Nanjing Silergy Semiconductor (Hong Kong) Technology Ltd.

Région administrative spéciale de Hong Kong (République populaire de Chine)

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2020 4
Avant 2020 74
Classe IPC
H02J 50/12 - Circuits ou systèmes pour l'alimentation ou la distribution sans fil d'énergie électrique utilisant un couplage inductif du type couplage à résonance 16
H02J 7/00 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries 10
H02J 7/02 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries pour la charge des batteries par réseaux à courant alternatif au moyen de convertisseurs 8
H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface 7
H02H 9/04 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion sensibles à un excès de tension 6
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Résultats pour  brevets

1.

Sensing method for wheel rotation, wheel localization method, and wheel localization system

      
Numéro d'application 16589284
Numéro de brevet 11441887
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-10-01
Date de la première publication 2020-04-16
Date d'octroi 2022-09-13
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s) Liu, Chikang

Abrégé

A method of sensing wheel rotation can include: sensing magnetic force information in an environment of a wheel by a magnetometer to obtain measured magnetic force information; generating relative magnetic force information by performing mathematical operation processing in accordance with the measured magnetic force information, where the relative magnetic force information does not change with geomagnetic field and does change with a rotation angle of a wheel; and obtaining angle information related to the rotation angle of the wheel in accordance with the relative magnetic force information.

Classes IPC  ?

  • G01B 7/30 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques électriques ou magnétiques pour mesurer des angles ou des cônesDispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques électriques ou magnétiques pour tester l'alignement des axes
  • B60C 23/04 - Dispositifs avertisseurs actionnés par la pression du pneumatique montés sur la roue ou le pneumatique
  • G01D 5/12 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensibleMoyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminéTransducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens électriques ou magnétiques
  • G01L 17/00 - Dispositifs ou appareils pour mesurer la pression des pneumatiques ou la pression dans d'autres corps gonflés
  • B60T 17/18 - Dispositifs de sécuritéSurveillance

2.

Sensing system, electronic device and sensing method for sensing ambient light

      
Numéro d'application 16530087
Numéro de brevet 11187577
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-08-02
Date de la première publication 2020-02-20
Date d'octroi 2021-11-30
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s) Lin, Suyi

Abrégé

A method of sensing ambient light intensity of an ambient in which an electronic device is located, can include: providing a plurality of light sensing elements under a display screen of the electronic device; displaying a solid color image during an operating period of the display screen; obtaining first data of each of the plurality of light sensing elements in response to a current ambient light during the display screen displaying the solid color image; obtaining second data of each of the plurality of light sensing elements in response to the current ambient light during the display screen displaying a normal image; and performing mathematical operations on the first data and the second data to obtain an intensity value of the ambient light of the ambient in which the electronic device is located.

Classes IPC  ?

  • G01J 1/42 - Photométrie, p. ex. posemètres photographiques en utilisant des détecteurs électriques de radiations
  • G01J 1/44 - Circuits électriques
  • G09G 5/10 - Circuits d'intensité

3.

Light-sensing apparatus and electronic device

      
Numéro d'application 16534032
Numéro de brevet 10879418
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-08-07
Date de la première publication 2020-02-20
Date d'octroi 2020-12-29
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s) Lin, Suyi

Abrégé

An apparatus disposed below a housing, the apparatus including: a light-sensing element having a light-sensing region, and being configured to sense light reaching the light-sensing region through a first light-transmitting region of the housing; and where when the energy of the light that reaches the light-sensing region is reduced relative to the energy of the light that is expected to reach the light-sensing region, the area of the light-sensing region located under the first light-transmitting region increases.

Classes IPC  ?

  • H01L 31/167 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails structurellement associés, p.ex. formés dans ou sur un substrat commun, avec une ou plusieurs sources lumineuses électriques, p.ex. avec des sources lumineuses électroluminescentes, et en outre électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sour le dispositif à semi-conducteur sensible au rayonnement étant commandé par la ou les sources lumineuses les sources lumineuses et les dispositifs sensibles au rayonnement étant tous des dispositifs semi-conducteurs caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou de surface
  • G01S 7/481 - Caractéristiques de structure, p. ex. agencements d'éléments optiques
  • G01S 17/08 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement
  • H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
  • H01L 31/02 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails
  • H01L 31/0232 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails Éléments ou dispositions optiques associés au dispositif
  • H04B 1/3888 - Dispositions pour le transport ou la protection d’émetteurs-récepteurs
  • H04M 1/02 - Caractéristiques de structure des appareils téléphoniques
  • H04M 1/725 - Téléphones sans fil
  • G06F 1/3231 - Surveillance de la présence, de l’absence ou du mouvement des utilisateurs

4.

Data forwarding method and node device for mesh network

      
Numéro d'application 16576235
Numéro de brevet 11146483
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-09-19
Date de la première publication 2020-01-09
Date d'octroi 2021-10-12
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s) Qiao, Junjie

Abrégé

The disclosure relates to a data forwarding method and a node device for a mesh network. The mesh network comprises a plurality of nodes. At least one of the plurality of nodes is a relay node which forwards a data packet from a source node to a destination node. The method includes determining whether or not to forward the data packet in accordance with a type and a forwarding count value of the data package. The forwarding count value is changed in different manners in accordance with the type of the data packet when the data packet is forwarded. The data forwarding method decreases forwarding times of the data packets, reduces power consumption and increases efficiency of network communication.

Classes IPC  ?

  • H04L 12/707 - Prévention ou récupération du défaut de routage, p.ex. reroutage, redondance de route "virtual router redundancy protocol" [VRRP] ou "hot standby router protocol" [HSRP] par redondance des chemins d’accès
  • H04L 12/721 - Procédures de routage, p.ex. routage par le chemin le plus court, routage par la source, routage à état de lien ou routage par vecteur de distance
  • H04W 4/02 - Services utilisant des informations de localisation
  • H04W 84/18 - Réseaux auto-organisés, p. ex. réseaux ad hoc ou réseaux de détection
  • H04W 4/80 - Services utilisant la communication de courte portée, p. ex. la communication en champ proche, l'identification par radiofréquence ou la communication à faible consommation d’énergie

5.

Driving circuit and wireless power transmitter including the same

      
Numéro d'application 16505793
Numéro de brevet 11316372
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-07-09
Date de la première publication 2019-10-31
Date d'octroi 2022-04-26
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Zhang, Wang
  • Chen, Wei
  • Zhao, Chen

Abrégé

The present disclosure relates to a driving circuit and a wireless power transmitter including the same. In view of the fact that a transmitter-side coupling circuit exhibits a high resistance when an AC current having a frequency far away from its operating frequency is applied to input terminals, the present disclosure connects a plurality of transmitter-side coupling circuits which operates at different operating frequencies in parallel at output terminals of the same inverting circuit. The controller controls an operating frequency of the AC current output from the inverting circuit to drive different one of the transmitter-side coupling circuits to operate. Thus, one driving circuit can drive the transmitter-side coupling circuits which operate at different operating frequencies or under different technical standards to supply electric energy. The driving circuit is compatible with wireless power receivers which operate at different operating frequencies, and thus has improved compatibility.

Classes IPC  ?

  • H02J 50/12 - Circuits ou systèmes pour l'alimentation ou la distribution sans fil d'énergie électrique utilisant un couplage inductif du type couplage à résonance
  • H02J 7/02 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries pour la charge des batteries par réseaux à courant alternatif au moyen de convertisseurs

6.

State control method, tire pressure monitoring device and system

      
Numéro d'application 16273326
Numéro de brevet 10894450
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-02-12
Date de la première publication 2019-10-03
Date d'octroi 2021-01-19
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s) Liu, Chikang

Abrégé

A tire pressure monitoring device can include: a magnetic sensor configured to measure a first magnetic field intensity in a first direction, and to measure second magnetic field intensity in a second direction; and a controller configured to control a state of the tire pressure monitoring device based on a variation of the first magnetic field intensity and a variation of the second magnetic field intensity.

Classes IPC  ?

  • B60C 23/00 - Dispositifs pour mesurer, signaler, commander ou distribuer la pression ou la température des pneumatiques, spécialement adaptés pour être montés sur des véhiculesAgencement sur les véhicules des dispositifs de gonflage des pneumatiques, p. ex. des pompes ou des réservoirsAménagements pour refroidir les pneumatiques
  • B60C 23/04 - Dispositifs avertisseurs actionnés par la pression du pneumatique montés sur la roue ou le pneumatique

7.

Power transmitter, resonance-type contactless power supply and control method thereof

      
Numéro d'application 16403906
Numéro de brevet 10923958
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-05-06
Date de la première publication 2019-08-22
Date d'octroi 2021-02-16
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Zhang, Wang
  • Yu, Feng

Abrégé

The present disclosure relates to a power transmitter, a resonance-type contactless power supply and a control method. The inverter circuit is controlled to provide a high-frequency AC current with a voltage strength parameter so that a current strength parameter (e.g., a peak value or an effective value of the current) of the AC current flowing through a transmitting coil and that through a receiving coil have a predetermined relationship. Thus, an equivalent load impedance is adjusted so that the system efficiency is optimized.

Classes IPC  ?

  • H01F 27/42 - Circuits spécialement adaptés à la modification ou la compensation des caractéristiques électriques des transformateurs, réactances ou bobines d'arrêt
  • H01F 37/00 - Inductances fixes non couvertes par le groupe
  • H01F 38/00 - Adaptations de transformateurs ou d'inductances à des applications ou des fonctions spécifiques
  • H02J 50/12 - Circuits ou systèmes pour l'alimentation ou la distribution sans fil d'énergie électrique utilisant un couplage inductif du type couplage à résonance
  • H02J 50/80 - Circuits ou systèmes pour l'alimentation ou la distribution sans fil d'énergie électrique mettant en œuvre l’échange de données, concernant l’alimentation ou la distribution d’énergie électrique, entre les dispositifs de transmission et les dispositifs de réception

8.

ESD protection device and method for manufacturing the same

      
Numéro d'application 16372984
Numéro de brevet 10573636
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-04-02
Date de la première publication 2019-07-25
Date d'octroi 2020-02-25
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Yao, Fei
  • Wang, Shijun
  • Yin, Dengping

Abrégé

Disclosed is an ESD protection device, comprising: a semiconductor substrate; a semiconductor buried layer located in the semiconductor substrate; an epitaxial semiconductor layer located on the semiconductor substrate and comprising a first doped region and a second doped region, wherein the semiconductor substrate and the first doped region are of a first doping type, the semiconductor buried layer, the epitaxial semiconductor layer and the second doped region are of a second doping type, the first doping type and the second doping type are opposite to each other, and the first doped region forms a plurality of interfaces with the epitaxial semiconductor layer. The disclosure improves protection performance and maximum current bearing capacity without increasing parasitic capacitance of the ESD protection device.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

9.

Optical detection assembly

      
Numéro d'application 16190311
Numéro de brevet 11073636
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-11-14
Date de la première publication 2019-05-23
Date d'octroi 2021-07-27
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s) Lin, Suyi

Abrégé

An optical detection assembly can include: a light-emitting device and a photoelectric conversion device installed in parallel on a substrate, where light generated by the light-emitting device is irradiated onto an object, and the photoelectric conversion device is configured to convert a reflected light of the object into an electrical signal; and a housing formed by light shielding material installed on the substrate, where the housing includes a first chamber for accommodating the light-emitting device, a sidewall that separates the light-emitting device and the photoelectric conversion device, and at least one emitting light opening at the top of the first chamber and having an axis inclined at a tilt angle.

Classes IPC  ?

  • G01V 8/12 - Détection, p. ex. en utilisant des barrières de lumière en utilisant un émetteur et un récepteur

10.

Light guide plate, optical structure and associated electronic device

      
Numéro d'application 16183290
Numéro de brevet 10996390
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-11-07
Date de la première publication 2019-05-16
Date d'octroi 2021-05-04
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s) Lin, Suyi

Abrégé

A light guide plate can include: a first end surface coupled to a reflection surface and a second end surface; where an incident light entering the light guide plate through the first end surface is reflected by the reflection surface and then output from the second end surface; and a diffusion structure configured to increase a transmission path of the incident light in the light guide plate.

Classes IPC  ?

  • G02B 6/42 - Couplage de guides de lumière avec des éléments opto-électroniques
  • F21V 8/00 - Utilisation de guides de lumière, p. ex. dispositifs à fibres optiques, dans les dispositifs ou systèmes d'éclairage
  • G01J 1/04 - Pièces optiques ou mécaniques

11.

Code writing device, tire pressure monitoring unit and control method

      
Numéro d'application 16113541
Numéro de brevet 10870322
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-08-27
Date de la première publication 2019-03-07
Date d'octroi 2020-12-22
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s) Liu, Chikang

Abrégé

A tire pressure monitor can include: a pressure sensor configured to detect a gas pressure parameter of a tire; a wireless receiver configured to initially be in a sleep mode, and to receive a communication protocol wirelessly after being woken up from the sleep mode; and a microprocessor configured to wake up the wireless receiver according to the gas pressure parameter.

