A copper alloy that does not contain beryllium and has a 0.2% offset yield strength of at least 80 ksi and an electrical conductivity of at least 48% IACS is disclosed. The copper alloy contains nickel, silicon, chromium, manganese, zirconium, and balance copper. The alloy is prepared by cold working, solution annealing, and aging. The alloy can be used, for example, as a heat sink.
C22C 9/06 - Alliages à base de cuivre avec le nickel ou le cobalt comme second constituant majeur
C22F 1/00 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid
C22F 1/08 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid du cuivre ou de ses alliages
A refractory metal plate is disclosed having a center, a thickness, an edge, a top surface, and a bottom surface, wherein the thickness is less than or equal to 1.6 cm as measured from the top surface to the bottom surface. The refractory metal plate characterized by a sputtering deviation factor based on <100> texture, <110> texture, and <111> texture of less than 1. In addition, the refractory metal plate contains at least one impurity element in an amount up to 500 ppm.
A sputtering target assembly comprising a target plate comprising a refractory metal or a refractory metal alloy, an adjacent backing plate, and an iron-enriched interfacial zone. The backing plate comprises from 0.01 wt% to 0.5 wt% iron, 34.0 wt% to 40.0 wt% zinc, and from 60.0 wt% to 66.0 wt% copper. The iron-enriched interfacial zone bonds the backing plate to the target plate and has a concentration of iron that is greater than a concentration of iron in the backing plate as determined by Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry (ToF-SIMS).
Multilayer metal laminate composites, namely composites
consisting of multiple layers of laminated metal; multilayer
laminate composites consisting of a central layer of copper,
intermediate layers of stainless steel, and skin layers of a
copper alloy; multilayer metal laminate composites used in
the manufacture of battery interconnect devices.
A process for producing a copper-beryllium alloy product. The process comprises preparing a base alloy having 0.15 wt %-4.0 wt % beryllium and having grains and an initial cross section area. The process further comprises cold working the base alloy to a percentage of cold reduction of area (CRA) greater than 40%, based on the initial cross section area, and heat treating the cold worked alloy to produce the copper-beryllium alloy product. The grain structure of the copper-beryllium alloy product has an orientation angle of less than 45° when viewed along the direction of the cold working. The copper-beryllium alloy product demonstrates a fatigue strength of at least 385 MPa after 106 cycles of testing.
C22F 1/08 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid du cuivre ou de ses alliages
Methods are described for densifying articles produced from additive manufacturing processes, such as binder jet processes and laser powder bed fusion processes. The method may be used to make articles that comprise beryllium. The article may have an open cavity, a designed internal structural feature. In one embodiment, the method uses a sinter step prior to isostatic pressing.
B22F 5/10 - Fabrication de pièces ou d'objets à partir de poudres métalliques caractérisée par la forme particulière du produit à réaliser d'articles avec des cavités ou des trous, non prévue dans les sous-groupes précédents
B22F 10/14 - Formation d’un corps vert par projection de liant sur un lit de poudre
B22F 10/28 - Fusion sur lit de poudre, p. ex. fusion sélective par laser [FSL] ou fusion par faisceau d’électrons [EBM]
B22F 10/64 - Traitement de pièces ou d'articles après leur formation par des moyens thermiques
C22C 1/04 - Fabrication des alliages non ferreux par métallurgie des poudres
B22F 1/052 - Poudres métalliques caractérisées par la dimension ou la surface spécifique des particules caractérisées par un mélange de particules de dimensions différentes ou par la distribution granulométrique des particules
A sputtering target comprising a target plate comprising high purity tantalum or tantalum alloy and a backing plate. The portion of the target plate being adjacent to the backing plate contains a different texture than the remaining sputtering portion of the target plate. In one embodiment, the volume percentage of <110> texture of the target plate is from 2% to 20% through thickness as determined by electron backscatter diffraction (EBSD), while the volume percentage of the <110> texture in the target plate adjacent to the backing plate is less than 8%.
A stranded wire is disclosed for feeding to an additive manufacturing process. The stranded wire comprises one or more first wire filaments comprising a first metal or a first pre-alloy and one or more second wire filaments comprising a second metal or a second pre-alloy, wherein the second metal or a second pre-alloy is different than the first metal or the first pre-alloy. The first metal or a first pre-alloy and the second metal or a second pre-alloy have high purity.
B23K 35/02 - Baguettes, électrodes, matériaux ou environnements utilisés pour le brasage, le soudage ou le découpage caractérisés par des propriétés mécaniques, p. ex. par la forme
B23K 35/32 - Emploi de matériaux spécifiés pour le soudage ou le brasage dont le principal constituant fond à plus de 1550°C
B33Y 70/00 - Matériaux spécialement adaptés à la fabrication additive
A metallic laminate composite comprising a first layer comprising a copper-containing compound, a second layer selected from steel or stainless steel, and a third layer selected from copper or copper alloys. The second layer comprises 7 vol% to 25 vol% of the metallic laminate composite. In some cases, the composite the composite demonstrates a yield strength greater than 80 MPa.
A process of synthesizing a lithium lanthanum zirconium oxide (LLZO) powder may include mixing a lithium salt, water, and a precursor blend comprising a lanthanum precursor and a zirconium precursor to form a mixture. The process may include heating the mixture at low pressure to form a dried lithiated powder. The process may include calcining the dried lithiated powder to form a lithium lanthanum zirconium oxide powder. The LLZO powder may include a cubic garnet phase purity of greater than 95 wt%.
x1-x1-x to form a powder, wherein x ranges from 0.05 and 0.5; and consolidating the powder to form a target having a microstructure characterized by an average grain size of at most 50 microns. An aluminum-scandium alloy sputtering target comprising one or more Al-Sc intermetallic phases including Al-Sc intermetallic grains, wherein an average Al-Sc intermetallic grain size is at most 50 microns.
H01J 37/34 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse fonctionnant par pulvérisation cathodique
C22C 28/00 - Alliages à base d'un métal non mentionné dans les groupes
C22F 1/04 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid de l'aluminium ou de ses alliages
C22F 1/16 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid des autres métaux ou de leurs alliages
Multilayer laminate composites, namely composites consisting of multiple layers of laminate materials; Multilayer laminate composites consisting of a central layer of copper, intermediate layers of stainless steel, and skin layers of a copper alloy; multilayer laminate composites used in the manufacture of battery interconnect devices
13.
