Organometallic Compound For Protective Layer, Protective Layer, Method For Processing Organic Semiconductor Layer, and Method for Manufacturing Organic Semiconductor Device
The heat resistance of an organic semiconductor device including a step of forming an aluminum oxide film over and in contact with an organic semiconductor layer is improved. A heating step is performed after a layer containing an organometallic compound for a mask for an organic semiconductor layer, which is represented by General Formula (G1) below, is provided over the organic semiconductor layer.
The heat resistance of an organic semiconductor device including a step of forming an aluminum oxide film over and in contact with an organic semiconductor layer is improved. A heating step is performed after a layer containing an organometallic compound for a mask for an organic semiconductor layer, which is represented by General Formula (G1) below, is provided over the organic semiconductor layer.
The heat resistance of an organic semiconductor device including a step of forming an aluminum oxide film over and in contact with an organic semiconductor layer is improved. A heating step is performed after a layer containing an organometallic compound for a mask for an organic semiconductor layer, which is represented by General Formula (G1) below, is provided over the organic semiconductor layer.
In General Formula (G1), Ar represents a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 1 to 30 carbon atoms, X represents oxygen or sulfur, M represents a metal, n represents an integer greater than or equal to 1 and less than or equal to 5, and n is the same as the valence of the metal M. Note that when n is greater than or equal to 2, a plurality of Ars may be the same or different and Xs may be the same or different. When Ar represents the substituted or unsubstituted heteroaryl group having 1 to 30 carbon atoms, a heteroatom of the heteroaryl group may be coordinated to the metal M.
H10K 101/30 - Valeurs d'énergie de la plus haute orbitale moléculaire occupée [HOMO], de la plus basse orbitale moléculaire inoccupée [LUMO] ou de Fermi
A semiconductor device with large memory capacity, a semiconductor device which can be miniaturized or highly integrated, a highly reliable semiconductor device, a semiconductor device with low power consumption, or a semiconductor device with high operating speed is provided. A first insulating layer, a second conductive layer, a second insulating layer, and a third conductive layer are provided over a first conductive layer in this order and each include an opening portion reaching the first conductive layer. In the opening portion of the second conductive layer, a third insulating layer, a first charge-accumulation layer, a fourth insulating layer, an oxide semiconductor layer, a fifth insulating layer, a second charge-accumulation layer, a sixth insulating layer, and a fourth conductive layer are provided in this order from a sidewall of the opening portion. The first conductive layer and the third conductive layer function as a source electrode or a drain electrode of a transistor. The fourth conductive layer functions as a first control gate. The second conductive layer functions as a second control gate.
H01L 23/528 - Configuration de la structure d'interconnexion
H01L 23/532 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées caractérisées par les matériaux
An imaging device capable of image processing is provided. The imaging device can retain analog data (image data) obtained by an image-capturing operation in a pixel and perform a product-sum operation of the analog data and a predetermined weight coefficient in the pixel to convert the data into binary data. When the binary data is taken in a neural network or the like, processing such as image recognition can be performed. Since enormous volumes of image data can be retained in pixels in the state of analog data, processing can be performed efficiently.
H10F 39/00 - Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comprenant au moins un élément couvert par le groupe , p. ex. détecteurs de rayonnement comportant une matrice de photodiodes
H04N 25/40 - Extraction de données de pixels provenant d'un capteur d'images en agissant sur les circuits de balayage, p. ex. en modifiant le nombre de pixels ayant été échantillonnés ou à échantillonner
H04N 25/766 - Capteurs adressés, p. ex. capteurs MOS ou CMOS comprenant des lignes de commande ou de sortie utilisées pour une pluralité de fonctions, p. ex. pour la sortie, la commande, la réinitialisation ou l'alimentation des pixels
H04N 25/77 - Circuits de pixels, p. ex. mémoires, convertisseurs A/N, amplificateurs de pixels, circuits communs ou composants communs
H10D 86/40 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT]
H10D 86/60 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT] les transistors TFT étant dans des matrices actives
H10F 39/18 - Capteurs d’images à semi-conducteurs d’oxyde de métal complémentaire [CMOS]Capteurs d’images à matrice de photodiodes
4.
SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR WAFER, MEMORY DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE
An object is to provide a semiconductor device with large memory capacity. The semiconductor device includes first to seventh insulators, a first conductor, and a first semiconductor. The first conductor is positioned on a first top surface of the first insulator and a first bottom surface of the second insulator. The third insulator is positioned in a region including a side surface and a second top surface of the first insulator, a side surface of the first conductor, and a second bottom surface and a side surface of the second insulator. The fourth insulator, the fifth insulator, and the first semiconductor are sequentially stacked on the third insulator. The sixth insulator is in contact with the fifth insulator in a region overlapping the first conductor. The seventh insulator is positioned in a region including the first semiconductor and the sixth insulator.
H10B 43/27 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par les agencements tridimensionnels, p. ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p. ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p. ex. des canaux en forme de U
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H10B 41/27 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par les agencements tridimensionnels, p. ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p. ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p. ex. des canaux en forme de U
H10B 41/35 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par la région noyau de mémoire avec un transistor de sélection de cellules, p. ex. NON-ET
H10B 41/41 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par la région de circuit périphérique de régions de mémoire comprenant un transistor de sélection de cellules, p. ex. NON-ET
H10B 43/20 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par les agencements tridimensionnels, p. ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur
H10B 43/35 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la région noyau de mémoire avec transistors de sélection de cellules, p. ex. NON-ET
H10B 43/40 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la région de circuit périphérique
H10D 30/60 - Transistors à effet de champ à grille isolée [IGFET]
An imaging device which has a stacked-layer structure and can be manufactured easily is provided. The imaging device includes a signal processing circuit, a memory device, and an image sensor. The imaging device has a stacked-layer structure in which the memory device is provided above the signal processing circuit, and the image sensor is provided above the memory device. The signal processing circuit includes a transistor formed on a first semiconductor substrate, the memory device includes a transistor including a metal oxide in a channel formation region, and the image sensor includes a transistor formed on a second semiconductor substrate.
H10F 39/00 - Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comprenant au moins un élément couvert par le groupe , p. ex. détecteurs de rayonnement comportant une matrice de photodiodes
H04N 25/771 - Circuits de pixels, p. ex. mémoires, convertisseurs A/N, amplificateurs de pixels, circuits communs ou composants communs comprenant des moyens de stockage autres que la diffusion flottante
H04N 25/772 - Circuits de pixels, p. ex. mémoires, convertisseurs A/N, amplificateurs de pixels, circuits communs ou composants communs comprenant des convertisseurs A/N, V/T, V/F, I/T ou I/F
H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]
H10D 86/40 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT]
H10D 86/60 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT] les transistors TFT étant dans des matrices actives
H10D 87/00 - Dispositifs intégrés comprenant à la fois des composants en vrac et des composants SOI ou SOS sur le même substrat
A semiconductor device that can be highly integrated is provided.
A semiconductor device that can be highly integrated is provided.
The semiconductor device includes a semiconductor layer, a first insulating layer, a second insulating layer, a third insulating layer, and a first conductive layer. The third insulating layer is positioned over the semiconductor layer and includes a first opening over the semiconductor layer. The first conductive layer is positioned over the semiconductor layer, the first insulating layer is positioned between the first conductive layer and the semiconductor layer, and the second insulating layer is provided in a position that is in contact with a side surface of the first opening, the semiconductor layer, and the first insulating layer. The semiconductor layer includes a first portion overlapping with the first insulating layer, a pair of second portions between which the first portion is sandwiched and which overlap with the second insulating layer, and a pair of third portions between which the first portion and the pair of second portions are sandwiched and which overlap with neither the first insulating layer nor the second insulating layer. The first portion has a smaller width than the first opening and has a thinner shape of the semiconductor layer than the second portions, and the second portions have a thinner shape of the semiconductor layer than the third portions.
G09F 9/30 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
H10K 50/00 - Dispositifs organiques émetteurs de lumière
H10K 59/00 - Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comprenant au moins un élément organique émetteur de lumière couvert par le groupe
The display device includes: a flexible display panel including a display portion in which scanning lines and signal lines cross each other; a supporting portion for supporting an end portion of the flexible display panel; a signal line driver circuit for outputting a signal to the signal line, which is provided for the supporting portion; and a scanning line driver circuit for outputting a signal to the scanning line, which is provided for a flexible surface of the display panel in a direction which is perpendicular or substantially perpendicular to the supporting portion.
G02F 1/1333 - Dispositions relatives à la structure
G02F 1/1345 - Conducteurs connectant les électrodes aux bornes de la cellule
G02F 1/167 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur le mouvement de translation des particules dans un fluide sous l’influence de l’application d’un champ caractérisés par l’effet électro-optique ou magnéto-optique par électrophorèse
G06F 3/041 - Numériseurs, p. ex. pour des écrans ou des pavés tactiles, caractérisés par les moyens de transduction
G09G 3/20 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice
G09G 3/3208 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED]
G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides
G09G 5/00 - Dispositions ou circuits de commande de l'affichage communs à l'affichage utilisant des tubes à rayons cathodiques et à l'affichage utilisant d'autres moyens de visualisation
G09G 5/39 - Commande de la mémoire à mappage binaire
H05K 1/18 - Circuits imprimés associés structurellement à des composants électriques non imprimés
H10D 86/40 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT]
H10D 86/60 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT] les transistors TFT étant dans des matrices actives
A long-lifetime light-emitting device is provided. The light-emitting apparatus includes a first light-emitting device and a first color conversion layer. The first color conversion layer contains a first substance. An EL layer of the first light-emitting device includes a first layer, a second layer, a third layer, a light-emitting layer, and a fourth layer in this order from the anode side. The first layer contains a first organic compound and a second organic compound. The second layer contains a third organic compound. The third layer contains a fourth organic compound. The light-emitting layer contains a fifth organic compound and a sixth organic compound. The fourth layer contains a seventh organic compound. The first organic compound is an organic compound having an electron accepting property to the second organic compound. The fifth organic compound is an emission center substance. The HOMO level of the second organic compound is higher than or equal to −5.7 eV and lower than or equal to −5.4 eV.
H10K 59/12 - Affichages à OLED à matrice active [AMOLED]
H10K 59/38 - Dispositifs spécialement adaptés à l'émission de lumière multicolore comprenant des filtres de couleur ou des supports changeant de couleur [CCM]
H10K 85/60 - Composés organiques à faible poids moléculaire
H10K 101/30 - Valeurs d'énergie de la plus haute orbitale moléculaire occupée [HOMO], de la plus basse orbitale moléculaire inoccupée [LUMO] ou de Fermi
H10K 101/40 - Interrelation des paramètres entre plusieurs couches ou sous-couches actives constitutives, p. ex. valeurs HOMO dans des couches adjacentes
H10K 102/00 - Détails de structure relatifs aux dispositifs organiques couverts par la présente sous-classe
It is an object to manufacture a highly reliable display device using a thin film transistor having favorable electric characteristics and high reliability as a switching element. In a bottom gate thin film transistor including an amorphous oxide semiconductor, an oxide conductive layer having a crystal region is formed between an oxide semiconductor layer which has been dehydrated or dehydrogenated by heat treatment and each of a source electrode layer and a drain electrode layer which are formed using a metal material. Accordingly, contact resistance between the oxide semiconductor layer and each of the source electrode layer and the drain electrode layer can be reduced; thus, a thin film transistor having favorable electric characteristics and a highly reliable display device using the thin film transistor can be provided.
H10D 86/60 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT] les transistors TFT étant dans des matrices actives
H10D 62/80 - Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux
H10D 64/27 - Électrodes ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier, à faire osciller ou à commuter, p. ex. grilles
H10D 64/62 - Électrodes couplées de manière ohmique à un semi-conducteur
H10D 86/40 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT]
H10K 59/121 - Affichages à OLED à matrice active [AMOLED] caractérisés par la géométrie ou la disposition des éléments de pixel
H10K 59/123 - Connexion des électrodes de pixel aux transistors à couches minces [TFT]
10.
DISPLAY UNIT, DISPLAY MODULE, AND ELECTRONIC DEVICE
An object is to provide a highly reliable display unit having a function of sensing light. The display unit includes a light-receiving device and a light-emitting device. The light-receiving device includes an active layer between a pair of electrodes. The light-emitting device includes a hole-injection layer, a light-emitting layer, and an electron-transport layer between a pair of electrodes. The light-receiving device and the light-emitting device share one of the electrodes, and may further share another common layer between the pair of electrodes. The hole-injection layer is in contact with an anode and contains a first compound and a second compound. The electron-transport property of the electron-transport layer is low; hence, the light-emitting layer is less likely to have excess electrons. Here, the first compound is the material having a property of accepting electrons from the second compound.
H10K 65/00 - Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comprenant au moins un élément organique émetteur de lumière et au moins un composant organique sensible aux rayonnements, p. ex. des optocoupleurs organiques
H10K 101/30 - Valeurs d'énergie de la plus haute orbitale moléculaire occupée [HOMO], de la plus basse orbitale moléculaire inoccupée [LUMO] ou de Fermi
A display device includes a first region and a second region adjacent to the first region. A display element included in the first region has a function of reflecting visible light and a function of emitting visible light. A display element included in the second region has a function of emitting visible light. In an electronic device including the display device, the first region is located on a first surface (e.g., top surface) on which a main image is displayed, and the second region is located on a second surface (e.g., side surface) on which an auxiliary image is displayed.
G02F 1/1333 - Dispositions relatives à la structure
G02F 1/1347 - Disposition de couches ou de cellules à cristaux liquides dans lesquelles un faisceau lumineux est modifié par l'addition des effets de plusieurs couches ou cellules
G09F 9/00 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels
G09G 3/00 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques
G09G 3/20 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice
G09G 3/32 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED]
G09G 3/3233 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] utilisant une matrice active avec un circuit de pixel pour commander le courant à travers l'élément électroluminescent
G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides
H10F 55/10 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles au rayonnement couverts par les groupes , ou structurellement associés à des sources lumineuses électriques et électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sources dans lesquels les dispositifs à semi-conducteurs sensibles au rayonnement commandent la source lumineuse électrique, p. ex. convertisseurs d'images, amplificateurs d'images ou dispositifs de stockage d'image
12.
LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SAME
An object is to provide a light-emitting display device in which a pixel including a thin film transistor using an oxide semiconductor has a high aperture ratio. The light-emitting display device includes a plurality of pixels each including a thin film transistor and a light-emitting element. The pixel is electrically connected to a first wiring functioning as a scan line. The thin film transistor includes an oxide semiconductor layer over the first wiring with a gate insulating film therebetween. The oxide semiconductor layer is extended beyond the edge of a region where the first wiring is provided. The light-emitting element and the oxide semiconductor layer overlap with each other.
H10H 20/817 - Corps caractérisés par des structures ou des orientations cristallines, p. ex. polycristallines, amorphes ou poreuses
H10D 86/40 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT]
H10D 86/60 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT] les transistors TFT étant dans des matrices actives
A display device that has high display quality is provided. A highly reliable display device is provided. A display device with low power consumption is provided. A light-emitting element is electrically connected to one of a source and a drain of a first transistor. The other of the source and the drain of the first transistor is electrically connected to one of a source and a drain of a second transistor. A gate electrode of the second transistor is electrically connected to one of a source and a drain of a third transistor. A semiconductor layer of the second transistor and a semiconductor layer of the third transistor each include indium, zinc and a third metal. The ratio of the number of indium atoms to the total number of the indium atoms, zinc atoms, and atoms of the third metal in the semiconductor layer of the second transistor is higher than or equal to 30 atomic % and lower than or equal to 100 atomic %. The second transistor has a function of controlling the amount of light emission of the light-emitting element.
G09G 3/3233 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] utilisant une matrice active avec un circuit de pixel pour commander le courant à travers l'élément électroluminescent
H10K 59/121 - Affichages à OLED à matrice active [AMOLED] caractérisés par la géométrie ou la disposition des éléments de pixel
14.
Display Device and Electronic Device Including the Display Device
The display device includes a first substrate provided with a driver circuit region that is located outside and adjacent to a pixel region and includes at least one second transistor which supplies a signal to the first transistor in each of the pixels in the pixel region, a second substrate facing the first substrate, a liquid crystal layer between the first substrate and the second substrate, a first interlayer insulating film including an inorganic insulating material over the first transistor and the second transistor, a second interlayer insulating film including an organic insulating material over the first interlayer insulating film, and a third interlayer insulating film including an inorganic insulating material over the second interlayer insulating film. The third interlayer insulating film is provided in part of an upper region of the pixel region, and has an edge portion on an inner side than the driver circuit region.
G02F 1/1368 - Cellules à adressage par une matrice active dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
G02F 1/1333 - Dispositions relatives à la structure
G02F 1/1335 - Association structurelle de cellules avec des dispositifs optiques, p. ex. des polariseurs ou des réflecteurs
G02F 1/1337 - Orientation des molécules des cristaux liquides induite par les caractéristiques de surface, p. ex. par des couches d'alignement
G02F 1/1345 - Conducteurs connectant les électrodes aux bornes de la cellule
G02F 1/1362 - Cellules à adressage par une matrice active
H10D 86/40 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT]
H10D 86/60 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT] les transistors TFT étant dans des matrices actives
An object is to provide a semiconductor device that can maintain the connection relation between logic circuit units or the circuit configuration of each of the logic circuit units even after supply of power supply voltage is stopped. Another object is to provide a semiconductor device in which the connection relation between logic circuit units or the circuit configuration of each of the logic circuit units can be changed at high speed. In a reconfigurable circuit, an oxide semiconductor is used for a semiconductor element that stores data on the circuit configuration, connection relation, or the like. Specifically, the oxide semiconductor is used for a channel formation region of the semiconductor element.
H03K 19/17728 - Blocs logiques reconfigurables, p. ex. tables de consultation
H03K 19/173 - Circuits logiques, c.-à-d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortieCircuits d'inversion utilisant des éléments spécifiés utilisant des circuits logiques élémentaires comme composants
H03K 19/17758 - Détails structurels des ressources de configuration pour accélérer la configuration ou la reconfiguration
H03K 19/17772 - Détails structurels des ressources de configuration pour la mise sous ou hors tension
An e-book reader in which destruction of a driver circuit at the time when a flexible panel is handled is inhibited. In addition, an e-book reader having a simplified structure. A plurality of flexible display panels each including a display portion in which display control is performed by a scan line driver circuit and a signal line driver circuit, and a binding portion fastening the plurality of display panels together are included. The signal line driver circuit is provided inside the binding portion, and the scan line driver circuit is provided at the edge of the display panel in a direction perpendicular to the binding portion.
G02F 1/1333 - Dispositions relatives à la structure
G02F 1/1345 - Conducteurs connectant les électrodes aux bornes de la cellule
G02F 1/1368 - Cellules à adressage par une matrice active dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
G06F 3/14 - Sortie numérique vers un dispositif de visualisation
G06F 3/147 - Sortie numérique vers un dispositif de visualisation utilisant des panneaux de visualisation
G09G 3/00 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques
G09G 3/20 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice
G09G 3/3225 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] utilisant une matrice active
G09G 3/34 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante
G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides
G09G 5/00 - Dispositions ou circuits de commande de l'affichage communs à l'affichage utilisant des tubes à rayons cathodiques et à l'affichage utilisant d'autres moyens de visualisation
A novel organometallic complex that improves emission efficiency of a light-emitting device is provided. The organometallic complex represented by General Formula (G1) is provided. In the formula, X represents carbon or nitrogen, and the carbon is bonded to any one of hydrogen (including deuterium), a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, and a substituted or unsubstituted aryl group. Furthermore, R1 to R3 each independently represent any one of hydrogen (including deuterium), a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, and a substituted or unsubstituted aryl group. Furthermore, n represents an integer greater than or equal to 1 and less than or equal to 4. The borate ligands may be the same or different from each other. Furthermore, n's may be the same or different from each other. In the case where n is 2 or more, X's, R1's, and R2's may be the same or different from each other. In the case where n is 2 or less, R3's may be the same or different from each other.
A novel organometallic complex that improves emission efficiency of a light-emitting device is provided. The organometallic complex represented by General Formula (G1) is provided. In the formula, X represents carbon or nitrogen, and the carbon is bonded to any one of hydrogen (including deuterium), a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, and a substituted or unsubstituted aryl group. Furthermore, R1 to R3 each independently represent any one of hydrogen (including deuterium), a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, and a substituted or unsubstituted aryl group. Furthermore, n represents an integer greater than or equal to 1 and less than or equal to 4. The borate ligands may be the same or different from each other. Furthermore, n's may be the same or different from each other. In the case where n is 2 or more, X's, R1's, and R2's may be the same or different from each other. In the case where n is 2 or less, R3's may be the same or different from each other.
A semiconductor device that can be miniaturized or highly integrated is provided. A storage device includes a first transistor, a second transistor, a first capacitor, and a second capacitor. The first capacitor includes a first electrode and a second electrode. The second capacitor includes the first electrode and a third electrode. One of a source and a drain of the first transistor is electrically connected to the second electrode; one of a source and a drain of the second transistor is electrically connected to the third electrode; and the first electrode includes a portion overlapping with each of the second electrode, the third electrode, the first transistor, and the second transistor and is supplied with a fixed potential or a ground potential.
H10B 80/00 - Ensembles de plusieurs dispositifs comprenant au moins un dispositif de mémoire couvert par la présente sous-classe
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans la sous-classe
H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]
H10D 1/68 - Condensateurs n’ayant pas de barrières de potentiel
The present invention provides a highly reliable display device. The present invention provides a display device in which photodegradation of transistors is suppressed. The display device includes a first transistor that is a vertical transistor, a second transistor that is a top-gate transistor, a first insulating layer, and a first conductive layer. The first transistor has a top electrode and a bottom electrode. The top electrode and the second transistor are located on the first insulating layer. The first conductive layer has a region below the first insulating layer and overlapping the second transistor. The first conductive layer and the bottom electrode are located on the same surface, and contain the same material.
G09F 9/30 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
G02F 1/1368 - Cellules à adressage par une matrice active dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
H10D 86/60 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT] les transistors TFT étant dans des matrices actives
Provided is an accounting business assist method using a language model. The accounting business assist method includes a first process for extracting an electronic mail related to an order, and a second process for extracting information from the electronic mail related to the order. The first process and the second process are executed by using the language model. The accounting business assist method also includes a process for narrowing down electronic mails by using a search expression before the first process, and a process for registering, in a database, the information extracted in the second process.
The present invention provides a semiconductor device having a transistor of very small size. The present invention has a transistor, a first insulation layer, and a second insulation layer. The transistor has a semiconductor layer, a first electroconductive layer, and a second electroconductive layer. The first electroconductive layer and the first insulation layer are provided such that the heights of the respective upper surfaces thereof are substantially the same. The second insulation layer is provided on the first electroconductive layer and the first insulation layer. The second electroconductive layer is provided on the second insulation layer. The second electroconductive layer and the second insulation layer each have an opening reaching the first electroconductive layer. The semiconductor layer is provided in contact with the upper surface of the first electroconductive layer, the side surface of the second insulation layer, and the side surface of the second electroconductive layer within each of the openings.
G09F 9/00 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels
G09F 9/30 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
H10D 84/80 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si caractérisés par l'intégration d'au moins un composant couvert par les groupes ou , p. ex. l'intégration de transistors IGFET
H10D 84/83 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si caractérisés par l'intégration d'au moins un composant couvert par les groupes ou , p. ex. l'intégration de transistors IGFET de composants à effet de champ uniquement de transistors FET à grille isolée [IGFET] uniquement
A semiconductor device including a miniaturized transistor is provided. The semiconductor device includes a semiconductor layer, a first conductive layer, a second conductive layer, a third conductive layer, a first insulating layer, and a second insulating layer. The first insulating layer is provided over the first conductive layer. The first insulating layer has a first opening reaching the first conductive layer. The semiconductor layer is in contact with a top surface and a side surface of the first insulating layer and a top surface of the first conductive layer. The second conductive layer is provided over the semiconductor layer. The second conductive layer includes a second opening in a region overlapping with the first opening. The second insulating layer is provided over the semiconductor layer and the second conductive layer. The third conductive layer is provided over the second insulating layer. The first insulating layer has a stacked-layer structure of a third insulating layer and a fourth insulating layer over the third insulating layer. The fourth insulating layer includes a region having a film density higher than that of the third insulating layer.
A semiconductor device that can be miniaturized or highly integrated is provided. The semiconductor device includes a first memory cell, a second memory cell over the first memory cell, a first conductor, and a second conductor over the first conductor. The first memory cell and the second memory cell each include a transistor and a capacitor. One of a source and a drain of the transistor is electrically connected to a lower electrode of the capacitor. The first conductor includes a portion in contact with the other of the source and the drain of the transistor included in the first memory cell. A top surface of the first conductor includes a portion in contact with a bottom surface of the second conductor. The second conductor includes a portion in contact with the other of the source and the drain of the transistor included in the second memory cell.
H10B 80/00 - Ensembles de plusieurs dispositifs comprenant au moins un dispositif de mémoire couvert par la présente sous-classe
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans la sous-classe
H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]
A highly reliable memory device is provided. Of an information bit and a check bit forming a hamming code, the information bit having a larger bit length than the check bit is stored in a first memory portion, and the check bit is stored in the second memory portion. The hamming code is divided and stored in a plurality of memory portions, whereby occurrence of a soft error is suppressed. The first memory portion that needs a large memory capacity is formed using a Si transistor, and the second memory portion is formed using an OS transistor. A combination of memory scribing and bit interleaving achieves a highly reliable memory device.
G06F 11/10 - Détection ou correction d'erreur par introduction de redondance dans la représentation des données, p. ex. en utilisant des codes de contrôle en ajoutant des chiffres binaires ou des symboles particuliers aux données exprimées suivant un code, p. ex. contrôle de parité, exclusion des 9 ou des 11
25.
SEMICONDUCTOR DEVICE, MEMORY DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE
A semiconductor device having high memory density is provided. The semiconductor device includes a first insulator, a first layer, a second insulator, a second layer, a third insulator, and a third layer, which are stacked in this order. Each of the first layer and the third layer includes a first and a second transistor and a first conductor. The second layer includes a second conductor. In the first transistor in each of the first and the third layer, a source and a drain are positioned on a semiconductor layer and a gate is positioned over the semiconductor layer. In the second transistor in each of the first and the third layer, a source and a drain are positioned on a semiconductor layer and a gate is positioned over the semiconductor layer. In each of the first and the third layer, the first conductor electrically connects a region on the source or the drain of the first transistor and a region on the gate of the second transistor. The first conductor and the second conductor in the first layer, and the semiconductor layer of the first transistor in the third layer overlap with each other.
A semiconductor device that can be miniaturized or highly integrated is provided. The semiconductor device includes a memory cell including first to third transistors and a capacitor. The second and third transistors share a metal oxide. The capacitor is provided between the first and second transistors. An insulator is provided over an electrode functioning as a source or a drain of the first transistor, and the insulator has an opening reaching the electrode. The capacitor is provided in the opening. One electrode of the capacitor includes, in the opening, a region in contact with the other of the source electrode and the drain electrode of the first transistor. The one electrode of the capacitor includes a region in contact with a gate electrode of the second transistor.
A circuit capable of high-speed operation and a pixel are integrally formed over the same substrate. A first metal oxide film, a first metal film, and an island-shaped first resist mask are formed over a first insulating layer. An island-shaped first metal layer and an island-shaped first oxide semiconductor layer are formed and a part of a top surface of the first insulating layer is exposed; then, the first resist mask is removed. A second metal oxide film, a second metal film, and an island-shaped second resist mask are formed over the first metal layer and the first insulating layer. An island-shaped second metal layer and an island-shaped second oxide semiconductor layer are formed; then, the second resist mask is removed. The first metal layer and the second metal layer are removed.
A high-resolution display device is provided. The display device includes a plurality of light-emitting units emitting light of different colors. The light-emitting unit has a microcavity structure and intensifies light with a specific wavelength. In the light-emitting units emitting light of different colors, reflective layers with different thicknesses are formed, an insulating layer is formed to cover the reflective layers, and then a top surface of the insulating layer is subjected to planarization treatment, whereby an insulating layer with different thicknesses is formed. After that, light-emitting elements emitting white light are formed over the planarized top surface of the insulating layer to overlap with the respective reflective layers, whereby the light-emitting units that intensify different colors due to different optical path lengths are separately formed.
A display device in which a peripheral circuit portion has high operation stability is provided. The display device includes a first substrate and a second substrate. A first insulating layer is provided over a first surface of the first substrate. A second insulating layer is provided over a first surface of the second substrate. The first surface of the first substrate and the first surface of the second substrate face each other. An adhesive layer is provided between the first insulating layer and the second insulating layer. A protective film in contact with the first substrate, the first insulating layer, the adhesive layer, the second insulating layer, and the second substrate is formed in the vicinity of a peripheral portion of the first substrate and the second substrate.
H10D 86/40 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT]
H10D 86/60 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT] les transistors TFT étant dans des matrices actives
H10K 59/38 - Dispositifs spécialement adaptés à l'émission de lumière multicolore comprenant des filtres de couleur ou des supports changeant de couleur [CCM]
One embodiment of the present invention provides a highly reliably display device in which a high mobility is achieved in an oxide semiconductor. A first oxide component is formed over a base component. Crystal growth proceeds from a surface toward an inside of the first oxide component by a first heat treatment, so that a first oxide crystal component is formed in contact with at least part of the base component. A second oxide component is formed over the first oxide crystal component. Crystal growth is performed by a second heat treatment using the first oxide crystal component as a seed, so that a second oxide crystal component is formed. Thus, a stacked oxide material is formed. A transistor with a high mobility is formed using the stacked oxide material and a driver circuit is formed using the transistor.
H10D 86/60 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT] les transistors TFT étant dans des matrices actives
G02F 1/1333 - Dispositions relatives à la structure
G02F 1/1345 - Conducteurs connectant les électrodes aux bornes de la cellule
G02F 1/1362 - Cellules à adressage par une matrice active
G02F 1/1368 - Cellules à adressage par une matrice active dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
G09G 3/3266 - Détails des circuits de commande pour les électrodes de balayage
G09G 3/3275 - Détails des circuits de commande pour les électrodes de données
G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides
H10D 86/40 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT]
H10D 99/00 - Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe
A novel display panel that is highly convenient, useful, or reliable is provided. The display panel includes a display region, a first support, and a second support, the display region includes a first region, a second region, and a third region, the first region and the second region each have a belt-like shape extending in one direction, and the third region is sandwiched between the first region and the second region. The first support overlaps with the first region and is less likely to be warped than the third region, and the second support overlaps with the second region and is less likely to be warped than the third region. The second support can pivot on an axis extending in the one direction with respect to the first support.
G09F 9/30 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
There have been cases where transistors formed using oxide semiconductors are inferior in reliability to transistors formed using amorphous silicon. Thus, in the present invention, a semiconductor device including a highly reliable transistor formed using an oxide semiconductor is manufactured. An oxide semiconductor film is deposited by a sputtering method, using a sputtering target including an oxide semiconductor having crystallinity, and in which the direction of the c-axis of a crystal is parallel to a normal vector of the top surface of the oxide semiconductor. The target is formed by mixing raw materials so that its composition ratio can obtain a crystal structure.
B28B 11/24 - Appareillages ou procédés pour le traitement ou le travail des objets façonnés pour faire prendre ou durcir
C04B 35/453 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base d'oxydes à base d'oxydes de zinc, d'étain ou de bismuth ou de leurs solutions solides avec d'autres oxydes, p. ex. zincates, stannates ou bismuthates
A light-emitting device with high reliability is provided. The light-emitting device includes a first electrode, a second electrode, and an EL layer. The EL layer is positioned between the first electrode and the second electrode. The EL layer includes a light-emitting layer and an electron-injection layer. The electron-injection layer contains a metal or an oxide of the metal, a first organic compound, and a second organic compound. The first organic compound includes a first π-electron deficient heteroaromatic ring with an electron-donating group. The second organic compound includes a second π-electron deficient heteroaromatic ring. The LUMO level of the second organic compound is lower than that of the first organic compound by 0.20 eV or more.
H10K 85/60 - Composés organiques à faible poids moléculaire
H10K 50/11 - OLED ou diodes électroluminescentes polymères [PLED] caractérisées par les couches électroluminescentes [EL]
H10K 50/17 - Couches d'injection des porteurs de charge
H10K 101/40 - Interrelation des paramètres entre plusieurs couches ou sous-couches actives constitutives, p. ex. valeurs HOMO dans des couches adjacentes
A transistor with small parasitic capacitance can be provided. A transistor with high frequency characteristics can be provided. A semiconductor device including the transistor can be provided. Provided is a transistor including an oxide semiconductor, a first conductor, a second conductor, a third conductor, a first insulator, and a second insulator. The first conductor has a first region where the first conductor overlaps with the oxide semiconductor with the first insulator positioned therebetween; a second region where the first conductor overlaps with the second conductor with the first and second insulators positioned therebetween; and a third region where the first conductor overlaps with the third conductor with the first and second insulators positioned therebetween. The oxide semiconductor including a fourth region where the oxide semiconductor is in contact with the second conductor; and a fifth region where the oxide semiconductor is in contact with the third conductor.
H10D 62/17 - Régions semi-conductrices connectées à des électrodes ne transportant pas de courant à redresser, amplifier ou commuter, p. ex. régions de canal
H10D 84/03 - Fabrication ou traitement caractérisés par l'utilisation de technologies basées sur les matériaux utilisant une technologie du groupe IV, p. ex. technologie au silicium ou au carbure de silicium [SiC]
H10D 84/85 - Transistors IGFET complémentaires, p. ex. CMOS
H10D 86/40 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT]
H10D 86/60 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT] les transistors TFT étant dans des matrices actives
A touch panel capable of performing display and sensing along a curved surface or a touch panel that maintains high detection sensitivity even when it is curved along a curved surface is provided. A flexible display panel is placed along a curved portion included in a surface of a support. A first film layer is attached along a surface of the display panel by a bonding layer. Second to n-th film layers (n is an integer of 2 or more) are sequentially attached along a surface of the first film layer by bonding layers. A flexible touch sensor is attached along a surface of the n-th film layer by a bonding layer.
A novel information processing system that is highly convenient, useful, or reliable is provided. The information processing system includes a first component, a second component, and a third component. The first component has a function of receiving a text written in a natural language and a query for performing retrieval in design assets and transferring the text and the query to the third component, a function of providing a code, and a function of emphasizing a portion related to the code and then providing the design assets. The second component has a function of generating an intermediate code from the text in accordance with a prompt and transferring the intermediate code to the third component. The third component has a function of classifying the text into a predetermined class, generating the prompt, and transferring the prompt to the second component. The third component has a function of generating the code from the command using the received intermediate code as an argument in accordance with the syntax, and transferring the code to the first component.
An electronic device that enables smooth communication is provided. The electronic device includes a display portion including a first camera; a second camera; and an image processing portion. The second camera is positioned in a region not overlapping with the display portion. The first camera has a function of generating a first image of a subject, and the second camera has a function of generating a second image of the subject. The image processing portion includes a generator that performs learning using training data. The training data includes an image including a person's face. The image processing portion has a function of making the first image clear when the first image is input to the generator and a function of tracking the gaze of the subject on the basis of the second image.
G06V 40/18 - Caractéristiques de l’œil, p. ex. de l’iris
H04N 23/611 - Commande des caméras ou des modules de caméras en fonction des objets reconnus les objets reconnus comprenant des parties du corps humain
H04N 23/617 - Mise à niveau ou mise à jour des programmes ou des applications pour la commande des caméras
H04N 23/90 - Agencement de caméras ou de modules de caméras, p. ex. de plusieurs caméras dans des studios de télévision ou des stades de sport
An object is to stabilize electric characteristics of a semiconductor device including an oxide semiconductor to increase reliability. The semiconductor device includes an insulating film; a first metal oxide film on and in contact with the insulating film; an oxide semiconductor film partly in contact with the first metal oxide film; source and drain electrodes electrically connected to the oxide semiconductor film; a second metal oxide film partly in contact with the oxide semiconductor film; a gate insulating film on and in contact with the second metal oxide film; and a gate electrode over the gate insulating film.
H10D 86/40 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT]
H10D 86/60 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT] les transistors TFT étant dans des matrices actives
A novel organic compound is provided. That is, a novel organic compound that is effective in improving reliability of a light-emitting element is provided. The organic compound includes a condensed ring including a pyrimidine ring and is represented by General Formula (G1). In General Formula (G1), A represents a group having 6 to 100 carbon atoms and includes at least one of an aromatic ring and a heteroaromatic ring. The aromatic ring and the heteroaromatic ring may each include a substituent. Furthermore, Q represents oxygen or sulfur. A ring X represents a substituted or unsubstituted naphthalene ring or a substituted or unsubstituted phenanthrene ring.
H10K 85/60 - Composés organiques à faible poids moléculaire
C07D 491/048 - Systèmes condensés en ortho avec un seul atome d'oxygène comme hétéro-atome du cycle contenant de l'oxygène le cycle contenant de l'oxygène étant à cinq chaînons
H10K 50/11 - OLED ou diodes électroluminescentes polymères [PLED] caractérisées par les couches électroluminescentes [EL]
H10K 59/12 - Affichages à OLED à matrice active [AMOLED]
H10K 71/16 - Dépôt d'une matière active organique en utilisant un dépôt physique en phase vapeur [PVD], p. ex. un dépôt sous vide ou une pulvérisation cathodique
A display device with a narrow bezel is provided. The display device includes a pixel circuit and a driver circuit which are provided on the same plane. The driver circuit includes a selection circuit and a buffer circuit. The selection circuit includes a first transistor. The buffer circuit includes a second transistor. The first transistor has a region overlapping with the second transistor. One of a source and a drain of the first transistor is electrically connected to a gate of the second transistor. One of a source and a drain of the second transistor is electrically connected to the pixel circuit.
H10K 59/122 - Structures ou couches définissant le pixel, p. ex. bords
G02F 1/133 - Dispositions relatives à la structureExcitation de cellules à cristaux liquidesDispositions relatives aux circuits
G06F 3/041 - Numériseurs, p. ex. pour des écrans ou des pavés tactiles, caractérisés par les moyens de transduction
G09G 3/20 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice
G09G 3/3225 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] utilisant une matrice active
G09G 3/3233 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] utilisant une matrice active avec un circuit de pixel pour commander le courant à travers l'élément électroluminescent
G09G 3/3258 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] utilisant une matrice active avec un circuit de pixel pour commander la tension aux bornes de l'élément électroluminescent
G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides
H10D 86/40 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT]
H10D 86/60 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT] les transistors TFT étant dans des matrices actives
H10K 10/84 - Électrodes ohmiques, p. ex. électrodes de source ou de drain
H10K 50/115 - OLED ou diodes électroluminescentes polymères [PLED] caractérisées par les couches électroluminescentes [EL] comprenant des nanostructures inorganiques actives, p. ex. des points quantiques luminescents
H10K 50/814 - Anodes combinées à des électrodes auxiliaires, p. ex. une couche d'ITO combinée à des lignes métalliques
H10K 59/121 - Affichages à OLED à matrice active [AMOLED] caractérisés par la géométrie ou la disposition des éléments de pixel
H10K 59/128 - Affichages à OLED à matrice active [AMOLED] comprenant deux affichages indépendants, p. ex. pour émettre des informations à partir de deux côtés principaux de l’affichage
H10K 71/20 - Modification de la forme de la couche active dans les dispositifs, p. ex. mise en forme
The display defects of a display device are reduced. The display quality of the display device is improved. The display device includes a display panel and a first conductive layer. The display panel includes a display element including a pair of electrodes. An electrode of the pair of electrodes which is closer to one surface of the display panel is supplied with a constant potential. A constant potential is supplied to the first conductive layer. The second conductive layer provided on the other surface of the display panel is in contact with the first conductive layer, whereby the second conductive layer is also supplied with the constant potential. The second conductive layer includes a portion not fixed to the first conductive layer.
G06F 3/041 - Numériseurs, p. ex. pour des écrans ou des pavés tactiles, caractérisés par les moyens de transduction
G06F 3/044 - Numériseurs, p. ex. pour des écrans ou des pavés tactiles, caractérisés par les moyens de transduction par des moyens capacitifs
H05B 33/26 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions caractérisées par la composition ou la disposition du matériau conducteur utilisé comme électrode
H10K 59/12 - Affichages à OLED à matrice active [AMOLED]
H10K 59/131 - Interconnexions, p. ex. lignes de câblage ou bornes
This invention provides a sentence generation system having a novel configuration. A processing unit acquires parallel sentence data by transmitting, to a first language model via a network, a first instruction sentence for selecting a sentence in which a plurality of events are described in parallel from first target data, using input data as the first target data. A third instruction sentence is acquired by transmitting, to the first language model via the network, a second instruction sentence for generating an instruction sentence in which the parallel sentence data is expressed as an expression including a feature related to second target data, using the parallel sentence data as the second target data. Sentence data related to the parallel sentence data is acquired by transmitting, to the first language model via the network, a third instruction sentence for generating a sentence based on third target data, using the input data and the parallel sentence data as the third target data. The output unit outputs output data in which the sentence data is appended to the input data.
Provided is a semiconductor device that occupies little area. The semiconductor device has a horizontal transistor and a vertical transistor combined therein. A CMOS semiconductor device is achieved as a result of a p-channel transistor being constituted by the horizontal transistor and an n-channel transistor being constituted by the vertical transistor. An insulating layer is provided on a gate electrode of the horizontal transistor, and a lower electrode of the vertical transistor is provided on the insulating layer. Silicon is used for a semiconductor layer of the horizontal transistor, and a metal oxide is used for a semiconductor layer of the vertical transistor.
H10D 84/80 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si caractérisés par l'intégration d'au moins un composant couvert par les groupes ou , p. ex. l'intégration de transistors IGFET
G02F 1/1368 - Cellules à adressage par une matrice active dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
G09F 9/30 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
H10D 84/83 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si caractérisés par l'intégration d'au moins un composant couvert par les groupes ou , p. ex. l'intégration de transistors IGFET de composants à effet de champ uniquement de transistors FET à grille isolée [IGFET] uniquement
H10D 84/85 - Transistors IGFET complémentaires, p. ex. CMOS
To provide a positive electrode active material in which a phase transition is inhibited and a secondary battery including the positive electrode active material. An unprecedented synthesis method has been developed in which lithium cobalt oxide particles are treated with a molten salt of MgF2—LiF as a reaction accelerator to facilitate the diffusion and doping of magnesium into lithium cobalt oxide bulk and to form a stable coating layer in the particle surface portion. Ex situ XRD analysis confirms the inhibition of the harmful phase transition and the emergence of a novel phase as the modified LiCoO2 is charged up to 4.7 V. The modified LiCoO2 shows high electrochemical performance during high-voltage operation. This technology provides a guideline for suppressing fundamental degradation associated with phase transition and achieving ultra-high energy density LiCoO2 positive electrodes.
H01M 4/525 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de nickel, de cobalt ou de fer d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du fer, du cobalt ou du nickel pour insérer ou intercaler des métaux légers, p. ex. LiNiO2, LiCoO2 ou LiCoOxFy
H01M 4/02 - Électrodes composées d'un ou comprenant un matériau actif
H01M 4/36 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs
A novel oscillator, an amplifier circuit, an inverter circuit, an amplifier circuit, a battery control circuit, a battery protection circuit, a power storage device, a semiconductor device, an electric device, and the like are provided. The semiconductor device includes an oscillator including a first transistor containing a metal oxide, and a second transistor to a fifth transistor, in which a first potential is supplied to a gate of the second transistor and a gate of the third transistor when the first transistor is turned on, and the first potential is held when the first transistor is turned off. The oscillator supplies a first signal based on the first potential to a first circuit. The first circuit performs at least one of shaping and amplification on the first signal. The second transistor and the fourth transistor are connected in series, and the third transistor and the fifth transistor are connected in series. A source or a drain of the third transistor is electrically connected to a gate of the fourth transistor, and a source or a drain of the fourth transistor is electrically connected to the gate of the third transistor.
H02M 3/156 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p. ex. régulateurs à commutation
H02H 7/18 - Circuits de protection de sécurité spécialement adaptés aux machines ou aux appareils électriques de types particuliers ou pour la protection sectionnelle de systèmes de câble ou de ligne, et effectuant une commutation automatique dans le cas d'un changement indésirable des conditions normales de travail pour pilesCircuits de protection de sécurité spécialement adaptés aux machines ou aux appareils électriques de types particuliers ou pour la protection sectionnelle de systèmes de câble ou de ligne, et effectuant une commutation automatique dans le cas d'un changement indésirable des conditions normales de travail pour accumulateurs
H10D 86/40 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT]
H10D 86/60 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT] les transistors TFT étant dans des matrices actives
A power storage device with high output is provided, in which the specific surface area is increased while keeping the easy-to-handle particle size of its active material. The power storage device includes a positive electrode including a positive electrode current collector and a positive electrode active material layer, a negative electrode including a negative electrode current collector and a negative electrode active material layer, and an electrolyte. The negative electrode active material layer includes a negative electrode active material which is a particle in which a plurality of slices of graphite is overlapped with each other with a gap therebetween. It is preferable that the grain diameter of the particle be 1 μm to 50 μm. Further, it is preferable that the electrolyte be in contact with the gap between the slices of graphite.
H01B 1/04 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisésEmploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement soit de compositions à base de carbone-silicium, soit de carbone soit de silicium
H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p. ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodesBatteries à l'ion lithium
A display device including a pixel having a memory. The pixel includes at least a display element, a capacitor, an inverter, and a switch. The switch is controlled with a signal held in the capacitor and a signal output from the inverter so that voltage is supplied to the display element. The inverter and the switch can be constituted by transistors with the same polarity. A semiconductor layer included in the pixel may be formed using a light-transmitting material. Moreover, a gate electrode, a drain electrode, and a capacitor electrode may be formed using a light-transmitting conductive layer. The pixel is formed using a light-transmitting material in such a manner, whereby the display device can be a transmissive display device while including a pixel having a memory.
G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides
H10D 86/40 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT]
H10D 86/60 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT] les transistors TFT étant dans des matrices actives
Provided is a semiconductor device exemplified by an inverter circuit and a shift register circuit, which is characterized by a reduced number of transistors. The semiconductor device includes a first transistor, a second transistor, and a capacitor. One of a source and a drain of the first transistor is electrically connected to a first wiring, and the other thereof is electrically connected to a second wiring. One of a source and a drain of the second transistor is electrically connected to the first wiring, a gate of the second transistor is electrically connected to a gate of the first transistor, and the other of the source and the drain of the second transistor is electrically connected to one electrode of the capacitor, while the other electrode of the capacitor is electrically connected to a third wiring. The first and second transistors have the same conductivity type.
H10D 86/60 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT] les transistors TFT étant dans des matrices actives
G09G 3/14 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un seul caractère, soit en sélectionnant un seul caractère parmi plusieurs, soit en composant le caractère par combinaison d'éléments individuels, p. ex. de segments élémentaires utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des éléments électroluminescents des dispositifs à semi-conducteurs, p. ex. des dispositifs à diodes
G09G 3/32 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED]
G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides
G11C 19/00 - Mémoires numériques dans lesquelles l'information est déplacée par échelons, p. ex. registres à décalage
H03B 1/00 - PRODUCTION D'OSCILLATIONS, DIRECTEMENT OU PAR CHANGEMENT DE FRÉQUENCE, À L'AIDE DE CIRCUITS UTILISANT DES ÉLÉMENTS ACTIFS QUI FONCTIONNENT D'UNE MANIÈRE NON COMMUTATIVEPRODUCTION DE BRUIT PAR DE TELS CIRCUITS Détails
H03K 3/00 - Circuits pour produire des impulsions électriquesCircuits monostables, bistables ou multistables
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
H10D 86/40 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT]
49.
LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
By increasing an interval between electrodes which drives liquid crystals, a gradient of an electric field applied between the electrodes can be controlled and an optimal electric field can be applied between the electrodes. The invention includes a first electrode formed over a substrate, an insulating film formed over the substrate and the first electrode, a thin film transistor including a semiconductor film in which a source, a channel region, and a drain are formed over the insulating film, a second electrode located over the semiconductor film and the first electrode and including first opening patterns, and liquid crystals provided over the second electrode.
G02F 1/1333 - Dispositions relatives à la structure
G02F 1/1337 - Orientation des molécules des cristaux liquides induite par les caractéristiques de surface, p. ex. par des couches d'alignement
G02F 1/136 - Cellules à cristaux liquides associées structurellement avec une couche ou un substrat semi-conducteurs, p. ex. cellules faisant partie d'un circuit intégré
G02F 1/1362 - Cellules à adressage par une matrice active
G02F 1/1368 - Cellules à adressage par une matrice active dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
50.
DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
An object is to provide a display device with excellent display characteristics, where a pixel circuit and a driver circuit provided over one substrate are formed using transistors which have different structures corresponding to characteristics of the respective circuits. The driver circuit portion includes a driver circuit transistor in which a gate electrode layer, a source electrode layer, and a drain electrode layer are formed using a metal film, and a channel layer is formed using an oxide semiconductor. The pixel portion includes a pixel transistor in which a gate electrode layer, a source electrode layer, and a drain electrode layer are formed using an oxide conductor, and a semiconductor layer is formed using an oxide semiconductor. The pixel transistor is formed using a light-transmitting material, and thus, a display device with higher aperture ratio can be manufactured.
H10D 86/40 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT]
H10D 86/60 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT] les transistors TFT étant dans des matrices actives
H10D 99/00 - Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe
51.
Display System, Display Device, and Light-Emitting Apparatus
A highly convenient display system is provided. A display system that enables a screen to be operated easily with a laser pointer is provided. A display system that enables a screen to be operated by a large number of people is provided. The display system includes a light-emitting apparatus and a display device. The light-emitting apparatus includes a means for emitting visible laser light and a means for emitting invisible light. The display device includes a display unit including a means for displaying an image and a means for obtaining positional information on a portion irradiated with the visible light, and a means for receiving the invisible light. The display system has a function of performing processing in accordance with the positional information when the invisible light is received.
G06F 3/0354 - Dispositifs de pointage déplacés ou positionnés par l'utilisateurLeurs accessoires avec détection des mouvements relatifs en deux dimensions [2D] entre le dispositif de pointage ou une partie agissante dudit dispositif, et un plan ou une surface, p. ex. souris 2D, boules traçantes, crayons ou palets
G09G 3/3233 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] utilisant une matrice active avec un circuit de pixel pour commander le courant à travers l'élément électroluminescent
H10K 65/00 - Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comprenant au moins un élément organique émetteur de lumière et au moins un composant organique sensible aux rayonnements, p. ex. des optocoupleurs organiques
The memory capacity of a DRAM is enhanced. A semiconductor memory device includes a driver circuit including part of a single crystal semiconductor substrate, a multilayer wiring layer provided over the driver circuit, and a memory cell array layer provided over the multilayer wiring layer. That is, the memory cell array overlaps with the driver circuit. Accordingly, the integration degree of the semiconductor memory device can be increased as compared to the case where a driver circuit and a memory cell array are provided in the same plane of a substrate containing a singe crystal semiconductor material.
H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]
G11C 5/10 - Dispositions pour interconnecter électriquement des éléments d'emmagasinage pour interconnecter des capacités
G11C 11/401 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliersÉléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c.-à-d. cellules dynamiques
H01L 23/528 - Configuration de la structure d'interconnexion
H01L 23/532 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées caractérisées par les matériaux
Provided are a learning method for an organic compound design model, in which a large language model is used, and an organic compound design system. The present invention comprises: a step for generating, through use of a first large language model, a first organic compound group by using a user sentence; a step for calculating a physical property value of a first organic compound of the first organic compound group by scientific calculation; a step for evaluating a demand achievement degree from a correlation between the user sentence, the molecular structure of the first organic compound, and the physical property value through use of a second large-scale language model; a step for generating training data in which the user sentence, the molecular structure of the first organic compound, and the demand achievement degree are combined; a step for constructing a reward model by using the training data; a step for creating a pseudo user sentence; a step for generating, through use of the first large language model, a second organic compound group by using the pseudo user sentence; a step for generating pseudo reward data by evaluating the molecular structure of a second organic compound of the second organic compound group through use of the reward model; and a step for updating a parameter of the first large language model by using the pseudo reward data.
Provided is a molecular structure generation method in which a large language model is used and which exhibits high versatility and excellent precision. Provided is a molecular structure generation method comprising: a step for inputting a first instruction sentence in which a compound, which serves as a base, and a requirement for characteristics are combined with molecular structure information of a compound corresponding to the compound and a natural sentence; a step for separating a part of the molecular structure information of the compound and a part of the requirement for the characteristics; a step for generating a plurality of similar compounds on the basis of the molecular structure information of the compound which serves as a base; a step for extracting information regarding the characteristics from the requirement for the characteristics; and a step for inputting a second instruction sentence for a large language model. To the second instruction sentence, at least the information regarding the characteristics and, as an example of the molecular, the plurality of similar compounds are inputted.
Provided is a novel positive electrode active material. Also provided is a battery with excellent charge and discharge characteristics. This battery has a positive electrode. The positive electrode has a positive electrode active material layer. The positive electrode active material layer has positive electrode active material particles containing magnesium, titanium, nickel, aluminum, and lithium cobalt oxide. XPS analysis of the plurality of positive electrode active material particles in the positive electrode active material layer shows a peak in the range from 850 eV to 860 eV inclusive and at a position at least 0.5 eV higher than the peak position in XPS analysis of nickel(II) oxide.
H01M 4/525 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de nickel, de cobalt ou de fer d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du fer, du cobalt ou du nickel pour insérer ou intercaler des métaux légers, p. ex. LiNiO2, LiCoO2 ou LiCoOxFy
H01M 4/38 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'éléments simples ou d'alliages
Provided is an optical device that is compact, lightweight, and achieves high light use efficiency. This optical device has: a catadioptric system that achieves high light use efficiency and causes image formation positions on two optical paths to coincide with each other; and a singlet lens that has the function of optical correction or the like and is between a non-polarized light source and the catadioptric system. A resin lens is disposed in an optical path using non-polarized light, and a glass lens that does not substantially generate birefringence is disposed in an optical path using polarized light. Thus, the partial unpolarization of polarized light can be prevented, and an optical device that is lightweight and achieves high light use efficiency with little stray light can be provided.
G09F 9/00 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels
G09F 9/30 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
One aspect of the present invention provides a charging control system that is capable of effectively using regenerative electric power without wasting the regenerative electric power. Generated regenerative electric power is efficiently stored in a second secondary battery and then stored in a main first secondary battery. Charging from the second secondary battery to the first secondary battery is performed via a DC-DC converter. The charge state of the first secondary battery and the charge state of the second secondary battery are controlled. When the first secondary battery is close to full charge and is likely to deteriorate, it is possible to perform charging from the first secondary battery to the second secondary battery.
B60L 53/20 - Procédés de chargement de batteries spécialement adaptées aux véhicules électriquesStations de charge ou équipements de charge embarqués pour ces batteriesÉchange d'éléments d’emmagasinage d'énergie dans les véhicules électriques caractérisés par des convertisseurs situés dans le véhicule
B60L 58/18 - Procédés ou agencements de circuits pour surveiller ou commander des batteries ou des piles à combustible, spécialement adaptés pour des véhicules électriques pour la surveillance et la commande des batteries de plusieurs modules de batterie
H01G 11/08 - Combinaisons structurelles, p. ex. assemblage ou connexion de condensateurs hybrides ou EDL avec d’autres composants électriques, au moins un condensateur hybride ou EDL étant le composant principal
H01M 4/38 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'éléments simples ou d'alliages
H01M 4/525 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de nickel, de cobalt ou de fer d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du fer, du cobalt ou du nickel pour insérer ou intercaler des métaux légers, p. ex. LiNiO2, LiCoO2 ou LiCoOxFy
H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p. ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodesBatteries à l'ion lithium
H01M 10/48 - Accumulateurs combinés à des dispositions pour mesurer, tester ou indiquer l'état des éléments, p. ex. le niveau ou la densité de l'électrolyte
58.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
Provided is a semiconductor device having a high operating speed. In this invention, a second insulator is formed on top of a first insulator, and raised sections are formed in the second insulator. An oxide semiconductor film is deposited to cover the second insulator, and oxide semiconductors in contact with the lateral surfaces of the raised sections are formed by anisotropic etching. A third insulator is deposited to cover the second insulator and the oxide semiconductor film, and CMP is performed to planarize the top surface of the third insulator. The second and third insulators are etched to form a fourth insulator in contact with the bottom surface of the oxide semiconductors. A first conductor is formed to cover the oxide semiconductors and the fourth insulator, and a fifth insulator with an opening is formed on top of the first conductor. The first conductor is processed to form second and third conductors facing each other across the opening. A sixth insulator and a fourth conductor are formed inside the opening.
H10D 84/83 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si caractérisés par l'intégration d'au moins un composant couvert par les groupes ou , p. ex. l'intégration de transistors IGFET de composants à effet de champ uniquement de transistors FET à grille isolée [IGFET] uniquement
A scan line to which a selection signal or a non-selection signal is input from its end, and a transistor in which a clock signal is input to a gate, the non-selection signal is input to a source, and a drain is connected to the scan line are provided. A signal input to the end of the scan line is switched from the selection signal to the non-selection signal at the same or substantially the same time as the transistor is turned on. The non-selection signal is input not only from one end but also from both ends of the scan line. This makes it possible to inhibit the potentials of portions in the scan line from being changed at different times.
G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides
G02F 1/1362 - Cellules à adressage par une matrice active
G02F 1/1368 - Cellules à adressage par une matrice active dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
G11C 19/28 - Mémoires numériques dans lesquelles l'information est déplacée par échelons, p. ex. registres à décalage utilisant des éléments semi-conducteurs
60.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
A semiconductor device with favorable electrical characteristics is provided. A semiconductor device with stable electrical characteristics is provided.
A semiconductor device with favorable electrical characteristics is provided. A semiconductor device with stable electrical characteristics is provided.
The semiconductor device includes a semiconductor layer, a first insulating layer, and a first conductive layer. The first insulating layer is provided over the semiconductor layer. The first conductive layer is provided over the first insulating layer. The semiconductor layer includes a first region that overlaps with the first conductive layer and the first insulating layer, a second region that does not overlap with the first conductive layer and overlaps with the first insulating layer, and a third region that overlaps with neither the first conductive layer nor the first insulating layer. The semiconductor layer contains a metal oxide. The second region and the third region contain a first element. The first element is one or more elements selected from boron, phosphorus, aluminum, and magnesium. The first element exists in a state of being bonded to oxygen.
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
H01L 21/266 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions en utilisant des masques
An electronic device of a novel embodiment, specifically an arm-worn electronic device used while being worn on an arm, is provided. An arm-worn secondary battery used while being worn on an arm is provided. An electronic device is provided, which includes a structure body having a curved surface as a support structure body, a flexible secondary battery including a film as an exterior body over the curved surface of the support structure body, and a display portion including a plurality of display elements between a pair of films over the secondary battery. The plurality of display elements and the secondary battery overlap with each other at least partly. It is possible to provide an electronic device which has a small maximum thickness of 1 cm or less and a light weight of 50 g or less even when an arm-worn secondary battery is provided with a display portion
A memory device having an error detection function and being capable of storing a large amount of data per unit area is provided. A driver circuit of the memory device is formed using a transistor formed on a semiconductor substrate, and a memory cell of the memory device is formed using a thin film transistor. A plurality of layers each of which includes a memory cell using the thin film transistor can be stacked over the semiconductor substrate, so that the amount of data that can be stored per unit area can be increased. Part of a peripheral circuit including the memory device can be formed using a thin film transistor, and thus, an error detection circuit is formed using the thin film transistor and stacked over the semiconductor substrate.
An electronic device having a novel structure is provided. A battery is provided in each component of an electronic device, whereby the electronic device includes two batteries. The electronic device including the two batteries and a display portion that can be called a flexible display and has a plurality of foldable portions is provided as a novel device.
G06F 1/26 - Alimentation en énergie électrique, p. ex. régulation à cet effet
G06F 3/0488 - Techniques d’interaction fondées sur les interfaces utilisateur graphiques [GUI] utilisant des caractéristiques spécifiques fournies par le périphérique d’entrée, p. ex. des fonctions commandées par la rotation d’une souris à deux capteurs, ou par la nature du périphérique d’entrée, p. ex. des gestes en fonction de la pression exercée enregistrée par une tablette numérique utilisant un écran tactile ou une tablette numérique, p. ex. entrée de commandes par des tracés gestuels
G09G 3/20 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice
G09G 3/3225 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] utilisant une matrice active
To provide an oxide semiconductor film having stable electric conductivity and a highly reliable semiconductor device having stable electric characteristics by using the oxide semiconductor film. The oxide semiconductor film contains indium (In), gallium (Ga), and zinc (Zn) and includes a c-axis-aligned crystalline region aligned in the direction parallel to a normal vector of a surface where the oxide semiconductor film is formed. Further, the composition of the c-axis-aligned crystalline region is represented by In1+δGa1−δO3(ZnO)m (0<δ<1 and m=1 to 3 are satisfied), and the composition of the entire oxide semiconductor film including the c-axis-aligned crystalline region is represented by InxGayO3(ZnO)m (0
H10D 86/40 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT]
H10D 86/60 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT] les transistors TFT étant dans des matrices actives
H10D 99/00 - Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe
H10K 59/121 - Affichages à OLED à matrice active [AMOLED] caractérisés par la géométrie ou la disposition des éléments de pixel
An electronic device with reduced power consumption is provided. A multifunction electronic device that is easily reduced in weight or size is provided. A composite device includes a sensor device and a display device. The sensor device includes a first communication portion and a sensor portion and can be worn on a human body. The display device includes a display portion, a second communication portion, and a control portion. The first communication portion has a function of transmitting a signal including information obtained by the sensor portion. The second communication portion has a function of receiving the signal. The control portion has a function of returning from a resting state in accordance with the signal. The control portion has a function of generating first image data on the basis of the information and outputting the first image data to the display portion. The display portion has a function of displaying an image on the basis of the first image data.
A semiconductor device includes first and second transistors having the same conductivity type and a circuit. One of a source and a drain of the first transistor is electrically connected to that of the second transistor. First and third potentials are supplied to the circuit through respective wirings. A second potential and a first clock signal are supplied to the others of the sources and the drains of the first and second transistors, respectively. A second clock signal is supplied to the circuit. The third potential is higher than the second potential which is higher than the first potential. A fourth potential is equal to or higher than the third potential. The first clock signal alternates the second and fourth potentials and the second clock signal alternates the first and third potentials. The circuit controls electrical connections between gates of the first and second transistors and the wirings.
H10D 86/60 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT] les transistors TFT étant dans des matrices actives
G02F 1/1334 - Dispositions relatives à la structure basées sur des cristaux liquides dispersés dans un polymère, p. ex. cristaux liquides micro-encapsulés
G02F 1/1337 - Orientation des molécules des cristaux liquides induite par les caractéristiques de surface, p. ex. par des couches d'alignement
G02F 1/1362 - Cellules à adressage par une matrice active
G02F 1/1368 - Cellules à adressage par une matrice active dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
G09G 3/20 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice
G09G 3/3233 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] utilisant une matrice active avec un circuit de pixel pour commander le courant à travers l'élément électroluminescent
G09G 3/3258 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] utilisant une matrice active avec un circuit de pixel pour commander la tension aux bornes de l'élément électroluminescent
G09G 3/3266 - Détails des circuits de commande pour les électrodes de balayage
G09G 3/3275 - Détails des circuits de commande pour les électrodes de données
G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides
G11C 19/28 - Mémoires numériques dans lesquelles l'information est déplacée par échelons, p. ex. registres à décalage utilisant des éléments semi-conducteurs
H10D 86/40 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT]
67.
INFORMATION PROCESSING SYSTEM AND INFORMATION PROCESSING METHOD
Provided is a novel information processing system that exhibits exceptional convenience, usefulness, or reliability. This information processing system includes a first information processing device and a second information processing device. The first information processing device has: a function for receiving input of a first-language document; a function for translating the first-language document to a second language; a function for reverse-translating the second-language document to the first language; a function for comparing the two same-language documents and determining whether the documents are synonymous; a function for transmitting, to the second information processing device, a prompt including a first-language document A that is determined to not be synonymous in the aforementioned determination and instruction text for inducing generation of a first-language document B that is synonymous with the document A, thereby acquiring the document B; and a function for outputting the document B. The second information processing device has a function for generating the document B in accordance with the prompt.
G06F 40/58 - Utilisation de traduction automatisée, p. ex. pour recherches multilingues, pour fournir aux dispositifs clients une traduction effectuée par le serveur ou pour la traduction en temps réel
The present invention provides a novel information processing system. First, an image corresponding to a processing range which is at least a part of a layout of a semiconductor device is received. Next, by using a detection model, a shape based on a design rule prepared in advance is extracted from the image, and a tag indicating a type of the design rule and a bounding box indicating a position of the shape are assigned to the shape. Next, a position of a correction target area in the layout corresponding to the position of the bounding box in the image is calculated. Next, vertex information of a pattern element included in the correction target area and layer information to which the pattern element belongs are acquired. Next, an instruction sentence is created using the tag, the vertex information, and the layer information. Next, a response sentence including a layout correction proposal based on the instruction sentence is generated using a language model. Finally, the response sentence is output.
G06F 30/392 - Conception de plans ou d’agencements, p. ex. partitionnement ou positionnement
G06F 30/27 - Optimisation, vérification ou simulation de l’objet conçu utilisant l’apprentissage automatique, p. ex. l’intelligence artificielle, les réseaux neuronaux, les machines à support de vecteur [MSV] ou l’apprentissage d’un modèle
69.
SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC EQUIPMENT
Provided is a semiconductor device in which an off-current is reduced. The semiconductor device includes a drive transistor, a first transistor, a second transistor, a third transistor, a first capacitive element, and a light-emitting device. A back gate of the first transistor is electrically connected to one of a source and a drain of the second transistor, and one of a source and a drain of the third transistor. The gate of the first transistor is electrically connected to a first wiring, a gate of the second transistor is electrically connected to the first wiring, and a gate of the third transistor is electrically connected to a second wiring. One of a source and a drain of the first transistor is electrically connected to a gate of the drive transistor, and a first terminal of the first capacitive element. One of a source and a drain of the drive transistor is electrically connected to a second terminal of the first capacitive element and one of an anode and a cathode of the light-emitting device.
H10D 86/40 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT]
G09F 9/30 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
G09G 3/20 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice
G09G 3/3233 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] utilisant une matrice active avec un circuit de pixel pour commander le courant à travers l'élément électroluminescent
H10D 86/60 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT] les transistors TFT étant dans des matrices actives
H10K 59/123 - Connexion des électrodes de pixel aux transistors à couches minces [TFT]
H10K 59/131 - Interconnexions, p. ex. lignes de câblage ou bornes
A semiconductor device with high manufacturing yield is provided. The semiconductor device includes a plurality of subpixels. Each of the subpixels includes a first transistor, a second transistor, a first capacitor to a third capacitor, a first insulating layer, and a wiring. Each of the first capacitor to the third capacitor includes a first conductive layer, a second conductive layer, and a second insulating layer sandwiched between the first conductive layer and the second conductive layer. The first insulating layer is provided over the first transistor and the second transistor. The first conductive layers of the first capacitor to the third capacitor and the wiring are each provided over the first insulating layer. In a top view, the proportion of the total area of the first conductive layers of the first capacitor to the third capacitor and the wiring to the area of the subpixel is greater than or equal to 15 percent. The area of the first conductive layer of the second capacitor and the area of the first conductive layer of the third capacitor are each greater than or equal to twice the area of the first conductive layer of the first capacitor.
H10K 59/121 - Affichages à OLED à matrice active [AMOLED] caractérisés par la géométrie ou la disposition des éléments de pixel
G09G 3/3233 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] utilisant une matrice active avec un circuit de pixel pour commander le courant à travers l'élément électroluminescent
H10K 59/131 - Interconnexions, p. ex. lignes de câblage ou bornes
A display apparatus with a high aperture ratio is provided. The display apparatus includes a first pixel, a second pixel, a first coloring layer, a second coloring layer, a first conductive layer, a second conductive layer, and a first insulating layer. The first pixel includes a first pixel electrode, a first EL layer over the first pixel electrode, and a common electrode over the first EL layer. The second pixel includes a second pixel electrode, a second EL layer over the second pixel electrode, and the common electrode over the second EL layer. The second pixel is placed to be adjacent to the first pixel. The first coloring layer is placed to overlap with the first pixel. The second coloring layer is placed to overlap with the second pixel. The wavelength range of light that the second coloring layer transmits is different from a wavelength range of light that the first coloring layer transmits. The first conductive layer is placed over the common electrode. The first insulating layer is placed over the first conductive layer. The second conductive layer is placed over the first insulating layer. One or both of the first conductive layer and the second conductive layer overlap with a region interposed between the first EL layer and the second EL layer. A side surface of the first EL layer and a side surface of the second EL layer are placed to face each other.
H10K 50/13 - OLED ou diodes électroluminescentes polymères [PLED] caractérisées par les couches électroluminescentes [EL] spécialement adaptées à l'émission de lumière multicolore, p. ex. à l'émission de lumière blanche comprenant des couches EL empilées dans une unité EL
H10K 59/127 - Affichages à OLED à matrice active [AMOLED] comprenant deux substrats, p. ex. un affichage comprenant une matrice OLED et un circuit de commande de TFT sur des substrats différents
An object is to provide a semiconductor device with a novel structure in which stored data can be held even when power is not supplied and there is no limit on the number of write operations. The semiconductor device includes a first memory cell including a first transistor and a second transistor, a second memory cell including a third transistor and a fourth transistor, and a driver circuit. The first transistor and the second transistor overlap at least partly with each other. The third transistor and the fourth transistor overlap at least partly with each other. The second memory cell is provided over the first memory cell. The first transistor includes a first semiconductor material. The second transistor, the third transistor, and the fourth transistor include a second semiconductor material.
G11C 16/04 - Mémoires mortes programmables effaçables programmables électriquement utilisant des transistors à seuil variable, p. ex. FAMOS
G11C 16/08 - Circuits d'adressageDécodeursCircuits de commande de lignes de mots
G11C 16/10 - Circuits de programmation ou d'entrée de données
G11C 16/26 - Circuits de détection ou de lectureCircuits de sortie de données
H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]
H10B 41/20 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par les agencements tridimensionnels, p. ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur
H10B 41/30 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par la région noyau de mémoire
H10B 41/70 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes la grille flottante étant une électrode partagée par plusieurs éléments
H10B 99/00 - Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe
H10D 86/00 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre
A semiconductor device having a novel structure is provided. The semiconductor device includes a silicon substrate and a device provided above the silicon substrate. The device includes a transistor and a conductor. The transistor includes a metal oxide in a channel formation region. Conductivity is imparted to the silicon substrate. The conductor is electrically connected to each of a drain of the transistor and the silicon substrate through an opening provided in the device. Heat of the drain of the transistor can be efficiently released through the silicon substrate.
A novel input device that is highly convenient or reliable is provided. A novel input/output device that is highly convenient or reliable is provided. A semiconductor device is provided. The present inventors have reached an idea of a structure including a plurality of conductive films configured to be capacitively coupled to an approaching object, a driver circuit that selects a conductive film from a plurality of conductive films in a predetermined order, and a sensor circuit having a function of supplying a search signal and a sensing signal.
A lightweight flexible light-emitting device which is able to possess a curved display portion and display a full color image with high resolution and the manufacturing process thereof are disclosed. The light-emitting device comprises: a plastic substrate; an insulating layer with an adhesive interposed therebetween; a thin film transistor over the insulating layer; a protective insulating film over the thin film transistor, a color filter over the protective insulating film; and a white-emissive light-emitting element formed over and being in contact with the thin film transistor.
H10D 86/60 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT] les transistors TFT étant dans des matrices actives
H10D 86/40 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT]
H10H 20/851 - Moyens de conversion de la longueur d’onde
H10H 20/855 - Moyens de mise en forme du champ optique, p. ex. lentilles
H10K 50/125 - OLED ou diodes électroluminescentes polymères [PLED] caractérisées par les couches électroluminescentes [EL] spécialement adaptées à l'émission de lumière multicolore, p. ex. à l'émission de lumière blanche
H10K 50/13 - OLED ou diodes électroluminescentes polymères [PLED] caractérisées par les couches électroluminescentes [EL] spécialement adaptées à l'émission de lumière multicolore, p. ex. à l'émission de lumière blanche comprenant des couches EL empilées dans une unité EL
H10K 59/12 - Affichages à OLED à matrice active [AMOLED]
H10K 59/124 - Couches isolantes formées entre les éléments TFT et les éléments OLED
H10K 59/38 - Dispositifs spécialement adaptés à l'émission de lumière multicolore comprenant des filtres de couleur ou des supports changeant de couleur [CCM]
An electronic device that can easily increase the viewing angle and has a reduced screen-door effect is provided. In the electronic device, images displayed on a display panel with a low pixel density and a display panel with a high pixel density are synthesized to be seen. The electronic device includes a first display panel that has a relatively large screen size and a low pixel density, and a second display panel and a third display panel each of which has a relatively small screen size and a high pixel density. The electronic device is configured such that visual information enters the central field of view from the second display panel or the third display panel and visual information enters the peripheral field of view from the first display panel. Such a configuration can easily increase the viewing angle and reduce the screen-door effect.
G02B 27/10 - Systèmes divisant ou combinant des faisceaux
G02B 27/14 - Systèmes divisant ou combinant des faisceaux fonctionnant uniquement par réflexion
G02F 1/133 - Dispositions relatives à la structureExcitation de cellules à cristaux liquidesDispositions relatives aux circuits
H10K 59/50 - OLED intégrées avec des éléments de modulation de lumière, p. ex. avec des éléments électrochromes, des éléments photochromes ou des éléments à cristaux liquides
Provided is a semiconductor device having a small footprint. This semiconductor device includes a first transistor, a second transistor, and a first insulating layer. The first transistor includes a first conductive layer, a first metal oxide layer, a gate insulating layer, and a first gate electrode. The second transistor includes a second conductive layer, a third conductive layer, a second metal oxide layer, a gate insulating layer, and a second gate electrode. The first insulating layer is located above the first conductive layer and the second conductive layer and includes a first opening reaching the first conductive layer. The first insulating layer and the third conductive layer include a second opening reaching the second conductive layer. The first metal oxide layer includes: a first region in contact with the upper surface of the first conductive layer; a second region in contact with a lateral surface of the first insulating layer; and a third region in contact with the upper surface of the first insulating layer. The third region is in contact with the second region. The second metal oxide layer is in contact with the upper surface of the second conductive layer, the lateral surface of the first insulating layer, and a lateral surface of the third conductive layer.
G09F 9/30 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
H10D 84/83 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si caractérisés par l'intégration d'au moins un composant couvert par les groupes ou , p. ex. l'intégration de transistors IGFET de composants à effet de champ uniquement de transistors FET à grille isolée [IGFET] uniquement
H10K 59/12 - Affichages à OLED à matrice active [AMOLED]
Provided is a semiconductor device that can be miniaturized or highly integrated, a semiconductor device that is highly reliable, a semiconductor device that has low power consumption, or a semiconductor device that has a high operation speed. This semiconductor device includes: a first transistor including a first conductive layer to a third conductive layer, a first oxide semiconductor layer, and a charge accumulation layer; a second transistor including a fourth conductive layer, a fifth conductive layer, and a second oxide semiconductor layer; and a first insulating layer. The first insulating layer is located above the first conductive layer and the fourth conductive layer, and includes: a first opening overlapping the first conductive layer; and a second opening overlapping the fourth conductive layer. A second conductive layer and the fifth conductive layer are located above the first insulating layer. The first oxide semiconductor layer is located in the first opening. In the first opening, the charge accumulation layer is located between the first oxide semiconductor layer and the third conductive layer. The second oxide semiconductor layer is located in the second opening.
H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]
H10B 41/70 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes la grille flottante étant une électrode partagée par plusieurs éléments
H10B 43/27 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par les agencements tridimensionnels, p. ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p. ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p. ex. des canaux en forme de U
H10B 43/30 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la région noyau de mémoire
H10B 43/40 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la région de circuit périphérique
H10B 51/30 - Dispositifs de RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des transistors ferro-électriques de mémoire caractérisés par la région noyau de mémoire
H10B 53/30 - Dispositifs RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des condensateurs ferro-électriques de mémoire caractérisés par la région noyau de mémoire
H10D 1/68 - Condensateurs n’ayant pas de barrières de potentiel
H10D 84/80 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si caractérisés par l'intégration d'au moins un composant couvert par les groupes ou , p. ex. l'intégration de transistors IGFET
H10D 84/83 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si caractérisés par l'intégration d'au moins un composant couvert par les groupes ou , p. ex. l'intégration de transistors IGFET de composants à effet de champ uniquement de transistors FET à grille isolée [IGFET] uniquement
H10D 86/40 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT]
H10D 89/00 - Aspects des dispositifs intégrés non couverts par les groupes
The present invention provides a semiconductor device that is easily scaled down. The semiconductor device has a semiconductor layer, a first electrode, a second electrode, a gate insulation layer, and a gate electrode. The semiconductor layer has a tubular portion. The gate electrode has a portion located on the inner side of the tubular portion. The gate insulation layer has a portion located between the semiconductor layer and the gate electrode. The second electrode has a portion located above the first electrode. The semiconductor layer has a portion in contact with the top surface of the second electrode, above the tubular portion. The semiconductor layer also has a portion in contact with the top surface of the first electrode, below the tubular portion. The semiconductor layer further includes a two-dimensional layered material.
H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]
H10B 41/70 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes la grille flottante étant une électrode partagée par plusieurs éléments
H10D 84/83 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si caractérisés par l'intégration d'au moins un composant couvert par les groupes ou , p. ex. l'intégration de transistors IGFET de composants à effet de champ uniquement de transistors FET à grille isolée [IGFET] uniquement
H10D 86/40 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT]
H10K 59/12 - Affichages à OLED à matrice active [AMOLED]
A novel storage device is provided. A storage device in which N memory layers each including a plurality of memory cells provided in a matrix (Nis an integer greater than or equal to 2) are stacked is provided. A write bit line, a read bit line, and a selection line are provided along a stacking direction of the memory layers, and a write word line and a read word line are provided in the direction orthogonal to the stacking direction of the memory layers. The memory cell includes a first transistor, a second transistor, and a capacitor. One of a source and a drain of the first transistor is electrically connected to the write bit line through a first conductor including a region functioning as one of a source electrode and a drain electrode. The first conductor includes a region where at least one of the top surface, a side surface, and the bottom surface of the first conductor is in contact with the write bit line.
An electronic device providing a high sense of immersion is provided. An electronic device with low power consumption is provided. A first display device includes a plurality of first pixels. The first pixel includes a light-emitting element exhibiting green. A second display device includes a plurality of second pixels. The second pixel includes a light-emitting element exhibiting red and a light-emitting element exhibiting blue. Each of the first display device and the second display device has a function of displaying a first image and a second image. The first display device is provided at such a position that the first image is reflected by the first half mirror and enters an eyepiece lens. The second display device is provided at such a position that the second image passes through the first half mirror and enters the eyepiece lens. The first image and the second image are each presented through the eyepiece lens.
H04N 13/344 - Affichage pour le visionnement à l’aide de lunettes spéciales ou de visiocasques avec des visiocasques portant des affichages gauche et droit
H10K 59/35 - Dispositifs spécialement adaptés à l'émission de lumière multicolore comprenant des sous-pixels rouge-vert-bleu [RVB]
A semiconductor device that can be miniaturized or highly integrated is provided. First to second transistors share a first metal oxide over a first insulator and a first conductor over the first metal oxide; the first transistor includes a second conductor and a second insulator which are over the first metal oxide and a third conductor over the second insulator; the second transistor includes a fourth conductor and a third insulator which are over the first metal oxide and a fifth conductor over the third insulator; a side surface of the first insulator includes a portion in contact with the fourth conductor; an end portion of the fourth conductor includes a portion positioned outward from an end portion of the first insulator; the second insulator is positioned between the first conductor and the second conductor; the metal oxide and the third conductor overlap with each other with the second insulator therebetween; the third insulator is positioned between the first conductor and the fourth conductor; and the metal oxide and the fifth conductor overlap with each other with the third insulator therebetween.
H10D 86/40 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT]
H10D 64/68 - Électrodes ayant un conducteur couplé capacitivement à un semi-conducteur par un isolant, p. ex. électrodes du type métal-isolant-semi-conducteur [MIS] caractérisées par l’isolant, p. ex. par l’isolant de grille
A display device capable of performing display at high luminance is provided. A first layer containing a first light-emitting material emitting blue light is formed into an island shape over a first pixel electrode, and then a second layer containing a second light-emitting material emitting light having a longer wavelength than blue light is formed into an island shape over a second pixel electrode. After that, an insulating layer overlapping with a region interposed between the first pixel electrode and the second pixel electrode is formed, and a common electrode is formed to cover the first layer, the second layer, and the insulating layer.
Provided is a positive electrode that maintains high discharge capacity even after undergoing a charge/discharge cycle test. A positive electrode according to the present invention can be used in a lithium ion secondary battery. Said positive electrode comprises positive electrode active material particles, wherein: the positive electrode active material particles contain lithium, cobalt, oxygen, magnesium, fluorine, nickel, aluminum, and titanium; and in a cross-sectional SEM image of the positive electrode, the number of cracks is not more than 0.06 per square micrometer and the total length of cracks is not more than 0.06 μm per square micrometer. Alternatively, when the charge/discharge cycle test is performed 50 times and then the positive electrode is taken out and a cross-sectional SEM image of the positive electrode is obtained, the number of pits in the positive electrode active material particles of the positive electrode is not more than 0.25 per square micrometer.
H01M 4/525 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de nickel, de cobalt ou de fer d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du fer, du cobalt ou du nickel pour insérer ou intercaler des métaux légers, p. ex. LiNiO2, LiCoO2 ou LiCoOxFy
H01M 4/36 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs
85.
METHOD FOR PRODUCING POSITIVE ELECTRODE ACTIVE SUBSTANCE
The present invention provides a method for producing a positive electrode active substance having good cycle characteristics. This method for producing a positive electrode active substance comprises: mixing lithium cobaltate having a median diameter (D50) of 10 µm or less with a first additional element source to form a first mixture; subjecting the first mixture to a first heating to form a first composite oxide; mixing the first composite oxide with a second additional element source to form a second mixture; subjecting the second mixture to second heating to form a second composite oxide; mixing the second composite oxide with a third additional element source to form a third mixture; and subjecting the third mixture to third heating. The first additional element source comprises a magnesium compound and a fluorine compound. The second additional element source comprises an aluminum compound and a nickel compound. The third additional element source comprises a titanium compound. The duration of the second heating and the duration of the third heating are each shorter than the duration of the first heating.
H01M 4/525 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de nickel, de cobalt ou de fer d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du fer, du cobalt ou du nickel pour insérer ou intercaler des métaux légers, p. ex. LiNiO2, LiCoO2 ou LiCoOxFy
An aspect of the present invention provides a positive electrode active material with enhanced lithium ion insertion and desorption. Also provided is a positive electrode active material or a composite oxide with a crystal structure resistant to collapse even after repeated charge-discharge cycles. In order to prevent a lithium cobalt oxide surface layer portion from forming a rock salt structure that creates resistance, lithium fluoride is added to the lithium cobalt oxide to create a layered rock salt structure on a portion of the surface. The subsequent addition of magnesium fluoride allows for the presence of a barrier layer with a net structure of Mg-F bonds or Mg-O bonds in the surface layer portion, while still maintaining the layered rock salt structure on the portion of the surface.
H01M 4/525 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de nickel, de cobalt ou de fer d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du fer, du cobalt ou du nickel pour insérer ou intercaler des métaux légers, p. ex. LiNiO2, LiCoO2 ou LiCoOxFy
Provided is a novel semiconductor device. This semiconductor device includes first to third transistors, a first capacitive element, and a second capacitive element. The first to third transistors each have a gate, a first terminal, and a second terminal. The first terminal of the first transistor is electrically connected to a first electrode of the first capacitive element and the gate of the third transistor. The first terminal of the second transistor is electrically connected to the second terminal of the first transistor and a first electrode of the second capacitive element. The gates of the first transistor and the second transistor are electrically connected to each other. The second electrodes of the first capacitive element and the second capacitive element are electrically connected to each other.
H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]
G11C 11/405 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliersÉléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c.-à-d. cellules dynamiques avec régénération de la charge commune à plusieurs cellules de mémoire, c.-à-d. rafraîchissement externe avec trois portes à transfert de charges, p. ex. transistors MOS, par cellule
H10B 41/70 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes la grille flottante étant une électrode partagée par plusieurs éléments
H10B 99/00 - Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe
H10D 86/40 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT]
A novel metal oxide is provided. One embodiment of the present invention is a crystalline metal oxide. The metal oxide includes a first layer and a second layer; the first layer has a wider bandgap than the second layer; the first layer and the second layer form a crystal lattice; and in the case where a carrier is excited in the metal oxide, the carrier is transferred through the second layer. Furthermore, the first layer contains an element M (M is one or more selected from Al, Ga, Y, and Sn) and Zn, and the second layer contains In.
H01L 29/24 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , , ou
H01L 29/04 - Corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline, p.ex. polycristalline, cubique ou à orientation particulière des plans cristallins
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
A display apparatus with a high aperture ratio is provided. The display apparatus includes a first pixel, a second pixel placed adjacent to the first pixel, a first conductive layer, a second conductive layer, and a first insulating layer. The first pixel includes a first pixel electrode, a first EL layer over the first pixel electrode, and a common electrode over the first EL layer. The second pixel includes a second pixel electrode, a second EL layer over the second pixel electrode, and the common electrode over the second EL layer. The first conductive layer is placed over the common electrode. The first insulating layer is placed over the first conductive layer. The second conductive layer is placed over the first insulating layer. One or both of the first conductive layer and the second conductive layer overlap with a region interposed between the first EL layer and the second EL layer. A side surface of the first EL layer and a side surface of the second EL layer are placed to face each other.
A positive electrode and a secondary battery that are stable in a high potential state and/or a high temperature state are provided. Alternatively, a positive electrode and a secondary battery that have excellent cycle performance are provided. The positive electrode includes a positive electrode active material and a conductive material; at least part of a surface of the positive electrode active material is covered with the conductive material; the positive electrode active material includes lithium cobalt oxide containing magnesium, fluorine, aluminum, and nickel; the lithium cobalt oxide includes a region in which at least one or more concentrations of the magnesium, the fluorine, and the aluminum are the maximum in a surface portion; and the conductive material contains carbon. The conductive material is preferably one or more selected from carbon black, graphene, and a graphene compound.
H01M 4/525 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de nickel, de cobalt ou de fer d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du fer, du cobalt ou du nickel pour insérer ou intercaler des métaux légers, p. ex. LiNiO2, LiCoO2 ou LiCoOxFy
H01M 4/02 - Électrodes composées d'un ou comprenant un matériau actif
Provided is a light-emitting element with high external quantum efficiency, or a light-emitting element with a long lifetime. The light-emitting element includes, between a pair of electrodes, a light-emitting layer including a guest material and a host material, in which an emission spectrum of the host material overlaps with an absorption spectrum of the guest material, and phosphorescence is emitted by conversion of an excitation energy of the host material into an excitation energy of the guest material. By using the overlap between the emission spectrum of the host material and the absorption spectrum of the guest material, the energy smoothly transfers from the host material to the guest material, so that the energy transfer efficiency of the light-emitting element is high. Accordingly, a light-emitting element with high external quantum efficiency can be achieved.
H10K 50/11 - OLED ou diodes électroluminescentes polymères [PLED] caractérisées par les couches électroluminescentes [EL]
C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
C09K 11/06 - Substances luminescentes, p. ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances organiques luminescentes
H05B 33/14 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions caractérisées par la composition chimique ou physique ou la disposition du matériau électroluminescent
Provided is a multifunctional display device or a multifunctional electronic device. Provided is a display device or electronic device with high visibility. Provided is a display device or electronic device with low power consumption. The electronic device includes a housing, a display device, a system unit, a camera, a secondary battery, a reflective surface, and a wearing tool. The system unit and the secondary battery are each positioned inside the housing. The system unit includes a charging circuit unit. The charging circuit unit is configured to control charging of the secondary battery. The system unit is configured to perform first processing based on imaging data of the camera. The first processing includes at least one of gesture operation, head tracking, and eye tracking. The system unit is configured to generate image data based on the first processing. The display device is configured to display the image data.
A display panel for displaying an image is provided with a plurality of pixels arranged in a matrix. Each pixel includes one or more units each including a plurality of subunits. Each subunit includes a transistor in which an oxide semiconductor layer which is provided so as to overlap a gate electrode with a gate insulating layer interposed therebetween, a pixel electrode which drives liquid crystal connected to a source or a drain of the transistor, a counter electrode which is provided so as to face the pixel electrode, and a liquid crystal layer provided between the pixel electrode and the counter electrode. In the display panel, a transistor whose off current is lower than 10 zA/μm at room temperature per micrometer of the channel width and off current of the transistor at 85° C. can be lower than 100 zA/μm per micrometer in the channel width.
G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides
G02F 1/1337 - Orientation des molécules des cristaux liquides induite par les caractéristiques de surface, p. ex. par des couches d'alignement
G02F 1/1362 - Cellules à adressage par une matrice active
G02F 1/1368 - Cellules à adressage par une matrice active dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
H10D 86/40 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT]
H10D 86/60 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT] les transistors TFT étant dans des matrices actives
H10K 50/12 - OLED ou diodes électroluminescentes polymères [PLED] caractérisées par les couches électroluminescentes [EL] comprenant des dopants
It is an object to suppress deterioration of characteristics of a transistor in a driver circuit. A first switch for controlling whether to set a potential state of an output signal by being turned on and off in accordance with the first input signal, and a second switch for controlling whether to set a potential state of an output signal by being turned on and off in accordance with the second input signal are included. A first wiring and a second wiring are brought into electrical continuity by turning on and off of the first switch or the second switch.
G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides
G11C 19/28 - Mémoires numériques dans lesquelles l'information est déplacée par échelons, p. ex. registres à décalage utilisant des éléments semi-conducteurs
Provided is a semiconductor device with a high operating speed. This semiconductor device includes first and second transistors and a capacitive element. The first transistor has a first oxide semiconductor. The second transistor has a second oxide semiconductor. An insulating body with first to third openings is disposed on top of the first and second transistors, such that the gate of the first transistor is located inside the first opening, the gate of the second transistor is located inside the second opening, and the third opening is located over the source and the drain of the first transistor. A dielectric and a top electrode of the capacitive element are located inside the third opening. In a cross-sectional view in the channel width direction, the height of the first oxide semiconductor is longer than the width of the first oxide semiconductor, and the first and second oxide semiconductors are aligned on the same line. Either the source or the drain of the first transistor is electrically connected with the gate of the second transistor.
H10D 64/60 - Électrodes caractérisées par leurs matériaux
H10D 84/80 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si caractérisés par l'intégration d'au moins un composant couvert par les groupes ou , p. ex. l'intégration de transistors IGFET
H10D 86/40 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT]
96.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE
A semiconductor device that can be scaled down or highly integrated is provided. The semiconductor device includes a memory cell including first to third transistors and a capacitor. In each of the first to third transistors, the side surfaces of a metal oxide are covered with a source electrode and a drain electrode. The second and third transistors share the metal oxide. The capacitor is provided above the first to third transistors. A conductor including a region functioning as a write bit line is provided to include a region in contact with the top surface and the side surface of one of the source electrode and the drain electrode of the first transistor. A conductor including a region functioning as a read bit line is provided to include a region in contact with the top surface and the side surface of one of the source electrode and the drain electrode of the third transistor. The other of the source electrode and the drain electrode of the first transistor and a gate of the second transistor are electrically connected to one electrode of the capacitor.
An organic compound that can provide a light-emitting device having a high hole-transport property and high reliability. An organic compound represented by General Formula (G1) shown below is provided. In General Formula (G1), X represents a sulfur atom or an oxygen atom, each of R1 to R22 independently represents any one of hydrogen, halogen, a nitrile group, an alkenyl group, a vinyl group, an alkynyl group, a straight-chain alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an alkylsilyl group having 3 to 12 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, and a heteroaryl group having 2 to 30 carbon atoms. At least one of R16 to R22 represents a naphthyl group, n represents an integer of 0 to 4, and Ar1 represents a fluorenyl group or a spirofluorenyl group.
An organic compound that can provide a light-emitting device having a high hole-transport property and high reliability. An organic compound represented by General Formula (G1) shown below is provided. In General Formula (G1), X represents a sulfur atom or an oxygen atom, each of R1 to R22 independently represents any one of hydrogen, halogen, a nitrile group, an alkenyl group, a vinyl group, an alkynyl group, a straight-chain alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an alkylsilyl group having 3 to 12 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, and a heteroaryl group having 2 to 30 carbon atoms. At least one of R16 to R22 represents a naphthyl group, n represents an integer of 0 to 4, and Ar1 represents a fluorenyl group or a spirofluorenyl group.
C07C 211/61 - Composés contenant des groupes amino liés à un squelette carboné ayant des groupes amino liés à des atomes de carbone de cycles aromatiques à six chaînons du squelette carboné ayant des groupes amino liés à des atomes de carbone de cycles aromatiques à six chaînons faisant partie de systèmes cycliques condensés du squelette carboné avec au moins un des systèmes cycliques condensés formé par trois cycles ou plus
C07D 335/02 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à six chaînons comportant un atome de soufre comme unique hétéro-atome du cycle non condensés avec d'autres cycles
H10K 50/11 - OLED ou diodes électroluminescentes polymères [PLED] caractérisées par les couches électroluminescentes [EL]
H10K 59/35 - Dispositifs spécialement adaptés à l'émission de lumière multicolore comprenant des sous-pixels rouge-vert-bleu [RVB]
A light-emitting device with favorable characteristics is provided. In a plurality of light-emitting devices each including an organic compound layer formed over the same insulating surface, the organic compound layer includes a first light-emitting layer, a second light-emitting layer, and an intermediate layer. The intermediate layer includes a first layer. The first layer includes a metal or metal compound, a first organic compound, and a second organic compound. The first organic compound includes a π-electron deficient heteroaromatic ring. The second organic compound includes two or more heteroaromatic rings that are bonded or condensed to each other and include three or more heteroatoms in total. The second organic compound interacts with the metal or metal compound by two or more of the three or more heteroatoms as a multidentate ligand.
H10K 85/60 - Composés organiques à faible poids moléculaire
H10K 101/40 - Interrelation des paramètres entre plusieurs couches ou sous-couches actives constitutives, p. ex. valeurs HOMO dans des couches adjacentes
99.
DISPLAY APPARATUS, DISPLAY MODULE, AND ELECTRONIC DEVICE
The resolution of a display apparatus having a light detection function is increased. A display apparatus includes a plurality of transistors and a light-emitting and light-receiving device in a subpixel. The light-emitting and light-receiving device has a function of emitting light of a first color and a function of receiving light of a second color. One of a source and a drain of a first transistor is electrically connected to a first wiring, and the other thereof is electrically connected to a gate of a second transistor. One electrode of the light-emitting and light-receiving device is electrically connected to one of a source and a drain of the second transistor, one of a source and a drain of a third transistor, and one of a source and a drain of a fifth transistor. One of a source and a drain of a fourth transistor is electrically connected to a second wiring, and the other thereof is electrically connected to the other of the source and the drain of the third transistor.
H10K 59/121 - Affichages à OLED à matrice active [AMOLED] caractérisés par la géométrie ou la disposition des éléments de pixel
H10K 77/10 - Substrats, p. ex. substrats flexibles
H10K 101/40 - Interrelation des paramètres entre plusieurs couches ou sous-couches actives constitutives, p. ex. valeurs HOMO dans des couches adjacentes
100.
MANUFACTURING APPARATUS FOR SOLID-STATE SECONDARY BATTERY AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLID-STATE SECONDARY BATTERY
An object is to achieve a manufacturing apparatus that can fully automate the manufacturing of a solid-state secondary battery. A mask alignment chamber, a first transfer chamber connected to the mask alignment chamber, a second transfer chamber connected to the first transfer chamber, a first film formation chamber connected to the second transfer chamber, a third transfer chamber connected to the first transfer chamber, and a second film formation chamber connected to the third transfer chamber are included. The first film formation chamber has a function of forming a positive electrode active material layer or a negative electrode active material layer by a sputtering method, the second film formation chamber has a function of forming a solid electrolyte layer by co-evaporation of an organic complex of lithium and SiOx (0
H01M 10/0585 - Structure ou fabrication d'accumulateurs ayant uniquement des éléments de structure plats, c.-à-d. des électrodes positives plates, des électrodes négatives plates et des séparateurs plats
