Abrégé

A strobe head apparatus and associated components and methods. The strobe head apparatus includes a head connector, a flashlamp housing assembly, a flow tube assembly, and a flashlamp cartridge assembly. The flashlamp cartridge assembly includes a distal portion configured to be at least partially received in the flow tube assembly and a proximal portion configured to engage the head connector in electrical compliance. The flashlamp cartridge assembly includes a lamp and a plurality of electrical pathways extending along the lamp. The proximal portion includes a plurality of prongs. The head connector includes an electrical interconnect assembly configured to secure the prongs in electrical engagement and includes a fluid interconnect assembly configured to provide a supply of cooling fluid to the flashlamp housing assembly and the flow tube assembly.

Classes IPC  ?

• H01J 61/52 - Dispositions de réfrigérationDispositions de chauffageMoyens pour faire circuler un gaz ou une vapeur à l'intérieur de l'espace de décharge
• H01J 61/80 - Lampes conçues pour un fonctionnement exclusivement intermittent, p. ex. lampe-éclair
• H05B 41/30 - Circuits dans lesquels la lampe est alimentée par impulsions, p. ex. lampe éclair

Abrégé

Temporary electronics carrier structures and associated systems and methods. A carrier structure for temporarily carrying an electronics structure to be debonded from the carrier structure. The carrier structure includes a roughened surface that has an average surface roughness between about 50nm and about 5 microns. A temporarily bonded stack includes the carrier structure, an electronics structure, and a temporary adhesive located between the carrier structure and the electronics structure. A system for debonding the temporarily bonded stack includes a light source configured to emit light into the carrier structure toward a roughened face thereof.

Classes IPC  ?

• B32B 43/00 - Opérations spécialement adaptées aux produits stratifiés et non prévues ailleurs, p. ex. réparationAppareils pour ces opérations
• H10P 56/00 -

Abrégé

Apparatus and associated methods for thermally processing sets of items are disclosed. An illuminator illuminates a first set of items to thermally process the first set of items. To permit the illuminator to illuminate the full scope of the first set of items, the illuminator is moved relative to the first set of items and/or the first set of items is moved relative to the illuminator. Heat from an illuminated first item is transferred to a second item not yet illuminated. To account for the preheating of the second item, illumination of the second item is adjusted relative to illumination of the first item.

Classes IPC  ?

• B05D 3/02 - Traitement préalable des surfaces sur lesquelles des liquides ou d'autres matériaux fluides doivent être appliquésTraitement ultérieur des revêtements appliqués, p. ex. traitement intermédiaire d'un revêtement déjà appliqué, pour préparer les applications ultérieures de liquides ou d'autres matériaux fluides par cuisson
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
• H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p. ex. entre différents postes de travail
• H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces

Abrégé

A temporary stack for temporarily carrying an electronics structure for processing includes a reusable carrier structure and an electronics structure carried on the carrier structure. A bonding layer temporarily bonds the electronics structure to the carrier structure. The carrier structure includes a heat-generating layer configured to generate debonding heat for weakening the bonding layer. The bonding layer comprises at least one adhesive material. A method of debonding the temporary stack includes placing the stack in operative engagement with a source of debonding energy to generate debonding heat.

Classes IPC  ?

• H01L 21/673 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants utilisant des supports spécialement adaptés
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension

Abrégé

Apparatus and associated methods for thermally processing sets of items are disclosed. An illuminator illuminates a first set of items to thermally process the first set of items. To permit the illuminator to illuminate the full scope of the first set of items, the illuminator is moved relative to the first set of items and/or the first set of items is moved relative to the illuminator. Heat from an illuminated first item is transferred to a second item not yet illuminated. To account for the preheating of the second item, illumination of the second item is adjusted relative to illumination of the first item.

Classes IPC  ?

• H05K 13/08 - Contrôle de la fabrication des ensembles
• H05K 3/12 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés dans lesquels le matériau conducteur est appliqué au support isolant de manière à former le parcours conducteur recherché utilisant la technique de l'impression pour appliquer le matériau conducteur
• B05D 3/06 - Traitement préalable des surfaces sur lesquelles des liquides ou d'autres matériaux fluides doivent être appliquésTraitement ultérieur des revêtements appliqués, p. ex. traitement intermédiaire d'un revêtement déjà appliqué, pour préparer les applications ultérieures de liquides ou d'autres matériaux fluides par exposition à des rayonnements
• H05B 41/34 - Circuits dans lesquels la lampe est alimentée par impulsions, p. ex. lampe éclair pour fournir une série d'éclairs
• H05B 41/39 - Commande de l'intensité de la lumière en continuité

Abrégé

Methods and corresponding structures for fabricating an integrated electronics structure are provided. A temporary stack is provided that includes a carrier body, a bonding layer, and an electronics structure base that is crystallographically grown on the bonding layer. An electronics structure is built on the electronics structure base, defining an integrated electronics structure that includes the electronics structure base and the electronics structure. A pulse of light is used to weaken the bonding layer, and the integrated electronics structure is separated from the carrier body.

Classes IPC  ?

• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
• B32B 43/00 - Opérations spécialement adaptées aux produits stratifiés et non prévues ailleurs, p. ex. réparationAppareils pour ces opérations
• C09J 5/06 - Procédés de collage en généralProcédés de collage non prévus ailleurs, p. ex. relatifs aux amorces comprenant un chauffage de l'adhésif appliqué
• H01L 21/673 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants utilisant des supports spécialement adaptés

Abrégé

A reusable carrier structure for temporarily carrying electronics structures to be debonded from the carrier structure by a debonding light during temporary bonding cycles. The reusable carrier structure includes a carrier body that is substantially transparent to at least some of the debonding light, a light-absorbing layer. The reusable carrier structure can include a passivation layer configured to protect the light-absorbing layer from degradation so the carrier structure can be used in multiple temporary bonding cycles in which the carrier structure is adhesively bonded to the reusable carrier structure. The reusable can include a protective interlayer configured to protect a carrying surface of the carrier body from degradation during bonding cycles.

Classes IPC  ?

• H01L 21/68 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le positionnement, l'orientation ou l'alignement
• B81C 1/00 - Fabrication ou traitement de dispositifs ou de systèmes dans ou sur un substrat

Abrégé

A reusable carrier structure for temporarily carrying electronics structures to be debonded from the carrier structure by a debonding light during temporary bonding cycles. The reusable carrier structure includes a carrier body that is substantially transparent to at least some of the debonding light, a light-absorbing layer. The reusable carrier structure can include a passivation layer configured to protect the light-absorbing layer from degradation so the carrier structure can be used in multiple temporary bonding cycles in which the carrier structure is adhesively bonded to the reusable carrier structure. The reusable can include a protective interlayer configured to protect a carrying surface of the carrier body from degradation during bonding cycles.

Classes IPC  ?

• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension

Abrégé

A method for attaching and detaching electronics structures during integrated circuit manufacturing is disclosed. A stack is formed including a carrier and an electronics structure. Between the carrier and electronics structure, a broadband absorber layer is provided. The broadband absorber layer includes broadband absorber material and polymer. A layer of ultraviolet (UV) light curable adhesive is also provided between the carrier and the electronics structure. UV light is directed through the carrier in order to cure the UV curable adhesive. The electronics structure can be processed while secured to the carrier. The electronics structure is removable from the carrier by transmitting a light pulse from a flashlamp through the carrier to heat the broadband absorber layer. The heat can decompose the polymer to permit removal of the electronics structure from the carrier.

Classes IPC  ?

• B32B 38/10 - Enlèvement de couches ou de parties de couches, mécaniquement ou chimiquement
• C09J 5/06 - Procédés de collage en généralProcédés de collage non prévus ailleurs, p. ex. relatifs aux amorces comprenant un chauffage de l'adhésif appliqué
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
• B32B 37/12 - Procédés ou dispositifs pour la stratification, p. ex. par polymérisation ou par liaison à l'aide d'ultrasons caractérisés par l'usage d'adhésifs

Abrégé

A method for debonding a wafer from a bonded wafer stack is disclosed. Initially, a light-absorbing layer is placed on a carrier. A wafer is then attached to the light-absorbing layer of the carrier via an adhesive layer to form a bonded wafer stack. After processing the wafer has been processed, a light pulse from a flashlamp is applied to a non-wafer side of the carrier to heat the light-absorbing layer and the adhesive layer in order to loosen the wafer from the bonded wafer stack. Finally, the wafer is removed from the bonded wafer stack.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• B23K 1/018 - DébrasageEnlèvement de soudure fondue ou d'autres résidus

Abrégé

A carrier for temporarily carrying an electronics structure for thermal processing and corresponding system and methods for using the same. The carrier includes an electrically conductive layer (“ECL”) that defines at least one current path through which a current can travel. The carrier is configured to be connected to a current source so pulsed current is passed through the current path to generate heat in a working area of the carrier. The carrier is configured to carry an electronics structure near the working area. When the current source is used to generate heat in the carrier, thermal processing of the electronics structure is performed. A temperature of the electronics structure and the carrier is regulated by controlling the intensity, duration, and period of the pulsed current.