INTEGRAL RESISTANCE HEATERS INCLUDING NIOBIUM AND PROCESSES FOR MAKING SAME
A process of forming an integral resistance heater. The process comprises applying a metal layer in a pattern on a beryllium oxide ceramic body, wherein the pattern of the metal layer is connected to a conductor, contacting a first surface of a substrate with the metal layer to position the substrate in line with the ceramic body to form a pre-assembly body, wherein the substrate comprises a ceramic, and heating the pre-assembly body to a joining temperature from 800 °C to 1900 °C to form a heating element that joins the substrate to the ceramic body, wherein the pattern retains integrity when forming the heating element. The metal layer comprises from 10% to 100 % by weight of niobium.
H05B 3/10 - Éléments chauffants caractérisés par la composition ou la nature des matériaux ou par la disposition du conducteur
H05B 3/18 - Éléments chauffants caractérisés par la composition ou la nature des matériaux ou par la disposition du conducteur le conducteur étant enrobé dans un matériau isolant
H05B 3/20 - Éléments chauffants ayant une surface s'étendant essentiellement dans deux dimensions, p. ex. plaques chauffantes
A process for producing beryllium carbide powder comprising calcining a blend composition comprising a beryllium-containing compound and a carbon powder at a first calcination temperature to yield a composite powder, milling the composite powder to form a milled powder, stirring the milled powder in a heavy liquid to form a suspension, and separating at least a portion from the suspension to yield the beryllium carbide powder. In one embodiment, a sacrificial layer may be used during the calcination. The process produces a high purity beryllium carbide powder.
Disclosed herein are aluminum alloys with scandium as the alloying element. The alloys have a high scandium content, as measured by atomic percentage, and are highly uniform, as described herein. Methods of forming articles from these alloys are also disclosed, such articles including sputtering targets that can be used to form thin films containing high amounts of scandium.
An apparatus is disclosed which includes an ultraviolet laser and at least one reflective mirror having a substrate which is made from beryllium, an aluminum metal matrix, or silicon carbide. The at least one mirror is adapted to reflect a laser beam generated from the ultraviolet laser, which can then be used on a silicon film used in the production of an electronic display. The laser beam can be used to anneal the silicon film, or in a laser lift-off process for separating the silicon film from a temporary substrate upon which the silicon film was mounted.
Methods for manufacturing a beryllium-based article object comprising beryllium by depositing layers of beryllium. An element is added to the beryllium that dissolved to form a secondary phase to limit columnar grain. Grain refinement allows the beryllium article to have beneficial properties in terms of strength and durability.
Methods for manufacturing an object comprising beryllium by depositing layers of beryllium and metal inoculants are disclosed. Grain refinement allows the beryllium article to have beneficial properties in terms of strength and durability.
C01F 1/00 - Procédés de préparation des composés des métaux béryllium, magnésium, aluminium, calcium, strontium, baryum, radium, thorium ou des terres rares, en général
19.
METHOD FOR MANUFACTURING OBJECTS COMPRISING BERYLLIUM
Methods for manufacturing an object comprising beryllium by depositing layers of beryllium and metal inoculants are disclosed. Grain refinement allows the beryllium article to have beneficial properties in terms of strength and durability.
B22F 1/00 - Poudres métalliquesTraitement des poudres métalliques, p. ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
B22F 1/05 - Poudres métalliques caractérisées par la dimension ou la surface spécifique des particules
B22F 1/17 - Particules métalliques revêtues de métal
B22F 10/28 - Fusion sur lit de poudre, p. ex. fusion sélective par laser [FSL] ou fusion par faisceau d’électrons [EBM]
B22F 10/32 - Commande ou régulation des opérations de l’atmosphère, p. ex. de la composition ou de la pression dans une chambre de fabrication
B22F 10/38 - Commande ou régulation des opérations pour obtenir des caractéristiques spécifiques du produit, p. ex. le lissage de la surface, la densité, la porosité ou des structures creuses
B22F 10/64 - Traitement de pièces ou d'articles après leur formation par des moyens thermiques
B22F 12/90 - Moyens de commande ou de régulation des opérations, p. ex. caméras ou capteurs
B33Y 40/20 - Posttraitement, p. ex. durcissement, revêtement ou polissage
C22F 1/16 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid des autres métaux ou de leurs alliages
20.
METHOD FOR MANUFACTURING A BERYLLIUM-BASED ARTICLE
Methods for manufacturing a beryllium-based article object comprising beryllium by depositing layers of beryllium. An element is added to the beryllium that dissolved to form a secondary phase to limit columnar grain. Grain refinement allows the beryllium article to have beneficial properties in terms of strength and durability.
B22F 1/00 - Poudres métalliquesTraitement des poudres métalliques, p. ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
B22F 1/05 - Poudres métalliques caractérisées par la dimension ou la surface spécifique des particules
B22F 1/17 - Particules métalliques revêtues de métal
B22F 10/28 - Fusion sur lit de poudre, p. ex. fusion sélective par laser [FSL] ou fusion par faisceau d’électrons [EBM]
B22F 10/32 - Commande ou régulation des opérations de l’atmosphère, p. ex. de la composition ou de la pression dans une chambre de fabrication
B22F 10/38 - Commande ou régulation des opérations pour obtenir des caractéristiques spécifiques du produit, p. ex. le lissage de la surface, la densité, la porosité ou des structures creuses
B22F 12/90 - Moyens de commande ou de régulation des opérations, p. ex. caméras ou capteurs
B33Y 40/20 - Posttraitement, p. ex. durcissement, revêtement ou polissage
C22F 1/16 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid des autres métaux ou de leurs alliages
21.
METHOD FOR GRAIN REFINEMENT OF A BERYLLIUM ARTICLE
Methods for grain refinement of beryllium articles are disclosed. Grain refinement allows the beryllium article to have beneficial properties in terms of strength and durability. One method stabilizes the β-phase of the beryllium that is precipitated after cycling above a temperature that is greater than or equal to the beta transus temperature.
C22F 1/16 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid des autres métaux ou de leurs alliages
22.
METHOD FOR GRAIN REFINEMENT OF A BERYLLIUM ARTICLE
Methods for grain refinement of beryllium articles are disclosed. Grain refinement allows the beryllium article to have beneficial properties in terms of strength and durability. One method stabilizes the β-phase of the beryllium that is precipitated after cycling above a temperature that is greater than or equal to the beta transus temperature.
Methods for grain refinement of beryllium articles are disclosed. Grain refinement allows the beryllium article to have beneficial properties in terms of strength and durability. The method disclosed herein provide for efficient grain refinement using in situ formed intermetallic compounds of beryllium.
