Disclosed is a photoelectric conversion element manufacturing device which can increase the electrical properties of a photoelectric conversion element, and can minimise any increase in treatment time or in the surface area the device occupies by efficiently carrying out annealing treatment on a flexible substrate in a small space, whilst still maintaining high productivity. The disclosed photoelectric conversion element manufacturing device forms a photoelectric conversion element and a transparent conductive film on a flexible substrate (1), then conveys the flexible substrate (1) to a winding chamber (5), and winds the substrate on a winding roll (8) arranged in the winding chamber (5). A heating mechanism roll core heater (11) is provided in the winding chamber (5) and carries out an annealing treatment on the flexible substrate (1) which has had a film formed thereon and which is being wound.
H01L 31/04 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV]
Disclosed is a wide-gap semiconductor composite diode wherein p+ type anode layers (3a, 3b) are epitaxially grown on an n- type drift layer (2), then the anode layers are processed into mesa-shapes, and one or more pn junctions are provided. On the mesa bottom portion, Schottky junctions (7a, 7b) are provided at a distance from pn main junctions (5a, 5b). Thus, defects and influences of the defects, which are generated in the Schottky junctions (7a, 7b) due to defects generated in both the junctions when being formed and stress is applied by wire bonding, are reduced. A p type integrated electric field relaxing layer (13) having a concentration lower than that of the p+ type anode layers (3a, 3b) is provided between the junctions such that the p type integrated electric field relaxing layer is in contact with both the junctions. A high withstand voltage is achieved by suppressing the generation of the defects. Furthermore, accumulated carriers remaining under the pn junctions (5a, 5b) are efficiently discharged without deteriorating the high withstand voltage, and a reverse recovery time and a reverse recovery current are reduced by disposing the Schottky junctions (7a, 7b) on the outermost circumferential portions of both the junctions, and by providing the p type integrated electric field relaxing layer (13) connected to the Schottky junctions.
H01L 21/329 - Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type bipolaire, p.ex. diodes, transistors, thyristors les dispositifs comportant une ou deux électrodes, p.ex. diodes
Provided are a film forming device, a device for manufacturing a thin-film solar cell, a method of forming a film, and a method of manufacturing a thin-film solar cell wherein film forming can be performed without lowering the film quality for either a single or for multiple chambers, with a simple structure, and with the capability of downsizing, at lower cost, while having excellent maintainability. With regard to the film forming device, the method of film forming, the device (1) and the method of manufacturing a thin-film solar cell wherein the occurrence of plasma in a film forming chamber (2) forms an non-intrinsic conductive layer and a substantially intrinsic layer on a substrate (6), adhesion preventing boards (3, 4, 5) provided with first surfaces (3a, 4a, 5a) and second surfaces (3b, 4b, 5b) which are opposite the first surfaces (3a, 4a, 5a) are arranged on the inner wall surfaces (2a, 2b, 2c) of the film forming chamber (2). When the non-intrinsic conductive layer is being formed on the substrate (6), the first surfaces (3a, 4a, 5a) are faced toward the occurring plasma by rotating the adhesion preventing boards (3, 4, 5), and when the substantially intrinsic layer is being formed on the substrate (6), the second surfaces (3b, 4b, 5b) are faced toward the occurring plasma by rotating the adhesion preventing boards (3, 4, 5).
H01L 31/04 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV]
H01L 21/205 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c.-à-d. un dépôt chimique
Disclosed is a film formation device which is easier to manufacture than conventional devices and which is capable of uniformly supplying a source gas to the surface of a substrate. The disclosed film formation device for forming thin films is provided with a first electrode (3) with a substrate (4) thereon, and a second electrode (2) which faces the substrate (4) and to which a high-frequency voltage is applied. The second electrode (2) has a shower plate (9) on a surface facing the substrate (4), and has one mesh plate (10) on a surface of the shower plate (9) which faces the substrate (4). The shower plate (9) has multiple holes (9a) through which the source gas is passed, and the mesh plate (10) has a mesh structure for passing the source gas (5) which has passed through the holes (9a) in the shower plate (9). Between the mesh plate (10) and the substrate (4), a space is provided in which plasma is generated.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
H01L 21/205 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c.-à-d. un dépôt chimique
Provided is a flexible substrate position control device (100) in a processing device which laterally conveys a vertically oriented band-shape flexible substrate (1) and processes the substrate by means of a processing unit (20) disposed in the conveying path of the substrate. Said flexible substrate position control device is provided with a pair of holding rollers (131, 132) which hold the upper edge of the substrate, a support mechanism (140) for supporting the pair of holding rollers such that said holding rollers can rotate and can be connected to or separated from one another, a biasing means (150) which exerts a pressure on the pair of holding rollers via the support mechanism, and an adjustment mechanism (160) for adjusting the pressure from the biasing means, wherein each roller constituting the pair of holding rollers is a conical roller having a circumferential surface inclined to the axis, and is supported by the support mechanism such that the small diameter side of each conical roller is in the lateral center of the substrate and the rotation direction on the holding surface of the substrate is the same direction as the that in which the substrate is conveyed.
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
H01L 21/205 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c.-à-d. un dépôt chimique
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01L 31/04 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV]
6.
APPARATUS FOR MANUFACTURING THIN-FILM LAMINATED BODY
Disclosed is an apparatus for manufacturing a thin-film laminated body in which fold creases, heating creases and tension creases of the film are reduced by means of crease stretching, and the quality of the thin-film laminated body is improved. The apparatus for manufacturing a thin-film laminated body is an apparatus in which a thin-film laminated body is manufactured by positioning a strip-shaped flexible substrate in such a way that the width direction of the strip-shaped flexible substrate is in the vertical direction, feeding the strip-shaped flexible substrate in the horizontal direction, feeding the strip-shaped flexible substrate to a film-forming section provided at a point along the feed path of the strip-shaped flexible substrate, and laminating a thin film onto the surface of the strip-shaped flexible substrate by means of a film-forming device provided in the film-forming section. A temperature-raising section (20), which has a roll heater (21) in front of at least the foremost film-forming section (30), is provided in the apparatus for manufacturing a thin-film laminated body, and the apparatus is set in such a way that the temperature of the strip-shaped flexible substrate (1) is heated by the roll heater (21) to around the temperature of the film-forming section (30).
H01L 31/04 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV]
7.
APPARATUS FOR CONTROLLING POSITION OF FLEXIBLE SUBSTRATE
A flexible substrate (1) is transferred upright in the first direction (F) or the second direction (R). A position control apparatus (30) is provided with first and second roller pairs (31, 32) which sandwich the upper end portion of the substrate (1). The first roller pair (31) is tilted at an angle (α) with respect to the first direction (F). The second roller pair (32) is tilted at an angle (α) with respect to the second direction (R). When the substrate (1) is transferred in the first direction (F), the second roller pair (32) is switched to a state where the second roller pair does not sandwich the substrate (1). When the substrate (1) is transferred in the second direction (R), the first roller pair (31) is switched to a state where the roller pair does not sandwich the substrate (1). Sandwiching pressure of both the roller pairs (31, 32) may be adjustable. Apparatus (30, 30') may be provided with two roller pairs (31', 32') that sandwich the lower end portion of the substrate (1). The substrate (1) may be a plastic film.
B65H 23/038 - Commande du positionnement transversal de la bande par des rouleaux
B65H 23/025 - Positionnement, tension, suppression des à-coups ou guidage des bandes transversal par des dispositifs étireurs par des rouleaux
H01L 31/04 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV]
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H05B 33/10 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des sources lumineuses électroluminescentes
On the main surface of an n- layer (21), a plurality of island-like emitter cells (22), each of which has a p base region (23) and an n+ emitter region (24), are provided by being separated from each other. On the both sides of each of the emitter cells (22), trenches (25) deeper than the p base region (23) are formed. A first gate electrode (26) is embedded in each trench (25) with a first gate insulating film (41) therebetween. On the surface of the p base region (23), said surface being in the region sandwiched between n+ emitter regions (24), a second gate electrode (27) that electrically connects the first gate electrodes (26) is provided with a second gate insulating film (40) therebetween. On the surface of the n- layer (21), a conductive region (28) that electrically connects the second gate electrodes (27) is provided with a third gate insulating film (42) therebetween. A contact region (29), which is insulated from the second gate electrode (27) and short-circuits the n+ emitter region (24) and the p base region (23) is provided.
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
A conveyance device for a film substrate, capable of highly accurately adjusting the position of individual substrates which are conveyed respectively in the forward feed direction and in the reverse feed direction. A conveyance device for a film substrate, configured to convey the band-like film substrate (2) in a vertical position in which one end of the film substrate in the widthwise direction thereof positioned on the upper side. The conveyance device for a film substrate is provided with at least a pair of first grip rollers (6) which is disposed so as to sandwich the upper end of the film substrate (2), and also with a first angle adjustment mechanism (11) which can adjust the tilt direction and tilt angle of the first grip rollers in such a manner that the angle of the rotation axis of the first grip rollers (6) is adjusted so that the rotational direction of the first grip rollers (6) is directed above the conveyance direction.
C23C 14/56 - Appareillage spécialement adapté au revêtement en continuDispositifs pour maintenir le vide, p. ex. fermeture étanche
B65H 9/16 - Bande inclinée, rouleau ou positionneurs latéraux analogues, servant à l'avance des articles
B65H 23/025 - Positionnement, tension, suppression des à-coups ou guidage des bandes transversal par des dispositifs étireurs par des rouleaux
B65H 23/038 - Commande du positionnement transversal de la bande par des rouleaux
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
Disclosed is a transfer apparatus (100) which transfers a flexible substrate (1) in the substrate longitudinal direction by having the flexible substrate in an upright possture. A holding apparatus (21) is provided with a pair of grip rollers (23, 24) which sandwich the upper end portion of the substrate (1). A first drive means (60) adjusts the pressure-contact force of the rollers (23, 24). A second drive means (80) adjusts the tilt angles of the rollers (23, 24) with respect to the transfer direction of the substrate (1). The position of the substrate (1) in the vertical direction is constantly maintained with the adjustments. The holding apparatus (21) is provided with another pair of rollers that sandwich the lower end portion of the substrate (1). In a film-forming chamber (40), a thin film is formed on the substrate (1). The holding apparatus (21) is disposed between adjacent film-forming chambers (40). The substrate (1) may be a plastic film. In the film-forming chamber (40), chemical vapor deposition or physical vapor deposition may be performed. The substrate (1) may be a substrate for a solar cell.
B65H 23/038 - Commande du positionnement transversal de la bande par des rouleaux
H01L 31/04 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV]
Disclosed is a ferromagnetic tunnel junction element which is capable of reducing the current value necessary for writing both in a magnetic field writing type MRAM and in a spin injection magnetization reversal type MRAM. Specifically disclosed is a ferromagnetic tunnel junction element (1) which has a structure wherein a ferromagnetic free layer (2) that is composed of one or more layers including a ferromagnetic layer, an insulating layer (3), and a ferromagnetic fixed layer (4) that is composed of a plurality of layers including a ferromagnetic layer are sequentially laminated. The ferromagnetic free layer (2) contains an additional element, which has a function of decreasing the saturation magnetization of the ferromagnetic free layer (2), more in the side that is not in contact with the insulating layer (3) than in the side that is in contact with the insulating layer (3).
