An object of the present invention is to provide a copper alloy powder for lamination shaping comprising a copper alloy, a method for producing a lamination shaped product and a lamination shaped product, which can achieve coexistence of mechanical strength and conductivity. One aspect of the present invention relates to a copper alloy powder for lamination shaping, including at least one additive element having a solid solution amount to copper of less than 0.2 at %.
B22F 3/105 - Frittage seul en utilisant un courant électrique, un rayonnement laser ou un plasma
B22F 1/00 - Poudres métalliquesTraitement des poudres métalliques, p. ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
B22F 1/05 - Poudres métalliques caractérisées par la dimension ou la surface spécifique des particules
B22F 3/16 - Compactage et frittage par des opérations successives ou répétées
B22F 10/28 - Fusion sur lit de poudre, p. ex. fusion sélective par laser [FSL] ou fusion par faisceau d’électrons [EBM]
B22F 10/38 - Commande ou régulation des opérations pour obtenir des caractéristiques spécifiques du produit, p. ex. le lissage de la surface, la densité, la porosité ou des structures creuses
B33Y 70/00 - Matériaux spécialement adaptés à la fabrication additive
B33Y 80/00 - Produits obtenus par fabrication additive
There is provided a Cu—Al binary alloy sputtering target with a high Al content while suppressing occurrence of cracks on the sputtering target, and a method for manufacturing the same. A sputtering target is composed of a sintered body containing a binary alloy of Cu and Al, the rest being inevitable impurities, wherein a content (at %) of Cu and Al satisfies a relational expression of 0.48≤Al/(Cu+Al)≤0.70, and wherein a relative density is 95% or more.
C22C 21/12 - Alliages à base d'aluminium avec le cuivre comme second constituant majeur
3.
POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL FOR LITHIUM ION BATTERIES, POSITIVE ELECTRODE FOR LITHIUM ION BATTERIES, LITHIUM ION BATTERY, POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL FOR ALL-SOLID LITHIUM ION BATTERIES, POSITIVE ELECTRODE FOR ALL-SOLID LITHIUM ION BATTERIES, ALL-SOLID LITHIUM ION BATTERY, METHOD FOR PRODUCING POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL FOR LITHIUM ION BATTERIES, AND METHOD FOR PRODUCING POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL FOR ALL-SOLID LITHIUM ION BATTERIES
A positive electrode active material for lithium ion batteries, the positive electrode active material being represented by a composition shown in the following formula (1):
A positive electrode active material for lithium ion batteries, the positive electrode active material being represented by a composition shown in the following formula (1):
LiaNibCOcMndMeOf (1)
A positive electrode active material for lithium ion batteries, the positive electrode active material being represented by a composition shown in the following formula (1):
LiaNibCOcMndMeOf (1)
in which formula (1), 1.0≤a≤1.05, 0.8≤b≤0.9, b+c+d+e=1, 1.8≤f≤2.2, 0.0025≤e/(b+c+d+e)≤0.016, and M is at least one selected from Zr, Ta and W;
wherein WDX mapping analysis of positive electrode active material particles in a field of view of 50 μm×50 μm by FE-EPMA indicates that an oxide of the M adheres to surfaces of the positive electrode active material particles, and the oxide of the M is not present as independent particles that do not adhere to the surfaces of the positive electrode active material particles.
H01M 4/525 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de nickel, de cobalt ou de fer d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du fer, du cobalt ou du nickel pour insérer ou intercaler des métaux légers, p. ex. LiNiO2, LiCoO2 ou LiCoOxFy
H01M 4/131 - Électrodes à base d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes, ou de mélanges d'oxydes ou d'hydroxydes, p. ex. LiCoOx
H01M 4/505 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de manganèse d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du manganèse pour insérer ou intercaler des métaux légers, p. ex. LiMn2O4 ou LiMn2OxFy
4.
INDIUM PHOSPHIDE SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING INDIUM PHOSPHIDE SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR EPITAXIAL WAFER
Provided is an indium phosphide substrate, a method for manufacturing indium phosphide substrate, and a semiconductor epitaxial wafer capable of suppressing an occurrence of contamination of the surface of the indium phosphide substrate caused by residues at the edge part. An indium phosphide substrate, wherein a surface roughness of an edge part of the substrate has a root mean square height Sq of 0.15 μm or less, as measured by a laser microscopy on the entire surface of the edge part.
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
C30B 25/18 - Croissance d'une couche épitaxiale caractérisée par le substrat
5.
INDIUM PHOSPHIDE SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING INDIUM PHOSPHIDE SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR EPITAXIAL WAFER
Provided is an indium phosphide substrate, a method for manufacturing indium phosphide substrate, and a semiconductor epitaxial wafer capable of suppressing cracks in indium phosphide substrates caused by edge irregularities and processing damage. An indium phosphide substrate, wherein a surface roughness of an edge part of the substrate has a maximum height Sz of 2.1 μm or less, as measured by a laser microscopy on the entire surface of the edge part.
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
C30B 25/18 - Croissance d'une couche épitaxiale caractérisée par le substrat
This copper alloy for an electronic material contains at most 1.0 mass% of Ni, 0.5-2.5 mass% of Co, and Si in an amount resulting in a mass ratio (Ni+Co)/Si to be 3-5, the remaining portion being copper and unavoidable impurities. The average Taylor factor of the copper alloy under plane strain that occurs when the copper alloy is extended in a direction perpendicular to the rolling direction and when the thickness of the copper alloy decreases is at most 3.5. The crystal grain size of the copper alloy is at most 10 μm. The 0.2% proof stress of the copper alloy in the rolling direction is at least 700 MPa. The conductivity of the copper alloy in the rolling direction is at least 50% IACS.
C22C 9/06 - Alliages à base de cuivre avec le nickel ou le cobalt comme second constituant majeur
C22F 1/00 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid
C22F 1/08 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid du cuivre ou de ses alliages
2222 heater, the electrode part is provided with a metal film; and an oxide film that has a film thickness of 2.5 µm or less is arranged between the metal film and an MoSi2 base material.
H05B 3/12 - Éléments chauffants caractérisés par la composition ou la nature des matériaux ou par la disposition du conducteur caractérisés par la composition ou la nature du matériau conducteur
8.
EQUIPMENT AND METHOD FOR LEACHING COPPER, AND METHOD FOR PRODUCING ELECTROLYTIC COPPER USING SAID EQUIPMENT AND METHOD
Provided is a method for efficiently promoting a leaching reaction of copper. Equipment for leaching copper includes a reactor for leaching reaction and a controller for oxidation-reduction potential. The reactor is configured to be provided with a leaching solution containing iodine and iron. The reactor is configured to be capable of being tightly sealed during the leaching reaction. The controller for oxidation-reduction potential is configured so that, during the leaching reaction, the oxidation-reduction potential of the leaching solution can be maintained at 500 mV (based on Ag/AgCl reference) or higher.
The present disclosure addresses the problem of providing an oxide film having a low carrier concentration and high carrier mobility, and an oxide sputtering target suitable for forming said oxide film. Provided is an oxide film containing zinc (Zn), tin (Sn), aluminum (Al), and oxygen (O), the oxide film being characterized by satisfying expressions (1) through (3). In the expressions, Al, Sn, and Zn represent the atomic ratios of each respective element in the oxide film. (1): 3 × Sn/Zn < Al. (2): Al/(Al + Sn + Zn) ≤ 0.10. (3): 0.33 ≤ Sn/(Sn + Zn) ≤ 0.60.
Provided is a method for recovering a metal from lithium ion battery waste, the method comprising a wet treatment in which a metal including lithium in lithium-ion battery waste is leached with an acid, and the metal is extracted from a metal-containing solution in which the metal is dissolved, wherein the lithium extracted by means of the wet treatment is used as a pH adjuster used in the wet treatment.
C22B 7/00 - Mise en œuvre de matériaux autres que des minerais, p. ex. des rognures, pour produire des métaux non ferreux ou leurs composés
B09B 3/40 - Destruction de déchets solides ou transformation de déchets solides en quelque chose d'utile ou d'inoffensif impliquant un traitement thermique, p. ex. évaporation
B09B 3/70 - Traitement chimique, p. ex. ajustement du pH ou oxydation
B09B 5/00 - Opérations non couvertes par une seule autre sous-classe ou par un seul autre groupe de la présente sous-classe
C22B 3/06 - Extraction de composés métalliques par voie humide à partir de minerais ou de concentrés par lixiviation dans des solutions inorganiques acides
C22B 3/26 - Traitement ou purification de solutions, p. ex. de solutions obtenues par lixiviation par extraction liquide-liquide utilisant des composés organiques
C22B 3/44 - Traitement ou purification de solutions, p. ex. de solutions obtenues par lixiviation par des procédés chimiques
Provided is a method for efficiently recovering metals from lithium ion battery waste while reducing the use of sodium hydroxide as a pH adjuster. A method for recovering metals from lithium ion battery waste includes wet processing of leaching metals containing lithium from lithium ion battery waste with an acid, and extracting the metals from the metal-containing solution in which the metals are dissolved, in which the lithium extracted in the wet processing is used as a pH adjuster used in the wet processing.
C22B 3/06 - Extraction de composés métalliques par voie humide à partir de minerais ou de concentrés par lixiviation dans des solutions inorganiques acides
C22B 3/44 - Traitement ou purification de solutions, p. ex. de solutions obtenues par lixiviation par des procédés chimiques
C22B 3/00 - Extraction de composés métalliques par voie humide à partir de minerais ou de concentrés
Provided are sulfide-based solid electrolyte with good ionic conductivity and an all-solid lithium ion battery using the same. A sulfide-based solid electrolyte having an argyrodite-type structure, wherein a composition of the sulfide-based solid electrolyte is represented by the formula:
Provided are sulfide-based solid electrolyte with good ionic conductivity and an all-solid lithium ion battery using the same. A sulfide-based solid electrolyte having an argyrodite-type structure, wherein a composition of the sulfide-based solid electrolyte is represented by the formula:
Li8GeS5-xTe1+x
Provided are sulfide-based solid electrolyte with good ionic conductivity and an all-solid lithium ion battery using the same. A sulfide-based solid electrolyte having an argyrodite-type structure, wherein a composition of the sulfide-based solid electrolyte is represented by the formula:
Li8GeS5-xTe1+x
in which: −0.5≤x<0, 0
H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p. ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodesBatteries à l'ion lithium
A metal leaching method includes contacting battery powder of lithium ion battery waste with an acidic leachate 21 inside a leaching container 1 and leaching a metal contained in the battery powder into the acidic leachate 21, wherein the leaching container 1 has a porous member 2 arranged at a position above the liquid surface 22 of the acidic leachate 21 stored inside the container so as to cover the liquid surface 22, and when the metal is leached inside the leaching container 1, gas bubbles Ba generated in the acidic leachate 21 are brought into contact with the porous member 2 and collapsed, the opening of the porous member 2 being 12 mm or less.