Classes IPC  ?

• H05B 3/00 - Chauffage par résistance ohmique
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants

Abrégé

A carrier for temporarily carrying an electronics structure for thermal processing and corresponding system and methods for using the same. The carrier includes an electrically conductive layer ("ECL") that defines at least one current path through which a current can travel. The carrier is configured to be connected to a current source so pulsed current is passed through the current path to generate heat in a working area of the carrier. The carrier is configured to carry an electronics structure near the working area. When the current source is used to generate heat in the carrier, thermal processing of the electronics structure is performed. A temperature of the electronics structure and the carrier is regulated by controlling the intensity, duration, and period of the pulsed current.

Classes IPC  ?

• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
• H01L 23/34 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 21/673 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants utilisant des supports spécialement adaptés
• H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p. ex. entre différents postes de travail

Abrégé

Apparatus and associated components and methods for bonding electronics structures. First and second electronics structures are directly bonded using a plurality of light pulses from a flashlamp. In some examples, light from the flashlamp passes into and is absorbed by at least one of the first or second electronics structures to heat a bonding interface between the first and second electronics structures to cause the direct bond to form.

Classes IPC  ?

• B32B 37/06 - Procédés ou dispositifs pour la stratification, p. ex. par polymérisation ou par liaison à l'aide d'ultrasons caractérisés par le procédé de chauffage
• B32B 37/12 - Procédés ou dispositifs pour la stratification, p. ex. par polymérisation ou par liaison à l'aide d'ultrasons caractérisés par l'usage d'adhésifs
• C08J 3/28 - Traitement par ondes énergétiques ou par rayonnement de particules
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives

Abrégé

Temporary electronics carrier structures and associated systems and methods. A carrier structure for temporarily carrying an electronics structure to be debonded from the carrier structure. The carrier structure includes a roughened surface that has an average surface roughness between about 50nm and about 5 microns. A temporarily bonded stack includes the carrier structure, an electronics structure, and a temporary adhesive located between the carrier structure and the electronics structure. A system for debonding the temporarily bonded stack includes a light source configured to emit light into the carrier structure toward a roughened face thereof.

Classes IPC  ?

• H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p. ex. entre différents postes de travail
• H01L 21/68 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le positionnement, l'orientation ou l'alignement
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension

Abrégé

Temporary electronics carrier structures and associated systems and methods. A carrier structure for temporarily carrying an electronics structure to be debonded from the carrier structure. The carrier structure includes a roughened surface that has an average surface roughness between about 50 nm and about 5 microns. A temporarily bonded stack includes the carrier structure, an electronics structure, and a temporary adhesive located between the carrier structure and the electronics structure. A system for debonding the temporarily bonded stack includes a light source configured to emit light into the carrier structure toward a roughened face thereof.

Classes IPC  ?

• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
• C09J 5/06 - Procédés de collage en généralProcédés de collage non prévus ailleurs, p. ex. relatifs aux amorces comprenant un chauffage de l'adhésif appliqué
• H01L 21/304 - Traitement mécanique, p. ex. meulage, polissage, coupe
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

A method for attaching and detaching wafers during integrated circuit manufacturing is disclosed. Initially, a reusable carrier is formed by depositing a layer of partially transparent light-absorbing material (LAM) on a transparent carrier. An ultraviolet (UV) curable adhesive is deposited on a wafer. The wafer is then placed on the reusable carrier with the partially transparent LAM layer in contact with the UV-curable adhesive to form a carrier stack. Next, an UV light is directed through the transparent carrier and the partially transparent LAM layer in order to cure the UV-curable adhesive. After the wafer has been processed, a light pulse is sent from a flashlamp through the transparent carrier in order to detach the wafer from the transparent carrier.

Classes IPC  ?

• B32B 38/10 - Enlèvement de couches ou de parties de couches, mécaniquement ou chimiquement
• C09J 5/06 - Procédés de collage en généralProcédés de collage non prévus ailleurs, p. ex. relatifs aux amorces comprenant un chauffage de l'adhésif appliqué
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants

Abrégé

A method for attaching and detaching wafers during integrated circuit manufacturing is disclosed. Initially, a reusable carrier is formed by depositing a layer of partially transparent light-absorbing material (LAM) on a transparent carrier. An ultraviolet (UV) curable adhesive is deposited on a wafer. The wafer is then placed on the reusable carrier with the partially transparent LAM layer in contact with the UV-curable adhesive to form a carrier stack. Next, an UV light is directed through the transparent carrier and the partially transparent LAM layer in order to cure the UV-curable adhesive. After the wafer has been processed, a light pulse is sent from a flashlamp through the transparent carrier in order to detach the wafer from the transparent carrier.

Classes IPC  ?

• B32B 38/10 - Enlèvement de couches ou de parties de couches, mécaniquement ou chimiquement
• C09J 5/06 - Procédés de collage en généralProcédés de collage non prévus ailleurs, p. ex. relatifs aux amorces comprenant un chauffage de l'adhésif appliqué
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants

Abrégé

A method for attaching and detaching wafers during integrated circuit manufacturing is disclosed. Initially, a reusable carrier is formed by depositing a layer of partially transparent light-absorbing material (LAM) on a transparent carrier. An ultraviolet (UV) curable adhesive is deposited on a wafer. The wafer is then placed on the reusable carrier with the partially transparent LAM layer in contact with the UV-curable adhesive to form a carrier stack. Next, an UV light is directed through the transparent carrier and the partially transparent LAM layer in order to cure the UV-curable adhesive. After the wafer has been processed, a light pulse is sent from a flashlamp through the transparent carrier in order to detach the wafer from the transparent carrier.

Classes IPC  ?

• B32B 43/00 - Opérations spécialement adaptées aux produits stratifiés et non prévues ailleurs, p. ex. réparationAppareils pour ces opérations
• B32B 37/12 - Procédés ou dispositifs pour la stratification, p. ex. par polymérisation ou par liaison à l'aide d'ultrasons caractérisés par l'usage d'adhésifs
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension

Produits et services

Equipment used in the manufacture of electronics structures, semiconductors, and flexible printed circuits; Equipment for processing inks and thin films; Thermal processing equipment used in curing, soldering, bonding, debonding and sintering applications and Photonic and pulsed light equipment used in curing, soldering, bonding, debonding and sintering applications

Produits et services

Equipment used in the sterilization and decontamination of food, food handling machines and food packaging materials, namely, sterilizers

Classes IPC  ?

• C08F 2/46 - Polymérisation amorcée par énergie ondulatoire ou par rayonnement corpusculaire
• C08F 2/48 - Polymérisation amorcée par énergie ondulatoire ou par rayonnement corpusculaire par la lumière ultraviolette ou visible
• C08G 73/10 - PolyimidesPolyester-imidesPolyamide-imidesPolyamide-acides ou précurseurs similaires de polyimides

Abrégé

A method for curing thermosetting polymers is disclosed. A thermosetting polymer precursor is deposited on a substrate. After the thermosetting polymer precursor has been preheated, the thermosetting polymer precursor is then exposed to a light pulse from a flashlamp while it is being cooled simultaneously in order to maintain an average temperature of the thermosetting polymer precursor at below its maximum working temperature. After the thermosetting polymer precursor has been exposed to the light pulse, a by-product is allowed to dissipate from the thermosetting polymer precursor. The light pulse exposure step and the by-product dissipation step are repeated multiple times until a thermosetting polymer thin film is formed.

Classes IPC  ?