H01L 43/08 - Résistances commandées par un champ magnétique
H01F 10/16 - Métaux ou alliages contenant du cobalt
H01F 10/32 - Multicouches couplées par échange de spin, p. ex. superréseaux à structure nanométrique
H01L 21/8246 - Structures de mémoires mortes (ROM)
H01L 27/105 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive comprenant des composants à effet de champ
H01L 29/82 - Types de dispositifs semi-conducteurs commandés par la variation du champ magnétique appliqué au dispositif
H01L 43/12 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou le traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
An organic EL device comprising a substrate, an organic EL element formed on the substrate, and a sealing film formed on the organic EL element. The sealing film is composed of a silicon nitride film containing H, and the H content in the silicon nitride film containing H is within the range of 0.85-0.95 at%.
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H05B 33/10 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des sources lumineuses électroluminescentes
Disclosed is a method for producing an SiC single crystal, wherein an SiC single crystal, in particular a 4H-SiC single crystal is stably grown at an effective crystal growth rate for a long time even in a low temperature range of 2000˚C or less. Specifically, an SiC single crystal is produced as follows: a staring material containing Si, Ti and Ni is firstly introduced into a crucible (1), which is formed of graphite, so as to form a solvent by being heated and melted therein, and C is dissolved into the solvent from the crucible (1) so as to form a melt (6); and then, an SiC seed crystal substrate (8) is brought into contact with the melt (6) and the melt (6) is converted into a super saturation state of SiC in the vicinity of the surface of the SiC seed crystal substrate (8), so that an SiC single crystal is grown on the SiC seed crystal substrate (8).
C30B 19/04 - Croissance d'une couche épitaxiale à partir de la phase liquide en utilisant des solvants fondus, p. ex. des fondants le solvant étant un constituant du cristal
14.
MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING SAME
Disclosed is a magnetoresistive element having a configuration that can stably cause a switching action by means of current accompanying the application of a unipolar electric pulse. Further disclosed is a non-volatile semiconductor memory device using this magnetoresistive element. The magnetoresistive element (1-1) is provided with a magnetic tunnel junction section (13) configured from a vertically magnetized first magnetic body (22), an insulating layer (21), and a vertically magnetized second magnetic body (200), which are layered in the given order. The second magnetic body (200) has a configuration wherein a ferromagnetic layer and a rare earth transition metal alloy layer are layered in the given order from the boundary surface on the side of the insulating layer (21). A heat assist layer (28-1) that heats the second magnetic body (200) by means of heat generation deriving from current in the magnetic tunnel junction section (13) is further provided, and the direction of magnetization of the second magnetic body (200) is reversed by means of heating the second magnetic body (200). The non-volatile semiconductor memory device (10-1) is provided with the magnetoresistive element (1-1), a switch element connected in series thereto, an information rewrite means that writes or deletes by applying a write current to the magnetoresistive element (1-1), and a read means that reads recorded information from the amount of current in the magnetoresitive element (1-1).
H01L 21/8246 - Structures de mémoires mortes (ROM)
G11C 11/15 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliersÉléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments magnétiques utilisant des éléments à pellicules minces utilisant des couches magnétiques multiples
H01L 27/105 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive comprenant des composants à effet de champ
H01L 43/08 - Résistances commandées par un champ magnétique
Disclosed is an organic light-emitting element. The organic light-emitting element comprises a pair of electrodes and an organic EL layer that is arranged between the pair of electrodes and contains at least an organic light-emitting layer. The organic light-emitting element is characterized in that: the organic light-emitting layer contains an electron-transporting host material and at least a first guest material and a second guest material; the first and second guest materials respectively have an emission peak within the blue to blue-green region; and the light-emitting layer contains at least one first guest material that has an ionization potential (IPG1) and an electron affinity (AFG1) satisfying the relation represented by the mathematical formula (1) below with respect to the ionization potential (IPH) and the electron affinity (AFH) of the host material. The organic light-emitting element has a remarkable advantage such that a high efficiency is able to be achieved without affecting the driving voltage. IPH ≤ IPG1 and AFH < AFG1 (1)
C09K 11/06 - Substances luminescentes, p. ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances organiques luminescentes
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
A method for manufacturing a semiconductor module, includes the steps of preparing a board; mounting a semiconductor device on the second metal foil; placing a resin case onto the board for surrounding a first metal foil, an insulating sheet, the second metal foil, and the semiconductor device; pouring a resin in a paste form into the case to fill a space relative to the first metal foil, insulating sheet, the second metal foil and the semiconductor device; and heat-curing the resin. A bottom end of a peripheral wall of the case is located above a bottom surface of the first metal. The bottom surface of the first metal foil and the resin form a flat bottom surface to contact an external mounting member.
H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
Disclosed is a semiconductor drive device wherein a drive circuit is protected by detecting the temperature of an on-gate resistor or that of an off-gate resistor by means of a thermistor, and turning off an on-gate driving switch element or an off-gate driving switch element when a short-circuit failure occurred between the gate and the emitter of a main switching element, such as an IGBT. Furthermore, instead of detecting the temperature of the on-gate resistor or that of the off-gate resistor, the drive circuit may be protected by connecting the thermistor to the on-gate driving switch element or the off-gate driving switch element in series, and by detecting a change of the resistance of the thermistor due to a temperature change, and turning off the on-gate driving switch element or the off-gate driving switch element.
H02M 1/00 - Détails d'appareils pour transformation
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H03K 17/08 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension
H03K 17/56 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs
18.
COLOR CONVERSION LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING SAME
Provided is a method of manufacturing a color conversion layer for achieving high-efficiency color conversion characteristics easily in the manufacturing process without an extreme increase in the film thickness of the color conversion layer. Also provided are a color conversion layer manufactured by the method and an organic EL device including the color conversion layer. In the method, a polymeric material having a weighted mean molecular weight in a specific range is caused to contact a color conversion material layer, whereby the polymeric material enters the color conversion layer by a diffusion phenomenon. It is thereby possible to suppress the concentration quenching of the color conversion layer and increase the fluorescence quantum yield.
H05B 33/12 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H05B 33/10 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des sources lumineuses électroluminescentes
19.
ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICES AND PROCESS FOR PRODUCTION OF SAME
A top-emission type organic EL device and a transparent organic EL device, both of which permit low driving voltage and attain high efficiency. Each organic EL device comprises a substrate, an anode, an organic EL layer which comprises a light-emitting layer, an electron-transporting layer and a damage-reducing electron injection layer as the essentials, and a transparent cathode in this order. Each organic El device is characterized in that the transparent cathode is formed from a transparent conductive oxide material, that the damage-reducing electron injection layer is in contact with the transparent cathode, and that the damage-reducing electron injection layer contains a crystalline oligothiophene compound. The process for the production of the organic EL devices is characterized by protecting the light-emitting layer or the electron-transporting layer by a damage-reducing electron injection layer from oxidative deterioration in the step of forming an upper cathode by depositing a transparent conductive oxide material by a sputtering method, said damage-reducing electron injection layer being a layer which is formed by vapor deposition and which contains a crystalline oligothiophene compound.
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H05B 33/10 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des sources lumineuses électroluminescentes
Provided is an apparatus for producing a thin-film lamination, which makes it possible to prevent slackness when a flexible strip-like substrate is being fed or to prevent offset when said flexible strip-like substrate is wound on a winding roll. An apparatus for producing a thin-film lamination, in which a flexible strip-like substrate is fed in the transverse direction in such a way that the widthwise direction of the flexible strip-like substrate which has been wound into a roll is oriented vertically, is provided with a film-forming chamber in the feed direction of the flexible strip-like substrate. The flexible strip-like substrate is fed to the film-forming chamber and a thin film is formed on the flexible strip-like substrate by means of a film-forming apparatus provided in the film-forming chamber, and a thin-film lamination is wound into a roll-shape. In the apparatus for producing a thin-film lamination, an adjusting roll (9) is provided at the stage before a winding apparatus (4) for winding a thin-film lamination (1A) into a roll-shape, and a pair of grip rollers (7, 8) for pinching at least the top end of the thin-film lamination (1A) in order to hold and feed a fixed height thereof are disposed at the stage before the adjusting roll (9).
C23C 14/56 - Appareillage spécialement adapté au revêtement en continuDispositifs pour maintenir le vide, p. ex. fermeture étanche
C23C 16/54 - Appareillage spécialement adapté pour le revêtement en continu
H01L 31/04 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV]
A non-contact current sensor comprises a spin-valve structure (2), an electric means (4) for applying current to the spin-valve structure (2), and a resistance reading means (5) for electrically reading the resistance value of the spin-valve structure (2), and is configured so that the coercive force of a free layer (14) becomes greater than a current-induced magnetic field to be detected. The electric means (4) applies current to the spin-valve structure (2), thereby allowing the magnetization orientations of a pinned layer (12) and the free layer (14) to make a transition between a mutually parallel state and a mutually anti-parallel state. The resistance reading means (5) reads a resistance value corresponding to the transition between the parallel state and the anti-parallel state, thereby detecting a current threshold value or a current-induced magnetic field corresponding to the transition.
G01R 15/20 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p. ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs galvano-magnétiques, p. ex. des dispositifs à effet Hall
H01L 43/08 - Résistances commandées par un champ magnétique
22.
SEALING FILM FOR ORGANIC EL ELEMENT, ORGANIC EL ELEMENT, AND ORGANIC EL DISPLAY
Disclosed is a sealing film for an organic EL element that has excellent moisture barrier properties by virtue of the absence of pinholes. The sealing film has a laminate structure of at least three layers in which a silicon nitride film and a silicon oxynitride film are alternately stacked. The sealing film is characterized in that odd-numbered layers as counted from an organic EL element side are a silicon nitride film having a thickness (T1) of not less than 200 nm and even-numbered layers as counted from the organic EL element side are a silicon oxynitride film having a thickness (T2) of 20 to 50 nm.
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H05B 33/12 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions
23.
MAGNETIC MEMORY ELEMENT AND DRIVING METHOD THEREFOR
Provided are a magnetic memory element which enables a reduction in current density at the time of switching without impairing the reliabilities of read endurance, retention performance, and so on, and a driving method therefor. Specifically provided is a magnetic memory element which comprises a magnetic tunnel junction portion (20) having a spin-valve structure, and an in-plane magnetization film (17), and records information by applying an electric pulse, the magnetic tunnel junction portion being provided with a free layer (15) and a pinned layer (13) that are produced from a perpendicular magnetization film, and a nonmagnetic layer (14) sandwiched between the free layer (15) and the pinned layer (13). The in-plane magnetization film (17) exhibits an antiferromagnetic (low-temperature side)-ferromagnetic (high-temperature side) phase transition by temperature change based on the application of the electric pulse. At the time of recording/erasing of information in the magnetic memory element, an electric pulse of a polarity corresponding to the recording/erasing of the information is applied to the magnetic tunnel junction portion (20) via the in-plane magnetization film (17), thereby setting the temperature of the in-plane magnetization film (17) to the transition temperature or higher. At the time of reading of information, an electric pulse of a polarity corresponding to the reading of the information is applied, thereby setting the temperature of the in-plane magnetization film (17) to the transition temperature or lower.
H01L 21/8246 - Structures de mémoires mortes (ROM)
G11C 11/15 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliersÉléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments magnétiques utilisant des éléments à pellicules minces utilisant des couches magnétiques multiples
H01F 10/14 - Métaux ou alliages contenant du fer ou du nickel
H01F 10/32 - Multicouches couplées par échange de spin, p. ex. superréseaux à structure nanométrique
H01L 27/105 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive comprenant des composants à effet de champ
H01L 43/08 - Résistances commandées par un champ magnétique
24.