Classes IPC  ?

  • B60C 23/04 - Dispositifs avertisseurs actionnés par la pression du pneumatique montés sur la roue ou le pneumatique
  • G01L 19/00 - Détails ou accessoires des appareils pour la mesure de la pression permanente ou quasi permanente d'un milieu fluent dans la mesure où ces détails ou accessoires ne sont pas particuliers à des types particuliers de manomètres

12.

Power transmitter, resonance-type contactless power supply and control method therefor

      
Numéro d'application 16103065
Numéro de brevet 10396600
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-08-14
Date de la première publication 2018-12-20
Date d'octroi 2019-08-27
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Zhang, Wang
  • Yu, Feng

Abrégé

A resonance-type contactless power supply adjusts a phase difference of an inverter control signal in a current cycle in a manner the same as that in a previous cycle in a case that a power parameter in the current cycle and that in the previous cycle satisfy a predetermined relationship, and adjusts the phase difference of the inverter control signal in the current cycle in a manner opposite to that in the previous cycle in a case that the power parameter in the current cycle and that in the previous cycle don't satisfy the predetermined relationship. The power parameter represents system efficiency. Thus, a suitable input current or voltage of the transmitter-side resonant circuit is determined by scanning actually, so that the system can operate at optimal efficiency.

Classes IPC  ?

  • H02J 50/12 - Circuits ou systèmes pour l'alimentation ou la distribution sans fil d'énergie électrique utilisant un couplage inductif du type couplage à résonance
  • H02J 50/80 - Circuits ou systèmes pour l'alimentation ou la distribution sans fil d'énergie électrique mettant en œuvre l’échange de données, concernant l’alimentation ou la distribution d’énergie électrique, entre les dispositifs de transmission et les dispositifs de réception

13.

Power supply device, integrated circuit, energy transmitter and impedance matching method

      
Numéro d'application 16100678
Numéro de brevet 10819155
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-08-10
Date de la première publication 2018-12-06
Date d'octroi 2020-10-27
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Yu, Feng
  • Zhao, Chen

Abrégé

A resonance contactless power supply device can include: (i) a converter configured to convert an input power signal to an adjustable DC voltage; (ii) an inverter configured to receive the adjustable DC voltage, and to generate an AC voltage with a leakage inductance resonance frequency; (iii) a first resonance circuit having a transmitting coil, and being configured to receive the AC voltage from the inverter; (iv) a second resonance circuit comprising a receiving coil that is contactlessly coupled to the transmitting coil, where the second resonance circuit is configured to receive electric energy from the transmitting coil; and (v) a control circuit configured to control the adjustable DC voltage according to a phase difference between the AC voltage and an AC current output by the inverter, such that the phase difference is maintained as a predetermined angle.

Classes IPC  ?

  • H02J 50/12 - Circuits ou systèmes pour l'alimentation ou la distribution sans fil d'énergie électrique utilisant un couplage inductif du type couplage à résonance

14.

Tuning circuit, tuning method and resonance-type contactless power supply

      
Numéro d'application 16100931
Numéro de brevet 11063443
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-08-10
Date de la première publication 2018-12-06
Date d'octroi 2021-07-13
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s) Xue, Xiaobo

Abrégé

A resonance-type contactless power supply has the characteristic that an inductor current has a maximum value when it operates at a resonance frequency. Sampling values of the inductor current in two successive cycles are compared with each other. A frequency of an inverter circuit is adjusted in a manner the same as that in a previous cycle in a case that the inductor current increases, and is adjusted in a manner opposite to that in the previous cycle in a case that the inductor current decreases. Thus, the resonance-type contactless power supply can be properly tuned without the need for zero-crossing detection.

Classes IPC  ?

  • H02J 50/12 - Circuits ou systèmes pour l'alimentation ou la distribution sans fil d'énergie électrique utilisant un couplage inductif du type couplage à résonance
  • H02J 5/00 - Circuits pour le transfert d'énergie électrique entre réseaux à courant alternatif et réseaux à courant continu

15.

Apparatus and method for detecting object features

      
Numéro d'application 15978307
Numéro de brevet 11209468
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-05-14
Date de la première publication 2018-11-22
Date d'octroi 2021-12-28
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Qiao, Junjie
  • Chen, Yanji

Abrégé

An apparatus for detecting object features can include: a probe signal transmitter configured to load a digital intermediate frequency signal onto a carrier signal, and to transmit a loaded signal outwards; an echo signal receiver configured to receive an echo signal, and to extract an object feature signal by performing respective down conversions on a quadrature signal of the carrier signal and a quadrature signal of the digital intermediate frequency signal; and a signal processor configured to identify object features according to the object feature signal.

Classes IPC  ?

  • G01R 23/167 - Analyse de spectreAnalyse de Fourier en utilisant des filtres des filtres numériques
  • A61B 5/08 - Dispositifs de mesure pour examiner les organes respiratoires
  • H03M 1/66 - Convertisseurs numériques/analogiques
  • H03M 1/12 - Convertisseurs analogiques/numériques
  • A61B 5/024 - Mesure du pouls ou des pulsations cardiaques
  • A61B 5/0507 - Détection, mesure ou enregistrement pour établir un diagnostic au moyen de courants électriques ou de champs magnétiquesMesure utilisant des micro-ondes ou des ondes radio utilisant des micro-ondes ou des ondes térahertz
  • A61B 5/00 - Mesure servant à établir un diagnostic Identification des individus
  • A61B 5/11 - Mesure du mouvement du corps entier ou de parties de celui-ci, p. ex. tremblement de la tête ou des mains ou mobilité d'un membre
  • A61B 5/113 - Mesure du mouvement du corps entier ou de parties de celui-ci, p. ex. tremblement de la tête ou des mains ou mobilité d'un membre se produisant au cours de la respiration

16.

Method for determining tire installation location, tire pressure monitoring device and system

      
Numéro d'application 15945870
Numéro de brevet 10457103
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-04-05
Date de la première publication 2018-11-01
Date d'octroi 2019-10-29
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s) Liu, Chi-Kang

Abrégé

Determining installation positions of tires can include: measuring, by a magnetic sensor provided in each tire in the same manner, a first magnetic field strength in a first direction and a second magnetic field strength in a second direction, where the first direction is a circumferential or axial direction of the tire and the second direction is a radial direction of the tire; acquiring a first magnetic field strength sampling value of the tire by sampling the first magnetic field strength; acquiring a second magnetic field strength sampling value of the tire by sampling the second magnetic field strength; calculating a difference between the first and second magnetic field strength sampling values; and determining whether the installation position of the tire is on the left or right side of a vehicle according to a change trend of the calculated difference of the tire.

Classes IPC  ?

  • B60C 23/04 - Dispositifs avertisseurs actionnés par la pression du pneumatique montés sur la roue ou le pneumatique
  • H04Q 9/00 - Dispositions dans les systèmes de commande à distance ou de télémétrie pour appeler sélectivement une sous-station à partir d'une station principale, sous-station dans laquelle un appareil recherché est choisi pour appliquer un signal de commande ou pour obtenir des valeurs mesurées
  • G08C 17/04 - Dispositions pour transmettre des signaux caractérisées par l'utilisation d'une voie électrique sans fil utilisant des dispositifs couplés magnétiquement

17.

Loudspeaker diaphragm state estimation method and loudspeaker driving circuit using the same

      
Numéro d'application 16002068
Numéro de brevet 10356541
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-06-07
Date de la première publication 2018-10-04
Date d'octroi 2019-07-16
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Cao, Hejinsheng
  • Su, Xiaotian

Abrégé

A loudspeaker diaphragm state estimation method includes: adjusting a weight value of a diaphragm displacement model by adaptive filtering until an error between an estimated value of a driving voltage of a loudspeaker and a measured value of the driving voltage is less than a predetermined threshold; estimating a diaphragm relative displacement of the loudspeaker according to the diaphragm displacement model corresponding to a final determined weight value; determining a diaphragm relative speed at a next moment based on an input current, a product value of a vector determined by an estimated value of a diaphragm relative speed and an estimated value of a diaphragm relative displacement, and a weight value vector obtained at a present moment; and determining an estimated value of the driving voltage using the estimated value of the diaphragm relative speed, the input current, and a DC impedance of the loudspeaker at the present moment.

Classes IPC  ?

  • H04R 3/00 - Circuits pour transducteurs
  • H04R 29/00 - Dispositifs de contrôleDispositifs de tests
  • G01B 7/16 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques électriques ou magnétiques pour mesurer les déformations dans un solide, p. ex. au moyen d'une jauge de contrainte à résistance
  • G01R 19/25 - Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe utilisant une méthode de mesure numérique
  • H04R 3/08 - Circuits pour transducteurs pour corriger la fréquence de réponse des transducteurs électromagnétiques

18.

Resonant contactless power supply equipment, electrical transmitter and contactless power supply method

      
Numéro d'application 15966204
Numéro de brevet 11159051
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-04-30
Date de la première publication 2018-09-06
Date d'octroi 2021-10-26
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Yu, Feng
  • Zhang, Wang

Abrégé

A resonant contactless electric energy transmitter configured to contactlessly supply electric energy to an electric energy receiver, can include: (i) a high frequency power supply configured to generate a high frequency AC power with a frequency that is the same as a leakage inductance resonant frequency, where the leakage resonant frequency is obtained by detection of an output current of the high frequency power supply that corresponds to the high frequency AC power of a sequence of different frequencies during a frequency sweeping time period; and (ii) a transmitting resonant circuit comprising a transmitting coil, and being configured to receive the high frequency AC power from the high frequency power supply.

Classes IPC  ?

  • H02J 50/12 - Circuits ou systèmes pour l'alimentation ou la distribution sans fil d'énergie électrique utilisant un couplage inductif du type couplage à résonance
  • H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs

19.

Optical sensor package assembly, manufacturing method thereof and electronic devices

      
Numéro d'application 15834332
Numéro de brevet 11035723
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-12-07
Date de la première publication 2018-07-05
Date d'octroi 2021-06-15
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s) Huang, Kai Chun

Abrégé

An optical package assembly can include: a first circuit board; a second circuit board and a first structure arranged on the first circuit board, where the second circuit board is adjacent to the first structure; and a second structure arranged on the second circuit board, where a thickness of the first structure is equal to a combined thickness of the second circuit board and the second structure.

Classes IPC  ?

  • G01J 1/42 - Photométrie, p. ex. posemètres photographiques en utilisant des détecteurs électriques de radiations
  • G01J 1/02 - Photométrie, p. ex. posemètres photographiques Parties constitutives
  • G01J 1/08 - Agencements des sources lumineuses spécialement adaptées à la photométrie
  • H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
  • H01L 31/02 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails
  • H01L 31/16 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails structurellement associés, p.ex. formés dans ou sur un substrat commun, avec une ou plusieurs sources lumineuses électriques, p.ex. avec des sources lumineuses électroluminescentes, et en outre électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sour le dispositif à semi-conducteur sensible au rayonnement étant commandé par la ou les sources lumineuses

20.

Loudspeaker diaphragm state estimation method and loudspeaker driving circuit using the same

      
Numéro d'application 15800406
Numéro de brevet 10051394
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-11-01
Date de la première publication 2018-05-17
Date d'octroi 2018-08-14
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Cao, Hejinsheng
  • Su, Xiaotian

Abrégé

A loudspeaker diaphragm state estimation method includes: adjusting a weight value of a diaphragm displacement model by adaptive filtering until an error between an estimated value of a driving voltage of a loudspeaker and a measured value of the driving voltage is less than a predetermined threshold; estimating a diaphragm relative displacement of the loudspeaker according to the diaphragm displacement model corresponding to a final determined weight value; determining a diaphragm relative speed at a next moment based on an input current, a product value of a vector determined by an estimated value of a diaphragm relative speed and an estimated value of a diaphragm relative displacement, and a weight value vector obtained at a present moment; and determining an estimated value of the driving voltage using the estimated value of the diaphragm relative speed, the input current, and a DC impedance of the loudspeaker at the present moment.

Classes IPC  ?

  • H04R 29/00 - Dispositifs de contrôleDispositifs de tests
  • H04R 3/00 - Circuits pour transducteurs
  • G01R 19/25 - Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe utilisant une méthode de mesure numérique
  • G01B 7/16 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques électriques ou magnétiques pour mesurer les déformations dans un solide, p. ex. au moyen d'une jauge de contrainte à résistance

21.

Loudspeaker driving apparatus and loudspeaker driving method

      
Numéro d'application 15800458
Numéro de brevet 10181831
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-11-01
Date de la première publication 2018-05-17
Date d'octroi 2019-01-15
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s) Cao, Hejinsheng

Abrégé

A speaker driving apparatus can include: a sound pressure feedback unit configured to generate an electrical signal indicative of a sound pressure of a loudspeaker; a compensation unit configured to compensate an input audio signal according to the electrical signal indicative of the sound pressure of the loudspeaker to generate a compensated audio signal, where the sound pressure of the loudspeaker is linearly related to the input audio signal; and an amplification unit configured to amplify the compensated audio signal in order to drive the loudspeaker.

