, and after the plurality of electronic components is respectively inserted through the plurality of holes, the size of each of the plurality of holes is reduced, and the plurality of electronic components are held securely by the grip plate.
H01G 13/00 - Appareils spécialement adaptés à la fabrication de condensateursProcédés spécialement adaptés à la fabrication de condensateurs non prévus dans les groupes
B05C 3/20 - Appareillages dans lesquels un ouvrage est mis en contact avec une grande quantité de liquide ou autre matériau fluide pour appliquer un liquide ou autre matériau fluide uniquement à des endroits particuliers de l'ouvrage
B05C 11/08 - Étalement du liquide ou d'un autre matériau fluide par manipulation de la pièce traitée, p. ex. par inclinaison
B05C 13/02 - Moyens pour manipuler ou tenir des objets, p. ex. des objets individuels pour des objets particuliers
B05D 3/00 - Traitement préalable des surfaces sur lesquelles des liquides ou d'autres matériaux fluides doivent être appliquésTraitement ultérieur des revêtements appliqués, p. ex. traitement intermédiaire d'un revêtement déjà appliqué, pour préparer les applications ultérieures de liquides ou d'autres matériaux fluides
B05D 3/12 - Traitement préalable des surfaces sur lesquelles des liquides ou d'autres matériaux fluides doivent être appliquésTraitement ultérieur des revêtements appliqués, p. ex. traitement intermédiaire d'un revêtement déjà appliqué, pour préparer les applications ultérieures de liquides ou d'autres matériaux fluides par des moyens mécaniques
B05D 7/00 - Procédés, autres que le flocage, spécialement adaptés pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides, à des surfaces particulières, ou pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides particuliers
B05D 7/24 - Procédés, autres que le flocage, spécialement adaptés pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides, à des surfaces particulières, ou pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides particuliers pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides particuliers
An electronic component (10) detaching apparatus (100) comprises a blade (120) that comes into contact with at least one electronic component (10) adhered to an adhesive sheet (21) to scrape the at least one electronic component (10) from the adhesive sheet (21), and at least one vibration generator (130) that vibrates the blade (120).
H01F 41/04 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateursAppareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques pour la fabrication de noyaux, bobines ou aimants pour la fabrication de bobines
H01G 13/00 - Appareils spécialement adaptés à la fabrication de condensateursProcédés spécialement adaptés à la fabrication de condensateurs non prévus dans les groupes
6.
ELECTRONIC-COMPONENT REMOVING DEVICE AND ELECTRONIC-COMPONENT MANUFACTURING DEVICE
This electronic-component (10) removing device (100) comprises: a scraper member (120) that makes contact with at least one electronic component (10) adhering to an adhesion sheet (21), thereby scraping the at-least-one electronic component (10) away from the adhesion sheet (21); and at least one magnet (130) that generates a magnetic force in a predetermined direction in which the at-least-one electronic component (10) gets away from the adhesion sheet (21).
H01F 41/00 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateursAppareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques
H01G 13/00 - Appareils spécialement adaptés à la fabrication de condensateursProcédés spécialement adaptés à la fabrication de condensateurs non prévus dans les groupes
7.
POSITIONING JIG ASSEMBLY AND POSITIONING JIG AND POSITIONING METHOD FOR ELECTRONIC COMPONENT MAIN BODY AND ATTACHING METHOD TO CONVEYING JIG
A positioning jig assembly includes a positioning main body with holes into which electronic component bodies are respectively press-fit, a first and a second guide bodies disposed to be superimposed on the positioning main body in a planar view. First through-holes are formed in the first guide body. Second through-holes formed in the second guide body guide the electronic component main bodies to the first through-holes. The first through-holes provisionally position the electronic component main bodies. When height in the first direction of the electronic component main bodies is represented as H, lengths of the first through-hole and the second through-hole are respectively represented as L1 and L2, and depth of the hole is represented as D, L1
H01G 13/00 - Appareils spécialement adaptés à la fabrication de condensateursProcédés spécialement adaptés à la fabrication de condensateurs non prévus dans les groupes
B05C 3/09 - Appareillages dans lesquels un ouvrage est mis en contact avec une grande quantité de liquide ou autre matériau fluide l'ouvrage étant immergé dans le liquide ou autre matériau fluide pour traiter des objets individuels
B05C 13/02 - Moyens pour manipuler ou tenir des objets, p. ex. des objets individuels pour des objets particuliers
An ALD device includes a first precursor generator that is connected to a processing gas source and generates a first precursor to be supplied to a reactor vessel, and a second precursor generator that is connected to a reducing gas source and the reactor vessel and generates a second precursor to be supplied to the reactor vessel. The first precursor generator etches a target by a first plasma excited by a first plasma generator and supplies a compound gas containing a metallic component as the first precursor. The second precursor generator supplies radicals of a reducing gas component in a second plasma excited by a second plasma generator as the second precursor.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 16/18 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de composés organométalliques
9.
