Abrégé

A system for producing biogas comprises a bioreactor, configured to produce the biogas under a reaction condition, including a main body that contains a sludge of a mixture of a biowaste, an alkaline chemical, a pH buffer agent and/or an iron-based additive, and a headspace that contains the produced biogas, a plurality of transducers, configured to measure a headspace pressure through communicating with a PLC for pressure control, installed at a plurality of locations in the bioreactor, and a vacuum pump, configured to extract the produced biogas out of the bioreactor and simultaneously to pump the headspace to a vacuum or a negative pressure, wherein, when the headspace pressure is above a set-point set by the PLC, the vacuum pump is turned on to extract the biogas out of the bioreactor; when the headspace pressure is below the set-point, the vacuum pump is turned off.

Classes IPC  ?

• C02F 11/04 - Traitement anaérobieProduction du méthane par de tels procédés
• B01D 3/10 - Distillation sous vide
• C02F 1/66 - Traitement de l'eau, des eaux résiduaires ou des eaux d'égout par neutralisationAjustage du pH
• C02F 3/28 - Procédés de digestion anaérobies
• C02F 9/00 - Traitement en plusieurs étapes de l'eau, des eaux résiduaires ou des eaux d'égout
• C12M 1/107 - Appareillage pour l'enzymologie ou la microbiologie avec des moyens pour recueillir les gaz de fermentation, p. ex. le méthane

Abrégé

211010 alkyl group; X = Substituted or unsubstituted diketones, aminoketones, alkoxyalcohols, alkoxyalkanes, alkanediols, alkanolamines, aminoaldehydes, diimines, dienes; and L = Substituted or unsubstituted cyclopentadienes, cyclohexadienes, cycloheptadienes, cyclooctadienes, fluorenes, indenes, fused ring systems, propenes, butadienes, pentadienes, hexadienes, heptadienes.

Classes IPC  ?

• C07F 9/00 - Composés contenant des éléments des groupes 5 ou 15 du tableau périodique
• C23C 16/34 - Nitrures
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 21/31 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour former des couches isolantes en surface, p. ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiquesPost-traitement de ces couchesEmploi de matériaux spécifiés pour ces couches
• H01L 21/316 - Couches inorganiques composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde

Abrégé

The invention relates to a Metal-containing film forming composition comprising a precursor having the formula M(=NR133, in which M = V or Nb or Ta; R11-1010 alkyl group; and L is substituted or unsubstituted diketones, aminoketones, alkoxyalcohols, alkoxyalkanes, alkanediols, alkanolamines, aminoaldehydes, diimines, dienes.

Classes IPC  ?

• C07F 9/00 - Composés contenant des éléments des groupes 5 ou 15 du tableau périodique
• C23C 16/34 - Nitrures
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 21/31 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour former des couches isolantes en surface, p. ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiquesPost-traitement de ces couchesEmploi de matériaux spécifiés pour ces couches
• H01L 21/316 - Couches inorganiques composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde

Abrégé

A compact vision-sensing device for a robotic welding arm, having a high- resolution camera, a multi-color light source configured to have multi-color selectivity, and a means of dust and welding fume protection configured to automatically close and protect the high-resolution camera and multi-color light source during a welding operation.

Classes IPC  ?

• B25J 9/16 - Commandes à programme
• B23K 9/095 - Surveillance ou commande automatique des paramètres de soudage

Abrégé

Disclosed are chemicals suitable for use as a volatile precursor for vapor phase depositions of Ru containing materials, the chemical represented by the formula (NACD)-Ru-Lx, where x = 1-3 and NACD is a non-aromatizable cyclic diene.

Classes IPC  ?

• C23C 16/18 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de composés organométalliques
• C07F 15/00 - Composés contenant des éléments des groupes 8, 9, 10 ou 18 du tableau périodique
• H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p. ex. condensation

Abrégé

Process and method to produce ammonia with high CO2 capture rate. The invention entails production of ammonia in an efficient and innovative way with minimum carbon emissions within the production unit by use of only one CO2 removal unit and a minimum process heat exchange duties provided by heat of combustion. The proposed novel solution allows achieving a direct CO2 capture rate of >95% by the autothermal reforming based ammonia production process with one CO2 removal unit with an efficient thermal integration and a low duty fired heater ensuring minimum direct carbon emission.

Classes IPC  ?

• C01B 3/02 - Production d'hydrogène ou de mélanges gazeux contenant de l'hydrogène
• C01B 3/16 - Production d'hydrogène ou de mélanges gazeux contenant de l'hydrogène par réaction de composés inorganiques comportant un hydrogène lié électropositivement, p. ex. de l'eau, des acides, des bases, de l'ammoniac, avec des agents réducteurs inorganiques par réaction de la vapeur d'eau avec l'oxyde de carbone avec des catalyseurs
• C01B 3/38 - Production d'hydrogène ou de mélanges gazeux contenant de l'hydrogène par réaction de composés organiques gazeux ou liquides avec des agents gazéifiants, p. ex. de l'eau, du gaz carbonique, de l'air par réaction d'hydrocarbures avec des agents gazéifiants avec des catalyseurs
• C01B 3/50 - Séparation de l'hydrogène ou des gaz contenant de l'hydrogène à partir de mélanges gazeux, p. ex. purification
• C01C 1/04 - Préparation d'ammoniac par synthèse

Abrégé

Process and method to generate hydrogen with high CO2 capture rate. The invention entails production of hydrogen in an efficient and innovative way without any continuous carbon emissions within the hydrogen production unit by use of only one CO2 removal unit. The proposed novel solution allows achieving a direct CO2 capture rate of >99% by the autothermal reforming based hydrogen generation process with one CO2 removal unit with an efficient thermal integration and without any fired heater.

Classes IPC  ?

• C01B 3/16 - Production d'hydrogène ou de mélanges gazeux contenant de l'hydrogène par réaction de composés inorganiques comportant un hydrogène lié électropositivement, p. ex. de l'eau, des acides, des bases, de l'ammoniac, avec des agents réducteurs inorganiques par réaction de la vapeur d'eau avec l'oxyde de carbone avec des catalyseurs
• C01B 3/02 - Production d'hydrogène ou de mélanges gazeux contenant de l'hydrogène
• C01B 32/50 - Anhydride carbonique

Abrégé

A system and method for minimizing heat leaks to a liquid cryogen pump incorporating a bayonet includes a male bayonet portion received in a female bayonet portion, each having a circular cross-section and comprising an outer pipe surrounding an inner pipe and an annulus therebetween which is under vacuum, wherein a liquid cryogen pump is contained within an interior of the male bayonet portions.

Classes IPC  ?

• F04B 15/08 - Pompes adaptées pour travailler avec des fluides particuliers, p. ex. grâce à l'emploi de matériaux spécifiés pour la pompe elle-même ou certaines de ses parties avec des liquides près de leur point d'ébullition, p. ex. à une pression anormalement basse les liquides ayant une température d'ébullition peu élevée
• F04B 53/16 - Carcasses d'enveloppeCylindresChemises de cylindre ou culassesConnexions des tubulures pour fluide
• F04B 53/22 - Dispositions pour l'assemblage ou le démontage rapide
• F16L 59/065 - Dispositions utilisant une couche d'air ou le vide utilisant le vide

Abrégé

5555555-containing composition is expected to be more thermally stable and provides stable vapor supply.

Classes IPC  ?

• C23C 16/08 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir d'halogénures métalliques
• C01G 39/04 - Halogénures

Abrégé

A method and apparatus for retrofitting an existing steam methane reformer (SMR) for ammonia cracking is provided. In this embodiment, the existing SMR can include a pre-reformer, a desulfurization unit, a furnace (50), waste heat recovery sections, a water gas shift reactor, a pressure swing adsorption (PSA) unit, wherein the furnace (50) has a plurality of SMR tubes and a plurality of burners. In certain embodiments, the method can include the steps of: providing the existing SMR; taking the desulfurization unit offline such that no fluid flows through the desulfurization during operation; taking the pre-reformer offline such that no fluid flows through the pre-reformer during operation; and adding means for providing a gaseous ammonia stream to the SMR tubes.

Classes IPC  ?

• C01B 3/04 - Production d'hydrogène ou de mélanges gazeux contenant de l'hydrogène par décomposition de composés inorganiques, p. ex. de l'ammoniac
• C01B 3/56 - Séparation de l'hydrogène ou des gaz contenant de l'hydrogène à partir de mélanges gazeux, p. ex. purification par contact avec des solidesRégénération des solides usés

Abrégé

A method and apparatus is provided for producing hydrogen in an steam methane reformer (SMR) via ammonia cracking, wherein the SMR can include a furnace (50), a pressure swing adsorption (PSA) unit, waste heat recovery sections (10, 90), and a water scrubber, wherein the furnace (50) has a plurality of SMR tubes and a plurality7 of burners. The method can include the steps of: withdrawing ammonia from an ammonia storage vessel; preheating the ammonia to form a warm ammonia stream; introducing the warm ammonia stream into the SMR tubes of the furnace (50) under conditions effective for catalytically cracking the ammonia, thereby forming a crude stream (53) comprising hydrogen, nitrogen, and unreacted ammonia; treating the crude stream (53) with a water wash in order to remove the unreacted ammonia from the crude stream (53), thereby resulting in an aqueous ammonia stream and a washed crude stream (103); and introducing the washed crude stream (103) into the PSA unit to produce a hydrogen product stream and a PSA off-gas.

Classes IPC  ?

• C01B 3/04 - Production d'hydrogène ou de mélanges gazeux contenant de l'hydrogène par décomposition de composés inorganiques, p. ex. de l'ammoniac
• C01B 3/52 - Séparation de l'hydrogène ou des gaz contenant de l'hydrogène à partir de mélanges gazeux, p. ex. purification par contact avec des liquidesRégénération des liquides usés
• C01B 3/56 - Séparation de l'hydrogène ou des gaz contenant de l'hydrogène à partir de mélanges gazeux, p. ex. purification par contact avec des solidesRégénération des solides usés

Abrégé

A gas seal to seal an oxygen-rich process gas within a compressor or expander, including a rotor component having a rotating element and a stator component having a stationary element. Wherein at least a portion of the rotating element includes the teeth of a first labyrinth seal. Wherein the first labyrinth seal is part of a first sealing zone. Wherein at least a portion of the stationary element includes the teeth of a second labyrinth seal. Wherein the second labyrinth seal is part of a second sealing zone.

