Abrégé

Provided is a novel protein aggregation inhibitor capable of exhibiting a protein aggregation inhibitory effect even when added at a low concentration, by means of an amphoteric polymer compound represented by formula I.

Classes IPC  ?

• C08G 69/08 - Polyamides dérivés, soit des acides amino-carboxyliques, soit de polyamines et d'acides polycarboxyliques dérivés d'acides aminocarboxyliques

Abrégé

A pollen activation solution (1) comprises: an aqueous solution containing a substance that activates pollen germination and pollen tube growth; and a powdered carbon constituent substance added to the aqueous solution. The carbon constituent substance has not been subjected to an activation treatment. Examples of the substance that activates pollen germination and pollen tube growth include sucrose, boric acid, magnesium sulfate heptahydrate, calcium chloride, potassium chloride, gelatin, etc. As the powdered carbon constituent substance, for example, Sasa charcoal powder made by crushing Sasa bamboo leaf charcoal can be used.

Classes IPC  ?

• A01N 43/16 - Biocides, produits repoussant ou attirant les animaux nuisibles, ou régulateurs de croissance des végétaux, contenant des composés hétérocycliques comportant des cycles avec un ou plusieurs atomes d'oxygène ou de soufre comme uniques hétéro-atomes du cycle avec un hétéro-atome des cycles à six chaînons avec l'oxygène comme hétéro-atome du cycle
• A01N 59/00 - Biocides, produits repoussant ou attirant les animaux nuisibles, ou régulateurs de croissance des végétaux, contenant des éléments ou des composés inorganiques
• A01N 59/08 - Chlorures des métaux alcalinsChlorures des métaux alcalino-terreux
• A01P 21/00 - Régulateurs de croissance des végétaux

Abrégé

A sensor includes a first electrode, a second electrode, a third electrode, a semiconductor film that connects the first electrode and the second electrode, and a solid electrolyte membrane that covers the first electrode, the second electrode, and the semiconductor film, in which the solid electrolyte membrane has an exposed surface exposed to an outside, and the third electrode is configured to be disposed at a position where when the exposed surface of the solid electrolyte membrane is in contact with a conductive liquid (Lq), it is possible to apply an electric field to the exposed surface of the solid electrolyte membrane through the conductive liquid (Lq).

Classes IPC  ?

• G01N 27/414 - Transistors à effet de champ sensibles aux ions ou chimiques, c.-à-d. ISFETS ou CHEMFETS
• G01N 27/327 - Électrodes biochimiques
• G01N 27/333 - Électrodes ou membranes sélectives à l'égard des ions

Abrégé

A hand main body (7) of a robot hand (1) is formed to extend from a base end to a free end with a shape surrounding a gripping space (6), wherein a free end portion can form an opening (5), and a main body supporting portion (8) supports a base end portion of the hand main body (7). The hand main body (7) consists of a flexible thin film member, and an internal space (9) covered by the thin film member is formed between the base end and the free end portion. In the main body supporting portion (8), an outer support portion (11) supports a base end portion of an outer peripheral side film portion (10), and an inner support portion (13) supports a base end portion of an inner peripheral side film portion (12). The robot hand (1) is capable of gripping a target object provided in the gripping space (6) by rotating the inner support portion (13) relative to the outer support portion (11), with a shaft portion (16) as the center of rotation, to twist the free end portion of the hand main body (7), thereby narrowing the opening (5).

Classes IPC  ?

• B25J 15/08 - Têtes de préhension avec des éléments en forme de doigts

Abrégé

A ferroelectric film that includes: hafnium oxide having a fluorite structure; a metal oxide having one or more elements selected from La, Ce and Bi; and less than 5 mol % of carbon, wherein the ferroelectric film is a polycrystalline body having an average particle size of less than 10 nm.

Classes IPC  ?

• H01L 29/51 - Matériaux isolants associés à ces électrodes
• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée

Abrégé

Provided is a binder composition for a negative electrode which can achieve both a high capacity and an excellent capacity retention rate of a lithium-ion secondary battery. The binder composition for a lithium-ion secondary battery negative electrode of this invention is characterized by containing a vinylphosphonic acid- or vinylphosphonic acid ester-derived vinyl phosphorus polymer and a cellulose-based water-soluble polymer.

Classes IPC  ?

• H01M 4/62 - Emploi de substances spécifiées inactives comme ingrédients pour les masses actives, p. ex. liants, charges
• H01M 4/02 - Électrodes composées d'un ou comprenant un matériau actif
• H01M 4/38 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'éléments simples ou d'alliages
• H01M 4/583 - Matériau carboné, p. ex. composés au graphite d'intercalation ou CFx
• H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p. ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodesBatteries à l'ion lithium

Abrégé

233, wherein A of the composition formula is one or more elements selected from the group consisting of Bi and Sb, and B of the composition formula is one or more elements selected from the group consisting of Te, Se, and S. Oxide particles including one or more elements selected from the group of C consisting of Zn, Nb, and Al and telluride particles including one or more elements selected from the group of C are deposited on the inside of the crystal grains of the matrix and/or the crystal grain boundaries of the matrix. The long diameter of the oxide particles is 1 nm to 1000 nm and the short diameter of the oxide particles is 1 nm to 500 nm. The long diameter of the telluride particles is 0.4 μm to 40 μm and the short diameter of the telluride particles is 0.4 μm to 20 μm.

Classes IPC  ?

• H10N 10/01 - Fabrication ou traitement
• H10N 10/852 - Matériaux actifs thermoélectriques comprenant des compositions inorganiques comprenant du tellure, du sélénium ou du soufre
• H10N 10/855 - Matériaux actifs thermoélectriques comprenant des compositions inorganiques comprenant des composés contenant du bore, du carbone, de l'oxygène ou de l'azote
• H10N 10/857 - Matériaux actifs thermoélectriques comprenant des compositions changeant de façon continue ou discontinue à l'intérieur du matériau

Abrégé

The purpose of the present invention is to provide a technique useful for the treatment or diagnosis of cancer.　The present invention provides an antitumor agent including bacteria isolated from a tumor. The bacteria may be, for example, bacteria belonging to the genus Proteus. The antitumor agent may be administered parenterally. In addition, the present invention also provides a method for producing bacteria having an anti-tumor activity, the method comprising: an isolation step for isolating bacteria from a tumor; and a culturing step for culturing, in a medium, the bacteria isolated in the isolation step.

Classes IPC  ?

• A61K 35/74 - Bactéries
• A61K 35/744 - Bactéries lactiques, p. ex. entérocoques, pédiocoques, lactocoques, streptocoques ou leuconostoques
• A61P 35/00 - Agents anticancéreux
• C12N 1/20 - BactériesLeurs milieux de culture
• C12N 15/09 - Technologie d'ADN recombinant

Abrégé

The purpose of the present invention is to provide a technology useful for the treatment or diagnosis of cancer.　The present invention provides an antitumor agent comprising a purple non-sulfur bacterium isolated from a tumor. The present invention also provides a method for generating an image for tumor identification use, the method comprising an administration step for administering a bacterium isolated from a tumor to an animal and an image generation step for capturing an image of the animal while irradiating the animal with light in a specified wavelength range subsequent to the administration and generating an image for identifying a tumor that may be present in the animal. The present invention also provides a bacterium isolated from a tumor, the bacterium including at least a purple non-sulfur bacterium.

Classes IPC  ?

• A61K 35/74 - Bactéries
• A61K 50/00 - Préparations conductrices de l'électricité utilisées pour la thérapie ou pour l'examen in vivo, p. ex. adhésifs ou gels conducteurs utilisés avec des électrodes pour l'électrocardiographie [ECG] ou pour l'administration transcutanée de médicaments
• A61P 35/00 - Agents anticancéreux
• A61P 37/04 - Immunostimulants
• C12N 1/20 - BactériesLeurs milieux de culture

Abrégé

It is an object of the present invention to provide a therapeutic agent or a diagnostic agent for cancer, which has high selectivity to cancer and also has low toxicity or little side effects. According to the present invention, provided is a therapeutic agent or a diagnostic agent for cancer, comprising photosynthetic bacteria.

Classes IPC  ?

• A61K 35/74 - Bactéries
• A61K 49/00 - Préparations pour examen in vivo
• A61N 5/06 - Thérapie par radiations utilisant un rayonnement lumineux
• A61P 35/00 - Agents anticancéreux
• A61K 41/00 - Préparations médicinales obtenues par traitement de substances par énergie ondulatoire ou par rayonnement corpusculaire

Abrégé

A variable capacitive element is provided that includes a switch configuring a field effect transistor, and an element that is electrically connected to the switch to configure a capacitor. The element includes a terminal electrode electrically connected to a source electrode, and a terminal electrode that configures a first capacitor with the source electrode and configures a second capacitor at least with the drain electrode.

Classes IPC  ?

• H01L 27/13 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant combiné avec des composants passifs à film mince ou à film épais
• H01L 21/84 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant autre chose qu'un corps semi-conducteur, p.ex. étant un corps isolant
• H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive

Abrégé

In the present invention, a method for producing a compound of formula I comprises a step for causing a compound of formula III to undergo a Pechmann condensation reaction with respect to a compound of formula II in the presence of an organic solvent and an acid catalyst to obtain a compound of formula IV, and due to such method, provided are a novel photoreactive compound and a method for producing same that can be used for nucleic acid photoreaction technology.

Classes IPC  ?

• C07D 491/052 - Systèmes condensés en ortho avec un seul atome d'oxygène comme hétéro-atome du cycle contenant de l'oxygène le cycle contenant de l'oxygène étant à six chaînons
• C07H 19/24 - Radicaux hétérocycliques contenant de l'oxygène ou du soufre comme hétéro-atomes du cycle
• C07H 21/04 - Composés contenant au moins deux unités mononucléotide comportant chacune des groupes phosphate ou polyphosphate distincts liés aux radicaux saccharide des groupes nucléoside, p. ex. acides nucléiques avec le désoxyribosyle comme radical saccharide

Abrégé

22N-R122 (in the formula, R1denotes an alkylene group having 4-12 carbon atoms) is used as the diamine compound; and a dicarboxylic acid compound represented by formula (II): HOOC-R2-COOH (in the formula, R2 denotes an alkylene group having 8-24 carbon atoms) is used as the dicarboxylic acid compound.

Classes IPC  ?

• C08G 69/26 - Polyamides dérivés, soit des acides amino-carboxyliques, soit de polyamines et d'acides polycarboxyliques dérivés de polyamines et d'acides polycarboxyliques
• D01F 6/60 - Filaments, ou similaires, faits par l’homme, à un seul composant, formés de polymères synthétiquesLeur fabrication à partir de produits d'homopolycondensation à partir de polyamides
• D01F 6/80 - Filaments, ou similaires, faits par l’homme, à un seul composant, formés de polymères synthétiquesLeur fabrication à partir de produits de copolycondensation à partir de copolyamides

Abrégé

An enzyme according to the present invention has activity to convert uridine in RNA to cytidine. A complex according to the present invention comprises said enzyme and a sequence recognition module that causes uridine generated in mRNA by mutation to act specifically on said enzyme.

Classes IPC  ?

• C12N 15/54 - Transférases (2)
• A61K 38/50 - Hydrolases (3) agissant sur des liaisons carbone-azote autres que des liaisons peptidiques (3.5), p. ex. asparaginase
• A61K 47/66 - Préparations médicinales caractérisées par les ingrédients non actifs utilisés, p. ex. les supports ou les additifs inertesAgents de ciblage ou de modification chimiquement liés à l’ingrédient actif l’ingrédient non actif étant chimiquement lié à l’ingrédient actif, p. ex. conjugués polymère-médicament l’ingrédient non actif étant un agent de modification l’agent de modification étant une protéine, un peptide ou un acide polyaminé l’agent de modification étant un système de pré-ciblage impliquant un peptide ou une protéine pour cibler des cellules spécifiques
• A61K 48/00 - Préparations médicinales contenant du matériel génétique qui est introduit dans des cellules du corps vivant pour traiter des maladies génétiquesThérapie génique
• A61P 43/00 - Médicaments pour des utilisations spécifiques, non prévus dans les groupes
• C07K 14/08 - Virus à ARN
• C07K 14/415 - Peptides ayant plus de 20 amino-acidesGastrinesSomatostatinesMélanotropinesLeurs dérivés provenant de végétaux
• C07K 19/00 - Peptides hybrides
• C12N 9/10 - Transférases (2.)
• C12N 15/11 - Fragments d'ADN ou d'ARNLeurs formes modifiées
• C12N 15/40 - Protéines de virus à ARN, p. ex. flavivirus
• C12N 15/62 - Séquences d'ADN codant pour des protéines de fusion
• C12N 15/63 - Introduction de matériel génétique étranger utilisant des vecteursVecteurs Utilisation d'hôtes pour ceux-ciRégulation de l'expression

Abrégé

By using a polymer compound represented by formula IV and a production method thereof, provided is a novel protein aggregation inhibitor that exhibits a protein aggregation inhibitory effect when added at a low concentration and, after once added, that can be easily separated from the protein to be protected.