METHOD AND APPARATUS FOR FORMING FILMS ON PARTICLES OF POWDER
A method for forming films on particles of powder includes diffusing the powder by leading the powder into a jet nozzle and ejecting a jet flow of the powder; leading the diffused particles of powder, a raw material gas, and a reaction gas activated by atmospheric pressure plasma, into a reaction container, and forming a swirl flow in the container; and forming the films on the diffused particles of powder by reaction of a raw material gas and an activated reaction gas in the container. An apparatus is also disclosed having a reaction container with a peripheral wall having a round section in plan view and a jet nozzle for a powder source, raw material gas, and atmospheric pressure plasma sources are coupled to and enter the container at an angle with a radius thereof thereby forming a swirl flow to form a film on the powder.
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
C23C 16/50 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
A film forming apparatus configured to form a metal oxide film or a metal nitride film through atomic layer deposition by alternately introducing metal compound gas and an OH radical or an NH radical in a reaction container. The film forming apparatus including: the reaction container; and at least one plasma generator provided outside the reaction container and configured to generate a first plasma including an oxygen radical or a nitrogen radical when oxygen or nitrogen is supplied and generate a second plasma including a hydrogen radical when hydrogen is supplied. The OH radical is generated by collision between the oxygen radical and the hydrogen radical or the NH radical is generated by collision between the nitrogen radical and the hydrogen radical in a downstream region from an outlet of the at least one plasma generator to an inner space of the reaction container.
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
A pre-press process includes a first step for bonding a first end portion of each of a plurality of electronic component bodies to a bonding surface of a flat plate material disposed in a jig, a second step for moving the jig relative to a surface plate, a third step for bringing a second end portions of each of the plurality of electronic component bodies into contact with the surface plate while the flat plate material is in a softened state so that the flat plate material is deformed to align respective positions of end surfaces of the second end portions, a fourth step for curing the flat plate material, and then a fifth step for moving the jig relative to the surface plate to separate from the surface plate the plurality of electronic component bodies in which the respective positions of the end surfaces are aligned.
B05C 11/02 - Appareils pour étaler ou répartir des liquides ou d'autres matériaux fluides déjà appliqués sur une surfaceRéglage de l'épaisseur du revêtement
B05C 3/09 - Appareillages dans lesquels un ouvrage est mis en contact avec une grande quantité de liquide ou autre matériau fluide l'ouvrage étant immergé dans le liquide ou autre matériau fluide pour traiter des objets individuels
B05D 1/18 - Procédés pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides aux surfaces par immersion
H01G 13/00 - Appareils spécialement adaptés à la fabrication de condensateursProcédés spécialement adaptés à la fabrication de condensateurs non prévus dans les groupes
An electronic component manufacturing method comprising: a first step of moving an electronic component body in a first direction relative to a dip layer of a conductive paste to immerse the electronic component body in the dip layer; a second step of moving the electronic component body relative to the dip layer in a second direction that is opposite to the first direction, thereby separating the electronic component body from the dip layer; a third step of forcibly cutting a connection between the conductive paste coated on the end portions of the electronic component body and the dip layer, using a contact with a solid or fluid cutter; and a fourth step of removing excess paste from the conductive paste coated on the end portions of the electronic component body. The third and fourth steps may be conducted simultaneously by cutting and removing the paste with the paste removal member.
This paste application apparatus (10) comprises a first dip layer formation part (20) and a second dip layer formation part (30) that is arranged at a distance D from the first dip layer formation part, the distance D being variable. The first dip layer formation part comprises N through holes (22), in each of which a dip layer (102) of a conductive paste is formed. Each one of the N through holes comprises a first open end (23) through which excess conductive paste (102B) applied to an end (2) of an electronic component main body (1) is removed by scraping in a state where the conductive paste (102B) applied to the end (2) is connected to the dip layer (102). The second dip layer formation part (30) is provided with a conductive paste pool (101) that is to be connected to the dip layers (102) via respective second open ends (24) of the N through holes (22).
