Hansol Iones Co., Ltd.

République de Corée

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Juridiction
        International 7
        États-Unis 1
Date
2024 novembre 1
2024 7
2023 1
Classe IPC
C03C 4/00 - Compositions pour verres ayant des propriétés particulières 5
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse 5
C03C 3/095 - Compositions pour la fabrication du verre contenant de la silice avec 40 à 90% en poids de silice contenant des terres rares 4
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants 4
C03B 11/12 - Refroidissement, chauffage ou isolation du poinçon, du moule ou de la presse de verre 3
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Statut
En Instance 1
Enregistré / En vigueur 7
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1.

COMPONENT FOR SEMICONDUCTOR ETCHING PROCESS, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

      
Numéro d'application KR2024005834
Numéro de publication 2024/228535
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-04-30
Date de publication 2024-11-07
Propriétaire HANSOL IONES CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
  • Lee, Kyung Min
  • Kim, Dae Gean

Abrégé

The present invention relates to a component for a semiconductor etching process, and a manufacturing method therefor, and, more specifically, to a component for a semiconductor etching process, and a manufacturing method therefor, the component comprising a coating layer, which includes metal fluoride on the surface of the component used in the semiconductor etching process, so as to improve plasma resistance.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/3065 - Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
  • H01L 21/308 - Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique en utilisant des masques
  • H01L 21/3213 - Gravure physique ou chimique des couches, p.ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
  • H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse

2.

PLASMA-RESISTANT GLASS, CHAMBER INTERIOR PARTS FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PROCESS, AND METHODS FOR MANUFACTURING SAME

      
Numéro d'application 18566335
Statut En instance
Date de dépôt 2022-05-13
Date de la première publication 2024-08-15
Propriétaire Hansol IONES Co., Ltd. (République de Corée)
Inventeur(s)
  • Kim, Dae Gun
  • Seok, Hye Won
  • Lee, Kyungmin
  • Na, Hye In
  • Lee, Mun Ki

Abrégé

The present invention relates to a plasma-resistant glass, chamber interior parts for a semiconductor manufacturing process, and methods for manufacturing same, and specifically, to a plasma-resistant glass and a method for manufacturing same, wherein the content of components of the plasma-resistant glass can be controlled to reduce the thermal expansion coefficient of the glass and thereby prevent the glass from being damaged due to thermal shock when used at a high-temperature.

Classes IPC  ?

  • H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
  • C03C 3/085 - Compositions pour la fabrication du verre contenant de la silice avec 40 à 90% en poids de silice contenant de l'oxyde d'aluminium ou un composé du fer contenant un oxyde d'un métal divalent
  • C03C 4/20 - Compositions pour verres ayant des propriétés particulières pour verre résistant aux agents chimiques
  • H01J 9/24 - Fabrication ou assemblage des enceintes, des conducteurs de traversée ou des culots

3.

PLASMA-RESISTANT GLASS, CHAMBER INTERIOR PART FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PROCESS, AND METHODS FOR MANUFACTURING GLASS AND PART

      
Numéro d'application KR2023012475
Numéro de publication 2024/085409
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-08-23
Date de publication 2024-04-25
Propriétaire HANSOL IONES CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
  • Na, Hye In
  • Lee, Kyung Min
  • Seok, Hye Won
  • Kim, Dae Gean

Abrégé

The present invention relates to a plasma-resistant glass, a chamber interior part for a semiconductor manufacturing process, and methods for manufacturing the glass and part, and specifically to a plasma-resistant glass, a chamber interior part for a semiconductor manufacturing process, and methods for manufacturing the glass and part, wherein the contents of plasma-resistant glass components in the glass are adjusted to achieve a low melting temperature, the thermal expansion coefficient of the glass can be reduced to prevent damage from thermal shock when the glass is used at a high temperature, the glass has improved light transmittance and durability and an appropriate dielectric constant, and the formability of the glass is improved by controlling the viscosity of a melt.

Classes IPC  ?

  • C03C 3/095 - Compositions pour la fabrication du verre contenant de la silice avec 40 à 90% en poids de silice contenant des terres rares
  • C03C 4/00 - Compositions pour verres ayant des propriétés particulières
  • C03B 19/09 - Autres méthodes de façonnage du verre par fusion de particules de verre dans un moule de mise en forme
  • C03B 25/02 - Recuisson des articles de verre en discontinu
  • H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants

4.

