PSC Technologies GmbH

Allemagne

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Juridiction
        International 10
        États-Unis 1
Date
2022 1
2021 2
Avant 2021 8
Classe IPC
C04B 35/565 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes à base de carbures à base de carbure de silicium 4
C04B 35/622 - Procédés de mise en formeTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques 4
B33Y 70/00 - Matériaux spécialement adaptés à la fabrication additive 3
C04B 35/573 - Céramiques fines obtenues par frittage par réaction 3
C01B 32/956 - Carbure de silicium 2
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Statut
En Instance 1
Enregistré / En vigueur 10
Résultats pour  brevets

1.

PRECURSOR MATERIAL FOR THE PRODUCTION OF SILICON CARBIDE CONTAINING MATERIALS

      
Numéro d'application 17291505
Statut En instance
Date de dépôt 2019-11-06
Date de la première publication 2022-01-06
Propriétaire PSC Technologies GmbH (Allemagne)
Inventeur(s)
  • Greulich-Weber, Siegmund
  • Knappe, Paul
  • Schleicher-Tappeser, Rüdiger

Abrégé

The invention relates to a method for the production of a composition, in particular a SiC precursor granulate, for use in additive manufacturing from a solution or dispersion.

Classes IPC  ?

  • C01B 32/977 - Préparation à partir de composés organiques contenant du silicium

2.

METHOD FOR THE ADDITIVE MANUFACTURE OF SIC-CONTAINING STRUCTURES

      
Numéro d'application EP2020074017
Numéro de publication 2021/038006
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-08-27
Date de publication 2021-03-04
Propriétaire PSC TECHNOLOGIES GMBH (Allemagne)
Inventeur(s)
  • Greulich-Weber, Siegmund
  • Schleicher-Tappeser, Rüdiger
  • Thiel, Erik

Abrégé

The invention relates to an in particular additive method for the manufacture of SiC-containing structures that are obtained by repeated and/or continuous energy input into a precursor material from at least one radiation source.

Classes IPC  ?

  • C04B 35/573 - Céramiques fines obtenues par frittage par réaction
  • B33Y 10/00 - Procédés de fabrication additive
  • B33Y 30/00 - Appareils pour la fabrication additiveLeurs parties constitutives ou accessoires à cet effet
  • B33Y 80/00 - Produits obtenus par fabrication additive
  • C01B 32/956 - Carbure de silicium
  • C01B 32/977 - Préparation à partir de composés organiques contenant du silicium
  • B23K 26/00 - Travail par rayon laser, p. ex. soudage, découpage ou perçage

3.

PROCESS FOR PREPARING A SIC PRECURSOR MATERIAL

      
Numéro d'application EP2020071973
Numéro de publication 2021/023761
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-08-05
Date de publication 2021-02-11
Propriétaire PSC TECHNOLOGIES GMBH (Allemagne)
Inventeur(s) Greulich-Weber, Siegmund

Abrégé

The invention relates to a process for preparing a SiC precursor material suitable for producing silicium carbide-containing materials, in particular silicium carbide, specifically in high-energy processes.

Classes IPC  ?

4.

METHOD FOR PRODUCING OR MODIFYING SILICON CARBIDE-CONTAINING ARTICLES

      
Numéro d'application EP2020050118
Numéro de publication 2020/148102
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-01-06
Date de publication 2020-07-23
Propriétaire PSC TECHNOLOGIES GMBH (Allemagne)
Inventeur(s)
  • Greulich-Weber, Siegmund
  • Schleicher-Tappeser, Rüdiger

Abrégé

The invention relates to a method for producing and/or modifying silicon carbide-containing articles.

Classes IPC  ?