C22F 1/16 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid des autres métaux ou de leurs alliages
B22F 1/05 - Poudres métalliques caractérisées par la dimension ou la surface spécifique des particules
B22F 10/36 - Commande ou régulation des opérations des paramètres du faisceau d’énergie
B22F 10/38 - Commande ou régulation des opérations pour obtenir des caractéristiques spécifiques du produit, p. ex. le lissage de la surface, la densité, la porosité ou des structures creuses
B33Y 50/02 - Acquisition ou traitement de données pour la fabrication additive pour la commande ou la régulation de procédés de fabrication additive
B33Y 70/00 - Matériaux spécialement adaptés à la fabrication additive
25.
PHOTO RESIST AS OPAQUE APERTURE MASK ON MULTISPECTRAL FILTER ARRAYS
An apparatus (e.g., a multi-spectral optical filter array, an optical wafer, an optical component) has an aperture mask printed directly thereon, the aperture mask including a positive or negative photoresist. The apparatus includes a substrate having the aperture mask printed on at least one of a light entrance surface or a light exit surface of the substrate so as to provide an aperture over a portion of the substrate. The photoresist from which the aperture mask is formed is photo-definable or non-photo-definable, and is deposited/printed to form the aperture mask on the substrate.
G03F 7/00 - Production par voie photomécanique, p. ex. photolithographique, de surfaces texturées, p. ex. surfaces impriméesMatériaux à cet effet, p. ex. comportant des photoréservesAppareillages spécialement adaptés à cet effet
G03F 7/038 - Composés macromoléculaires rendus insolubles ou sélectivement mouillables
G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons
Provided is a light converter and its method of manufacture. A light conversion layer containing light conversion particles in a binding material is provided for generating emission light from excitation light incident on the light conversion layer. A planarization layer is disposed on a surface of the light conversion layer. At least one optical coating is part of or on a surface of the planarization layer that is relatively smooth in comparison with the surface of the light conversion layer.
G02B 26/00 - Dispositifs ou dispositions optiques pour la commande de la lumière utilisant des éléments optiques mobiles ou déformables
H04N 9/31 - Dispositifs de projection pour la présentation d'images en couleurs
B32B 3/26 - Produits stratifiés comprenant une couche ayant des discontinuités ou des rugosités externes ou internes, ou une couche de forme non planeProduits stratifiés comprenant une couche ayant des particularités au niveau de sa forme caractérisés par une couche continue dont le périmètre de la section droite a une allure particulièreProduits stratifiés comprenant une couche ayant des discontinuités ou des rugosités externes ou internes, ou une couche de forme non planeProduits stratifiés comprenant une couche ayant des particularités au niveau de sa forme caractérisés par une couche comportant des cavités ou des vides internes
Systems and methods for reducing the thickness of a strip of an aluminum-based material are disclosed. The aluminum-based material is pre-heated before running the material through a warm rolling process. The systems include devices for pre-heating, which can include a heated payoff station or a dedicated pre-heating station that applies heated rolls or acts as a heated tunnel.
B21B 45/00 - Dispositifs pour le traitement de surface des pièces spécialement combinés aux laminoirs, disposés dans les laminoirs, ou adaptés pour être utilisés avec les laminoirs
B21B 1/22 - Méthodes de laminage ou laminoirs pour la fabrication des produits semi-finis de section pleine ou de profilésSéquence des opérations dans les trains de laminoirsInstallation d'une usine de laminage, p. ex. groupement de cagesSuccession des passes ou des alternances de passes pour laminer des bandes ou des feuilles en longueurs indéfinies
A reinforced alloy comprising reinforcement particles (fine and/or coarse) for a bracket that provides enhanced theft deterrence and lightweight. The bracket may be used for a lock for a personal transportation vehicle.
C22C 32/00 - Alliages non ferreux contenant entre 5 et 50% en poids d'oxydes, de carbures, de borures, de nitrures, de siliciures ou d'autres composés métalliques, p. ex. oxynitrures, sulfures, qu'ils soient soient ajoutés comme tels ou formés in situ
C22C 21/16 - Alliages à base d'aluminium avec le cuivre comme second constituant majeur avec du magnésium
E05B 71/00 - Serrures autres que cadenas spécialement conçues pour les bicyclettes
An optical device comprises two flat plates each having a reflective flat surface, and two flat spacer plates of thickness H each having a reflective sidewall. The flat plates and flat spacer plates are arranged as a stack with the reflective flat surfaces facing each other and the flat spacer plates arranged in a single plane and disposed between the two flat plates with the reflective sidewalls facing each other and with a gap between the two reflective sidewalls. The facing reflective flat surfaces and facing reflective sidewalls define a light tunnel passage with dimension H in the direction transverse to the single plane. The facing reflective sidewalls may be mutually parallel and spaced by a constant gap W to provide a light tunnel passage with constant cross-section H×W, or may be oriented at an angle to provide a tapered light tunnel passage.
A reinforced alloy comprising reinforcement particles (fine and/or coarse) for a bracket that provides enhanced theft deterrence and lightweight. The bracket may be used for a lock for a personal transportation vehicle.
C22C 21/12 - Alliages à base d'aluminium avec le cuivre comme second constituant majeur
E05B 15/16 - Emploi de matériaux spécifiés pour éléments de serrures
E05B 67/06 - Anses de cadenasDisposition de l'anse
C22C 32/00 - Alliages non ferreux contenant entre 5 et 50% en poids d'oxydes, de carbures, de borures, de nitrures, de siliciures ou d'autres composés métalliques, p. ex. oxynitrures, sulfures, qu'ils soient soient ajoutés comme tels ou formés in situ
The present disclosure relates to an electrode for measuring an analyte. The electrode includes a first base layer, a first electrode layer upon the first base layer, and a second base layer. The first electrode layer is arranged between the first base layer and the second base layer. The first base layer includes a conductive metal, a conductive metal alloy, or carbon. The first electrode layer includes ruthenium metal, a ruthenium based metal alloy, nickel metal, or a nickel based metal alloy. The first base layer is made of different elements than the first electrode layer. The first base layer is more conductive than the first electrode layer.
09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques
Produits et services
Radio frequency housings for electronic devices, namely, semiconductors, electronic chips, substrates, and radio frequency power transistors; housings for electronic chips, substrates, and radio frequency power transistors; semiconductor housings, namely, housings for radio frequency power transistors and radio frequency semiconductors; radio frequency housings for 5G cellular network technology applications, electronic devices, namely, semiconductors, electronic chips, substrates, and radio frequency power transistors and 5G cellular network technology electronics.