C22B 3/06 - Extraction de composés métalliques par voie humide à partir de minerais ou de concentrés par lixiviation dans des solutions inorganiques acides
H01M 10/54 - Récupération des parties utiles des accumulateurs usagés
The present invention provides a method for leaching out a metal contained in a battery powder of lithium ion battery waste into an acidic leaching liquid 21 by bringing the battery powder into contact with the acidic leaching liquid 21 within a leaching container 1. With respect to this method for leaching out a metal, the leaching container 1 has a movable member which is positioned and movable on the liquid level 22 of the acidic leaching liquid 21 retained within the leaching container 1; and when the metal is leached out within the leaching container 1, air bubbles Ba generated in the acidic leaching liquid 21 are broken by the action of the movable member.
C22B 3/06 - Extraction de composés métalliques par voie humide à partir de minerais ou de concentrés par lixiviation dans des solutions inorganiques acides
H01M 10/54 - Récupération des parties utiles des accumulateurs usagés
15.
MULTILAYER BODY HAVING FUNCTION OF TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
The present disclosure addresses the problem of providing a multilayer body which is capable of maintaining high transmittance, while preventing an increase in the resistivity due to annealing. The present disclosure provides a multilayer body which is obtained by stacking an IZO film and an oxide film, wherein: in cases where the multilayer body is subjected to annealing at 350°C in the atmosphere, the surface resistivity of the multilayer body is 200 Ω/sq. or less; and in cases where the multilayer body is subjected to annealing at 350°C in the atmosphere, the average transmittance of visible light (wavelength: 380-780 nm) is 85% or more. The present disclosure also provides a multilayer body which is obtained by stacking an IZO film and an oxide film, wherein: if Rs0 is the surface resistivity of the multilayer body in cases where the multilayer body is not subjected to annealing, and Rs1 is the surface resistivity of the multilayer body in cases where the multilayer body is subjected to annealing at 350°C in the atmosphere, Rs1/Rs0 ≤ 10.0 is satisfied; and in cases where the multilayer body is subjected to annealing at 350°C in the atmosphere, the average transmittance of visible light of the multilayer body is 85% or more.
H01B 5/14 - Conducteurs ou corps conducteurs non isolés caractérisés par la forme comprenant des couches ou pellicules conductrices sur supports isolants
B32B 9/00 - Produits stratifiés composés essentiellement d'une substance particulière non couverte par les groupes
A highly pure electrodeposited copper comprising copper and unavoidable impurities, wherein the purity is at least 6N, the content of Ag included as an impurity is 0.2 ppm or less, the amount of included nonmetal inclusions with a particle size of 0.5-20 μm is 20,000/g or less, the average particle size in an electrodeposition cross section is in the range of 40-400 μm, the maximum particle size in the electrodeposition cross section is in the range of 300-2,700 μm, the average particle size in the electrodeposition surface is in the range of 25-150 μm, and the maximum particle size in the electrodeposition surface is in the range of 100-450 μm. As a result, the present invention provides a highly pure electrodeposited copper that has excellent crushability while suppressing the occurrence of lumps. (Selected drawing) FIG. 1B
The present invention provides a rolled copper foil for secondary batteries, the rolled copper foil having good heat resistance, thereby maintaining high strength even after a heat treatment. The present invention provides a rolled copper foil for secondary batteries, the rolled copper foil containing 0.05% by weight to 0.15% by weight of Zr and 0.05% by weight or less of oxygen, with the balance being made up of Cu and unavoidable impurities, while having a tensile strength in a direction parallel to the rolling direction of 500 MPa or more after a heat treatment at 350°C for 3 hours, and a change ratio of the tensile strength in the direction parallel to the rolling direction of 15% or less between before and after the heat treatment.
C22F 1/00 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid
C22F 1/08 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid du cuivre ou de ses alliages
The present invention provides a metal resin composite electromagnetic shielding material which is obtained by stacking N-number of metal layers (N represents an integer of 1 or more) and M-number of resin layers (M represents an integer of 1 or more), with adhesive layers being interposed therebetween, wherein an adhesive layer that is closest to the outer surface of the metal resin composite electromagnetic shielding material has an air bubble proportion of 4.5% or less when the adhesive layer is observed from the resin layer side.
H05K 9/00 - Blindage d'appareils ou de composants contre les champs électriques ou magnétiques
B32B 7/12 - Liaison entre couches utilisant des adhésifs interposés ou des matériaux interposés ayant des propriétés adhésives
B32B 15/08 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal comprenant un métal comme seul composant ou comme composant principal d'une couche adjacente à une autre couche d'une substance spécifique de résine synthétique
19.
METHOD FOR PRODUCING COBALT SOLUTION, METHOD FOR PRODUCING COBALT SALT, METHOD FOR PRODUCING NICKEL SOLUTION, AND METHOD FOR PRODUCING NICKEL SALT
A method for producing a cobalt solution which involves removing magnesium ions from a cobalt-containing solution which contains magnesium ions and is obtained by subjecting battery powder from lithion-ion battery waste to at least a leaching treatment, said method including a magnesium separation step which involves extracting cobalt ions from said cobalt-containing solution by using a solvent which contains a carboxylic acid-type extracting agent, separating magnesium ions, and thereafter, inverse-extracting the cobalt ions from the solvent and obtaining a cobalt solution as an inverse-extracted liquid.
C22B 3/38 - Traitement ou purification de solutions, p. ex. de solutions obtenues par lixiviation par extraction liquide-liquide utilisant des composés organiques contenant du phosphore
C22B 7/00 - Mise en œuvre de matériaux autres que des minerais, p. ex. des rognures, pour produire des métaux non ferreux ou leurs composés
H01M 10/54 - Récupération des parties utiles des accumulateurs usagés
20.
SPUTTERING TARGET MEMBER, SPUTTERING TARGET ASSEMBLY, AND FILM FORMING METHOD
Provided is a sputtering target member which is for a magnetic recording layer and can suppress the generation of particles. This sputtering target member for a magnetic recording layer contains 10-70 mol% of Co, 5-30 mol% of Pt, 1.5-10 mol% of carbide, and 0-30 mol% in total of one or two more non-magnetic materials selected from among carbon, oxide, nitride, and carbonitride.
G11B 5/65 - Supports d'enregistrement caractérisés par l'emploi d'un matériau spécifié comportant uniquement le matériau magnétique, sans produit de liaison caractérisé par sa composition
21.
Fe-Pt-C-BASED SPUTTERING TARGET MEMBER, SPUTTERING TARGET ASSEMBLY, METHOD FOR FORMING FILM, AND METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET MEMBER
Provided is a Fe-Pt-C-based sputtering target member which is prevented from the formation of particles during sputtering. The Fe-Pt-C-based sputtering target member has a magnetic phase containing Fe and Pt and a non-magnetic phase, the sputtering target member having a carbon-derived diffraction peak at a diffraction angle satisfying the formula: 25.6° ≤ 2θ ≤ 26.2° in an X-ray diffraction profile produced by the analysis of the sputtering target member by an X-ray diffraction method.
The present invention provides an IGZO sputtering target which has a high relative density, while suppressing particle increase and arcing during sputtering. The present invention provides an IGZO sputtering target which contains indium (In), gallium (Ga), zinc (Zn), zirconium (Zr) and oxygen (O), with the balance being made up of unavoidable impurities; and this IGZO sputtering target contains Zr in an amount of less than 20 ppm by mass, while having a relative density of 95% or more.
C04B 35/01 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base d'oxydes
23.
BROOKITE-TYPE CRYSTALLINE TITANIUM OXIDE POWDER, AND METHOD FOR PRODUCING BROOKITE-TYPE CRYSTALLINE TITANIUM OXIDE POWDER
Provided are: a high-purity brookite-type crystalline titanium oxide powder; and a method for producing a brookite-type crystalline titanium oxide powder. The brookite-type crystalline titanium oxide powder has a sulfur atom content of 100 wtppm or less.
The present invention addresses the problem of providing a pure copper or copper alloy powder which is used for deposition modeling by means of a laser beam system, and which is capable of decreasing the oxygen concentration in a model, while having an increased laser absorptance. The present invention provides a pure copper or copper alloy powder which is provided with an oxide coating, wherein: the oxide coating contains carbon; and the ratio of the oxygen concentration to the carbon concentration ((oxygen concentration)/(carbon concentration)) is 5 or less.
The smelting furnace according to the present invention is characterized by comprising: a first reaction zone into which a first charge containing a powder-form concentrate is charged, and in which the concentrate is oxidized by an oxygen-containing gas and allowed to fall downward in the form of liquid drops; and a second reaction zone having a holding container for holding molten metal obtained through the falling of the liquid drops, the second reaction zone being such that a raw material other than the concentrate is charged as a second charge into the molten metal and the second charge is caused to melt by the heat of oxidation of a matte in the molten metal or by a fuel combustion flame, and the second reaction zone being located at a position that is below the first reaction zone and on the upstream side relative to the first reaction zone with respect to the flow of the molten metal.
A metal-resin composite body 1 is provided with a metal plate 2, and a resin member 3 affixed to the metal plate 2, and has an internal space which is partitioned by means of a sealing member that includes the resin member 3, wherein: the resin member 3 has a frame-like shape extending on the metal plate 2 so as to enclose the perimeter of the internal space; there are weld lines 7 in one or two locations in the circumferential direction of the frame-shaped resin member 3; and, on a resin-covered surface in which the metal plate 2 is covered by the resin member 3, there is a rough undulating surface formed by means of rectangular recessed portions 5a and rectangular protruding portions 5b that are aligned alternately in each of one direction and a direction perpendicular thereto, in a plan view of the resin-covered surface.