  • C04B 35/565 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes à base de carbures à base de carbure de silicium
  • C04B 35/622 - Procédés de mise en formeTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques
  • C04B 41/00 - Post-traitement des mortiers, du béton, de la pierre artificielle ou des céramiquesTraitement de la pierre naturelle
  • C04B 41/45 - Revêtement ou imprégnation
  • C04B 41/53 - Post-traitement des mortiers, du béton, de la pierre artificielle ou des céramiquesTraitement de la pierre naturelle impliquant l'enlèvement d'une partie des matières de l'objet traité
  • C04B 41/91 - Post-traitement des mortiers, du béton, de la pierre artificielle ou des céramiquesTraitement de la pierre naturelle de céramiques uniquement impliquant l'enlèvement d'une partie des matières des objets traités, p. ex. par attaque chimique
  • B23K 26/12 - Travail par rayon laser, p. ex. soudage, découpage ou perçage sous atmosphère particulière, p. ex. dans une enceinte
  • B29C 64/371 - Conditionnement de l’environnement en utilisant un environnement autre que l’air, p. ex. un gaz inerte
  • B29C 64/194 - Procédés de fabrication additive impliquant des opérations supplémentaires effectuées sur les couches ajoutées, p. ex. lissage, meulage ou contrôle d’épaisseur pendant l’empilage des couches
  • C04B 111/00 - Fonction, propriétés ou utilisation des mortiers, du béton ou de la pierre artificielle

5.

METHOD FOR PRODUCING THREE-DIMENSIONAL SILICON CARBIDE-CONTAINING OBJECTS

      
Numéro d'application EP2019080240
Numéro de publication 2020/099188
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-11-05
Date de publication 2020-05-22
Propriétaire PSC TECHNOLOGIES GMBH (Allemagne)
Inventeur(s) Greulich-Weber, Siegmund

Abrégé

The invention relates to a method for applying silicon carbide-containing materials to a substrate surface, and to an apparatus for carrying out the method.

Classes IPC  ?

  • C23C 24/04 - Dépôt de particules par impact
  • B23K 26/34 - Soudage au laser pour des finalités autres que l’assemblage
  • B33Y 70/00 - Matériaux spécialement adaptés à la fabrication additive
  • C04B 35/14 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base d'oxydes à base de silice
  • C04B 35/26 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base d'oxydes à base de ferrites
  • C23C 24/08 - Revêtement à partir de poudres inorganiques en utilisant la chaleur ou une pression et la chaleur
  • C23C 16/04 - Revêtement de parties déterminées de la surface, p. ex. au moyen de masques
  • C23C 16/32 - Carbures
  • C23C 16/48 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement par irradiation, p. ex. par photolyse, radiolyse ou rayonnement corpusculaire

6.

PRECURSOR MATERIAL FOR PRODUCING MATERIALS CONTAINING SILICON CARBIDE

      
Numéro d'application EP2019080382
Numéro de publication 2020/094711
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-11-06
Date de publication 2020-05-14
Propriétaire PSC TECHNOLOGIES GMBH (Allemagne)
Inventeur(s)
  • Greulich-Weber, Siegmund
  • Knappe, Paul
  • Schleicher-Tappeser, Rüdiger

Abrégé

The invention relates to a method for producing a composition, in particular a SiC-precursor granulate, for use in additive production from a solution or dispersion.

Classes IPC  ?

  • C01B 32/963 - Préparation à partir de composés contenant du silicium
  • C04B 35/573 - Céramiques fines obtenues par frittage par réaction
  • C04B 35/622 - Procédés de mise en formeTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques
  • C04B 35/626 - Préparation ou traitement des poudres individuellement ou par fournées

7.

METHOD FOR PRODUCING A NITROGEN-FREE LAYER COMPRISING SILICON CARBIDE

      
Numéro d'application EP2018075493
Numéro de publication 2019/063413
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-20
Date de publication 2019-04-04
Propriétaire PSC TECHNOLOGIES GMBH (Allemagne)
Inventeur(s) Greulich-Weber, Siegmund

Abrégé

The invention relates to a method for producing a thin nitrogen-free layer of silicon carbide by means of a solution or dispersion containing carbon and silicon.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
  • C01B 32/956 - Carbure de silicium

8.

METHOD FOR PRODUCING FIBRES AND FOAMS CONTAINING SILICON CARBIDE, AND USE THEREOF

      
Numéro d'application EP2018066965
Numéro de publication 2019/002211
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-06-25
Date de publication 2019-01-03
Propriétaire PSC TECHNOLOGIES GMBH (Allemagne)
Inventeur(s)
  • Greulich-Weber, Siegmund
  • Schleicher-Tappeser, Rüdiger

Abrégé

The present invention relates to a method for producing fibres containing silicon carbide or nano- and/or micro-structured foams, and to the use thereof, in particular as anode materials for lithium-ion storage batteries.

Classes IPC  ?