Classes IPC  ?

• F01D 11/02 - Prévention ou réduction des pertes internes du fluide énergétique, p. ex. entre étages par obturation non contact, p. ex. du type labyrinthe

Abrégé

A method of separating and reusing unconverted ammonia from cracked ammonia gas provided by an ammonia cracking unit is provided. The method includes introducing a cracked ammonia gas stream into a water wash column, thereby producing a clean gas stream and a water-containing effluent stream and introducing the water-containing effluent stream into a stripping column, thereby producing a cleaned wash water stream and a recovered ammonia stream. Wherein the cracked ammonia gas stream has an ammonia concentration of between 0.003 mol% and 10 mol%. Wherein the clean gas stream has an ammonia concentration of between 1 ppm and 2500 ppm. And wherein at least a portion of the recovered ammonia stream is used as fuel within the ammonia cracking unit.

Classes IPC  ?

• B01D 53/14 - Séparation de gaz ou de vapeursRécupération de vapeurs de solvants volatils dans les gazÉpuration chimique ou biologique des gaz résiduaires, p. ex. gaz d'échappement des moteurs à combustion, fumées, vapeurs, gaz de combustion ou aérosols par absorption
• C01C 1/12 - Séparation d'ammoniac des gaz et vapeurs
• C01B 3/04 - Production d'hydrogène ou de mélanges gazeux contenant de l'hydrogène par décomposition de composés inorganiques, p. ex. de l'ammoniac

Abrégé

Disclosed is a chemical suitable for use as a volatile precursor for vapor phase depositions of Mo or Cr containing materials, the chemical represented by one of the following formulae: a) Formula I, b) Formula II. Use of the chemical for vapor phase depositions is demonstrated.

Classes IPC  ?

• C23C 16/18 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de composés organométalliques

Abrégé

An etching method for forming an aperture by selectively etching one or more silicon-containing films in a substrate using a patterned mask layer deposited on top of the one or more silicon-containing films comprises: mounting the substrate in a processing chamber; introducing an etching gas containing a vapor of an oxygen-containing hydrofluorocarbon into the processing chamber; converting the etching gas to a plasma; and allowing an etching reaction to proceed between the plasma and the one or more silicon-containing films so that the one or more silicon-containing films are selectively etched versus the patterned mask layer to form the aperture, wherein the oxygen-containing hydrofluorocarbon has a general formula CxHyFzOn, where 2≤x≤13, 1≤y≤15, 1≤z≤21, 1≤n≤3.

Classes IPC  ?

• H01L 21/311 - Gravure des couches isolantes
• H01L 21/3213 - Gravure physique ou chimique des couches, p. ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable

Abrégé

A method of deposition of a gallium-containing oxide film on a substrate comprises a) simultaneously or sequentially, exposing the substrate to a vapor of a gallium precursor, additional metal precursor(s) and an oxidizer; b) depositing at least part of the gallium precursor and at least part of the additional metal precursor(s) onto the substrate to form the gallium-containing oxide film on the substrate through a vapor deposition process, wherein the gallium precursor has the formula: A method of deposition of a gallium-containing oxide film on a substrate comprises a) simultaneously or sequentially, exposing the substrate to a vapor of a gallium precursor, additional metal precursor(s) and an oxidizer; b) depositing at least part of the gallium precursor and at least part of the additional metal precursor(s) onto the substrate to form the gallium-containing oxide film on the substrate through a vapor deposition process, wherein the gallium precursor has the formula: (NR8R9)(NR1R2)Ga[(R3R4N)Cx(R5R6)(NR7)]  (I) A method of deposition of a gallium-containing oxide film on a substrate comprises a) simultaneously or sequentially, exposing the substrate to a vapor of a gallium precursor, additional metal precursor(s) and an oxidizer; b) depositing at least part of the gallium precursor and at least part of the additional metal precursor(s) onto the substrate to form the gallium-containing oxide film on the substrate through a vapor deposition process, wherein the gallium precursor has the formula: (NR8R9)(NR1R2)Ga[(R3R4N)Cx(R5R6)(NR7)]  (I) (Cy-N)2Ga[(R3R4N)Cx(R5R6)(NR7)]  (II) A method of deposition of a gallium-containing oxide film on a substrate comprises a) simultaneously or sequentially, exposing the substrate to a vapor of a gallium precursor, additional metal precursor(s) and an oxidizer; b) depositing at least part of the gallium precursor and at least part of the additional metal precursor(s) onto the substrate to form the gallium-containing oxide film on the substrate through a vapor deposition process, wherein the gallium precursor has the formula: (NR8R9)(NR1R2)Ga[(R3R4N)Cx(R5R6)(NR7)]  (I) (Cy-N)2Ga[(R3R4N)Cx(R5R6)(NR7)]  (II) wherein, R1 to R9 are independently selected from H, Me, Et, nPr, iPr, nBu, iBu, sBu, or tBu; R1 to R9 may be the same or different; x=2, 3, 4, preferably x=2; Cy-N refers to saturated N-containing rings or unsaturated N-containing rings.

Classes IPC  ?

• C23C 16/40 - Oxydes
• C07F 5/00 - Composés contenant des éléments des groupes 3 ou 13 du tableau périodique
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction

Abrégé

An etching method for forming a high aspect ratio aperture by selectively etching one or more silicon-containing films in a substrate using a patterned mask layer deposited on top of the one or more silicon-containing films comprises: mounting the substrate in a processing chamber; introducing an etching gas containing a vapor of an oxygen-containing hydrofluorocarbon into the processing chamber; converting the etching gas to a plasma; and allowing an etching reaction to proceed between the plasma and the one or more silicon-containing films so that the one or more silicon-containing films are selectively etched versus the patterned mask layer to form the high aspect ratio aperture, wherein the oxygen-containing hydrofluorocarbon has a general formula CxHyFzOn, where 2≤x≤13, 1≤y≤15, 1≤z≤21, 1≤n≤3.

Classes IPC  ?

• H01L 21/311 - Gravure des couches isolantes

Abrégé

xyznn, where 2 ≤ x ≤ 13, 1 ≤ y ≤ 15, 1 ≤ z ≤ 21, 1 ≤ n ≤ 3.

Classes IPC  ?

• H01L 21/3065 - Gravure par plasmaGravure au moyen d'ions réactifs

Abrégé

xyznn, where 2 ≤ x ≤ 13, 1 ≤ y ≤ 15, 1 ≤ z ≤ 21, 1 ≤ n ≤ 3.

Classes IPC  ?

• H01L 21/3065 - Gravure par plasmaGravure au moyen d'ions réactifs

Abrégé

A method for forming a substantially vertical structure comprises: exposing a substrate to a vapor of an additive comprising a nitrogen-containing cyclic compound, the substrate having a film disposed thereon and a patterned mask layer disposed on the film, activating a plasma to produce an activated nitrogen-containing cyclic compound, and allowing an etching reaction to proceed between the film uncovered by the patterned mask layer and the activated nitrogen-containing cyclic compound to selectively etch the film from the patterned mask layer, thereby forming the substantially vertical structure, wherein the nitrogen-containing cyclic compound reduces a charge that builds up along sidewalls of the substantially vertical structure forming a conductive sidewall passivation layer on the sidewalls thereof. A method of depositing a conductive polymer layer on a substrate and a cyclic method are also disclosed.

Classes IPC  ?

• H01L 21/311 - Gravure des couches isolantes
• H01L 21/3205 - Dépôt de couches non isolantes, p. ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantesPost-traitement de ces couches
• H01L 21/3213 - Gravure physique ou chimique des couches, p. ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable

Abrégé

A method for forming a substantially vertical structure comprises: exposing a substrate to a vapor of an additive comprising a nitrogen-containing cyclic compound, the substrate having a film disposed thereon and a patterned mask layer disposed on the film, activating a plasma to produce an activated nitrogen-containing cyclic compound, and allowing an etching reaction to proceed between the film uncovered by the patterned mask layer and the activated nitrogen-containing cyclic compound to selectively etch the film from the patterned mask layer, thereby forming the substantially vertical structure, wherein the nitrogen-containing cyclic compound reduces a charge that builds up along sidewalls of the substantially vertical structure forming a conductive sidewall passivation layer on the sidewalls thereof. A method of depositing a conductive polymer layer on a substrate and a cyclic method are also disclosed.

Classes IPC  ?

• H01L 21/3065 - Gravure par plasmaGravure au moyen d'ions réactifs

Abrégé

A method of forming a conformal and continuous crystalline Si film on a surface of a substrate comprises: exposing the substrate to a vapor of a first Si-containing precursor under a first temperature; allowing a seed film being formed onto the surface; exposing the substrate to a vapor of a second Si-containing precursor and a vapor of a dopant precursor under a second temperature; depositing a doped amorphous Si-containing film onto the seed film by a chemical vapor deposition (CVD) process; and annealing the substrate to crystalize the doped amorphous Si-containing film forming the conformal and continuous crystalline Si film on the surface. The first Si-containing precursor is (diisobutylamine)trisilane ((iBu)2-N—(SiH2)2—SiH3).

Classes IPC  ?

• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• C23C 16/02 - Pré-traitement du matériau à revêtir
• C23C 16/24 - Dépôt uniquement de silicium
• C23C 16/56 - Post-traitement
• C30B 1/02 - Croissance des monocristaux à partir de l'état solide par traitement thermique, p. ex. recuit sous contrainte
• C30B 29/06 - Silicium

Abrégé

22233).

Classes IPC  ?