H01L 23/50 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p. ex. fils de connexion ou bornes pour des dispositifs à circuit intégré
28.
SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET
This sputtering target is formed from multiple structural members including a target and a substrate. The multiple structural members include a first structural member and a second structural member that are layered together. The first structural member contains Al and the second structural member contains Cu. At least one of the first structural member and the second structural member contains Mg. The sputtering target contains Al and Cu between the first structural member and the second structural member and has an alloy layer contacting the first structural member and the second structural member. At least a portion of the alloy layer further includes an Mg-containing layer in which Mg content is 5.0 at% or more.
Provided is a magnetic particle powder containing a plurality of fine magnetic particles that can exhibit high magnetic force. This magnetic particle powder has a BET specific surface area of 10 m2/g to 50 m2/g, a median diameter (D50) of 0.5 μm to 10 μm, and saturation magnetization (Ms) of 50 emu/g or greater.
B82B 1/00 - Nanostructures formées par manipulation d’atomes ou de molécules, ou d’ensembles limités d’atomes ou de molécules un à un comme des unités individuelles
H01F 1/00 - Aimants ou corps magnétiques, caractérisés par les matériaux magnétiques appropriésEmploi de matériaux spécifiés pour leurs propriétés magnétiques
B01J 20/02 - Compositions absorbantes ou adsorbantes solides ou compositions facilitant la filtrationAbsorbants ou adsorbants pour la chromatographieProcédés pour leur préparation, régénération ou réactivation contenant une substance inorganique
B01J 20/06 - Compositions absorbantes ou adsorbantes solides ou compositions facilitant la filtrationAbsorbants ou adsorbants pour la chromatographieProcédés pour leur préparation, régénération ou réactivation contenant une substance inorganique contenant des oxydes ou des hydroxydes des métaux non prévus dans le groupe
B01J 20/28 - Compositions absorbantes ou adsorbantes solides ou compositions facilitant la filtrationAbsorbants ou adsorbants pour la chromatographieProcédés pour leur préparation, régénération ou réactivation caractérisées par leur forme ou leurs propriétés physiques
30.
SURFACE-TREATED COPPER FOIL, COPPER-CLAD LAMINATE AND PRINTED WIRING BOARD
The present invention provides a surface-treated copper foil which comprises a copper foil and a surface treatment layer that is formed on at least one surface of the copper foil. The surface treatment layer has an Sku of 2.50 to 4.50 and an Str of 0.20 to 0.40.
C23C 28/00 - Revêtement pour obtenir au moins deux couches superposées, soit par des procédés non prévus dans un seul des groupes principaux , soit par des combinaisons de procédés prévus dans les sous-classes et
C25D 3/38 - Dépôt électrochimiqueBains utilisés à partir de solutions de cuivre
C25D 3/58 - Dépôt électrochimiqueBains utilisés à partir de solutions d'alliages contenant plus de 50% en poids de cuivre
This surface-treated copper foil has a copper foil and a surface-treated layer formed on at least one surface of the copper foil. The surface-treated layer has an Spk change amount represented by formula (1) below of 0.02 to 0.24 µm. (1) Spk change amount = P2-P1 (in the formula, P1 is Spk calculated by applying a λs filter having a cutoff value λs of 2 µm, and P2 is Spk calculated without applying the λs filter).
This surface-treated copper foil has a copper foil and a surface-treated layer formed on at least one surface of the copper foil. The surface-treated layer has an Sku of 2.50-4.50 and an Str of 0.20-0.40.
C23C 28/00 - Revêtement pour obtenir au moins deux couches superposées, soit par des procédés non prévus dans un seul des groupes principaux , soit par des combinaisons de procédés prévus dans les sous-classes et
C25D 3/38 - Dépôt électrochimiqueBains utilisés à partir de solutions de cuivre
C25D 3/58 - Dépôt électrochimiqueBains utilisés à partir de solutions d'alliages contenant plus de 50% en poids de cuivre
The present invention provides a surface-treated copper foil which comprises a copper foil and a surface treatment layer that is formed on at least one surface of the copper foil. The surface treatment layer has a change ratio of Vmc of 23.00% to 40.00%, the change ratio of Vmc being represented by formula (1). (1): (Change ratio of Vmc) = (P2 – P1)/P2 × 100 In the formula, P1 is the value of Vmc as calculated, while applying a λs filter having a cut-off value λs of 2 µm; and P2 is the value of Vmc as calculated without applying the λs filter.
A surface-treated copper foil that has a copper foil and a surface-treatment layer formed on at least one surface of the copper foil. The amount of Vmp change, represented by formula (1), in the surface-treatment layer is 0.0010–0.0110 μm3/μm2. Amount of Vmp change = P2–P1 ... (1) In the formula: P1 is Vmp calculated after a λs filter is applied that has a cut off value λs of 2 μm; and P2 is Vmp calculated without the λs filter applied.
Provided is a surface-treated copper foil including a copper foil and a surface-treated layer formed on at least one surface of the copper foil. The surface-treated layer has an Sk rate of change, represented by formula (1) below, of 23.0-45.0%. Formula (1): Sk rate of change = (P2-P1)/P2×100 In the formula, P1 is Sk calculated by applying a λs filter having a cutoff value λs of 2 µm, and P2 is Sk calculated without applying the λs filter.
This surface-treated copper foil comprises a copper foil and a surface-treatment layer formed on at least one surface of the copper foil. The amount of change in Sk given by formula (1) for the surface-treatment layer is 0.180-0.600 µm. (1): Amount of change in Sk = P2 - P1 In the formula, P1 is the Sk calculated using a λs filter for which the cut off value λs is 2 µm, and P2 is the Sk calculated without using this λs filter.
A copper oxide-containing powder containing copper oxide (I) wherein, when the powder has been heated to 400°C, the powder contains thermal decomposition residue deriving from pitch in a mass ratio of 0.025-0.060 with respect to the copper oxide (I).
Copper powder comprising copper particles wherein the compacted bulk density is 1.30 g/cm3to 2.96 g/cm3, and the 50% particle size D50 at the time when the cumulative frequency of the copper particles becomes 50% in the volume-based particle size histogram, and the crystallite diameter D, determined using Scherrer's equation from the Cu (111) plane diffraction peak in an X-ray diffraction profile obtained by powder X-ray diffraction on the copper powder, satisfies D/D50≥0.060.
B22F 9/24 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par un procédé chimique avec réduction de mélanges métalliques à partir de mélanges métalliques liquides, p. ex. de solutions
The present invention addresses the problem of providing a sputtering target suitable for the formation of a semiconductor film having a low carrier concentration and a high mobility. Provided is a sputtering target containing zinc (Zn), tin (Sn), gallium (Ga) and oxygen (O), in which Ga is contained in an amount of 0.15 to 0.50 inclusive in terms of a Ga/(Zn+Sn+Ga) atomic ratio, Sn is contained in an amount of 0.30 to 0.60 inclusive in terms of an Sn/(Zn+Sn) atomic ratio, and the volume resistivity of the sputtering target is 50 Ω·cm or less.
C04B 35/01 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base d'oxydes
C04B 35/453 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base d'oxydes à base d'oxydes de zinc, d'étain ou de bismuth ou de leurs solutions solides avec d'autres oxydes, p. ex. zincates, stannates ou bismuthates
H01L 21/363 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale en utilisant un dépôt physique, p. ex. dépôt sous vide, pulvérisation
40.
LAYERED BODY HAVING FUNCTION AS TRANSPARENT ELECTROCONDUCTIVE FILM AND METHOD FOR PRODUCING SAME, AND OXIDE SPUTTERING TARGET FOR SAID LAYERED BODY PRODUCTION
The present invention addresses the problem of providing a layered body having a higher transmittance and a lower resistivity (high conductivity) than conventional ITO films. Provided is a layered body that is obtained by layering an ITO film and an oxide film, the layered body having a surface resistance of 40 Ω/sq. s or less, and a visible light average transmittance of at least 90%, where the ratio between the ITO film thickness and the oxide film thickness (ITO film thickness/oxide film thickness) is less than 15. Also provided is a layered body that is obtained by layering an ITO film and an oxide film, wherein the layered body is characterized by satisfying R2/R1≤1.0 when R1 is the surface resistance of the layered body that has been subjected to atmosphere annealing at 220°C, and R2 is the surface resistance of the layered body that has been subjected to atmosphere annealing at 550°C.
H01B 5/14 - Conducteurs ou corps conducteurs non isolés caractérisés par la forme comprenant des couches ou pellicules conductrices sur supports isolants
B32B 9/00 - Produits stratifiés composés essentiellement d'une substance particulière non couverte par les groupes
41.
Mg2Si SINGLE CRYSTAL, Mg2Si SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, INFRARED LIGHT RECEIVING ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING Mg2Si SINGLE CRYSTAL
Provided is a Mg2Si single crystal in which generation of low-angle grain boundaries in the crystal is satisfactorily suppressed. A Mg2Si single crystal, wherein a variation in crystal orientation as measured by XRD is in a range of ±0.020°.
C30B 11/02 - Croissance des monocristaux par simple solidification ou dans un gradient de température, p. ex. méthode de Bridgman-Stockbarger sans solvants
H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes
42.
ELECTRICAL AND ELECTRONIC COMPONENT SCRAP PROCESSING METHOD, AND ELECTRICAL AND ELECTRONIC COMPONENT SCRAP PROCESSING DEVICE
The present invention provides an electrical and electronic component scrap processing method and an electrical and electronic component scrap processing device which are able to more efficiently select a desired component scrap from among electrical and electronic component scraps by using image recognition processing technology and a selection device. The electrical and electronic component scrap processing method comprises a selection conditions decision step S10 for deciding selection conditions for electrical and electronic component scraps 1, the selection conditions decision step S10 comprising: an image recognition processing step S12 in which component scraps belonging to a specific category of components are identified, using image recognition processing, from among a plurality of captured images capturing the electrical and electronic component scraps 1 which include a plurality of component scraps, and image recognition information including information on detection area, quantity, and scores indicating certainty of the identified component scraps are acquired; a classification step S13 in which the image recognition information of the captured images is used to create classification information of the identified component scraps; and a conditions decision step S14 in which a score threshold for image recognition processing and a detection area threshold for component scraps are decided on the basis of the classification information and processing capability information of a selection device 13 that selects component scraps.