H01G 13/00 - Appareils spécialement adaptés à la fabrication de condensateursProcédés spécialement adaptés à la fabrication de condensateurs non prévus dans les groupes
This intaglio jig (100, 300) for manufacturing an electronic component (10, 200) having external electrodes (30-38, 240, 250) by applying a conductive paste (P) on an electronic component body (20, 210), has an elastic body (110, 310), and an intaglio section (120, 320) which is formed on the elastic body and in which a conductive paste is accommodated. The intaglio section has: an opening (121, 321) having an opening width (W2, W6) suitable for the width (W1, W5) of an external electrode; a bottom surface (122, 322) having a predetermined depth (D) from the opening; and one or more protrusion sections (130-132, 330) in which protruding heights (H1, H2) locally protruding from the bottom surface are smaller than a predetermined depth (D).
H01G 13/00 - Appareils spécialement adaptés à la fabrication de condensateursProcédés spécialement adaptés à la fabrication de condensateurs non prévus dans les groupes
H01F 41/10 - Raccord des connexions aux enroulements
In this method for forming a zeolite membrane by performing an ALD cycle, the ALD cycle includes a silicon oxide film forming step and an aluminum oxide film forming step. A zeolite membrane is formed by: using an organic Si compound as a first source gas and a OH radical as a reaction gas in the silicon oxide film forming step; using an organic Al compound as a second source gas and a OH radical as a reaction gas in the aluminum oxide film forming step; and alternately forming a silicon oxide film and an aluminum oxide film in a forward order or reverse order.
B01D 53/04 - Séparation de gaz ou de vapeursRécupération de vapeurs de solvants volatils dans les gazÉpuration chimique ou biologique des gaz résiduaires, p. ex. gaz d'échappement des moteurs à combustion, fumées, vapeurs, gaz de combustion ou aérosols par adsorption, p. ex. chromatographie préparatoire en phase gazeuse avec adsorbants fixes
B01J 20/30 - Procédés de préparation, de régénération ou de réactivation
C01B 39/02 - Zéolites aluminosilicates cristallinesLeurs composés isomorphesLeur préparation directeLeur préparation à partir d'un mélange réactionnel contenant une zéolite cristalline d'un autre type, ou à partir de réactants préformésLeur post-traitement
C23C 16/18 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de composés organométalliques
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
A method for forming a barium titanate film by conducting an ALD cycle, wherein the ALD cycle comprises forming a titanium oxide film and forming barium oxide film. In the forming of a titanium oxide film, TDMAT (Ti[N(CH3)2]4) is used as first raw material gas, and an OH radical is used as reaction gas, and in the forming of barium oxide film, a vaporized barium complex is used as second raw material gas, and an OH radical is used as reaction gas, and the titanium oxide film and the barium oxide film are alternately formed in a normal order or a reverse order.
C23C 16/448 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour produire des courants de gaz réactifs, p. ex. par évaporation ou par sublimation de matériaux précurseurs
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
A film formation method for forming a CVD film and an ALD film on a film formation target. In an ALD process, an ALD cycle is repeatedly executed a plurality of times, the ALD cycle including: a first step for filling a reaction container with a source gas introduced through a first supply pipe; a second step for exhausting the source gas from the reaction container; a third step for filling the reaction container with a reactant gas activated by an inductively coupled plasma in a second supply pipe and introduced through the second supply pipe; and a fourth step for exhausting the reactant gas from the reaction container. In a CVD process, the ALD cycle is executed at least once, and the second step is finished while leaving the source gas in a gas phase in the reaction container.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt
In the present invention, an ALD device (10A, 10B) has a first precursor generation unit (50A, 50B) that is linked to a process gas source (30, 31) and that generates a first precursor supplied to a reaction container (20), and a second precursor generation unit (60) that is linked to a reduction gas source and to the reaction container and that generates a second precursor supplied to the reaction container. The first precursor generation unit etches a target (53) by means of a first plasma (P1) excited by a first plasma generation means (52), and supplies a compound gas containing a metal component as the first precursor. The second precursor generation unit supplies, as the second precursor, radicals of a reduction gas component in a second plasma (P2) excited by a second plasma generation means (64).
