Abrégé

2. The plurality of quantum structures are configured to emit light with a light emission maximum at a wavelength of between 2 μm and 10 μm or to absorb light with a light absorption maximum at a wavelength of between 2 μm and 10 μm.

Classes IPC  ?

• H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
• H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
• H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
• H01L 31/173 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails structurellement associés, p.ex. formés dans ou sur un substrat commun, avec une ou plusieurs sources lumineuses électriques, p.ex. avec des sources lumineuses électroluminescentes, et en outre électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sour le dispositif à semi-conducteur sensible au rayonnement étant commandé par la ou les sources lumineuses les sources lumineuses et les dispositifs sensibles au rayonnement étant tous des dispositifs semi-conducteurs caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou de surface formés dans, ou sur un substrat commun

Abrégé

An electric assembly includes a semiconductor switching device with a maximum breakdown voltage rating across two load terminals in an off-state. A clamping diode is electrically connected to the two load terminals and parallel to the switching device. A semiconductor body of the clamping diode is made of silicon carbide. An avalanche voltage of the clamping diode is lower than the maximum breakdown voltage rating of the switching device.

Classes IPC  ?

• H02H 9/00 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion
• H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
• H01L 23/60 - Protection contre les charges ou les décharges électrostatiques, p. ex. écrans Faraday
• H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs différents groupes principaux de la même sous-classe , , , , ou
• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
• H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
• H01L 29/868 - Diodes PIN
• H01L 29/872 - Diodes Schottky
• H01L 29/861 - Diodes
• H03K 17/0814 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension sans réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande par des dispositions prises dans le circuit de sortie
• H03K 17/12 - Modifications pour augmenter le courant commuté maximal admissible
• H03K 17/74 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de diodes

Abrégé

A silicon carbide device includes a silicon carbide substrate, an inorganic passivation layer structure and a molding material layer. The inorganic passivation layer structure laterally covers at least partly a main surface of the silicon carbide substrate and the molding material layer is arranged adjacent to the inorganic passivation layer structure.

Classes IPC  ?

• H01L 29/15 - Structures avec une variation de potentiel périodique ou quasi périodique, p.ex. puits quantiques multiples, superréseaux
• H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
• H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement ou une région de concentration de porteurs de charges
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 23/29 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par le matériau
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 29/872 - Diodes Schottky

Abrégé

A pressure sensor system comprises a force feedback loop. The force feedback loop is configured to receive a measured pressure sensor signal and generate a feedback signal based on the measured pressure and an electrostatic force. The electrostatic force is generated based on the feedback signal and combined with the measured force keeping the resultant sensor signal stable.

Classes IPC  ?

• G01L 9/00 - Mesure de la pression permanente, ou quasi permanente d’un fluide ou d’un matériau solide fluent par des éléments électriques ou magnétiques sensibles à la pressionTransmission ou indication par des moyens électriques ou magnétiques du déplacement des éléments mécaniques sensibles à la pression, utilisés pour mesurer la pression permanente ou quasi permanente d’un fluide ou d’un matériau solide fluent
• B81B 3/00 - Dispositifs comportant des éléments flexibles ou déformables, p. ex. comportant des membranes ou des lamelles élastiques
• G01L 1/14 - Mesure des forces ou des contraintes, en général en mesurant les variations de la capacité ou de l'inductance des éléments électriques, p. ex. en mesurant les variations de fréquence des oscillateurs électriques
• G01L 1/08 - Mesure des forces ou des contraintes, en général par l'emploi de forces d'équilibrage

Abrégé

A radar circuit for controlling a radar antenna in a vehicle comprises an antenna connection for connection of a radar antenna, a radar circuit for transmission and reception of a radar signal, wherein the radar circuit is connected to the antenna connection. A test circuit to test the connection of the radar antenna is provided.

Classes IPC  ?

• G01S 13/93 - Radar ou systèmes analogues, spécialement adaptés pour des applications spécifiques pour prévenir les collisions
• G01S 7/40 - Moyens de contrôle ou d'étalonnage
• H01Q 1/32 - Adaptation pour l'utilisation dans ou sur les véhicules routiers ou ferroviaires

Abrégé

2 of the second trenches differ by at least 20%.

Classes IPC  ?

• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive

Abrégé

An undesired change of encrypted data words of a stored encrypted dataset may be concluded from the fact that redundancy information is associated with the data words of a dataset prior to encryption, wherein the redundancy information is also encrypted and stored at least partially together with the encrypted data words of the encrypted dataset as an encrypted redundancy data word. The change of the stored encrypted data words may be concluded from the fact that the decrypted data words resulting from decrypting the encrypted data words are used to form a new redundancy data word which is encrypted into a new encrypted redundancy data word. A comparison of the new encrypted redundancy data word to the encrypted redundancy data word enables to examine whether the encrypted data was changed.

Classes IPC  ?

• H04L 9/00 - Dispositions pour les communications secrètes ou protégéesProtocoles réseaux de sécurité
• H04K 1/04 - Communications secrètes par mélange des fréquences, p. ex. par transposition ou inversion de parties du spectre de fréquences ou par inversion de tout le spectre