FLAT PANEL DISPLAY, MANUFACTURING INTERMEDIATE THEREFOR, AND METHOD OF MANUFACTURING SAME
Provided is a structure used for manufacturing a high-definition flat panel display at low cost, a method of manufacturing the flat panel display, and a manufacturing intermediate therefor. In the flat panel display, respective openings of banks in red and green sub-pixels are decentered toward a blue sub-pixel, and it is thereby possible to form a higher-definition color conversion layer even if still-existing device and material are used. Further, with the decentering of the openings of the banks, it is also possible to reduce the manufacturing time and cost.
G09F 9/30 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
H01L 27/32 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H05B 33/10 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des sources lumineuses électroluminescentes
H05B 33/22 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions caractérisées par la composition chimique ou physique ou la disposition des couches auxiliaires diélectriques ou réfléchissantes
Disclosed is a color conversion filter substrate comprising black matrixes disposed on a transparent support and extending in two directions orthogonal to each other, banks (A) extending longitudinally on the black matrixes, and banks (B) extending in a direction orthogonal to the banks (A) and mounted on the black matrixes. The banks (A) and the banks (B) individually have widths equal to or smaller than that of the black matrixes, and the banks (A) and the banks (B) have ink reservoirs formed at portions where the two banks intersect. The color conversion filter substrate is enabled to eliminate the color mixture resulting from a crosstalk by omitting formation of spacers (or posts) higher than the banks, while preventing the leakage of the ink at an ink jetting time. The color conversion filter substrate can provide an organic EL display which has a wide color reproduction range with no any fine bubble left in pixel portions.
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H05B 33/12 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions
26.
COLOR CONVERSION FILM COMPRISING CONJUGATED HIGH-MOLECULAR-WEIGHT COPOLYMER, AND MULTI-COLOR-EMITTING ORGANIC EL DEVICE USING THE SAME
Disclosed is a color conversion film which can keep the converted-light intensity at a satisfactory level for a long period without the need of increasing the thickness thereof. The color conversion film is characterized by comprising a conjugated high-molecular-weight copolymer having such a structure that a repeating unit having a fluorene group and an arylenevinylene repeating unit are contained in an alternating sequence and a phenylene group is inserted to both termini of the fluorene group as a spacer (i.e., a structure represented by formula (1)). Also disclosed is a multi-color-emitting organic EL device produced by using the color conversion film.
C08G 61/10 - Composés macromoléculaires contenant uniquement des atomes de carbone dans la chaîne principale de la molécule, p. ex. polyxylylènes uniquement des atomes de carbone aromatiques, p. ex. polyphénylènes
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H05B 33/12 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions
Provided is a color conversion organic EL display which improves the efficiency of the entire display by increasing the proportion of light beams incident on a color conversion filter among light beams emitted from a light-emitting portion. A color filter (20) and a black matrix (30) are formed on a glass substrate (10), and a color conversion filter (40) is formed on the color filter and the black matrix. A transparent electrode is formed on another glass substrate (70), and an organic EL light-emitting portion (60) is formed on the transparent electrode. The two substrates are bonded via a filler (50). The opening area ratio and positional relationship between the organic EL light-emitting portion (60) and the color conversion filter (40) are determined such that highest-intensity light beams emitted from the end of an opening of the organic EL light-emitting portion (60) are incident on the color conversion filter (40) over the entire region of 0≤φ≤360°. Therefore, the opening of the organic EL light-emitting portion (60) is formed narrower than the opening of the color conversion filter (40).
H05B 33/12 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
Disclosed is a magnetic memory element capable of maintaining high heat stability (retention characteristics) even while reducing the write current. The magnetic memory element is provided with a magnetic tunnel junction section (13) and a thermal expansion layer (28) inserted at the magnetic tunnel junction section (13). The magnetic tunnel junction section (13) is comprised of a first magnetic body (22) which includes a vertically magnetized film, an insulating layer (21), and a second magnetic body (20) as a storage layer which includes a vertically magnetized film, said first magnetic body (22), insulating layer (21), and second magnetic body (20) being stacked in that order. The thermal expansion of the thermal expansion layer (28) that occurs with the running of electric current causes the second magnetic body (22) to be deformed in a direction in which the lateral cross section of the second magnetic body (22) will increase, and thereby reduces the switching current threshold required for changing the magnetization direction.
H01L 21/8246 - Structures de mémoires mortes (ROM)
H01L 27/105 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive comprenant des composants à effet de champ
H01L 43/08 - Résistances commandées par un champ magnétique
Disclosed are an organic electroluminescent element and a manufacturing method thereof. A low-voltage, high-efficiency top emission or transparent organic electroluminescent (EL) element is provided. The organic EL element comprises an anode, an organic EL layer, and a cathode deposited successively on a support substrate. The organic EL layer is provided with at least a positive hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer in order from the anode side. The positive hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer are composed of organic materials. The cathode is composed of a transparent conductive oxide material. The electron injection layer is composed of an n-type chalcogenide semiconductor having an optical band gap of at least 2.1 eV. In addition, the manufacturing method of the organic EL element involves forming the electron injection layer which is composed of the n-type chalcogenide semiconductor by a physical vapor deposition method which does not use plasma discharge.
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H05B 33/10 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des sources lumineuses électroluminescentes
30.
PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE, SOLAR CELL MODULE AND METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
Provided is a photoelectric conversion device having a novel structure for connecting a plurality of photoelectric conversion elements. A first photoelectric conversion element is provided with a first lower electrode, a first photoelectric conversion layer, and a first upper electrode. A second photoelectric conversion element is provided with a second lower electrode, a second photoelectric conversion layer, and a second upper electrode. The first photoelectric conversion element and the second photoelectric conversion element are arranged side by side in the first direction. The second lower electrode is provided with a first extending section which extends to the outside of the second photoelectric conversion layer from the side surface parallel to the first direction. A first insulating layer is formed on the side surface facing the extending direction of the first extending section among the side surfaces of the first photoelectric conversion element. A first connecting section connects together the first upper electrode and the first extending section over the first insulating layer.
H01L 31/042 - Modules PV ou matrices de cellules PV individuelles
H01L 31/04 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV]
Provided is a color conversion filter substrate comprising a substrate, a plurality of color filters formed in at least an auxiliary pixel portion on the substrate and having different transmission wavelengths, banks formed in a non-auxiliary pixel portion above the substrate and made of a hardening resin, a color conversion film formed in a slit pattern in a region which is above at least some of the color filters and defined between the banks by an ink-jet method, for absorbing the light of a light source and emitting a light having a wavelength distribution different from an absorption wavelength, and a spacer formed on at least some of the banks by a photolithographic method. The bank forming the spacer is more extended in horizontal directions, as viewed in a side cross-section, than the remaining banks. The color conversion filter substrate having a high color conversion efficiency can be properly applied to the mass production of large-screen displays.
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H05B 33/10 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des sources lumineuses électroluminescentes
In a film-forming chamber, a film is formed on a substrate. A first electrode is arranged in the film-forming chamber and is grounded. A second electrode is arranged in the film-forming chamber and faces the first electrode. A high frequency power supply supplies the second electrode with high frequency power. A direct current power supply inputs a direct current bias voltage to the second electrode. A control section reduces the bias voltage to be lower than the second electrode potential obtained when the second electrode is supplied with the high frequency power but not with the bias voltage. Thus, while suppressing reduction of the film-forming speed of a film to be formed, the qualities of the film are improved.
H01L 21/205 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c.-à-d. un dépôt chimique
C23C 16/505 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques utilisant des décharges à radiofréquence
H01L 31/04 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV]
H05H 1/00 - Production du plasmaMise en œuvre du plasma
H05H 1/46 - Production du plasma utilisant des champs électromagnétiques appliqués, p. ex. de l'énergie à haute fréquence ou sous forme de micro-ondes
Disclosed is a simple process that can regulate the interaction between a color filter layer as a substrate and ink droplets for color conversion formation and can form a color conversion layer having a high-definition pattern. The process is characterized by comprising the steps of forming a plurality of types of color filter layers formed of polysiloxane and a pigment on a transparent substrate and a bank formed of a resin and provided at a boundary part between the dissimilar color filter layers to form a color filter, subjecting the color filter to oxygen plasma treatment, subjecting the color filter to fluorine plasma treatment, and forming a single type or a plurality of types of color conversion layers by an ink jet method on the color filter layers in the color filter.
H05B 33/12 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H05B 33/10 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des sources lumineuses électroluminescentes
H05B 33/22 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions caractérisées par la composition chimique ou physique ou la disposition des couches auxiliaires diélectriques ou réfléchissantes
Disclosed is a color conversion substrate for an organic EL display panel characterized in that the refractive index of the bank that surrounds a color conversion layer is substantially lower than that of the color conversion layer in a CCM-type, full-color organic EL display. By making the refractive indices of the multiplicity of banks formed at the interfaces between the different color filter layers lower than the refractive index of the color conversion layer, it is possible to improve the light output efficiency compared with a conventional CCM-type, full-color organic EL light-emitting display panel without adding a manufacturing process.
H05B 33/12 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
A position controller (100) for a flexible substrate in a processing apparatus which transfers, in the horizontal direction, a strip-shaped flexible substrate (1) in the upright attitude and processes the substrate by means of a processing section provided on the transfer path of the substrate is provided with: a pair of sandwiching rollers (131, 132) which sandwich the upper side end portion of the substrate; a supporting mechanism (140), which supports the pair of sandwiching rollers such that the rollers can rotate and can be in contact with or separated from each other; a pressing means (150) which applies a pressurizing force to the pair of sandwiching rollers via the supporting mechanism; and an adjusting means (160) which adjusts the pressurizing force to be applied by the pressing means. The pair of sandwiching rollers are supported such that the pressurizing directions with respect to the substrate surfaces on which the substrate is to be sandwiched are tilted toward the end side in the substrate width direction and that the rotating direction on such substrate surfaces is substantially the same as the transfer direction. The position controller suppresses sagging of the strip-shaped flexible substrate and generation of wrinkles, makes it possible to perform high-quality processing and is also applicable to transfer of the flexible substrate in the reverse direction.
B65H 23/025 - Positionnement, tension, suppression des à-coups ou guidage des bandes transversal par des dispositifs étireurs par des rouleaux
B65H 23/038 - Commande du positionnement transversal de la bande par des rouleaux
H01L 21/205 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c.-à-d. un dépôt chimique
H01L 31/04 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV]
36.
COLOR CONVERSION FILM AND MULTICOLOR EMISSION ORGANIC EL DEVICE INCLUDING COLOR CONVERSION FILM
Disclosed is a color conversion film for absorbing light from an organic EL light emitting portion emitting blue-green light and converting the absorbed light into visible light of longer wavelength. The color conversion film is composed of two kinds of pigments, namely a first pigment for absorbing light incident on the color conversion film and moving energy thereof to a second pigment, and a second pigment for receiving the energy from the first pigment and radiating light. The first pigment is a macromolecular pigment having an average molecular weight of 1,000-1,000,000. A multicolor emission organic EL device including a color conversion film of such a structure can achieve excellent conversion efficiency without increasing the thickness of the color conversion film like a conventional device of binder resin system.
H05B 33/12 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
37.
MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MEMORY DEVICE USING SAME
Provided are magnetic memory elements that have 4F2 size memory cells that realize cross-point memory. In a magnetic memory element (100), a first magnetic layer (22), a third magnetic layer (spin polarized layer) (27), an intermediate layer (21), a fourth magnetic layer (spin polarized layer) (26), and a second magnetic layer (20) are laminated in this order. The intermediate layer (21) is made of an insulator or a non-magnetic material. The second magnetic layer (20) is made of a ternary alloy of gadolinium, iron and cobalt, a binary alloy of gadolinium and cobalt or a binary alloy of terbium and cobalt, or the first magnetic layer (22) is made of a ternary alloy of terbium, iron and cobalt or a binary alloy of terbium and cobalt.