Classes IPC  ?

• C08F 293/00 - Composés macromoléculaires obtenus par polymérisation sur une macromolécule contenant des groupes capables d'amorcer la formation de nouvelles chaînes polymères rattachées exclusivement à une ou aux deux extrémités de la macromolécule de départ
• A61K 47/32 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions faisant intervenir uniquement des liaisons non saturées carbone-carbone, p. ex. carbomères
• C07K 1/113 - Procédés généraux de préparation de peptides par modification chimique de peptides précurseurs sans changement de la structure primaire
• C08F 220/28 - Esters contenant de l'oxygène en plus de l'oxygène de la fonction carboxyle ne contenant pas de cycles aromatiques dans la partie alcool
• C08F 220/60 - Amides contenant de l'azote en plus de l'azote de la fonction carbonamide
• C12N 9/96 - Stabilisation d'une enzyme par formation d'un adduct ou d'une compositionFormation de conjugaisons d'enzymes

Abrégé

The present invention provides an electronic element and a circuit device. An electronic element (100) comprises: a switch unit (10) that constitutes a field effect transistor; and an element unit (20) that is electrically connected to the switch unit (10) and that constitutes a capacitor (passive element). The switch unit (10) has a source electrode (5), a drain electrode (6), a channel forming film (4) formed so as to be superposed on at least a part of the source electrode (5) and a part of the drain electrode (6); a gate insulating film (3) formed so as to be superposed on the channel forming film (4); and a gate electrode (2) formed so as to be superposed on the gate insulating film (3). The element unit (20) has a terminal electrode (5a) (first terminal electrode) electrically connected to the source electrode (5), and a terminal electrode (22) (second terminal electrode) that constitutes, together with the drain electrode (6), a capacitor (passive element).

Classes IPC  ?

• H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
• H01F 27/00 - Détails de transformateurs ou d'inductances, en général
• H01G 4/40 - Combinaisons structurales de condensateurs fixes avec d'autres éléments électriques non couverts par la présente sous-classe, la structure étant principalement constituée par un condensateur, p. ex. combinaisons RC
• H01G 5/40 - Combinaisons structurales de condensateurs variables avec d'autres éléments électriques non couverts par la présente sous-classe, la structure étant principalement constituée par un condensateur, p. ex. combinaisons RC
• H01G 17/00 - Combinaisons structurales de condensateurs ou d'autres dispositifs couverts par au moins deux groupes principaux différents de la présente sous-classe avec d'autres éléments électriques non couverts par la présente sous-classe, p. ex. combinaisons RC
• H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
• H01L 21/8234 - Technologie MIS
• H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
• H01L 29/786 - Transistors à couche mince

Abrégé

2222) has a fluorite structure. The metal oxide has one element or a plurality of elements selected from La, Ce, and Bi. The amount of carbon included is less than 5 mol%.

Classes IPC  ?

• H01L 21/316 - Couches inorganiques composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde
• H01L 27/1159 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs les électrodes de grille comprenant une couche utilisée pour ses propriétés de mémoire ferro-électrique, p.ex. semi-conducteur métal-ferro-électrique [MFS] ou semi-conducteur d’isolation métal-ferro-électrique-métal [MFMIS] caractérisées par la région noyau de mémoire

Abrégé

This transistor sensor includes a substrate, a channel layer provided over one surface of the substrate, and a solid electrolyte layer provided between the substrate and the channel layer or over a surface of the channel layer on an opposite side to the substrate side, in which the channel layer includes an inorganic semiconductor, the solid electrolyte layer includes an inorganic solid electrolyte, and at least a portion of either one or both of the channel layer and the solid electrolyte layer includes an exposed portion exposed to outside.

Classes IPC  ?

• C12Q 1/6825 - Détecteurs faisant intervenir la détection d’acides nucléiques
• G01N 27/414 - Transistors à effet de champ sensibles aux ions ou chimiques, c.-à-d. ISFETS ou CHEMFETS

Abrégé

A sensor according to the present invention comprises: a first electrode (21); a second electrode (22); a third electrode (23); a semiconductor film (24) that connects to the first electrode (21) and the second electrode (22) to each other; and a solid electrolytic coating (25) that coats the first electrode (21), the second electrode (22), and the semiconductor film (24). The solid electrolytic coating (25) has an exposure surface (25a) exposed to the outside. The third electrode (23) is configured to be disposed at a position where an electric field can be applied to the exposure surface (25a) of the solid electrolytic coating (25) through an electrical conductive liquid (Lq) when the exposure surface (25a) of the solid electrolytic coating (25) is in contact with the electrical conductive liquid (Lq).

Classes IPC  ?

• C12M 1/38 - Commande sensible à la température
• C12N 15/09 - Technologie d'ADN recombinant
• C12Q 1/6825 - Détecteurs faisant intervenir la détection d’acides nucléiques
• C12Q 1/6837 - Couplage enzymatique ou biochimique d’acides nucléiques à une phase solide utilisant des réseaux de sondes ou des puces à sondes
• G01N 33/553 - Support métallique ou recouvert d'un métal
• G01N 27/00 - Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques
• G01N 27/414 - Transistors à effet de champ sensibles aux ions ou chimiques, c.-à-d. ISFETS ou CHEMFETS

Abrégé

This bisiminoacenaphthene crosslinked polymer including a bisiminoacenaphthene crosslinked polymer in which a repeating unit represented by formula (I) (Ｘ- represents a monovalent anion, Y represents a linking group, and Z represents a divalent organic group.) is crosslinked with a repeating unit represented by another formula (I) via a linking group Y exhibits excellent charge/discharge durability and has large discharge capacity. The bisiminoacenaphthene crosslinked polymer is thus used for a binder for a silicon negative electrode of a lithium ion secondary battery and a lithium ion secondary battery including a silicon negative electrode containing the binder for a silicon negative electrode.

Classes IPC  ?

• C08G 73/00 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant de l'azote, avec ou sans oxygène ou carbone, non prévus dans les groupes
• H01M 4/134 - Électrodes à base de métaux, de Si ou d'alliages
• H01M 4/62 - Emploi de substances spécifiées inactives comme ingrédients pour les masses actives, p. ex. liants, charges

Abrégé

In the present invention, a pollen transfer unit transfers pollen which is in a powdered state and which is contained in a pollen container to a space inside a gun main body of an air-spray gun. The gun main body sprays pressurized air toward a pistil, in the space from an outlet (115) to the pistil (151). A mist generation unit of a mist generator sprays a mist of an activation liquid from a mist spray outlet (124) into said space prior to the spraying of the pressurized air. The pollen which is sprayed onto the pistil (151) along with the pressurized air comes into contact with the mist of the activation liquid, and thereby adheres to the pistil (151) in a state with the activation liquid provided thereon.

Classes IPC  ?

• A01H 1/02 - Méthodes ou appareils d'hybridationPollinisation artificielle

Abrégé

[Problem] To provide a binder composition for negative electrodes, the binder composition enabling a lithium ion secondary battery to achieve a good balance between capacity enhancement and good capacity retention rate. [Solution] A binder composition for negative electrodes of lithium ion secondary batteries according to the present invention is characterized by containing a cellulose-based water-soluble polymer and a vinyl phosphorus-based polymer that is derived from a vinylphosphonic acid or a vinylphosphonic acid ester.

Classes IPC  ?

• H01M 4/62 - Emploi de substances spécifiées inactives comme ingrédients pour les masses actives, p. ex. liants, charges
• C08L 1/00 - Compositions contenant de la cellulose, de la cellulose modifiée ou des dérivés de la cellulose
• C08L 43/02 - Homopolymères ou copolymères de monomères contenant du phosphore
• H01M 4/13 - Électrodes pour accumulateurs à électrolyte non aqueux, p. ex. pour accumulateurs au lithiumLeurs procédés de fabrication
• H01M 4/133 - Électrodes à base de matériau carboné, p. ex. composés d'intercalation du graphite ou CFx
• H01M 4/36 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs

Abrégé

This variable-capacity element (100) comprises a switch unit (10) constituting a field effect transistor, and an element unit (20) that is electrically connected to the switch unit (10) and that constitutes a capacitor (passive element). This element unit (20) has a terminal electrode (5a) (first terminal electrode) electrically connected to a source electrode (5), and a terminal electrode (22) (second terminal electrode) that constitutes a first capacitor (first passive element) together with the source electrode (5) and that constitutes a second capacitor (second passive element) together with at least a drain electrode (6).

Classes IPC  ?

• H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
• H01G 4/30 - Condensateurs à empilement
• H01G 4/33 - Condensateurs à film mince ou à film épais
• H01G 4/40 - Combinaisons structurales de condensateurs fixes avec d'autres éléments électriques non couverts par la présente sous-classe, la structure étant principalement constituée par un condensateur, p. ex. combinaisons RC
• H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
• H01L 21/8234 - Technologie MIS
• H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
• H03H 5/12 - Réseaux à un accès comportant comme composants uniquement des éléments électriques passifs comportant au moins un élément dépendant de la tension ou du courant

Abrégé

A pollen supplying method for supplying pollen to a pistil of a plant includes an air bubble production step of producing an air bubble with the pollen attached to the surface thereof, and an air bubble attachment step of releasing the produced air bubble into the air and attaching the air bubble to the pistil.

Classes IPC  ?

• A01H 1/02 - Méthodes ou appareils d'hybridationPollinisation artificielle

Abrégé

The present invention addresses the problem of providing a therapeutic drug and a diagnostic drug for cancer that have high selectivity for cancer, low toxicity and little side effect. The present invention provides a therapeutic drug or diagnostic drug for cancer, said drug comprising a photosynthetic bacterium.

Classes IPC  ?

• A61K 35/74 - Bactéries
• A61K 31/437 - Composés hétérocycliques ayant l'azote comme hétéro-atome d'un cycle, p. ex. guanéthidine ou rifamycines ayant des cycles à six chaînons avec un azote comme seul hétéro-atome d'un cycle condensés en ortho ou en péri avec des systèmes hétérocycliques le système hétérocyclique contenant un cycle à cinq chaînons ayant l'azote comme hétéro-atome du cycle, p. ex. indolizine, bêta-carboline
• A61K 41/00 - Préparations médicinales obtenues par traitement de substances par énergie ondulatoire ou par rayonnement corpusculaire
• A61K 49/00 - Préparations pour examen in vivo
• A61P 35/00 - Agents anticancéreux
• A61P 43/00 - Médicaments pour des utilisations spécifiques, non prévus dans les groupes

Abrégé

A method of forming a silicon film on a substrate having a fine pattern includes performing surface treatment with an adhesion promoter on the substrate having the fine pattern, forming a coating film by applying a silane polymer solution to the substrate on which the surface treatment has been performed, and heating the coating film.

Classes IPC  ?

• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives

Abrégé

A complex includes photoresponsive liposomes, a first buffer solution, and a second buffer solution. Each of the photoresponsive liposomes includes a membrane that contains azobenzene compound and phospholipid and a membrane binding site that is immobilized to the membrane and bindable to a target substance. The first buffer solution is filled inside the photoresponsive liposomes. The second buffer solution exists outside of the photoresponsive liposomes. The first buffer solution has a composition that is different from that of the second buffer solution.

Classes IPC  ?

• G01N 33/544 - Support organique
• G01N 27/416 - Systèmes

Abrégé

A hydrogel of which the degradation is accurately controlled can be provided by a photodegradable hydrogel production method, the method comprising the steps of: reacting α-glucan having a weight average molecular weight of 2000 to 200,000 with a compound represented by formula I to introduce a group represented by formula II into the α-glucan; oxidizing the α-glucan having, introduced therein, the group represented by formula II with periodic acid or a periodate salt to introduce an aldehyde group into the α-glucan; and adding aminated carrageenan gel beads having polydopamine particles embedded therein to a gelling agent which has been prepared by introducing a group represented by formula II and an aldehyde group into α-glucan, and then causing the crosslinking reaction of the resultant product with a polythiol-type reducing agent to form the hydrogel.

Classes IPC  ?