33.
High optical power light conversion device using a phosphor element with solder attachment
A light generator comprises a light conversion device and a light source arranged to apply a light beam to the light conversion element. The light conversion device includes an optoceramic or other solid phosphor element comprising one or more phosphors embedded in a ceramic, glass, or other host, a metal heat sink, and a solder bond attaching the optoceramic phosphor element to the metal heat sink. The optoceramic phosphor element does not undergo cracking in response to the light source applying a light beam of beam energy effective to heat the optoceramic phosphor element to the phosphor quenching point.
H01L 31/0232 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails Éléments ou dispositions optiques associés au dispositif
C03C 14/00 - Compositions de verre contenant un constituant non vitreux, p. ex. compositions contenant des fibres, filaments, trichites, paillettes ou similaires, dispersés dans une matrice de verre
C04B 37/02 - Liaison des articles céramiques cuits avec d'autres articles céramiques cuits ou d'autres articles, par chauffage avec des articles métalliques
G03B 21/16 - RefroidissementPrévention de la surchauffe
H01L 31/024 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de température
H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/64 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments d'extraction de la chaleur ou de refroidissement
34.
SEMICONDUCTOR PACKAGE FOR AN EDGE EMITTING LASER DIODE
Provided herein is a semiconductor package and method of forming the same. The semiconductor package has a cap including a first window wafer with a first face and opposing second face, a second window wafer, and a perforated spacer wafer with through-holes extending therethrough. The first and second faces of the first window wafer are mutually parallel and at least one face includes an antireflective surface. The spacer wafer is disposed between the first and second window wafers with the first and second window wafers bonded to opposing faces of the spacer wafer. The window wafers and spacer wafer together define a cavity in the cap. An edge-emitting laser diode is disposed on a submount and configured to direct a laser beam at normal incidence to the first face of the first window wafer. The cap is mounted on the submount with the edge-emitting laser diode enclosed in the cavity.
H01S 5/02257 - Découplage de lumière utilisant des fenêtres optiques, p. ex. spécialement adaptées pour réfléchir de la lumière sur un détecteur à l’intérieur du boîtier
H01S 5/02208 - SupportsBoîtiers caractérisés par la forme des boîtiers
Provided herein is a semiconductor package and method of forming the same. The semiconductor package has a cap including a first window wafer with a first face and opposing second face, a second window wafer, and a perforated spacer wafer with through-holes extending therethrough. The first and second faces of the first window wafer are mutually parallel and at least one face includes an antireflective surface. The spacer wafer is disposed between the first and second window wafers with the first and second window wafers bonded to opposing faces of the spacer wafer. The window wafers and spacer wafer together define a cavity in the cap. An edge-emitting laser diode is disposed on a submount and configured to direct a laser beam at normal incidence to the first face of the first window wafer. The cap is mounted on the submount with the edge-emitting laser diode enclosed in the cavity.
Sputtering targets, namely tantalum sputtering targets; metal sputtering targets for use in the semiconductor industry; metal sputtering targets for use in vacuum sputter deposition of inorganic coatings on substrates; metallic and other inorganic material sputtering targets for use in vacuum coating of metallic and inorganic material on substrates such as semiconductor wafers.
metal sputtering targets, namely, tantalum sputtering targets; metal sputtering targets for use in the semiconductor industry; metal sputtering targets for use in vacuum sputter deposition of inorganic coatings on substrates; metallic material sputtering targets for use in vacuum coating of metallic and inorganic material on substrates such as semiconductor wafers
38.
Aluminum-Scandium Composite, Aluminum-Scandium Composite Sputtering Target And Methods Of Making
An Al—Sc alloy sputtering target. The target comprising from 1.0 at % to 65 at % scandium and from 35 at % to 99 at % aluminum and having a microstructure including a first aluminum matrix phase and a second phase dispersed uniformly therethrough. The second phase comprises one or more compounds corresponding to the formula ScxAly, where x is from 1 to 2 and y is from 0 to 3.
A layered structure for forming charging terminals for high power applications. In some embodiments, the layered structure may include a substrate and a contact layer disposed over at least a portion of the substrate. The substrate may have a conductivity greater than 40% International Annealed Copper Standard (IACS). The contact layer may demonstrate a coefficient of friction of less than 1.4, such as from 0.1 to 1.4, as measured in accordance with American Society of Testing and Materials (ASTM) G99-17. The contact layer may include a precious-metal-based alloy, such as a silver-samarium alloy.
H01R 13/03 - Contacts caractérisés par le matériau, p. ex. matériaux de plaquage ou de revêtement
B32B 7/025 - Propriétés électriques ou magnétiques
B32B 15/01 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal toutes les couches étant composées exclusivement de métal
C22C 5/08 - Alliages à base d'argent avec le cuivre comme second constituant majeur
H01B 1/02 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisésEmploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement de métaux ou d'alliages
H01H 1/023 - Matériau composite avec un métal noble comme matériau de base
H01H 11/04 - Appareillages ou procédés spécialement adaptés à la fabrication d'interrupteurs électriques de contacts d'interrupteurs
H01R 43/16 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication, l'assemblage, l'entretien ou la réparation de connecteurs de lignes ou de collecteurs de courant ou pour relier les conducteurs électriques pour la fabrication des pièces de contact, p. ex. par découpage et pliage
Processes are disclosed for forming beryllium-copper metal rings having a fine and uniform grain structure. A raw BeCu casting is pre-forged and turned to form a BeCu billet. The BeCu billet is subjected to various heat treatment and cooling cycles to obtain/maintain combinations of advantageous material properties. Generally, the BeCu billet is preheated, hot worked via forging, heated again, hot worked again via ring rolling followed by air cooling, solution annealed followed by quenching, and heated a final time followed by air cooling.
C22F 1/08 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid du cuivre ou de ses alliages
B21K 1/76 - Fabrication d'éléments de machines d'éléments non mentionnés dans l'un des groupes précédents
Techniques and/or systems are disclosed herein for forming a window cavity wafer that includes fabricating a window wafer by: providing a window wafer substrate having two faces; etching fiducials onto one or more faces of the window wafer substrate; and applying one or more optical coatings to on one or more faces of the window wafer substrate. Next, fabricating a spacer wafer separate from the window wafer by: providing a spacer wafer substrate having two faces; and forming an array of through-holes in the spacer wafer substrate. Then, bonding the spacer wafer to the window wafer to form the window cavity wafer; and forming discrete metal frames on a face of the window cavity wafer.