Classes IPC  ?

  • H04R 29/00 - Dispositifs de contrôleDispositifs de tests
  • H03G 3/20 - Commande automatique
  • H04R 3/00 - Circuits pour transducteurs
  • H03G 3/30 - Commande automatique dans des amplificateurs comportant des dispositifs semi-conducteurs
  • H04R 3/08 - Circuits pour transducteurs pour corriger la fréquence de réponse des transducteurs électromagnétiques

22.

Method for manufacturing electrode of semiconductor device

      
Numéro d'application 15728160
Numéro de brevet 10510845
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-10-09
Date de la première publication 2018-04-12
Date d'octroi 2019-12-17
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Yin, Dengping
  • Wang, Shijun
  • Yao, Fei

Abrégé

The invention disclosed a method for manufacturing an electrode of a semiconductor device, comprising: forming a first interlayer dielectric layer having a first opening on a first surface of a semiconductor substrate; forming a first resist mask having a second opening on a surface of the first interlayer dielectric layer, wherein the first opening and the second opening are connected to form a first stacked opening; forming a first conductive layer on the first resist mask, wherein the first conductive layer comprises a first portion being located on a surface of the first resist mask and a second portion being located inside the first stacked opening; and removing the first resist mask, wherein the first portion of the first conductive layer is removed together with the first resist mask, and the second portion of the first conductive layer is retained as a first surface electrode.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/283 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes
  • H01L 29/40 - Electrodes
  • H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 21/027 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou

23.

ESD protection device and method for manufacturing the same

      
Numéro d'application 15730419
Numéro de brevet 10290624
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-10-11
Date de la première publication 2018-04-12
Date d'octroi 2019-05-14
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Yao, Fei
  • Wang, Shijun
  • Yin, Dengping

Abrégé

Disclosed is an ESD protection device, comprising: a semiconductor substrate; a semiconductor buried layer located in the semiconductor substrate; an epitaxial semiconductor layer located on the semiconductor substrate and comprising a first doped region and a second doped region, wherein the semiconductor substrate and the first doped region are of a first doping type, the semiconductor buried layer, the epitaxial semiconductor layer and the second doped region are of a second doping type, the first doping type and the second doping type are opposite to each other, and the first doped region forms a plurality of interfaces with the epitaxial semiconductor layer. The disclosure improves protection performance and maximum current bearing capacity without increasing parasitic capacitance of the ESD protection device.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices

24.

Power transmitting antenna and power transmitting device applying the same

      
Numéro d'application 15673584
Numéro de brevet 11139689
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-08-10
Date de la première publication 2018-03-01
Date d'octroi 2021-10-05
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Zhao, Chen
  • Sun, Tong
  • Zhang, Wang

Abrégé

A power transmitting device for a contactless power supply, can include: a power transmitting antenna having a plurality of transmitting coils; where each of the plurality of transmitting coils comprises a coil turn or a plurality of concentric coil turns with a substantially coplanar setting and having a coil surface; where an axis of each of the plurality of transmitting coils is axially perpendicular to the power transmitting antenna; and where the axis of each of the plurality of transmitting coils forms a predetermined angle with respect to each other.

Classes IPC  ?

  • H02J 50/12 - Circuits ou systèmes pour l'alimentation ou la distribution sans fil d'énergie électrique utilisant un couplage inductif du type couplage à résonance
  • H01F 27/28 - BobinesEnroulementsConnexions conductrices
  • H01Q 21/29 - Combinaisons d'unités d'antennes de types différents interagissant entre elles pour donner une caractéristique directionnelle désirée
  • H01F 27/00 - Détails de transformateurs ou d'inductances, en général
  • H01F 5/02 - Bobines d'induction enroulées sur des supports non magnétiques, p. ex. mandrins
  • H01F 27/32 - Isolation des bobines, des enroulements, ou de leurs éléments
  • H01F 38/14 - Couplages inductifs
  • H01Q 1/24 - SupportsMoyens de montage par association structurale avec d'autres équipements ou objets avec appareil récepteur
  • H01Q 1/38 - Forme structurale pour éléments rayonnants, p. ex. cône, spirale, parapluie formés par une couche conductrice sur un support isolant
  • H01Q 7/00 - Cadres ayant une distribution du courant sensiblement uniforme et un diagramme de rayonnement directif perpendiculaire au plan du cadre

25.

Power receiving antenna configured in a wearable electronic device

      
Numéro d'application 15673614
Numéro de brevet 11245286
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-08-10
Date de la première publication 2018-03-01
Date d'octroi 2022-02-08
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Zhao, Chen
  • Zhang, Wang

Abrégé

A power receiving device of a contactless power supply configured in a wearable electronic device having a main body coupled to a wearing member, can include: a power receiving antenna including one or more coils at least partially disposed on the wearing member; and where wires of the receiving coils extend substantially along a surface of a wearing member to form a coil turn that crosses through the surface of the wearing member or a surface of the main body in an axial direction.

Classes IPC  ?

  • H02J 50/10 - Circuits ou systèmes pour l'alimentation ou la distribution sans fil d'énergie électrique utilisant un couplage inductif
  • H01Q 1/22 - SupportsMoyens de montage par association structurale avec d'autres équipements ou objets
  • H01Q 1/27 - Adaptation pour l'utilisation dans ou sur les corps mobiles
  • H02J 50/23 - Circuits ou systèmes pour l'alimentation ou la distribution sans fil d'énergie électrique utilisant des micro-ondes ou des ondes radio fréquence caractérisés par le type d'antennes de transmission, p. ex. les antennes-réseau directives ou les antennes Yagi
  • H02J 50/00 - Circuits ou systèmes pour l'alimentation ou la distribution sans fil d'énergie électrique
  • H01Q 1/48 - Moyens de mise à la terreÉcrans de terreContrepoids
  • G06F 1/26 - Alimentation en énergie électrique, p. ex. régulation à cet effet
  • H01Q 7/00 - Cadres ayant une distribution du courant sensiblement uniforme et un diagramme de rayonnement directif perpendiculaire au plan du cadre
  • G06F 1/16 - Détails ou dispositions de structure

26.

Method and device for generating received signal strength indication

      
Numéro d'application 15668891
Numéro de brevet 10594280
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-08-04
Date de la première publication 2018-02-15
Date d'octroi 2020-03-17
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Qiao, Junjie
  • Li, Ran

Abrégé

A method can include: generating a first compensation value based on a receiving frequency, where the first compensation value represents attenuations of a wireless signal at different receiving frequencies during transmission to an analog receiving circuit; generating a second compensation value based on an automatic gain control coefficient, where the second compensation value represents gain errors corresponding to different automatic gain control coefficients; and generating a received signal strength indication based on the first and second compensation values, an intermediate frequency signal strength, and a gain of the intermediate frequency signal with respect to a received signal.

Classes IPC  ?

  • H03G 3/00 - Commande de gain dans les amplificateurs ou les changeurs de fréquence
  • H04W 52/24 - Commande de puissance d'émission [TPC Transmission power control] le TPC étant effectué selon des paramètres spécifiques utilisant le rapport signal sur parasite [SIR Signal to Interference Ratio] ou d'autres paramètres de trajet sans fil
  • H04B 17/318 - Force du signal reçu
  • H04B 1/16 - Circuits
  • H04W 52/22 - Commande de puissance d'émission [TPC Transmission power control] le TPC étant effectué selon des paramètres spécifiques tenant compte des informations ou des instructions antérieures

27.

ESD protection device and method for manufacturing the same

      
Numéro d'application 15671816
Numéro de brevet 10128227
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-08-08
Date de la première publication 2018-02-15
Date d'octroi 2018-11-13
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Wang, Shijun
  • Yao, Fei
  • Yin, Dengping

Abrégé

Disclosed is a method for manufacturing an ESD protection device. The ESD protection device includes a rectifier diode and an open-base bipolar transistor, the anode of the rectifier diode is the first doped region and the cathode of the rectifier diode is the semiconductor substrate, the emitter region, base region and collector region of the open-base bipolar transistor are the second doped region, the epitaxial semiconductor layer and semiconductor substrate, respectively, the first doped region and the second doped region extend through the doped region into the epitaxial semiconductor layer by a predetermined depth. The doped region can suppress the induced doped region around the second doped region, so that the parasitic capacitance of the open-base bipolar transistor is reduced and the response speed is improved.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/082 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants bipolaires
  • H01L 27/102 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive comprenant des composants bipolaires
  • H01L 29/70 - Dispositifs bipolaires
  • H01L 31/11 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par deux barrières de potentiel ou de surface, p.ex. phototransistor bipolaire
  • H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
  • H01L 21/761 - Jonctions PN
  • H01L 21/762 - Régions diélectriques
  • H01L 21/8222 - Technologie bipolaire
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 27/07 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive les composants ayant une région active en commun

28.

Semiconductor structure of ESD protection device and method for manufacturing the same

      
Numéro d'application 15670497
Numéro de brevet 10037987
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-08-07
Date de la première publication 2018-02-15
Date d'octroi 2018-07-31
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Yao, Fei
  • Wang, Shijun
  • Yin, Dengping

Abrégé

Disclosed are a semiconductor structure of an ESD protection device with low capacitance and a method for manufacturing the same. The method for manufacturing a semiconductor structure of an ESD protection device, comprising: forming a buried layer with a first doping type and a buried layer with a second doping type in a first region and a second region at a top surface of a semiconductor substrate with a first doping type, respectively; forming an epitaxial layer with a second doping type on the buried layer with the first doping type and the buried layer with the second doping type, wherein the buried layer with the first doping type and the buried layer with the second doping type are buried between the semiconductor substrate and the epitaxial layer, a first doped region with a first doping type is formed at a top of a third region on the buried layer with the second doping type located on the epitaxial layer.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
  • H01L 23/60 - Protection contre les charges ou les décharges électrostatiques, p. ex. écrans Faraday
  • H01L 29/866 - Diodes Zener
  • H01L 21/77 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun

29.

Multimode receiving device, multimode transmitting device and multimode transceiving method

      
Numéro d'application 15657495
Numéro de brevet 10461796
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-07-24
Date de la première publication 2018-02-01
Date d'octroi 2019-10-29
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s) Qiao, Junjie

Abrégé

A multimode receiving device configured to receive a standard Bluetooth data packet and a physical layer data packet with enhanced performance, can include: a receiving circuit configured to convert a received radio frequency signal to a baseband modulated signal; a demodulation circuit configured to select a demodulation scheme that conforms to a Bluetooth standard or one of a plurality of despread demodulation schemes, in order to demodulate the baseband modulated signal; and the plurality of despread demodulation schemes being configured to correspond to a plurality of predetermined spread-spectrum modulation schemes.

Classes IPC  ?

  • H04B 1/403 - Circuits utilisant le même oscillateur pour générer à la fois la fréquence de l’émetteur et la fréquence de l’oscillateur local du récepteur
  • H04W 88/06 - Dispositifs terminaux adapté au fonctionnement dans des réseaux multiples, p. ex. terminaux multi-mode
  • H04L 27/14 - Circuits de démodulationCircuits récepteurs
  • H04B 1/48 - Commutation transmission-réception dans des circuits pour connecter l'émetteur et le récepteur à une voie de transmission commune, p. ex. par l'énergie de l'émetteur
  • H04B 1/18 - Circuits d'entrée, p. ex. pour le couplage à une antenne ou à une ligne de transmission
  • H04B 1/401 - Circuits pour le choix ou l’indication du mode de fonctionnement
  • H04W 72/12 - Planification du trafic sans fil
  • H04L 25/02 - Systèmes à bande de base Détails
  • H04L 27/20 - Circuits de modulationCircuits émetteurs

30.

Node equipment, data packet forwarding method and mesh network system thereof

      
Numéro d'application 15644445
Numéro de brevet 10470100
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-07-07
Date de la première publication 2018-01-25
Date d'octroi 2019-11-05
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Qiao, Junjie
  • Liu, Linyan

Abrégé

An apparatus can include: a network controller in a mesh network, and that transmits and receives first type data packets; node devices in the mesh network, each operable in a first or second mode; a node device being configured to convert at least part of the first type data packets to second type data packets, and to transmit the second type data packets, when the node device operates in the first mode; the node device being configured to convert at least part of the second type data packets to the first type data packets when the node device operates in the first mode; and the node device being configured to transmit and receive the second type data packets when the node device operates in the second mode.

Classes IPC  ?

  • H04W 40/20 - Sélection d'itinéraire ou de voie de communication, p. ex. routage basé sur l'énergie disponible ou le chemin le plus court sur la base de la position ou de la localisation géographique
  • H04L 27/00 - Systèmes à porteuse modulée
  • H04L 29/06 - Commande de la communication; Traitement de la communication caractérisés par un protocole
  • H04W 4/06 - Répartition sélective de services de diffusion, p. ex. service de diffusion/multidiffusion multimédiaServices à des groupes d’utilisateursServices d’appel sélectif unidirectionnel
  • H04L 29/08 - Procédure de commande de la transmission, p.ex. procédure de commande du niveau de la liaison
  • H04L 12/733 - Sélection d’un chemin de longueur minimum ou de nombre de sauts minimum
  • H04W 84/18 - Réseaux auto-organisés, p. ex. réseaux ad hoc ou réseaux de détection

31.