• C23C 16/24 - Dépôt uniquement de silicium
• H01L 21/205 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c.-à-d. un dépôt chimique

Abrégé

A method and apparatus for producing hydrogen in a steam methane reformer with reduced carbon emissions that can include the steps of: heating a feed stream comprising methane in a first heat exchanger to produce a heated feed stream, wherein the heated feed stream is at a temperature above 500°C; introducing the heated feed stream into a reaction zone under conditions effective for catalytic conversion of the heated feed stream to produce a reformed stream, wherein the reformed stream comprises hydrogen, carbon monoxide, and unreacted methane; introducing the reformed stream in the presence of steam to a shift conversion unit that is configured to produce a shifted gas stream comprising hydrogen and carbon dioxide; and purifying the shifted gas stream to produce a hydrogen product stream and a tail gas; wherein the conditions effective for catalytic conversion of the heated feed stream comprise providing heat to the reaction zone via combustion of a fuel and a hydrogen fuel stream in presence of an oxidizer, wherein the fuel comprises ammonia, wherein a flue gas is produced by the combustion of the fuel and the hydrogen fuel stream.

Classes IPC  ?

• C01B 3/38 - Production d'hydrogène ou de mélanges gazeux contenant de l'hydrogène par réaction de composés organiques gazeux ou liquides avec des agents gazéifiants, p. ex. de l'eau, du gaz carbonique, de l'air par réaction d'hydrocarbures avec des agents gazéifiants avec des catalyseurs
• C01B 3/48 - Production d'hydrogène ou de mélanges gazeux contenant de l'hydrogène par réaction de composés organiques gazeux ou liquides avec des agents gazéifiants, p. ex. de l'eau, du gaz carbonique, de l'air par réaction d'hydrocarbures avec des agents gazéifiants suivie par une réaction de la vapeur d'eau avec l'oxyde de carbone
• C01B 3/50 - Séparation de l'hydrogène ou des gaz contenant de l'hydrogène à partir de mélanges gazeux, p. ex. purification

Abrégé

A method for separating hydrogen from a hydrogen-containing hydrocarbon stream, including introducing a hydrogen-containing hydrocarbon stream into a membrane separation unit, thereby producing a hydrogen-lean hydrocarbon retentate stream and hydrogen-rich permeate stream. Wherein the hydrogen-containing hydrocarbon stream has greater than 50 mol% hydrogen. And wherein the hydrogen- lean hydrocarbon retentate stream has more than 5 mol% hydrogen and less than 20 mol% hydrogen.

Classes IPC  ?

• B01D 53/047 - Adsorption à pression alternée
• B01D 53/22 - Séparation de gaz ou de vapeursRécupération de vapeurs de solvants volatils dans les gazÉpuration chimique ou biologique des gaz résiduaires, p. ex. gaz d'échappement des moteurs à combustion, fumées, vapeurs, gaz de combustion ou aérosols par diffusion
• C01B 3/56 - Séparation de l'hydrogène ou des gaz contenant de l'hydrogène à partir de mélanges gazeux, p. ex. purification par contact avec des solidesRégénération des solides usés
• F17D 1/04 - Systèmes de canalisation pour gaz ou vapeurs pour la distribution du gaz

Abrégé

A method for separating hydrogen and nitrogen from a gas mixture, including a) thereby partially condensing a hydrogen and nitrogen gas mixture and producing a two-phase stream, b) phase separating the two-phase stream, producing a nitrogen-enriched liquid fraction and a hydrogen-enriched gaseous fraction, c) expanding the nitrogen-enriched liquid fraction, producing a lower-pressure nitrogen-enriched liquid or two-phase stream, d) adding heat to the lower-pressure nitrogen-enriched liquid stream, producing a warm nitrogen enriched gaseous stream, and e) adding heat to the hydrogen-enriched gaseous fraction, producing a hydrogen-rich product stream. Wherein, at least a portion of the heat added in step d) is removed in step a), at least a portion of the heat added in step e) is removed in step a), or at least a portion of the heat added in step d) and at least a portion of the heat added in step e) is removed in step a).

Classes IPC  ?

• F25J 3/00 - Procédés ou appareils pour séparer les constituants des mélanges gazeux impliquant l'emploi d'une liquéfaction ou d'une solidification

Abrégé

A method for balancing a turboexpanders rotor assembly and/or compressor rotor assembly including a hub face and rotor blades is provided. The method includes removing an amount of mass from at least one side of the rotor assembly by drilling two or more balancing holes into the rotor assembly. The two or more balancing holes having a hole diameter (D), and the two or more balancing holes having a spacing between nearest hole edges of the two holes (C), wherein, C / D > 0.1.

Classes IPC  ?

• F01D 5/02 - Organes de support des aubes, p. ex. rotors
• F04D 29/66 - Lutte contre la cavitation, les tourbillons, le bruit, les vibrations ou phénomènes analoguesÉquilibrage

Abrégé

A method for forming an aperture pattern in a substrate, the substrate including a film disposed thereon and a patterned mask layer disposed on the film, comprises 1) exposing the substrate to a vapor of a passivation molecule in a non-plasma condition for a period to form a surface protective layer on the patterned mask layer, 2) exposing the substrate to a plasma activated etch gas and plasma dry etching the substrate to form apertures over the patterned mask layer in the film with the plasma activated etch gas, and 3) repeating step 1) and 2) until a desired aperture pattern is formed in the film, wherein the surface protective layer is also formed on the sidewalls of the apertures formed in the film, wherein the passivation molecule has a boiling point equal to or larger than 20° C.

Classes IPC  ?

• H01L 21/3065 - Gravure par plasmaGravure au moyen d'ions réactifs

Abrégé

A method for forming an aperture pattern in a substrate, the substrate including a film disposed thereon and a patterned mask layer disposed on the film, comprises 1 ) exposing the substrate to a vapor of a passivation molecule in a non-plasma condition for a period to form a surface protective layer on the patterned mask layer, 2) exposing the substrate to a plasma activated etch gas and plasma dry etching the substrate to form apertures over the patterned mask layer in the film with the plasma activated etch gas, and 3) repeating step 1 ) and 2) until a desired aperture pattern is formed in the film, wherein the surface protective layer is also formed on the sidewalls of the apertures formed in the film, wherein the passivation molecule has a boiling point equal to or larger than 20°C.

Classes IPC  ?

• H01L 21/3065 - Gravure par plasmaGravure au moyen d'ions réactifs

Abrégé

Low carbon hydrogen will play a crucial role in decarbonization of chemical complexes and manufacturing facilities. Depending on the application, different grades of low carbon hydrogen might be required - fuel grade (90-99% H2 purity) or chemical grade (>99% H2 purity). The current invention describes a hydrogen production process based on autothermal reforming and CO2 capture to produce low carbon hydrogen with hydrogen rich offgas as part of the feedstock.

Classes IPC  ?

• C01B 3/38 - Production d'hydrogène ou de mélanges gazeux contenant de l'hydrogène par réaction de composés organiques gazeux ou liquides avec des agents gazéifiants, p. ex. de l'eau, du gaz carbonique, de l'air par réaction d'hydrocarbures avec des agents gazéifiants avec des catalyseurs
• C01B 3/48 - Production d'hydrogène ou de mélanges gazeux contenant de l'hydrogène par réaction de composés organiques gazeux ou liquides avec des agents gazéifiants, p. ex. de l'eau, du gaz carbonique, de l'air par réaction d'hydrocarbures avec des agents gazéifiants suivie par une réaction de la vapeur d'eau avec l'oxyde de carbone
• C01B 3/50 - Séparation de l'hydrogène ou des gaz contenant de l'hydrogène à partir de mélanges gazeux, p. ex. purification
• C01B 3/52 - Séparation de l'hydrogène ou des gaz contenant de l'hydrogène à partir de mélanges gazeux, p. ex. purification par contact avec des liquidesRégénération des liquides usés
• C01B 3/56 - Séparation de l'hydrogène ou des gaz contenant de l'hydrogène à partir de mélanges gazeux, p. ex. purification par contact avec des solidesRégénération des solides usés

Abrégé

At a liquid cryogen depot, gaseous cryogen from non-completely filled short trailers is used for pressurizing jumbo trailers, from which liquid cryogen is caused to flow into empty trailers through pressure differential.

Classes IPC  ?

• F17C 6/00 - Procédés ou appareils pour remplir des récipients non sous pression de gaz liquéfiés ou solidifiés

Abrégé

Cyclic etch methods comprise the steps of: i) exposing a SiN layer covering a structure on a substrate in a reaction chamber to a plasma of hydrofluorocarbon (HFC) to form a polymer layer deposited on the SiN layer that modifies the surface of the SiN layer, the HFC having a formula CxHyFz where x=2-5, y>z, the HFC being a saturated or unsaturated, linear or cyclic HFC; ii) exposing the polymer layer deposited on the SiN layer to a plasma of an inert gas, the plasma of the inert gas removing the polymer layer deposited on the SiN layer and the modified surface of the SiN layer on an etch front; and iii) repeating the steps of i) and ii) until the SiN layer on the etch front is selectively removed, thereby forming a substantially vertically straight SiN spacer comprising the SiN layer on the sidewall of the structure.

Classes IPC  ?

• H01L 21/311 - Gravure des couches isolantes
• H01L 21/3105 - Post-traitement
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

Abrégé

2424242422 ranges from 50% to 90%.

Classes IPC  ?

• C22B 3/08 - Acide sulfurique
• C22B 15/00 - Obtention du cuivre

Abrégé

Heat is transferred from a first portion of liquid hydrogen to a flow of a heat transfer fluid at a first heat exchanger (11) through heat exchange with a heat transfer fluid to produce a flow of vaporized hydrogen and a warmed flow of heat transfer fluid. The flow of vaporized hydrogen is combined with a second portion of liquid hydrogen in amounts designed to produce a combined flow with a desired temperature, the combined flow being used to fill one or more buffer vessels (19). Heat is also transferred at a second heat exchanger from a stream of pressurized hydrogen from the at least one buffer vessel (19) to the cooled flow of heat transfer fluid to produce a cooled flow of pressurized hydrogen that is used to fill tanks of fuel cell electric vehicles.

Classes IPC  ?