B07C 5/34 - Tri en fonction d'autres propriétés particulières
G01N 21/27 - CouleurPropriétés spectrales, c.-à-d. comparaison de l'effet du matériau sur la lumière pour plusieurs longueurs d'ondes ou plusieurs bandes de longueurs d'ondes différentes en utilisant la détection photo-électrique
43.
MALE PIN FOR CONNECTOR AND MANUFACTURING METHOD OF MALE PIN FOR CONNECTOR
Provided are a male pin for a connector which achieves low insertion force (friction force) when inserted into a female pin and good contact resistance with the female pin, and a manufacturing method of the male pin for the connector. This male pin for the connector is manufactured by plating a base material formed from copper or a copper alloy, said male pin comprising an inclined portion to be inserted into the female pin and a flat portion continuous to the inclined portion, wherein: a first region extending from the inclined portion and including the boundary between the inclined portion and the flat portion and a second region, which comes into electrical contact with the female pin when fitted into the female pin, are plated with dissimilar coatings; the first region has greater hardness than the hardness of the second region; the second region has less contact resistance than the contact resistance of the first region; and at least the first region is coated with oil.
C25D 5/12 - Dépôt de plusieurs couches du même métal ou de métaux différents au moins une couche étant du nickel ou du chrome
C25D 5/50 - Post-traitement des surfaces revêtues de métaux par voie électrolytique par traitement thermique
C25D 7/00 - Dépôt électrochimique caractérisé par l'objet à revêtir
H01R 43/16 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication, l'assemblage, l'entretien ou la réparation de connecteurs de lignes ou de collecteurs de courant ou pour relier les conducteurs électriques pour la fabrication des pièces de contact, p. ex. par découpage et pliage
H01R 13/03 - Contacts caractérisés par le matériau, p. ex. matériaux de plaquage ou de revêtement
44.
Sputtering Target And Method For Manufacturing The Same
A ceramic sputtering target, wherein when a cross-sectional structure of a sputtering surface is observed with an electron microscope, an amount of microcracks defined below is 50 μm/mm or less, and after performing a peel test on the sputtering surface, an area ratio of peeled particles confirmed by observing the cross-sectional structure with an electron microscope is 1.0% or less.
A ceramic sputtering target, wherein when a cross-sectional structure of a sputtering surface is observed with an electron microscope, an amount of microcracks defined below is 50 μm/mm or less, and after performing a peel test on the sputtering surface, an area ratio of peeled particles confirmed by observing the cross-sectional structure with an electron microscope is 1.0% or less.
Amount of microcracks=frequency of microcracks×average depth of microcracks
This method for treating battery waste includes: a first heat treatment step of heating the battery waste under an atmosphere including at least one selected from the group comprising nitrogen, carbon dioxide, and steam; and, after the first heat treatment step, a second heat treatment step of switching from the atmosphere in the first heat treatment step and heating the battery waste under an atmosphere that is different from said atmosphere and that includes a larger amount of oxygen than in the first heat treatment step.
Provided is a laminate that enhances an electromagnetic wave shielding effect in a low-frequency region. The present invention provides a laminate including at least one non-magnetic metal layer and at least one magnetic metal layer, at least one magnetic metal layer including an amorphous phase.
A method for treating battery waste includes: a first heat treatment step of heating the battery waste in an atmosphere containing at least one selected from the group consisting of nitrogen, carbon dioxide and water vapor; and after the first heat treatment step, a second heat treatment step of changing the atmosphere in the first heat treatment step and heating the battery waste in an atmosphere which is different from the atmosphere in the first heat treatment step and which contains a larger amount of oxygen than that in the first heat treatment step.
C22B 7/00 - Mise en œuvre de matériaux autres que des minerais, p. ex. des rognures, pour produire des métaux non ferreux ou leurs composés
H01M 6/52 - Récupération des parties utiles des éléments ou batteries usagés
H01M 10/54 - Récupération des parties utiles des accumulateurs usagés
48.
POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL FOR ALL-SOLID-STATE LITHIUM ION BATTERIES, POSITIVE ELECTRODE FOR ALL-SOLID-STATE LITHIUM ION BATTERIES, ALL-SOLID-STATE LITHIUM ION BATTERY, AND METHOD FOR PRODUCING POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL FOR ALL-SOLID-STATE LITHIUM ION BATTERIES
abcdee (wherein 1.0 ≤ a ≤ 1.05, 0.8 ≤ b ≤ 0.9, 1.8 ≤ e ≤ 2.2 and (b + c + d) = 1); the coating layer is an oxide of Li and Nb; and the specific surface area X (m2/g) of the positive electrode active material and the Nb content Y (mass%) in the positive electrode active material satisfy the relational expression (2) described below. (2): 0.65 ≤ Y/X ≤ 1.20
H01M 4/36 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs
H01M 4/505 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de manganèse d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du manganèse pour insérer ou intercaler des métaux légers, p. ex. LiMn2O4 ou LiMn2OxFy
H01M 4/525 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de nickel, de cobalt ou de fer d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du fer, du cobalt ou du nickel pour insérer ou intercaler des métaux légers, p. ex. LiNiO2, LiCoO2 ou LiCoOxFy
A method for processing ores containing gold or refining intermediates containing gold, the refining intermediate being obtained by subjecting the ores to a refining process, wherein the method includes: a leaching step of leaching gold from the ores or the refining intermediates using a sulfate solution containing iodide ions and iron (III) ions as a leaching solution; an adsorption step of adsorbing iodine and gold in the leached solution obtained in the leaching step on activated carbon; and an iodine separation step of separating iodine from the activated carbon while leaving gold on the activated carbon that has undergone the adsorption step.
C22B 3/24 - Traitement ou purification de solutions, p. ex. de solutions obtenues par lixiviation par des procédés physiques, p. ex. par filtration, par des moyens magnétiques par adsorption sur des substances solides, p. ex. par extraction avec des résines solides
B01J 20/20 - Compositions absorbantes ou adsorbantes solides ou compositions facilitant la filtrationAbsorbants ou adsorbants pour la chromatographieProcédés pour leur préparation, régénération ou réactivation contenant une substance inorganique contenant du carbone libreCompositions absorbantes ou adsorbantes solides ou compositions facilitant la filtrationAbsorbants ou adsorbants pour la chromatographieProcédés pour leur préparation, régénération ou réactivation contenant une substance inorganique contenant du carbone obtenu par des procédés de carbonisation
The present invention provides: a plated material which has low insertion force (frictional force) and good durability at high humidities; and an electronic component. A plated material which is provided with: a base plating layer that is provided on the surface of a base material, while being composed of Ni or an Ni alloy; and a surface layer that is provided on the base plating layer, while being composed of an Sn-In-Cu alloy.
Provided are an indium phosphide substrate in which the development of concave defects is suppressed, a semiconductor epitaxial wafer, a method for producing an indium phosphide single crystal ingot, and a method for producing an indium phosphide substrate. The present invention is an indium phosphide substrate having zero concave defects detected by topography channel on the surface when the diameter is 100 mm or less and at least one surface is irradiated with laser light having a wavelength of 405 nm by S polarization and inspected.
A surface-treated copper foil comprising a copper foil and a surface-treating layer formed on at least one surface of the copper foil. The surface-treating layer has an Sku of 2.50-4.50 and an Str of 0.20-0.40.
C23C 28/00 - Revêtement pour obtenir au moins deux couches superposées, soit par des procédés non prévus dans un seul des groupes principaux , soit par des combinaisons de procédés prévus dans les sous-classes et
C25D 3/38 - Dépôt électrochimiqueBains utilisés à partir de solutions de cuivre
C25D 3/58 - Dépôt électrochimiqueBains utilisés à partir de solutions d'alliages contenant plus de 50% en poids de cuivre
A surface-treated copper foil which comprises: a copper foil; and a surface treatment layer that is formed on at least one surface of the copper foil. The surface treatment layer has an Sku of from 2.50 to 4.50 and an Str of from 0.20 to 0.40.
C23C 28/00 - Revêtement pour obtenir au moins deux couches superposées, soit par des procédés non prévus dans un seul des groupes principaux , soit par des combinaisons de procédés prévus dans les sous-classes et
C25D 3/38 - Dépôt électrochimiqueBains utilisés à partir de solutions de cuivre
C25D 3/58 - Dépôt électrochimiqueBains utilisés à partir de solutions d'alliages contenant plus de 50% en poids de cuivre
Provided are an indium phosphide substrate, a method for manufacturing an indium phosphide substrate, and a semiconductor epitaxial wafer that make it possible to suppress cracking in an indium phosphide substrate caused by irregularities and processing damage in an edge part. The surface roughness of the entire edge-part surface of the indium phosphide substrate has a maximum height Sz of 2.1 μm or less, as measured by a laser microscope.
Provided are an indium phosphide substrate, a method for manufacturing an indium phosphide substrate, and a semiconductor epitaxial wafer, which enable control of contamination that occurs on the surface of an indium phosphide substrate due to residue at an edge section thereof. The indium phosphide substrate is configured such that an edge section of the substrate has a surface roughness of 0.15 μm or less in a root-mean-square height Sq on the entire surface of the edge section, measured by a laser microscope.
The purpose of the present invention is to provide a surface-treated copper foil (1) with which it is possible to reduce peeling from a substrate and to form a fine-pitched circuit pattern. This surface-treated copper foil (1) has a copper coil (2), a first surface treatment layer (3) formed on one surface of the copper coil (2), and a second surface treatment layer (4) formed on the other surface of the copper coil (2). The ratio of the amount of Ni adhering to the first surface treatment layer (3) relative to the amount of Ni adhering to the second surface treatment layer (4) is 0.01-2.0. The surface-treated copper foil (1) has a tensile strength of 235-290 MPa. The copper coil (2) is made of at least 99.0 mass% of Cu, the balance being unavoidable impurities.
Provided is a method for processing lithium ion battery waste, which can effectively precipitate aluminum ions and iron ions in the solution by neutralization and relatively easily separate the precipitate. The method for processing lithium ion battery waste includes: a leaching step of leaching battery powder in an acid, the battery powder containing at least aluminum and iron and being obtained from lithium ion battery waste, and removing a leached residue by solid-liquid separation to obtain a leached solution containing at least aluminum ions and iron ions; and a neutralization step of adding phosphoric acid and/or a phosphate salt and an oxidizing agent to the leached solution, increasing a pH of the leached solution to a range of 2.0 to 3.5, precipitating the aluminum ions and the iron ions in the leached solution as aluminum phosphate and iron phosphate, respectively, and removing a neutralized residue by solid-liquid separation to obtain a neutralized solution.