H01L 43/08 - Résistances commandées par un champ magnétique
H01F 10/16 - Métaux ou alliages contenant du cobalt
H01F 10/32 - Multicouches couplées par échange de spin, p. ex. superréseaux à structure nanométrique
H01L 21/8246 - Structures de mémoires mortes (ROM)
H01L 27/105 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive comprenant des composants à effet de champ
An organic EL element includes a cathode, a cathode buffer layer composed of a HAT derivative, an electron injection transport layer, and a light emitting layer arranged in this order from the substrate side. The organic EL element has remarkable advantages that (1) the electron injection transport performance of the electron injection transport layer is prevented from being deteriorated by oxygen and/or moisture adsorbed to the cathode and supply of electrons to the light emitting layer is assured, (2) the drive voltage of the organic EL element is reduced, (3) an increase of the drive voltage for giving a constant current density with the passage of the drive time is prevented, and (4) current leakage and occurrence of a pixel defect are suppressed, and the quality and fabrication yield of the organic EL element are improved.
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H05B 33/28 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions caractérisées par la composition ou la disposition du matériau conducteur utilisé comme électrode des électrodes translucides
A position control device (21, 5), which controls the horizontal position of a flexible substrate (1), is equipped with a pair (21) of upper nip rollers (24, 25), which are a pair of upper nip rollers that pinch the upper edge of the flexible substrate, and the rotational axis of which is each tilted so that the rotational direction at the nip thereof has a minute deflection angle (α) that is angled obliquely upward relative to the direction of travel of the flexible substrate, an upper support mechanism that comprises a moving and a fixed support member (26, 27), which support the pair of upper nip rollers to be able to rotate and be separated from one another, a spring (51), which impels, via the moving support member, one (25) of the upper nip rollers in the direction to press the roller against the other (24) of the upper nip rollers, and a drive means (56), which displaces the impeller member to adjust the nip pressure of the pair of upper nip rollers. Thus, a ribbon-shaped flexible substrate can be transported over long distances, while controlling sagging and wrinkling of the flexible substrate, and a constant horizontal position of the flexible substrate can be maintained, whereby high-quality processing can be accomplished.
B65H 23/025 - Positionnement, tension, suppression des à-coups ou guidage des bandes transversal par des dispositifs étireurs par des rouleaux
B65H 23/038 - Commande du positionnement transversal de la bande par des rouleaux
H01L 21/205 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c.-à-d. un dépôt chimique
H01L 31/04 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV]
Provided is a thin film solar cell manufacturing method including: a step for introducing a reaction gas into a reaction chamber (100); a step for applying a high frequency to a high frequency electrode (120) to generate plasma; and a step for using the plasma CVD method to form a photoelectric conversion layer (230) on a substrate (200). The method checks in advance a desired range as a range of the composition of the raw material gas to obtain the crystal content ratio as a ratio of the crystal and the microcrystal in the photoelectric conversion layer (230) to be in the range from 30% to 80%. In the step for forming the photoelectric conversion layer (230), the pressure in the reaction chamber (100) is adjusted to minimize the peak-to-peak voltage of the high frequency while controlling the composition of the raw material gas within the desired range.
H01L 31/04 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV]
H01L 21/205 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c.-à-d. un dépôt chimique
41.
MAGNETIC MEMORY ELEMENT AND NONVOLATILE STORAGE DEVICE
Provided is a magnetic memory element (8) having a spin valve structure formed by a free layer (5), a non-magnetic layer (4), and a pin layer (3). The free layer (5) has three-layer structure having a first magnetic layer (51), an intermediate layer (52), and a second magnetic layer (53) arranged in this order viewed from the non-magnetic layer (4). The first magnetic layer (51) is made from a ferromagnetic material. The intermediate layer (52) is made from a non-magnetic material. The second magnetic layer (53) is made from an N-type ferrimagnetic material having a magnetic compensation point in the storage holding temperature region. The magnetization direction of the first magnetic layer and that of the second magnetic layer are parallel to each other at the temperature lower than the magnetic compensation point Tcomp.
H01L 21/8246 - Structures de mémoires mortes (ROM)
G11C 11/15 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliersÉléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments magnétiques utilisant des éléments à pellicules minces utilisant des couches magnétiques multiples
H01L 27/105 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive comprenant des composants à effet de champ
H01L 43/08 - Résistances commandées par un champ magnétique
42.
COLOR CONVERSION FILTER PANEL FOR COLOR ORGANIC EL DISPLAY AND COLOR ORGANIC EL DISPLAY
A separation partition for partitioning formation regions of color conversion layers of different hues which are adjacently layered and arranged by the ink jet method has at least one cut-off portion on the tip end surface of the both end portions in the longitudinal direction extending outside a screen region. Provided is a color conversion filter panel having a separation partition structure which can prevent mixing of ink colors between adjacent color conversion layers at the end portions of the separation partition in the longitudinal direction when forming a color conversion layer by the ink jet method.
G09F 9/30 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
H01L 27/32 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H05B 33/10 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des sources lumineuses électroluminescentes
H05B 33/22 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions caractérisées par la composition chimique ou physique ou la disposition des couches auxiliaires diélectriques ou réfléchissantes
43.
ORGANIC EL DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
A long-term stable organic EL device using a protective layer with high visible light transmittance and excellent dampproof property and a method for manufacturing the same. The organic EL device comprises a substrate, an organic EL element formed on the substrate and including a lower electrode, an organic EL layer, an upper electrode, and a protective layer, and a protective substrate bonded onto the organic EL element by a bonding layer. The protective layer is a stack of a first layer closest to the upper electrode to an n-th layer (n is an integer of 3 or more). Each layer of the protective layer is made of silicon oxynitride or silicon nitride. Two adjacent layers of the protective layer have different chemical compositions. The first layer of the protective layer has a lower refractive index than the upper electrode. The n-th layer of the protective layer has a higher refractive index than the bonding layer. Regarding each integer k between 2 and n, the refractive index (k) of the k-th layer of the protective layer satisfies the relationship of refractive index (k-1) > refractive index (k).
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H05B 33/10 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des sources lumineuses électroluminescentes
44.
THIN FILM STRUCTURAL BODY AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
Characteristic deterioration, peeling and handleability of a thin film structural body are improved by holding a tensile force applied to a long substrate at a correct value in manufacture of the thin film structural body wherein a thin film is formed on the substrate. Provided is a method for manufacturing a thin film structural body, wherein a thin film having rigidity higher than that of a long substrate (2) is formed on the substrate (2). The substrate (2) is held by applying a tensile force in a range of substantially 3 MPa or less, and in thin film formation, the thin film is formed while pressing a heater (6), i.e., a heating means, to a portion where the film is to be formed on the substrate (2).
C23C 16/54 - Appareillage spécialement adapté pour le revêtement en continu
B32B 27/06 - Produits stratifiés composés essentiellement de résine synthétique comme seul composant ou composant principal d'une couche adjacente à une autre couche d'une substance spécifique
C23C 14/14 - Matériau métallique, bore ou silicium
C23C 14/20 - Matériau métallique, bore ou silicium sur des substrats organiques
C23C 14/56 - Appareillage spécialement adapté au revêtement en continuDispositifs pour maintenir le vide, p. ex. fermeture étanche
C23C 16/46 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour le chauffage du substrat
C23C 16/509 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques utilisant des décharges à radiofréquence utilisant des électrodes internes
H01L 31/04 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV]
45.
MAGNETIC MEMORY ELEMENT AND STORAGE DEVICE USING SAME
The present invention aims to secure thermal stability of magnetization even when a magnetic memory element is miniaturized. Disclosed is a magnetic memory element comprising a first magnetic layer (22), an insulating layer (21) arranged on the first magnetic layer (22) and a second magnetic layer (20) arranged on the insulating layer (21), wherein at least one of the first magnetic layer (22) and the second magnetic layer (20) is strained and deformed so as to extend in the direction of the easy axis of magnetization of the magnetic layer (22, 20), or alternatively, a compression stress (101) in an in-plane direction is left to remain in at least one of the first magnetic layer (22) and the second magnetic layer (20).
H01L 23/28 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
H01L 27/105 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive comprenant des composants à effet de champ
H01L 43/08 - Résistances commandées par un champ magnétique
46.
ORGANIC EL DEVICE AND PROCESS FOR PRODUCING THE ORGANIC EL DEVICE
Disclosed is an organic EL device that can maintain an excellent luminescence efficiency for a long period of time, particularly a top emission organic EL device. The organic EL device is characterized in that the organic EL device comprises a substrate and an organic EL element provided on the substrate, the organic EL element comprises a lower electrode, an organic EL layer, an upper electrode, and a protective layer, the protective layer is an SiON:H film, and, regarding peak area ratios in a stretching mode determined by infrared absorption spectrum measurement, the absorption area ratio of N-H bond to Si-N bond in the SiON:H film is more than 0.05 and not more than 0.07, and the absorption area ratio of Si-H bond to Si-N bond is not more than 0.15.
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
Disclosed is a green light-emitting color conversion film which can be produced by a low-cost wet process and is capable of maintaining a sufficient converted light intensity for a long time without having an increased thickness. The color conversion film contains a conjugated high-molecular-weight compound represented by general formula (1). Also disclosed is a multicolor light-emitting organic EL device which comprises: a pair of electrodes, at least one of which is a transparent electrode; an organic EL layer interposed between the pair of electrodes; and a color conversion film containing a conjugated high-molecular-weight compound.
H05B 33/12 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions
C08G 61/02 - Composés macromoléculaires contenant uniquement des atomes de carbone dans la chaîne principale de la molécule, p. ex. polyxylylènes
C09K 11/06 - Substances luminescentes, p. ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances organiques luminescentes
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
48.
DEGASIFICATION METHOD FOR POLYMER FILM SUBSTRATE AND DEGASIFICATION APPARATUS
Disclosed is a degasification method for preventing deterioration of film characteristics due to gas discharged from a polymer film substrate to be used in a thin-film solar cell. In the degasification method for polymer film substrates, a film substrate obtained by coating one or both surfaces of a flexible film with a metal or inorganic matter is degasified by being heated in a vacuum before forming a thin film on the surface of the film substrate by a vacuum process. The heating temperature is set at not less than 100˚C but not more than the decomposition temperature of the flexible film, and is preferably set at not less than 150˚C. The heating time is set at not less than 2 minutes, and is preferably set at not less than 5 minutes.
C08J 7/00 - Traitement chimique ou revêtement d'objets façonnés faits de substances macromoléculaires
H01L 31/04 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV]
Provided is a high-efficiency and long-life color conversion organic EL display without using a metal mask with a definition problem and an expensive laser scanner. The color conversion organic EL display comprises an organic EL substrate that includes a substrate; a lower reflecting electrode; a bank; an organic EL layer which consists of plural portions sandwiched between the lower reflecting electrode and an upper transparent electrode and separated by the bank and comprises at least a light-emitting layer consisting of a polymeric material; the upper transparent electrode; and a color conversion layer separated by the bank. The color conversion organic EL display is characterized in that the organic EL substrate is formed by aligning and bonding the EL substrate which comprises pixel regions separated by the bank, and a color filter substrate in which a black matrix and color filters are pattern-formed on a transparent substrate in a photo process and which comprises pixel regions separated by the black matrix, in such a manner that the pixel regions of the EL substrate and the pixel regions of the color filter substrate are opposite to each other.