G01J 5/20 - Pyrométrie des radiations, p. ex. thermométrie infrarouge ou optique en utilisant des détecteurs électriques de radiations en utilisant des éléments résistants, thermorésistants ou semi-conducteurs sensibles aux radiations, p. ex. des dispositifs photoconducteurs
H01L 31/09 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet
B81C 1/00 - Fabrication ou traitement de dispositifs ou de systèmes dans ou sur un substrat
09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques
Produits et services
Radio frequency packages and packaging for electronic devices; packaging for electronic chips, substrates, and radio frequency power transistors; semiconductor packages and packaging, namely, packages and packaging for radio frequency power transistors and radio frequency semiconductors; radio frequency packaging for 5G cellular network technology applications electronic devices and 5G cellular network technology electronics
43.
MODULAR SPUTTERING TARGET WITH PRECIOUS METAL INSERT AND SKIRT
A sputtering target comprising a target insert comprising a target metal compound and a skirt structure including a primary skirt and a secondary skirt. The primary skirt is disposed adjacent least a portion of a secondary skirt and comprises a first metal compound. The secondary skirt comprises a second metal compound that is different from the first metal compound.
A sputtering target comprising a target insert comprising a target metal compound and a skirt structure including a primary skirt and a secondary skirt. The primary skirt is disposed adjacent least a portion of a secondary skirt and comprises a first metal compound. The secondary skirt comprises a second metal compound that is different from the first metal compound.
Molybdenum oxychloride consolidated masses, comprising molybdenum oxychloride and less than 10 wt % binder. The consolidated masses have a bulk density greater than 0.85 g/cc.
A white light source includes a light source and a phosphor conversion component. The light source emits short wavelength light peaked at a peak wavelength of 570 nanometers or shorter. The phosphor conversion component includes a light conversion layer comprising a phosphor effective to convert the short wavelength light to converted light. The light conversion layer includes light passages comprising openings or passage material that does not comprise the phosphor and is light transmissive for the short wavelength light. The light source is disposed respective to the phosphor conversion component so as to illuminate the light conversion layer with the emitted short wavelength light and to pass the short wavelength light through the light passages.
F21V 9/32 - Éléments contenant un matériau photoluminescent distinct de la source de lumière ou espacé de cette source caractérisés par la disposition du matériau photoluminescent
F21K 9/64 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des moyens de conversion de longueur d’onde distincts ou espacés de l’élément générateur de lumière, p. ex. une couche de phosphore éloignée
H01L 33/10 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure réfléchissante, p.ex. réflecteur de Bragg en semi-conducteur
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
G02B 26/00 - Dispositifs ou dispositions optiques pour la commande de la lumière utilisant des éléments optiques mobiles ou déformables
A microelectronics package assembly and process of making same are disclosed. The flange has an upper surface and a first coating disposed on the upper surface of the flange. The insulator has a bottom surface for mounting onto the flange and an upper surface opposite the bottom surface. A second coating is disposed on the bottom surface of the insulator and a third coating disposed on the upper surface of the insulator. The first coating, the second coating, and the third coating each have a thickness of less than or equal to 1 micron. At least one of the first coating, the second coating, and the third coating is applied via at least one of physical vapor deposition, atomic deposition, or chemical deposition.
H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
A microelectronics package assembly and process of making same are disclosed. The flange has an upper surface and a first coating disposed on the upper surface of the flange. The insulator has a bottom surface for mounting onto the flange and an upper surface opposite the bottom surface. A second coating is disposed on the bottom surface of the insulator and a third coating disposed on the upper surface of the insulator. The first coating, the second coating, and the third coating each have a thickness of less than or equal to 1 micron. At least one of the first coating, the second coating, and the third coating is applied via at least one of physical vapor deposition, atomic deposition, or chemical deposition.
H01L 23/053 - ConteneursScellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base isolante qui sert de support pour le corps semi-conducteur
H01L 23/36 - Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p. ex. dissipateurs de chaleur
The present disclosure relates to an electrode for measuring an analyte. The electrode includes a first base layer, a first electrode layer upon the first base layer, and a second base layer. The first electrode layer is arranged between the first base layer and the second base layer. The first base layer includes a conductive metal, a conductive metal alloy, or carbon. The first electrode layer includes ruthenium metal, a ruthenium based metal alloy, nickel metal, or a nickel based metal alloy. The first base layer is made of different elements than the first electrode layer. The first base layer is more conductive than the first electrode layer.
Metal matrix composites in the form of bars, sheets, panels, plates, powder, and machined blanks composed of a metal matrix combined with a reinforcing material for use in further manufacture.
51.
NEAR INFRARED OPTICAL INTERFERENCE FILTERS WITH IMPROVED TRANSMISSION
An interference filter includes a layers stack comprising a plurality of layers of at least: layers of amorphous hydrogenated silicon with added nitrogen (a-Si:H,N) and layers of one or more dielectric materials, such as SiO2, SiOx, SiOxNy, a dielectric material with a higher refractive index in the range 1.9 to 2.7 inclusive, or so forth. The interference filter is designed to have a passband center wavelength in the range 750-1000 nm inclusive. Added nitrogen in the a-Si:H,N layers provides improved transmission in the passband without a large decrease in refractive index observed in a-Si:H with comparable transmission. Layers of a dielectric material with a higher refractive index in the range 1.9 to 2.7 inclusive provide a smaller angle shift compared with a similar interference filter using SiO2 as the low index layers.
C23C 14/06 - Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement caractérisé par le matériau de revêtement
A base plate containing a having a top and a bottom and comprising a beryllium oxide composition containing at least 95 wt % beryllium oxide and optionally fluorine/fluoride ion. The base plate demonstrates a clamping pressure of at least 133 kPa at a temperature of at least 600° C. and a bulk resistivity greater than 1×105 ohm-m at 800° C.
C04B 35/08 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base d'oxydes à base d'oxyde de béryllium
In a method of manufacturing a one-dimensionally varying optical filter, a substrate is coated to form a stack of layers of two or more different types. The coating may, for example, employ sputtering, electron-beam evaporation, or thermal evaporation. During the coating, the time-averaged deposition rate is varied along an optical gradient direction by generating reciprocation between a shadow mask and the substrate in a reciprocation direction that is transverse to the optical gradient direction. In some approaches, the shadow mask is periodic with a mask period defined along the direction of reciprocation, and the generated reciprocation has a stroke equal to or greater than the mask period along the direction of reciprocation. The substrate and the shadow mask may also be rotated together as a unit during the coating. Also disclosed are one-dimensionally varying optical filters, such as linear variable filters, made by such methods.