• C08G 73/10 - PolyimidesPolyester-imidesPolyamide-imidesPolyamide-acides ou précurseurs similaires de polyimides
• C08F 2/48 - Polymérisation amorcée par énergie ondulatoire ou par rayonnement corpusculaire par la lumière ultraviolette ou visible
• C08F 2/46 - Polymérisation amorcée par énergie ondulatoire ou par rayonnement corpusculaire
• F26B 3/00 - Procédés de séchage d'un matériau solide ou d'objets impliquant l'utilisation de chaleur

Abrégé

A method for curing thermosetting polymers on a glass substrate is disclosed. A light-absorbing layer is deposited on a glass substrate, and a thermosetting polymer precursor is then deposited on the light-absorbing layer in liquid form. After the thermosetting polymer precursor has been preheated, the thermosetting polymer precursor is then exposed to a light pulse from a flashlamp while it is being cooled simultaneously in order to maintain an average temperature of the thermosetting polymer precursor at below its maximum working temperature. After the thermosetting polymer precursor has been exposed to the light pulse, a gaseous by-product is allowed to dissipate from the thermosetting polymer precursor. The light pulse exposure step and the by-product dissipation step are repeated multiple times until a thermosetting polymer thin film is formed. Afterwards, the thermosetting polymer film is released from the light-absorbing layer.

Classes IPC  ?

• C08G 73/10 - PolyimidesPolyester-imidesPolyamide-imidesPolyamide-acides ou précurseurs similaires de polyimides
• C08F 2/48 - Polymérisation amorcée par énergie ondulatoire ou par rayonnement corpusculaire par la lumière ultraviolette ou visible
• C08F 2/46 - Polymérisation amorcée par énergie ondulatoire ou par rayonnement corpusculaire
• F26B 3/00 - Procédés de séchage d'un matériau solide ou d'objets impliquant l'utilisation de chaleur

Abrégé

A method for curing thermosetting polymers on a glass substrate is disclosed. A light-absorbing layer is deposited on a glass substrate, and a thermosetting polymer precursor is then deposited on the light-absorbing layer in liquid form. After the thermosetting polymer precursor has been preheated, the thermosetting polymer precursor is then exposed to a light pulse from a flashlamp while it is being cooled simultaneously in order to maintain an average temperature of the thermosetting polymer precursor at below its maximum working temperature. After the thermosetting polymer precursor has been exposed to the light pulse, a gaseous by-product is allowed to dissipate from the thermosetting polymer precursor. The light pulse exposure step and the by-product dissipation step are repeated multiple times until a thermosetting polymer thin film is formed. Afterwards, the thermosetting polymer film is released from the light-absorbing layer.

Classes IPC  ?

• C08J 3/24 - Réticulation, p. ex. vulcanisation, de macromolécules
• C08J 3/28 - Traitement par ondes énergétiques ou par rayonnement de particules
• C08L 63/00 - Compositions contenant des résines époxyCompositions contenant des dérivés des résines époxy
• C08L 79/08 - PolyimidesPolyester-imidesPolyamide-imidesPolyamide-acides ou précurseurs similaires de polyimides

Abrégé

A method for curing thermosetting polymers is disclosed. A thermosetting polymer precursor is deposited on a substrate. After the thermosetting polymer precursor has been preheated, the thermosetting polymer precursor is then exposed to a light pulse from a flashlamp while it is being cooled simultaneously in order to maintain an average temperature of the thermosetting polymer precursor at below its maximum working temperature. After the thermosetting polymer precursor has been exposed to the light pulse, a by-product is allowed to dissipate from the thermosetting polymer precursor. The light pulse exposure step and the by-product dissipation step are repeated multiple times until a thermosetting polymer thin film is formed.

Classes IPC  ?

• C08J 7/18 - Modification chimique par des composés polymérisables en utilisant des ondes énergétiques ou le rayonnement de particules
• C08J 7/04 - Revêtement

Abrégé

A method for debonding a wafer from a bonded wafer stack is disclosed. Initially, a light-absorbing layer is placed on a carrier. A wafer is then attached to the light-absorbing layer of the carrier via an adhesive layer to form a bonded wafer stack. After processing the wafer has been processed, a light pulse from a flashlamp is applied to a non-wafer side of the carrier to heat the light-absorbing layer and the adhesive layer in order to loosen the wafer from the bonded wafer stack. Finally, the wafer is removed from the bonded wafer stack.

Classes IPC  ?

• B23K 1/00 - Brasage ou débrasage
• B23K 1/018 - DébrasageEnlèvement de soudure fondue ou d'autres résidus
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

A method for debonding a wafer from a bonded wafer stack is disclosed. Initially, a light-absorbing layer is placed on a carrier. A wafer is then attached to the light-absorbing layer of the carrier via an adhesive layer to form a bonded wafer stack. After processing the wafer has been processed, a light pulse from a flashlamp is applied to a non-wafer side of the carrier to heat the light-absorbing layer and the adhesive layer in order to loosen the wafer from the bonded wafer stack. Finally, the wafer is removed from the bonded wafer stack.

Classes IPC  ?

• B23K 1/00 - Brasage ou débrasage
• B23K 1/018 - DébrasageEnlèvement de soudure fondue ou d'autres résidus
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

A method for transferring microLEDs from a growth wafer to a display substrate is disclosed. MicroLEDs on the growth wafer are bonded to an adhesive layer on a transparent carrier coated with a light-absorbing layer. After aligning the carrier to a display substrate, the transparent carrier is exposed to light pulses from a flashlamp to heat the light-absorbing layer in order to separate the adhesive layer for the purpose of transferring the microLEDs onto the display substrate. MicroLEDs may be bonded to the display substrate prior to or after transfer to the display substrate. Bonding of the microLEDs to the display substrate, such as soldering, may also be performed with light pulses from the flashlamp by exposing the transparent carrier to heat the light-absorbing layer and the adjacent microLEDs to heat them and bond them to the display substrate.

Classes IPC  ?

• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails

Abrégé

A method for removing particles from a semiconductor wafer surface is disclosed. A liquid is placed on a surface of a semiconductor wafer on which particles may adhere. A light pulse is then applied to the surface of the semiconductor wafer through the liquid. The liquid containing the particles is then removed from the surface of the semiconductor wafer.

Classes IPC  ?

• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives

Abrégé

A method for removing particles from a semiconductor wafer surface is disclosed. A wafer is being spun on a spin coater contained within a condensing environment. Liquid vapor is then infused into the condensing environment to allow some of the liquid vapor to be condensed onto a surface of the wafer on which particles may adhere while the wafer is being spun. Next, a set of light pulses is applied to the surface of the spinning wafer. Finally, an air stream is utilized to carry the particles off the surface of the wafer.

Classes IPC  ?

• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• B08B 3/04 - Nettoyage impliquant le contact avec un liquide
• B08B 7/00 - Nettoyage par des procédés non prévus dans une seule autre sous-classe ou un seul groupe de la présente sous-classe
• H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
• B08B 7/04 - Nettoyage par des procédés non prévus dans une seule autre sous-classe ou un seul groupe de la présente sous-classe par une combinaison d'opérations
• B08B 3/08 - Nettoyage impliquant le contact avec un liquide le liquide ayant un effet chimique ou dissolvant
• B08B 5/02 - Nettoyage par la force de jets, p. ex. le soufflage de cavités

Abrégé

A method for removing particles from a semiconductor wafer surface is disclosed. A wafer is being spun on a spin coater contained within a condensing environment. Liquid vapor is then infused into the condensing environment to allow some of the liquid vapor to be condensed onto a surface of the wafer on which particles may adhere while the wafer is being spun. Next, a set of light pulses is applied to the surface of the spinning wafer. Finally, an electric grid is utilized to remove the particles off the surface of the wafer.

Classes IPC  ?

• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
• B08B 7/00 - Nettoyage par des procédés non prévus dans une seule autre sous-classe ou un seul groupe de la présente sous-classe

Abrégé

A method for attaching and detaching a substrate from a bonded stack is disclosed. A broadband light-absorbing material is combined with an adhesive material to form a broadband light-absorbing adhesive. A layer of the broadband light-absorbing adhesive is then applied on one side of a transparent carrier. A substrate is placed on the broadband light-absorbing adhesive and the transparent carrier to form a bonded stack. The substrate can be a wafer or a polymeric film. At this point, processing steps can be performed on the substrate. After the processing steps have been completed, a light pulse from a flashlamp is utilized to heat up the broadband light-absorbing adhesive in order to loosen the substrate from the bonded stack such that the substrate can be easily detached from the bonded stack.