• B01J 13/00 - Chimie des colloïdes, p. ex. production de substances colloïdales ou de leurs solutions, non prévue ailleursFabrication de microcapsules ou de microbilles
• A61K 31/7048 - Composés ayant des radicaux saccharide et des hétérocycles ayant l'oxygène comme hétéro-atome d'un cycle, p. ex. leucoglucosane, hespéridine, érythromycine, nystatine
• A61K 41/00 - Préparations médicinales obtenues par traitement de substances par énergie ondulatoire ou par rayonnement corpusculaire
• C08J 3/21 - Formation de mélanges de polymères avec des additifs, p. ex. coloration en présence d'une phase liquide le polymère étant prémélangé avec une phase liquide
• C08J 3/24 - Réticulation, p. ex. vulcanisation, de macromolécules
• A61K 9/06 - OnguentsExcipients pour ceux-ci

Abrégé

This transistor sensor has: a substrate; a channel layer provided on one surface of the substrate; and a solid electrolyte layer provided between the substrate and the channel layer or on the surface of the channel layer on the opposite side from the substrate, wherein the channel layer contains an inorganic semiconductor, the solid electrolyte layer contains an inorganic solid electrolyte, and at least a portion of either one or both of the channel layer and the solid electrolyte layer includes an exposed portion exposed to the outside.

Classes IPC  ?

• H01L 29/786 - Transistors à couche mince
• G01N 33/483 - Analyse physique de matériau biologique
• G01N 33/53 - Tests immunologiquesTests faisant intervenir la formation de liaisons biospécifiquesMatériaux à cet effet
• G01N 33/552 - Verre ou silice
• G01N 27/414 - Transistors à effet de champ sensibles aux ions ou chimiques, c.-à-d. ISFETS ou CHEMFETS

Abrégé

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Classes IPC  ?

• G01N 27/414 - Transistors à effet de champ sensibles aux ions ou chimiques, c.-à-d. ISFETS ou CHEMFETS
• G01N 33/543 - Tests immunologiquesTests faisant intervenir la formation de liaisons biospécifiquesMatériaux à cet effet avec un support insoluble pour l'immobilisation de composés immunochimiques
• G01N 33/553 - Support métallique ou recouvert d'un métal

Abrégé

A propeller (1) is equipped with: a hub (11); a blade (12) formed so as to extend outward from the hub (11); a curved section (13) which includes a flexible member for connecting the hub (11) and the blade (12); and a cord (15) which is positioned inside the curved section (13) and is stretched between the hub (11) and the blade (12). The blade (12) of the propeller (1) includes a deformable edge (14) positioned on the front side thereof in the direction of rotation (D), and said deformable edge (14) may be flexible.

Classes IPC  ?

• B64C 11/12 - Montage des pales dans le cas de pales non réglables souples
• B64C 11/20 - Caractéristiques de construction
• B64C 27/35 - Rotors comportant des jonctions en caoutchouc
• B64C 27/473 - Caractéristiques de structure
• F04D 29/30 - Aubes
• B63H 1/14 - Hélices
• B63H 1/26 - Pales

Abrégé

Provided are a vitrification stabilizer for an animal cell cryopreservation fluid, and an animal cell cryopreservation fluid which exhibits superior vitrification capabilities due to the animal cell cryopreservation fluid containing the vitrification stabilizer for an animal cell cryopreservation fluid. The vitrification stabilizer for an animal cell cryopreservation fluid contains: an amphoteric polymer compound selected from the group consisting of (a) a carboxylated amphoteric polymer compound obtained by reacting ε-poly-L-lysine with butyl succinic anhydride, (b) a carboxylated amphoteric polymer compound obtained by reacting ε-poly-L-lysine with butyl succinic anhydride and succinic anhydride, or (c) a carboxylated amphoteric polymer compound obtained by reacting ε-poly-L-lysine with a compound represented by formula I; and (d) a sucrose polymer macromolecule to which epichlorohydrin has been crosslinked.

Classes IPC  ?

• A01N 1/02 - Conservation de parties vivantes

Abrégé

The present invention provides a protein aggregation inhibitor for use in preventing aggregation of a protein, containing a crosslinked polymer obtained by polymerizing polymerizable polymer components containing a sulfobetaine polymer obtained by polymerizing monomer components containing a sulfobetaine monomer, the sulfobetaine monomer, and a crosslinkable monomer.

Classes IPC  ?

• C08F 291/14 - Composés macromoléculaires obtenus par polymérisation de monomères sur des composés macromoléculaires prévus par plus d'un des groupes sur des macromolécules contenant du soufre
• C12N 9/36 - Hydrolases (3.) agissant sur les composés glycosyliques (3.2) agissant sur les liaisons bêta-1, 4 de l'acide N-acétylmuramique avec l'acétylamino-2 déoxy-2-D-glucose, p. ex. lysozyme
• C12N 9/96 - Stabilisation d'une enzyme par formation d'un adduct ou d'une compositionFormation de conjugaisons d'enzymes

Abrégé

Provided are a compound represented by the following formula I; a novel photoreactive compound that can be used in nucleic acid photoreaction techniques by a photoreactive crosslinking agent comprising the compound; and a photoreactive crosslinking agent in which the photoreactive compound is used.

Classes IPC  ?

• C07D 491/052 - Systèmes condensés en ortho avec un seul atome d'oxygène comme hétéro-atome du cycle contenant de l'oxygène le cycle contenant de l'oxygène étant à six chaînons
• C07F 9/6561 - Composés hétérocycliques, p. ex. contenant du phosphore comme hétéro-atome du cycle contenant des systèmes de plusieurs hétérocycles déterminants condensés entre eux ou condensés avec un carbocycle ou un système carbocyclique commun, avec ou sans autres hétérocycles non condensés

Abrégé

A photoresponsive liposome (7) is provided with a membrane (13) and a membrane-side binding site (14). The membrane comprises an azobenzene compound and a phospholipid. The membrane-side binding site is fixed to the membrane. The membrane-side binding site is capable of binding to a substance to be detected. A composite (3) is provided with the photoresponsive liposome, a first buffer solution (9), and a second buffer solution (11). The first buffer solution is present inside the photoresponsive liposome. The second buffer solution is present outside the photoresponsive liposome. The composition of the first buffer solution is different from the composition of the second buffer solution.

Classes IPC  ?

• G01N 27/416 - Systèmes
• G01N 33/543 - Tests immunologiquesTests faisant intervenir la formation de liaisons biospécifiquesMatériaux à cet effet avec un support insoluble pour l'immobilisation de composés immunochimiques
• G01N 33/544 - Support organique

Abrégé

In the present invention, a method for producing a compound of formula I comprises a step for causing a compound of formula III to undergo a Pechmann condensation reaction with respect to a compound of formula II in the presence of an organic solvent and an acid catalyst to obtain a compound of formula IV, and due to such method, provided are a novel photoreactive compound and a method for producing same that can be used for nucleic acid photoreaction technology.

Classes IPC  ?

• C07D 491/052 - Systèmes condensés en ortho avec un seul atome d'oxygène comme hétéro-atome du cycle contenant de l'oxygène le cycle contenant de l'oxygène étant à six chaînons
• C07H 19/24 - Radicaux hétérocycliques contenant de l'oxygène ou du soufre comme hétéro-atomes du cycle
• C07H 21/04 - Composés contenant au moins deux unités mononucléotide comportant chacune des groupes phosphate ou polyphosphate distincts liés aux radicaux saccharide des groupes nucléoside, p. ex. acides nucléiques avec le désoxyribosyle comme radical saccharide
• C07K 2/00 - Peptides à nombre indéterminé d'amino-acidesLeurs dérivés
• C07B 61/00 - Autres procédés généraux
• C12N 15/11 - Fragments d'ADN ou d'ARNLeurs formes modifiées
• C07F 9/6561 - Composés hétérocycliques, p. ex. contenant du phosphore comme hétéro-atome du cycle contenant des systèmes de plusieurs hétérocycles déterminants condensés entre eux ou condensés avec un carbocycle ou un système carbocyclique commun, avec ou sans autres hétérocycles non condensés

Abrégé

A thermoelectric material includes a parent phase in which an MgSiSn alloy is a main component, a void formed in the parent phase, and a silicon layer that is formed on at least a wall surface of the void and that includes silicon as a main component. The thermoelectric material further includes MgO in an amount of 1.0 wt. % or more and 20.0 wt. % or less. The silicon layer includes amorphous Si, or amorphous Si and nanosized Si crystals, and the parent phase includes a region in which the composition ratio of the Si of the chemical composition of the MgSiSn alloy is higher than in the other regions and a region in which the composition ratio of the Sn of the chemical composition of the MgSiSn alloy is higher than in the other regions. With these configurations, the thermoelectric material realizes both lower thermal conductivity and lower electrical resistivity.

Classes IPC  ?

• H01L 35/22 - Emploi d'un matériau spécifié pour les bras de la jonction utilisant des compositions inorganiques comprenant des composés contenant du bore, du carbone, de l'oxygène ou de l'azote
• H01L 35/04 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS - Détails - Détails - Détails structurels de la jonction; Connexions des fils

Abrégé

This pollen supplying method for supplying pollen to a plant pistil comprises: a bubble generation step for producing bubbles having surfaces to which pollen is attached; and a bubble attachment step for making the bubbles attached to a pistil by releasing the produced bubbles into the air.

Classes IPC  ?

• B64C 39/02 - Aéronefs non prévus ailleurs caractérisés par un emploi spécial
• B64D 1/16 - Largage en vol d'une matière poudreuse, liquide ou gazeuse, p. ex. pour la lutte contre l'incendie
• A01H 1/02 - Méthodes ou appareils d'hybridationPollinisation artificielle

Abrégé

A method for forming a silicon film on a substrate having a fine pattern, which comprises: a step for subjecting a substrate having a fine pattern to a surface treatment with use of an adhesion promoter; a step for forming a coating film by applying a silane polymer solution to the substrate that has been subjected to the surface treatment; and a step for heating the coating film.

Classes IPC  ?

• B05D 7/24 - Procédés, autres que le flocage, spécialement adaptés pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides, à des surfaces particulières, ou pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides particuliers pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides particuliers
• B05D 3/02 - Traitement préalable des surfaces sur lesquelles des liquides ou d'autres matériaux fluides doivent être appliquésTraitement ultérieur des revêtements appliqués, p. ex. traitement intermédiaire d'un revêtement déjà appliqué, pour préparer les applications ultérieures de liquides ou d'autres matériaux fluides par cuisson
• B05D 7/00 - Procédés, autres que le flocage, spécialement adaptés pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides, à des surfaces particulières, ou pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides particuliers
• B32B 27/00 - Produits stratifiés composés essentiellement de résine synthétique
• H01L 21/208 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale en utilisant un dépôt liquide

Abrégé

The etching mask 80 for screen printing according to one embodiment of the present invention includes aliphatic polycarbonate. Further, the method of producing an oxide layer (the channel 44) according to one embodiment of the present invention includes: an etching-mask forming step of forming a pattern of the etching mask 80 including aliphatic polycarbonate; a contact step of, after the etching-mask forming step, contacting the oxide layer with a solution for dissolving a portion of the oxide layer (the channel 44) which is not protected by the etching mask 80; and a heating step of, after the contact step, heating the oxide layer (the channel 44) and the etching mask 80 to or above a temperature at which the etching mask 80 is decomposed.

Classes IPC  ?

• H01L 21/3065 - Gravure par plasmaGravure au moyen d'ions réactifs
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
• H01L 29/786 - Transistors à couche mince
• H01L 21/308 - Traitement chimique ou électrique, p. ex. gravure électrolytique en utilisant des masques

Abrégé

A hydrogel of which the degradation is accurately controlled can be provided by a photodegradable hydrogel production method, the method comprising the steps of: reacting α-glucan having a weight average molecular weight of 2000 to 200,000 with a compound represented by formula I to introduce a group represented by formula II into the α-glucan; oxidizing the α-glucan having, introduced therein, the group represented by formula II with periodic acid or a periodate salt to introduce an aldehyde group into the α-glucan; and adding aminated carrageenan gel beads having polydopamine particles embedded therein to a gelling agent which has been prepared by introducing a group represented by formula II and an aldehyde group into α-glucan, and then causing the crosslinking reaction of the resultant product with a polythiol-type reducing agent to form the hydrogel.

Classes IPC  ?

• A61K 47/36 - PolysaccharidesLeurs dérivés, p. ex. gommes, amidon, alginate, dextrine, acide hyaluronique, chitosane, inuline, agar-agar ou pectine
• A61L 24/00 - Adhésifs ou ciments chirurgicauxAdhésifs pour dispositifs de colostomie
• A61L 24/08 - Polysaccharides
• C08B 37/00 - Préparation des polysaccharides non prévus dans les groupes Leurs dérivés

Abrégé

A method for forming a silicon film on a substrate to be processed, the method comprising: (A) a step for forming a coating film by coating, onto a substrate to be processed, a solution in which a silane polymer is dissolved in a mixed solvent that comprises a first solvent comprising a six- to eight-membered monocyclic saturated carbocyclic ring in each molecule and having a boiling point of less than 160 °C, and comprises a second solvent comprising a saturated carbocyclic ring or a partially saturated carbocyclic ring in each molecule and having a boiling point of at least 160 °C; and (B) a step for heating the coating film.