Network controller, node device and mesh network system thereof

      
Numéro d'application 15648341
Numéro de brevet 10356824
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-07-12
Date de la première publication 2018-01-25
Date d'octroi 2019-07-16
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Qiao, Junjie
  • Xie, Wenxiang
  • Zhu, Haidong
  • Liu, Linyan
  • Ruan, Zhibin

Abrégé

An apparatus can include: (i) a network controller in a mesh network, the network controller being configured to send a beacon in a predetermined beacon slot in a broadcast manner, where the beacon includes a slot allocation state of the mesh network; and (ii) a plurality of node devices, where each node device is configured to synchronize according to the beacon, and to send a data packet within a corresponding fixed time slot according to the slot allocation state, where each of the fixed time slots corresponds to only one of the plurality of node devices.

Classes IPC  ?

  • H04B 7/155 - Stations terrestres
  • H04J 3/16 - Systèmes multiplex à division de temps dans lesquels le temps attribué à chacun des canaux au cours d'un cycle de transmission est variable, p. ex. pour tenir compte de la complexité variable des signaux, pour adapter le nombre de canaux transmis
  • H04L 5/00 - Dispositions destinées à permettre l'usage multiple de la voie de transmission
  • H04W 12/06 - Authentification
  • H04W 24/02 - Dispositions pour optimiser l'état de fonctionnement
  • H04W 28/02 - Gestion du trafic, p. ex. régulation de flux ou d'encombrement
  • H04W 40/12 - Sélection d'itinéraire ou de voie de communication, p. ex. routage basé sur l'énergie disponible ou le chemin le plus court sur la base de la qualité d'émission ou de la qualité des canaux
  • H04W 40/24 - Gestion d'informations sur la connectabilité, p. ex. exploration de connectabilité ou mise à jour de connectabilité
  • H04W 52/02 - Dispositions d'économie de puissance
  • H04W 56/00 - Dispositions de synchronisation
  • H04W 72/02 - Sélection de ressources sans fil par un utilisateur ou un terminal
  • H04W 74/04 - Accès planifié
  • H04W 74/08 - Accès non planifié, p. ex. ALOHA
  • H04W 84/18 - Réseaux auto-organisés, p. ex. réseaux ad hoc ou réseaux de détection
  • H04W 72/04 - Affectation de ressources sans fil

32.

Method and device for detecting states of battery and battery pack

      
Numéro d'application 15631118
Numéro de brevet 10355321
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-06-23
Date de la première publication 2017-12-28
Date d'octroi 2019-07-16
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Huang, Xiaodong
  • Wang, Zhaofeng

Abrégé

Disclosed is a method and a device for detecting states of a battery and a battery pack. The disclosure obtains a first state of charge and a second state of charge of the battery by use of a charge calculation method and a method based on battery model, respectively. The charge calculation method is more accurate when the charge-discharge current is large and the method based on battery model performs better in handling a small current, so that a chemistry state of charge obtained by performing a weighted calculation for the first state of charge and the second state of charge can represent the real state of charge of the battery more precisely. The disclosure settles the difficulty on parameter extraction of the conventional model method, eliminates the influence of the accumulated error of the charge calculation method, and combines the advantages of the method based on the battery model and the coulometer method.

Classes IPC  ?

  • H02J 7/00 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries
  • H01M 10/48 - Accumulateurs combinés à des dispositions pour mesurer, tester ou indiquer l'état des éléments, p. ex. le niveau ou la densité de l'électrolyte
  • G01R 31/364 - Connexions pour bornes de batteries, munies de dispositions de mesure intégrées
  • G01R 19/00 - Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe
  • H01M 2/20 - Connexions conductrices du courant pour les éléments
  • H01M 10/42 - Procédés ou dispositions pour assurer le fonctionnement ou l'entretien des éléments secondaires ou des demi-éléments secondaires
  • H01M 10/44 - Méthodes pour charger ou décharger

33.

Method and apparatus for detecting state of battery

      
Numéro d'application 15618329
Numéro de brevet 10634728
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-06-09
Date de la première publication 2017-12-28
Date d'octroi 2020-04-28
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Huang, Xiaodong
  • Cao, Hejinsheng

Abrégé

A method of detecting a state of charge of a battery, can include: obtaining an open circuit voltage in a present cycle according to an open circuit voltage of a previous cycle, a battery internal resistance of the previous cycle, and a battery capacitance of the previous cycle, where the battery internal resistance and the battery capacitance are updated according to the state of charge of the battery; and determining the state of charge of the battery according to the open circuit voltage in the present cycle.

Classes IPC  ?

  • G01R 31/36 - Dispositions pour le test, la mesure ou la surveillance de l’état électrique d’accumulateurs ou de batteries, p. ex. de la capacité ou de l’état de charge
  • G01R 31/387 - Détermination de la capacité ampère-heure ou de l’état de charge
  • G01R 31/367 - Logiciels à cet effet, p. ex. pour le test des batteries en utilisant une modélisation ou des tables de correspondance
  • G01R 31/374 - Dispositions pour le test, la mesure ou la surveillance de l’état électrique d’accumulateurs ou de batteries, p. ex. de la capacité ou de l’état de charge avec des moyens pour corriger la mesure en fonction de la température ou du vieillissement
  • G01R 31/389 - Mesure de l’impédance interne, de la conductance interne ou des variables similaires
  • G01R 31/396 - Acquisition ou traitement de données pour le test ou la surveillance d’éléments particuliers ou de groupes particuliers d’éléments dans une batterie

34.

Method for manufacturing ESD protection device

      
Numéro d'application 15606976
Numéro de brevet 09929137
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-05-26
Date de la première publication 2017-11-30
Date d'octroi 2018-03-27
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Yin, Dengping
  • Wang, Shijun
  • Yao, Fei

Abrégé

Disclosed is a method for manufacturing an ESD protection device. The method comprises: forming a first buried layer on the semiconductor substrate; forming a first epitaxial layer on the semiconductor substrate; forming a first doped region in the first epitaxial layer and forming a second doped region surrounding the first doped region in the first epitaxial layer, wherein the semiconductor substrate and the first doped region are both of a first doping type, the buried layer and the first epitaxial layer are both of a second doping type, the first doping type is opposite to the second doping type, the first doped region and the second doped region are formed using a same first mask. The method uses the same mask to form an emitter region of the open-base bipolar transistor, and to form a barrier doped region at the periphery of the emitter region, so that the manufacture cost is reduced and the parasitic capacitance of the ESD protection device is decreased.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/62 - Protection contre l'excès de courant ou la surcharge, p. ex. fusibles, shunts
  • H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
  • H01L 23/60 - Protection contre les charges ou les décharges électrostatiques, p. ex. écrans Faraday
  • H02H 9/04 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion sensibles à un excès de tension
  • H01L 29/41 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative

35.

Ambient light filter and associated photo sensor having a first detection mode in at least one optical pulse gap

      
Numéro d'application 15477036
Numéro de brevet 10925498
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-04-01
Date de la première publication 2017-10-26
Date d'octroi 2021-02-23
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • He, Huisen
  • Zhang, Baoyu
  • Zhang, Yanni
  • Shao, Lili

Abrégé

An ambient light filter configured to filter ambient light noises from an optical current that is at least partially caused by an optical pulse sequence emitted by a light emitting device, can include: a sample and detection circuit configured to sample the optical current and to obtain a current component in a first mode, and to remove the current component from the optical current and to generate a detection signal in a second mode; a current amplifier configured to receive the detection signal, and to generate an amplified current signal; and a control circuit configured to switch the sample and detection circuit between the first and second modes, where the control circuit switches the sample and detection circuit to the first mode in at least one optical pulse gap, and switches the sample and detection circuit to the second mode when a next optical pulse arrives.

Classes IPC  ?

  • A61B 5/1455 - Mesure des caractéristiques du sang in vivo, p. ex. de la concentration des gaz dans le sang ou de la valeur du pH du sang en utilisant des capteurs optiques, p. ex. des oxymètres à photométrie spectrale
  • A61B 5/024 - Mesure du pouls ou des pulsations cardiaques
  • A61B 5/00 - Mesure servant à établir un diagnostic Identification des individus
  • G01K 11/32 - Mesure de la température basée sur les variations physiques ou chimiques, n'entrant pas dans les groupes , , ou utilisant des changements dans la transmittance, la diffusion ou la luminescence dans les fibres optiques
  • H04B 10/116 - Communications par lumière visible
  • H04B 10/80 - Aspects optiques concernant l’utilisation de la transmission optique pour des applications spécifiques non prévues dans les groupes , p. ex. alimentation par faisceau optique ou transmission optique dans l’eau
  • G06K 9/00 - Méthodes ou dispositions pour la lecture ou la reconnaissance de caractères imprimés ou écrits ou pour la reconnaissance de formes, p.ex. d'empreintes digitales

36.

Photo detector and associated integrated circuit

      
Numéro d'application 15477032
Numéro de brevet 10121815
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-04-01
Date de la première publication 2017-10-26
Date d'octroi 2018-11-06
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Shao, Lili
  • He, Huisen
  • Zhang, Baoyu
  • Zhang, Yanni

Abrégé

A photo detector can include: a light emitting device configured to emit light; a driving circuit configured to drive the light emitting device; a photo-electric conversion circuit configured to generate an optical current signal according to an optical signal; an isolation circuit configured to transmit the optical current signal in an isolated manner; an ambient light filter configured to filter a current component of the optical current signal corresponding to an ambient light, and to generate a clean optical current signal; a current amplification circuit configured to amplify the clean optical current signal, and to generate an amplified optical current signal; (vii) an analog-to-digital converter configured to convert the amplified optical current signal to a digital signal; and a control circuit configured to output an optical detection signal according to the digital signal.

Classes IPC  ?

  • H01J 40/14 - Circuits non adaptés à une application particulière ou tube et non prévus ailleurs
  • H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images
  • A61B 5/00 - Mesure servant à établir un diagnostic Identification des individus
  • G01J 1/16 - Photométrie, p. ex. posemètres photographiques par comparaison avec une lumière de référence ou avec une valeur électrique de référence en utilisant des détecteurs électriques de radiations
  • G01J 1/44 - Circuits électriques
  • H01L 31/02 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails

37.

Synchronous rectifier circuit and control method thereof

      
Numéro d'application 15477007
Numéro de brevet 10110143
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-04-01
Date de la première publication 2017-10-19
Date d'octroi 2018-10-23
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Zhang, Wang
  • Zhao, Chen

Abrégé

A synchronous rectifier circuit can include: a full-bridge rectifier circuit having first, second, third, and fourth switches, where a common node of the first and fourth switches is configured as a first input terminal of the synchronous rectifier circuit, and a common node of the second and third switches is configured as a second input terminal of the synchronous rectifier circuit; a switching control circuit configured to generate a first control signal to control the first and third switches, and a second control signal to control the second and fourth switches; and the switching control circuit being configured to self-adjust the first and second control signals to control operating points of the first, second, third, and fourth switches to be approximately ideal operating points.

Classes IPC  ?

  • H02M 7/04 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques
  • H02M 7/219 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs dans une configuration en pont
  • H02J 7/02 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries pour la charge des batteries par réseaux à courant alternatif au moyen de convertisseurs
  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
  • H02M 1/00 - Détails d'appareils pour transformation

38.

Photoelectric sensor, photoelectric measurement method and heart rate measurement equipment

      
Numéro d'application 15477024
Numéro de brevet 10349846
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-04-01
Date de la première publication 2017-10-19
Date d'octroi 2019-07-16
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Zhang, Baoyu
  • He, Huisen
  • Shao, Lili
  • Zhang, Yanni

Abrégé

A photoelectric sensor can include: a lighting element configured to generate a first optical signal, where a second optical signal is generated by reflection of the first optical signal when emitting an object; a driving circuit configured to drive the lighting element; a photoelectric conversion circuit configured to generate a first optical current in accordance with the second optical signal; and a programmable current amplifier circuit configured to sample and hold the first optical current when the lighting element is in operation, and to generate a second optical current when the lighting element is out of operation in one detection period, where the second optical current lasts for at least one working period in the detection period, and where the second optical current represents the first optical current.

Classes IPC  ?