A positioning jig assembly (50) comprises a positioning body (60) having a plurality of holes (63) allowing a plurality of electronic component bodies (10) to be press-fitted therein due to elastically deformation, and a first guide element (70) and a second guide element (80) arranged on the positioning body so as to overlap same in a plan view seen in a first direction Z. The first guide element (70) has a plurality of first through holes (71) formed therein. A plurality of second through holes (81) formed in the second guide element (80) are formed into a shape guiding the electronic component bodies (10) from above the second guide element into the first through holes (71). The first though holes (71) are formed into a shape pre-positioning the electronic component bodies (10). The relations L1
B05D 1/18 - Procédés pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides aux surfaces par immersion
B05D 3/00 - Traitement préalable des surfaces sur lesquelles des liquides ou d'autres matériaux fluides doivent être appliquésTraitement ultérieur des revêtements appliqués, p. ex. traitement intermédiaire d'un revêtement déjà appliqué, pour préparer les applications ultérieures de liquides ou d'autres matériaux fluides
H01G 13/00 - Appareils spécialement adaptés à la fabrication de condensateursProcédés spécialement adaptés à la fabrication de condensateurs non prévus dans les groupes
According to the present invention, a cleaning step for cleaning the inside of a reactor vessel (20) after the completion of an ALD step comprises: a step for again using a gas introduction pipe (51) and an activation means (54) used in the ALD step to activate cleaning gas in the gas introduction pipe (51) and thereby generating halogen radicals and halogen ions; a step for selectively removing the halogen ions using charges of the halogen ions, in the middle of the gas introduction pipe (51); and a step for chemically etching and cleaning the inside of the reactor vessel (20) using the halogen radicals.
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
H01L 21/31 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour former des couches isolantes en surface, p. ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiquesPost-traitement de ces couchesEmploi de matériaux spécifiés pour ces couches
21.
Electronic component manufacturing method and apparatus
An electronic component manufacturing method includes a blotting process of bringing a conductive paste applied to an end portion of each electronic component body held by a jig into contact with a surface of a surface plate. The blotting process includes simultaneous performance of a distance changing process of changing the distance between an end face of each electronic component body and the surface of the surface plate and a position changing process of changing a two-dimensional position where the end face of the electronic component body is projected on the surface of the surface plate in such a manner that the direction of the movement of two-dimensional position in parallel to the surface of the surface plate successively varies (e.g., along a circular path).
B05D 1/00 - Procédés pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides aux surfaces
B05D 1/18 - Procédés pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides aux surfaces par immersion
H01G 13/00 - Appareils spécialement adaptés à la fabrication de condensateursProcédés spécialement adaptés à la fabrication de condensateurs non prévus dans les groupes
H01C 17/28 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de résistances adaptés pour appliquer les bornes
H05K 1/18 - Circuits imprimés associés structurellement à des composants électriques non imprimés
B05C 3/09 - Appareillages dans lesquels un ouvrage est mis en contact avec une grande quantité de liquide ou autre matériau fluide l'ouvrage étant immergé dans le liquide ou autre matériau fluide pour traiter des objets individuels
B05C 13/02 - Moyens pour manipuler ou tenir des objets, p. ex. des objets individuels pour des objets particuliers
H01G 2/06 - Dispositifs de montage spécialement adaptés pour le montage sur un support de circuit imprimé
In the present invention, a pre-press process includes: a first step for bonding, to a bonding surface on an exposed surface of a tabular member (22) provided to a jig (20), first ends (12A) of a plurality of electronic component bodies (10); a second step for moving the jig (20) relative to a surface plate (30); a third step for aligning the positions of end surfaces (12B1) of second ends (12B) by deforming the tabular member (22) through bringing the surface plate (30) into contact with the second ends (12B) on the opposite side to the first ends (12A) of the plurality of electronic component bodies (10), when the tabular member 22 is in a soft state; a fourth step for curing the tabular member (22) in a state where the positions of the end surfaces (12B1) are aligned; and a fifth step for, thereafter, separating, from the surface plate (30), the plurality of electronic component bodies (10) in which the positions of the end surfaces (12B1) have been aligned, by moving the jig (20) relative to the surface plate (30).