Classes IPC  ?

• H01L 21/208 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale en utilisant un dépôt liquide
• C01B 33/02 - Silicium
• C01B 33/04 - Hydrures de silicium
• C30B 7/06 - Croissance des monocristaux à partir de solutions en utilisant des solvants liquides à la température ordinaire, p. ex. à partir de solutions aqueuses par évaporation du solvant en utilisant des solvants non aqueux

Abrégé

The present invention pertains to an electrospray device that includes a microhole array chip 10, two electrodes 20, 21 provided at a distance from each other so as to face each of the main surfaces of the microhole array chip, and a power supply 30 for applying a voltage between the two electrodes. The present invention pertains to a method for manufacturing bodies shaped as capsules, said method including: filling a space 1 in the device with a liquid being encapsulated; filling a space 2 with a liquid that is poorly soluble in the liquid being encapsulated; applying a pulse wave voltage between two electrodes; causing the liquid being encapsulated to pass through microholes in the microhole array chip; and forming bodies shaped as capsules in the liquid that is poorly soluble in the liquid being encapsulated in the space 2. The present invention is a method for conducting a μL-scale cell-free reaction in capsules in fL-scale IVC, and provides a means whereby fL-scale IVC is conduced in capsules in a manner that is simpler and more efficient than in prior-art methods.

Classes IPC  ?

• B01J 13/04 - Fabrication de microcapsules ou de microbilles par des procédés physiques, p. ex. séchage, pulvérisation

Abrégé

A laminate by using a paste or solution containing aliphatic polycarbonates having an etching mask function is provided. A method of producing a laminate of the present invention includes a pattern forming step of forming a pattern 80 of a first oxide precursor layer in which a compound of metal to be oxidized into a metal oxide is dispersed in a solution containing a binder (possibly including inevitable impurities) made of aliphatic polycarbonates on an oxide layer 44 or on the second oxide precursor layer to be oxidized into the oxide layer 44; an etching step of, after the pattern forming step, etching the oxide layer 44 or the second oxide precursor layer that is not protected by the pattern 80; and a heating step of, after the etching step, heating the oxide layer 44 or the second oxide precursor layer, and the first oxide precursor layer to a temperature at which the binder is decomposed or higher.

Classes IPC  ?

• B32B 3/00 - Produits stratifiés comprenant une couche ayant des discontinuités ou des rugosités externes ou internes, ou une couche de forme non planeProduits stratifiés comprenant une couche ayant des particularités au niveau de sa forme
• H01L 21/3213 - Gravure physique ou chimique des couches, p. ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
• H01L 29/786 - Transistors à couche mince
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 21/467 - Traitement chimique ou électrique, p. ex. gravure électrolytique en utilisant des masques
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• H01L 21/027 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou

Abrégé

Provided is a thermoelectric material 1 having: a parent phase 10 containing a MgSiSn alloy as a main component; vacancies 12 formed in the parent phase 10; and a silicon layer which is formed on at least the wall surfaces of the vacancies 12 and contains silicon as a main component. The thermoelectric material 1 also contains 1.0-20.0 wt% of MgO. The silicon layer contains amorphous Si, or amorphous Si and a nano-sized Si crystal, and the parent phase 10 is composed of a region in which the composition ratio of Si in the chemical composition of the MgSiSn alloy is higher than the other regions, and a region in which the composition ratio of Sn is higher than the other regions. As a result, the thermoelectric material 1 has a lower electrical resistivity while having a lower thermal conductivity.

Classes IPC  ?

• H01L 35/14 - Emploi d'un matériau spécifié pour les bras de la jonction utilisant des compositions inorganiques
• C01B 33/02 - Silicium
• H01L 35/26 - Emploi d'un matériau spécifié pour les bras de la jonction utilisant des compositions changeant de façon continue ou discontinue à l'intérieur du matériau
• H01L 35/34 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
• C22C 13/00 - Alliages à base d'étain

Abrégé

Provided are a hydrophilic polyamide and polyimide having unique properties, such as heat resistance, of polyamide and polyimide. According to the present invention, a polymer compound is characterized by having a repeating unit represented by general formula (1) (in formula (1), M1and M2each independently represent any one selected from a hydrogen atom, a monovalent metal atom, an alkaline earth metal atom, and an ammonium ion (excluding the case in which both M1and M2are a hydrogen atom), X1and X2represent an organic group, m and n each independently represent the number of substituents, Z1represents a carbonyl group which may have a hydrogen atom or a substituent, Z2represents a hydrocarbon group which may have a substituent, Z3represents a carbonyl group which may have a hydrogen atom or a substituent, and when Z1or Z3is a carbonyl group which may have a substituent, Z1or Z3each independently can form a cyclic structure with Z2.)

Classes IPC  ?

• C08G 73/10 - PolyimidesPolyester-imidesPolyamide-imidesPolyamide-acides ou précurseurs similaires de polyimides

Abrégé

Provided are: a compound represented by formula I; a new photoreactive compound that can be used in nucleic acid photoreaction techniques by a photoreactive crosslinking agent comprising the compound; and a photoreactive crosslinking agent in which the photoreactive compound is used.

Classes IPC  ?

• C07D 491/052 - Systèmes condensés en ortho avec un seul atome d'oxygène comme hétéro-atome du cycle contenant de l'oxygène le cycle contenant de l'oxygène étant à six chaînons
• C07F 9/6561 - Composés hétérocycliques, p. ex. contenant du phosphore comme hétéro-atome du cycle contenant des systèmes de plusieurs hétérocycles déterminants condensés entre eux ou condensés avec un carbocycle ou un système carbocyclique commun, avec ou sans autres hétérocycles non condensés

Abrégé

Provided are a compound represented by formula I that can be used in nucleic acid photoreaction techniques, and a photoreactive crosslinking agent comprising the compound.

Classes IPC  ?

• C07D 491/052 - Systèmes condensés en ortho avec un seul atome d'oxygène comme hétéro-atome du cycle contenant de l'oxygène le cycle contenant de l'oxygène étant à six chaînons
• C07H 19/24 - Radicaux hétérocycliques contenant de l'oxygène ou du soufre comme hétéro-atomes du cycle
• C07H 21/04 - Composés contenant au moins deux unités mononucléotide comportant chacune des groupes phosphate ou polyphosphate distincts liés aux radicaux saccharide des groupes nucléoside, p. ex. acides nucléiques avec le désoxyribosyle comme radical saccharide
• C12N 15/09 - Technologie d'ADN recombinant

Abrégé

It is an object of the invention to provide a thin film transistor and a method for producing the same, which will easily achieve self-aligned formation of a source/drain region without through processes under a vacuum or a low pressure or with no use of expensive equipment.

Classes IPC  ?

• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H01L 29/24 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , ,  ou
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• C09D 7/61 - Adjuvants non macromoléculaires inorganiques
• C09D 5/00 - Compositions de revêtement, p. ex. peintures, vernis ou vernis-laques, caractérisées par leur nature physique ou par les effets produitsApprêts en pâte
• C09D 169/00 - Compositions de revêtement à base de polycarbonatesCompositions de revêtement à base de dérivés de polycarbonates
• C08G 64/02 - Polycarbonates aliphatiques
• H01L 29/786 - Transistors à couche mince
• H01L 21/385 - Diffusion des impuretés, p. ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, dans ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase solide, p. ex. une couche d'oxyde dopée
• H01L 21/477 - Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p. ex. recuit, frittage

Abrégé

This method for producing a heterojunction solar cell that has a heterojunction of a c-Si substrate (205) and an n-a-Si layer (207) comprises: an amorphous silicon layer formation step wherein an i-a-Si layer (204) and a p-a-Si layer (203) are formed on the c-Si substrate (205); a first ion implantation step wherein P ions are implanted into the i-a-Si layer (204) and the p-a-Si layer (203); and a second ion implantation step wherein hydrogen ions are implanted into the c-Si substrate (205), the i-a-Si layer (204) and the p-a-Si layer (203).

Classes IPC  ?

• H01L 31/0747 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction comprenant uniquement une hétérojonction AIVBIV, p.ex. cellules solaires Si/Ge, SiGe/Si ou Si/SiC comprenant une hétérojonction avec des matériaux cristallins et amorphes, p.ex. cellules solaires avec une couche mince intrinsèque ou HIT®
• H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives

Abrégé

The present invention comprises: a step of applying a liquid composition for forming a PZT ferroelectric film; a step of drying the film applied with the liquid composition; a step of irradiating UV rays onto the dried film at a temperature of 150 to 200° C. in an oxygen-containing atmosphere; and after the application step, the drying step, and the UV irradiation step once, or more times, a step of firing for crystallizing a precursor film of the UV-irradiated ferroelectric film by raising a temperature with a rate of 0.5° C./second or higher in an oxygen-containing atmosphere or by raising a temperature with a rate of 0.2° C./second or higher in a non-oxygen containing atmosphere, followed by keeping the temperature at 400 to 500° C. An amount of liquid composition is set such that thickness of the ferroelectric film be 150 nm or more for each application and ozone is supplied during UV irradiation.

Classes IPC  ?

• H01L 41/43 - Matériaux inorganiques par frittage
• H01L 41/318 - Application de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support par dépôt de couches piézo-électriques ou électrostrictives, p.ex. par impression par aérosol ou par sérigraphie par dépôt en phase liquide par dépôt sol-gel
• H01L 27/11502 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec condensateurs ferro-électriques de mémoire
• H01L 41/187 - Compositions céramiques
• H01L 41/316 - Application de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support par dépôt de couches piézo-électriques ou électrostrictives, p.ex. par impression par aérosol ou par sérigraphie par dépôt en phase vapeur
• H01L 27/11521 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes caractérisées par la région noyau de mémoire

Abrégé

γ; a solid electrolyte interface layer is disposed between the anode active material layer and the solid electrolyte layer; the solid electrolyte interface layer contains at least a Si element and an O element; and a laminate containing at least the anode active material layer, the solid electrolyte interface layer and the solid electrolyte layer has peaks at positions where 2θ=32.3°±0.5°, 37.6°±0.5°, 43.8°±0.5°, and 57.7°±0.5° in a XRD spectrum obtained by XRD measurement using CuKα irradiation.

Classes IPC  ?

• H01B 1/06 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisésEmploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement d'autres substances non métalliques
• H01B 1/08 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisésEmploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement d'autres substances non métalliques oxydes
• H01M 4/38 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'éléments simples ou d'alliages
• H01M 4/134 - Électrodes à base de métaux, de Si ou d'alliages
• H01M 10/052 - Accumulateurs au lithium
• H01M 10/0562 - Matériaux solides
• H01M 10/0585 - Structure ou fabrication d'accumulateurs ayant uniquement des éléments de structure plats, c.-à-d. des électrodes positives plates, des électrodes négatives plates et des séparateurs plats
• H01M 6/18 - Éléments avec électrolytes non aqueux avec électrolyte solide
• H01M 4/04 - Procédés de fabrication en général
• H01M 4/1395 - Procédés de fabrication d’électrodes à base de métaux, de Si ou d'alliages
• H01M 10/058 - Structure ou fabrication

Abrégé

It is an object of the invention to provide a thin film transistor and a method for producing the same, which will easily achieve self-aligned formation of a source/drain region without through processes under a vacuum or a low pressure or with no use of expensive equipment.

Classes IPC  ?

• H01L 29/786 - Transistors à couche mince
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• C09D 7/61 - Adjuvants non macromoléculaires inorganiques
• C09D 5/00 - Compositions de revêtement, p. ex. peintures, vernis ou vernis-laques, caractérisées par leur nature physique ou par les effets produitsApprêts en pâte
• C09D 169/00 - Compositions de revêtement à base de polycarbonatesCompositions de revêtement à base de dérivés de polycarbonates
• H01L 21/385 - Diffusion des impuretés, p. ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, dans ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase solide, p. ex. une couche d'oxyde dopée
• H01L 21/477 - Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p. ex. recuit, frittage
• H01L 29/24 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , ,  ou
• C08G 64/02 - Polycarbonates aliphatiques

Abrégé

Provided is an electrochemical light emitting cell which is provided with a light emitting layer 3, a first electrode 1 and a second electrode 2, and wherein: the light emitting layer contains an ionic compound; and the ionic compound contains an anion having a silicon atom. The anion comprises, for example, a silicon-containing group represented by SiR1R2R3 (wherein all of the R1-R3 moieties are directly bonded to Si) and an anion group. The anion group is represented, for example, by -SO3-, -OSO3- or -OP(OR0)O3-. Each of the R0-R3 moieties independently represents an alkyl group having 1-4 carbon atoms. Two moieties selected from among the R1-R3 moieties may combine with each other and form an alkylene group having 4 or 5 carbon atoms, said alkylene group constituting a ring structure together with a silicon atom.

