An imaging system comprising: a focal plane array (FPA) comprising a plurality of photodiodes, hosted by a shared substrate, each photodiode having a collection node; a pixel circuitry array (PCA) comprising a plurality of transistors, an input node of a transistor of the plurality of transistors connected to each photodiode collection node of the FPA; and biasing circuitry configured to: selectively bias a first portion of the plurality of transistors into an inactive configuration; reverse bias a substrate of each transistor of the first portion of the plurality of transistors; and selectively bias a second portion of the plurality of transistors into an active configuration; reverse bias the shared substrate to a different reverse bias than the reverse bias of each the transistor substrate of the first portion of the plurality of transistors.
H04N 25/47 - Capteurs d'images avec sortie d'adresse de pixelCapteurs d'images commandés par événementSélection des pixels à lire en fonction des données d'image
H04N 25/20 - Circuits de capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS]Leur commande pour transformer uniquement le rayonnement infrarouge en signaux d'image
H04N 25/772 - Circuits de pixels, p. ex. mémoires, convertisseurs A/N, amplificateurs de pixels, circuits communs ou composants communs comprenant des convertisseurs A/N, V/T, V/F, I/T ou I/F
H10F 39/00 - Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comprenant au moins un élément couvert par le groupe , p. ex. détecteurs de rayonnement comportant une matrice de photodiodes
H10F 39/18 - Capteurs d’images à semi-conducteurs d’oxyde de métal complémentaire [CMOS]Capteurs d’images à matrice de photodiodes
An infrared image processing method including: receiving an image frame including a measurement array X of pixel values from a detector array of an infrared camera; calculating, from the measurement array: a row average vector r where calculating each element ri of the row average vector includes averaging corresponding elements of rows of the measurement pixel array; a column average vector c where calculating each element cj of the column average vector includes averaging corresponding elements of columns of the measurement pixel array; generating a correction array D by, for each element Dij of the correction array, summing a corresponding row average vector element ri and a corresponding column average vector element cj; and applying the measurement array X with the correction array D to provide a corrected measurement array.
H04N 25/677 - Traitement du bruit, p. ex. détection, correction, réduction ou élimination du bruit appliqué au bruit à motif fixe, p. ex. non-uniformité de la réponse pour la détection ou la correction de la non-uniformité pour réduire le bruit à motif fixe de la colonne ou de la ligne
H04N 17/00 - Diagnostic, test ou mesure, ou leurs détails, pour les systèmes de télévision
H04N 23/20 - Caméras ou modules de caméras comprenant des capteurs d'images électroniquesLeur commande pour générer des signaux d'image uniquement à partir d'un rayonnement infrarouge
A fiber laser pump module comprising one or more lasing clusters comprising a plurality of lasing units disposed in a common plane. The lasing units are optically decoupled, such that light emitted by one lasing unit does not interfere with light of another lasing unit. The lasing units comprise at least some coherent lasing units, each coherent lasing unit includes a plurality of semiconductor surface-emitting laser elements that are mutually optically coupled, so that light emitted by one surface-emitting element interfere with light emitted by another surface-emitting element. Further included are one or more phase correctors for manipulating light emitted by the coherent lasing units to output corrected beams propagating in a single direction and having a far field pattern predominated by a single main lobe. A focusing optics assembly for focusing said corrected beams into a focused beam. An optical fiber for receiving and outputting the focused beam.
H01S 3/0941 - Procédés ou appareils pour l'excitation, p. ex. pompage utilisant le pompage optique par de la lumière cohérente produite par un laser à semi-conducteur, p. ex. par une diode laser
An image processing method including: receiving a plurality of image frames from a detector array, wherein each image frame includes a measurement array of pixel values; computing a difference array from each measurement array, to provide a plurality of difference arrays, wherein the elements of the difference array comprise: a selected element which is set to zero; elements which are computed as a difference between: a corresponding measurement array element; and another element of the measurement array; or a linear combination of other elements of the measurement array; averaging the plurality of difference arrays to provide an average difference array; and determining an offset array using the average difference array.