B05D 3/00 - Traitement préalable des surfaces sur lesquelles des liquides ou d'autres matériaux fluides doivent être appliquésTraitement ultérieur des revêtements appliqués, p. ex. traitement intermédiaire d'un revêtement déjà appliqué, pour préparer les applications ultérieures de liquides ou d'autres matériaux fluides
B05D 3/12 - Traitement préalable des surfaces sur lesquelles des liquides ou d'autres matériaux fluides doivent être appliquésTraitement ultérieur des revêtements appliqués, p. ex. traitement intermédiaire d'un revêtement déjà appliqué, pour préparer les applications ultérieures de liquides ou d'autres matériaux fluides par des moyens mécaniques
B05D 7/00 - Procédés, autres que le flocage, spécialement adaptés pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides, à des surfaces particulières, ou pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides particuliers
B05D 7/24 - Procédés, autres que le flocage, spécialement adaptés pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides, à des surfaces particulières, ou pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides particuliers pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides particuliers
A film deposition apparatus includes: a chamber having a film deposition gas introduced thereinto and exhausted therefrom, in which film deposition with the film deposition gas is performed on an object to be treated; and a film conveying part disposed in the chamber and conveying in a roll-to-roll manner a long film that is the object to be treated. The film conveying part includes: a rotatable roller with part of whose peripheral surface the long film comes into contact; and a nozzle pipe for spraying an inert gas onto a region of the roller, the region being not covered by the long film.
C23C 16/54 - Appareillage spécialement adapté pour le revêtement en continu
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
24.
ELECTRONIC COMPONENT MANUFACTURING METHOD AND DEVICE
This method for manufacturing an electronic component has: a first step in which an electronic component body (1) is moved in a first direction (A) relative to a dip layer (3) being a conductive paste and the electronic component body is immersed in the dip layer (3); a second step in which the electronic component body is moved in a second direction (B), which is opposite the first direction (A), relative to the dip layer and the electronic component body is pulled away from the dip layer; a third step in which a connection between the dip layer (3) and the conductive paste (4) coated on an end (2) of the electronic component body is forcibly disconnected by contact with a disconnection means (6, 7) being a solid or a fluid; and a fourth step in which excess paste (4A) of the conductive paste coated on the end of the electronic component body is removed. By performing the disconnection and the paste removal by means of a paste removal member (6, 7), the third step and the fourth step may be simultaneously carried out.
H01G 13/00 - Appareils spécialement adaptés à la fabrication de condensateursProcédés spécialement adaptés à la fabrication de condensateurs non prévus dans les groupes
H01C 17/28 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de résistances adaptés pour appliquer les bornes
A method for forming a coating film on a powder includes: a dispersion step of setting a container having contained the powder P in a main body of a dispersion device, and dispersing the powder in the container by the main body of the dispersion device; and an ALD step for forming the coating film on a surface of the powder, by setting the container having been removed from the main body of the dispersion device in a main body of an ALD apparatus in such a state that gas can be introduced and be exhausted, introducing a gas for performing an ALD cycle into the container, filling the container with the gas, and then exhausting the gas.
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
26.
FILM FORMING APPARATUS AND FILM FORMING METHOD FOR DLC FILM
This film forming apparatus (10) has: a reaction vessel (20); a support portion (60) for supporting a film (1) to be formed in the reaction vessel; a rotating portion (70) for rotating the support portion; a first supply pipe (100) for supplying a hydrocarbon-containing raw material gas to the reaction vessel through a first valve (130); a second supply pipe (200) for supplying, through a second valve (230), a reaction gas including hydrogen radicals activated by an inductively coupled plasma, into the reaction vessel filled with the raw material gas, under a pressure higher than the internal pressure of the reaction vessel; and a DC power source (80) for applying, through the support portion, a negative bias to the film to be formed, wherein carbon ions generated by the reaction between the raw material gas and the reaction gas are attracted, by the negative bias, to the film to be formed, and the DLC film is deposited on the film to be formed.