Classes IPC  ?

• H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
• C09K 11/06 - Substances luminescentes, p. ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances organiques luminescentes
• F21K 2/08 - Sources lumineuses non électriques utilisant la luminescenceSources lumineuses utilisant l'électrochimioluminescence utilisant la chimioluminescence actionnées par un champ électrique, c.-à-d. utilisant l'électrochimioluminescence

Abrégé

One method for producing a dielectric oxide according to the present invention comprises: a precursor layer formation step wherein a layer of a first mixed precursor solution, which is obtained by mixing a first precursor solution that contains, as solutes, a precursor containing bismuth (Bi) and a precursor containing niobium (Nb) with at least one additive selected from the group consisting of sorbitan fatty acid esters, polyoxyethylene ethers of sorbitan fatty acid esters, polyvinyl polymers and ethylene polymers, is formed by means of a coating method; and a dielectric oxide layer formation step wherein a layer (30x) of a first dielectric oxide which has a crystal phase having a pyrochlore crystal structure and contains a first oxide that is composed of bismuth (Bi) and niobium (Nb) (and which may contain unavoidable impurities) is formed by means of a heating treatment in which the layer of the first mixed precursor solution is heated in an oxygen-containing atmosphere.

Classes IPC  ?

• H01L 21/316 - Couches inorganiques composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde
• C01G 33/00 - Composés du niobium
• H01G 4/12 - Diélectriques céramiques
• H01G 4/33 - Condensateurs à film mince ou à film épais
• H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
• H01L 21/8234 - Technologie MIS
• H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
• H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
• H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée

Abrégé

Provided are a vitrification stabilizer for animal cell cryopreservation fluid, and an animal cell cryopreservation fluid that exhibits superior vitrification capacity due to containing said vitrification stabilizer for animal cell cryopreservation fluid. The vitrification stabilizer for animal cell cryopreservation fluid contains an amphoteric polymer compound selected from the group consisting of: (a) an amphoteric polymer compound obtained by reacting ε-poly-L-lysine with butyl succinic acid anhydride and performing carboxylation; (b) an amphoteric polymer compound obtained by reacting ε-poly-L-lysine with butyl succinic acid anhydride and succinic acid anhydride, and performing carboxylation; and (c) an amphoteric polymer compound obtained by reacting ε-poly-L-lysine with a compound represented by formula (I) and performing carboxylation.

Classes IPC  ?

• A01N 1/02 - Conservation de parties vivantes

Abrégé

The present invention provides a drug release means that is capable of independently controlling release of two or more kinds of drugs by supporting the drugs by a hydrogel which contains micelles of a cationic block polypeptide and micelles of an anionic block polypeptide, and wherein the micelles of a cationic block polypeptide or the micelles of an anionic block polypeptide are crosslinked by means of a crosslinking agent. This hydrogel is configured such that: the cationic block polypeptide is an amphiphilic cationic block polypeptide that contains a cationic amino acid side chain block and a hydrophobic amino acid side chain block; and the anionic block polypeptide is an amphiphilic anionic block polypeptide that contains an anionic amino acid side chain block and a hydrophobic amino acid side chain block.

Classes IPC  ?

• A61K 47/42 - ProtéinesPolypeptidesLeurs produits de dégradationLeurs dérivés p. ex. albumine, gélatine ou zéine
• A61K 9/06 - OnguentsExcipients pour ceux-ci
• A61K 45/00 - Préparations médicinales contenant des ingrédients actifs non prévus dans les groupes
• C07K 2/00 - Peptides à nombre indéterminé d'amino-acidesLeurs dérivés

Abrégé

The purpose of the present invention is to provide: a thin-film transistor having excellent transistor characteristics; and a production method in which the process temperature is 200˚C or lower. This thin-film transistor is provided with: a gate insulation layer which is either formed from an oxide including Zr, and a metal element selected from the group consisting of Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, and Y, the atomic ratio of the metal element to the zirconium being such that the number of atoms of Zr is 1.5 or higher when the number of atoms of the metal element is 1, or formed from an oxide including at least one metal element selected from the group consisting of Hf, Zr, and Al; and an oxide semiconductor layer which is formed from an oxide selected from the group consisting of oxides including In, oxides including In and Sn, oxides including In and Zn, oxides including In, Zr, and Zn, oxides including In and Ga, and oxides including In, Zn, and Ga.

Classes IPC  ?

• H01L 29/786 - Transistors à couche mince
• H01L 21/283 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes
• H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée

Abrégé

The purpose of the present invention is to provide a thin-film transistor having excellent electrical characteristics. This thin-film transistor is provided with: a gate insulation layer which is formed from an oxide including zirconium, and a metal selected from the group consisting of cerium, praseodymium, neodymium, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium, lutetium, and yttrium, or formed from an oxide including at least one metal element selected from the group consisting of hafnium, zirconium, and aluminium; and an oxide semiconductor layer formed from an oxide selected from the group consisting of oxides including indium, oxides including indium and tin, oxides including indium and zinc, oxides including indium, zirconium, and zinc, oxides including indium and gallium, and oxides including indium, zinc, and gallium.

Classes IPC  ?

• H01L 29/786 - Transistors à couche mince
• C01G 25/00 - Composés du zirconium
• H01L 21/316 - Couches inorganiques composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde
• H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée

Abrégé

A method for producing a composite member 100 according to one embodiment of the present invention comprises: a resin layer formation step wherein a resin layer 40 that contains a resin having a carboxyl group is formed on a substrate 10; an aliphatic polycarbonate-containing layer formation step wherein a pattern of an aliphatic polycarbonate-containing layer 22 is formed on the resin layer 40; a recess formation step wherein a recess is formed in at least a part of the surface of the resin layer 40, where the aliphatic polycarbonate-containing layer 22 is not formed; and a metal layer formation step wherein a metal layer 74 is formed on the recess.

Classes IPC  ?

• H01L 21/288 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un liquide, p. ex. dépôt électrolytique
• H05K 1/02 - Circuits imprimés Détails
• H05K 3/10 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés dans lesquels le matériau conducteur est appliqué au support isolant de manière à former le parcours conducteur recherché
• H05K 3/18 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés dans lesquels le matériau conducteur est appliqué au support isolant de manière à former le parcours conducteur recherché utilisant la technique de la précipitation pour appliquer le matériau conducteur

Abrégé

The present invention provides a protein aggregation inhibitor which can be used for inhibiting the aggregation of a protein, said protein comprising a terminal-sulfanyl-group-containing sulfobetaine polymer having a repeating unit derived from a sulfobetaine monomer represented by formula (II) and noble metal particles, wherein the terminal-sulfanyl-group-containing sulfobetaine polymer is chemically adsorbed onto each of the noble metal particles through a sulfanyl group (the groups in the formula shown below are as defined in the description).

Classes IPC  ?

• C12N 9/96 - Stabilisation d'une enzyme par formation d'un adduct ou d'une compositionFormation de conjugaisons d'enzymes
• C07K 1/00 - Procédés généraux de préparation de peptides
• C12N 9/00 - Enzymes, p. ex. ligases (6.)ProenzymesCompositions les contenantProcédés pour préparer, activer, inhiber, séparer ou purifier des enzymes

Abrégé

Provided is a protein aggregation inhibitor to be used for inhibiting aggregation of protein, said protein aggregation inhibitor being characterized by comprising: a sulfobetaine polymer obtained by polymerizing a monomer component containing a sulfobetaine monomer; and a crosslinked polymer obtained by polymerizing a polymerizable polymer component containing the aforesaid sulfobetaine monomer and a crosslinkable monomer.

Classes IPC  ?

• C12N 9/96 - Stabilisation d'une enzyme par formation d'un adduct ou d'une compositionFormation de conjugaisons d'enzymes
• C12N 9/26 - Hydrolases (3.) agissant sur les composés glycosyliques (3.2) agissant sur les liaisons alpha-glucosidiques-1, 4, p. ex. hyaluronidase, invertase, amylase

Abrégé

[Problem] To attain a laminate by using a paste or a solution containing an aliphatic polycarbonate having an etching mask function. [Solution] A method for manufacturing one laminate according to the present invention includes: a pattern formation step for forming a pattern 80 of a first oxide precursor layer in which a metal compound that becomes a metal oxide when being oxidized in a solution containing a binder (optionally including inevitable impurities) comprising an aliphatic polycarbonate is dispersed on an oxide layer 44 or a second oxide precursor layer which becomes the oxide layer 44 when being oxidized; an etching step for etching the oxide layer 44 or the second oxide precursor layer that is not protected by the pattern 80, after the pattern formation step; and a heating step for heating, after the etching step, the oxide layer 44 or the second oxide precursor layer, and the first oxide precursor layer to a temperature at which the binder is dissolved or higher.

Classes IPC  ?

• H01L 21/306 - Traitement chimique ou électrique, p. ex. gravure électrolytique
• H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
• H01L 29/786 - Transistors à couche mince

Abrégé

Provided are a vitrification stabilizer for an animal cell cryopreservation fluid, and an animal cell cryopreservation fluid which exhibits superior vitrification capabilities due to the animal cell cryopreservation fluid containing the vitrification stabilizer for an animal cell cryopreservation fluid. The vitrification stabilizer for an animal cell cryopreservation fluid contains: an amphoteric polymer compound selected from the group consisting of (a) a carboxylated amphoteric polymer compound obtained by reacting ε-poly-L-lysine with butyl succinic anhydride, (b) a carboxylated amphoteric polymer compound obtained by reacting ε-poly-L-lysine with butyl succinic anhydride and succinic anhydride, or (c) a carboxylated amphoteric polymer compound obtained by reacting ε-poly-L-lysine with a compound represented by formula I; and (d) a sucrose polymer macromolecule to which epichlorohydrin has been crosslinked.

Classes IPC  ?

• C12N 1/04 - Conservation des micro-organismes à l'état viable
• A01N 1/02 - Conservation de parties vivantes
• C12N 5/0775 - Cellules souches mésenchymateusesCellules souches dérivées du tissu adipeux

Abrégé

An oxide layer 30 that is formed of one oxide dielectric body according to the present invention contains an oxide which is composed of bismuth (Bi), niobium (Nb) and titanium (Ti) (while optionally containing unavoidable impurities), and which has a crystal phase having a pyrochlore crystal structure. If the number of bismuth (Bi) atoms is taken as 1, the number of niobium (Nb) atoms is 0.5 or more but less than 1.7; and if the number of bismuth (Bi) atoms is taken as 1, the number of titanium (Ti) atoms is more than 0 but less than 1.3.

Classes IPC  ?

• H01L 21/316 - Couches inorganiques composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde
• C01G 33/00 - Composés du niobium
• C04B 35/453 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base d'oxydes à base d'oxydes de zinc, d'étain ou de bismuth ou de leurs solutions solides avec d'autres oxydes, p. ex. zincates, stannates ou bismuthates
• H01B 3/12 - Isolateurs ou corps isolants caractérisés par le matériau isolantEmploi de matériaux spécifiés pour leurs propriétés isolantes ou diélectriques composés principalement de substances inorganiques céramiques
• H01G 4/12 - Diélectriques céramiques
• H01G 4/30 - Condensateurs à empilement

Abrégé

There are provided an oxide dielectric having excellent properties and a solid state electronic device (e.g., a capacitor, a semiconductor device, or a small electromechanical system) having such an oxide dielectric. 4-type crystal structure. The oxide layer 30 has a controlled content of the first crystal phase and a controlled content of the second crystal phase, in which the first crystal phase has a dielectric constant that decreases with increasing temperature of the oxide layer 30 in a temperature range of 25° C. or more and 120° C. or less, and the second crystal phase has a dielectric constant that increases with increasing temperature of the oxide layer 30 in the temperature range.

Classes IPC  ?