H04N 25/671 - Traitement du bruit, p. ex. détection, correction, réduction ou élimination du bruit appliqué au bruit à motif fixe, p. ex. non-uniformité de la réponse pour la détection ou la correction de la non-uniformité
H04N 17/00 - Diagnostic, test ou mesure, ou leurs détails, pour les systèmes de télévision
H04N 25/20 - Circuits de capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS]Leur commande pour transformer uniquement le rayonnement infrarouge en signaux d'image
An imaging system including: an optical detector pixel array configured to provide a plurality of optical measurement signals of a field of view (FOV); a pixel circuitry array (PCA) comprising a plurality of pixel circuits, each pixel circuit associated with a pixel of said optical detector pixel array and configured to receive an optical measurement signal of said plurality of optical measurement signals; at least one electrical connection to and shared by at least two pixel circuits of said plurality of pixel circuits, said at least two pixel circuits associated with at least two detector pixels of said detector pixel array respectively; and a detection circuitry configured to detect electrical fluctuation associated with receipt at said optical detector pixel array of a pulse of laser light.
A pixel readout circuit and a technique for imaging are disclosed. The circuit includes: an array of pixel integration circuits, each adapted for receiving an electric signal indicative of photocurrent of light sensitive pixel of a pixel matrix, integrate the electric signal over a frame period, and output the integrated signal at an imaging frame rate being one over the period; and an array of pixel derivation circuits, each includes a signal preprocessing channel for receiving a total electric signal indicative of at least a component of the photocurrent(s) of a cluster of respective light sensitive pixel(s); and a comparison unit adapted to analyze the total electric signal to determine digital data indicative of a change in the total electric signal relative to one or more thresholds; and a digital output utility adapted to readout of the digital data at a second rate different than the frame rate.
Photodetectors and methods for dual band photo detection are disclosed. The photodetector includes a stack of semiconductor layers defining first and second unipolar photosensitive modules (UPMs) of respectively opposite doping polarities, and a contact layer including at least one of metal and semiconductor materials having doping polarity opposite to that of the second UPM. The first and second UPMs are adapted for sensing radiation of different respective first and second wavelengths ranges. The second UPM is located upon the first UPM thereby forming a first diode junction between the first and second UPMs. The contact layer is located on the second UPM thereby forming a second diode junction between the second UPM and the contact layer. The first and second diode junctions are configured to have respectively opposite conduction directions, enabling selective sensing of electrical signals associated with the first and second wavelengths ranges.
H01L 31/0232 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails Éléments ou dispositions optiques associés au dispositif
H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 31/0304 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
H01L 31/108 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel étant du type Schottky
H01L 31/109 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel étant du type PN à hétérojonction
A mechanical system, such as cryogenic refrigerator system, is described. The system comprises two or more axial moving elements generating two or more cyclic forces along parallel axes and a vibration attenuation unit. The cyclic forces are provided with common frequency and certain phase difference between them. The vibration attenuation unit is configured for attenuating vibrations corresponding to two or more modes of vibrations characterized by a frequency corresponding to operation frequency of said two or more cyclic forces.
F25B 9/14 - Machines, installations ou systèmes à compression dans lesquels le fluide frigorigène est l'air ou un autre gaz à point d'ébullition peu élevé caractérisés par le cycle utilisé, p. ex. cycle de Stirling
F16F 7/10 - Amortisseurs de vibrationsAmortisseurs de chocs utilisant un effet d'inertie
F16F 7/116 - Amortisseurs de vibrationsAmortisseurs de chocs utilisant un effet d'inertie l'élément d'inertie étant monté de manière élastique sur des ressorts métalliques
F16F 1/32 - Ressorts en forme de coupellesRessorts en forme de disques légèrement concaves
A semiconductor device is disclosed, which includes: at least one device layer being a crystallized layer for example including: a superlattice layer and/or a layer of group III-V semiconductor materials; and a passivation structure comprising one or more layers wherein at least one layer of the passivation structure is a passivation layer grown in-situ in a crystallized form on top of the device layer, and at least one of the one or more layers of the passivation structure includes material having a high density of surface states which forces surface pinning of an equilibrium Fermi level within a certain band gap of the device layer, away from its conduction and valence bands.