C23C 16/452 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour produire des courants de gaz réactifs, p. ex. par évaporation ou par sublimation de matériaux précurseurs par activation de courants de gaz réactifs avant l'introduction dans la chambre de réaction, p. ex. par ionisation ou par addition d'espèces réactives
H01L 21/205 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c.-à-d. un dépôt chimique
H01L 21/316 - Couches inorganiques composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde
Provided is a film formation method for forming a CVD film (4) and an ALD film (5) on an object (1) of interest. In an ALD process for forming an ALD film, an ALD cycle comprising the below-mentioned first to fourth steps is carried out repeatedly a plurality of times: a first step of filling a reaction vessel (20) having an object of interest placed therein with a raw material gas introduced through a first feed pipe (100); a second step of, subsequent to the first step, discharging the raw material gas from the reaction vessel; a third step of, subsequent to the second step, filling the reaction vessel with a reaction gas that has been activated with inductively coupled plasma in a second feed pipe (200) and is introduced through the second feed pipe (200); and a fourth step of, subsequent to the third step, discharging the reaction gas from the reaction vessel. In a CVC process for forming a CVD film, the ALD cycle is carried out at least once, and the second step is completed while leaving the raw material gas in a gas phase in the reaction vessel.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
H01L 21/31 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour former des couches isolantes en surface, p. ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiquesPost-traitement de ces couchesEmploi de matériaux spécifiés pour ces couches
H01L 21/316 - Couches inorganiques composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde
28.
METHOD FOR FORMING COATING FILM ON POWDER, CONTAINER FOR USE IN FORMATION OF COATING FILM ON POWDER, AND ALD DEVICE
A method for forming a coating film on a powder comprises: a dispersion step of setting a container (10) having a powder P contained therein in a dispersion device main body (110), and dispersing the powder (P) in the container (10) by means of the dispersion device main body (110); and an ALD step of setting the container (10) removed from the dispersion device main body (100) in an ALD device main body (201) in such a manner that a gas can be introduced into the container (10) and a gas can be discharged from the container (10), then introducing a gas for achieving an ALD cycle into the container (10) so as to fill the container (10) with the gas, and then discharging the gas to form a coating film on the surface of the powder (P).
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
A paste coating device (10, 1000) comprises: a first feeding and moving unit (30, 30A) that feeds and moves a first strip-shaped member (20); a mounting portion (100, 1100) that joins one end portion (2a) of each of a plurality of electronic components (1) to the first strip-shaped member; a first coating unit (200, 1200) that coats a paste on the other end portion (2b) of each of the plurality of electronic components mounted on the first strip-shaped member; a first drying unit (300, 1300) that dries the paste; a second feeding and moving unit (50, 50A) that feeds and moves a second strip-shaped member (40); a transfer unit (400, 1400) that transfers the plurality of electronic components from the first strip-shaped member to the second strip-shaped member; a second coating unit (500, 1500) that coats the paste on one end portion of each of the plurality of electronic components mounted on the second strip-shaped member; a second drying unit (600,1600) that dries the paste; and a collecting unit (700,1700) that winds up and collects the second strip-shaped member.
B05C 3/20 - Appareillages dans lesquels un ouvrage est mis en contact avec une grande quantité de liquide ou autre matériau fluide pour appliquer un liquide ou autre matériau fluide uniquement à des endroits particuliers de l'ouvrage
B05C 9/14 - Appareillages ou installations pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides aux surfaces par des moyens non prévus dans l'un des groupes , ou dans lesquels le moyen pour déposer le liquide ou autre matériau fluide n'est pas important pour appliquer un liquide ou autre matériau fluide et exécuter une opération auxiliaire l'opération auxiliaire nécessitant un chauffage
B05C 13/02 - Moyens pour manipuler ou tenir des objets, p. ex. des objets individuels pour des objets particuliers
H01G 13/00 - Appareils spécialement adaptés à la fabrication de condensateursProcédés spécialement adaptés à la fabrication de condensateurs non prévus dans les groupes
H01C 17/00 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de résistances
An electronic component manufacturing apparatus has a holding member for holding an electronic component body, a surface plate, a moving unit that causes the holding member and the surface plate to relatively move, and a control unit that controls the moving unit. The control unit causes the moving unit to simultaneously perform a distance changing movement for changing, by shortening or extending, the distance between an end face of each electronic component body and a surface of the surface plate, and a position changing movement for changing a two-dimensional position where the end face of the electronic component body is projected on the surface of the surface plate in such a manner that the direction in which the two-dimensional position moves in parallel with the surface of the surface plate successively varies (for example, along a circular path).