PLASMA-RESISTANT GLASS, INNER CHAMBER COMPONENT FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PROCESS, AND METHODS FOR MANUFACTURING GLASS AND COMPONENT

      
Numéro d'application KR2023012281
Numéro de publication 2024/080530
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-08-18
Date de publication 2024-04-18
Propriétaire HANSOL IONES CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
  • Jeon, Seo Yeon
  • Lee, Kyung Min
  • Seok, Hye Won
  • Kim, Dae Gean

Abrégé

The present invention relates to a plasma-resistant glass, an inner chamber component for a semiconductor manufacturing process, and methods for manufacturing the glass and the component, and specifically, to a plasma-resistant glass, an inner chamber component for a semiconductor manufacturing process, and methods for manufacturing the glass and the component, wherein the contents of plasma-resistant glass components in the plasma-resistant glass are adjusted to achieve a lower melting temperature, the thermal expansion coefficient of the plasma-resistant glass is reduced to prevent damage from thermal shock during high-temperature use, and the plasma-resistant glass has improved light transmittance and durability, as well as an appropriate dielectric constant.

Classes IPC  ?

  • C03C 3/087 - Compositions pour la fabrication du verre contenant de la silice avec 40 à 90% en poids de silice contenant de l'oxyde d'aluminium ou un composé du fer contenant un oxyde d'un métal divalent contenant de l'oxyde de calcium, p.ex. verre à vitre ordinaire ou verre pour récipients creux
  • C03C 3/062 - Compositions pour la fabrication du verre contenant de la silice avec moins de 40% en poids de silice
  • C03C 4/00 - Compositions pour verres ayant des propriétés particulières
  • C03B 11/12 - Refroidissement, chauffage ou isolation du poinçon, du moule ou de la presse de verre
  • H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
  • H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants

5.

PLASMA-RESISTANT GLASS, INNER CHAMBER COMPONENT FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PROCESS, AND METHODS FOR MANUFACTURING GLASS AND COMPONENT

      
Numéro d'application KR2023012285
Numéro de publication 2024/080531
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-08-18
Date de publication 2024-04-18
Propriétaire HANSOL IONES CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
  • Jeon, Seo Yeon
  • Lee, Kyung Min
  • Seok, Hye Won
  • Kim, Dae Geun

Abrégé

The present invention relates to a plasma-resistant glass, an inner chamber component for a semiconductor manufacturing process, and methods for manufacturing the glass and the component, and specifically, to a plasma-resistant glass, an inner chamber component for a semiconductor manufacturing process, and methods for manufacturing the glass and the component, wherein the contents of plasma-resistant glass components in the plasma-resistant glass are adjusted and SrO is added to achieve a lower melting temperature, the thermal expansion coefficient of the plasma-resistant glass is reduced to prevent damage from thermal shock during high-temperature use, and the plasma-resistant glass has improved light transmittance and durability.

Classes IPC  ?

  • C03C 3/095 - Compositions pour la fabrication du verre contenant de la silice avec 40 à 90% en poids de silice contenant des terres rares
  • C03C 3/083 - Compositions pour la fabrication du verre contenant de la silice avec 40 à 90% en poids de silice contenant de l'oxyde d'aluminium ou un composé du fer
  • C03C 3/062 - Compositions pour la fabrication du verre contenant de la silice avec moins de 40% en poids de silice
  • C03C 4/00 - Compositions pour verres ayant des propriétés particulières
  • C03B 11/12 - Refroidissement, chauffage ou isolation du poinçon, du moule ou de la presse de verre
  • H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
  • H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse

6.

PLASMA-RESISTANT GLASS, INNER CHAMBER COMPONENT FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PROCESS, AND MANUFACTURING METHODS THEREFOR

      
Numéro d'application KR2023012288
Numéro de publication 2024/080532
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-08-18
Date de publication 2024-04-18
Propriétaire HANSOL IONES CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
  • Na, Hye In
  • Lee, Kyung Min
  • Seok, Hye Won
  • Kim, Dae Geun

Abrégé

The present invention relates to plasma-resistant glass, an inner chamber component for a semiconductor manufacturing process, and manufacturing methods therefor and, particularly, to plasma-resistant glass, an inner chamber component for a semiconductor manufacturing process, and manufacturing methods therefor, wherein the contents of components in the plasma-resistant glass are adjusted, and a Ge-based oxide is added to achieve a low melting temperature, a thermal expansion coefficient of the plasma-resistant glass is reduced to prevent damage from thermal shock during use at high temperatures, and light transmittance and durability of the plasma-resistant glass can be improved.