C22B 3/06 - Extraction de composés métalliques par voie humide à partir de minerais ou de concentrés par lixiviation dans des solutions inorganiques acides
C22B 3/16 - Extraction de composés métalliques par voie humide à partir de minerais ou de concentrés par lixiviation dans des solutions organiques
C22B 3/44 - Traitement ou purification de solutions, p. ex. de solutions obtenues par lixiviation par des procédés chimiques
C22B 7/00 - Mise en œuvre de matériaux autres que des minerais, p. ex. des rognures, pour produire des métaux non ferreux ou leurs composés
Provided is an indium phosphide substrate having good accuracy of flatness of the orientation flat, and a method for producing the indium phosphide substrate. An indium phosphide substrate having a main surface and an orientation flat, wherein a difference between maximum and minimum values of a maximum height Pz in each of four cross-sectional curves is less than or equal to 1.50/10000 of a length in a longitudinal direction of an orientation flat end face, wherein the four cross-sectional curves are set at intervals of one-fifth of a thickness of the substrate on a surface excluding a width portion of 3 mm inward from both ends of the orientation flat end face in the longitudinal direction of the orientation flat end face, and the maximum height Pz in each of the four cross-sectional curves is measured in accordance with JIS B 0601:2013.
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
The present invention provides a method for processing lithium ion battery waste, said method being capable of effectively precipitating aluminum ions and iron ions in a liquid by means of neutralization and being capable of relatively easily separating the precipitate. A method for processing lithium ion battery waste, said method comprising: a leaching step wherein a battery powder, which is obtained from lithium ion battery waste and contains at least aluminum and iron, is subjected to leaching with use of an acid, and the leaching residue is removed by means of solid-liquid separation, thereby obtaining a leachate that contains at least aluminum ions and iron ions; and a neutralization step wherein a phosphoric acid and/or a phosphate as well as an oxidant are added to the leachate so as to increase the pH thereof to a value within the range of from 2.0 to 3.5, thereby having the aluminum ions and the iron ions in the leachate respectively precipitate as aluminum phosphate and iron phosphate, and a post-neutralization solution is subsequently obtained by removing the neutralization residue by means of solid-liquid separation.
C22B 3/06 - Extraction de composés métalliques par voie humide à partir de minerais ou de concentrés par lixiviation dans des solutions inorganiques acides
C22B 3/16 - Extraction de composés métalliques par voie humide à partir de minerais ou de concentrés par lixiviation dans des solutions organiques
C22B 3/44 - Traitement ou purification de solutions, p. ex. de solutions obtenues par lixiviation par des procédés chimiques
60.
INDIUM PHOSPHIDE SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING INDIUM PHOSPHIDE SUBSTRATE
Provided is an indium phosphide substrate having good linearity accuracy of a ridge line where the main surface is in contact with the orientation flat, and a method for producing the indium phosphide substrate. An indium phosphide substrate having a main surface and an orientation flat, wherein a maximum value of deviation is less than 1/1000 of a length of a ridge line where the main surface is in contact with the orientation flat, when a plurality of measurement points are set at intervals of 2 mm from a start point to an end point at the ridge line, except for a length portion of 3 mm inward from both ends of the ridge line, and based on a reference line which is a straight line connecting the start point and the end point, a distance of each measurement point from the reference line is defined as the deviation of each measurement point.
C30B 33/10 - Gravure dans des solutions ou des bains fondus
B28D 5/00 - Travail mécanique des pierres fines, pierres précieuses, cristaux, p. ex. des matériaux pour semi-conducteursAppareillages ou dispositifs à cet effet
Provided are: an electronic component scrap sorting method with which it is possible to appropriately determine a scrap mixture including multiple types of components; and an electronic component scrap processing method. This electronic component scrap sorting method comprises: a location/shape identification step for identifying the location and shape of each electronic component scrap from among multiple pieces of electronic component scraps having different shapes so as to obtain location/shape identification information that contains location information and shape information of the respective electronic component scraps; a feature analysis step for analyzing at least two features from each of the electronic component scraps so as to obtain feature analysis information; and a sorting step for, on the basis of the location/shape identification information and the feature analysis information, sorting the respective electronic component scraps by predetermined component types by using at least two features associated with one certain type of electronic component scraps that have the same shape and are at the same location.
C30B 29/10 - Composés inorganiques ou compositions inorganiques
C30B 11/08 - Croissance des monocristaux par simple solidification ou dans un gradient de température, p. ex. méthode de Bridgman-Stockbarger en introduisant dans le bain fondu le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ tous les constituants du cristal étant ajoutés pendant la cristallisation
H01L 31/10 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
64.
SULFIDE-BASED SOLID ELECTROLYTE AND ALL-SOLID-STATE LITHIUM ION BATTERY
H01B 1/06 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisésEmploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement d'autres substances non métalliques
H01B 1/10 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisésEmploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement d'autres substances non métalliques sulfures
65.
COPPER POWDER, AND METHOD FOR MANUFACTURING COPPER POWDER
A copper powder containing copper particles, such that, in a solution that has a copper ion concentration of 10 g/L and that is obtained by the copper particles of the copper powder being dissolved by nitric acid, the number of particles having a grain diameter of 1.5 μm or greater as measured using a liquid particle counter is 10000 or less per 10 mL.
B22F 9/24 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par un procédé chimique avec réduction de mélanges métalliques à partir de mélanges métalliques liquides, p. ex. de solutions
H01B 1/02 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisésEmploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement de métaux ou d'alliages
H01B 5/00 - Conducteurs ou corps conducteurs non isolés caractérisés par la forme
H01B 13/00 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de conducteurs ou câbles
B22F 1/00 - Poudres métalliquesTraitement des poudres métalliques, p. ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
The present invention provides: a plated material which has low insertion force (low friction) and durability at high temperatures; and an electronic component. A plated material which is provided with: a base plating layer that is composed of Ni or an Ni alloy, and is provided on the surface of a base material; an intermediate layer that is composed of an In-Ni-Sn alloy, and is provided on the base plating layer; and a surface layer that is composed of an In-Sn alloy, and is provided on the intermediate layer.
There is provided a more versatile technique that is useful for enhancing the sintering delay property of a metal powder. A metal powder surface-treated with at least one coupling agent comprising Si, Ti, Al or Zr, wherein a total adhesion amount of Si, Ti, Al and Zr is 200 to 10,000 μg with respect to 1 g of the surface-treated metal powder, wherein a 1% by mass aqueous solution of the coupling agent indicates a pH of 7 or less, and wherein a sintering starting temperature is 500° C. or higher.
H01B 1/22 - Matériau conducteur dispersé dans un matériau organique non conducteur le matériau conducteur comportant des métaux ou des alliages
B22F 1/145 - Traitement chimique, p. ex. passivation ou décarburation
H01B 1/02 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisésEmploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement de métaux ou d'alliages
H01B 5/14 - Conducteurs ou corps conducteurs non isolés caractérisés par la forme comprenant des couches ou pellicules conductrices sur supports isolants
B22F 1/103 - Poudres métalliques contenant des agents lubrifiants ou liantsPoudres métalliques contenant des matières organiques contenant un liant organique comprenant un mélange de, ou obtenu par réaction de, plusieurs composants autres que les solvants ou les agents lubrifiants
The present invention involves an arsenic flotation step of subjecting, to flotation, slurry in which mineral ores including a copper mineral substance and an arsenic mineral substance are mixed without adding a collector or with a collector added thereto in an amount of 10 g or less per 1 ton of the mineral ores to obtain: a floating ore including the arsenic mineral substance; and a tailing ore including the copper mineral substance.
Raw material supply device, device for processing electronic and electrical device part scraps, and method for processing electronic and electrical device part scraps
A raw material supply device and a device for processing electronic and electrical device part scraps, which can control dropping positions of a raw material containing substances having different shapes and specific gravities, and a method for processing electronic and electrical device part scraps using those devices. The raw material supply device includes a receiving port, a discharge port, a first guide surface, and a second guide surface on a surface opposing to the first guide surface. The processing device includes a first conveying unit, a raw material supply device, a second conveying unit, and a pyramid-shaped disperser. The processing method comprises a sorting step, wherein the sorting step comprises dropping the electronic and electrical device part scraps onto a plurality of dispersion surfaces of a pyramid-shaped disperser, and dispersing the electronic and electrical device part scraps in a plurality of directions on a conveying surface.
B65G 47/19 - Aménagements ou utilisation de trémies ou colonnes de descente avec moyens pour commander le débit des matériaux, p. ex. pour empêcher la surcharge
B65G 47/44 - Aménagements ou utilisation des trémies ou des colonnes de descente
[Problem] To provide: a copper alloy powder which is a metal powder to be used for deposition modeling by a laser beam system, and which achieves a higher laser absorption rate, while being able to be suppressed in heat transfer through necking; and a method for producing this copper alloy powder. [Solution] A copper alloy powder which contains one or more elements selected from among Cr, Zr and Nb in a total amount of 15 wt% or less, with the balance being made up of Cu and unavoidable impurities, and which is characterized in that: a coating film containing Si atoms is formed on the copper alloy powder; and the Si concentration in the copper alloy powder with the coating film is from 5 wt ppm to 700 wt ppm.
B22F 1/02 - Traitement particulier des poudres métalliques, p.ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre, d'améliorer leurs propriétés; Poudres métalliques en soi, p.ex. mélanges de particules de compositions différentes comportant un enrobage des particules
C21D 9/02 - Traitement thermique, p. ex. recuit, durcissement, trempe ou revenu, adapté à des objets particuliersFours à cet effet pour ressorts
C22F 1/08 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid du cuivre ou de ses alliages
G03B 3/10 - Mise au point effectuée par force motrice
2) for 1 minute. A copper clad laminate 10 includes the surface treated copper foil 1 and an insulating substrate 11 adhered to the first surface treatment layer 3 of the surface treated copper foil 1.