H05B 33/12 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions
G09F 9/30 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
H01L 27/32 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H05B 33/22 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions caractérisées par la composition chimique ou physique ou la disposition des couches auxiliaires diélectriques ou réfléchissantes
50.
COLOR CONVERSION FILM USING POLYMERIC DYE, AND MULTICOLOR LIGHT EMITTING ORGANIC EL DEVICE
Provided are a color conversion film which can maintain sufficient conversion light intensity without increasing the thickness of the film, and a multicolor light emitting organic EL device using the color conversion film. The color conversion film includes a polymeric dye material composed of a first dye unit and a second dye unit. The first dye unit absorbs light inputted to the color conversion film and shifts energy of the absorbed inputted light to the second dye unit. The second dye unit receives the energy from the first dye unit and radiates light.
H05B 33/12 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
51.
METHOD FOR MANUFACTURING COLOR CONVERSION SUBSTRATE
Provided is a color conversion substrate manufacturing method comprising a step of forming at least two kinds of color filter layers for transmitting lights of different wavelength ranges, over a substrate, a step of forming a partition between the color filter layers, a step of forming such a color conversion layer over at least one kind of color filter layer by an ink jet method or an ink dispense method as absorbs a light of a predetermined wavelength and as outputs a light containing a wavelength different from the predetermined one, a step of covering the exposed portions of the partition and the color conversion layer with a protecting layer, and a step of polishing and flattening the partition and the protecting layer. The color conversion substrate thus manufactured by that method is combined with an organic EL element thereby to manufacture an organic EL display. In this case, it is possible to prevent a crosstalk phenomenon and to suppress the optical loss thereby to realize an excellent luminous efficiency of the display.
H05B 33/12 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H05B 33/10 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des sources lumineuses électroluminescentes
52.
ORGANIC EL DEVICE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
An organic EL device which can retain excellent luminescent efficiency over long, especially a top emission organic EL device. The organic EL device is characterized in that it comprises a substrate and an organic EL element formed on the substrate, that the organic EL element comprises a lower electrode, an organic EL layer, an upper electrode, and a protective layer, and that the protective layer is constituted of one or more inorganic films. It is further characterized in that at least one of the one or more inorganic films is an SiN:H film, and that the SiN:H film gives an infrared absorption spectrum in which the stretching-mode peak area ratio of the N-H bond to the Si-N bond in the SiN:H film is 0.06-0.1, excluding 0.06, and the stretching-mode peak area ratio of the Si-H bond to the Si-N bond is 0.12-0.17, excluding 0.12.
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H05B 33/10 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des sources lumineuses électroluminescentes
53.
SPIN VALVE ELEMENT AND ITS DRIVING METHOD AND STORAGE DEVICE EMPLOYING THEM
In a spin valve element having a pair of ferromagnetic layers (23, 25) of different coercive force sandwiching an insulator layer (24) or a nonmagnetic layer (51) in order to perform multilevel recording, the in-plane profile of the ferromagnetic layer (25) of weak coercive force is substantially made circular thus obtaining a spin valve element (1) provided with a plurality of insular nonmagnetic parts (IN, IE, Iw, IS). A storage device (10) is manufactured using such spin valve elements.
H01L 43/08 - Résistances commandées par un champ magnétique
G11C 11/15 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliersÉléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments magnétiques utilisant des éléments à pellicules minces utilisant des couches magnétiques multiples
H01L 21/8246 - Structures de mémoires mortes (ROM)
H01L 27/105 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive comprenant des composants à effet de champ
H01L 29/82 - Types de dispositifs semi-conducteurs commandés par la variation du champ magnétique appliqué au dispositif
54.
ORGANIC EL DISPLAY AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Provided is a top emission type organic EL display realizing an improved filling of resin filling material when an organic EL light emission panel is bonded to a color conversion filter panel via the resin filling material. A method for manufacturing the display is also disclosed. The organic EL display has a stripe-shaped ink jet partition arranged on the color conversion filter panel and a filling material introducing wall arranged between the longitudinal direction end of the ink jet partition and an external seal body.
H05B 33/12 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
A surface-emitting display device comprises a circuit substrate (110) in which a plurality of power lines (210) arranged in parallel, a power bus (220) to which the plurality of power lines (210) are connected, a plurality of pixel circuits (240) having an inner line (66) connected to the power line (210), and a plurality of light-emitting elements driven by transistors which the plurality of pixel circuits (240) comprise, respectively, are formed. The inner line (66) of the pixel circuit (240) constitutes a bypass path for the power line (210) to which the inner line is connected and constitutes a portion of wiring forming the transistor of the pixel circuit (240).
G09F 9/30 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
H01L 27/32 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
A spin valve element having a pair of ferromagnetic layers of different coercive force sandwiching an insulator layer or a nonmagnetic layer wherein the in-plane profile of the spin valve element is substantially made circular and a plurality of cuts (NS, NW, NE, NN) are provided in the fringe portion. Preferably, the profile of at least one cut is differentiated from others. A storage device employing such a spin valve element is also provided.
H01L 43/08 - Résistances commandées par un champ magnétique
G11C 11/15 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliersÉléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments magnétiques utilisant des éléments à pellicules minces utilisant des couches magnétiques multiples
H01L 21/8246 - Structures de mémoires mortes (ROM)
H01L 27/105 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive comprenant des composants à effet de champ
H01L 29/82 - Types de dispositifs semi-conducteurs commandés par la variation du champ magnétique appliqué au dispositif
57.
MAGNETIC MEMORY ELEMENT AND ITS DRIVING METHOD AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE
A magnetic memory element for storing information in a spin valve structure having a free layer (5), a pin layer (3) and a nonmagnetic layer (4) sandwiched between them wherein the free layer (5) is provided with other nonmagnetic layer (6) and a magnetic variation layer (7) having magnetic characteristics which varies depending on the temperature, and the spin valve structure is provided with a plurality of notches (NN, NE, NS, NW) including one notch of different shape in the circumferential edge portion.
H01L 21/8246 - Structures de mémoires mortes (ROM)
G11C 11/15 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliersÉléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments magnétiques utilisant des éléments à pellicules minces utilisant des couches magnétiques multiples
H01L 27/105 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive comprenant des composants à effet de champ
H01L 29/82 - Types de dispositifs semi-conducteurs commandés par la variation du champ magnétique appliqué au dispositif
H01L 43/08 - Résistances commandées par un champ magnétique
Provided is an organic electroluminescent (EL) element which has a structure which solves the trade-off between the problem of lowering the drive voltage and the problem of improving the yield. The organic EL element includes a substrate, a pair of electrodes provided on the substrate, and an organic electroluminescent layer interposed between the pair of electrodes. The pair of electrodes includes an anode and a cathode. The organic EL layer includes at least a light-emitting layer and a positive hole injection layer which is in contact with the anode. The positive hole injection layer is composed of an n-type semiconductor host material and a p-type semiconductor guest material, and features the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) level EHIC of the host material and the highest occupied molecular orbital (HOMO) level of the guest material or the equivalent electron band level EGV satisfying |EHIC| + 0.5 eV ³ |EGV| > |EHIC| - 0.6 eV.
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
A spin valve element in which intermediate layers (24, 51) comprising one insulator layer or non magnetic layer and a pair of ferromagnetic layers (23, 25) between which the intermediate layer is sandwiched are provided so as to reduce current for magnetic reverse and speed up operation and the magnetic coercive forces of the pair of ferromagnetic layers are different from each other, or a storage device using the spin valve element. The directions of magnetization facilitating axes (10, 12) of the pair of ferromagnetic layers are set to be different. Further, an angle between the magnetization facilitating axes is desirably set to be in a fixed range.
H01L 43/08 - Résistances commandées par un champ magnétique
H01L 21/8246 - Structures de mémoires mortes (ROM)
H01L 27/105 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive comprenant des composants à effet de champ
60.
METHOD FOR DRIVING ORGANIC EL PASSIVE MATRIX DEVICE AND ROW CIRCUIT THEREFOR
Provided is a row circuit for bringing an unselected line into a high-impedance state when an organic EL passive matrix device is driven. A row circuit (800) is provided with a first FET (801) with a drain terminal grounded, a second FET (802) with a source terminal connected to a source terminal of the first FET (801), a third FET (803) with a source terminal connected to a drain terminal of the second FET (802), a fourth FET (804) with a drain terminal connected to a drain terminal of the third FET (803) and a source terminal connected to a power supply voltage, and a logic (810) connected to gate terminals of the first to fourth FETs. The FETs which are opposite in direction to each other are inserted between an output line and a power supply line and a ground. In driving, the logic of the row circuit connected to the unselected line brings all of the first to fourth FETs into an off-state.
G09G 3/30 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents
G09G 3/20 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
There is provided a logic circuit with a simple configuration and a good current efficiency. The logic circuit comprises a two-terminal bistable switching element (1) having a characteristic of maintaining a state, a first switching element (25) having one end connected to one terminal of the two-terminal bistable switching element (1), a second switching element (29) having one end connected through a resistance element (27) to the other terminal of the two-terminal bistable switching element (1), and first and second pulse input terminals (33, 37) connected to one and the other terminals of the two-terminal bistable switching element (1), respectively. A bias voltage is applied between the other end of the first switching element (25) and the other end of the second switching element (29), and trigger pulses are input from the first and second pulse input terminals (33, 37).
H03K 3/313 - Générateurs caractérisés par le type de circuit ou par les moyens utilisés pour produire des impulsions par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs avec deux électrodes, une ou deux barrières de potentiel, et présentant une caractéristique de résistance négative
G11C 11/15 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliersÉléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments magnétiques utilisant des éléments à pellicules minces utilisant des couches magnétiques multiples
H03K 19/12 - Circuits logiques, c.-à-d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortieCircuits d'inversion utilisant des éléments spécifiés utilisant des redresseurs
Disclosed is a process for producing an organic EL element, comprising a first step of forming an organic EL luminescent part comprising a first electrode, an organic EL layer, and a second electrode in this order on a substrate and a second step of forming a semitransparent laminate formed of a half mirror and a transparent layer. The second step comprises (i) a stage of depositing a metal material to form a metal layer, and (ii) a stage of oxidizing the metal layer by a dry process to form a transparent layer formed of a metal oxide and a half mirror formed of a metal. According to the above constitution, the oxidation of the metal layer by a dry process can realize the formation of a good half mirror as a very thin and continuous film. This leads to the development of a high level of a microcavity resonance effect between the half mirror and a reflection electrode formed on the surface of an organic EL luminescent layer on the side opposed to half mirror, whereby, for example, a desired light enhancing effect can be attained and an organic EL element, which can realize high definition and excellent visibility, can be provided.
H05B 33/10 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des sources lumineuses électroluminescentes
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H05B 33/24 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions caractérisées par la composition chimique ou physique ou la disposition des couches auxiliaires diélectriques ou réfléchissantes des couches réfléchissantes métalliques
Provided is a planar light emission type display device including: a plurality of power supply lines (21) respectively connected to a plurality of pixel circuits; and a power supply bus (22) having a power supply terminal (23) and connected to respective end portions of the power lines (21) at a predetermined interval. The power supply bus (22) has one or more slits (61) extending from the power supply terminal (23) toward the end portions in the length direction thereof.