  • A61B 5/02 - Détection, mesure ou enregistrement en vue de l'évaluation du système cardio-vasculaire, p. ex. mesure du pouls, du rythme cardiaque, de la pression sanguine ou du débit sanguin
  • A61B 5/024 - Mesure du pouls ou des pulsations cardiaques
  • A61B 5/22 - ErgométrieMesure de la force musculaire ou de la force d'un coup musculaire
  • A61B 5/00 - Mesure servant à établir un diagnostic Identification des individus
  • G01V 8/14 - Détection, p. ex. en utilisant des barrières de lumière en utilisant un émetteur et un récepteur en utilisant des réflecteurs
  • H03K 17/78 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs opto-électroniques, c.-à-d. des dispositifs émetteurs de lumière et des dispositifs photo-électriques couplés électriquement ou optiquement
  • G16H 40/63 - TIC spécialement adaptées à la gestion ou à l’administration de ressources ou d’établissements de santéTIC spécialement adaptées à la gestion ou au fonctionnement d’équipement ou de dispositifs médicaux pour le fonctionnement d’équipement ou de dispositifs médicaux pour le fonctionnement local
  • G06F 19/00 - Équipement ou méthodes de traitement de données ou de calcul numérique, spécialement adaptés à des applications spécifiques (spécialement adaptés à des fonctions spécifiques G06F 17/00;systèmes ou méthodes de traitement de données spécialement adaptés à des fins administratives, commerciales, financières, de gestion, de surveillance ou de prévision G06Q;informatique médicale G16H)

39.

Power receiver, resonance-type contactless power supply and control method therefor

      
Numéro d'application 15080663
Numéro de brevet 09899880
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2016-03-25
Date de la première publication 2017-08-24
Date d'octroi 2018-02-20
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Zhang, Wang
  • Yu, Feng

Abrégé

The present disclosure relates to a power receiver, a resonance-type contactless power supply and a control method. The power converter is coupled between a receiver-side resonant circuit and a load, and is controlled to adjust a current strength parameter of a high-frequency AC current output from the receiver-side resonant circuit, so that a first current strength parameter, which is a peak or an effective value of a current flowing through a transmitting coil, and a second strength parameter, which is a peak or an effective value of a current flowing through a receiving coil, have a predetermined relationship, and a load impendence of an equivalent load is adjusted, and thus system efficiency is optimized.

Classes IPC  ?

  • H01F 27/42 - Circuits spécialement adaptés à la modification ou la compensation des caractéristiques électriques des transformateurs, réactances ou bobines d'arrêt
  • H01F 37/00 - Inductances fixes non couvertes par le groupe
  • H01F 38/00 - Adaptations de transformateurs ou d'inductances à des applications ou des fonctions spécifiques
  • H02J 50/12 - Circuits ou systèmes pour l'alimentation ou la distribution sans fil d'énergie électrique utilisant un couplage inductif du type couplage à résonance
  • H02J 7/02 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries pour la charge des batteries par réseaux à courant alternatif au moyen de convertisseurs
  • H02J 50/40 - Circuits ou systèmes pour l'alimentation ou la distribution sans fil d'énergie électrique utilisant plusieurs dispositifs de transmission ou de réception

40.

Bi-directional punch-through semiconductor device and manufacturing method thereof

      
Numéro d'application 15587518
Numéro de brevet 09837516
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-05-05
Date de la première publication 2017-08-24
Date d'octroi 2017-12-05
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Yao, Fei
  • Wang, Shijun
  • Qin, Bo

Abrégé

In one embodiment, a bi-directional punch-through semiconductor device can include: a first transistor in a first region of a semiconductor substrate of a first conductivity type, where the first transistor includes a semiconductor buried layer of a second conductivity type in the semiconductor substrate, and a first epitaxy region of an epitaxy semiconductor layer above the semiconductor buried layer, the semiconductor buried layer being configured as a base of the first transistor; and a second transistor coupled in parallel with the first transistor, where the second transistor is in a second region of the semiconductor substrate of the first conductivity type, where the second transistor comprises a second epitaxy region of the epitaxy semiconductor layer above the semiconductor substrate, and a first doped region of the second conductivity type in the second epitaxy region, the first doped region being configured as a base of the second transistor.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/332 - Thyristors
  • H01L 29/74 - Dispositifs du type thyristor, p.ex. avec un fonctionnement par régénération à quatre zones
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/747 - Dispositifs bidirectionnels, p.ex. triacs

41.

Data forwarding method and node device for mesh network

      
Numéro d'application 15411051
Numéro de brevet 10462044
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-01-20
Date de la première publication 2017-07-27
Date d'octroi 2019-10-29
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s) Qiao, Junjie

Abrégé

The disclosure relates to a data forwarding method and a node device for a mesh network. The mesh network comprises a plurality of nodes. At least one of the plurality of nodes is a relay node which forwards a data packet from a source node to a destination node. The method includes determining whether or not to forward the data packet in accordance with a type and a forwarding count value of the data package. The forwarding count value is changed in different manners in accordance with the type of the data packet when the data packet is forwarded. The data forwarding method decreases forwarding times of the data packets, reduces power consumption and increases efficiency of network communication.

Classes IPC  ?

  • H04L 12/707 - Prévention ou récupération du défaut de routage, p.ex. reroutage, redondance de route "virtual router redundancy protocol" [VRRP] ou "hot standby router protocol" [HSRP] par redondance des chemins d’accès
  • H04L 12/721 - Procédures de routage, p.ex. routage par le chemin le plus court, routage par la source, routage à état de lien ou routage par vecteur de distance
  • H04W 4/02 - Services utilisant des informations de localisation
  • H04W 84/18 - Réseaux auto-organisés, p. ex. réseaux ad hoc ou réseaux de détection
  • H04W 4/80 - Services utilisant la communication de courte portée, p. ex. la communication en champ proche, l'identification par radiofréquence ou la communication à faible consommation d’énergie

42.

Methods of transmitting and receiving audio-video data and transmission system thereof

      
Numéro d'application 15375310
Numéro de brevet 09967517
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2016-12-12
Date de la première publication 2017-07-06
Date d'octroi 2018-05-08
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Wu, Qichang
  • Shi, Weifeng

Abrégé

A method for transmitting an audio-video data can include: receiving a video signal from a video source and an audio signal from an audio source; receiving an audio data of the audio signal, and detecting an audio frame clock signal of the audio signal; converting the audio data to an audio data sequence with a first encoding rule; generating a start data code, an end data code, and an audio frame clock code according to the audio data sequence and the audio frame clock signal with a second encoding rule, where the first encoding rule is different than the second encoding rule; generating a low speed data frame according to the audio frame clock signal and the audio data sequence; inserting the start data code at the beginning of each audio data sequence, and inserting the end data code at the ending of each audio data sequence.

Classes IPC  ?

  • H04N 7/04 - Systèmes pour la transmission d'un seul signal de télévision, c.-à-d. l'image et le son transmis sur une seule porteuse
  • G09G 5/00 - Dispositions ou circuits de commande de l'affichage communs à l'affichage utilisant des tubes à rayons cathodiques et à l'affichage utilisant d'autres moyens de visualisation
  • H04N 5/38 - Circuits d'émetteur
  • H04N 21/233 - Traitement de flux audio élémentaires

43.

Methods for transmitting audio and video signals and transmission system thereof

      
Numéro d'application 15381666
Numéro de brevet 10129498
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2016-12-16
Date de la première publication 2017-07-06
Date d'octroi 2018-11-13
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Shi, Weifeng
  • Xu, Jiangping

Abrégé

Transmitting audio and video signals, can include: detecting if the state of a video control signal has changed, where a video signal includes the video control signal and a video data signal; generating, if the state of the video control signal has not changed, a first serial data packet based on the video signal and an audio signal; generating, if the state of the video control signal has changed, a second serial data packet based on the video signal and the audio signal; transmitting over a serial link, an encoded data frame formed by encoding the first and second serial data packets in a predetermined encoding manner; decoding and de-serializing the encoded data frame to restore the video signal and the audio signal; and outputting the video signal to a video display circuit, and outputting the audio signal to an audio processor respectively.

Classes IPC  ?

  • H04N 5/38 - Circuits d'émetteur
  • H04N 5/44 - Circuits de réception
  • H04N 5/60 - Circuits de réception pour les signaux du canal son
  • H04N 7/088 - Systèmes pour la transmission simultanée ou séquentielle de plus d'un signal de télévision, p. ex. des signaux d'information additionnelle, les signaux occupant totalement ou partiellement la même bande de fréquence avec insertion du signal dans l'intervalle de suppression vertical le signal inséré étant numérique
  • G09G 5/00 - Dispositions ou circuits de commande de l'affichage communs à l'affichage utilisant des tubes à rayons cathodiques et à l'affichage utilisant d'autres moyens de visualisation
  • H04N 7/04 - Systèmes pour la transmission d'un seul signal de télévision, c.-à-d. l'image et le son transmis sur une seule porteuse

44.

Battery balance circuit and battery apparatus thereof

      
Numéro d'application 15230615
Numéro de brevet 10348100
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2016-08-08
Date de la première publication 2017-04-20
Date d'octroi 2019-07-09
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s) Cao, Hejinsheng

Abrégé

A battery balance circuit configured for a battery apparatus having two batteries coupled in series, can include: first and second capacitors respectively coupled to two terminals of the two batteries; first and second switching circuits respectively coupled to the two terminals of the two batteries, where the first and second switching circuits are configured to control charging or discharging of each of the two batteries; a third capacitor coupled between the first and second switching circuits, where the third capacitor is configured to store or release energy in order to balance battery levels between the two batteries; and parasitic inductors, where the third capacitor and the parasitic inductors are configured to resonate, and the first and second switching circuits are configured to operate at a resonance frequency.

Classes IPC  ?

  • H02J 7/00 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries

45.

Method of balancing battery power

      
Numéro d'application 15283551
Numéro de brevet 10164440
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2016-10-03
Date de la première publication 2017-04-20
Date d'octroi 2018-12-25
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Cao, Hejinsheng
  • Shen, Zhiyuan

Abrégé

A method of balancing battery power can include: determining batteries to be balanced and directions of balance currents according to charge and discharge states and power states of the batteries, where each of the power states includes a state of charge, a remaining capacity, and a capacity to be charged; determining a reference of the balance current based on controlling temperatures of the batteries to be balanced to be lower than a temperature threshold when the SOCs of the batteries to be balanced are lower than a predetermined threshold; and balancing power of the batteries to be balanced according to the directions of the balance currents and the reference.

Classes IPC  ?

  • H01M 10/44 - Méthodes pour charger ou décharger
  • H02J 7/00 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries

46.

Apparatus for balancing battery power

      
Numéro d'application 15262781
Numéro de brevet 10027135
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2016-09-12
Date de la première publication 2017-03-30
Date d'octroi 2018-07-17
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s) Shen, Zhiyuan

Abrégé

An apparatus for balancing battery power can include: a battery selection circuit coupled to N batteries, where the battery selection circuit is configured to couple one of the N batteries to a charge and discharge port, where N is an integer greater than 1; a bi-directional power converter having a first terminal coupled to the charge and discharge port, and a second terminal coupled to a storage capacitor; N detection circuits corresponding to the N batteries, where each of the N detection circuits is configured to detect a state of a corresponding of the N batteries; and a control circuit configured to control the battery selection circuit to couple a selected battery to the charge and discharge port, and to charge or discharge the selected battery through the bi-directional power converter to maintain a voltage of the storage capacitor to be within a predetermined range.

Classes IPC  ?

  • H02J 7/00 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries

47.

Transient voltage suppressor and manufacture method thereof

      
Numéro d'application 15268773
Numéro de brevet 09911730
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2016-09-19
Date de la première publication 2017-03-23
Date d'octroi 2018-03-06
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Yao, Fei
  • Wang, Shijun

Abrégé

A transient voltage suppressor can include: a semiconductor substrate; a first buried layer of a first type formed in and on the semiconductor substrate; a second buried layer of a second type formed in a first region of the first buried layer; a first epitaxial region of the second type formed on the second buried layer and a second epitaxial region of the first type formed on a second region of the first buried layer; a first doped region of the first type formed in the first epitaxial region and a second doped region of the second type formed in the second epitaxial region; a conductive channel extending from a surface of the second epitaxial region into the first buried layer; and a first electrode connected to the conductive channel, a second electrode connected to the first doped region, and a third electrode connected to the second doped region.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
  • H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
  • H01L 29/866 - Diodes Zener
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 23/528 - Configuration de la structure d'interconnexion
  • H01L 21/761 - Jonctions PN
  • H01L 21/283 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

48.

Class-D audio amplifier

      
Numéro d'application 15240341
Numéro de brevet 09955257
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2016-08-18
Date de la première publication 2017-02-23
Date d'octroi 2018-04-24
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Zhu, Huaping
  • Cao, Hejinsheng
  • Wu, Qichang
  • Sun, Zhenguo

Abrégé

The present disclosure relates to a class-D audio amplifier. When the class-D audio amplifier is powered on, an auxiliary power amplifier and an auxiliary feedback circuit constitute an auxiliary close loop so that a control loop is established in advance. The auxiliary close loop is disconnected after various circuit modules reach their steady operation points, and the class-D audio amplifier operates at a normal state. A soft start circuit is provided for suppressing noise which occurs when the class-D audio amplifier is powered on. Thus, the class-D audio amplifier suppresses POP noise at an output terminal when the class-D audio amplifier is powered on.

Classes IPC  ?