• F17C 5/06 - Procédés ou appareils pour remplir des récipients sous pression de gaz liquéfiés, solidifiés ou comprimés pour le remplissage avec des gaz comprimés
• F17C 9/04 - Récupération de l'énergie thermique

Abrégé

12345672891010)=O. The disclosure describes use of L to form liganded metallic complexes ML with a metal M. The disclosure describes use of ML for vapor deposition processes.

Classes IPC  ?

• C07C 225/06 - Composés contenant des groupes amino et des atomes d'oxygène, liés par des liaisons doubles, liés au même squelette carboné, au moins un des atomes d'oxygène, liés par des liaisons doubles, ne faisant pas partie d'un groupe —CHO, p. ex. aminocétones ayant des groupes amino liés à des atomes de carbone acycliques du squelette carboné le squelette carboné étant saturé et acyclique
• C07F 1/02 - Composés du lithium

Abrégé

A method can include: providing the existing SMR, wherein the SMR was formerly used to produce hydrogen from a hydrocarbon; and improving the nitridation resistance of the inner surface of the equipment by adding a protective layer to an inner surface of equipment to be used in the existing SMR, wherein the equipment is selected from a catalyst tube, feed piping, a feed preheater, process gas heat exchangers, and combination thereof. The hydrogen production facility can include a reformer configured to catalytically convert a feed stream into a product stream comprising hydrogen, means for providing the feed stream to the reformer from an ammonia source, wherein the feed stream comprises at least 90% of ammonia, wherein the plurality of catalyst tubes comprise a nitridation protective layer on an inner surface of the catalyst tubes.

Classes IPC  ?

• C01B 3/02 - Production d'hydrogène ou de mélanges gazeux contenant de l'hydrogène
• C01B 3/04 - Production d'hydrogène ou de mélanges gazeux contenant de l'hydrogène par décomposition de composés inorganiques, p. ex. de l'ammoniac
• B01D 53/58 - Ammoniac

Abrégé

A method for heating a furnace with an ammonia-fired burner producing a stable flame including heating a first stream of ammonia through heat exchange with a stream of flue gas, thereby producing a heated first stream of ammonia. Feeding the heated first stream of ammonia to an ammonia cracker to produce a stream of cracked ammonia. Heating a stream of air through heat exchange with the stream of flue gas at a second heat exchanger to produce a heated stream of air. Feeding the heated stream of air to a burner. Feeding a second stream of ammonia to the burner. And feeding the stream of cracked ammonia to the burner for injection into the combustion space to produce a pilot flame through combustion of the injected stream of cracked ammonia and amounts of the injected heated stream of air.

Classes IPC  ?

• F23K 5/08 - Préparation du combustible
• F23K 5/20 - Dispositifs de préchauffage
• F23K 5/22 - Dispositifs de vaporisation
• F23D 14/00 - Brûleurs pour la combustion d'un gaz, p. ex. d'un gaz stocké sous pression à l'état liquide
• F23D 14/66 - Préchauffage de l'air de combustion ou du gaz
• F23K 5/00 - Alimentation en d'autres combustibles ou distribution d'autres combustibles pour les appareils à combustion

Abrégé

A method for operating a furnace, the method including the steps of: combusting fuel with oxidant, thereby generating thermal energy and fumes, heating the furnace with a first part of the thermal energy generated in step a, evacuating the generated fumes from the furnace at a temperature of at least 900° C., the evacuated fumes containing a second part of the thermal energy generated in step a, and using the second part of the thermal energy generated in step a for heating the oxidant and as a heat source for cracking ammonia in a cracker into a mixture including hydrogen, nitrogen and un-cracked ammonia, at least part of the mixture produced in step d-ii being combusted as fuel in step a with at least part of the heated oxidant produced in step d-i.

Classes IPC  ?

• C03B 5/237 - Régénérateurs ou récupérateurs spécialement adaptés aux fours de fusion de verre
• F23L 15/04 - Aménagements des récupérateurs
• F23J 15/04 - Aménagement des dispositifs de traitement de fumées ou de vapeurs des purificateurs, p. ex. pour enlever les matériaux nocifs utilisant des fluides de lavage
• F27D 17/00 - Dispositions pour l'utilisation de la chaleur perdueDispositions pour l'utilisation ou pour l'élimination des gaz résiduaires
• C01B 3/04 - Production d'hydrogène ou de mélanges gazeux contenant de l'hydrogène par décomposition de composés inorganiques, p. ex. de l'ammoniac
• B01D 53/56 - Oxydes d'azote
• B01D 53/79 - Injection de réactifs
• C03B 5/225 - Affinage

Abrégé

A method for forming a high aspect ratio (HAR) structure during a HAR etch process, the method comprises sequentially or simultaneously exposing the substrate to a vapor of an etchant including one or more hydrofluorocarbon or fluorocarbon compounds or one or more hydrogen-containing molecules and an additive compound, the substrate having a film disposed thereon and a patterned mask layer disposed on the film; activating a plasma to produce activated one or more hydrofluorocarbon or fluorocarbon compounds or activated one or more hydrogen-containing molecules and an activated additive compound; and allowing an etching reaction to proceed between the film uncovered by the patterned mask layer and the activated hydrofluorocarbon or fluorocarbon compounds or the activated one or more hydrogen-containing molecules and the activated additive compound to selectively etch the film from the patterned mask layer, thereby forming the HAR patterned structure.

Classes IPC  ?

• H01L 21/3065 - Gravure par plasmaGravure au moyen d'ions réactifs

Abrégé

A method for irrigation of a crop capable of producing Cannabidiol (CBD) comprises irrigating the crop with a nanobubble hydrogen rich water (HRW-nano), whereby a concentration of CBD in the crop increased as a result of irrigating with the HRW-nano, compared to irrigation with an irrigation water having the same composition except without added hydrogen (control irrigation).

Classes IPC  ?

• C05D 9/00 - Autres engrais inorganiques
• C05G 5/23 - Solutions
• A01C 23/04 - Distribution sous pressionDistribution de bouesAdaptation des réseaux d'irrigation à des engrais liquides
• A01C 21/00 - Méthodes de fertilisation

Abrégé

Disclosed are indium (In)-containing film forming compositions comprising In(III)-containing precursors that contain halogens, methods of synthesizing them and methods of using them to deposit the indium-containing films and/or indium-containing alloy film. The disclosed In(III)-containing precursors contain chlorine with nitrogen based ligands. In particular, the disclosed In(III)-containing precursors contains 1 or 2 amidinate ligands, 1 or 2 iminopyrrolidinate ligands, 1 or 2 amido amino alkane ligands, 1 or 2 μ-diketiminate ligands or a silyl amine ligand. The disclosed In(III)-containing precursors are suitable for vapor phase depositions (e.g., ALD, CVD) of the indium-containing films and/or indium-containing alloy films.

Classes IPC  ?

• C07F 5/00 - Composés contenant des éléments des groupes 3 ou 13 du tableau périodique
• C23C 16/40 - Oxydes
• C23C 16/18 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de composés organométalliques
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction

Abrégé

A method for controlling the velocity of a pipeline pig, the method including, introducing a pressurized gas into a section of pipeline to be treated and maintaining the velocity of a smart pipeline pig at a predetermined velocity by regulating the pressurized gas to a predetermined volume. A method for controlling the velocity of a pipeline pig, the method including fluidically connecting a first skid to a first end of a section of pipeline to be treated, fluidically connecting a second skid to a second end of the section of pipeline to be treated, introducing a pressurized gas into the section of pipeline to be treated via the first skid, launching a smart pipeline pig into the section of pipeline to be treated, and maintaining the velocity of the smart pipeline pig at a predetermined velocity by regulating the pressurized gas to a predetermined volume.

Classes IPC  ?

• G05D 13/62 - Commande de la vitesse linéaireCommande de la vitesse angulaireCommande de l'accélération ou de la décélération, p. ex. d'une machine motrice caractérisée par l'utilisation de moyens électriques, p. ex. l'emploi de dynamos-tachymétriques, l'emploi de transducteurs convertissant des valeurs électriques en un déplacement
• F16L 55/38 - Propulsion par la pression d'un fluide

Abrégé

Disclosed is a SAM forming composition comprising a SAM monomer or precursor having a backbone with a surface reactive group, wherein the backbone contains no Si—C bonds and is selected from the group consisting of a Si—C bond-free polysilane and a trisilylamine. The surface reactive groups are disclosed for the surface to be covered being a dielectric surface and a metal surface, respectively. A process of forming a SAM on a surface and a process of forming a film on the SAM are also disclosed.

Classes IPC  ?

• C08G 77/62 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone dans lesquels tous les atomes de silicium sont liés autrement que par des atomes d'oxygène par des atomes d'azote
• C09D 183/16 - Compositions de revêtement à base de composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant uniquement du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carboneCompositions de revêtement à base de dérivés de tels polymères dans lesquels tous les atomes de silicium sont liés autrement que par des atomes d'oxygène

Abrégé

Methods for forming a Group V-containing film comprise: a) exposing a substrate to a vapor of a Group V (five)-containing film forming composition; b) exposing the substrate to a co-reactant; and C) repeating the steps of a) and b) until a desired thickness of the Group V (five)-containing film is deposited on the substrate using a vapor deposition process, wherein the Group V (five)-containing film forming composition comprises a precursor having the formula: (Formula should be inserted here) wherein M is Group V (five) element, vanadium (V), niobium (Nb), or tantalum (Ta); R1to R8166 alkyl group, a fluoro group, an alkylsilyl group, a germyl group, an alkylamide or an alkylsilylamide; m = 1 to 5, n = 1 to 5.

Classes IPC  ?