Classes IPC  ?

  • C03C 3/095 - Compositions pour la fabrication du verre contenant de la silice avec 40 à 90% en poids de silice contenant des terres rares
  • C03C 3/087 - Compositions pour la fabrication du verre contenant de la silice avec 40 à 90% en poids de silice contenant de l'oxyde d'aluminium ou un composé du fer contenant un oxyde d'un métal divalent contenant de l'oxyde de calcium, p.ex. verre à vitre ordinaire ou verre pour récipients creux
  • C03C 3/062 - Compositions pour la fabrication du verre contenant de la silice avec moins de 40% en poids de silice
  • C03C 4/00 - Compositions pour verres ayant des propriétés particulières
  • C03B 11/12 - Refroidissement, chauffage ou isolation du poinçon, du moule ou de la presse de verre
  • H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
  • H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants

7.

PLASMA-RESISTANT GLASS, CHAMBER INNER PART FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PROCESS, AND MANUFACTURING METHODS THEREFOR

      
Numéro d'application KR2023011266
Numéro de publication 2024/071636
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-08-01
Date de publication 2024-04-04
Propriétaire HANSOL IONES CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
  • Jeon, Seo Yeon
  • Lee, Kyung Min
  • Seok, Hye Won
  • Kim, Dae Gean

Abrégé

The present invention relates to a plasma-resistant glass, a chamber inner part for a semiconductor manufacturing process, and manufacturing methods therefor and, specifically, to a plasma-resistant glass, a chamber inner part for a semiconductor manufacturing process, and manufacturing methods therefor, wherein the plasma-resistant glass has a low melting temperature by adjustment of the contents of plasma-resistant glass components, enables the prevention of damage caused by thermal shock during the use at high temperatures through the reduction in the coefficient of thermal expansion, has enhanced light transmittance and durability along with an appropriate dielectric constant, and attains improved moldability by adjustment of the viscosity of a molten material.

Classes IPC  ?

  • C03C 3/095 - Compositions pour la fabrication du verre contenant de la silice avec 40 à 90% en poids de silice contenant des terres rares
  • C03C 3/11 - Compositions pour la fabrication du verre contenant de la silice avec 40 à 90% en poids de silice contenant un halogène ou de l'azote
  • C03C 4/00 - Compositions pour verres ayant des propriétés particulières
  • C03B 19/09 - Autres méthodes de façonnage du verre par fusion de particules de verre dans un moule de mise en forme
  • C03B 25/02 - Recuisson des articles de verre en discontinu

8.

VACUUM MICROWAVE SPRAY COATING DEVICE, METHOD THEREFOR AND COATING LAYER FORMED THEREBY

      
Numéro d'application KR2021020142
Numéro de publication 2023/096021
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-12-29
Date de publication 2023-06-01
Propriétaire HANSOL IONES CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
  • Kim, Dae Gean
  • Lee, Kyung Min
  • Seok, Hye Won
  • Choi, Boo Hyun
  • Lee, Mun Ki

Abrégé

Embodiments of the present invention relate to a vacuum microwave spray coating device, a method therefor and a coating layer formed thereby, and, in order to solve the described problem, provided are a vacuum microwave spray coating device, a method therefor and a coating layer formed thereby, the device changing aerosolized powder into a semi-molten powder by heating same with microwaves in a vacuum state, and making the aerosolized semi-molten powder collide with a substrate so as to pulverize same, thereby enabling a coating layer to be rapidly formed even if same is formed by aerosol deposition. To this end, disclosed are a vacuum microwave spray coating device, a method therefor and a coating layer formed thereby, the device comprising: a carrier gas supply part for supplying carrier gas; a powder supply part for aerosolizing and supplying a powder by means of the carrier gas; a microwave supply part, which supplies thermal energy to the powder through microwaves so as to semi-melt the powder; and a coating nozzle, which sprays the aerosolized semi-molten powder at a substrate so as to form a coating layer on the substrate, wherein the substrate, the microwave supply part and the coating nozzle are accommodated inside a vacuum chamber.

Classes IPC  ?