Classes IPC  ?

• B62B 5/00 - Accessoires ou détails spécialement adaptés aux voitures à bras
• B62B 3/16 - Voitures à bras ayant plus d'un essieu portant les roues servant au déplacementDispositifs de direction à cet effetAppareillage à cet effet caractérisées par des moyens pour l'emboîtement ou l'empilage, p. ex. chariots pour achats empilables verticalement

Abrégé

A method for attaching and detaching a substrate from a bonded stack is disclosed. A broadband light-absorbing material is combined with an adhesive material to form a broadband light-absorbing adhesive. A layer of the broadband light-absorbing adhesive is then applied on one side of a transparent carrier. A substrate is placed on the broadband light-absorbing adhesive and the transparent carrier to form a bonded stack. The substrate can be a wafer or a polymeric film. At this point, processing steps can be performed on the substrate. After the processing steps have been completed, a light pulse from a flashlamp is utilized to heat up the broadband light-absorbing adhesive in order to loosen the substrate from the bonded stack such that the substrate can be easily detached from the bonded stack.

Classes IPC  ?

• B32B 43/00 - Opérations spécialement adaptées aux produits stratifiés et non prévues ailleurs, p. ex. réparationAppareils pour ces opérations
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
• B32B 38/10 - Enlèvement de couches ou de parties de couches, mécaniquement ou chimiquement

Abrégé

A method for connecting an electronic component to a circuit board is disclosed. Initially, a substrate and an electronic component having solder located between them are placed under a flashlamp. Multiple light pulses from the flashlamp are applied to the electronic component, substrate and solder until the solder reflows. During the application of the light pulses, the power of one of the light pulses from the flashlamp and the temperature of the electronic component are measured, the measured power is converted to radiant exposure, and in response to the measured temperature of the electronic component, the duty cycle of a next light pulse is adjusted adaptively according to the radiant exposure of the one light pulse.

Classes IPC  ?

• B23K 1/00 - Brasage ou débrasage
• H05K 3/34 - Connexions soudées
• H05K 13/04 - Montage de composants
• H05K 13/08 - Contrôle de la fabrication des ensembles
• B23K 1/005 - Brasage par énergie rayonnante

Abrégé

A method for curing solder paste on a thermally fragile substrate is disclosed. An optically reflective layer and an optically absorptive layer are printed on a thermally fragile substrate. Multiple conductive traces are selectively deposited on the optically reflective layer and on the optically absorptive layer. Solder paste is then applied on selective locations that are corresponding to locations of the optically absorptive layer. After a component has been placed on the solder paste, the substrate is irradiated from one side with uniform pulsed light. The optically absorptive layer absorbs the pulsed light and becomes heated, and the heat is subsequently transferred to the solder paste and the component via thermal conduction in order to heat and melt the solder paste.

Classes IPC  ?

• H05K 3/34 - Connexions soudées
• B23K 1/005 - Brasage par énergie rayonnante
• H05K 3/00 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés
• H05K 3/10 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés dans lesquels le matériau conducteur est appliqué au support isolant de manière à former le parcours conducteur recherché
• B23K 1/00 - Brasage ou débrasage
• H05K 3/12 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés dans lesquels le matériau conducteur est appliqué au support isolant de manière à former le parcours conducteur recherché utilisant la technique de l'impression pour appliquer le matériau conducteur
• B23K 101/42 - Circuits imprimés
• B23K 103/00 - Matières à braser, souder ou découper
• H05K 1/02 - Circuits imprimés Détails
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H05K 3/02 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés dans lesquels le matériau conducteur est appliqué à la surface du support isolant et est ensuite enlevé de zones déterminées de la surface, non destinées à servir de conducteurs de courant ou d'éléments de blindage

Abrégé

A method for producing an electrically conductive thin film on a substrate is disclosed. Initially, a reducible metal compound and a reducing agent are dispersed in a liquid. The dispersion is then deposited on a substrate as a thin film. The thin film along with the substrate is subsequently exposed to a pulsed electromagnetic emission to chemically react with the reducible metal compound and the reducing agent such that the thin film becomes electrically conductive.

Classes IPC  ?

• C23C 18/31 - Revêtement avec des métaux
• H05K 3/12 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés dans lesquels le matériau conducteur est appliqué au support isolant de manière à former le parcours conducteur recherché utilisant la technique de l'impression pour appliquer le matériau conducteur
• B41M 3/00 - Procédés d'impression pour des travaux imprimés d'un genre particulier, p. ex. motifs
• C23C 18/16 - Revêtement chimique par décomposition soit de composés liquides, soit de solutions des composés constituant le revêtement, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtementDépôt par contact par réduction ou par substitution, p. ex. dépôt sans courant électrique
• D21H 19/02 - Couches métalliques
• B29C 35/08 - Chauffage ou durcissement, p. ex. réticulation ou vulcanisation utilisant l'énergie ondulatoire ou un rayonnement corpusculaire
• B29C 35/10 - Chauffage ou durcissement, p. ex. réticulation ou vulcanisation utilisant l'énergie ondulatoire ou un rayonnement corpusculaire pour fabriquer des objets de longueur indéfinie
• B41M 7/00 - Traitement ultérieur des travaux imprimés, p. ex. chauffage, irradiation
• C23C 18/14 - Décomposition par irradiation, p. ex. par photolyse, rayonnement corpusculaire
• B22F 1/00 - Poudres métalliquesTraitement des poudres métalliques, p. ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
• B22F 3/10 - Frittage seul
• C23C 30/00 - Revêtement avec des matériaux métalliques, caractérisé uniquement par la composition du matériau métallique, c.-à-d. non caractérisé par le procédé de revêtement
• C09D 1/04 - Compositions de revêtement, p. ex. peintures, vernis ou vernis-laques, à base de substances inorganiques silicates de métaux alcalins avec des adjuvants organiques
• B41M 5/00 - Procédés de reproduction ou méthodes de reproduction ou de marquageMatériaux en feuilles utilisés à cet effet
• H05K 1/09 - Emploi de matériaux pour réaliser le parcours métallique

Abrégé

A method and apparatus for delaminating a polymer film from a carrier plate is disclosed. The carrier plate is at least partially transparent and has deposited on it a pixelated pattern layer of light-absorptive material, upon which is deposited a layer of light-reflective material. A polymer film, which is to be delaminated, is deposited on the light-reflecting material layer. Next, a pulsed light source is utilized to irradiate through the carrier plate from the side opposite the polymer film to heat the light-absorptive material layer. The heated areas of the light-absorptive material layer, in turn, heat the polymer film through conduction at the interface between the light-absorptive material layer and the polymer film, thereby generating gas from the polymer film by its thermal decomposition, which allows the polymer film to be released from the carrier plate.

Classes IPC  ?

• B29C 41/42 - Démoulage des objets formés, des moules, des noyaux ou d'autres supports
• B29C 41/02 - Façonnage par revêtement d'un moule, noyau ou autre support, c.-à-d. par dépôt de la matière à mouler et démoulage de l'objet forméAppareils à cet effet pour la fabrication d'objets de longueur définie, c.-à-d. d'objets séparés
• B32B 7/00 - Produits stratifiés caractérisés par la relation entre les couchesProduits stratifiés caractérisés par l’orientation relative des éléments caractéristiques entre les couches, ou par les valeurs relatives d’un paramètre mesurable entre les couches, c.-à-d. produits comprenant des couches ayant des propriétés physiques, chimiques ou physicochimiques différentes Produits stratifiés caractérisés par la jonction entre les couches
• B32B 7/06 - Liaison entre couches permettant une séparation sans difficultés
• B29L 7/00 - Objets plats, p. ex. pellicules ou feuilles
• B29L 31/34 - Appareils électriques, p. ex. bougies ou leurs parties constitutives
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension

Abrégé

A method for curing solder paste on a thermally fragile substrate is disclosed. An optically reflective layer and an optically absorptive layer are printed on a thermally fragile substrate. Multiple conductive traces are selectively deposited on the optically reflective layer and on the optically absorptive layer. Solder paste is then applied on selective locations that are corresponding to locations of the optically absorptive layer. After a component has been placed on the solder paste, the substrate is irradiated from one side with uniform pulsed light. The optically absorptive layer absorbs the pulsed light and becomes heated, and the heat is subsequently transferred to the solder paste and the component via thermal conduction in order to heat and melt the solder paste.