• H01G 4/12 - Diélectriques céramiques
• C04B 35/45 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base d'oxydes à base d'oxyde de cuivre ou de ses solutions solides avec d'autres oxydes
• C04B 35/495 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base d'oxydes à base d'oxydes de vanadium, de niobium, de tantale, de molybdène ou de tungstène ou de leurs solutions solides avec d'autres oxydes, p. ex. vanadates, niobates, tantalates, molybdates ou tungstates
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 29/786 - Transistors à couche mince

Abrégé

The invention provides an oxide semiconductor layer that has less cracks and is excellent in electrical property and stability, as well as a semiconductor element and an electronic device each including the oxide semiconductor layer. The invention provides an exemplary method of producing an oxide semiconductor layer, and the method includes the precursor layer forming step of forming, on or above a substrate, a layered oxide semiconductor precursor including a compound of metal to be oxidized into an oxide semiconductor dispersed in a solution including a binder made of aliphatic polycarbonate, and the annealing step of heating the precursor layer at a first temperature achieving decomposition of 90 wt % or more of the binder, and then annealing the precursor layer at a temperature equal to or higher than a second temperature (denoted by X) that is higher than the first temperature, achieves bonding between the metal and oxygen, and has an exothermic peak value in differential thermal analysis (DTA).

Classes IPC  ?

• H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
• H01L 29/786 - Transistors à couche mince

Abrégé

[Problem] To provide a composite member which makes it possible to simplify the formation of a fine wiring line and/or improve the quality of the fine wiring line. [Solution] A composite member 100, which is one aspect of the present invention, is so configured that: multiple island-shaped aliphatic polycarbonate-containing layers are arranged on a base material; when at least the surface of each of the multiple island-shaped aliphatic polycarbonate-containing layers is exposed to ultraviolet light containing a wavelength of 180 to 370 nm inclusive for 15 minutes, the contact angle between the surface and pure water is 50° or more; and, in at least a part of regions formed between the precursor layers on the base member, a metallic ink is provided on the base material.

Classes IPC  ?

• H01L 21/3205 - Dépôt de couches non isolantes, p. ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantesPost-traitement de ces couches
• G06F 3/041 - Numériseurs, p. ex. pour des écrans ou des pavés tactiles, caractérisés par les moyens de transduction
• G06F 3/044 - Numériseurs, p. ex. pour des écrans ou des pavés tactiles, caractérisés par les moyens de transduction par des moyens capacitifs
• H01L 21/28 - Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes
• H01L 21/288 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un liquide, p. ex. dépôt électrolytique
• H01L 21/312 - Couches organiques, p. ex. couche photosensible
• H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif

Abrégé

The present invention comprises: a step for applying a liquid composition for forming a PZT ferroelectric film; a step for drying the film obtained by applying the liquid composition; a step for irradiating UV rays onto the dried film at a temperature of 150-200°C in an oxygen-containing atmosphere; and a step for firing and crystallizing a UV-irradiated-ferroelectric-film precursor film after the coating step, the drying step, and the UV irradiation step have been performed one or more times by raising the temperature in the oxygen-containing atmosphere at a speed of 0.5°C/second or higher or raising the temperature in the non-oxygen-containing atmosphere at a speed of 0.2°C/second or higher and holding the temperature at 400-500°C. The amount of the liquid composition applied in each cycle is set so that the thickness of the ferroelectric film is 150 nm or more for each application, and ozone is supplied during UV irradiation.

Classes IPC  ?

• H01L 41/43 - Matériaux inorganiques par frittage
• H01L 21/316 - Couches inorganiques composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde
• H01L 21/8246 - Structures de mémoires mortes (ROM)
• H01L 27/105 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive comprenant des composants à effet de champ
• H01L 41/187 - Compositions céramiques
• H01L 41/318 - Application de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support par dépôt de couches piézo-électriques ou électrostrictives, p.ex. par impression par aérosol ou par sérigraphie par dépôt en phase liquide par dépôt sol-gel

Abrégé

Provided are a vitrification stabilizer for animal cell cryopreservation fluid, and an animal cell cryopreservation fluid that exhibits superior vitrification capacity due to containing said vitrification stabilizer for animal cell cryopreservation fluid. The vitrification stabilizer for animal cell cryopreservation fluid contains an amphoteric polymer compound selected from the group consisting of: (a) an amphoteric polymer compound obtained by reacting ε-poly-L-lysine with butyl succinic acid anhydride and performing carboxylation; (b) an amphoteric polymer compound obtained by reacting ε-poly-L-lysine with butyl succinic acid anhydride and succinic acid anhydride, and performing carboxylation; and (c) an amphoteric polymer compound obtained by reacting ε-poly-L-lysine with a compound represented by formula (I) and performing carboxylation.

Classes IPC  ?

• C12N 5/07 - Cellules animales ou tissus animaux
• A01N 1/02 - Conservation de parties vivantes
• C12N 5/0775 - Cellules souches mésenchymateusesCellules souches dérivées du tissu adipeux

Abrégé

The present invention provides a protein aggregation inhibitor which can suppress protein aggregation, even if the protein is heated, and can suppress decreases in protein activity, even if the protein is further heated, the protein aggregation inhibitor characterized by comprising a sulfobetaine polymer resulting from polymerizing a monomer component comprising a sulfobetaine monomer represented by formula (I). (In the formula, R1 represents a hydrogen atom or a methyl group, R2 represents an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms, R3 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, R4 represents an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms, and X represents an -NH- group or an -O- group.)

Classes IPC  ?

• C07K 1/113 - Procédés généraux de préparation de peptides par modification chimique de peptides précurseurs sans changement de la structure primaire
• A23J 3/00 - Traitement des protéines pour l'alimentation
• C08F 20/38 - Esters contenant du soufre
• C08F 20/60 - Amides contenant de l'azote en plus de l'azote de la fonction carbonamide
• C12N 9/96 - Stabilisation d'une enzyme par formation d'un adduct ou d'une compositionFormation de conjugaisons d'enzymes

Abrégé

Provided are: a biocompatible modifying gel material composition comprising a solution containing the saponified product of a vinyl acetate-diacetone acrylamide copolymer and unmodified polyvinyl alcohol having a saponification degree of at least 98 mol%; and an artificial material that is capable of forming a hybrid artificial blood vessel, which has dynamic properties similar to those of blood vessels in the body, obtained by growing endothelial cells on an inner surface using a biocompatible modifying gel obtained by the gelling of the aforementioned biocompatible modifying gel material composition.

Classes IPC  ?

• A61L 27/00 - Matériaux pour prothèses ou pour revêtement de prothèses

Abrégé

It is an object of the invention to provide a thin film transistor and a method for producing the same, which will easily achieve self-aligned formation of a source/drain region without through processes under a vacuum or a low pressure or with no use of expensive equipment. An exemplary method for producing a thin film transistor according to the invention includes an aliphatic polycarbonate layer forming step of forming an aliphatic polycarbonate layer 50 that covers a gate electrode layer 40 disposed above a semiconductor layer 20 with a gate insulator 30 being interposed between the gate electrode layer 40 and the semiconductor layer 20, and also covers the semiconductor layer 20, and has a dopant causing the semiconductor layer 20 to become an n-type or p-type semiconductor layer, and a heating step of heating at a temperature causing introduction of the dopant into the semiconductor layer 20 and decomposition of the aliphatic polycarbonate layer 50.

Classes IPC  ?

• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H01L 29/24 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , ,  ou
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• C09D 5/00 - Compositions de revêtement, p. ex. peintures, vernis ou vernis-laques, caractérisées par leur nature physique ou par les effets produitsApprêts en pâte
• C09D 7/12 - Autres adjuvants
• H01L 29/786 - Transistors à couche mince
• C09D 169/00 - Compositions de revêtement à base de polycarbonatesCompositions de revêtement à base de dérivés de polycarbonates
• H01L 21/385 - Diffusion des impuretés, p. ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, dans ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase solide, p. ex. une couche d'oxyde dopée
• H01L 21/477 - Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p. ex. recuit, frittage

Abrégé

A screen-printing etching mask 80 according to the present invention includes an aliphatic polycarbonate. A method of the present invention for manufacturing an oxide layer (channel 44) includes: an etching mask formation step for forming a pattern for an etching mask 80 that includes aliphatic polycarbonate; a contact step for, after the etching mask formation step, bringing an oxide layer (channel 44) that is not protected by the etching mask 80 into contact with a dissolving solution; and a heating step for, after the contact step, heating the oxide layer (channel 44) and the etching mask 80 to or above a temperature at which the etching mask 80 is dissolved.

Classes IPC  ?

• H01L 21/3065 - Gravure par plasmaGravure au moyen d'ions réactifs
• H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
• H01L 29/786 - Transistors à couche mince

Abrégé

[Problem] To provide an oxide derivative having excellent characteristics and a solid-state electronic device (for example, a high frequency filter, a patch antenna, a capacitor, a semiconductor device or a micro-electro-mechanical system) which is provided with this oxide derivative. [Solution] An oxide layer 30 that is formed of one oxide derivative according to the present invention contains an oxide which is composed of bismuth (Bi) and niobium (Nb) and has a crystal phase having a pyrochlore crystal structure (and which may contain unavoidable impurities). If the number of bismuth (Bi) atoms is taken as 1, the number of niobium (Nb) atoms is from 1.3 to 1.7 (inclusive).

Classes IPC  ?

• H01L 21/316 - Couches inorganiques composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde
• C01G 33/00 - Composés du niobium
• H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
• H01L 21/8246 - Structures de mémoires mortes (ROM)
• H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
• H01L 27/105 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive comprenant des composants à effet de champ

Abrégé

The invention provides an oxide semiconductor layer that has less cracks and is excellent in electrical property and stability, as well as a semiconductor element and an electronic device each including the oxide semiconductor layer. The invention provides an exemplary method of producing an oxide semiconductor layer, and the method includes the precursor layer forming step of forming, on or above a substrate, a layered oxide semiconductor precursor including a compound of metal to be oxidized into an oxide semiconductor dispersed in a solution including a binder made of aliphatic polycarbonate, and the annealing step of heating the precursor layer at a first temperature achieving decomposition of 90 wt % or more of the binder, and then annealing the precursor layer at a temperature equal to or higher than a second temperature (denoted by X) that is higher than the first temperature, achieves bonding between the metal and oxygen, and has an exothermic peak value in differential thermal analysis (DTA).

Classes IPC  ?

• H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• C01G 15/00 - Composés du gallium, de l'indium ou du thallium
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• H01L 29/786 - Transistors à couche mince
• H01L 29/22 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIBVI
• H01L 29/24 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , ,  ou

Abrégé

[Problem] To provide an aliphatic polycarbonate, an oxide precursor, and an oxide layer with which stringiness can be controlled when forming, using a printing method, a thin film that can be employed in an electronic device or a semiconductor element. [Solution] This oxide precursor is obtained by dispersing a metal compound, which forms a metal oxide when oxidized, in a solution containing a binder that comprises aliphatic polycarbonates (and may also contain unavoidable impurities), wherein the ratio of aliphatic polycarbonate having a molecular weight of 6,000-400,000, inclusive, to all the aliphatic polycarbonates is 80 mass% or more. As a result, as shown in FIG. 1, a good pattern that can be used in the production of a semiconductor element can be formed.

Classes IPC  ?

• H01L 21/368 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale en utilisant un dépôt liquide
• C23C 18/12 - Revêtement chimique par décomposition soit de composés liquides, soit de solutions des composés constituant le revêtement, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtementDépôt par contact par décomposition thermique caractérisée par le dépôt sur des matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques
• H01L 21/288 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un liquide, p. ex. dépôt électrolytique
• H01L 21/316 - Couches inorganiques composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde
• H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
• H01L 29/786 - Transistors à couche mince

Abrégé

[Problem] To provide an oxide dielectric having excellent properties and a solid state electronic device (e.g., a capacitor, semiconductor device, or micro-electrical-mechanical system) equipped with the oxide dielectric. [Solution] An oxide layer (30) including one of the oxide dielectrics of the present invention is a layer of oxide (which may have unavoidable impurities) that includes bismuth (Bi) and niobium (Nb), and has a first crystal phase of a pyrochlore-type crystal structure and a second crystal phase of a β-BiNbO4-type crystal structure. In addition, the content of the first crystal phase and the content of the second crystal phase are adjusted in the oxide layer (30), the dielectric constant of the first crystal phase decreasing with the rise in the temperature of the oxide layer (30) in a temperature range of 25°C to 120°C and the dielectric constant of the second crystal phase increasing with the rise in the temperature of the oxide layer (30) in said temperature range.

Classes IPC  ?

• C01G 33/00 - Composés du niobium
• C04B 35/00 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques
• H01G 4/12 - Diélectriques céramiques

Abrégé

[Problem] To provide a heterojunction solar cell of a structure in which carrier recombination on the upper surface of the crystalline silicon can be dramatically inhibited and which attains a heightened efficiency. [Solution] This heterojunction solar cell is a solar cell in which a thin film of intrinsic amorphous silicon has been bonded by heterojunction to a crystalline silicon substrate, wherein the crystalline silicon substrate has a doped layer formed by doping an extreme surface layer having a depth of 10 nanometers or less with phosphorus or boron. According to an electron photomicrograph obtained when a sample (900) was examined with a transmission electron microscope, the sample (900) having been produced by depositing a film of intrinsic amorphous silicon (902) right on an n-type crystal silicon substrate (901) by a catalytic-CVD method, the thickness of an interface transition layer (903) between the n-type crystal silicon (901) and the amorphous silicon (902) is 0.6 nanometers or less.