  • H03F 3/38 - Amplificateurs de courant continu, comportant un modulateur à l'entrée et un démodulateur à la sortieModulateurs ou démodulateurs spécialement conçus pour être utilisés dans de tels amplificateurs
  • H04R 3/02 - Circuits pour transducteurs pour empêcher la réaction acoustique
  • H03F 3/187 - Amplificateurs à basse fréquence, p. ex. préamplificateurs à fréquence musicale comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs dans des circuits intégrés
  • H03F 3/213 - Amplificateurs de puissance, p. ex. amplificateurs de classe B, amplificateur de classe C comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs dans des circuits intégrés
  • H03F 1/34 - Circuits à contre-réaction avec ou sans réaction
  • H03F 1/30 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence des variations de la température ou de la tension d'alimentation
  • H03F 3/185 - Amplificateurs à basse fréquence, p. ex. préamplificateurs à fréquence musicale comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs comportant des dispositifs à effet de champ
  • H03F 3/45 - Amplificateurs différentiels
  • H03G 3/34 - Commande automatique dans des amplificateurs comportant des dispositifs semi-conducteurs rendant l'amplificateur muet en l'absence de signal
  • H03F 3/217 - Amplificateurs de puissance de classe DAmplificateurs à commutation

49.

Wireless charging system, wireless power transmitter thereof, and wireless transmitting method therefor

      
Numéro d'application 15013532
Numéro de brevet 09843218
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2016-02-02
Date de la première publication 2017-02-16
Date d'octroi 2017-12-12
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Liu, Chen
  • Lu, Tim Hui-Hung
  • Cheng, Jong-Keung

Abrégé

A wireless charging system, a wireless power transmitter, and a wireless transmitting method are provided. The method includes generating a pulse width modulation signal having an operating frequency according to a parameter, transmitting a power signal according to the pulse width modulation signal, generating a sampling frequency according to the operating frequency, obtaining power adjusting information from a transmission coil according to the sampling frequency, and adjusting the parameter according to the power adjusting information. The sampling frequency is the product of the operating frequency and a multiple, and the multiple is the summation of an offset and a positive integer. The offset is in the range of 0.25 to 0.75.

Classes IPC  ?

  • H01M 10/46 - Accumulateurs combinés par structure avec un appareil de charge
  • H02J 7/02 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries pour la charge des batteries par réseaux à courant alternatif au moyen de convertisseurs
  • H02J 7/04 - Régulation du courant ou de la tension de charge
  • H02J 50/10 - Circuits ou systèmes pour l'alimentation ou la distribution sans fil d'énergie électrique utilisant un couplage inductif

50.

Driving circuit and wireless power transmitter including the same

      
Numéro d'application 15211023
Numéro de brevet 10396597
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2016-07-15
Date de la première publication 2017-01-19
Date d'octroi 2019-08-27
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Zhang, Wang
  • Chen, Wei
  • Zhao, Chen

Abrégé

The present disclosure relates to a driving circuit and a wireless power transmitter including the same. In view of the fact that a transmitter-side coupling circuit exhibits a high resistance when an AC current having a frequency far away from its operating frequency is applied to input terminals, the present disclosure connects a plurality of transmitter-side coupling circuits which operates at different operating frequencies in parallel at output terminals of the same inverting circuit. The controller controls an operating frequency of the AC current output from the inverting circuit to drive different one of the transmitter-side coupling circuits to operate. Thus, one driving circuit can drive the transmitter-side coupling circuits which operate at different operating frequencies or under different technical standards to supply electric energy. The driving circuit is compatible with wireless power receivers which operate at different operating frequencies, and thus has improved compatibility.

Classes IPC  ?

  • H02J 50/12 - Circuits ou systèmes pour l'alimentation ou la distribution sans fil d'énergie électrique utilisant un couplage inductif du type couplage à résonance
  • H02J 7/02 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries pour la charge des batteries par réseaux à courant alternatif au moyen de convertisseurs

51.

Driving circuit for driving N transmitter-side coupling circuits and wireless power transmitter including the same

      
Numéro d'application 15211073
Numéro de brevet 10333351
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2016-07-15
Date de la première publication 2017-01-19
Date d'octroi 2019-06-25
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Zhang, Wang
  • Chen, Wei
  • Zhao, Chen

Abrégé

The present disclosure relates to a driving circuit and a wireless power transmitter including the same. N+1 half-bridge circuits constitute N full-bridge circuits by reusing the half-bridge circuits, so as to drive a plurality of coils for wirelessly charging a plurality of loads.

Classes IPC  ?

  • H02J 50/12 - Circuits ou systèmes pour l'alimentation ou la distribution sans fil d'énergie électrique utilisant un couplage inductif du type couplage à résonance
  • H02J 7/02 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries pour la charge des batteries par réseaux à courant alternatif au moyen de convertisseurs
  • H02M 7/5387 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs, p. ex. onduleurs à impulsions à un seul commutateur dans une configuration en pont
  • H02M 7/5395 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs, p. ex. onduleurs à impulsions à un seul commutateur avec commande automatique de la forme d'onde ou de la fréquence de sortie par modulation de largeur d'impulsions
  • H02M 1/00 - Détails d'appareils pour transformation

52.

Bi-directional punch-through semiconductor device and manufacturing method thereof

      
Numéro d'application 15088297
Numéro de brevet 09679998
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2016-04-01
Date de la première publication 2016-10-13
Date d'octroi 2017-06-13
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Yao, Fei
  • Wang, Shijun
  • Qin, Bo

Abrégé

In one embodiment, a bi-directional punch-through semiconductor device can include: a first transistor in a first region of a semiconductor substrate of a first conductivity type, where the first transistor includes a semiconductor buried layer of a second conductivity type in the semiconductor substrate, and a first epitaxy region of an epitaxy semiconductor layer above the semiconductor buried layer, the semiconductor buried layer being configured as a base of the first transistor; and a second transistor coupled in parallel with the first transistor, where the second transistor is in a second region of the semiconductor substrate of the first conductivity type, where the second transistor comprises a second epitaxy region of the epitaxy semiconductor layer above the semiconductor substrate, and a first doped region of the second conductivity type in the second epitaxy region, the first doped region being configured as a base of the second transistor.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/747 - Dispositifs bidirectionnels, p.ex. triacs
  • H01L 29/74 - Dispositifs du type thyristor, p.ex. avec un fonctionnement par régénération à quatre zones
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

53.

Power transmitter, resonance-type contactless power supply and control method therefor

      
Numéro d'application 15080809
Numéro de brevet 10333349
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2016-03-25
Date de la première publication 2016-09-29
Date d'octroi 2019-06-25
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Zhang, Wang
  • Yu, Feng

Abrégé

The present disclosure relates to a power transmitter, a resonance-type contactless power supply and a control method. The inverter circuit is controlled to provide a high-frequency AC current with a voltage strength parameter so that a current strength parameter (e.g. a peak value or an effective value of the current) of the AC current flowing through a transmitting coil and that through a receiving coil have a predetermined relationship. Thus, an equivalent load impedance is adjusted so that the system efficiency is optimized.

Classes IPC  ?

  • H01F 27/42 - Circuits spécialement adaptés à la modification ou la compensation des caractéristiques électriques des transformateurs, réactances ou bobines d'arrêt
  • H01F 37/00 - Inductances fixes non couvertes par le groupe
  • H01F 38/00 - Adaptations de transformateurs ou d'inductances à des applications ou des fonctions spécifiques
  • H02J 50/12 - Circuits ou systèmes pour l'alimentation ou la distribution sans fil d'énergie électrique utilisant un couplage inductif du type couplage à résonance
  • H02J 50/80 - Circuits ou systèmes pour l'alimentation ou la distribution sans fil d'énergie électrique mettant en œuvre l’échange de données, concernant l’alimentation ou la distribution d’énergie électrique, entre les dispositifs de transmission et les dispositifs de réception

54.

Power transmitter, resonance-type contactless power supply and control method therefor

      
Numéro d'application 15080879
Numéro de brevet 10084347
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2016-03-25
Date de la première publication 2016-09-29
Date d'octroi 2018-09-25
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Zhang, Wang
  • Yu, Feng

Abrégé

The present disclosure relates to a power transmitter, a resonance-type contactless power supply and a control method. The resonance-type contactless power supply adjusts a phase difference of an inverter control signal in a current cycle in a manner the same as that in a previous cycle in a case that a power parameter in the current cycle and that in the previous cycle satisfy a predetermined relationship, and adjusts the phase difference of the inverter control signal in the current cycle in a manner opposite to that in the previous cycle in a case that the power parameter in the current cycle and that in the previous cycle don't satisfy the predetermined relationship. The power parameter represents system efficiency. Thus, a suitable input current or voltage of the transmitter-side resonant circuit is determined by scanning actually, so that the system can operate at optimal efficiency.

Classes IPC  ?

  • H01F 27/00 - Détails de transformateurs ou d'inductances, en général
  • H01F 37/00 - Inductances fixes non couvertes par le groupe
  • H01F 38/00 - Adaptations de transformateurs ou d'inductances à des applications ou des fonctions spécifiques
  • H02J 50/12 - Circuits ou systèmes pour l'alimentation ou la distribution sans fil d'énergie électrique utilisant un couplage inductif du type couplage à résonance
  • H02J 50/80 - Circuits ou systèmes pour l'alimentation ou la distribution sans fil d'énergie électrique mettant en œuvre l’échange de données, concernant l’alimentation ou la distribution d’énergie électrique, entre les dispositifs de transmission et les dispositifs de réception

55.

DC impedance detection circuit and method for speaker

      
Numéro d'application 14997699
Numéro de brevet 09716954
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2016-01-18
Date de la première publication 2016-07-21
Date d'octroi 2017-07-25
Propriétaire
  • NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
  • NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s) Cao, Hejinsheng

Abrégé

A DC impedance detection circuit can include: an integration time generation circuit configured to generate an integration time signal in accordance with a current flowing through a speaker, where the current of a speaker at a beginning time of each active time interval of the integration time signal is the same as that at an ending time of the active time interval; a current integration circuit configured to integrate the current of the speaker in the active time interval, and to generate a current integration signal; a voltage integration circuit configured to integrate a voltage of the speaker in the active time interval, and to generate a voltage integration signal; and where a ratio between the voltage integration signal and the current integration signal is configured as a DC impedance of the speaker in the active time interval.

Classes IPC  ?

  • H04R 29/00 - Dispositifs de contrôleDispositifs de tests
  • H03F 3/183 - Amplificateurs à basse fréquence, p. ex. préamplificateurs à fréquence musicale comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
  • G01R 19/00 - Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe
  • H03F 3/217 - Amplificateurs de puissance de classe DAmplificateurs à commutation

56.

Tuning circuit, tuning method and resonance-type contactless power supply

      
Numéro d'application 14940503
Numéro de brevet 10084322
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2015-11-13
Date de la première publication 2016-05-19
Date d'octroi 2018-09-25
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s) Xue, Xiaobo

Abrégé

The present disclosure relates to a tuning circuit, a tuning method and a resonance-type contactless power supply. The resonance-type contactless power supply has the characteristic that an inductor current has a maximum value when it operates at a resonance frequency. Sampling values of the inductor current in two successive cycles are compared with each other. A frequency of an inverter circuit is adjusted in a manner the same as that in a previous cycle in a case that the inductor current increases, and is adjusted in a manner opposite to that in the previous cycle in a case that the inductor current decreases. Thus, the resonance-type contactless power supply can be properly tuned without the need for zero-crossing detection.

Classes IPC  ?

  • H02J 50/12 - Circuits ou systèmes pour l'alimentation ou la distribution sans fil d'énergie électrique utilisant un couplage inductif du type couplage à résonance
  • H02J 5/00 - Circuits pour le transfert d'énergie électrique entre réseaux à courant alternatif et réseaux à courant continu

57.

Discharge balancing device, discharge balancing method, and power supply system

      
Numéro d'application 14474175
Numéro de brevet 09837833
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2014-08-31
Date de la première publication 2016-03-03
Date d'octroi 2017-12-05
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Lee, Ming-Hsien
  • Hsieh, Chih-Chin

Abrégé

A discharge balancing device, for balancing a plurality of electric energy storage units connected in series in a discharge stage, comprising a plurality of bypass units, respectively connected to the plurality of electric energy storage units in parallel, configured to drain bypass currents from the plurality of electric energy storage units according to control signals; an energy condition measurement circuit, coupled to the plurality of the electric energy storage units, configured to measure energy conditions of the plurality of electric energy storage units; and a balancing control unit, coupled to the energy condition measurement circuit and the plurality of bypass units, configured to generate each of the control signals according to the energy conditions measured by the energy condition measurement circuit, so as to control each of the plurality of bypass units whether to drain a bypass current from a corresponding electric energy storage unit.

Classes IPC  ?

  • H02J 7/00 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries

58.