Classes IPC  ?

• H05K 3/34 - Connexions soudées
• B23K 1/005 - Brasage par énergie rayonnante
• H05K 3/00 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés
• H05K 3/10 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés dans lesquels le matériau conducteur est appliqué au support isolant de manière à former le parcours conducteur recherché
• B23K 1/00 - Brasage ou débrasage
• H05K 3/12 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés dans lesquels le matériau conducteur est appliqué au support isolant de manière à former le parcours conducteur recherché utilisant la technique de l'impression pour appliquer le matériau conducteur
• B23K 101/42 - Circuits imprimés
• B23K 103/00 - Matières à braser, souder ou découper
• H05K 1/02 - Circuits imprimés Détails
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H05K 3/02 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés dans lesquels le matériau conducteur est appliqué à la surface du support isolant et est ensuite enlevé de zones déterminées de la surface, non destinées à servir de conducteurs de courant ou d'éléments de blindage

Abrégé

An apparatus for curing thin films is disclosed. The apparatus includes a computer control system, a conveyance system, a flashlamp controller, and a flashlamp. The curing apparatus also includes a high average power, low-inductance cable connected between the flashlamp controller and the flashlamp. The low-inductance cable is smaller in diameter and is more flexible than the prior art and includes at least one liquid cooling line and multiple forward and return path wires interleaved in a regular hexagonal closed packed configuration such that every wire is adjacent to at least one cooling line and at least one wire of opposite polarity.

Classes IPC  ?

• F26B 3/30 - Procédés de séchage d'un matériau solide ou d'objets impliquant l'utilisation de chaleur par radiation, p. ex. du soleil à l'aide d'éléments émettant des rayons infrarouges
• F26B 13/12 - Commande du mouvement, de la tension ou de la position du matériau
• H01B 7/42 - Conducteurs ou câbles isolés caractérisés par la forme avec des dispositions pour la dissipation ou la conduction de la chaleur
• B29C 35/08 - Chauffage ou durcissement, p. ex. réticulation ou vulcanisation utilisant l'énergie ondulatoire ou un rayonnement corpusculaire

Abrégé

A method for producing an electrically conductive thin film on a substrate is disclosed. Initially, a reducible metal compound and a reducing agent are dispersed in a liquid. The dispersion is then deposited on a substrate as a thin film. The thin film along with the substrate is subsequently exposed to a pulsed electromagnetic emission to chemically react with the reducible metal compound and the reducing agent such that the thin film becomes electrically conductive.

Classes IPC  ?

• C23C 18/14 - Décomposition par irradiation, p. ex. par photolyse, rayonnement corpusculaire
• H05K 3/12 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés dans lesquels le matériau conducteur est appliqué au support isolant de manière à former le parcours conducteur recherché utilisant la technique de l'impression pour appliquer le matériau conducteur
• B41M 7/00 - Traitement ultérieur des travaux imprimés, p. ex. chauffage, irradiation
• C23C 18/16 - Revêtement chimique par décomposition soit de composés liquides, soit de solutions des composés constituant le revêtement, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtementDépôt par contact par réduction ou par substitution, p. ex. dépôt sans courant électrique
• B41M 3/00 - Procédés d'impression pour des travaux imprimés d'un genre particulier, p. ex. motifs
• C23C 18/31 - Revêtement avec des métaux
• B22F 3/10 - Frittage seul
• B29C 35/08 - Chauffage ou durcissement, p. ex. réticulation ou vulcanisation utilisant l'énergie ondulatoire ou un rayonnement corpusculaire
• D21H 19/02 - Couches métalliques
• B22F 1/00 - Poudres métalliquesTraitement des poudres métalliques, p. ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
• C09D 1/04 - Compositions de revêtement, p. ex. peintures, vernis ou vernis-laques, à base de substances inorganiques silicates de métaux alcalins avec des adjuvants organiques
• C23C 30/00 - Revêtement avec des matériaux métalliques, caractérisé uniquement par la composition du matériau métallique, c.-à-d. non caractérisé par le procédé de revêtement
• B22F 3/105 - Frittage seul en utilisant un courant électrique, un rayonnement laser ou un plasma
• B22F 9/24 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par un procédé chimique avec réduction de mélanges métalliques à partir de mélanges métalliques liquides, p. ex. de solutions
• C09D 1/00 - Compositions de revêtement, p. ex. peintures, vernis ou vernis-laques, à base de substances inorganiques
• C09D 7/61 - Adjuvants non macromoléculaires inorganiques
• C23C 18/40 - Revêtement avec du cuivre en utilisant des agents réducteurs
• H05K 3/10 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés dans lesquels le matériau conducteur est appliqué au support isolant de manière à former le parcours conducteur recherché
• B41M 5/00 - Procédés de reproduction ou méthodes de reproduction ou de marquageMatériaux en feuilles utilisés à cet effet
• B29C 35/10 - Chauffage ou durcissement, p. ex. réticulation ou vulcanisation utilisant l'énergie ondulatoire ou un rayonnement corpusculaire pour fabriquer des objets de longueur indéfinie
• H05K 1/03 - Emploi de matériaux pour réaliser le substrat

Abrégé

A method and apparatus for delaminating a polymer film from a carrier plate is disclosed. The carrier plate is at least partially transparent and has deposited on it a pixelated pattern layer of light-absorptive material, upon which is deposited a layer of light-reflective material. A polymer film, which is to be delaminated, is deposited on the light-reflecting material layer. Next, a pulsed light source is utilized to irradiate through the carrier plate from the side opposite the polymer film to heat the light-absorptive material layer. The heated areas of the light-absorptive material layer, in turn, heat the polymer film through conduction at the interface between the light-absorptive material layer and the polymer film, thereby generating gas from the polymer film by its thermal decomposition, which allows the polymer film to be released from the carrier plate.

Classes IPC  ?

• B32B 43/00 - Opérations spécialement adaptées aux produits stratifiés et non prévues ailleurs, p. ex. réparationAppareils pour ces opérations

Abrégé

A composite film is disclosed. The composite film includes a substrate, a thermal barrier layer located on top of the substrate, wherein the thermal barrier layer has a higher decomposition temperature than the substrate, and a thin film located on top of the thermal barrier layer, wherein the thin film is to be thermally processed by a pulsed light from a flashlamp.

Classes IPC  ?

• H05K 3/12 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés dans lesquels le matériau conducteur est appliqué au support isolant de manière à former le parcours conducteur recherché utilisant la technique de l'impression pour appliquer le matériau conducteur
• B05D 3/06 - Traitement préalable des surfaces sur lesquelles des liquides ou d'autres matériaux fluides doivent être appliquésTraitement ultérieur des revêtements appliqués, p. ex. traitement intermédiaire d'un revêtement déjà appliqué, pour préparer les applications ultérieures de liquides ou d'autres matériaux fluides par exposition à des rayonnements
• H05B 41/38 - Commande de l'intensité de la lumière
• H05B 41/34 - Circuits dans lesquels la lampe est alimentée par impulsions, p. ex. lampe éclair pour fournir une série d'éclairs
• H05K 1/09 - Emploi de matériaux pour réaliser le parcours métallique
• F26B 3/34 - Procédés de séchage d'un matériau solide ou d'objets impliquant l'utilisation de chaleur par dégagement de chaleur dans le matériau ou les objets à sécher utilisant des effets électriques

Abrégé

A method for depositing a functional material on a substrate is disclosed. A plate having a first surface and a second surface is provided. A layer of light scattering material is applied onto the first surface of the plate, and a layer of reflective material is applied onto the second surface of the plate. After a group of wells has been formed on the second surface of the plate, a layer of light-absorbing material is applied on the second surface of the plate. Next, the wells are partially filled with a functional material. The plate is then irradiated with a pulse of light to heat the light-absorbing material between the bottom of the well and the functional material. This heats the gas in the ullage between the light absorbing material and the functional material to increase the pressure in gas to expel the functional material from the wells onto a receiving substrate.

Classes IPC  ?

• H05K 3/04 - Élimination du matériau conducteur par voie mécanique, p. ex. par poinçonnage
• H05K 3/20 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés dans lesquels le matériau conducteur est appliqué au support isolant de manière à former le parcours conducteur recherché par apposition d'un parcours conducteur préfabriqué

Abrégé

A method for depositing a functional material on a substrate is disclosed. An optically transparent plate having a first surface and a second surface with one or more wells is provided. After coating the second surface with a thin layer of light-absorbing material, the wells are filled with a functional material. The plate is then irradiated with a pulsed light to heat the layer of light-absorbing material in order to generate gas at an interface between the layer of light-absorbing material and the functional material to release the functional material from the wells onto a receiving substrate located adjacent to the plate.