• C23C 16/18 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de composés organométalliques
• C23C 16/40 - Oxydes

Abrégé

Methods for forming a Group V-containing film comprise: a) exposing a substrate to a vapor of a Group V (five)-containing film forming composition; b) exposing the substrate to a co-reactant; and c) repeating the steps of a) and b) until a desired thickness of the Group V (five)-containing film is deposited on the substrate using a vapor deposition process, Methods for forming a Group V-containing film comprise: a) exposing a substrate to a vapor of a Group V (five)-containing film forming composition; b) exposing the substrate to a co-reactant; and c) repeating the steps of a) and b) until a desired thickness of the Group V (five)-containing film is deposited on the substrate using a vapor deposition process, wherein the Group V (five)-containing film forming composition comprises a precursor having the formula: Methods for forming a Group V-containing film comprise: a) exposing a substrate to a vapor of a Group V (five)-containing film forming composition; b) exposing the substrate to a co-reactant; and c) repeating the steps of a) and b) until a desired thickness of the Group V (five)-containing film is deposited on the substrate using a vapor deposition process, wherein the Group V (five)-containing film forming composition comprises a precursor having the formula: wherein M is Group V (five) element, vanadium (V), niobium (Nb), or tantalum (Ta); R1 to R8 each is H, a C1-C6 alkyl group, a fluoro group, an alkylsilyl group, a germyl group, an alkylamide or an alkylsilylamide; m=1 to 5, n=1 to 5. Methods for forming a Group V-containing film comprise: a) exposing a substrate to a vapor of a Group V (five)-containing film forming composition; b) exposing the substrate to a co-reactant; and c) repeating the steps of a) and b) until a desired thickness of the Group V (five)-containing film is deposited on the substrate using a vapor deposition process, wherein the Group V (five)-containing film forming composition comprises a precursor having the formula: wherein M is Group V (five) element, vanadium (V), niobium (Nb), or tantalum (Ta); R1 to R8 each is H, a C1-C6 alkyl group, a fluoro group, an alkylsilyl group, a germyl group, an alkylamide or an alkylsilylamide; m=1 to 5, n=1 to 5.

Classes IPC  ?

• C23C 16/30 - Dépôt de composés, de mélanges ou de solutions solides, p. ex. borures, carbures, nitrures
• C23C 16/40 - Oxydes
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• H01M 4/525 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de nickel, de cobalt ou de fer d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du fer, du cobalt ou du nickel pour insérer ou intercaler des métaux légers, p. ex. LiNiO2, LiCoO2 ou LiCoOxFy
• H01M 4/505 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de manganèse d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du manganèse pour insérer ou intercaler des métaux légers, p. ex. LiMn2O4 ou LiMn2OxFy
• H01M 4/36 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs
• H01M 4/58 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs de composés inorganiques autres que les oxydes ou les hydroxydes, p. ex. sulfures, séléniures, tellurures, halogénures ou LiCoFyEmploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs de structures polyanioniques, p. ex. phosphates, silicates ou borates

Abrégé

In described embodiments, methods for selective etching (thermal etching) of metals, especially molybdenum- and tungsten-containing materials, and titanium nitride, using thionyl chloride (SOCl2) as an etching gas at low temperatures and low pressure without a need of plasma, for device manufacturing processes and for process chamber cleanings are disclosed. Methods for cleaning reaction product deposits from interior surface of a reactor chamber or from a substrate within said reaction chamber using thionyl chloride (SOCl2) at low temperatures and low pressure without a need of plasma are also disclosed. An additional co-reactant such as hydrogen may be used in combination with thionyl chloride. The processes are carried out in temperature ranging from approximately 150° C. to approximately 600° C., pressure under<100 Torr without the need of a plasma-activation.

Classes IPC  ?

• H01L 21/3213 - Gravure physique ou chimique des couches, p. ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives

Abrégé

The disclosed lanthanide precursor compounds include a cyclopentadienyl ligand having at least one aliphatic group as a substituent and at least one bidentate ligand. These precursors are suitable for depositing lanthanide containing films.

Classes IPC  ?

• C07C 49/12 - Cétones comportant plus d'un groupe cétone

Abrégé

2236754222222, and/or COS. These steps are repeated between a partial etch process (polymer creating) and polymer cleaning step (cycle etching).

Classes IPC  ?

• H01L 21/3065 - Gravure par plasmaGravure au moyen d'ions réactifs

Abrégé

2, and/or COS. These steps are repeated between a partial etch process (polymer creating) and polymer cleaning step (cycle etching).

Classes IPC  ?

• H01L 21/311 - Gravure des couches isolantes

Abrégé

The disclosed lanthanide precursor compounds include a cyclopentadienyl ligand having at least one aliphatic group as a substituent and at least one bidentate ligand. These precursors are suitable for depositing lanthanide containing films.

Classes IPC  ?

• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• C07F 5/00 - Composés contenant des éléments des groupes 3 ou 13 du tableau périodique
• C23C 16/40 - Oxydes

Abrégé

A hydrogen feed stream is introduced into a primary refrigeration system of a precooling system and cooling the hydrogen stream to a first precooling temperature. From there, the precooled hydrogen stream is then introduced to a secondary refrigeration system of the precooling system and cooling the precooled hydrogen stream to a second temperature. Next, the cooled hydrogen stream is then liquefied in the liquefaction system to produce liquid hydrogen. The refrigeration is provided by expansion of a pressurized gaseous nitrogen stream and vaporization of a liquid nitrogen stream that is sourced from a nearby air separation unit.

Classes IPC  ?

• F25J 1/00 - Procédés ou appareils de liquéfaction ou de solidification des gaz ou des mélanges gazeux

Abrégé

A hydrogen feed stream is introduced into a primary refrigeration system of a precooling system and cooling the hydrogen stream to a first precooling temperature. From there, the precooled hydrogen stream is then introduced to a secondary refrigeration system of the precooling system and cooling the precooled hydrogen stream to a second temperature. Next, the cooled hydrogen stream is then liquefied in the liquefaction system to produce liquid hydrogen.

Classes IPC  ?

• F25J 1/00 - Procédés ou appareils de liquéfaction ou de solidification des gaz ou des mélanges gazeux

Abrégé

321614323232n32n32233).

Classes IPC  ?

• C23C 16/40 - Oxydes

Abrégé

Heat is transferred from a flow of liquid hydrogen to a flow of a heat transfer fluid at a first heat exchanger to produce a warmed flow of pressurized hydrogen and a cooled flow of heat transfer fluid. Heat is also transferred at a second heat exchanger, to the cooled flow of heat transfer fluid, from a flow of pressurized hydrogen that is derived from one or more buffer vessels filled by the warmed flow of pressurized hydrogen and/or the warmed flow of pressurized hydrogen from the first exchanger to produce a cooled flow of pressurized hydrogen that is used to fill tanks of fuel cell electric vehicles.

Classes IPC  ?

• F17C 5/00 - Procédés ou appareils pour remplir des récipients sous pression de gaz liquéfiés, solidifiés ou comprimés

Abrégé

A CMS membrane module includes plurality of hollow fiber CMS membranes that are enclosed within an open cylindrical shell whose ends are embedded in tubesheets. The shell is concentrically disposed within an open cylindrical pressure vessel whose open ends are covered by and secured by end caps. The shell includes a feed fluid inlet formed therein between the tubesheets and a retentate outlet in between one of the tubesheets and an adjacent end cap. A retentate seal is formed between the shell and the pressure vessel at a postion between the tubesheets. A permeate seal is formed between the pressure vessel and the tubesheet that is adjacent a permeate port of the module. A structure made up of the CMS membranes, shell, tubesheets, and seals is slidable within the pressure vessel and not fixed in place in relation to the pressure vessel and end caps.

Classes IPC  ?

• B01D 63/02 - Modules à fibres creuses
• B01D 71/02 - Matériaux inorganiques

Abrégé

33-ma2a+1m33-n-pa2a+1nb2b+1pa2a+1b2b+1c2c+111010, linear, branched or cyclic alkyl, alkenyl, alkynyl group. The synthesis methods include one-step, two-step or three-step reaction(s) between halo(poly)silane(s) and a tris(trialkylsilyl) derivative of A or a one-pot mixing reaction between a mixture of two or three halo(poly)silanes and the tris(trialkylsilyl) derivative of A. The deposition methods include CVD, PECVD, ALD, PEALD, flowable CVD, HW-CVD, Epitaxy, or the like.

Classes IPC  ?

• C01B 33/00 - SiliciumSes composés
• C07F 9/22 - Amides des acides du phosphore
• C07F 9/68 - Composés de l'arsenic sans liaison As—C
• C07F 9/90 - Composés d'antimoine

Abrégé

A method and apparatus for the liquefaction of hydrogen is provided. The can include the steps of: precooling a hydrogen feed stream in a precooling cold box having a heat exchanger disposed therein to form a cooled hydrogen stream, wherein the heat exchanger is configured to cool down the feed stream within the precooling cold box by indirect heat exchange between the hydrogen feed stream and a precooling refrigerant; and withdrawing the cooled hydrogen stream from the precooling cold box; introducing the cooled hydrogen stream to a plurality of liquefaction cold boxes, wherein the cooled hydrogen stream liquefies within the plurality of liquefaction cold boxes by indirect heat exchange against a liquefaction refrigerant to form a product hydrogen stream in each of the plurality of liquefaction cold boxes, wherein the product hydrogen stream is in liquid form or pseudo-liquid form wherein there are M total precooling cold boxes and N total liquefaction cold boxes, wherein M is less than N.

Classes IPC  ?

• F25J 1/00 - Procédés ou appareils de liquéfaction ou de solidification des gaz ou des mélanges gazeux

Abrégé

33-ma2a+1m,33-n-pa2a+1nb2b+1pa2a+1b2b+1c2c+111010 linear, branched or cyclic alkyl, alkenyl, alky ny I group. The synthesis methods include one-step, two-step or three-step reaction(s) between halo(poly)silane(s) and a tris(trialkylsilyl) derivative of A or a one-pot mixing reaction between a mixture of two or three halo(poly)silanes and the tris(trialkylsilyl) derivative of A. The deposition methods include CVD, PECVD, ALD, PEALD, flowable CVD, HW-CVD, Epitaxy, or the like.

Classes IPC  ?

• C23C 16/24 - Dépôt uniquement de silicium
• H01L 21/20 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale

Abrégé

5 hydrocarbon.

Classes IPC  ?

• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/505 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques utilisant des décharges à radiofréquence
• C23C 16/56 - Post-traitement

Abrégé

nxyzee, wherein 0 ≤ n ≤ 10, 0 ≤ x ≤ 21, 0 ≤ y ≤ 21, 1 ≤ z ≤ 4 and 1 ≤ e ≤ 2; activating a plasma to produce an activated oxygen and iodine-containing etching compound; and allowing an etching reaction to proceed between the activated oxygen and iodine-containing etching compound and the silicon-containing film to selectively etch the silicon-containing film from the patterned mask layer, thereby forming a patterned structure.

Classes IPC  ?

• H01L 21/3065 - Gravure par plasmaGravure au moyen d'ions réactifs

Abrégé

A method for forming a Si-free metal-containing film on a substrate comprises: applying a film-forming composition onto a substrate through a wet coating process; and baking the substrate with the film-forming composition thereon under a temperature ranging from about 50°C to about 1500°C to form the Si-free metal-containing film. The film-forming composition comprises a metal-containing precursor; at least one cross-linker compound comprising two or more linking groups; and a solvent.

Classes IPC  ?

• C09D 1/00 - Compositions de revêtement, p. ex. peintures, vernis ou vernis-laques, à base de substances inorganiques

Abrégé

A method comprises: introducing a vapor of an oxygen and iodine-containing etching compound into a chamber that contains a substrate having a silicon-containing film deposited thereon and a patterned mask layer deposited on the silicon-containing layer, wherein the oxygen and iodine-containing etching compound has the formula CnHxFyIzOe, wherein 0≤n≤10, 0≤x≤21, 0≤y≤21, 1≤z≤4 and 1≤e≤2; activating a plasma to produce an activated oxygen and iodine-containing etching compound; and allowing an etching reaction to proceed between the activated oxygen and iodine-containing etching compound and the silicon-containing film to selectively etch the silicon-containing film from the patterned mask layer, thereby forming a patterned structure.

Classes IPC  ?

• H01L 21/311 - Gravure des couches isolantes
• H01L 21/32 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour former des couches isolantes en surface, p. ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiquesPost-traitement de ces couchesEmploi de matériaux spécifiés pour ces couches en utilisant des masques

Abrégé

axyzxyzaxyyFzN- R1, where x=1-6, y=0-13, z-0-13, and R11-55 hydrocarbon.

Classes IPC  ?

• C23C 16/32 - Carbures

Abrégé

The disclosure generally describes a method for venting pressurized hydrogen gas from a device for simulating a refueling operation for a fuel cell electric vehicle (FCEV).

Classes IPC  ?

• F17C 13/02 - Adaptations spéciales des dispositifs indicateurs, de mesure ou de contrôle

Abrégé

3423x23x323x3423x323x223223x322.

Classes IPC  ?

• C01G 55/00 - Composés du ruthénium, du rhodium, du palladium, de l'osmium, de l'iridium, ou du platine

Abrégé

Platinum group metal containing chemical precursors suitable for vapor deposition are disclosed. Methods of using these precursors for Platinum depositions are also disclosed. The chemical precursors and methods are particularly suitable for depositing catalyst material on electrodes.

Classes IPC  ?

• C07F 15/00 - Composés contenant des éléments des groupes 8, 9, 10 ou 18 du tableau périodique
• C07C 11/06 - Propène
• C07C 13/15 - Hydrocarbures monocycliques ou leurs dérivés hydrocarbonés acycliques à cycle à cinq chaînons à cycle du cyclopentadiène
• C07C 211/22 - Composés contenant des groupes amino liés à un squelette carboné ayant des groupes amino liés à des atomes de carbone acycliques d'un squelette carboné acyclique et non saturé contenant au moins deux groupes amino liés au squelette carboné

Abrégé

This invention provides a novel solution to form an artificial interphase on the electrode to protect it from fast declining electrochemical behaviors, by depositing Metal Oxides Layer, by ALD or CVD. Metals discussed here are IVA-VIA elements (Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W). The film needs to be thin, possibly discontinuous, and lithium ion conductive enough, so that the addition of this thin film interface allows fast lithium ion transfer at the interface between electrode and electrolyte.

Classes IPC  ?

• H01M 4/13 - Électrodes pour accumulateurs à électrolyte non aqueux, p. ex. pour accumulateurs au lithiumLeurs procédés de fabrication
• H01M 4/36 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs
• H01M 4/505 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de manganèse d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du manganèse pour insérer ou intercaler des métaux légers, p. ex. LiMn2O4 ou LiMn2OxFy

Abrégé

The present invention is at least industrially applicable to recovery of Hydrogen boil off gas during tube trailer refilling with liquid Hydrogen by a sequences of steps that redirects gaseous Hydrogen from the tube trailer to a Hydrogen liquefaction plant.

Classes IPC  ?

• F17C 6/00 - Procédés ou appareils pour remplir des récipients non sous pression de gaz liquéfiés ou solidifiés

Abrégé

The disclosure generally describes an apparatus for simulating a refueling operation for a fuel cell electric vehicle (FCEV). The fuel is compressed hydrogen gas dispensed by hydrogen refueling station (HRS).

Classes IPC  ?

• F17C 13/02 - Adaptations spéciales des dispositifs indicateurs, de mesure ou de contrôle

Abrégé

2222). The permeate stream is recycled to the process, optionally after compression. The method is auto-refrigerated, i. e. no external refrigerant is used to provide cooling below 0°C.

Classes IPC  ?

• C10L 3/10 - Post-traitement de gaz naturel ou de gaz naturel de synthèse
• B01D 53/00 - Séparation de gaz ou de vapeursRécupération de vapeurs de solvants volatils dans les gazÉpuration chimique ou biologique des gaz résiduaires, p. ex. gaz d'échappement des moteurs à combustion, fumées, vapeurs, gaz de combustion ou aérosols
• B01D 53/22 - Séparation de gaz ou de vapeursRécupération de vapeurs de solvants volatils dans les gazÉpuration chimique ou biologique des gaz résiduaires, p. ex. gaz d'échappement des moteurs à combustion, fumées, vapeurs, gaz de combustion ou aérosols par diffusion
• F25J 3/02 - Procédés ou appareils pour séparer les constituants des mélanges gazeux impliquant l'emploi d'une liquéfaction ou d'une solidification par rectification, c.-à-d. par échange continuel de chaleur et de matière entre un courant de vapeur et un courant de liquide
• F25J 3/06 - Procédés ou appareils pour séparer les constituants des mélanges gazeux impliquant l'emploi d'une liquéfaction ou d'une solidification par condensation partielle

Abrégé

The present invention relates to a method for improving stability of a hydrogen gaseous dispensing system. An example of such system is hydrogen powered vehicle fuel filling station. Vehicle is filled by multiple high pressure gaseous hydrogen tubes, usually one tube at a time. For safety and reliability reasons a control requirement for such system is to be able to deliver the hydrogen at constant rate to the fuel tank so that its rate of pressure increase stays constant during entire filling process. A dual pressure regulator arrangement is proposed to better maintain flow continuity and/or pressure during tube switching.

Classes IPC  ?

• F17C 5/00 - Procédés ou appareils pour remplir des récipients sous pression de gaz liquéfiés, solidifiés ou comprimés
• F17C 5/06 - Procédés ou appareils pour remplir des récipients sous pression de gaz liquéfiés, solidifiés ou comprimés pour le remplissage avec des gaz comprimés

Abrégé

A cryogen storage vessel at an installation is filled with liquid cryogen from a liquid cryogen storage tank that has a pressure lower than that of the vessel. After headspaces of the vessel and tank are placed in fluid communication with another via a gas transfer vessel and are pressure-balanced, a pump in a liquid transfer line connected between the tank and the vessel is operated to transfer amounts of liquid cryogen from the tank to the vessel via the liquid transfer line and pump as amounts of gaseous cryogen are transferred, through displacement by the pumped cryogenic liquid, from the vessel to the tank.

Classes IPC  ?

• F17C 6/00 - Procédés ou appareils pour remplir des récipients non sous pression de gaz liquéfiés ou solidifiés

Abrégé

[Purpose] To provide a method of forming a ruthenium-containing layer and a laminate, wherein the ruthenium-containing layer is selectively formed, as a protective layer capable of suppressing generation of etching residues, on a mask surface for pattern formation that is formed on a substrate, without the need for form ing a selective attractant element. [Solution] A method, which comprises a preparation step of providing a substrate having an oxidizable layer, and a deposition step of depositing a ruthenium-containing layer on the oxidizable layer by using a ruthenium tetraoxide through vapour deposition, wherein the oxidizable layer contains carbon atoms.

Classes IPC  ?

• H01L 21/3065 - Gravure par plasmaGravure au moyen d'ions réactifs
• H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p. ex. condensation
• H01L 21/31 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour former des couches isolantes en surface, p. ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiquesPost-traitement de ces couchesEmploi de matériaux spécifiés pour ces couches
• H01L 21/316 - Couches inorganiques composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde

Abrégé

Methods of plasma dry etching employing an etching gas mixture containing a compound that has a general formula: where 1 ≤ x ≤ 6, 1 ≤ y ≤ 9, 1 ≤ z ≤ 15, n = 1 or 2. In some embodiments, the compound contains one or more methyl group(s) and at least one methyl group is attached to the Si atom. The methods include HAR dry etching processes, selective dry etching processes and cyclic selective dry etching processes.

Classes IPC  ?

• H01L 21/3065 - Gravure par plasmaGravure au moyen d'ions réactifs

Abrégé

A method of forming a gap filling on a substrate, the substrate having gaps formed therein, comprises: producing a gap filling polycarbosilazane polymer or oligomer by a polymerization of a reaction mixture of carbosilanes with amines; forming a solution containing the gap filling polycarbosilazane polymer or oligomer; and contacting the solution with the substrate via a spin-on coating, spray coating, dip coating, or slit coating technique to fill the gaps in the substrate forming the silicon and carbon containing gap filling, wherein a concentration of the gap filling polycarbosilazane polymer or oligomer in the solution ranges from 1 to 60 wt %.

Classes IPC  ?