Classes IPC  ?

• H01L 31/0747 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction comprenant uniquement une hétérojonction AIVBIV, p.ex. cellules solaires Si/Ge, SiGe/Si ou Si/SiC comprenant une hétérojonction avec des matériaux cristallins et amorphes, p.ex. cellules solaires avec une couche mince intrinsèque ou HIT®

Abrégé

　Provided is a highly sensitive detection means, suited to measurement in vivo, for detecting photocrosslinking formed by photoresponsive bases by using a method for causing a change in the 19F chemical shift detectable by nuclear magnetic resonance spectroscopy in a comparison of before and after photocrosslinking formation, the change being caused by forming photocrosslinking between a photoresponsive base having a photocrosslinkable vinyl structure and a photocrosslinkable fluorine-containing modified pyrimidine base by using a fluorine-containing modified pyrimidine base in which position 5 of the pyrimidine rings of thymine (T) or uracil (U) bases, which are photocrosslinkable to a photoresponsive base having a photocrosslinkable vinyl structure, has been substituted by group R (where group R is a fluorine atom or a C1-C4 fluoroalkyl group in which one or more hydrogen atoms have been substituted by fluorine atoms).

Classes IPC  ?

• A61K 49/00 - Préparations pour examen in vivo
• C12N 15/00 - Techniques de mutation ou génie génétiqueADN ou ARN concernant le génie génétique, vecteurs, p. ex. plasmides, ou leur isolement, leur préparation ou leur purificationUtilisation d'hôtes pour ceux-ci
• C12Q 1/68 - Procédés de mesure ou de test faisant intervenir des enzymes, des acides nucléiques ou des micro-organismesCompositions à cet effetProcédés pour préparer ces compositions faisant intervenir des acides nucléiques
• G01N 24/00 - Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de la résonance magnétique nucléaire, de la résonance paramagnétique électronique ou d'autres effets de spin

Abrégé

The objective of the present invention is to provide: a thin film transistor which easily enables self-aligning formation of a source/drain region without requiring a process under vacuum or low pressure or without using expensive equipment; and a method for producing the thin film transistor. A method for producing a thin film transistor according to the present invention comprises: an aliphatic polycarbonate layer formation step for forming an aliphatic polycarbonate layer (50) which covers a semiconductor layer (20) and a gate electrode layer (40) that is arranged on the semiconductor layer (20) with a gate insulating layer (30) being interposed therebetween, and which contains a dopant that converts the semiconductor layer (20) into an n-type or p-type semiconductor layer; and a heating step for introducing the dopant into the semiconductor layer (20), while heating at a temperature at which the aliphatic polycarbonate layer (50) is decomposed.

Classes IPC  ?

• H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
• C08G 64/02 - Polycarbonates aliphatiques
• H01L 21/28 - Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes
• H01L 29/786 - Transistors à couche mince

Abrégé

ABSTRACT An oxide semiconductor layer, a method of producing the same, a semiconductor element, and an electronic device each including the oxide semiconductor layer are provided. The method may include forming, on or above a substrate, a liquid layered oxide semiconductor precursor including a compound of metal to be oxidized into an oxide semiconductor dispersed in a solution including a binder made of aliphatic polycarbonate, the binder including inevitable impurities, the compound of metal being a metal complex having a ligand, heating the liquid precursor layer at a first temperature achieving decomposition of 90wt% or more of the binder to form a gel film from the liquid precursor layer, and then annealing the gel film at a temperature equal to or higher than the first temperature, that achieves bonding between the metal and oxygen, and has an exothermic peak value in differential thermal analysis. Date Recue/Date Received 2020-07-15

Classes IPC  ?

• H01L 21/368 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale en utilisant un dépôt liquide
• C01G 15/00 - Composés du gallium, de l'indium ou du thallium
• H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
• H01L 29/786 - Transistors à couche mince

Abrégé

[Problem] To provide: an oxide semiconductor layer with which crack formation is reduced, and which exhibits excellent electrical characteristics and stability; a semiconductor element provided with said oxide semiconductor layer; and an electronic device. [Solution] An oxide-semiconductor-layer production method according to one embodiment of the present invention includes: a precursor-layer formation step in which an oxide semiconductor precursor is formed as a layer upon or above a substrate, said oxide semiconductor precursor being obtained by dispersing, in a solution including a binder comprising an aliphatic polycarbonate, a compound of a metal that will become an oxide semiconductor when oxidized; and a baking step in which the precursor layer is heated at a first temperature that causes the binder to decompose by at least 90 wt%, and subsequently baked at a temperature which is higher than the first temperature, which binds oxygen to the aforementioned metal, and which has an exothermic peak value at at least a second temperature (the temperature indicated by X) in differential thermal analysis (DTA).

Classes IPC  ?

• H01L 21/368 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale en utilisant un dépôt liquide
• C01G 15/00 - Composés du gallium, de l'indium ou du thallium
• H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
• H01L 29/786 - Transistors à couche mince

Abrégé

Provided are a new photoreactive compound which is usable in a technique of photoreaction of nucleic acids and a photoreactive crosslinking agent which comprises the photoreactive compound. This photoreactive compound is represented by formula I.

Classes IPC  ?

• C07D 209/86 - CarbazolesCarbazoles hydrogénés avec uniquement des atomes d'hydrogène, des radicaux hydrocarbonés ou des radicaux hydrocarbonés substitués, liés directement aux atomes de carbone du système cyclique
• C07H 19/06 - Radicaux pyrimidine
• C08F 230/02 - Copolymères de composés contenant un ou plusieurs radicaux aliphatiques non saturés, chaque radical ne contenant qu'une seule liaison double carbone-carbone et contenant du phosphore, du sélénium, du tellure ou un métal contenant du phosphore

Abrégé

Provided is a method for analyzing the dynamic state of a single polymer chain using a high-speed atomic force microscope or an atomic force microscope in order to clarify the structure-property relationship of a polymer material, and the like. Also provided are a manufacturing method for a polymer using this dynamic analysis method, a polymer manufactured by this manufacturing method, a manufacturing method for a synthetic polymer using this dynamic analysis method, and a synthetic polymer manufactured by this manufacturing method. This dynamic analysis method for a single polymer chain is provided with: a step for acquiring a dynamic image of the single polymer chain; a step for selecting an arbitrarily defined image among static images constituting the dynamic image; a step for numbering a plurality of portions of the single polymer chain using the selected static image; a step for performing displacement measurement of the numbered portions for each of the static images; and a step for, on the basis of the displacement measurement values of the numbered portions, calculating at least one among the movement amount, movement speed, movement acceleration, angle formed by three points, and diffusion coefficient of each of the portions.

Classes IPC  ?

• G01Q 60/24 - Microscopie à forces atomiques AFM [Atomic Force Microscopy] ou appareils à cet effet, p. ex. sondes AFM
• G01Q 30/04 - Dispositifs d'affichage ou de traitement de données
• G01Q 30/14 - Moyens pour établir ou réguler des conditions ambiantes souhaitées au sein d'une enceinte d'échantillonnage avec fluide avec liquide

Abrégé

　Provided is a liquid feed method and the like which use a centrifugal method, and which can stabilize the laminar flow within micropassages provided to microdevices and the like.　By layering two or more different liquids having different densities in order from the liquid having smaller densities, moving towards the outside in the radial direction of the centrifugal rotor, within micropassages positioned in the direction of rotation of the centrifugal rotor, the density gradient within the micropassages is varied into a stepped form. A density gradient is formed within the micropassages, and by matching the direction of gradient of the density and the the direction in which the centrifugal force acts, a secondary flow generated by a Coriolis force is suppressed using the centrifugal force that acts on the liquid, making it possible to stabilize the laminar flow. A density gradient is formed within the micropassages, and by matching the direction of gradient of the density and the the direction in which the centrifugal force acts, a secondary flow generated by a Coriolis force is suppressed using the centrifugal force that acts on the liquid, making it possible to stabilize the laminar flow.

Classes IPC  ?

• B01J 19/00 - Procédés chimiques, physiques ou physico-chimiques en généralAppareils appropriés
• B03B 5/32 - Lavage de matériaux en grains, en poudre ou en grumeauxSéparation par voie humide en utilisant des plongeants et flottants avec emploi de liquides denses ou de suspensions en se servant de la force centrifuge
• B04B 5/00 - Autres centrifugeurs
• C12N 1/00 - Micro-organismes, p. ex. protozoairesCompositions les contenantProcédés de culture ou de conservation de micro-organismes, ou de compositions les contenantProcédés de préparation ou d'isolement d'une composition contenant un micro-organismeLeurs milieux de culture
• C12N 1/02 - Séparation des micro-organismes de leurs milieux de culture
• G01N 37/00 - Détails non couverts par les autres groupes de la présente sous-classe

Abrégé

The present invention provides a cryopreservative agent which enables the three-dimensional culture of cells. The present invention provides a hydrogel produced by the intermolecular crosslinking of an amphoteric electrolyte polymer in a physiological solution so that the amphoteric electrolyte polymer can be immobilized in the physiological solution that serves as a dispersion medium, wherein the amphoteric electrolyte polymer has both an amino group and a carboxyl group in the molecule and has a ratio of the content of the carboxyl group to the content of the amino group (i.e., a (carboxyl group)/(amino group) ratio) ranging from 0.45/0.55 to 0.95/0.05.

Classes IPC  ?

• C12N 1/04 - Conservation des micro-organismes à l'état viable
• A61K 9/08 - Solutions
• A61K 35/12 - Substances provenant de mammifèresCompositions comprenant des tissus ou des cellules non spécifiésCompositions comprenant des cellules souches non embryonnairesCellules génétiquement modifiées
• A61K 47/34 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions autres que celles faisant intervenir uniquement des liaisons non saturées carbone-carbone, p. ex. polyesters, acides polyaminés, polysiloxanes, polyphosphazines, copolymères de polyalkylène glycol ou de poloxamères
• A61K 47/36 - PolysaccharidesLeurs dérivés, p. ex. gommes, amidon, alginate, dextrine, acide hyaluronique, chitosane, inuline, agar-agar ou pectine
• A61K 47/42 - ProtéinesPolypeptidesLeurs produits de dégradationLeurs dérivés p. ex. albumine, gélatine ou zéine
• A61L 27/00 - Matériaux pour prothèses ou pour revêtement de prothèses
• C08B 15/10 - Réticulation de la cellulose
• C08B 37/02 - DextraneSes dérivés
• C08J 5/24 - Imprégnation de matériaux avec des prépolymères pouvant être polymérisés en place, p. ex. fabrication des "prepregs"
• C08K 5/3472 - Cycles à cinq chaînons
• D06M 15/59 - PolyamidesPolyimides
• D06N 3/12 - Cuir artificiel, toile cirée ou matériau similaire obtenu par enduction de nappes fibreuses avec une substance macromoléculaire, p. ex. avec des résines, du caoutchouc ou leurs dérivés avec des composés macromoléculaires obtenus autrement que par des réactions faisant intervenir uniquement des liaisons non saturées carbone-carbone

Abrégé

[Problem] To provide a polymer material having properties that allow the polymer material to replace a polyimide and a polyamide synthesized from a petroleum raw material, said polymer material being synthesized from a raw material derived from natural molecules. [Solution] This polymer material is obtained by polymerizing a polymer raw material comprising a dimer of 4-amino cinnamic acid or a dimer of a 4-amino cinnamic acid derivative, which are natural molecules, wherein the carboxyl group is protected by an alkyl chain. The TGA curve of a polyamide acid (PAA-1) and a polyimide (PI-1) according to the present invention is shown in FIG. 5.

Classes IPC  ?

• C08G 73/10 - PolyimidesPolyester-imidesPolyamide-imidesPolyamide-acides ou précurseurs similaires de polyimides
• C07C 229/46 - Composés contenant des groupes amino et carboxyle liés au même squelette carboné ayant des groupes amino ou carboxyle liés à des atomes de carbone de cycles autres que des cycles aromatiques à six chaînons du même squelette carboné
• C08G 18/32 - Composés polyhydroxylésPolyaminesHydroxyamines
• C08G 69/08 - Polyamides dérivés, soit des acides amino-carboxyliques, soit de polyamines et d'acides polycarboxyliques dérivés d'acides aminocarboxyliques

Abrégé

[Problem] To provide a plasma generation device having a long plasma generation time, and an emission spectrophotometer having an extremely high measurement sensitivity. [Solution] A plasma generation device (1) for generating a plasma (106) in an electroconductive liquid (105) has installed therein a transportation channel, formed from an insulating material, for transporting the electroconductive liquid (105). A narrow portion (103) having a cross-section area considerably smaller than that of the transportation channel is installed in the transportation channel. A means for applying an electric field to the narrow portion (103) is installed so that the electric field passes through the narrow portion (103). The present invention is characterized in that the movement resistance of the electroconductive liquid (105) is greater in one portion of the narrow portion (103) than in other portions.