Classes IPC  ?

• H05K 3/04 - Élimination du matériau conducteur par voie mécanique, p. ex. par poinçonnage
• H05K 3/20 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés dans lesquels le matériau conducteur est appliqué au support isolant de manière à former le parcours conducteur recherché par apposition d'un parcours conducteur préfabriqué

Abrégé

This invention relates generally to uses of novel nanomaterial composition and the systems in which they are used, and more particularly to nanomaterial compositions generally comprising carbon and a metal, which composition can be exposed to pulsed emissions to react, activate, combine, or sinter the nanomaterial composition. The nanomaterial compositions can alternatively be utilized at ambient temperature or under other means to cause such reaction, activation, combination, or sintering to occur.

Classes IPC  ?

• H05K 3/12 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés dans lesquels le matériau conducteur est appliqué au support isolant de manière à former le parcours conducteur recherché utilisant la technique de l'impression pour appliquer le matériau conducteur
• B41M 3/00 - Procédés d'impression pour des travaux imprimés d'un genre particulier, p. ex. motifs
• C23C 18/14 - Décomposition par irradiation, p. ex. par photolyse, rayonnement corpusculaire
• C23C 18/16 - Revêtement chimique par décomposition soit de composés liquides, soit de solutions des composés constituant le revêtement, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtementDépôt par contact par réduction ou par substitution, p. ex. dépôt sans courant électrique
• C23C 18/31 - Revêtement avec des métaux
• D21H 19/02 - Couches métalliques
• B22F 1/00 - Poudres métalliquesTraitement des poudres métalliques, p. ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
• B22F 3/10 - Frittage seul
• C23C 30/00 - Revêtement avec des matériaux métalliques, caractérisé uniquement par la composition du matériau métallique, c.-à-d. non caractérisé par le procédé de revêtement
• B29C 35/08 - Chauffage ou durcissement, p. ex. réticulation ou vulcanisation utilisant l'énergie ondulatoire ou un rayonnement corpusculaire
• B29C 35/10 - Chauffage ou durcissement, p. ex. réticulation ou vulcanisation utilisant l'énergie ondulatoire ou un rayonnement corpusculaire pour fabriquer des objets de longueur indéfinie
• C09D 1/04 - Compositions de revêtement, p. ex. peintures, vernis ou vernis-laques, à base de substances inorganiques silicates de métaux alcalins avec des adjuvants organiques
• B41M 5/00 - Procédés de reproduction ou méthodes de reproduction ou de marquageMatériaux en feuilles utilisés à cet effet
• B41M 7/00 - Traitement ultérieur des travaux imprimés, p. ex. chauffage, irradiation

Abrégé

A method for thermally processing a minimally absorbing thin film in a selective manner is disclosed. Two closely spaced absorbing traces are patterned in thermal contact with the thin film. A pulsed radiant source is used to heat the two absorbing traces, and the thin film is thermally processed via conduction between the two absorbing traces. This method can be utilized to fabricate a thin film transistor (TFT) in which the thin film is a semiconductor and the absorbers are the source and the drain of the TFT.

Classes IPC  ?

• H01L 21/428 - Bombardement par des radiations par des radiations d'énergie élevée les radiations étant électromagnétiques, p. ex. des rayons laser
• B29C 35/02 - Chauffage ou durcissement, p. ex. réticulation ou vulcanisation
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
• B29C 35/08 - Chauffage ou durcissement, p. ex. réticulation ou vulcanisation utilisant l'énergie ondulatoire ou un rayonnement corpusculaire

Abrégé

A curing apparatus for thermally processing thin films on low-temperature substrates at high speeds is disclosed. The curing apparatus includes a strobe head, a strobe control module and a conveyor control module. The strobe control module controls the power, duration and repetition rate of a set of pulses generated by a flash lamp on the strobe head. The conveyor control module along with the strobe control module provide real-time synchronization between the repetition rate of the set of pulses and the speed at which the substrate is being moved under the strobe head, according to the speed information.

Classes IPC  ?

• B05D 3/06 - Traitement préalable des surfaces sur lesquelles des liquides ou d'autres matériaux fluides doivent être appliquésTraitement ultérieur des revêtements appliqués, p. ex. traitement intermédiaire d'un revêtement déjà appliqué, pour préparer les applications ultérieures de liquides ou d'autres matériaux fluides par exposition à des rayonnements
• F26B 3/34 - Procédés de séchage d'un matériau solide ou d'objets impliquant l'utilisation de chaleur par dégagement de chaleur dans le matériau ou les objets à sécher utilisant des effets électriques
• H05B 41/34 - Circuits dans lesquels la lampe est alimentée par impulsions, p. ex. lampe éclair pour fournir une série d'éclairs
• H05K 3/12 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés dans lesquels le matériau conducteur est appliqué au support isolant de manière à former le parcours conducteur recherché utilisant la technique de l'impression pour appliquer le matériau conducteur
• H05K 1/09 - Emploi de matériaux pour réaliser le parcours métallique

Abrégé

A coating layer 12 is formed on a base film 10 by heat resistant resin having a Tg (glass transition temperature) of 120° C. or more, and more preferably 200° C. or more, and a functional thin film 14 is produced by printing ink composite including conductive particles on a surface of the coating layer 12 and thereby forming an ink layer. This functional thin film 14 is sintered by heating performed by photo irradiation, and a conductive layer is formed thereby.

Classes IPC  ?

• B32B 3/02 - Caractérisés par des caractéristiques de forme en des endroits déterminés, p. ex. au voisinage des bords
• C23C 30/00 - Revêtement avec des matériaux métalliques, caractérisé uniquement par la composition du matériau métallique, c.-à-d. non caractérisé par le procédé de revêtement
• B41M 3/00 - Procédés d'impression pour des travaux imprimés d'un genre particulier, p. ex. motifs
• H05K 1/03 - Emploi de matériaux pour réaliser le substrat
• H05K 3/12 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés dans lesquels le matériau conducteur est appliqué au support isolant de manière à former le parcours conducteur recherché utilisant la technique de l'impression pour appliquer le matériau conducteur
• H05K 1/09 - Emploi de matériaux pour réaliser le parcours métallique

Abrégé

A method for producing an electrically conductive thin film on a substrate is disclosed. Initially, a reducible metal compound and a reducing agent are dispersed in a liquid. The dispersion is then deposited on a substrate as a thin film. The thin film along with the substrate is subsequently exposed to a pulsed electromagnetic emission to chemically react with the reducible metal compound and the reducing agent such that the thin film becomes electrically conductive.

Classes IPC  ?

• C23C 18/14 - Décomposition par irradiation, p. ex. par photolyse, rayonnement corpusculaire
• H05K 3/12 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés dans lesquels le matériau conducteur est appliqué au support isolant de manière à former le parcours conducteur recherché utilisant la technique de l'impression pour appliquer le matériau conducteur
• B41M 3/00 - Procédés d'impression pour des travaux imprimés d'un genre particulier, p. ex. motifs
• C23C 18/16 - Revêtement chimique par décomposition soit de composés liquides, soit de solutions des composés constituant le revêtement, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtementDépôt par contact par réduction ou par substitution, p. ex. dépôt sans courant électrique
• C23C 18/31 - Revêtement avec des métaux
• D21H 19/02 - Couches métalliques
• B22F 1/00 - Poudres métalliquesTraitement des poudres métalliques, p. ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
• B22F 3/10 - Frittage seul
• C23C 30/00 - Revêtement avec des matériaux métalliques, caractérisé uniquement par la composition du matériau métallique, c.-à-d. non caractérisé par le procédé de revêtement
• B29C 35/08 - Chauffage ou durcissement, p. ex. réticulation ou vulcanisation utilisant l'énergie ondulatoire ou un rayonnement corpusculaire
• B29C 35/10 - Chauffage ou durcissement, p. ex. réticulation ou vulcanisation utilisant l'énergie ondulatoire ou un rayonnement corpusculaire pour fabriquer des objets de longueur indéfinie
• C09D 1/04 - Compositions de revêtement, p. ex. peintures, vernis ou vernis-laques, à base de substances inorganiques silicates de métaux alcalins avec des adjuvants organiques
• B41M 5/00 - Procédés de reproduction ou méthodes de reproduction ou de marquageMatériaux en feuilles utilisés à cet effet
• B41M 7/00 - Traitement ultérieur des travaux imprimés, p. ex. chauffage, irradiation

Abrégé

A method and apparatus for thermally processing material on a low-temperature substrate using pulsed light from a flash lamp is disclosed. Material is conveyed past the flash lamp. The pulses of light are formed by Pulse Width Modulation to tailor the shape of the pulses to generate a thermal gradient in the substrate that enables the material to be heated beyond the maximum working temperature of the substrate without damage. Its shaped pulse rate is synchronized to the conveyance speed of a conveyance system. By using the information from a feedback sensor, the thermal gradient is recalculated to alter the shape of the pulses in real time for optimizing subsequent curings in real time without powering down the curing apparatus. The combined pulse shaping and synchronization allow a temperature profile to be tailored in the sample that is uniformly cured in the conveyance direction.