• C09D 183/14 - Compositions de revêtement à base de composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant uniquement du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carboneCompositions de revêtement à base de dérivés de tels polymères dans lesquels au moins deux atomes de silicium, mais pas la totalité, sont liés autrement que par des atomes d'oxygène

Abrégé

Systems and methods are disclosed for treating wastewater, such as food and beverage industry wastewater, pulp and paper wastewater, textile wastewater, tannery wastewater, pharmaceutical wastewater, etc., which contains high concentration of COD along with high concentrations of nitrogen and phosphorus to yield a low COD output along with a low phosphorous output and a low nitrogen output. One system comprises a buffer tank, an anoxic tank, an oxic tank, and a membrane bioreactor tank fluidically connected in series with pure oxygen blown into the oxic tank.

Classes IPC  ?

• C02F 1/74 - Traitement de l'eau, des eaux résiduaires ou des eaux d'égout par oxydation au moyen de l'air
• C02F 1/72 - Traitement de l'eau, des eaux résiduaires ou des eaux d'égout par oxydation
• C02F 3/02 - Procédés aérobies

Abrégé

z where x=2-5, y>z, the HFC being a saturated or unsaturated, linear or cyclic HFC; ii) exposing the polymer layer deposited on the SiN layer to a plasma of an inert gas, the plasma of the inert gas removing the polymer layer deposited on the SiN layer and the modified surface of the SiN layer on an etch front; and iii) repeating the steps of i) and ii) until the SiN layer on the etch front is selectively removed, thereby forming a substantially vertically straight SiN spacer comprising the SiN layer on the sidewall of the structure.

Classes IPC  ?

• H01L 21/311 - Gravure des couches isolantes
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• H01L 21/3105 - Post-traitement

Abrégé

A method of deposition of a gallium-containing oxide film on a substrate comprises a) simultaneously or sequentially, exposing the substrate to a vapor of a gallium precursor, additional metal precursor(s) and an oxidizer; b) depositing at least part of the gallium precursor and at least part of the additional metal precursor(s) onto the substrate to form the gallium-containing oxide film on the substrate through a vapor deposition process, wherein the gallium precursor has the formula: (NR8R9)(NR1R2)Ga[(R3R4xx(R5R6)(NR722Ga[(R3R4xx(R5R6)(NR7)] (II) wherein, R1to R9are independently selected from H, Me, Et, nPr, IPr, nBu, iBu, sBu, or tBu; R1to R9 may be the same or different; x = 2, 3, 4, preferably x = 2; Cy-N refers to saturated N-containing rings or unsaturated N-containing rings.

Classes IPC  ?

• C23C 16/40 - Oxydes

Abrégé

22, wherein M is Cr, Mo, or W; arene is wherein R1, R2, R3, R4, R5and R6161616166 alkenylphenyl, or -SIXR7R8, wherein X is selected from F, Cl, Br, I, and R7, R816166 alkenyl.

Classes IPC  ?

• C23C 16/18 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de composés organométalliques

Abrégé

The disclosure relates to a manufactured composition, material or device comprising at least two different nonradioactive isotope atoms. Each nonradioactive isotope atom is present in an amount sufficient to increase the total amount of the nonradioactive isotope atom above the total amount found in the manufactured composition, material or device in the absence of adding the nonradioactive isotope atom to increase said total amount. The ratio(s) of the at least two nonradioactive isotopes in the manufactured composition, material or device are measurably different than the ratio(s) found in the manufactured composition, material or device in the absence of adding the nonradioactive isotope atom to increase said total amount.

Classes IPC  ?

• A61K 47/02 - Composés inorganiques
• G01N 33/00 - Recherche ou analyse des matériaux par des méthodes spécifiques non couvertes par les groupes
• G01N 33/15 - Préparations médicinales

Abrégé

Methods for purification of a fluorocarbon or hydrofluorocarbon containing at least one undesired halocarbon impurities comprise flowing the fluorocarbon or hydrofluorocarbon through at least one adsorbent beds to selectively adsorb the at least one undesired halocarbon impurities through physical adsorption and/or chemical adsorption, wherein the at least one adsorbent beds contain a metal oxide supported on an adsorbent in an inert atmosphere.

Classes IPC  ?

• C07C 17/389 - SéparationPurificationStabilisationEmploi d'additifs par adsorption sur des solides
• C07C 17/383 - SéparationPurificationStabilisationEmploi d'additifs par distillation
• C07C 19/08 - Composés acycliques saturés contenant des atomes d'halogène contenant du fluor

Abrégé

A process for gas phase deposition of a metal or metal nitride film on a surface of substrate comprises: reacting a metal-oxo or metal oxyhalide precursor with an oxophilic reagent in a reactor containing the substrate to deoxygenate the metal-oxo or metal oxyhalide precursor, and forming the metal or metal nitride film on the substrate through a vapor deposition process. The substrate is exposed to the metal oxyhalide precursor and the oxophilic reagent simultaneously or sequentially. The substrate is exposed to a reducing agent sequentially after deoxygenation.

Classes IPC  ?

• C23C 16/08 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir d'halogénures métalliques
• C23C 16/34 - Nitrures

Abrégé

Methods for purification of a fluorocarbon or hydrofluorocarbon containing at least one undesired halocarbon impurities comprise flowing the fluorocarbon or hydrofluorocarbon through at least one adsorbent beds to selectively adsorb the at least one undesired halocarbon impurities through physical adsorption and/or chemical adsorption, wherein the at least one adsorbent beds contain a metal oxide supported on an adsorbent in an inert atmosphere.

Classes IPC  ?

• B01J 20/08 - Compositions absorbantes ou adsorbantes solides ou compositions facilitant la filtrationAbsorbants ou adsorbants pour la chromatographieProcédés pour leur préparation, régénération ou réactivation contenant une substance inorganique contenant des oxydes ou des hydroxydes des métaux non prévus dans le groupe contenant de l'oxyde ou de l'hydroxyde d'aluminiumCompositions absorbantes ou adsorbantes solides ou compositions facilitant la filtrationAbsorbants ou adsorbants pour la chromatographieProcédés pour leur préparation, régénération ou réactivation contenant une substance inorganique contenant des oxydes ou des hydroxydes des métaux non prévus dans le groupe contenant de la bauxite
• B01D 3/14 - Distillation fractionnée
• B01D 3/36 - Distillation azéotropique
• B01D 53/04 - Séparation de gaz ou de vapeursRécupération de vapeurs de solvants volatils dans les gazÉpuration chimique ou biologique des gaz résiduaires, p. ex. gaz d'échappement des moteurs à combustion, fumées, vapeurs, gaz de combustion ou aérosols par adsorption, p. ex. chromatographie préparatoire en phase gazeuse avec adsorbants fixes
• B01D 53/82 - Procédés en phase solide avec des réactifs à l'état stationnaire
• B01D 53/96 - Régénération, réactivation ou recyclage des réactifs
• B01J 20/34 - Régénération ou réactivation
• C07C 17/38 - SéparationPurificationStabilisationEmploi d'additifs
• C07C 17/383 - SéparationPurificationStabilisationEmploi d'additifs par distillation
• C07C 17/389 - SéparationPurificationStabilisationEmploi d'additifs par adsorption sur des solides

Abrégé

allowing an etching reaction to proceed between the film uncovered by the patterned mask layer and the activated hydrofluorocarbon or fluorocarbon compound and the activated additive compound to selectively etch the film from the patterned mask layer, thereby forming the HAR patterned structure.

Classes IPC  ?

• H01L 21/311 - Gravure des couches isolantes

Abrégé

A method for forming a Group IV transition metal containing film comprises a) exposing a substrate to a vapor of a Group IV transition metal containing film forming composition; b) exposing the substrate to a co-reactant; and c) repeating the steps of a) and b) until a desired thickness of the Group IV transition metal containing film is deposited on the substrate using a vapor deposition process.

Classes IPC  ?

• C23C 14/06 - Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement caractérisé par le matériau de revêtement
• C23C 14/08 - Oxydes
• C23C 14/02 - Pré-traitement du matériau à revêtir
• C23C 16/18 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de composés organométalliques
• C23C 14/24 - Évaporation sous vide
• C23C 14/58 - Post-traitement

Abrégé

Disclosed are methods for forming a high aspect ratio (HAR) structure during a HAR etch process in a substrate in a reaction chamber, the method comprising: sequentially or simultaneously exposing the substrate to a vapor of an etchant including a hydrofluorocarbon or fluorocarbon compound and an additive compound, the substrate having a film disposed thereon and a patterned mask layer disposed on the film; activating a plasma to produce an activated hydrofluorocarbon or fluorocarbon compound and an activated additive compound; and allowing an etching reaction to proceed between the film uncovered by the patterned mask layer and the activated hydrofluorocarbon or fluorocarbon compound and the activated additive compound to selectively etch the film from the patterned mask layer, thereby forming the HAR patterned structure.

Classes IPC  ?

• C09K 13/00 - Compositions pour l'attaque chimique, la gravure, le brillantage de surface ou le décapage
• H01L 21/306 - Traitement chimique ou électrique, p. ex. gravure électrolytique
• C07C 19/08 - Composés acycliques saturés contenant des atomes d'halogène contenant du fluor

Abrégé

In described embodiments, a process for recovery of a metal from a grounded ore comprises leaching the grounded ore with a leaching reagent, an oxidant and an oxygen vector. In particular, a process for recovery of gold from a grounded gold ore, comprises leaching the grounded gold ore with a cyanide salt, an oxidant and an oxygen vector. The oxygen vector is selected from dodecane, decane, hexadecane, or the like.

Classes IPC  ?

• C22B 3/00 - Extraction de composés métalliques par voie humide à partir de minerais ou de concentrés
• C22B 3/12 - Extraction de composés métalliques par voie humide à partir de minerais ou de concentrés par lixiviation dans des solutions inorganiques alcalines

Abrégé

Disclosed is a deposition method for improving thickness control of a film deposited on high aspect ratio (HAR) apertures in a substrate. The method comprises: i) sequentially or simultaneously exposing the substrate to a vapor of an inhibitor, a vapor of a precursor and a vapor of a co-reactant; and ii) depositing the film on the HAR apertures that has a desired thickness control through a vapor deposition process, wherein the inhibitor contains O, N, S, P, B, C, F, CL Br, or I.