H05K 3/38 - Amélioration de l'adhérence entre le substrat isolant et le métal
C25D 5/00 - Dépôt électrochimique caractérisé par le procédéPrétraitement ou post-traitement des pièces
C25D 5/12 - Dépôt de plusieurs couches du même métal ou de métaux différents au moins une couche étant du nickel ou du chrome
B32B 15/04 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal comprenant un métal comme seul composant ou comme composant principal d'une couche adjacente à une autre couche d'une substance spécifique
B32B 15/20 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal comportant de l'aluminium ou du cuivre
H05K 1/09 - Emploi de matériaux pour réaliser le parcours métallique
H05K 3/02 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés dans lesquels le matériau conducteur est appliqué à la surface du support isolant et est ensuite enlevé de zones déterminées de la surface, non destinées à servir de conducteurs de courant ou d'éléments de blindage
H05K 3/06 - Élimination du matériau conducteur par voie chimique ou électrolytique, p. ex. par le procédé de photo-décapage
B32B 15/01 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal toutes les couches étant composées exclusivement de métal
C22C 9/04 - Alliages à base de cuivre avec le zinc comme second constituant majeur
C25D 5/14 - Dépôt de plusieurs couches du même métal ou de métaux différents au moins une couche étant du nickel ou du chrome plusieurs couches étant du nickel ou du chrome, p. ex. couches doubles ou triples
C25D 3/04 - Dépôt électrochimiqueBains utilisés à partir de solutions de chrome
C25D 3/12 - Dépôt électrochimiqueBains utilisés à partir de solutions de nickel ou de cobalt
C25D 3/38 - Dépôt électrochimiqueBains utilisés à partir de solutions de cuivre
C25D 3/56 - Dépôt électrochimiqueBains utilisés à partir de solutions d'alliages
Provided is a corrosion-resistant CuZn alloy, in which: the Zn content is 36.8 to 56.5 mass % and the balance is Cu and inevitable impurities; and the β-phase surface area percentage is 99.9% or greater.
C22C 9/04 - Alliages à base de cuivre avec le zinc comme second constituant majeur
C22F 1/08 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid du cuivre ou de ses alliages
A surface treated copper foil 1 includes a copper foil 2, and a first surface treatment layer 3 formed on one surface of the copper foil 2. The first surface treatment layer 3 of the surface treated copper foil 1 has a root mean square gradient of roughness curve elements RΔq according to JIS B0601:2013 of 5 to 28°. A copper clad laminate 10 includes the surface treated copper foil 1 and an insulating substrate 11 adhered to the first surface treatment layer 3 of the surface treated copper foil 1.
H05K 1/03 - Emploi de matériaux pour réaliser le substrat
H05K 1/09 - Emploi de matériaux pour réaliser le parcours métallique
H05K 1/11 - Éléments imprimés pour réaliser des connexions électriques avec ou entre des circuits imprimés
H05K 3/00 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés
H05K 3/02 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés dans lesquels le matériau conducteur est appliqué à la surface du support isolant et est ensuite enlevé de zones déterminées de la surface, non destinées à servir de conducteurs de courant ou d'éléments de blindage
H05K 3/38 - Amélioration de l'adhérence entre le substrat isolant et le métal
B23B 27/14 - Outils de coupe sur lesquels les taillants ou éléments tranchants sont en matériaux particulier
C03C 17/10 - Traitement de surface du verre, p. ex. du verre dévitrifié, autre que sous forme de fibres ou de filaments, par revêtement par des métaux par dépôt à partir d'une phase liquide
C03C 17/34 - Traitement de surface du verre, p. ex. du verre dévitrifié, autre que sous forme de fibres ou de filaments, par revêtement avec au moins deux revêtements ayant des compositions différentes
C03C 17/36 - Traitement de surface du verre, p. ex. du verre dévitrifié, autre que sous forme de fibres ou de filaments, par revêtement avec au moins deux revêtements ayant des compositions différentes un revêtement au moins étant un métal
C23C 28/04 - Revêtements uniquement de matériaux inorganiques non métalliques
C23C 14/06 - Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement caractérisé par le matériau de revêtement
E06B 3/67 - Blocs comprenant plusieurs panneaux de verre ou analogues qui sont espacés et fixés les uns aux autres de façon permanente, p. ex. le long des bords caractérisés par des aménagements ou des dispositifs additionnels pour l'isolation thermique ou acoustique
B32B 15/01 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal toutes les couches étant composées exclusivement de métal
B32B 15/04 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal comprenant un métal comme seul composant ou comme composant principal d'une couche adjacente à une autre couche d'une substance spécifique
B32B 15/08 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal comprenant un métal comme seul composant ou comme composant principal d'une couche adjacente à une autre couche d'une substance spécifique de résine synthétique
B32B 15/20 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal comportant de l'aluminium ou du cuivre
C25D 5/00 - Dépôt électrochimique caractérisé par le procédéPrétraitement ou post-traitement des pièces
C25D 5/12 - Dépôt de plusieurs couches du même métal ou de métaux différents au moins une couche étant du nickel ou du chrome
H05K 3/06 - Élimination du matériau conducteur par voie chimique ou électrolytique, p. ex. par le procédé de photo-décapage
C22C 9/04 - Alliages à base de cuivre avec le zinc comme second constituant majeur
C25D 5/14 - Dépôt de plusieurs couches du même métal ou de métaux différents au moins une couche étant du nickel ou du chrome plusieurs couches étant du nickel ou du chrome, p. ex. couches doubles ou triples
C25D 3/04 - Dépôt électrochimiqueBains utilisés à partir de solutions de chrome
C25D 3/12 - Dépôt électrochimiqueBains utilisés à partir de solutions de nickel ou de cobalt
C25D 3/38 - Dépôt électrochimiqueBains utilisés à partir de solutions de cuivre
C25D 3/56 - Dépôt électrochimiqueBains utilisés à partir de solutions d'alliages
The present invention provides a method for producing lithium hydroxide, said method enabling the production of lithium hydroxide from lithium sulfate at a relatively low cost. A method for producing lithium hydroxide from lithium sulfate, said method comprising: a hydroxylation step wherein a lithium hydroxide solution is obtained by reacting the lithium sulfate with barium hydroxide in a liquid; a barium removal step wherein barium ions are removed from the lithium hydroxide solution with use of a cation exchange resin and/or a chelating resin; and a crystal precipitation step wherein lithium hydroxide is precipitated in the lithium hydroxide solution after the barium removal step.
C22B 3/04 - Extraction de composés métalliques par voie humide à partir de minerais ou de concentrés par lixiviation
C22B 3/06 - Extraction de composés métalliques par voie humide à partir de minerais ou de concentrés par lixiviation dans des solutions inorganiques acides
C22B 3/20 - Traitement ou purification de solutions, p. ex. de solutions obtenues par lixiviation
C22B 3/26 - Traitement ou purification de solutions, p. ex. de solutions obtenues par lixiviation par extraction liquide-liquide utilisant des composés organiques
C22B 3/42 - Traitement ou purification de solutions, p. ex. de solutions obtenues par lixiviation par extraction utilisant l'échange d'ions
C22B 19/20 - Obtention du zinc autrement que par distillation
A method for producing mixed metal salts containing manganese ions and at least one of cobalt ions and nickel ions, the method including: an Al removal step of subjecting an acidic solution containing at least manganese ions and aluminum ions, and at least one of cobalt ions and nickel ions, to removal of the aluminum ions by extracting the aluminum ions into a solvent, the acidic solution being obtained by subjecting battery powder of lithium ion batteries to a leaching step; and a precipitation step of neutralizing an extracted residual liquid obtained in the Al removal step under conditions where a pH is less than 10.0, to precipitate mixed metal salts comprising a metal salt of manganese and a metal salt of at least one of cobalt and nickel.
B09B 3/00 - Destruction de déchets solides ou transformation de déchets solides en quelque chose d'utile ou d'inoffensif
B09B 5/00 - Opérations non couvertes par une seule autre sous-classe ou par un seul autre groupe de la présente sous-classe
C22B 3/26 - Traitement ou purification de solutions, p. ex. de solutions obtenues par lixiviation par extraction liquide-liquide utilisant des composés organiques
Provided is a method for efficiently promoting a leaching reaction of copper. Equipment for leaching copper includes a reactor for leaching reaction and a controller for oxidation-reduction potential. The reactor is configured to be provided with a leaching solution containing iodine and iron. The reactor is configured to be capable of being tightly sealed during the leaching reaction. The controller for oxidation-reduction potential is configured so that, during the leaching reaction, the oxidation-reduction potential of the leaching solution can be maintained at 500 mV (based on Ag/AgCl reference) or higher.
The purpose of the present invention is to provide a metal plate with which it is possible to, when a closed space is formed using the metal plate and a resin member, improve the sealing properties between the interior and the exterior of the closed space. A metal plate according to the present invention has, on the surface thereof, a covered region that is covered by a resin member, wherein there is a recess formation region including at least one striated recess that is formed as recessed from the surface of the metal plate so as to intersect a direction in which the surface of the metal plate is scanned from the interior of a closed space, which is formed using a member including the metal plate and the resin member, to the exterior of the closed space.
H01L 23/50 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p. ex. fils de connexion ou bornes pour des dispositifs à circuit intégré
H01L 23/28 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
The present invention provides a method for producing lithium hydroxide, said method enabling the production of lithium hydroxide from lithium sulfate at a relatively low cost. A method for producing lithium hydroxide from lithium sulfate, said method comprising: a hydroxylation step wherein a lithium hydroxide solution is obtained by reacting the lithium sulfate with barium hydroxide in a liquid; a barium removal step wherein barium ions are removed from the lithium hydroxide solution with use of a cation exchange resin and/or a chelating resin; and a crystal precipitation step wherein lithium hydroxide is precipitated in the lithium hydroxide solution after the barium removal step.