Classes IPC  ?

• H05B 3/00 - Chauffage par résistance ohmique
• B29C 35/10 - Chauffage ou durcissement, p. ex. réticulation ou vulcanisation utilisant l'énergie ondulatoire ou un rayonnement corpusculaire pour fabriquer des objets de longueur indéfinie
• H05K 3/12 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés dans lesquels le matériau conducteur est appliqué au support isolant de manière à former le parcours conducteur recherché utilisant la technique de l'impression pour appliquer le matériau conducteur
• F26B 13/10 - Aménagements pour l'alimentation, le chauffage ou la tenue du matériauCommande du mouvement, de la tension ou de la position du matériau
• F26B 3/28 - Procédés de séchage d'un matériau solide ou d'objets impliquant l'utilisation de chaleur par radiation, p. ex. du soleil
• B29C 71/02 - Post-traitement thermique
• B29C 35/08 - Chauffage ou durcissement, p. ex. réticulation ou vulcanisation utilisant l'énergie ondulatoire ou un rayonnement corpusculaire
• H05B 1/02 - Dispositions de commutation automatique spécialement adaptées aux appareils de chauffage
• H05B 41/34 - Circuits dans lesquels la lampe est alimentée par impulsions, p. ex. lampe éclair pour fournir une série d'éclairs
• H05K 1/03 - Emploi de matériaux pour réaliser le substrat

Abrégé

A method for forming thin film conductors is disclosed. A thin film precursor material is initially deposited onto a porous substrate. The thin film precursor material is then irradiated with a light pulse in order to transform the thin film precursor material to a thin film such that the thin film is more electrically conductive than the thin film precursor material. Finally, compressive stress is applied to the thin film and the porous substrate to further increase the thin film's electrical conductivity.

Classes IPC  ?

• H01B 13/00 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de conducteurs ou câbles
• H05K 1/03 - Emploi de matériaux pour réaliser le substrat
• H05K 3/10 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés dans lesquels le matériau conducteur est appliqué au support isolant de manière à former le parcours conducteur recherché
• H05K 1/09 - Emploi de matériaux pour réaliser le parcours métallique
• H05K 3/12 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés dans lesquels le matériau conducteur est appliqué au support isolant de manière à former le parcours conducteur recherché utilisant la technique de l'impression pour appliquer le matériau conducteur
• H05K 3/14 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés dans lesquels le matériau conducteur est appliqué au support isolant de manière à former le parcours conducteur recherché utilisant la technique de la vaporisation pour appliquer le matériau conducteur

Abrégé

A curing apparatus for thermally processing thin films on low-temperature substrates at high speeds is disclosed. The curing apparatus includes a strobe head, a strobe control module and a conveyor control module. The strobe control module controls the power, duration and repetition rate of a set of pulses generated by a flash lamp on the strobe head. The conveyor control module along with the strobe control module provide real-time synchronization between the repetition rate of the set of pulses and the speed at which the substrate is being moved under the strobe head, according to the speed information.

Classes IPC  ?

• H05B 41/14 - Circuits
• B05D 3/06 - Traitement préalable des surfaces sur lesquelles des liquides ou d'autres matériaux fluides doivent être appliquésTraitement ultérieur des revêtements appliqués, p. ex. traitement intermédiaire d'un revêtement déjà appliqué, pour préparer les applications ultérieures de liquides ou d'autres matériaux fluides par exposition à des rayonnements
• F26B 3/34 - Procédés de séchage d'un matériau solide ou d'objets impliquant l'utilisation de chaleur par dégagement de chaleur dans le matériau ou les objets à sécher utilisant des effets électriques
• H05B 41/34 - Circuits dans lesquels la lampe est alimentée par impulsions, p. ex. lampe éclair pour fournir une série d'éclairs
• H05K 3/12 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés dans lesquels le matériau conducteur est appliqué au support isolant de manière à former le parcours conducteur recherché utilisant la technique de l'impression pour appliquer le matériau conducteur
• H05K 1/09 - Emploi de matériaux pour réaliser le parcours métallique

Abrégé

A method for thermally processing a minimally absorbing thin film in a selective manner is disclosed. Two closely spaced absorbing traces are patterned in thermal contact with the thin film. A pulsed radiant source is used to heat the two absorbing traces, and the thin film is thermally processed via conduction between the two absorbing traces. This method can be utilized to fabricate a thin film transistor (TFT) in which the thin film is a semiconductor and the absorbers are the source and the drain of the TFT.

Classes IPC  ?

• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• B29C 35/02 - Chauffage ou durcissement, p. ex. réticulation ou vulcanisation
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• B29C 35/08 - Chauffage ou durcissement, p. ex. réticulation ou vulcanisation utilisant l'énergie ondulatoire ou un rayonnement corpusculaire
• H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant

Abrégé

An apparatus for forming a pattern of a nanoparticle-based ink on a substrate has a printing apparatus that is energizable to deposit the nanoparticle-based ink in a pattern on a surface of the substrate. An illumination apparatus is energizable to direct a patterned illumination to cure the deposited ink pattern on the substrate, the illumination apparatus having an array having at least a first and a second laser diode, each laser diode coupled to a channel in a laser light coupling element through an optical fiber and having an illumination lens disposed to direct illumination from the coupling element onto the surface of the substrate. A transport apparatus is energizable to provide relative motion between the substrate and the illumination apparatus.

Classes IPC  ?

• B23K 26/08 - Dispositifs comportant un mouvement relatif entre le faisceau laser et la pièce
• B23K 26/20 - Assemblage
• C23C 16/48 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement par irradiation, p. ex. par photolyse, radiolyse ou rayonnement corpusculaire

Abrégé

A curing apparatus for thermally processing thin films on low-temperature substrates at high speeds is disclosed. The curing apparatus includes a strobe head, a strobe control module and a conveyor control module. The strobe control module controls the power, duration and repetition rate of a set of pulses generated by a flash lamp on the strobe head. The conveyor control module along with the strobe control module provide real-time synchronization between the repetition rate of the set of pulses and the speed at which the substrate is being moved under the strobe head, according to the speed information.

Classes IPC  ?

• H05B 41/14 - Circuits
• H05B 37/00 - Circuits pour sources lumineuses électriques en général

Abrégé

A method for drying a thin film stack having a thin film located on a substrate is disclosed. The thin film stack is conveyed past a flashlamp during which the thin film stack is irradiated with a composite light pulse from the flashlamp. The composite light pulse is composed of multiple micropulses. The time duration of the composite light pulse is shorter than a total thermal equilibration time of the thin film stack. In addition, when the thin film stack is being conveyed past the flashlamp, the thin film stack should move less than 10% of the length of the irradiating area in the conveyance direction during the delivery of the composite light pulse.

Classes IPC  ?