12. Milling the YAG compact, without a grinding media, and drying produces the YAG powder. Processes further include introducing a dopant to the powder mixture to produce doped YAG powder.
C04B 35/18 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base d'oxydes à base de silicates autres que l'argile riches en oxyde d'aluminium
C04B 35/626 - Préparation ou traitement des poudres individuellement ou par fournées
55.
YTTRIUM ALUMINUM GARNET POWDER AND PROCESSES FOR SYNTHESIZING SAME
A process of synthesizing a yttrium aluminum garnet (YAG) powder. The process comprises introducing powders of yttria and silica to form a powder mixture, wherein alumina is not added to the powder mixture. Milling the powder mixture in the presence of an alumina grinding media and a solvent forms a powder slurry. Processing the powder slurry forms a green compact. Calcining the green compact at a temperature of from 1100 °C to 1650 °C for greater than 8 hours in air to 50% or less theoretical density forms a YAG compact of at least 92 wt% Y3Al5O12. Milling the YAG compact, without a grinding media, and drying produces the YAG powder. Processes further include introducing a dopant to the powder mixture to produce doped YAG powder.
C04B 35/44 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base d'oxydes à base d'aluminates
C01F 17/34 - Aluminates, p. ex. YAlO3 ou Y3-xGdxAl5O12
C04B 35/622 - Procédés de mise en formeTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques
C04B 35/626 - Préparation ou traitement des poudres individuellement ou par fournées
metal matrix composites in the form of bars, sheets, panels, plates, powder, and machined blanks composed of a metal matrix combined with a reinforcing material for use in further manufacture
C22F 1/08 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid du cuivre ou de ses alliages
The present disclosure relates to piston assembly comprising a piston having a circumferential groove and a ring groove insert within the circumferential groove of the piston. Particularly, the ring groove insert is a second material different from a first material of the piston. The second material has at least one of the following: a) a density from 90% to 120% of a density of the first material; b) a coefficient of thermal expansion (CTE) from 50% to 90% of a CTE of the first material; or c) a thermal conductivity greater than a thermal conductivity of the first material.
B22D 21/00 - Coulée de métaux non ferreux ou de composés métalliques, dans la mesure où leurs propriétés métallurgiques affectent le procédé de couléeUtilisation de compositions appropriées
C22C 21/16 - Alliages à base d'aluminium avec le cuivre comme second constituant majeur avec du magnésium
C22C 21/14 - Alliages à base d'aluminium avec le cuivre comme second constituant majeur avec du silicium
F16J 9/22 - Segments pour empêcher l'usure des gorges ou logements du même genre
The present disclosure relates to piston assembly comprising a piston having a circumferential groove and a ring groove insert within the circumferential groove of the piston. Particularly, the ring groove insert is a second material different from a first material of the piston. The second material has at least one of the following: a) a density from 90% to 120% of a density of the first material; b) a coefficient of thermal expansion (CTE) from 50% to 90% of a CTE of the first material; or c) a thermal conductivity greater than a thermal conductivity of the first material.
A crucible having a heat treated body. The heat treated body comprises a composition including an oxide material, from 5 wt % to 50 wt % a nitride material, and optionally a sintering aid. A weight ratio of the nitride material to the oxide material ranges from 0.02:1 to 2.0:1. The heat treated body has an oxide material lattice structure with nitride material at least partially encapsulated therein.
C04B 35/63 - Préparation ou traitement des poudres individuellement ou par fournées utilisant des additifs spécialement adaptés à la formation des produits
A copper alloy that is devoid of beryllium and has a 0.2% offset yield strength of at least 70 ksi and an electrical conductivity of at least 75% IACS is disclosed. The copper alloy comprises chromium, silicon, silver, titanium, zirconium, and balance copper. The alloy is prepared by cold working, solution annealing, and aging. The alloy can be used in several different applications.
C22F 1/08 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid du cuivre ou de ses alliages
C21D 8/02 - Modification des propriétés physiques par déformation en combinaison avec, ou suivie par, un traitement thermique pendant la fabrication de produits plats ou de bandes
A cask liner includes a hollow cylinder comprising a boron-containing composition. The hollow cylinder has no longitudinal joints. The hollow cylinder may be formed as a single unit by isostatic pressing, for example by hot isostatic pressing (HIP) of a blend of a boron-containing powder and an aluminum or aluminum alloy powder which is blended by mechanical alloying. Casked nuclear fuel includes a nuclear fuel rod comprising uranium, which is disposed in or extends through the hollow cylinder of the cask liner.
B22F 5/10 - Fabrication de pièces ou d'objets à partir de poudres métalliques caractérisée par la forme particulière du produit à réaliser d'articles avec des cavités ou des trous, non prévue dans les sous-groupes précédents
C22C 1/04 - Fabrication des alliages non ferreux par métallurgie des poudres
C22C 1/05 - Mélanges de poudre métallique et de poudre non métallique
G21F 5/012 - Râteliers pour éléments combustibles dans le récipient
63.
Photo resist as opaque aperture mask on multispectral filter arrays
An apparatus (e.g., a multi-spectral optical filter array, an optical wafer, an optical component) has an aperture mask printed directly thereon, the aperture mask including a positive or negative photoresist. The apparatus includes a substrate having the aperture mask printed on at least one of a light entrance surface or a light exit surface of the substrate so as to provide an aperture over a portion of the substrate. The photoresist from which the aperture mask is formed is photo-definable or non-photo-definable, and is deposited/printed to form the aperture mask on the substrate.
G03F 7/00 - Production par voie photomécanique, p. ex. photolithographique, de surfaces texturées, p. ex. surfaces impriméesMatériaux à cet effet, p. ex. comportant des photoréservesAppareillages spécialement adaptés à cet effet
G03F 7/038 - Composés macromoléculaires rendus insolubles ou sélectivement mouillables
G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons
64.
High optical power light conversion device using a phosphor element with solder attachment
A light generator comprises a light conversion device and a light source arranged to apply a light beam to the light conversion element. The light conversion device includes an optoceramic or other solid phosphor element comprising one or more phosphors embedded in a ceramic, glass, or other host, a metal heat sink, and a solder bond attaching the optoceramic phosphor element to the metal heat sink. The optoceramic phosphor element does not undergo cracking in response to the light source applying a light beam of beam energy effective to heat the optoceramic phosphor element to the phosphor quenching point.
