333) in a moving bed chlorinator by reacting chlorine and carbon monoxide with vanadium iron oxide materials. In addition, this disclosure describes removing other chlorides with the exemption of vanadium and iron chlorides from the exhaust stream from the reactor by creating a conversion temperature zone at the top of the reactor. Furthermore, the invention discloses removing impurities from an exhaust gas stream to purify carbon dioxide and it also includes a closed-loop capture in the process in order to convert carbon dioxide to carbon monoxide.
A system for additive chemical vapor deposition (CVD) and (CVD) methods for producing free-standing 3D metal deposits with a controlled crystal size, the method comprising a) supplying a CVD mixture containing at least one CVD precursor into a deposition chamber having a rotatable mandrel with a deposition surface or a deposition table with a deposition surface; b) generating a radiation pattern in at least two programmable radiation modules, each programmable radiation module containing an array of individually addressable radiation transmitting and/or radiation emitting elements; and c) irradiating the deposition surface with a first radiation pattern from a first radiation module and a second radiation pattern from a second radiation module, wherein the first radiation module irradiates the deposition surface in a first direction and the second radiation module irradiates the deposition surface in a second direction, and depositing a material from the CVD mixture on the deposition surface.
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement
C23C 16/01 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) sur des substrats temporaires, p.ex. sur des substrats qui sont ensuite enlevés par attaque chimique
C23C 16/48 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement par irradiation, p.ex. par photolyse, radiolyse ou rayonnement corpusculaire
C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
Disclosed are a system for additive chemical vapor deposition (CVD) and (CVD) methods for producing free-standing 3D metal deposits with controlled crystal size.
C23C 16/48 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement par irradiation, p.ex. par photolyse, radiolyse ou rayonnement corpusculaire
B33Y 30/00 - Appareils pour la fabrication additive; Leurs parties constitutives ou accessoires à cet effet
C23C 16/04 - Revêtement de parties déterminées de la surface, p.ex. au moyen de masques
C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt
4.
ADDITIVE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHODS AND SYSTEMS
Disclosed are a system for additive chemical vapor deposition (CVD) and (CVD) methods for producing free-standing 3D metal deposits with controlled crystal size.
C23C 16/01 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) sur des substrats temporaires, p.ex. sur des substrats qui sont ensuite enlevés par attaque chimique
C23C 16/04 - Revêtement de parties déterminées de la surface, p.ex. au moyen de masques
C23C 16/06 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement
C23C 16/48 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement par irradiation, p.ex. par photolyse, radiolyse ou rayonnement corpusculaire
C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
A method for extracting and separating Gold, Silver, Copper, Zinc and/or Lead from an Arsenic-containing ore, concentrate or tailings characterized in that the extraction is carried by roasting in the presence of a calcium-containing material and at least one of an alkali metal halide and alkaline metal halide. In the method, Arsenic remains immobilized in the extraction residue.
A method for extracting and separating Gold, Silver, Copper, Zinc and/or Lead from an Arsenic-containing ore, concentrate or tailings characterized in that the extraction is carried by roasting in the presence of a calcium-containing materialand at least one ofan alkali metal halide and alkaline metal halide. In the method, Arsenic remains immobilized in the extraction residue.
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