B05D 1/18 - Procédés pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides aux surfaces par immersion
B05C 13/02 - Moyens pour manipuler ou tenir des objets, p. ex. des objets individuels pour des objets particuliers
H01C 17/28 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de résistances adaptés pour appliquer les bornes
H01G 13/00 - Appareils spécialement adaptés à la fabrication de condensateursProcédés spécialement adaptés à la fabrication de condensateurs non prévus dans les groupes
H01G 2/06 - Dispositifs de montage spécialement adaptés pour le montage sur un support de circuit imprimé
H05K 1/18 - Circuits imprimés associés structurellement à des composants électriques non imprimés
B05C 3/09 - Appareillages dans lesquels un ouvrage est mis en contact avec une grande quantité de liquide ou autre matériau fluide l'ouvrage étant immergé dans le liquide ou autre matériau fluide pour traiter des objets individuels
A film formation apparatus according to the present invention comprises: a chamber (10) into and from which a film formation gas is introduced and vented, and in which a film is formed on a to-be-processed object via the film formation gas; and a film conveyance unit (100), which is disposed within the chamber (10) and roll-to-roll conveys an elongated film F constituting the to-be-processed object. The film conveyance unit (100) comprises a rotatable roller (130), a portion of a circumferential surface thereof being contacted by the elongated film F, and a nozzle tube (200) for spraying an inert gas onto a region, of the roller (130), not covered by the elongated film F.
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
This electronic component manufacturing device has: holding members (20, 23) that hold an electronic component body (1); a surface plate (100); a moving means (50) for moving the holding members and the surface plate relative to each other; and a control means (90) for controlling the moving means. The control means (90) simultaneously executes a distance changing movement and a position changing movement. The distance changing movement reduces or extends the distance between each of the end faces (2A) of the electronic component body (1) and the surface (101) of the surface plate (100). The position changing movement changes the two-dimensional position of the end face (2A) of the electronic component body (1) as projected onto the surface (101) of the surface plate (100), so that the direction in which the two-dimensional position moves in parallel with the surface (101) of the surface plate (100) changes sequentially (for example, in a circular trajectory).
H01C 7/02 - Résistances fixes constituées par une ou plusieurs couches ou revêtementsRésistances fixes constituées de matériaux conducteurs en poudre ou de matériaux semi-conducteurs en poudre avec ou sans matériaux isolants à coefficient de température positif
H01C 7/04 - Résistances fixes constituées par une ou plusieurs couches ou revêtementsRésistances fixes constituées de matériaux conducteurs en poudre ou de matériaux semi-conducteurs en poudre avec ou sans matériaux isolants à coefficient de température négatif
H01C 17/28 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de résistances adaptés pour appliquer les bornes
H01F 41/10 - Raccord des connexions aux enroulements
H01G 13/00 - Appareils spécialement adaptés à la fabrication de condensateursProcédés spécialement adaptés à la fabrication de condensateurs non prévus dans les groupes
33.
Electronic component manufacturing method and apparatus
An electronic component manufacturing method includes a blotting process of bringing a conductive paste applied to an end portion of each electronic component body held by a jig into contact with a surface of a surface plate. The blotting process includes simultaneous performance of a distance changing process of changing the distance between an end face of each electronic component body and the surface of the surface plate and a position changing process of changing a two-dimensional position where the end face of the electronic component body is projected on the surface of the surface plate in such a manner that the direction of the movement of two-dimensional position in parallel to the surface of the surface plate successively varies (e.g., along a circular path).
B05D 1/00 - Procédés pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides aux surfaces
B05D 1/18 - Procédés pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides aux surfaces par immersion
H01G 13/00 - Appareils spécialement adaptés à la fabrication de condensateursProcédés spécialement adaptés à la fabrication de condensateurs non prévus dans les groupes
H01C 17/28 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de résistances adaptés pour appliquer les bornes
H05K 1/18 - Circuits imprimés associés structurellement à des composants électriques non imprimés
B05C 3/09 - Appareillages dans lesquels un ouvrage est mis en contact avec une grande quantité de liquide ou autre matériau fluide l'ouvrage étant immergé dans le liquide ou autre matériau fluide pour traiter des objets individuels
B05C 13/02 - Moyens pour manipuler ou tenir des objets, p. ex. des objets individuels pour des objets particuliers
H01G 2/06 - Dispositifs de montage spécialement adaptés pour le montage sur un support de circuit imprimé
brevets