G09F 9/30 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
H01L 27/32 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H05B 33/26 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions caractérisées par la composition ou la disposition du matériau conducteur utilisé comme électrode
Provided is a high efficiency organic EL element wherein the probability of carrier recombination in an emission layer is prevented from declining without increasing the number of materials in an emission layer and the number of lamination layers composing an element. An organic EL element comprises a substrate, a pair of electrodes provided on the substrate, and an organic EL layer provided between the pair of electrodes, wherein the organic EL layer has at least an emission layer and a hole transport layer, the emission layer consists of first and second regions adjoining the hole transport layer, and at least one kind of one or a plurality of kinds of emission dopants is characterized in that (a) the concentration in the first region is higher than the concentration in the second region, and that (b) the ionization potential is higher than the ionization potential of the material of hole transport layer and lower than the ionization potential of the host material of emission layer.
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H05B 33/12 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions
Provided is a method for creating a low-cost high-definition color conversion layer using the ink jet method, said layer having a consistent thickness and not bleeding into adjacent subpixels. A color conversion filter (1000) is characterized by being formed with a bank layer (60) that includes a layer with protrusions (60A) which has a plurality of gently-curved protrusions (63), each of which has a first layer (61) and a second layer (62), said protrusions (63) existing discretely on a substrate.
G09F 9/30 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H05B 33/12 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions
Disclosed is an image display device that can reduce the time until images are displayed and that can display images faster. The image display device disclosed in the present invention has a plurality of pixel drive circuits equipped with organic EL elements and drive elements that drive the organic EL elements, and displays images corrected with correction data read from the drive elements. The image display device disclosed in the present invention is equipped with a correction data reading means that reads the correction data from the drive elements prior to display of an image, and a correction data writing means for directly writing the correction data that are read into a correction memory. A DMA function is realized by the correction data reading means and the correction data writing means, and images that are corrected based on the correction data read from the correction memory are displayed.
G09G 3/30 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents
G09G 3/20 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
An active matrix display device which can be reduced in variation of brightness due to an initial variation and a change over time of a transistor for driving a light emitting element inside a pixel circuit of the display device. The display device includes pixel circuits each of which is equipped with an input circuit into which an input current proportional to a current in the light emitting element can be caused to flow, a measurement circuit, and a gradation voltage supplying circuit. The measurement circuit supplies by time division one or more constant currents to the input circuit of each pixel circuit by a constant current supplying circuit which can supply one or more constant currents to the input of each pixel circuit, and A/D converts the output voltages of the corresponding current supplying circuits. Then, the measurement circuit performs predetermined operations on the A/D-converted data to calculate data about the threshold value and electron mobility of the transistor for driving and stores the data by pixel circuit. The gradation voltage supplying circuit is inputted with gradation representation data inputted into a display device and electron mobility-related data received from the measurement circuit and multiplies them, and adds the threshold value received from the measurement circuit to the multiplication value to generate a voltage for display, and then supplies it to the input of each pixel circuit.
G09G 3/30 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents
G09G 3/20 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
68.
FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT AND DRIVING METHOD OF FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT
A tunnel junction element having a ferromagnetic free layer, an insulating film and a ferromagnetic fixed layer for reducing current required for effecting a spin-injection magnetization reversal behavior in the tunnel junction element, wherein the ferromagnetic free layer includes a first and second ferromagnetic layers, between which a nonmagnetic metal layer is provided, the nonmagnetic metal layer being capable of keeping magnetic linkage between the first and second ferromagnetic layers and affecting no influence over crystal growth of the respective first and second ferromagnetic layers, and the first and second ferromagnetic layers are characterized in that the first ferromagnetic layer is disposed so as to come into contact with the insulating layer, and the second ferromagnetic layer is less magnetized than the first ferromagnetic layer.
H01L 43/08 - Résistances commandées par un champ magnétique
G11B 5/39 - Structure ou fabrication de têtes sensibles à un flux utilisant des dispositifs magnétorésistifs
H01F 10/32 - Multicouches couplées par échange de spin, p. ex. superréseaux à structure nanométrique
H01L 21/8246 - Structures de mémoires mortes (ROM)
H01L 27/105 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive comprenant des composants à effet de champ
Disclosed is a low-cost organic EL display and the manufacturing method thereof with which the number of parts and the number of processing steps can be reduced, and with which the infiltration of moisture from adhesion sites can be prevented. The organic EL display (100) comprises a support substrate (10), an organic EL element (20) formed thereon and including a lower electrode (11), an organic layer (12) and an upper electrode (13), and a sealing substrate (30) arranged at a prescribed interval and opposite to the support substrate (10), wherein the support substrate (10) and the sealing substrate (30) are bonded together. There are a protruding sealing member (14), which is formed at the perimeter of the support substrate (10) surrounding the organic EL element (20), and a sealing film (15), which is formed on the upper electrode (13), the support substrate (10), and the sealing member (14) or on the upper electrode (13), the lower electrode (11), the support substrate (10), and the sealing member (14), and the sealing substrate (30), which is adhered to the support substrate (10) by means of an adhesive layer (16) that is formed on the side of the sealing member (14), is in contact with the support substrate (10) at the location where the sealing film (15) is formed on the sealing member (14).
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H05B 33/10 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des sources lumineuses électroluminescentes
70.
MAGNETIC MEMORY ELEMENT, METHOD FOR DRIVING SAME, AND NONVOLATILE STORAGE
To obtain a 4F2-size memory cell for implementing a cross point memory, a magnetic memory element with a spin-valve structure including a free layer (5), a nonmagnetic layer (4), and a pinned layer (3) is used. The pinned layer or free layer includes an n-type ferrimagnet. The magnetic compensation point of the n-type ferrimagnet is lower than the temperature of the pinned layer reached when some write pulse for controlling a combination of magnetizations of the free layer and the pinned layer is applied and higher than the temperature of the pinned layer reached when another write pulse is applied. These write pulses can have the same polarity.
H01L 21/8246 - Structures de mémoires mortes (ROM)
G11C 11/15 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliersÉléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments magnétiques utilisant des éléments à pellicules minces utilisant des couches magnétiques multiples
H01L 27/105 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive comprenant des composants à effet de champ
H01L 43/08 - Résistances commandées par un champ magnétique
71.
ORGANIC EL DISPLAY AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME
Disclosed are an organic EL display and a manufacturing method for the same wherein the organic EL display can be operated stablyy over a long period of time through the use of a protective film that is highly resistant to moisture and that has a small extinction coefficient, which is the rate of light absorption. The organic EL display comprises a supporting substrate (10), an organic EL device (20) that includes arranged thereupon a lower electrode (11), an organic layer (12), and an upper electrode (13), and a protective layer (14) formed on the EL device. Protective layer (14) consists of one or more layers of inorganic films, of which at least one layer is a silicon nitride film that contains hydrogen, and in whichi the ratio of hydrogen within the silicon nitride film is 30at% or less.
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H05B 33/10 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des sources lumineuses électroluminescentes
72.
ORGANIC EL DISPLAY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
An organic EL display has a substrate; a color conversion filter section including a planarized layer and at least one kind of color conversion layer; an organic EL element section having a plurality of luminescent sections, which define a plurality of sub-pixels; and an interface in the uneven form between the substrate and the planarized layer, wherein the uneven form has uneven density different for each of the sub-pixels. In such an arrangement, the top surface of the substrate has a predetermined form for each of the sub-pixels defined by the luminescent sections on the organic EL element section to make a fine adjustment of the directivity of light among different color sub-pixels, thereby preventing variation in the luminescent colors depending on viewing field angles at high levels.
G09F 9/30 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
H01L 27/32 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H05B 33/10 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des sources lumineuses électroluminescentes
H05B 33/12 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions
73.
Semiconductor device having insulated gate semiconductor element, and insulated gate bipolar transistor
A semiconductor device having an IGBT includes: a substrate; a drift layer and a base layer on the substrate; trenches penetrating the base layer to divide the base layer into base parts; an emitter region in one base part; a gate element in the trenches; an emitter electrode; and a collector electrode. The one base part provides a channel layer, and another base part provides a float layer having no emitter region. The gate element includes a gate electrode next to the channel layer and a dummy gate electrode next to the float layer. The float layer includes a first float layer adjacent to the channel layer and a second float layer apart from the channel layer. The dummy gate electrode and the first float layer are coupled with a first float wiring on the base layer. The dummy gate electrode is isolated from the second float layer.
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
74.
MAGNETIC MEMORY ELEMENT, METHOD FOR DRIVING THE MAGNETIC MEMORY ELEMENT, AND NONVOLATILE STORAGE DEVICE
A magnetic memory element (10) is provided with a spin valve structure having a free layer (5), a nonmagnetic layer (4) and a pin layer (3) so as to provide a cross-point type memory. The magnetic memory element is provided with another nonmagnetic layer (6) on one surface of the free layer (5), and furthermore, a magnetic changing layer (7) whose magnetic characteristics change depending on temperature so as to sandwich the nonmagnetic layer (6) with the free layer (5). In the magnetic changing layer, magnetization intensity increases depending on temperature, and the magnetic layer wherein magnetization direction is diagonal to a film surface may be arranged thereon.
H01L 21/8246 - Structures de mémoires mortes (ROM)
G11C 11/15 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliersÉléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments magnétiques utilisant des éléments à pellicules minces utilisant des couches magnétiques multiples
H01L 27/105 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive comprenant des composants à effet de champ
H01L 43/08 - Résistances commandées par un champ magnétique
75.
DRIVE DEVICE OF ORGANIC EL PASSIVE MATRIX DEVICE AND DRIVE METHOD OF THE SAME
To provide a drive device of an organic EL passive matrix device of which luminance decrease and luminance nonuniformity are reduced even when a drive method with which an impedance of a scanning line of a section in which the organic EL passive matrix device is not driven is made high is used and a drive method of the same. Each drive section of a column driver (21) comprises a push-pull output, a delay circuit (22-1 to 22-3), a differential circuit (23-1 to 23-3) and a current injection circuit (24-1 to 24-3). The delay circuit (22-1 to 22-3), a typical example is an integration circuit, delays a voltage of an anode by a predetermined time and performs averaging. The differential circuit (23-1 to 23-3) outputs a difference between the output of the delay circuit (22-1 to 22-3) and the original voltage of the anode. The current injection circuit (24-1 to 24-3) injects a complementary current (Ic) whose amount is corresponding to the difference amount to the anode in addition to a main current (I).
G09G 3/30 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents
G09G 3/20 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
76.
SPIN-VALVE ELEMENT DRIVING METHOD, AND SPIN-VALVE ELEMENT
Disclosed are a spin-valve element, in which a pair of ferromagnetic layers have different coercive forces so that the spin-valve element may be driven to oscillate microwaves with a weakened external magnetic field or no external magnetic field being applied, and a spin-valve element driving method for acquiring an electromagnetic signal from the spin-valve element. A stationary layer or a ferromagnetic layer having a higher coercive force of the paired ferromagnetic layers is magnetized substantially normal to the film face of the stationary layer, so that an electric current flows from one of the paired ferromagnetic layers to the other through an intermediate layer. At this driving time, a set of the value of the magnitude of the external magnetic field and the value of the electric current to be fed to the spin-valve element is made to satisfy a predetermined condition. Of the paired ferromagnetic layers, alternatively, the free layer or the ferromagnetic layer having a lower coercive force is made to have the physical property capable of realizing that condition.