Classes IPC  ?

• H01L 21/205 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c.-à-d. un dépôt chimique
• C23C 16/40 - Oxydes
• C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement

Abrégé

In described embodiments, a process for recovery of a metal from a grounded ore comprises leaching the grounded ore with a leaching reagent, an oxidant and an oxygen vector. In particular, a process for recovery of gold from a grounded gold ore, comprises leaching the grounded gold ore with a cyanide salt, an oxidant and an oxygen vector. The oxygen vector is selected from dodecane, decane, hexadecane, or the like.

Classes IPC  ?

• C22B 1/02 - Procédés de grillage
• C22B 11/00 - Obtention des métaux nobles
• C22B 3/12 - Extraction de composés métalliques par voie humide à partir de minerais ou de concentrés par lixiviation dans des solutions inorganiques alcalines

Abrégé

Disclosed are indium (In)-containing film forming compositions comprising In(III)-containing precursors that contain halogens, methods of synthesizing them and methods of using them to deposit the indium-containing films and/or indium-containing alloy film. The disclosed in(III)-containing precursors contain chlorine with nitrogen based ligands. In particular, the disclosed ln(lll)-containing precursors contains 1 or 2 amidinate ligands, 1 or 2 iminopyrrolidinate ligands, 1 or 2 amido amino alkane ligands, 1 or 2 μ-diketiminate ligands or a silyl amine ligand. The disclosed in(III)-containing precursors are suitable for vapor phase depositions (e.g., ALD, CVD) of the indium-containing films and/or indium-containing alloy films.

Classes IPC  ?

• C23C 16/18 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de composés organométalliques

Abrégé

A method for irrigating a crop using a nanobubble hydrogen rich water to increase a concentration of Cannabidiol (CBD) in the crop is disclosed.

Classes IPC  ?

• A01G 25/00 - Arrosage des jardins, champs, terrains de sports ou similaires
• A01G 7/00 - Botanique en général
• C01B 5/00 - Eau

Abrégé

The disclosure describes a method of depositing a plurality Ft metal containing nanodots on a catalyst carbon support structure by forming a vapor of Pt(PF3)4, exposing a surface of the catalyst support to the vapor of Pt(PF3)4, purging the surface of the catalyst support with a purge gas to remove the vapor of Pt(PF3)4, exposing the surface of the catalyst support to a second reactant in gaseous form, purging the surface of the catalyst support with a purge gas to remove the second reactant, and repeating these steps to form a plurality of the Pt metal containing nanodots.

Classes IPC  ?

• C23C 16/14 - Dépôt d'un seul autre élément métallique

Abrégé

Disclosed are mono-substituted cydopentadienes, metal cydopentadienyl complexes and methods for synthesizing them. The disclosed mono-substituted cydopentadienes are synthesized by a selective catalytic carbon-carbon coupling reaction. The disclosed metal cydopentadienyl complexes are synthesized from the disclosed mono-substituted cydopentadienes. The disclosed metal cydopentadienyl complexes include main group metal and transition metal cydopentadienyl complexes, and may be used as deposition precursors contained in film forming compositions for film depositions in semiconductor industry, such as ALD, CVD, SOD, etc.

Classes IPC  ?

• C07C 2/86 - Préparation d'hydrocarbures à partir d'hydrocarbures contenant un plus petit nombre d'atomes de carbone par condensation d'un hydrocarbure et d'un non-hydrocarbure
• C07C 13/15 - Hydrocarbures monocycliques ou leurs dérivés hydrocarbonés acycliques à cycle à cinq chaînons à cycle du cyclopentadiène
• C07F 1/00 - Composés contenant des éléments des groupes 1 ou 11 du tableau périodique
• C07F 5/00 - Composés contenant des éléments des groupes 3 ou 13 du tableau périodique

Abrégé

A heat exchange apparatus for removing magnetic particulates from a gas stream, including a rotating element basket having a regenerative heat exchanger and at least one magnetic element. A method of removing magnetic particulates from a gas stream, including heating the regenerative heat exchanger during a first portion of a cycle as a segment of the rotating element basket passes through a first zone wherein contact is made with a flue gas thereby accumulating any magnetic particulates as they are attached to the magnetic element. Then cleaning a portion of the magnetic element during a second portion of the cycle. And cooling the regenerative heat exchanger and simultaneously heating an inlet air stream during a third portion of the cycle as the segment of the rotating element basket passes through a third zone wherein fluidic contact is made with the air inlet stream.

Classes IPC  ?

• B03C 1/032 - Systèmes de nettoyage des matrices de filtration
• F23J 15/02 - Aménagement des dispositifs de traitement de fumées ou de vapeurs des purificateurs, p. ex. pour enlever les matériaux nocifs
• F23L 15/02 - Aménagements des régénérateurs
• B03C 1/033 - Éléments constitutifsOpérations auxiliaires caractérisés par le circuit magnétique
• B03C 1/12 - Séparation magnétique agissant directement sur la substance à séparer ayant des supports pour le matériau traité, de forme cylindrique avec des aimants se déplaçant pendant l'opérationSéparation magnétique agissant directement sur la substance à séparer ayant des supports pour le matériau traité, de forme cylindrique avec des pièces de pôle mobiles
• F23L 15/04 - Aménagements des récupérateurs
• B03C 1/30 - Combinaisons avec d'autres dispositifs, non prévues ailleurs
• B03C 1/28 - Bouchons et jauges magnétiques

Abrégé

Methods for forming an indium-containing film by a vapor deposition method using a heteroalkylcyclopeniadienyl Indium (I) precursor having a general formula: ln[R1R2R3R4CpL1] or In[CpL1L2y] wherein Cp represents a cyciopentadienyl ligand; R1to R4144 linear branched or cyclic alkyls; L1and L223222).

Classes IPC  ?

• H01L 21/365 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c.-à-d. un dépôt chimique

Abrégé

222) at low temperatures and low pressure without a need of plasma are also disclosed. An additional co-reactant such as hydrogen may be used in combination with thionyl chloride. The processes are carried out in temperature ranging from approximately 150°C to approximately 600°C, pressure under < 100 Torr without the need of a plasma-activation.

Classes IPC  ?

• H01L 21/302 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p. ex. gravure, polissage, découpage
• H01L 21/3065 - Gravure par plasmaGravure au moyen d'ions réactifs
• H01L 27/11582 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. canaux en forme de U

Abrégé

This invention provides a novel solution to form an artificial interphase on the electrode to protect it from fast declining electrochemical behaviors, by depositing Doped-Metai Oxides Layer, by ALD or CVD. Metals discussed here are IVA-VIA elements (Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W) and dopants includes here B, Al, C, Si, N, P, S, allowing the oxide network to be porous, which may be favored by the presence of the dopant. The film also needs to be thin, possibly discontinuous, and lithium ion conductive enough, so that the addition of this thin film interface allows fast lithium ion transfer at the interface between electrode and electrolyte.

Classes IPC  ?

• H01M 4/13 - Électrodes pour accumulateurs à électrolyte non aqueux, p. ex. pour accumulateurs au lithiumLeurs procédés de fabrication
• H01M 4/36 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs
• H01M 4/505 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de manganèse d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du manganèse pour insérer ou intercaler des métaux légers, p. ex. LiMn2O4 ou LiMn2OxFy
• H01M 4/525 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de nickel, de cobalt ou de fer d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du fer, du cobalt ou du nickel pour insérer ou intercaler des métaux légers, p. ex. LiNiO2, LiCoO2 ou LiCoOxFy
• H01M 4/58 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs de composés inorganiques autres que les oxydes ou les hydroxydes, p. ex. sulfures, séléniures, tellurures, halogénures ou LiCoFyEmploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs de structures polyanioniques, p. ex. phosphates, silicates ou borates

Abrégé

nxyz,z, wherein 4≤ n ≤ 10, 0 ≤ x ≤ 21, 0 ≤ y ≤ 21, and 1 ≤ z ≤ 4 as an etching gas. The activated iodine-containing etching compound produces iodine ions, which are implanted into the patterned hardmask layer, thereby strengthening the patterned mask layer.

Classes IPC  ?

• H01L 21/3065 - Gravure par plasmaGravure au moyen d'ions réactifs
• H01L 27/11582 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. canaux en forme de U

Abrégé

z, wherein 4≤n≤10, 0≤x≤21, 0≤y≤21, and 1≤z≤4 as an etching gas. The activated iodine-containing etching compound produces iodine ions, which are implanted into the patterned hardmask layer, thereby strengthening the patterned mask layer.

Classes IPC  ?

• H01L 21/311 - Gravure des couches isolantes
• H01L 21/3213 - Gravure physique ou chimique des couches, p. ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 21/3065 - Gravure par plasmaGravure au moyen d'ions réactifs
• H01L 21/308 - Traitement chimique ou électrique, p. ex. gravure électrolytique en utilisant des masques
• H01L 21/3115 - Dopage des couches isolantes
• H01L 27/11578 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur
• H01L 27/1157 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par la région noyau de mémoire avec transistors de sélection de cellules, p.ex. NON-ET
• H10B 43/20 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par les agencements tridimensionnels, p. ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur
• H10B 43/35 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la région noyau de mémoire avec transistors de sélection de cellules, p. ex. NON-ET

Abrégé

Disclosed is a SAM forming composition comprising a SAM monomer or precursor having a backbone with a surface reactive group, wherein the backbone contains no Si-C bonds and is selected from the group consisting of a Si-C bond-free polysilane and a trisily!amine. The surface reactive groups are disclosed for the surface to be covered being a dielectric surface and a metal surface, respectively. A process of forming a SAM on a surface and a process of forming a film on the SAM are also disclosed.

Classes IPC  ?

• C09K 3/00 - Substances non couvertes ailleurs
• C23C 16/42 - Siliciures