  • C04B 35/622 - Procédés de mise en formeTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques
  • C04B 35/626 - Préparation ou traitement des poudres individuellement ou par fournées
  • C04B 38/00 - Mortiers, béton, pierre artificielle ou articles de céramiques poreuxLeur préparation
  • C23C 16/32 - Carbures
  • C23C 16/448 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour produire des courants de gaz réactifs, p. ex. par évaporation ou par sublimation de matériaux précurseurs
  • C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
  • C23C 16/46 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour le chauffage du substrat
  • C23C 18/12 - Revêtement chimique par décomposition soit de composés liquides, soit de solutions des composés constituant le revêtement, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtementDépôt par contact par décomposition thermique caractérisée par le dépôt sur des matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques
  • C04B 41/87 - Céramiques
  • H01M 4/58 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs de composés inorganiques autres que les oxydes ou les hydroxydes, p. ex. sulfures, séléniures, tellurures, halogénures ou LiCoFyEmploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs de structures polyanioniques, p. ex. phosphates, silicates ou borates
  • C01B 32/963 - Préparation à partir de composés contenant du silicium

9.

METHOD FOR PRODUCING LAYERS OF SILICON CARBIDE

      
Numéro d'application EP2018064621
Numéro de publication 2018/224438
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-06-04
Date de publication 2018-12-13
Propriétaire PSC TECHNOLOGIES GMBH (Allemagne)
Inventeur(s)
  • Greulich-Weber, Siegmund
  • Schleicher-Tappeser, Rüdiger

Abrégé

The invention relates to a method for producing thin layers of silicon carbide by means of a solution or dispersion containing carbon and silicon.

Classes IPC  ?

  • C04B 41/87 - Céramiques
  • C04B 35/565 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes à base de carbures à base de carbure de silicium
  • C04B 35/622 - Procédés de mise en formeTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques
  • C30B 1/02 - Croissance des monocristaux à partir de l'état solide par traitement thermique, p. ex. recuit sous contrainte
  • C30B 29/36 - Carbures
  • H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement ou une région de concentration de porteurs de charges

10.

METHOD, COMPOSITION AND DEVICE FOR PRODUCING SILICON CARBIDE-CONTAINING STRUCTURES

      
Numéro d'application EP2018062004
Numéro de publication 2018/206643
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-05-09
Date de publication 2018-11-15
Propriétaire PSC TECHNOLOGIES GMBH (Allemagne)
Inventeur(s)
  • Greulich-Weber, Prof. Dr. Siegmund
  • Schleicher-Tappeser, Rüdiger

Abrégé

The invention relates to methods for the production of a silicon carbide-containing structure, in particular by means of additive manufacturing, to a liquid composition for producing the silicon carbide-containing structure and to a device for carrying out the method.

Classes IPC  ?

  • C04B 35/565 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes à base de carbures à base de carbure de silicium
  • C04B 35/571 - Céramiques fines obtenues à partir de précurseurs polymères
  • B33Y 70/00 - Matériaux spécialement adaptés à la fabrication additive
  • B29C 64/135 - Procédés de fabrication additive n’utilisant que des matériaux liquides ou visqueux, p. ex. dépôt d’un cordon continu de matériau visqueux utilisant des couches de liquide à solidification sélective caractérisés par la source d'énergie à cet effet, p. ex. par irradiation globale combinée avec un masque la source d’énergie étant concentrée, p. ex. lasers à balayage ou sources lumineuses focalisées

11.

METHOD AND COMPOSITION FOR PRODUCING SILICON-CARBIDE CONTAINING THREE-DIMENSIONAL OBJECTS

      
Numéro d'application EP2018062007
Numéro de publication 2018/206645
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-05-09
Date de publication 2018-11-15
Propriétaire PSC TECHNOLOGIES GMBH (Allemagne)
Inventeur(s)
  • Greulich-Weber, Siegmund
  • Schleicher-Tappeser, Rüdiger

Abrégé

The invention relates to a method for producing three-dimensional objects, in particular workpieces, made from silicon-carbide containing compounds, in particular material, by means of additive manufacturing.

Classes IPC  ?

  • C04B 35/565 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes à base de carbures à base de carbure de silicium
  • C04B 35/571 - Céramiques fines obtenues à partir de précurseurs polymères
  • C04B 35/624 - Traitement sol-gel
  • B33Y 70/00 - Matériaux spécialement adaptés à la fabrication additive