H03B 15/00 - Production d'oscillations par effets galvanomagnétiques, p. ex. dispositifs à effet Hall, dispositifs utilisant les effets de spin de transfert, dispositifs utilisant la magnétorésistance géante, ou par effets de supraconduction
H01L 43/08 - Résistances commandées par un champ magnétique
H01L 29/82 - Types de dispositifs semi-conducteurs commandés par la variation du champ magnétique appliqué au dispositif
Disclosed is an organic EL device having low driving voltage and high luminous efficiency. Specifically disclosed is an organic EL device wherein a hole injection layer, a hole transport layer, a light-emitting layer, an electron transport layer and an electron injection layer are arranged between an anode and a cathode. This organic EL device is characterized in that the hole injection layer is obtained by doping a hole injection layer material with an electron accepting impurity, and the ionization potential Ip (HIL) of the hole injection layer material of the hole injection layer, the ionization potential Ip (HTL) of the hole transport layer material, and the ionization potential Ip (EML) of the light-emitting layer material satisfy the following relation: Ip(EML) > Ip(HTL) ≥ Ip(HIL) ≥ Ip(EML) - 0.4 eV.
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
This invention provides a process for producing a thin-film transistor comprising a channel layer formed of microcrystalline silicon at low cost. An intrinsic microcrystalline silicon layer (404) with a thin-film transistor (400) can be formed as follows. After the formation of a gate insulating layer (103), the surface of the gate insulating layer (103) is treated with plasma by allowing hydrogen to flow for a predetermined period of time. Subsequently, during the plasma treatment, a starting material gas is introduced to form an intrinsic microcrystalline silicon layer (404) formed of an intrinsic microcrystalline silicon on the gate insulating layer (103). The microcrystalline silicon is formed in such a manner that silicon is activated in the sea of hydrogen and is aggregated. Accordingly, in the process, the surface of the gate insulating layer (103) is filled with hydrogen for activation, and, in this state, silicon is introduced.
H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
H01L 21/205 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c.-à-d. un dépôt chimique
Provided are a drive method and a drive device for an organic EL display, which can acquire a necessary brightness without causing any irregularity in an image, even if a distortion of a waveform due to a crosstalk may occur between anode signal lines. The drive method and the drive device for the organic EL display employ the passive matrix drive of a pulse width modulation type for setting the cathode signal lines and anode signal lines unselected, to a high-impedance state. Before the organic EL display is driven, correction data is calculated from both the number of signal lines shifted from an H-level to an L-level and the number of signal lines left at the H-level, thereby to calculate the distortion of the drive waveforms due to the crosstalk of the anode signals. The correction data calculated is added to the H-level signal and stored, and is multiplied by a predetermined correction coefficient so that the data of the anode signals is generated to change the pulse width.
G09G 3/30 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents
G09G 3/20 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
80.
DRIVING METHOD AND DRIVING DEVICE FOR ORGANIC EL PASSIVE MATRIX ELEMENT
Provided are a method and a device for driving an organic EL passive matrix element, which reduce a precharge current thereby to reduce the power consumption. In the method and device, the organic EL passive matrix element is driven by both a column driver having a constant-current circuit and a row driver for changing selected lines sequentially, thereby to set the unselected line of a cathode to a high impedance. Diodes are inserted in parallel on such a side of the row driver as to output a cathode voltage, thereby to prevent the inflow of an electric current in a column direction in all the unselected lines. If MOSFETs are serially connected in place of the diodes in the reverse direction, it is also possible to control the inflow of the electric current in the unselected line in the column direction.
G09G 3/30 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents
G09G 3/20 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
81.
METHOD FOR FORMING PATTERN OF PROTRUSIONS AND RECESSES IN PATTERNED MEDIA TYPE MAGNETIC RECORDING MEDIUM
In a method for producing a patterned media type magnetic recording medium, the magnetic recording medium is produced by partially processing the magnetic layer of a magnetic recording medium where at least a magnetic layer and a protective layer are formed sequentially on a substrate and forming a pattern of protrusions and recesses. The magnetic recording medium has a first mask layer and a resin mask layer sequentially on the protective layer. The method comprises a step for partially processing and removing the resin mask layer and the first mask layer of the magnetic recording medium, a step for partially processing and removing the protective layer not masked and the magnetic layer, and a step for removing the resin mask layer together with the first mask layer by using a gas component reacting only to the unremoved first mask layer material.
G11B 5/84 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication de supports d'enregistrement
G11B 5/65 - Supports d'enregistrement caractérisés par l'emploi d'un matériau spécifié comportant uniquement le matériau magnétique, sans produit de liaison caractérisé par sa composition
G11B 5/855 - Revêtement d'une partie seulement d'un support avec une couche magnétique
Intended is to prevent the overheat of a spin valve element. Provided is a driving method for feeding the spin valve element with a drive current thereby to acquire an oscillating signal. The driving method comprises the step of subjecting the drive current to an amplitude modulation with a frequency lower than the oscillation frequency of an oscillation signal. That amplitude modulation can be made into an ON-OFF modulation, and the period (ton) of the conducting state of the ON-OFF modulation is made to satisfy a relation of ton ឬ D2/α, if the a thermally diffusive portion has a thermal diffusivity (α) and a thickness (D).
H03K 3/02 - Générateurs caractérisés par le type de circuit ou par les moyens utilisés pour produire des impulsions
H01L 29/82 - Types de dispositifs semi-conducteurs commandés par la variation du champ magnétique appliqué au dispositif
H01L 43/08 - Résistances commandées par un champ magnétique
H03B 15/00 - Production d'oscillations par effets galvanomagnétiques, p. ex. dispositifs à effet Hall, dispositifs utilisant les effets de spin de transfert, dispositifs utilisant la magnétorésistance géante, ou par effets de supraconduction
H03K 3/45 - Générateurs caractérisés par le type de circuit ou par les moyens utilisés pour produire des impulsions par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs magnétiques ou diélectriques non linéaires
Impedance matching in a element which performs high-frequency oscillation can be performed as follows. Parallel or series magnetic element groups each having a plurality of magnetic elements in which an intermediate layer formed by an insulating material or a non-magnetic material is sandwiched by a pair of ferromagnetic layers are further combined in series or in parallel so as to obtain spin-valve elements. By using magnetic element groups connected by a combination of parallel and series connection, the spin-valve elements can have an impedance matched to a desired value. Furthermore, by manufacturing a spin-valve element by using a porous film, it is possible to realize a single magnetic domain structure in each of the magnetic elements without using a sophisticated lithography.
H01L 29/82 - Types de dispositifs semi-conducteurs commandés par la variation du champ magnétique appliqué au dispositif
H01L 43/08 - Résistances commandées par un champ magnétique
H01L 43/12 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou le traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H03B 15/00 - Production d'oscillations par effets galvanomagnétiques, p. ex. dispositifs à effet Hall, dispositifs utilisant les effets de spin de transfert, dispositifs utilisant la magnétorésistance géante, ou par effets de supraconduction
In order to increase the power which can flow into a spin-valve element, an insulating layer (24) or a non-magnetic layer (51) is sandwiched by ferromagnetic layers (23, 25) and a porous layer (10(10')) having a plenty of micro pores is arranged in contact with one of the ferromagnetic layer or between the ferromagnetic layers via other layer. Thus, it is possible to increase the power of the microwave when oscillating a microwave by a spin-valve element, for example, without using a magnetic multi-layered film of a wide-region single magnetic domain.
H01L 29/82 - Types de dispositifs semi-conducteurs commandés par la variation du champ magnétique appliqué au dispositif
H01L 43/08 - Résistances commandées par un champ magnétique
H03B 15/00 - Production d'oscillations par effets galvanomagnétiques, p. ex. dispositifs à effet Hall, dispositifs utilisant les effets de spin de transfert, dispositifs utilisant la magnétorésistance géante, ou par effets de supraconduction
85.
COLOR CONVERSION FILTER, AND PROCESS FOR PRODUCING COLOR CONVERSION FILTER AND ORGANIC EL DISPLAY
This invention provides a process for producing a color conversion filter using an ink jet recording method, which can form a color conversion layer at a desired position without the need to separately form partition walls, and a process for producing an organic EL display. The process for producing a color conversion filter is characterized by comprising (a) the step of forming a black matrix having a plurality of opening parts on a transparent substrate, (b) the step of forming at least two types of color filter layers independently of each other, at least two of the color filter layers being superimposed on top of each other, on a black matrix to which dissimilar color filter layers are adjacent, to form a partition wall, and (c) the step of forming a color conversion layer by ink jet recording onto at least one of the color filter layers.
G09F 9/00 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels
G09F 9/30 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
H01L 27/32 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H05B 33/10 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des sources lumineuses électroluminescentes
H05B 33/22 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions caractérisées par la composition chimique ou physique ou la disposition des couches auxiliaires diélectriques ou réfléchissantes
This invention provides a magnetic recording medium comprising a nonmagnetic substrate and at least a magnetic layer, a protective layer, and a lubricating layer provided on the nonmagnetic substrate. The magnetic recording medium is characterized in that the lubricating layer is formed of a lubricating agent represented by general formula (1), (2) or (3), substituents R1, R2, R3, and R4 in the lubricating agent represent an organic group, at least one of the substituents R1 and R2 at the end part of the lubricating agent and the substituents R3 and R4 contain a plurality of functional groups, and the shortest distance between the functional groups is a distance of three or more atoms, preferably five atoms. The magnetic recording medium may be used for a heat assisted recording method in which the temperature of the magnetic layer reaches 150°C to 200°C. The magnetic recording medium is characterized in that the amount of the lubricating agent volatilized in the lubricating layer is less than 10% of the initial layer thickness.
An MTJ element requiring a small current value for writing, and an MRAM and a spin transistor of low power consumption employing such MTJ element. The ferromagnetic tunnel junction element has such a structure as a ferromagnetic fixed layer including at least one ferromagnetic layer, an insulating layer, and a ferromagnetic free layer including at least one first ferromagnetic layer are laminated sequentially. The insulating layer is formed of MgO, the first ferromagnetic layer is an (Fe, Co, Ni)SiB ferromagnetic layer, the first ferromagnetic layer is contiguous to the insulating layer, the insulating layer and the first ferromagnetic layer are composed of single crystal or microcrystal and forming an epitaxial junction.
H01L 43/08 - Résistances commandées par un champ magnétique
H01F 10/16 - Métaux ou alliages contenant du cobalt
H01F 10/32 - Multicouches couplées par échange de spin, p. ex. superréseaux à structure nanométrique
H01L 21/8246 - Structures de mémoires mortes (ROM)
H01L 27/105 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive comprenant des composants à effet de champ
H01L 29/82 - Types de dispositifs semi-conducteurs commandés par la variation du champ magnétique appliqué au dispositif
Disclosed is a perpendicular magnetic recording medium which enables to reduce noises to achieve a higher recording density. The perpendicular magnetic recording medium comprises a non-magnetic substrate (1), and at least a soft magnetic layer (2), a first orientation control layer (3), a second orientation control layer (4), a non-magnetic intermediate layer (5), a magnetic recording layer (6) and a protective layer (7) laminated on the substrate (1) in this order. The first orientation control layer (3) comprises a thin film having an fcc structure. The magnetic recording layer (6) comprises at least one thin film which comprises a ferromagnetic crystal grain mainly composed of a ferromagnetic CoPt alloy and a non-magnetic grain boundary mainly composed of an oxide and surrounding the crystal grain. The non-magnetic intermediate layer (5) comprises a thin film made of Ru or a Ru-containing alloy. The second orientation control layer (4) comprises an alloy thin film comprising at least one or more elements selected from Ni and Fe and having an fcc structure, and has a saturation flux density [Bs] of 1 T or less, preferably 0.5 T or less.