Classes IPC  ?

• H05H 1/24 - Production du plasma
• G01N 21/71 - Systèmes dans lesquels le matériau analysé est excité de façon à ce qu'il émette de la lumière ou qu'il produise un changement de la longueur d'onde de la lumière incidente excité thermiquement

Abrégé

A digital watermark detection device is provided with a first chirp z-transformer (202a) and a second chirp z-transformer (202b) for estimating a cochlear delay characteristic simulated by a cochlear delay filter used when embedding digital watermark data in an acoustic signal, and the digital watermark detection device detects the digital watermark data embedded in the acoustic signal on the basis of the cochlear delay characteristic estimated through the results of the chirp z-transform by the first chirp z-transformer (202a) and the second chirp z-transformer (202b).

Classes IPC  ?

• G10L 19/00 - Techniques d'analyse ou de synthèse de la parole ou des signaux audio pour la réduction de la redondance, p. ex. dans les vocodeursCodage ou décodage de la parole ou des signaux audio utilisant les modèles source-filtre ou l’analyse psychoacoustique

Abrégé

The purpose of the present invention is to provide a universal joint that, even if the movable members are numerous, has a secure range of motion, does not deviate from the center of rotation, and does not generate bending moments between itself and a joint that links a plurality of movable members. A plurality of movable members (3A-3F and 3a-3f) and a spherical member (2) that links the plurality of movable members are provided, curved node sections (q) are formed on the movable members and are brought into contact with the spherical member (2), and by causing one of the plurality of movable members (3A) to rotate such that the curved node section thereof rotates along the surface of the spherical member (2), another one of the plurality of movable members (3B) is caused to rotate along the surface of the spherical member.

Classes IPC  ?

• E04B 1/58 - Assemblages pour les constructions du bâtiment en général d'éléments de construction en forme de barre
• E04B 1/19 - Structures à ossature tridimensionnelle

Abrégé

Provided is a method for concentrating and collecting fetus-derived nucleated red blood cells contained in a small amount in the blood of a mother body. A method for concentrating and collecting nucleated red blood cells from the blood of a mother body, comprising (i) subjecting the blood of the mother body to first density-gradient centrifugation to collect a cell fraction containing the nucleated red blood cells, (ii) treating the cell fraction containing the nucleated red blood cells in such a manner that the density of the nucleated red blood cells can be varied in a selective manner, thereby avoiding the overlapping of the density of the nucleated red blood cells and the density of white blood cells each other, and (iii) subjecting the treated cell fraction containing the nucleated red blood cells to second density-gradient centrifugation to collect a fraction containing the nucleated red blood cells.

Classes IPC  ?

• G01N 33/48 - Matériau biologique, p. ex. sang, urineHémocytomètres
• C12M 1/00 - Appareillage pour l'enzymologie ou la microbiologie
• C12N 5/078 - Cellules du sang ou du système immunitaire
• C12Q 1/02 - Procédés de mesure ou de test faisant intervenir des enzymes, des acides nucléiques ou des micro-organismesCompositions à cet effetProcédés pour préparer ces compositions faisant intervenir des micro-organismes viables
• C12Q 1/68 - Procédés de mesure ou de test faisant intervenir des enzymes, des acides nucléiques ou des micro-organismesCompositions à cet effetProcédés pour préparer ces compositions faisant intervenir des acides nucléiques
• G01N 1/10 - Dispositifs pour prélever des échantillons à l'état liquide ou fluide
• G01N 1/28 - Préparation d'échantillons pour l'analyse
• G01N 1/34 - PurificationNettoyage
• G01N 33/50 - Analyse chimique de matériau biologique, p. ex. de sang ou d'urineTest par des méthodes faisant intervenir la formation de liaisons biospécifiques par ligandsTest immunologique

Abrégé

A method for evaluating the quality of a blood sample, comprising the steps of: mixing labeled anti-cortisol antibodies with a blood sample to be subjected, to conduct the antigen-antibody reaction of the labeled anti-cortisol antibody with cortisol contained in the blood sample, developing a mixture obtained in the above step on an immunochromatographic test strip having a substrate on which cortisol is immobilized to cause the antigen-antibody reaction of the labeled anti-cortisol antibodies which are free in the mixture with the cortisol immobilized on the substrate, thereby bonding the antibody to the cortisol, determining the amount of the labeled anti-cortisol antibodies bonded to the cortisol in the above step, and evaluating whether or not the blood sample has a quality suitable for suprarenal vein sampling test on the basis of the amount of the labeled anti-cortisol antibodies determined in the above step.

Classes IPC  ?

• G01N 33/53 - Tests immunologiquesTests faisant intervenir la formation de liaisons biospécifiquesMatériaux à cet effet
• G01N 33/74 - Analyse chimique de matériau biologique, p. ex. de sang ou d'urineTest par des méthodes faisant intervenir la formation de liaisons biospécifiques par ligandsTest immunologique faisant intervenir des hormones
• G01N 33/558 - Tests immunologiquesTests faisant intervenir la formation de liaisons biospécifiquesMatériaux à cet effet utilisant la diffusion ou la migration de l'anticorps ou de l'antigène
• G01N 33/94 - Analyse chimique de matériau biologique, p. ex. de sang ou d'urineTest par des méthodes faisant intervenir la formation de liaisons biospécifiques par ligandsTest immunologique faisant intervenir des narcotiques

Abrégé

The present invention provides a method for detecting methylcytosine in DNA rapidly, conveniently, and with high sensitivity. The present invention relates to a method for detecting methylcytosine by using a methylcytosine photocoupling agent (a photoresponsive probe) consisting of nucleic acids having a group represented by the Formula (I), (II), (III) or (IV) as a base moiety.

Classes IPC  ?

• C12Q 1/68 - Procédés de mesure ou de test faisant intervenir des enzymes, des acides nucléiques ou des micro-organismesCompositions à cet effetProcédés pour préparer ces compositions faisant intervenir des acides nucléiques
• C07H 21/00 - Composés contenant au moins deux unités mononucléotide comportant chacune des groupes phosphate ou polyphosphate distincts liés aux radicaux saccharide des groupes nucléoside, p. ex. acides nucléiques

Abrégé

Provided is a chip or the like having a particulate concentrating mechanism such as a mechanism that can selectively concentrate nucleated red blood cells contained in maternal blood and derived from a fetus and can collect the concentrated liquid rich in nucleated red blood cells, and also provided is a nucleated red blood cell concentrating/collecting method. A micro-channel chip for concentrating nucleated red blood cells has an inlet-side channel, an outlet-side channel, and a separation narrow channel provided between the inlet-side channel and the outlet-side channel. The separation narrow channel has an inner wall having a dimension through which non-nucleated red blood cells easily pass and nucleated red blood cells hardly pass, and has a means for deforming or moving part of the inner wall of the channel to have a dimension through which nucleated red blood cells easily pass. The following are also provided: a method for collecting a liquid in which nucleated red blood cells obtained by using this chip are concentrated; and a micro-channel chip for concentrating particulates other than for concentrating nucleated red blood cells.

Classes IPC  ?

• G01N 33/48 - Matériau biologique, p. ex. sang, urineHémocytomètres
• C12M 1/00 - Appareillage pour l'enzymologie ou la microbiologie
• C12N 5/078 - Cellules du sang ou du système immunitaire
• G01N 33/49 - Analyse physique de matériau biologique de matériau biologique liquide de sang
• G01N 37/00 - Détails non couverts par les autres groupes de la présente sous-classe

Abrégé

A process for the preparation of an Aphanothece sacrum-originated polysaccharide with a reduced trivalent metal content, which includes treating Aphanothece sacrum with an acid; an Aphanothece sacrum-originated polysaccharide with a reduced trivalent metal content, which is obtained by the process; and a wound-protective agent and an anti-allergic dermatitis agent, which each contain the Aphanothece sacrum-originated polysaccharide with a reduced trivalent metal content.

Classes IPC  ?

• C08B 37/00 - Préparation des polysaccharides non prévus dans les groupes Leurs dérivés
• A61K 31/715 - Polysaccharides, c.-à-d. ayant plus de cinq radicaux saccharide liés les uns aux autres par des liaisons glycosidiquesLeurs dérivés, p. ex. éthers, esters
• A61K 36/02 - Algues
• A61L 15/16 - Bandages, pansements ou garnitures absorbant les fluides physiologiques tels que l'urine, le sang, p. ex. serviettes hygiéniques, tampons
• A61P 17/02 - Médicaments pour le traitement des troubles dermatologiques pour traiter les blessures, les ulcères, les brûlures, les cicatrices, les cheloïdes, ou similaires
• A61P 37/08 - Agents antiallergiques

Abrégé

Disclosed are a micropattern forming method and a micropattern forming device enabling control of the shapes and pitches of pattern constituent elements and not requiring giving an artificial driving force to the droplet and the substrate when a micropattern is formed. The micropattern forming method includes step S1 of placing a first substrate having a surface-treated surface and a large number of pinning sites formed thereon, step S2C of placing a second substrate apart from the first substrate in such a way as to face the surface-treated surface of the first substrate, step S2D of sealing a solution into the space defined between the first and second substrates, step S3 of drying/contracting the solution and moving the contact line of the solution on the surface-treated surface while pinning/depinnin the contact line at a pinning site. When the contact line of the solution is pinned, the solute in the solution is deposited on the second substrate, and a pattern is formed.

Classes IPC  ?

• B05D 1/26 - Procédés pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides aux surfaces par application de liquides ou d'autres matériaux fluides, à partir d'un orifice en contact ou presque en contact avec la surface
• H01L 21/027 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou

Abrégé

The purpose of the present invention is to provide a method for preparing 5-hydroxymethylfurfural (HMF) from a saccharide at a low cost under mild conditions. Attention has been paid to a reaction path for the preparation of HMF from a saccharide, said reaction path comprising both isomerization of glucose into fructose by means of an acid or a base, and subsequent dehydration of the fructose into HMF mainly by means of an acid. Specifically provided is a method which includes isomerizing glucose into fructose by means of a solid base catalyst and dehydrating the fructose into HMF by means of a solid acid catalyst having sulfonic acid groups. In this method, the solid base catalyst and the solid acid catalyst can coexist in the same reactor, though simultaneous addition of a liquid acid catalyst and a liquid base catalyst into the same reactor is impermissible.

Classes IPC  ?

• C07D 307/48 - Furfural

Abrégé

Disclosed are a cantilever heating mechanism, and a cantilever holder and cantilever heating method that use the same, which make high-efficiency heating possible in air or in a high or low vacuum even in a common cantilever where no heating wiring pattern is provided, and further that enable localized heating and localized high-pressure/high-temperature treatment of specimens. Provided are a holder (1), which can detachably hold a probe-equipped cantilever (L), and at least a first electrode (2a) and a second electrode (2b), which are in a conductive state by means of the cantilever (L) held by the holder (1). The holder (1) is equipped with a stationary base (11) and a stationary part (12), and the stationary part (12) fulfills the function of an electrode.

Classes IPC  ?

• G01Q 70/02 - Supports de sondes

Abrégé

A reinforced ester polymer composition which has improved mechanical characteristics, in particular, a remarkably improved strength, while maintaining excellent heat resistance and lightweightness.  The reinforced ester polymer composition contains an aromatic carboxylic acid ester polymer having a repeating unit represented by formula (I) (wherein R1 and R2 are as defined in claim 1) and a number average molecular weight of 3,000-50,000,000, and an inorganic filler.

Classes IPC  ?

• C08L 67/06 - Polyesters non saturés
• C08G 63/06 - Polyesters dérivés soit d'acides hydroxycarboxyliques, soit d'acides polycarboxyliques et de composés polyhydroxylés dérivés des acides hydroxycarboxyliques
• C08J 5/04 - Renforcement des composés macromoléculaires avec des matériaux fibreux en vrac ou en nappes
• C08J 9/00 - Mise en œuvre de substances macromoléculaires pour produire des matériaux ou objets poreux ou alvéolairesLeur post-traitement
• C08K 3/00 - Emploi de substances inorganiques en tant qu'adjuvants
• C08K 7/20 - Verre