H01L 31/00 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
H01L 27/00 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
H01L 31/0304 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
H01L 31/09 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet
H01L 31/108 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel étant du type Schottky
H01L 31/109 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel étant du type PN à hétérojonction
H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
The present invention discloses a photo-detector comprising: an n-type photon absorbing layer of a first energy bandgap; a middle barrier layer, an intermediate layer is a semiconductor structure; and a contact layer of a third energy bandgap, wherein the layer materials are selected such that the first energy bandgap of the photon absorbing layer is narrower than that of said middle barrier layer; wherein the material composition and thickness of said intermediate layer are selected such that the valence band of the intermediate layer lies above the valence band in the barrier layer to create an efficient trapping and transfer of minority carriers from the barrier layer to the contact layer such that a tunnel current through the barrier layer from the contact layer to the photon absorbing layer is less than a dark current in the photo-detector and the dark current from the photon-absorbing layer to said middle barrier layer is essentially diffusion limited and is due to the unimpeded flow of minority carriers, thus reducing generation-recombination (GR) noise of the photo-detector. The principles of the present invention also apply to inverted polarity structures of the form pBp in which all the doping polarities and band alignments described above are reversed.
H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
H01L 31/11 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par deux barrières de potentiel ou de surface, p.ex. phototransistor bipolaire
H01L 27/144 - Dispositifs commandés par rayonnement
H01L 31/0304 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
11.
Photodetector-arrays and methods of fabrication thereof
A photodetector-array and fabrication method thereof are disclosed. The photodetector-array includes a first and second semiconductor structures having respective active regions defining respective pluralities of active photodetectors and active readout integrated circuit pixels (RICPs) electronically connectable to one another respectively. The first and second semiconductor structures are made with different semiconductor materials/compositions having different first and second coefficients of thermal expansion (CTEs) respectively. The pitch distances of the active photodetectors and the pitch distances of the respective active RICPs are configured in accordance with the difference between the first and second CTEs, such that at high temperatures, at which electrical coupling between the first and second semiconductor structures is performed, the electric contacts of the active photodetectors and of their respective RICPs overlap. Accordingly, after the first and second semiconductor structures are bonded together, at least 99.5% of the active photodetector are electrically connected with their respective RICPs.
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/544 - Marques appliquées sur le dispositif semi-conducteur, p. ex. marques de repérage, schémas de test
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
A semiconductor device is disclosed, which includes: at least one a device layer being a crystallized layer for example including: a superlattice layer and/or a layer of group III-V semiconductor materials; and a passivation structure comprising one or more layers wherein at least one layer of the passivation structure is a passivation layer grown in-situ in a crystallized form on top of the device layer, and at least one of the one or more layers of the passivation structure includes material having a high density of surface states which forces surface pinning of an equilibrium Fermi level within a certain band gap of the device layer, away from its conduction and valence bands.
H01L 27/00 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
H01L 31/00 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
H01L 31/09 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet
H01L 31/108 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel étant du type Schottky
H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 31/0304 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 31/109 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel étant du type PN à hétérojonction
13.
Ruggedized dewar unit for integrated Dewar detector assembly
An Integrated Dewar Detector Assembly (IDDA) is presented. The IDDA comprises: a cold finger base; an elongated Dewar envelope having a proximal end associated with the cold finger base and a distal end comprising an optical window; an elongated tubular cold finger located inside said elongated Dewar envelope and having a proximal end at the cold finger base and a distal end for carrying a detector so as to expose the detector to incoming radiation through said optical window; an internal front support member extending from an inner surface of the Dewar envelope at its distal end to the distal end of the cold finger; and at least one wideband dynamic vibration absorber assembly located outside the Dewar envelope and attached to at least one location on an exterior surface of the Dewar envelope, said dynamic vibration absorber thereby attenuating vibration of the cold finger and the detector.