H01L 31/0232 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails Éléments ou dispositions optiques associés au dispositif
H01L 31/024 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de température
H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
C03C 14/00 - Compositions de verre contenant un constituant non vitreux, p. ex. compositions contenant des fibres, filaments, trichites, paillettes ou similaires, dispersés dans une matrice de verre
C04B 37/02 - Liaison des articles céramiques cuits avec d'autres articles céramiques cuits ou d'autres articles, par chauffage avec des articles métalliques
G03B 21/16 - RefroidissementPrévention de la surchauffe
H01L 33/64 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments d'extraction de la chaleur ou de refroidissement
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
65.
ALUMINUM-SCANDIUM COMPOSITE, ALUMINUM-SCANDIUM COMPOSITE SPUTTERING TARGET AND METHODS OF MAKING
An Al-Sc alloy sputtering target. The target comprising from 1.0 at% to 65 at% scandium and from 35 at% to 99 at% aluminum and having a microstructure including a first aluminum matrix phase and a second phase dispersed uniformly therethrough. The second phase comprises one or more compounds corresponding to the formula ScxAly, where x is from 1 to 2 and y is from 0 to 3.
B22F 3/00 - Fabrication de pièces ou d'objets à partir de poudres métalliques, caractérisée par le mode de compactage ou de frittageAppareils spécialement adaptés à cet effet
B22F 7/00 - Fabrication de couches composites, de pièces ou d'objets à base de poudres métalliques, par frittage avec ou sans compactage
C22C 1/047 - Fabrication des alliages non ferreux par métallurgie des poudres comprenant des composés intermétalliques
C22C 45/08 - Alliages amorphes avec l'aluminium comme constituant majeur
C23C 14/06 - Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement caractérisé par le matériau de revêtement
An apparatus which includes an ultraviolet laser and at least one reflective mirror having a substrate which is made from beryllium, an aluminum metal matrix, or silicon carbide. The at least one mirror is adapted to reflect a laser beam generated from the ultraviolet laser, which can then be used on a silicon film used in the production of an electronic display. The laser beam can be used to anneal the silicon film, or in a laser lift-off process for separating the silicon film from a temporary substrate upon which the silicon film was mounted.
Methods for producing a coiled strip of metal matrix composite (MMC) material are disclosed. The methods include a combination of hot rolling and warm rolling processes that reduce the thickness of the input material and increase its ductility. The resulting MMC strip can be coiled, which is useful for high volume coil-to-coil applications.
B21B 3/00 - Laminage des matériaux faits d'alliages particuliers dans la mesure où la nature de l'alliage exige ou permet l'emploi de méthodes ou de séquences particulières
69.
Cover lid with selective and edge metallization and methods of making
A cover lid for use with a semiconductor package is disclosed. First, a polyamide mask is applied to one surface of the lid plate. Next, the exposed areas of the surface, as well as the sides of the lid plate, are metallized. The polyamide mask can then be removed. This reduces pullback and shrinkage of the metallized layer, while lowering the manufacturing cost and process times.
H01L 23/10 - ConteneursScellements caractérisés par le matériau ou par la disposition des scellements entre les parties, p. ex. entre le couvercle et la base ou entre les connexions et les parois du conteneur
B32B 3/06 - Caractérisés par des caractéristiques de forme en des endroits déterminés, p. ex. au voisinage des bords pour lier les couches ensembleCaractérisés par des caractéristiques de forme en des endroits déterminés, p. ex. au voisinage des bords pour attacher le produit à quelque chose d'autre p. ex. à un support
B32B 3/26 - Produits stratifiés comprenant une couche ayant des discontinuités ou des rugosités externes ou internes, ou une couche de forme non planeProduits stratifiés comprenant une couche ayant des particularités au niveau de sa forme caractérisés par une couche continue dont le périmètre de la section droite a une allure particulièreProduits stratifiés comprenant une couche ayant des discontinuités ou des rugosités externes ou internes, ou une couche de forme non planeProduits stratifiés comprenant une couche ayant des particularités au niveau de sa forme caractérisés par une couche comportant des cavités ou des vides internes
B32B 9/00 - Produits stratifiés composés essentiellement d'une substance particulière non couverte par les groupes
B32B 9/04 - Produits stratifiés composés essentiellement d'une substance particulière non couverte par les groupes comprenant une telle substance comme seul composant ou composant principal d'une couche adjacente à une autre couche d'une substance spécifique
C04B 37/02 - Liaison des articles céramiques cuits avec d'autres articles céramiques cuits ou d'autres articles, par chauffage avec des articles métalliques
70.
Methods of packaging thin metal films to maintain their physical characteristics
The present disclosure is directed to the packaging of metal thin films deposited on polymeric substrates. The packaging method prevents deleterious change of surface energy/water contact angle as a function of time for metal thin films such as rolls, coils, sheets or strips of sputtered or vacuum deposited metal thin films. Methods and kits directed toward a unique packaging and storage scheme are also disclosed. This results in maintenance of the metal film's hydrophilicity and surface energy for extended periods of time.
B65B 11/58 - Application de plusieurs enveloppes, p. ex. successivement
B65B 11/00 - Emballage par enveloppement, p. ex. en enfermant partiellement ou complètement des objets ou des quantités de matériaux dans des bandelettes, feuilles ou enveloppes en matière flexible
B65D 1/00 - Réceptacles rigides ou semi-rigides ayant des corps d'une seule pièce formés, p. ex. par coulage d'un matériau en métal, par moulage d'un matériau plastique, par soufflage d'un matériau vitreux, par coulage d'un matériau en céramique, par moulage d'un matériau fibreux cuit ou par étirage d'un matériau en feuille
B65D 75/00 - Paquets comportant des objets ou matériaux partiellement ou complètement enfermés dans des bandelettes, des feuilles, des flans, des tubes ou des bandes en matériau souple mince, p. ex. dans des enveloppes pliées
B65D 75/06 - Objets ou matériaux entièrement enveloppés dans des feuilles simples ou des flans enveloppants dans des feuilles ou des flans initialement pliés pour former des tubes
B65D 81/24 - Adaptations pour empêcher la détérioration ou l'altération du contenuApplications au réceptacle ou au matériau d'emballage d'agents de conservation des aliments, de fongicides, d'insecticides ou de produits repoussant les animaux
B65B 25/14 - Emballage de papier ou feuilles analogues, enveloppes ou journaux, à plat, pliés ou roulés
Systems and methods for reducing the thickness of a strip of an aluminum-based material are disclosed. The aluminum-based material is pre-heated before running the material through a warm rolling process. The systems include devices for pre-heating, which can include a heated payoff station or a dedicated pre-heating station that applies heated rolls or acts as a heated tunnel.