Battery protection integrated circuit applied to battery charging/discharging system and method for determining resistances of voltage divider of battery protection integrated circuit

      
Numéro d'application 14474320
Numéro de brevet 09871390
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2014-09-02
Date de la première publication 2016-03-03
Date d'octroi 2018-01-16
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s) Wu, Chien-Han

Abrégé

A battery protection IC applied to a battery charging system is provided, where the battery charging system includes a charger and a switch, the switch is coupled between the charger and a battery when the battery is put into the battery charging system, and the battery protection IC includes a voltage divider, a comparator and a controller. The voltage divider is coupled to a first node of the switch, and is utilized for dividing a voltage of the first node to generate a divided voltage, whereat least one resistor of the voltage divider is formed by two different types of fuses. The comparator is utilized for comparing the voltage with a reference voltage to generate a comparison result. The controller is utilized for generating a control signal according to the comparison result, where the control signal is utilized for switching on or switching off the switch.

Classes IPC  ?

  • H01H 85/02 - Dispositifs de protection dans lesquels le courant circule à travers un organe en matière fusible et est interrompu par déplacement de la matière fusible lorsqu'il devient excessif Détails
  • H02J 7/00 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries

59.

Power supply device, integrated circuit, energy transmitter and impedance matching method

      
Numéro d'application 14737817
Numéro de brevet 10103578
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2015-06-12
Date de la première publication 2015-12-31
Date d'octroi 2018-10-16
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Yu, Feng
  • Zhao, Chen

Abrégé

A resonance contactless power supply device can include: (i) a converter configured to convert an input power signal to an adjustable DC voltage; (ii) an inverter configured to receive the adjustable DC voltage, and to generate an AC voltage with a leakage inductance resonance frequency; (iii) a first resonance circuit having a transmitting coil, and being configured to receive the AC voltage from the inverter; (iv) a second resonance circuit comprising a receiving coil that is contactlessly coupled to the transmitting coil, where the second resonance circuit is configured to receive electric energy from the transmitting coil; and (v) a control circuit configured to control the adjustable DC voltage according to a phase difference between the AC voltage and an AC current output by the inverter, such that the phase difference is maintained as a predetermined angle.

Classes IPC  ?

  • H02J 50/12 - Circuits ou systèmes pour l'alimentation ou la distribution sans fil d'énergie électrique utilisant un couplage inductif du type couplage à résonance
  • H02J 17/00 - Systèmes pour l'alimentation ou la distribution d'énergie par ondes électromagnétiques

60.

Resonance-type contactless power supply and power receiver

      
Numéro d'application 14752392
Numéro de brevet 10027174
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2015-06-26
Date de la première publication 2015-12-31
Date d'octroi 2018-07-17
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Zhang, Wang
  • Yu, Feng

Abrégé

The present disclosure relates to a resonance-type contactless power supply and a power receiver. A high-frequency power supply provides a high-frequency AC current with a predetermined frequency. A transmitter-side resonant circuit includes a transmitting coil for receiving the high-frequency AC current from the high-frequency power supply. A receiver-side resonant circuit includes a receiving coil which is separated from but coupled to the transmitting coil in contactless manner. The receiver-side resonant circuit receives electric energy from the transmitting coil. A receiver-side parallel capacitor is connected in parallel at an output terminal of the receiver-side resonant circuit. The receiver-side parallel capacitor has a capacitance value which is in inversely proportional to the product of a square of an angular frequency of the predetermined frequency and a predetermined mutual inductance. The predetermined mutual inductance is determined in a case that the transmitting coil and the receiving coil are coupled to each other in a predetermined coupling coefficient. The resonance-type contactless power supply provides a stable output voltage when operating in the predetermined frequency.

Classes IPC  ?

  • H01F 27/42 - Circuits spécialement adaptés à la modification ou la compensation des caractéristiques électriques des transformateurs, réactances ou bobines d'arrêt
  • H01F 37/00 - Inductances fixes non couvertes par le groupe
  • H01F 38/00 - Adaptations de transformateurs ou d'inductances à des applications ou des fonctions spécifiques
  • H02J 50/12 - Circuits ou systèmes pour l'alimentation ou la distribution sans fil d'énergie électrique utilisant un couplage inductif du type couplage à résonance
  • H02J 5/00 - Circuits pour le transfert d'énergie électrique entre réseaux à courant alternatif et réseaux à courant continu
  • H01F 38/14 - Couplages inductifs
  • H02J 7/02 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries pour la charge des batteries par réseaux à courant alternatif au moyen de convertisseurs

61.

Tire status monitoring-transmission system and transmission device thereof

      
Numéro d'application 14617047
Numéro de brevet 09420408
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2015-02-09
Date de la première publication 2015-12-24
Date d'octroi 2016-08-16
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s) Liu, Chi-Kang

Abrégé

A tire status monitoring-transmission system and a transmission device thereof are disclosed. The system comprises a Bluetooth wireless transceiving host computer having a display interface and sending out a response signal after detecting an upward Bluetooth broadcasting signal; a plurality of transmission modules each including a Bluetooth wireless transceiving unit persistently emitting the upward Bluetooth broadcasting signal and receiving the response signal; a control unit electrically connected with the Bluetooth wireless transceiving unit and generating a trigger signal according to the response signal; and a sensor module electrically connected with the control unit, triggered by the trigger signal to detect a tire status, and generating detection signals to the control unit, wherein the control unit further transmits the detection signals to the Bluetooth wireless transceiving host computer through the Bluetooth wireless transceiving unit, and the Bluetooth wireless transceiving host computer presents the tire status on the display interface.

Classes IPC  ?

  • B60C 23/00 - Dispositifs pour mesurer, signaler, commander ou distribuer la pression ou la température des pneumatiques, spécialement adaptés pour être montés sur des véhiculesAgencement sur les véhicules des dispositifs de gonflage des pneumatiques, p. ex. des pompes ou des réservoirsAménagements pour refroidir les pneumatiques
  • H04W 4/00 - Services spécialement adaptés aux réseaux de télécommunications sans filLeurs installations
  • B60C 23/04 - Dispositifs avertisseurs actionnés par la pression du pneumatique montés sur la roue ou le pneumatique

62.

Resonant contactless power supply equipment, electrical transmitter and contactless power supply method

      
Numéro d'application 14737719
Numéro de brevet 09979234
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2015-06-12
Date de la première publication 2015-12-17
Date d'octroi 2018-05-22
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Yu, Feng
  • Zhang, Wang

Abrégé

A resonant contactless electric energy transmitter configured to contactlessly supply electric energy to an electric energy receiver, can include: (i) a high frequency power supply configured to generate a high frequency AC power with a frequency that is the same as a leakage inductance resonant frequency, where the leakage inductance resonant frequency is obtained by detection of an output current of the high frequency power supply that corresponds to the high frequency AC power of a sequence of different frequencies during a frequency sweeping time period; and (ii) a transmitting resonant circuit comprising a transmitting coil, and being configured to receive the high frequency AC power from the high frequency power supply.

Classes IPC  ?

  • H02J 50/12 - Circuits ou systèmes pour l'alimentation ou la distribution sans fil d'énergie électrique utilisant un couplage inductif du type couplage à résonance
  • H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs

63.

Low capacitance transient voltage suppressor

      
Numéro d'application 14158683
Numéro de brevet 09819176
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2014-01-17
Date de la première publication 2015-07-23
Date d'octroi 2017-11-14
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Wang, Albert Z.
  • Wu, Wen-Chin
  • Yao, Fei
  • Qin, Bo

Abrégé

A low capacitance transient voltage suppressor is disclosed. The transient voltage suppressor comprises a first diode with a first anode thereof coupled to an I/O port. A first cathode of the first diode and a second cathode of a second diode are respectively coupled to two ends of a resistor. A second anode of the second diode is coupled to a low-voltage terminal. A third anode and a third cathode of a third diode are respectively coupled to the second cathode and the resistor. The third diode induces a third parasitic capacitance smaller than a first capacitance of the first diode and a second parasitic capacitance of the second diode, and the third parasitic capacitance in series with the first and second parasitic capacitances dominate a small capacitance in a path during normal operation.

Classes IPC  ?

  • H02H 9/00 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion
  • H02H 9/04 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion sensibles à un excès de tension

64.

Integrated EMI filter circuit with ESD protection and incorporating capacitors

      
Numéro d'application 14486098
Numéro de brevet 09246328
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2014-09-15
Date de la première publication 2015-01-01
Date d'octroi 2016-01-26
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Wang, Albert Z.
  • Wu, Wenchin
  • Zhang, Nan
  • Wang, Shijun

Abrégé

An integrated electromagnetic interference (EMI) filter circuit with electrostatic discharge (ESD) protection and incorporating capacitors is provided. At least one passive element, i.e. resistor or inductor is connected between an input terminal and an output terminal. A first capacitor is connected between ground and the input terminal, and a second capacitor is connected between ground and the output terminal. A first diode and a second diode are connected in parallel to the first capacitor and the second capacitor. One or multiple parallel capacitors are connected in parallel to the passive element and between the input terminal and the output terminal for frequency compensation by employing the novel EMI LPF circuit, it is extraordinarily advantageous of enhancing its rejection band attenuation and meanwhile maintaining high cut-off frequency while implementation.

Classes IPC  ?

  • H02H 9/04 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion sensibles à un excès de tension
  • H03H 7/01 - Réseaux à deux accès sélecteurs de fréquence
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive

65.

IC EMI filter with ESD protection incorporating LC resonance tanks for rejection enhancement

      
Numéro d'application 14486167
Numéro de brevet 09331661
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2014-09-15
Date de la première publication 2015-01-01
Date d'octroi 2016-05-03
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Wang, Albert Z.
  • Wu, Wenchin
  • Wang, Shijun
  • Zhang, Nan

Abrégé

An integrated circuit (IC) electromagnetic interference (EMI) filter with electrostatic discharge (ESD) protection incorporating inductor-capacitor (LC) resonance tanks is disclosed. The filter comprises at least one circuit composed of a diode and an inductor connected in series, wherein the diode induces a parasitic capacitance and the circuit is grounded. When a number of the circuit is two, a passive element is coupled between the two inductors and cooperates with them to induce two parasitic capacitances connected with the circuits. When a number of the circuit is one, two diodes respectively connect with the inductor through two passive elements. Each diode can induce a parasitic capacitance. The two passive elements and the inductor can induce a parasitic capacitance connected with the circuit.

Classes IPC  ?

  • H01C 7/12 - Résistances de protection contre les surtensionsParafoudres
  • H03H 7/01 - Réseaux à deux accès sélecteurs de fréquence
  • H02H 9/04 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion sensibles à un excès de tension
  • H01L 23/552 - Protection contre les radiations, p. ex. la lumière
  • H03H 1/00 - Détails de réalisation des réseaux d'impédances dont le mode de fonctionnement électrique n'est pas spécifié ou est applicable à plus d'un type de réseau

66.

Method for accurately performing power estimation on a battery of an electronic device, and associated apparatus

      
Numéro d'application 13293132
Numéro de brevet 08880367
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2011-11-10
Date de la première publication 2014-11-04
Date d'octroi 2014-11-04
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Yang, Chi-Yu
  • Lee, Ming-Hsien

Abrégé

A method for accurately performing power estimation on a battery of an electronic device includes: monitoring a charging current of the battery to obtain charging current data of the charging current with respect to time; and performing curve mapping according to the charging current data and according to a plurality of sets of predetermined curve characteristic data, in order to determine an estimation parameter corresponding to one of a plurality of predetermined cycle counts, wherein the estimation parameter is utilized for performing power estimation, and the sets of predetermined curve characteristic data respectively correspond to the predetermined cycle counts, which represent estimated ages of the battery, respectively. At least one associated apparatus is also provided.

Classes IPC  ?

  • G01R 31/36 - Dispositions pour le test, la mesure ou la surveillance de l’état électrique d’accumulateurs ou de batteries, p. ex. de la capacité ou de l’état de charge
  • G01R 19/165 - Indication de ce qu'un courant ou une tension est, soit supérieur ou inférieur à une valeur prédéterminée, soit à l'intérieur ou à l'extérieur d'une plage de valeurs prédéterminée

67.

IC EMI filter with ESD protection incorporating LC resonance tanks for rejection enhancement

      
Numéro d'application 13752978
Numéro de brevet 08879230
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2013-01-29
Date de la première publication 2014-07-31
Date d'octroi 2014-11-04
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Wang, Albert Z.
  • Wu, Wen-Chin
  • Wang, Shijun
  • Zhang, Nan

Abrégé

An integrated circuit (IC) electromagnetic interference (EMI) filter with electrostatic discharge (ESD) protection incorporating inductor-capacitor (LC) resonance tanks is disclosed. The filter comprises at least one circuit composed of a diode and an inductor connected in series, wherein the diode induces a parasitic capacitance and the circuit is grounded. When a number of the circuit is two, a passive element is coupled between the two inductors and cooperates with them to induce two parasitic capacitances connected with the circuits. When a number of the circuit is one, two diodes respectively connect with the inductor through two passive elements. Each diode can induce a parasitic capacitance. The two passive elements and the inductor can induce a parasitic capacitance connected with the circuit.

Classes IPC  ?

  • H02H 9/00 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion
  • H02H 9/04 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion sensibles à un excès de tension

68.