G11B 5/738 - Couches de base caractérisées par la couche intermédiaire
G11B 5/65 - Supports d'enregistrement caractérisés par l'emploi d'un matériau spécifié comportant uniquement le matériau magnétique, sans produit de liaison caractérisé par sa composition
G11B 5/667 - Supports d'enregistrement caractérisés par l'emploi d'un matériau spécifié comportant uniquement le matériau magnétique, sans produit de liaison les supports d'enregistrement étant constitués par plusieurs couches magnétiques comprenant une couche magnétique douce
Provided is a vertical magnetic recording medium on which recording is more easily performed without deteriorating thermal stability. In the vertical magnetic recording medium, at least a soft magnetic lining layer (2), a base layer (3) and a magnetic recording layer are sequentially laminated on a nonmagnetic base body (1). The magnetic recording layer is provided with at least a first magnetic recording layer (5), a second magnetic recording layer (7) and a third magnetic recording layer (8). A coupling layer (6) is arranged between the first magnetic recording layer (5) and the second magnetic recording layer (7). The first magnetic recording layer (5) and the second magnetic recording layer (7) having the coupling layer (6) in between are ferromagnetically coupled and are composed of a granular structure. The first magnetic recording layer (5), the second magnetic recording layer (7) and the third magnetic recording layer (8) have magnetization easy axes in a direction vertical to the nonmagnetic base body surface.
G11B 5/66 - Supports d'enregistrement caractérisés par l'emploi d'un matériau spécifié comportant uniquement le matériau magnétique, sans produit de liaison les supports d'enregistrement étant constitués par plusieurs couches magnétiques
G11B 5/65 - Supports d'enregistrement caractérisés par l'emploi d'un matériau spécifié comportant uniquement le matériau magnétique, sans produit de liaison caractérisé par sa composition
G11B 5/738 - Couches de base caractérisées par la couche intermédiaire
Disclosed is a perpendicular magnetic recording medium which enables to improve SNR to achieve a higher recording density. The medium comprises a non-magnetic substrate (1), and at least a soft magnetic layer (2), a first orientation control layer (3), a non-magnetic intermediate layer (5), a perpendicular magnetic recording layer (6) and a protective layer (7) laminated on the substrate (1) in this order. The first orientation control layer (3) comprises a thin film having an fcc structure. The non-magnetic intermediate layer (5), which contacts with the perpendicular magnetic recording layer (6), comprises a thin film having an hcp structure and preferably made of Ru or a Ru-containing alloy. The magnetic recording layer (6) preferably comprises a granular magnetic layer which comprises a ferromagnetic crystal grain mainly composed of a ferromagnetic CoPt alloy and a non-magnetic grain boundary mainly composed of an oxide and surrounding the crystal grain. A second orientation control layer (4) comprising an alloy containing at least Co and Cr is arranged between the first orientation control layer (3) and the non-magnetic intermediate layer (5) so as to contact with the non-magnetic intermediate layer (5).
G11B 5/738 - Couches de base caractérisées par la couche intermédiaire
G11B 5/65 - Supports d'enregistrement caractérisés par l'emploi d'un matériau spécifié comportant uniquement le matériau magnétique, sans produit de liaison caractérisé par sa composition
G11B 5/667 - Supports d'enregistrement caractérisés par l'emploi d'un matériau spécifié comportant uniquement le matériau magnétique, sans produit de liaison les supports d'enregistrement étant constitués par plusieurs couches magnétiques comprenant une couche magnétique douce
91.
METHOD OF PATTERNING COLOR CONVERSION LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC EL DISPLAY USING THE PATTERNING METHOD
A method of patterning a color conversion layer for an organic EL device is provided together with a method of manufacturing a multiple color emitting organic EL display using the patterning method. The patterning method includes forming the color conversion layer on a base having an organic layer and patterning the color conversion layer by carrying out a thermal cycle nano imprint technique.
H05B 33/10 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des sources lumineuses électroluminescentes
G09F 9/00 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels
G09F 9/30 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
H01L 27/32 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H05B 33/12 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions
92.
ELECTRONIC CIRCUIT DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
Provided is an electronic circuit device wherein a pair of substrates are arranged in the vertical direction and the periphery of the lower substrate is filled with a filling material. The electronic circuit device is small and low-cost, with high vibration resistance and high reliability of the upper substrate. The electronic circuit device is provided with a lower substrate (5) whereupon a main circuit is formed; an upper substrate (6) whereupon a drive control circuit is formed for drive-controlling the main circuit; and a resin case (3), which has an external extraction terminal (9) of the main circuit and the drive control circuit on an external surface of a peripheral section, and has a substrate storing space inside the peripheral section. A space above the lower substrate (5) is filled with the filling material by arranging the upper substrate (6) above the lower substrate (5). The filling material is composed of a resin, and a supporting body (2), which is positioned and fixed above the lower substrate with the resin in a cured state, is arranged, and the upper substrate (6) is fixed and supported by the supporting body (2).
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans la sous-classe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs différents groupes principaux de la même sous-classe , , , , ou
Provided is an organic EL display which has excellent adhesiveness with other materials and leak repairability, and can be driven with a low voltage. In the organic EL display, an anode (5), an organic EL layer (6) including an organic light emitting layer and a cathode (9) are arranged on a substrate (1) in this order, and a color conversion layer (2) and a gas barrier layer (4) are arranged between the substrate (1) and the anode (5). The cathode (9) is composed of an electron injection metal layer (7), which reflects light and is brought into contact with the organic EL layer, and a metal coat layer (8) which is not directly in contact with the organic EL layer.
H05B 33/26 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions caractérisées par la composition ou la disposition du matériau conducteur utilisé comme électrode
H05B 33/12 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
94.
CREAM SOLDER AND METHOD OF SOLDERING ELECTRONIC PART
A cream solder obtained by kneading an Sn-Ag-Cu alloy together with a flux, wherein the Sn-Ag-Cu alloy comprises a mixture of a first powdery alloy and a second powdery alloy, the first powdery alloy is represented by an Sn-Ag phase diagram having a solid-liquid coexistence region and has a given silver amount which is larger than that in the eutectic composition (3.5 wt.% silver), and the second powdery alloy has a silver amount which is that in the eutectic composition (3.5 wt.% silver) or which is close to that in the eutectic composition and is smaller than that in the first powdery alloy. This cream solder is excellent in strength and thermal stability and has satisfactory bonding properties. It is based on an inexpensive Sn-Ag-Cu solder alloy. It is suitable for use as a high-temperature-side lead-free solder material conformable to temperature gradation bonding. Also provided is a method of soldering an electronic part.
Disclosed is an oxide semiconductor having an amorphous structure, wherein higher mobility and reduced carrier concentration are achieved. Also disclosed are a thin film transistor, a method for producing the oxide semiconductor, and a method for producing the thin film transistor. Specifically disclosed is an oxide semiconductor which is characterized by being composed of an amorphous oxide represented by the following general formula: Inx+1MZny+1SnZO(4+1.5x+y+2z) (wherein M is Ga or Al, 0 ≤ x ≤ 1, -0.2 ≤ y ≤ 1.2, z ≥ 0.4 and 0.5 ≤ (x + y)/z ≤ 3). This oxide semiconductor is preferably subjected to a heat treatment in an oxidizing gas atmosphere after film formation. Also specifically disclosed is a thin film transistor which is characterized by comprising the oxide semiconductor.
An object of the present invention is to provide an electrophotographic photoconductor that achieves improved stability of electrical performances and prevents generation of image faults such as memories, irrespective of types of organic materials of resin binder and charge transport material, and variation of temperature and humidity of the operation environment. An electrophotographic photoconductor comprises at least a photosensitive layer formed over a conductive substrate, wherein the photosensitive layer contains a cyclohexane dimethanol-diaryl ester compound represented by the formula (I): in formula (I), each of R1 through R10 represents independently, a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group of carbon number of from 1 to 5, a substituted or unsubstituted aryl group, or a substituted or unsubstituted alkoxy group of carbon number of from 1 to 5.
G03G 5/05 - Matériaux de liaison organiquesMéthodes d'enduction d'un substrat avec une couche photoconductriceAdditifs inertes utilisables dans des couches photoconductrices
G03G 5/14 - Couches intermédiaires ou de recouvrement inertes pour les couches recevant la charge
Disclosed is a compound having excellent electron transporting ability, which is useful for electrophotographic photosensitive bodies or organic EL devices. Also disclosed is a highly sensitive, positive charge type electrophotographic photosensitive body for copying machines and printers, wherein the novel organic material is used as a charge-transporting material in a photosensitive layer. Further disclosed is an electrophotographic apparatus using such a positive charge type electrophotographic photosensitive body. Specifically disclosed is a novel quinone compound having a structure represented by the general formula (I) below. Also specifically disclosed is an electrophotographic photosensitive body having a photosensitive layer formed on a conductive base and containing a charge-generating material and a charge-transporting material, wherein the photosensitive layer contains at least one of the above-described compounds. (I)
G03G 5/06 - Couches photoconductricesCouches de génération de charges ou couches de transport de chargesAdditifs à cet effetLiants à cet effet caractérisées par le fait que leur matériau photoconducteur est organique
98.
THIN FILM FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
A thin film transistor which can prevent FET characteristics from deteriorating even when a channel is short, and a method for manufacturing such thin film transistor are provided. The thin film field effect transistor is provided with a substrate (10); a gate electrode (11); a gate insulating film (12) arranged on the gate electrode; a source electrode (15) and a drain electrode (14) arranged at a prescribed interval on the gate insulating film; and an organic electronic material layer (13), which is arranged on the gate insulating film in electrical contact with the source electrode and the drain electrode. In the organic electronic material layer, at last on a part of an interface between the source electrode and the organic electronic material layer and an interface between the drain electrode and the organic electronic material layer, an acid, an acid derivative and/or a reactive product of an acid and the organic electronic material exists.
H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
H01L 21/28 - Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 51/05 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
It is possible to prevent generation of micro-particles by friction between a storage disc and a package. The package includes a container body (1), a lower cover (2), and an upper cover (3). The container body (1) is a bottom-less and cover-less square container having holding grooves (15) at both side surfaces (4, 4) for inserting a storage disc D. The storage disc D has a circular shape and is contained in a row in the longitudinal direction of the container body (1). The lower cover (2) covers the lower opening of the container body (1). The upper cover (3) covers at least the open top of the container body (1) and has a notch (14) and an elastic protrusion (18). The notch (14) supports the upper end of the storage disc D inserted into the holding grooves (15, 15) and suppresses deflection in the row direction. The elastic protrusion (18) protrudes in an inversed V shape at the both sides of the notch (14) so as to press downward the both shoulders of the storage disc D by its elastic force, thereby suppressing the deflection of the storage disc D in the radial direction and preventing deflection of the storage disc.
B65D 85/57 - Réceptacles, éléments d'emballage ou paquets spécialement adaptés à des objets ou à des matériaux particuliers pour disques phonographiques
G11B 5/84 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication de supports d'enregistrement
Provided is an organic EL light emitting display employing a color conversion system having a novel structure wherein generation of dark areas in an organic EL element can be suppressed and emission of the organic EL light emitting element can be highly efficiently used. The organic EL light emitting display successively includes a transparent substrate, one kind or a plurality of kinds of color filter layers, a bonding layer, a color conversion layer, a barrier layer, a transparent electrode, an organic EL layer and a reflecting electrode. The color filter layer is formed by wet process, the color conversion layer and the barrier layer are formed by dry process, and the bonding layer is a laminated body wherein an inorganic bonding layer, an organic bonding layer or an organic bonding layer, and an inorganic bonding layer are stacked.
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
brevets