• H05B 6/10 - Appareils de chauffage par induction, autres que des fours, pour des applications spécifiques
• B29C 35/08 - Chauffage ou durcissement, p. ex. réticulation ou vulcanisation utilisant l'énergie ondulatoire ou un rayonnement corpusculaire
• B29B 13/02 - Conditionnement ou traitement physique de la matière à façonner par chauffage
• B29B 13/06 - Conditionnement ou traitement physique de la matière à façonner par séchage
• B29B 13/08 - Conditionnement ou traitement physique de la matière à façonner par utilisation de l'énergie ondulatoire ou par rayonnement corpusculaire
• B29C 35/10 - Chauffage ou durcissement, p. ex. réticulation ou vulcanisation utilisant l'énergie ondulatoire ou un rayonnement corpusculaire pour fabriquer des objets de longueur indéfinie
• H05K 3/12 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés dans lesquels le matériau conducteur est appliqué au support isolant de manière à former le parcours conducteur recherché utilisant la technique de l'impression pour appliquer le matériau conducteur

Abrégé

A method for forming printed conductors on a flexible substrate is disclosed. Initially, an inorganic matrix precursor is printed onto a flexible substrate. The inorganic precursor is then cured with a light pulse to form a porous inorganic matrix thin film. A polymer is subsequently infused into the porous inorganic matrix thin film to form a polymer infused inorganic matrix thin film.

Classes IPC  ?

• C08J 7/04 - Revêtement
• H05B 41/34 - Circuits dans lesquels la lampe est alimentée par impulsions, p. ex. lampe éclair pour fournir une série d'éclairs
• H05K 3/12 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés dans lesquels le matériau conducteur est appliqué au support isolant de manière à former le parcours conducteur recherché utilisant la technique de l'impression pour appliquer le matériau conducteur
• H05B 33/08 - Circuits pour faire fonctionner des sources lumineuses électroluminescentes
• H05K 1/09 - Emploi de matériaux pour réaliser le parcours métallique

Abrégé

A curing apparatus is disclosed. The curing apparatus includes a flash lamp and a lamp housing for containing the flash lamp with the flash lamp's longitudinal axis in parallel with the direction of motion of a moving substrate irradiated by the flash lamp. The lamp housing is capable of attaching to a second lamp housing to form a concatenated lamp housing having a common reflector cavity. The second lamp housing also holds a second flash lamp with the second flash lamp's longitudinal axis in parallel with the direction of the moving substrate under the second flash lamp.

Classes IPC  ?

• B05D 3/06 - Traitement préalable des surfaces sur lesquelles des liquides ou d'autres matériaux fluides doivent être appliquésTraitement ultérieur des revêtements appliqués, p. ex. traitement intermédiaire d'un revêtement déjà appliqué, pour préparer les applications ultérieures de liquides ou d'autres matériaux fluides par exposition à des rayonnements
• F26B 13/10 - Aménagements pour l'alimentation, le chauffage ou la tenue du matériauCommande du mouvement, de la tension ou de la position du matériau
• B05D 3/00 - Traitement préalable des surfaces sur lesquelles des liquides ou d'autres matériaux fluides doivent être appliquésTraitement ultérieur des revêtements appliqués, p. ex. traitement intermédiaire d'un revêtement déjà appliqué, pour préparer les applications ultérieures de liquides ou d'autres matériaux fluides
• F26B 3/28 - Procédés de séchage d'un matériau solide ou d'objets impliquant l'utilisation de chaleur par radiation, p. ex. du soleil

Abrégé

A method for thermally processing a minimally absorbing thin film in a selective manner is disclosed. Two closely spaced absorbing traces are patterned in thermal contact with the thin film. A pulsed radiant source is used to heat the two absorbing traces, and the thin film is thermally processed via conduction between the two absorbing traces. This method can be utilized to fabricate a thin film transistor (TFT) in which the thin film is a semiconductor and the absorbers are the source and the drain of the TFT.

Classes IPC  ?

• H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée

Abrégé

A method and apparatus for thermally processing material on a low-temperature substrate using pulsed light from a flash lamp is disclosed. Material is conveyed past the flash lamp. The pulses of light are formed by Pulse Width Modulation to tailor the shape of the pulses to generate a thermal gradient in the substrate that enables the material to be heated beyond the maximum working temperature of the substrate without damage. Its shaped pulse rate is synchronized to the conveyance speed of a conveyance system. By using the information from a feedback sensor, the thermal gradient is recalculated to alter the shape of the pulses in real time for optimizing subsequent curings in real time without powering down the curing apparatus. The combined pulse shaping and synchronization allow a temperature profile to be tailored in the sample that is uniformly cured in the conveyance direction.

Classes IPC  ?

• H05B 6/10 - Appareils de chauffage par induction, autres que des fours, pour des applications spécifiques
• B29C 35/08 - Chauffage ou durcissement, p. ex. réticulation ou vulcanisation utilisant l'énergie ondulatoire ou un rayonnement corpusculaire

Abrégé

This invention relates generally to uses of novel nanomaterial composition and the systems in which they are used, and more particularly to nanomaterial compositions generally comprising carbon and a metal, which composition can be exposed to pulsed emissions to react, activate, combine, or sinter the nanomaterial composition. The nanomaterial compositions can alternatively be utilized at ambient temperature or under other means to cause such reaction, activation, combination, or sintering to occur.

Classes IPC  ?

• B22F 3/10 - Frittage seul
• F01N 3/20 - Silencieux ou dispositifs d'échappement comportant des moyens pour purifier, rendre inoffensifs ou traiter les gaz d'échappement pour rendre les gaz d'échappement inoffensifs par conversion thermique ou catalytique des composants nocifs des gaz d'échappement caractérisés par les méthodes d'opérationCommande spécialement adaptés à la conversion catalytique
• B82Y 30/00 - Nanotechnologie pour matériaux ou science des surfaces, p. ex. nanocomposites
• F23C 13/08 - Appareils dans lesquels la combustion a lieu en présence de matériau catalytique caractérisé par le matériau catalytique
• H05K 3/12 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés dans lesquels le matériau conducteur est appliqué au support isolant de manière à former le parcours conducteur recherché utilisant la technique de l'impression pour appliquer le matériau conducteur
• B01J 35/00 - Catalyseurs caractérisés par leur forme ou leurs propriétés physiques, en général
• B01J 37/34 - Irradiation ou application d'énergie électrique, magnétique ou ondulatoire, p. ex. d'ondes ultrasonores
• B01J 38/02 - Traitement thermique
• B41J 11/00 - Dispositifs ou agencements pour supporter ou manipuler un matériau de copie en feuilles ou en bandes

Abrégé

A curing apparatus for thermally processing thin films on low-temperature substrates at high speeds is disclosed. The curing apparatus includes a strobe head, a strobe control module and a conveyor control module. The strobe control module controls the power, duration and repetition rate of a set of pulses generated by a flash lamp on the strobe head. The conveyor control module along with the strobe control module provide real-time synchronization between the repetition rate of the set of pulses and the speed at which the substrate is being moved under the strobe head, according to the speed information.

Classes IPC  ?

• H05B 41/14 - Circuits

Abrégé

A method for producing an electrically conductive thin film on a substrate is disclosed. Initially, a reducible metal compound and a reducing agent are dispersed in a liquid. The dispersion is then deposited on a substrate as a thin film. The thin film along with the substrate is subsequently exposed to a pulsed electromagnetic emission to chemically react with the reducible metal compound and the reducing agent such that the thin film becomes electrically conductive.

Classes IPC  ?

• C23C 18/31 - Revêtement avec des métaux
• B41M 3/00 - Procédés d'impression pour des travaux imprimés d'un genre particulier, p. ex. motifs
• C23C 18/14 - Décomposition par irradiation, p. ex. par photolyse, rayonnement corpusculaire
• C23C 18/16 - Revêtement chimique par décomposition soit de composés liquides, soit de solutions des composés constituant le revêtement, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtementDépôt par contact par réduction ou par substitution, p. ex. dépôt sans courant électrique
• D21H 19/02 - Couches métalliques
• B41M 7/00 - Traitement ultérieur des travaux imprimés, p. ex. chauffage, irradiation
• B41M 5/00 - Procédés de reproduction ou méthodes de reproduction ou de marquageMatériaux en feuilles utilisés à cet effet

Produits et services

Lamps and lamp systems comprising illumination sources, all used for processing inks and thin film materials

Abrégé

This invention relates generally to uses of novel nanomaterial composition and the systems in which they are used, and more particularly to nanomaterial compositions generally comprising carbon and a metal, which composition can be exposed to pulsed emissions to react, activate, combine, or sinter the nanomaterial composition. The nanomaterial compositions can alternatively be utilized at ambient temperature or under other means to cause such reaction, activation, combination, or sintering to occur.

Classes IPC  ?

• B22F 9/24 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par un procédé chimique avec réduction de mélanges métalliques à partir de mélanges métalliques liquides, p. ex. de solutions