B01J 39/07 - Procédés utilisant des échangeurs organiques sous forme faiblement acide
B09B 5/00 - Opérations non couvertes par une seule autre sous-classe ou par un seul autre groupe de la présente sous-classe
C22B 3/04 - Extraction de composés métalliques par voie humide à partir de minerais ou de concentrés par lixiviation
C22B 3/06 - Extraction de composés métalliques par voie humide à partir de minerais ou de concentrés par lixiviation dans des solutions inorganiques acides
C22B 3/20 - Traitement ou purification de solutions, p. ex. de solutions obtenues par lixiviation
C22B 3/26 - Traitement ou purification de solutions, p. ex. de solutions obtenues par lixiviation par extraction liquide-liquide utilisant des composés organiques
C22B 3/42 - Traitement ou purification de solutions, p. ex. de solutions obtenues par lixiviation par extraction utilisant l'échange d'ions
C22B 7/00 - Mise en œuvre de matériaux autres que des minerais, p. ex. des rognures, pour produire des métaux non ferreux ou leurs composés
C22B 19/20 - Obtention du zinc autrement que par distillation
2. A copper clad laminate 10 includes the surface treated copper foil 1 and an insulating substrate 11 adhered to the first surface treatment layer 3 of the surface treated copper foil 1.
H05K 1/09 - Emploi de matériaux pour réaliser le parcours métallique
H05K 1/14 - Association structurale de plusieurs circuits imprimés
H05K 3/00 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés
H05K 3/02 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés dans lesquels le matériau conducteur est appliqué à la surface du support isolant et est ensuite enlevé de zones déterminées de la surface, non destinées à servir de conducteurs de courant ou d'éléments de blindage
H05K 3/06 - Élimination du matériau conducteur par voie chimique ou électrolytique, p. ex. par le procédé de photo-décapage
H05K 3/36 - Assemblage de circuits imprimés avec d'autres circuits imprimés
H05K 3/38 - Amélioration de l'adhérence entre le substrat isolant et le métal
B32B 15/01 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal toutes les couches étant composées exclusivement de métal
B32B 15/08 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal comprenant un métal comme seul composant ou comme composant principal d'une couche adjacente à une autre couche d'une substance spécifique de résine synthétique
C25D 5/10 - Dépôt de plusieurs couches du même métal ou de métaux différents
C25D 5/00 - Dépôt électrochimique caractérisé par le procédéPrétraitement ou post-traitement des pièces
C25D 5/12 - Dépôt de plusieurs couches du même métal ou de métaux différents au moins une couche étant du nickel ou du chrome
B32B 15/04 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal comprenant un métal comme seul composant ou comme composant principal d'une couche adjacente à une autre couche d'une substance spécifique
B32B 15/20 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal comportant de l'aluminium ou du cuivre
C22C 9/04 - Alliages à base de cuivre avec le zinc comme second constituant majeur
C25D 5/14 - Dépôt de plusieurs couches du même métal ou de métaux différents au moins une couche étant du nickel ou du chrome plusieurs couches étant du nickel ou du chrome, p. ex. couches doubles ou triples
C25D 3/04 - Dépôt électrochimiqueBains utilisés à partir de solutions de chrome
C25D 3/12 - Dépôt électrochimiqueBains utilisés à partir de solutions de nickel ou de cobalt
C25D 3/38 - Dépôt électrochimiqueBains utilisés à partir de solutions de cuivre
C25D 3/56 - Dépôt électrochimiqueBains utilisés à partir de solutions d'alliages
A surface treated copper foil 1 includes a copper foil 2, and a first surface treatment layer 3 formed on one surface of the copper foil 2. The first surface treatment layer 3 of the surface treated copper foil 1 has L* of a CIE L*a*b* color space of 44.0 to 84.0. A copper clad laminate 10 includes the surface treated copper foil 1 and an insulating substrate 11 adhered to a surface of the surface treated copper foil 1 opposite to the first surface treatment layer 3.
H05K 1/09 - Emploi de matériaux pour réaliser le parcours métallique
H05K 3/38 - Amélioration de l'adhérence entre le substrat isolant et le métal
C25D 5/00 - Dépôt électrochimique caractérisé par le procédéPrétraitement ou post-traitement des pièces
C25D 5/12 - Dépôt de plusieurs couches du même métal ou de métaux différents au moins une couche étant du nickel ou du chrome
B32B 15/04 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal comprenant un métal comme seul composant ou comme composant principal d'une couche adjacente à une autre couche d'une substance spécifique
B32B 15/20 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal comportant de l'aluminium ou du cuivre
H05K 3/02 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés dans lesquels le matériau conducteur est appliqué à la surface du support isolant et est ensuite enlevé de zones déterminées de la surface, non destinées à servir de conducteurs de courant ou d'éléments de blindage
H05K 3/06 - Élimination du matériau conducteur par voie chimique ou électrolytique, p. ex. par le procédé de photo-décapage
B32B 15/01 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal toutes les couches étant composées exclusivement de métal
C22C 9/04 - Alliages à base de cuivre avec le zinc comme second constituant majeur
C25D 5/14 - Dépôt de plusieurs couches du même métal ou de métaux différents au moins une couche étant du nickel ou du chrome plusieurs couches étant du nickel ou du chrome, p. ex. couches doubles ou triples
C25D 3/04 - Dépôt électrochimiqueBains utilisés à partir de solutions de chrome
C25D 3/12 - Dépôt électrochimiqueBains utilisés à partir de solutions de nickel ou de cobalt
C25D 3/38 - Dépôt électrochimiqueBains utilisés à partir de solutions de cuivre
C25D 3/56 - Dépôt électrochimiqueBains utilisés à partir de solutions d'alliages
Provided is a method for efficiently promoting a leaching reaction of copper. Equipment for inducing leaching of copper, wherein: the equipment comprises a leaching reaction reactor and a reduction potential controller; the reactor is configured so that a leaching liquid containing iodine and iron is supplied; the reactor is configured to be capable of being tightly shut during the leaching reaction; and the reduction potential controller is configured so that, during the leaching reaction, the reduction potential of the leaching liquid is maintained at 500 mV (based on Ag/AgCl) or higher.
A method for producing a metal mixture solution which contains manganese ions, and cobalt ions and/or nickel ions, said method comprising: an Al removal step wherein aluminum ions are removed from an acidic solution, which is obtained by subjecting a battery powder of a lithium ion battery waste to a leaching step, and which contains at least manganese ions, aluminum ions, and cobalt ions and/or nickel ions, by extracting the aluminum ions into a solvent, while having at least some of the manganese ions in the acidic solution remain in the aqueous phase; and a metal extraction step wherein the equilibrium pH of the extraction residue solution obtained in the Al removal step is adjusted to a value within the range of from 6.5 to 7.5 with use of a solvent that contains a carboxylic acid-based extractant, and after extracting the manganese ions and the cobalt ions and/or the nickel ions in the extraction residue solution into the solvent, the manganese ions and the cobalt ions and/or the nickel ions are back-extracted from the solvent.
H01M 10/54 - Récupération des parties utiles des accumulateurs usagés
C22B 3/26 - Traitement ou purification de solutions, p. ex. de solutions obtenues par lixiviation par extraction liquide-liquide utilisant des composés organiques
A method for producing a mixed metal salt that contains a manganese ion, and a cobalt ion and/or a nickel ion, said method comprising: an Al removal step wherein aluminum ions are removed from an acidic solution, which is obtained by subjecting a battery powder of a lithium ion battery waste to a leaching step, and which contains at least manganese ions, aluminum ions, and cobalt ions and/or nickel ions, by extracting the aluminum ions into a solvent; and a precipitation step wherein the extraction residue solution obtained in the Al removal step is neutralized under the conditions where the pH thereof is less than 10.0, so that a mixed metal salt that contains a metal salt of manganese and a metal salt of cobalt and/or nickel is precipitated.
C22B 3/26 - Traitement ou purification de solutions, p. ex. de solutions obtenues par lixiviation par extraction liquide-liquide utilisant des composés organiques
C04B 35/01 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base d'oxydes
Provided is a sputtering target, the sputtering target containing 0.05 at % or more of Bi and having a total content of metal oxides of from 10 vol % to 60 vol %, the balance containing at least Co and Pt.
C22C 19/07 - Alliages à base de nickel ou de cobalt, seuls ou ensemble à base de cobalt
G11B 5/706 - Supports d'enregistrement caractérisés par l'emploi d'un matériau spécifié comportant une ou plusieurs couches de particules magnétisables mélangées de façon homogène avec un produit de liaison sur une couche de base caractérisés par la composition du matériau magnétique
H01F 1/10 - Aimants ou corps magnétiques, caractérisés par les matériaux magnétiques appropriésEmploi de matériaux spécifiés pour leurs propriétés magnétiques en matériaux inorganiques caractérisés par leur coercivité en matériaux magnétiques durs substances non métalliques, p. ex. ferrites
H01F 41/18 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateursAppareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques pour appliquer des pellicules magnétiques sur des substrats par pulvérisation cathodique
G11B 5/65 - Supports d'enregistrement caractérisés par l'emploi d'un matériau spécifié comportant uniquement le matériau magnétique, sans produit de liaison caractérisé par sa composition
C04B 35/01 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base d'oxydes
C23C 14/14 - Matériau métallique, bore ou silicium
C22C 32/00 - Alliages non ferreux contenant entre 5 et 50% en poids d'oxydes, de carbures, de borures, de nitrures, de siliciures ou d'autres composés métalliques, p. ex. oxynitrures, sulfures, qu'ils soient soient ajoutés comme tels ou formés in situ
C22C 1/04 - Fabrication des alliages non ferreux par métallurgie des poudres
88.
COMPOSITION ANALYSIS METHOD FOR ELECTRONIC/ELECTRICAL EQUIPMENT COMPONENT WASTE, PROCESSING METHOD FOR ELECTRONIC/ELECTRICAL EQUIPMENT COMPONENT WASTE, COMPOSITION ANALYZER FOR ELECTRONIC/ELECTRICAL EQUIPMENT COMPONENT WASTE, AND PROCESSING DEVICE FOR ELECTRONIC/ELECTRICAL EQUIPMENT COMPONENT WASTE
Provided are a composition analysis method for electronic/electrical equipment component waste, a processing method for electronic/electrical equipment component waste, a composition analyzer for electronic/electrical equipment component waste, and a processing device for electronic/electrical equipment component waste which can efficiently analyze the composition of component waste in the electronic/electrical equipment component waste in a short time regardless of the experience and skill of each individual. The composition analysis method for electronic/electrical equipment component waste is characterized by comprising: extracting electronic/electrical equipment component waste from a captured image obtained by capturing a plurality of electronic/electrical equipment component wastes including a plurality of types of components; assigning, to the extracted electronic/electrical equipment component waste, a recognition frame including an image encompassing the electronic/electrical equipment component waste and a background surrounding the electronic/electrical equipment component waste; estimating for the respective component types, on the basis of component type area ratio data containing information on the area ratio of the electronic/electrical equipment component waste to the recognition frame, the total area of the electronic/electrical equipment component waste with the assigned recognition frame; multiplying the total area estimation result by assumed weight per unit area for the respective component types; and analyzing the weight ratio of the electronic/electrical equipment component waste for the respective component types to thereby analyze the composition of the electronic/electrical equipment component wastes in the captured image.