Integrated EMI filter circuit with ESD protection and incorporating capacitors

      
Numéro d'application 13742116
Numéro de brevet 08879223
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2013-01-15
Date de la première publication 2014-07-17
Date d'octroi 2014-11-04
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Wang, Albert Z.
  • Wu, Wen-Chin
  • Zhang, Nan
  • Wang, Shijun

Abrégé

An integrated electromagnetic interference (EMI) filter circuit with electrostatic discharge (ESD) protection and incorporating capacitors is provided. At least one passive element, i.e. resistor or inductor is connected between an input terminal and an output terminal. A first capacitor is connected between ground and the input terminal, and a second capacitor is connected between ground and the output terminal. A first diode and a second diode are connected in parallel to the first capacitor and the second capacitor. One or multiple parallel capacitors are connected in parallel to the passive element and between the input terminal and the output terminal for frequency compensation by employing the novel EMI LPF circuit, it is extraordinarily advantageous of enhancing its rejection band attenuation and meanwhile maintaining high cut-off frequency while implementation.

Classes IPC  ?

  • H02H 9/04 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion sensibles à un excès de tension

69.

Integrated circuit common-mode filters with ESD protection and manufacturing method

      
Numéro d'application 13742126
Numéro de brevet 09741655
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2013-01-15
Date de la première publication 2014-07-17
Date d'octroi 2017-08-22
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Wang, Albert Z.
  • Wu, Wen-Chin
  • Wang, Shijun
  • Zhang, Nan

Abrégé

An integrated circuit common-mode electromagnetic interference filter incorporating electro-static discharge protection comprising two inductive coils is provided. A pair of primary and secondary spiral inductor coils is disposed corresponding to each other. A dielectric layer is used to separate the primary spiral inductor coil from the secondary spiral inductor coil electrically. Resistivity of a high-resistance substrate is more than 100 Ω-cm for supporting the primary spiral inductor coil, the secondary spiral inductor coil and the dielectric layer thereon. The proposed filter structure can be formed in integrated circuit (IC) back-end processes and thus be extraordinarily advantageous of effectively eliminating electromagnetic interferences and having electrostatic protection effect at the same time, while having small footprint.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
  • H03H 7/42 - Réseaux permettant de transformer des signaux équilibrés en signaux non équilibrés et réciproquement, p. ex. baluns
  • H01F 17/00 - Inductances fixes du type pour signaux
  • H01L 49/02 - Dispositifs à film mince ou à film épais
  • H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface

70.

Battery power measuring method, measuring device and battery-powered equipment

      
Numéro d'application 14082984
Numéro de brevet 09645200
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2013-11-18
Date de la première publication 2014-06-12
Date d'octroi 2017-05-09
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Yu, Feng
  • Huang, Xiaodong
  • Cao, Hejinsheng

Abrégé

Disclosed herein are various battery power measurement devices, methods, and related apparatuses. In one embodiment, a method of measuring a battery power can include: (i) detecting a voltage and a temperature at an output terminal of a battery; (ii) obtaining a first correction coefficient based on a battery open-circuit voltage at a previous sample time; (iii) obtaining a second correction coefficient based on the battery temperature; (iv) calculating a real-time battery open-circuit voltage by using the voltage at the output terminal of the battery, the first and second correction coefficients, the battery open-circuit voltage at the previous sample time, and a time interval between the previous sample time and a present sample time; and (v) converting the real-time battery open-circuit voltage into a battery power measurement for display.

Classes IPC  ?

  • G01R 31/36 - Dispositions pour le test, la mesure ou la surveillance de l’état électrique d’accumulateurs ou de batteries, p. ex. de la capacité ou de l’état de charge

71.

Battery switching charger and method for controlling battery switching charger

      
Numéro d'application 13688125
Numéro de brevet 09059594
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2012-11-28
Date de la première publication 2014-05-29
Date d'octroi 2015-06-16
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s) Liu, Chao-Hsuan

Abrégé

A battery switching charger includes a PWM signal generator, a switching circuit, an inductor, a resistor and an analog-to-digital converter. The PWM signal generator is utilized for generating a PWM signal. The switching circuit includes cascoded transistors controlled by the PWM signal for generating an output voltage. The inductor is utilized for receiving the output voltage. The resistor is coupled between the inductor and a charge terminal of the battery switching charger, where the charge terminal is connected to a battery when the battery is being charged by the battery switching charger. The analog-to-digital converter is coupled to the PWM signal generator and the resistor, and is utilized for receiving voltages of two terminals of the resistor to generate control data to the PWM signal generator. In addition, the PWM signal generator adjusts a duty cycle of the PWM signal according to the control data.

Classes IPC  ?

  • H01M 10/44 - Méthodes pour charger ou décharger
  • H01M 10/46 - Accumulateurs combinés par structure avec un appareil de charge
  • H02J 7/00 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries
  • H02J 7/02 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries pour la charge des batteries par réseaux à courant alternatif au moyen de convertisseurs

72.

Configurable power supply system

      
Numéro d'application 13628008
Numéro de brevet 09142974
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2012-09-26
Date de la première publication 2014-03-27
Date d'octroi 2015-09-22
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Tseng, Hsueh-Wen
  • Wu, Chia-Hsieh
  • Liu, Chao-Hsuan
  • Lo, Ying-Che

Abrégé

A configurable power supply system is disclosed. The configurable power supply system comprises a power source for providing input power, a switch, coupled to the power source, for enabling a bypass path for outputting the input power to an output node as an output power when turned on; a rechargeable battery module for storing the input power for outputting a battery power; a charging unit, coupled between the power source and the rechargeable battery module, for charging the rechargeable battery module with the input power; a converting unit, coupled to the rechargeable battery module, for converting the battery power to generate the output power; and a control unit, coupled to the switch, the charging unit, and the converting unit, for controlling functions of the switch, the charging unit, and the converting unit.

Classes IPC  ?

  • H02J 7/00 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries

73.

Temperature-controlled power supply system and method

      
Numéro d'application 13628030
Numéro de brevet 09197097
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2012-09-26
Date de la première publication 2014-03-27
Date d'octroi 2015-11-24
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Liu, Chao-Hsuan
  • Tseng, Hsueh-Wen
  • Wu, Chia-Hsieh
  • Lo, Ying-Che

Abrégé

A temperature-controlled power supply system is disclosed. The temperature-controlled power supply system comprises a power source, for supplying input power; a rechargeable battery module, for receiving the input power for power storage; a charging unit, coupled between the power source and the rechargeable battery module, for charging the rechargeable battery module with the input power; a temperature sensing unit, coupled to the rechargeable battery module, for sensing a temperature of the rechargeable battery module; and a current control unit, coupled to the temperature sensing unit and the charging unit, for controlling a current for charging the rechargeable battery module according to the temperature of the rechargeable battery module.

Classes IPC  ?

  • H02J 7/00 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries
  • H02J 7/04 - Régulation du courant ou de la tension de charge

74.

Apparatus for measuring a remaining power of a battery includes a first memory for storing a routine code and a second memory for storing an exception code

      
Numéro d'application 13597246
Numéro de brevet 08990594
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2012-08-28
Date de la première publication 2014-03-06
Date d'octroi 2015-03-24
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Wu, Chia-Hsieh
  • Lo, Ying-Che

Abrégé

An apparatus for measuring a remaining power of a battery unit includes a first memory unit, a second memory unit, and a processor. The first memory unit stores a first program code. The second memory unit stores a second program code. The second memory unit is accessed at a second speed that is lower than a first speed at which the first memory unit is accessed. The processor is utilized for reading the first program code from the first memory unit to execute calculation for current of the battery unit during a normal operation mode and reading the second program code from the second memory unit to execute an exception during the normal operation mode if required.

Classes IPC  ?

  • G06F 1/00 - Détails non couverts par les groupes et
  • G06F 9/24 - Chargement du microprogramme
  • G06F 12/02 - Adressage ou affectationRéadressage

75.

Apparatus and method for estimating battery condition of battery pack by solely monitoring one selected battery cell

      
Numéro d'application 13597251
Numéro de brevet 09007067
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2012-08-28
Date de la première publication 2014-03-06
Date d'octroi 2015-04-14
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Lin, Ming-Wei
  • Lee, Ming-Hsien
  • Lin, Ching-Liang

Abrégé

A battery condition estimating apparatus for a battery pack having a plurality of battery cells connected in series includes an analog channel switching circuit and a battery gas gauge circuit. The analog channel switching circuit has a plurality of input ports and an output port, wherein the input ports are coupled to the battery cells via a plurality of analog channels, respectively, and the analog channel switching circuit is arranged to couple the output port to a selected input port of the input ports for allowing the output port N5 to be coupled to a selected battery via a selected analog channel. The battery gas gauge circuit is coupled to the output port of the analog channel switching circuit, and used for estimating a battery condition of the battery pack by monitoring the selected battery cell via the selected analog channel.

Classes IPC  ?

  • G01N 27/416 - Systèmes
  • H02J 7/00 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries
  • H02J 7/04 - Régulation du courant ou de la tension de charge
  • G01R 31/36 - Dispositions pour le test, la mesure ou la surveillance de l’état électrique d’accumulateurs ou de batteries, p. ex. de la capacité ou de l’état de charge
  • H01M 10/42 - Procédés ou dispositions pour assurer le fonctionnement ou l'entretien des éléments secondaires ou des demi-éléments secondaires
  • H01M 10/48 - Accumulateurs combinés à des dispositions pour mesurer, tester ou indiquer l'état des éléments, p. ex. le niveau ou la densité de l'électrolyte
  • G01R 19/165 - Indication de ce qu'un courant ou une tension est, soit supérieur ou inférieur à une valeur prédéterminée, soit à l'intérieur ou à l'extérieur d'une plage de valeurs prédéterminée

76.

Battery management system and battery management method

      
Numéro d'application 13225560
Numéro de brevet 08766596
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2011-09-06
Date de la première publication 2013-03-07
Date d'octroi 2014-07-01
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s) Lee, Ming-Hsien

Abrégé

A battery management system (BMS) for managing discharging of a plurality of battery cells is disclosed. The battery management system comprises a battery monitoring unit, for monitoring statuses of the plurality of battery cells; and a discharge control unit, for controlling the plurality of battery cells to output a plurality of output powers to a load according to the statuses of the plurality of battery cells.

Classes IPC  ?

  • H01M 10/44 - Méthodes pour charger ou décharger
  • H01M 10/46 - Accumulateurs combinés par structure avec un appareil de charge

77.

Primary-side and secondary-side full-bridge switching circuit controller for a magnetic coupling and contactless power transmission apparatus

      
Numéro d'application 13588298
Numéro de brevet 09054546
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2012-08-17
Date de la première publication 2013-02-28
Date d'octroi 2015-06-09
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s) Zhao, Chen

Abrégé

The present invention relates to a magnetic coupling and contactless power transmission apparatus. In one embodiment, an apparatus can include: a sweep generator to generate a switching pulse signal for operation of bottom switches of a primary-side full-bridge switching circuit; a primary-side switching current zero-crossing detector to generate a primary-side current zero-crossing pulse signal when a primary-side switching current crosses zero; a primary-side PWM signal generator to generate a primary-side PWM signal per an input current to control a shut-off operation of top switches of the primary-side full-bridge switching circuit; in a first operation condition, a frequency of the switching pulse signal is higher than the primary-side current zero-crossing pulse signal, and the switching pulse signal controls a shut-off operation of the bottom switches of the primary-side full-bridge switching circuit.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/337 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs en configuration push-pull
  • H02J 5/00 - Circuits pour le transfert d'énergie électrique entre réseaux à courant alternatif et réseaux à courant continu

78.

Current mode buck-boost converter

      
Numéro d'application 13354427
Numéro de brevet 08912769
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2012-01-20
Date de la première publication 2012-11-01
Date d'octroi 2014-12-16
Propriétaire NANJING SILERGY SEMICONDUCTOR (HONG KONG) TECHNOLOGY LTD. (Hong Kong)
Inventeur(s)
  • Lin, Ming-Wei
  • Tsu, Robert Yung-His
  • Lin, Ching Long
  • Chen, Ke-Horng
  • Lee, Yu-Huei
  • Wang, Shih-Wei
  • Wu, Wei-Chan
  • Huang, Ping-Ching

Abrégé

A current mode buck-boost converter has an input terminal, an output terminal, and an output capacitor coupled to the output terminal. The input terminal is used to receive an input voltage, and the output terminal is for producing the output voltage. The current mode buck-boost converter comprises a voltage converter and a control circuit. The voltage converter comprises an inductor. The control circuit is for detecting the current passing through the inductor to determine the electric energy transmitted to the output terminal by the voltage converter. Accordingly, the current mode buck-boost converter has fast response, and the electrical energy can be recycled and stored to the voltage source when the current mode buck-boost converter operates in down-tracking process.

Classes IPC  ?

  • G05F 3/16 - Régulation de la tension ou du courant là où la tension ou le courant sont continus utilisant des dispositifs non commandés à caractéristiques non linéaires consistant en des dispositifs à semi-conducteurs
  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p. ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique