|
|
Résultats pour
brevets
1.
|
Silicon and silica nanostructures and method of making silicon and silica nanostructures
| Numéro d'application |
17545493 |
| Numéro de brevet |
11807571 |
| Statut |
Délivré - en vigueur |
| Date de dépôt |
2021-12-08 |
| Date de la première publication |
2022-03-31 |
| Date d'octroi |
2023-11-07 |
| Propriétaire |
- Corning Incorporated (USA)
- ICFO (Espagne)
|
| Inventeur(s) |
- Carrilero, Albert
- Mazumder, Prantik
- Pruneri, Valerio
|
Abrégé
Provided herein are methods for forming one or more silicon nanostructures, such as silicon nanotubes, and a silica-containing glass substrate. As a result of the process used to prepare the silicon nanostructures, the silica-containing glass substrate comprises one or more nanopillars and the one or more silicon nanostructures extend from the nanopillars of the silica-containing glass substrate. The silicon nanostructures include nanotubes and optionally nanowires. A further aspect is a method for preparing silicon nanostructures on a silica-containing glass substrate. The method includes providing one or more metal nanoparticles on a silica-containing glass substrate and then performing reactive ion etching of the silica-containing glass substrate under conditions that are suitable for the formation of one or more silicon nanostructures.
Classes IPC ?
- C30B 29/06 - Silicium
- C03C 15/00 - Traitement de surface du verre, autre que sous forme de fibres ou de filaments, par attaque chimique
- C30B 29/60 - Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme caractérisés par la forme
- C30B 29/18 - Quartz
- C30B 11/12 - Constituants gazeux, p. ex. croissance vapeur-liquide-solide
- C01B 33/12 - SiliceSes hydrates, p. ex. acide silicique lépidoïque
|
2.
|
Transparent conductor materials with enhanced near infrared properties and methods of forming thereof
| Numéro d'application |
17038991 |
| Numéro de brevet |
11891687 |
| Statut |
Délivré - en vigueur |
| Date de dépôt |
2020-09-30 |
| Date de la première publication |
2021-04-01 |
| Date d'octroi |
2024-02-06 |
| Propriétaire |
- CORNING INCORPORATED (USA)
- ICREA (Espagne)
- ICFO (Espagne)
|
| Inventeur(s) |
- Maniyara, Rinu
- Mazumder, Prantik
- Pruneri, Valerio
|
Abrégé
−1. Also provided is a method for modulating the resistivity and/or the near infrared transmission of a transparent conductive material by annealing the transparent conductive material at a high temperature under nitrogen atmosphere.
Classes IPC ?
- C23C 14/58 - Post-traitement
- C23C 14/35 - Pulvérisation cathodique par application d'un champ magnétique, p. ex. pulvérisation au moyen d'un magnétron
- C23C 14/08 - Oxydes
- H01B 1/08 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisésEmploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement d'autres substances non métalliques oxydes
|
3.
|
Silicon and silica nanostructures and method of making silicon and silica nanostructures
| Numéro d'application |
16891606 |
| Numéro de brevet |
11225434 |
| Statut |
Délivré - en vigueur |
| Date de dépôt |
2020-06-03 |
| Date de la première publication |
2020-09-17 |
| Date d'octroi |
2022-01-18 |
| Propriétaire |
- CORNING INCORPORATED (USA)
- ICFO (Espagne)
|
| Inventeur(s) |
- Carrilero, Albert
- Mazumder, Prantik
- Pruneri, Valerio
|
Abrégé
Provided herein are methods for forming one or more silicon nanostructures, such as silicon nanotubes, and a silica-containing glass substrate. As a result of the process used to prepare the silicon nanostructures, the silica-containing glass substrate comprises one or more nanopillars and the one or more silicon nanostructures extend from the nanopillars of the silica-containing glass substrate. The silicon nanostructures include nanotubes and optionally nanowires. A further aspect is a method for preparing silicon nanostructures on a silica-containing glass substrate. The method includes providing one or more metal nanoparticles on a silica-containing glass substrate and then performing reactive ion etching of the silica-containing glass substrate under conditions that are suitable for the formation of one or more silicon nanostructures.
Classes IPC ?
- C30B 29/06 - Silicium
- C03C 15/00 - Traitement de surface du verre, autre que sous forme de fibres ou de filaments, par attaque chimique
- C30B 29/60 - Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme caractérisés par la forme
- C30B 29/18 - Quartz
- C30B 11/12 - Constituants gazeux, p. ex. croissance vapeur-liquide-solide
- C01B 33/12 - SiliceSes hydrates, p. ex. acide silicique lépidoïque
|
|