B07C 5/00 - Tri selon une caractéristique ou une particularité des objets ou du matériau à trier, p. ex. tri commandé par un dispositif qui détecte ou mesure cette caractéristique ou particularitéTri à l'aide de dispositifs manœuvrés à la main, p. ex. d'aiguillages
B09B 5/00 - Opérations non couvertes par une seule autre sous-classe ou par un seul autre groupe de la présente sous-classe
G01N 21/27 - CouleurPropriétés spectrales, c.-à-d. comparaison de l'effet du matériau sur la lumière pour plusieurs longueurs d'ondes ou plusieurs bandes de longueurs d'ondes différentes en utilisant la détection photo-électrique
89.
HEAT TREATMENT METHOD FOR BATTERY WASTE AND LITHIUM RECOVERY METHOD
A method for heat-treating battery waste containing lithium includes: allowing an atmospheric gas containing oxygen and at least one selected from the group consisting of nitrogen, carbon dioxide and water vapor to flow in a heat treatment furnace in which the battery waste is arranged, and heating the battery waste while adjusting an oxygen partial pressure in the furnace.
This heat treatment method for battery-waste containing lithium comprises: causing an atmospheric gas containing oxygen and at least one selected from the group consisting of nitrogen, carbon dioxide, and water vapor to flow in a heat treatment furnace in which battery waste is disposed; and heating the battery waste while adjusting the partial pressure of oxygen in the furnace.
B09B 3/00 - Destruction de déchets solides ou transformation de déchets solides en quelque chose d'utile ou d'inoffensif
H01M 10/54 - Récupération des parties utiles des accumulateurs usagés
91.
METHOD FOR ANALYZING COMPOSITION OF ELECTRONIC/ELECTRICAL APPARATUS COMPONENT LAYER, METHOD FOR PROCESSING ELECTRONIC/ELECTRICAL APPARATUS COMPONENT LAYER, DEVICE FOR ANALYZING COMPOSITION OF ELECTRONIC/ELECTRICAL APPARATUS COMPONENT LAYER, AND DEVICE FOR PROCESSING ELECTRONIC/ELECTRICAL APPARATUS COMPONENT LAYER
Provided are a method for analyzing the composition of an electronic/electrical apparatus component layer, a method for processing an electronic/electrical apparatus component layer, a device for analyzing the composition of an electronic/electrical apparatus component layer, and a device for processing an electronic/electrical apparatus component layer that make it possible to improve the precision of image recognition, and to efficiently analyze the component layer composition of an electronic/electrical apparatus component layer irrespective of the experience or skill of a person. A method for analyzing the composition of an electronic/electrical apparatus component layer, the method including: extracting an electronic/electrical apparatus component layer from within a captured image in which is captured a raw material including a plurality of electronic/electrical apparatus component layers including a plurality of types of components, through use of an image recognition process in which is used a machine learning system, and then performing compositional analysis; and setting the reliability of the machine learning system to a first threshold value when information about the raw material constituting the subject of compositional analysis is reflected in learning data used in learning by the machine learning system, or setting said reliability to a second threshold value lower than the first threshold value and extracting an electronic/electrical apparatus component layer when information about the raw material constituting the subject of compositional analysis is not reflected in the learning data.
B07C 5/00 - Tri selon une caractéristique ou une particularité des objets ou du matériau à trier, p. ex. tri commandé par un dispositif qui détecte ou mesure cette caractéristique ou particularitéTri à l'aide de dispositifs manœuvrés à la main, p. ex. d'aiguillages
B09B 5/00 - Opérations non couvertes par une seule autre sous-classe ou par un seul autre groupe de la présente sous-classe
G01N 21/27 - CouleurPropriétés spectrales, c.-à-d. comparaison de l'effet du matériau sur la lumière pour plusieurs longueurs d'ondes ou plusieurs bandes de longueurs d'ondes différentes en utilisant la détection photo-électrique
92.
METHOD FOR REMOVING LINEAR OBJECTS, DEVICE FOR REMOVING LINEAR OBJECTS, AND METHOD FOR PROCESSING ELECTRONIC/ELECTRICAL EQUIPMENT COMPONENT WASTE
Provided are a method for removing linear objects, a device for removing linear objects, and a method for processing electronic/electrical equipment component waste with which make it possible to improve separation efficiency. The method for removing linear objects comprises: arranging a plurality of filters 3 inside a vibration sieve machine 1 adjacent to one another so as to partially overlap one another along the material supply direction, the filters 3 being provided with a plurality of rods 2 extending at intervals along the supply direction and a beam part 21 for supporting the plurality of rods 2 at one ends of the plurality of rods 2, the other ends 2b of the plurality of rods 2 being free ends; arranging a guide 6 below the tip end of the filter 3 positioned on the most downstream side in the supply direction; supplying materials including at least linear objects and plate-like objects to the inside of the vibration sieve machine 1; applying vibration to the filter 3; and sieving linear objects to the lower side of the sieve in the vibration sieve machine 1 and capturing a lump of linear objects by the guide 6, thereby separating the lump of linear objects from the plate-like objects.
B07B 1/12 - Appareils ayant uniquement des éléments parallèles
B07B 9/00 - Combinaisons d'appareils à cribler ou tamiser ou à séparer des solides par utilisation de courants de gazDisposition générale des installations, p. ex. schéma opératoire
B09B 5/00 - Opérations non couvertes par une seule autre sous-classe ou par un seul autre groupe de la présente sous-classe
93.
METHOD FOR REMOVING LINEAR OBJECTS, DEVICE FOR REMOVING LINEAR OBJECTS, AND METHOD FOR PROCESSING ELECTRONIC/ELECTRICAL EQUIPMENT COMPONENT WASTE
Provided is a method for removing a linear object, a device for removing a linear object, and a method for processing electronic/electrical equipment component waste, which can improve separation efficiency. The method for removing linear objects including: arranging a plurality of filters 3 in a vibrating sieve machine 1 such that the filters 3 are adjacent to each other so as to partially overlap with each other in a feed direction of a raw material, each of the filters 3 comprising a plurality of rods 2 extending at distances in the feed direction of the raw material and a beam portion 21 supporting the plurality of rods 1 at one ends of the plurality of the rods 2, the other ends of the plurality of the rods 2 being free ends; arranging a guide 6 below a tip of one of the filters 3 located on a most downstream side in the feed direction; feeding the raw material containing at least linear objects and plate-form objects into the vibrating sieve machine 1; and sorting the linear objects and the plate-form objects by vibrating the filters 3, sieving the linear objects to an under-sieve side of the vibrating sieve machine 1, and capturing lumpy linear objects with the guide.
B07B 1/12 - Appareils ayant uniquement des éléments parallèles
B07B 9/00 - Combinaisons d'appareils à cribler ou tamiser ou à séparer des solides par utilisation de courants de gazDisposition générale des installations, p. ex. schéma opératoire
B09B 5/00 - Opérations non couvertes par une seule autre sous-classe ou par un seul autre groupe de la présente sous-classe
94.
HIGH-PURITY MOLYBDENUM OXYCHLORIDE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
322; and by precipitating the molybdenum oxychloride in a recovery chamber by cooling the synthesized molybdenum oxychloride gas, the manufacturing method being characterized in that an impurity trap is provided between the reaction chamber and the recovery chamber, and impurities are removed at the impurity trap. The present invention addresses the problem of providing a high-purity molybdenum oxychloride and a manufacturing method therefor.
C23C 16/08 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir d'halogénures métalliques
95.
SILVER-PLATED MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCING SAME, CONTACT OR TERMINAL COMPONENT, AND AUTOMOBILE
A silver-plated material having a silver coating film formed on a base material. In the silver-plated material, the silver coating film contains 0.05 to 0.25% by mass of sulfur. The plated material can be produced by subjecting the base material to electroplating using a silver plating bath containing a sulfide.
A silver plating material 10 in which a silver plating film 2 is formed on a substrate 1. In the silver plating material 10, the silver plating film 2 has a layered crystal structure in which a plurality of sheet-form layers are layered.
Provided is a sputtering target containing 0.05 at % or more of Bi, and having a total content of metal oxides of from 10 vol % to 70 vol %, the balance containing at least Ru.
A YAG ceramic joined body comprising a YAG ceramic joined to a YAG ceramic or an optical glass, characterized in that glass is provided as a joining layer and the rate of change of transmittance is 7% or less. The invention addresses the problem of providing a joined body in which a YAG ceramic is joined to a YAG ceramic or a YAG ceramic is joined to an optical glass, wherein the reflection of light at the joining interface is suppressed, and providing a production method therefor.
C04B 37/00 - Liaison des articles céramiques cuits avec d'autres articles céramiques cuits ou d'autres articles, par chauffage
C04B 35/505 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de composés de terres rares à base d'oxyde d'yttrium
Provided are a packaging container capable of enhancing strength thereof, a packaging method, and a method for transporting metal foil. The packaging container is made of a corrugated cardboard and is provided with: a pallet 2 having a leg part 21; a barrel frame 3 arranged on the pallet 2 and having bearing grooves 31 on end wall parts 32 facing each other; and a lid part 4 provided on the barrel frame 3, wherein the barrel frame 3 has a cylindrical barrel frame body 30 and at least one auxiliary frame 34, 35 laminated on the barrel frame body 30.
B65D 19/26 - Palettes rigides sans parois latérales avec corps formés par jonction ou union de plusieurs éléments
B65D 19/44 - Éléments ou dispositifs pour placer les objets sur les plates-formes
B65D 85/672 - Réceptacles, éléments d'emballage ou paquets spécialement adaptés à des objets ou à des matériaux particuliers pour matériaux du genre bande ou ruban enroulés en spirale plate sur noyaux