F25B 9/00 - Machines, installations ou systèmes à compression dans lesquels le fluide frigorigène est l'air ou un autre gaz à point d'ébullition peu élevé
G01J 5/06 - Dispositions pour éliminer les effets des radiations perturbatricesDispositions pour compenser les changements de la sensibilité
G12B 3/08 - Amortissement de mouvements, p. ex. pour éviter les oscillations au moment de la lecture
F16F 7/00 - Amortisseurs de vibrationsAmortisseurs de chocs
F16F 9/04 - Ressorts, amortisseurs de vibrations, amortisseurs de chocs ou amortisseurs de mouvement de structure similaire, utilisant un fluide ou moyen équivalent comme agent d'amortissement utilisant un gaz uniquement dans une chambre à paroi flexible
The present invention discloses a photo-detector comprising: an n-type photon absorbing layer of a first energy bandgap; a middle barrier layer, an intermediate layer is a semiconductor structure; and a contact layer of a third energy bandgap, wherein the layer materials are selected such that the first energy bandgap of the photon absorbing layer is narrower than that of said middle barrier layer; wherein the material composition and thickness of said intermediate layer are selected such that the valence band of the intermediate layer lies above the valence band in the barrier layer to create an efficient trapping and transfer of minority carriers from the barrier layer to the contact layer such that a tunnel current through the barrier layer from the contact layer to the photon absorbing layer is less than a dark current in the photo-detector and the dark current from the photon-absorbing layer to said middle barrier layer is essentially diffusion limited and is due to the unimpeded flow of minority carriers, thus reducing generation-recombination (GR) noise of the photo-detector. The principles of the present invention also apply to inverted polarity structures of the form pBp in which all the doping polarities and band alignments described above are reversed.
H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
H01L 31/0304 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 31/101 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet
H01L 27/144 - Dispositifs commandés par rayonnement
15.
Detector pixel signal readout circuit using an AC signal component in implementing an event detection mode per pixel
A pixel readout circuit for use with an imaging pixel array, comprising: an input channel for receiving an image signal corresponding to an electrical output of a photosensitive element of the pixel; and an electronic circuit interconnected between an input channel and an output readout utility. The electronic circuit comprises a capacitive unit, and a single analyzer. The capacitive unit is controllably linked to the input channel for accumulating a charge corresponding to received intensity generated by the pixel during a single frame period, and is connected to the output readout utility.
H04N 5/343 - Extraction de données de pixels provenant d'un capteur d'images en agissant sur les circuits de balayage, p.ex. en modifiant le nombre de pixels ayant été échantillonnés ou à échantillonner en commutant entre différents modes de fonctionnement utilisant des résolutions ou des formats d'images différents, p.ex. entre un mode d'images fixes et un mode d'images vidéo ou entre un mode entrelacé et un mode non entrelacé
H04N 5/335 - Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques utilisant des capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS]
H04N 5/3745 - Capteurs adressés, p.ex. capteurs MOS ou CMOS ayant des composants supplémentaires incorporés au sein d'un pixel ou connectés à un groupe de pixels au sein d'une matrice de capteurs, p.ex. mémoires, convertisseurs A/N, amplificateurs de pixels, circuits communs ou composants communs
An infrared (IR) imaging system is presented. The system includes a cooling chamber associated with a cooler generating a certain temperature condition inside the chamber. The cooling chamber has an optical window, and includes thereinside an IR detection unit including one or more detectors thermally coupled to the cooler and at least two cold shields thermally coupled to the cooler and carrying at least two imaging optical assemblies. The at least two imaging optical assemblies are enclosed by the cold shields in between the detection unit and the optical window and thereby define at least two different optical channels for imaging light from the optical window onto the one or more detectors of the detection unit.
A photo-detector with a reduced G-R noise comprises two n-type narrow bandgap layers surrounding a middle barrier layer having an energy bandgap at least equal to the sum of the bandgaps of the two narrow bandgap layers. Under the flat band conditions the conduction band edge of each narrow bandgap layer lies below the conduction band edge of the barrier layer by at least the bandgap energy of the other narrow bandgap layer. When biased with an externally applied voltage, the more negatively biased narrow bandgap layer is the contact layer and the more positively biased narrow bandgap layer is the photon absorbing layer. Under external bias conditions the bands in the photon absorbing layer next to the barrier layer are flat or accumulated, and the flat part of the valence band edge in the photon absorbing layer lies below the flat part of the valence band edge of the contact layer and has an energy of not more than 10kTop above the valence band edge in any part of the barrier layer (k=Boltzman constant and Top=operating temperature).
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 31/00 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
brevets