B21B 45/00 - Dispositifs pour le traitement de surface des pièces spécialement combinés aux laminoirs, disposés dans les laminoirs, ou adaptés pour être utilisés avec les laminoirs
B21B 1/22 - Méthodes de laminage ou laminoirs pour la fabrication des produits semi-finis de section pleine ou de profilésSéquence des opérations dans les trains de laminoirsInstallation d'une usine de laminage, p. ex. groupement de cagesSuccession des passes ou des alternances de passes pour laminer des bandes ou des feuilles en longueurs indéfinies
72.
SILVER ALLOY CLAD STRUCTURE FOR CHARGING TERMINALS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
A layered structure for forming charging terminals for high power applications. In some embodiments, the layered structure may include a substrate and a contact layer disposed over at least a portion of the substrate. The substrate may have a conductivity greater than 40% International Annealed Copper Standard (IACS). The contact layer may demonstrate a coefficient of friction of less than 1.4, such as from 0.1 to 1.4, as measured in accordance with American Society of Testing and Materials (ASTM) G99-17. The contact layer may include a precious-metal-based alloy, such as a silver-samarium alloy.
B32B 15/01 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal toutes les couches étant composées exclusivement de métal
B60L 53/16 - Connecteurs, p. ex. fiches ou prises, spécialement adaptés pour recharger des véhicules électriques
H01R 13/00 - Détails de dispositifs de couplage des types couverts par les groupes ou
B23K 20/00 - Soudage non électrique par percussion ou par une autre forme de pression, avec ou sans chauffage, p. ex. revêtement ou placage
H01B 1/02 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisésEmploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement de métaux ou d'alliages
H01H 11/04 - Appareillages ou procédés spécialement adaptés à la fabrication d'interrupteurs électriques de contacts d'interrupteurs
A cold worked and spinodally-hardened copper alloy comprising from about 8 to about 20 wt % nickel, and from about 5 to about 11 wt % tin, the remaining balance being copper, and having a 0.2% offset yield strength of at least 75 ksi, is used to form a sucker rod coupling or subcoupling. Each coupling is formed from a core having two ends, each end having an internal thread. These box ends engage the pin of a sucker rod or other rod. The exterior surface of the core includes grooves running between the two ends.
A phosphor wheel comprises a disk, a wavelength conversion layer comprising phosphor disposed on the disk, and an impeller disposed on the disk. The impeller comprises vanes which are shaped as airfoils with each vane oriented to drive outward airflow across the disk and across the wavelength conversion layer when the disk is rotated in the rotation direction. The wavelength conversion layer may be disposed at a larger radial position than the impeller on the disk, and may optionally be an annular wavelength conversion layer. In operation, a light source is arranged to output a pump beam impinging on the wavelength conversion layer while the disk rotates.
A three-dimensional inkjet printer and method for printing an aperture mask on a multi-spectral filter array. A custom tray is used by the printer allowing for printing on a prefabricated filter array. Photopolymer resin is deposited on the prefabricated filter array to form the aperture mask of dark mirror coating. An ultraviolet lamp illuminates the deposited photopolymer resin on the surface of the prefabricated multi-spectral optical filter array to cure the resin, thereby forming the mask. The prefabricated multi-spectral optical filter array includes an optical coating on at least one side, the aperture mask being formed on the optical coating, without the use of heat, chemical etching, or deformation of the optical coating.
B29C 64/106 - Procédés de fabrication additive n’utilisant que des matériaux liquides ou visqueux, p. ex. dépôt d’un cordon continu de matériau visqueux
B29C 64/20 - Appareil pour la fabrication additiveDétails ou accessoires à cet effet
B29C 70/78 - Moulage de matière sur un seul côté de la partie préformée
The present disclosure relates to electrodes for biosensors. An electrode is made from a stack including (A) a layer made from ruthenium metal, a ruthenium-based alloy, nickel metal, or a nickel-based alloy; and (B) a layer made from a conductive metal or conductive metal alloy or carbon. The resulting electrode stack has physical and electrical property advantages when compared with existing pure metal electrodes.
Wavelength conversion elements formed from phosphors and dielectric interference particles dispersed in a host material, either in a single layer or in separate layers, are disclosed. Optical light conversion devices having such wavelength conversion elements, methods of making such wavelength conversion elements, and methods of using such wavelength conversion elements are also disclosed.
G03B 33/06 - Photographie en couleurs, autre que la simple exposition ou projection d'un film en couleurs au moyen de dispositifs de projection par synthèse additive des couleurs
An optical device comprises two flat plates each having a reflective flat surface, and two flat spacer plates of thickness H each having a reflective sidewall. The flat plates and flat spacer plates are arranged as a stack with the reflective flat surfaces facing each other and the flat spacer plates arranged in a single plane and disposed between the two flat plates with the reflective sidewalls facing each other and with a gap between the two reflective sidewalls. The facing reflective flat surfaces and facing reflective sidewalls define a light tunnel passage with dimension H in the direction transverse to the single plane. The facing reflective sidewalls may be mutually parallel and spaced by a constant gap W to provide a light tunnel passage with constant cross-section H×W, or may be oriented at an angle to provide a tapered light tunnel passage.
A copper alloy that does not contain beryllium and has a 0.2% offset yield strength of at least 80 ksi and an electrical conductivity of at least 48% IACS is disclosed. The copper alloy contains nickel, silicon, chromium, manganese, zirconium, and balance copper. The alloy is prepared by cold working, solution annealing, and aging. The alloy can be used for example, as a heat sink.
C22C 9/06 - Alliages à base de cuivre avec le nickel ou le cobalt comme second constituant majeur
C22F 1/08 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid du cuivre ou de ses alliages
C22F 1/00 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid
Molybdenum oxychloride consolidated masses, comprising molybdenum oxychloride and less than 10 wt% binder. The consolidated masses have a bulk density greater than 0.85 g/cc.
Molybdenum oxychloride consolidated masses, comprising molybdenum oxychloride and less than 10 wt% binder. The consolidated masses have a bulk density greater than 0.85 g/cc.
C04B 35/515 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes
A spinodal copper-nickel-tin alloy with a combination of improved impact strength, yield strength, and ductility is disclosed. The alloy is formed by process treatment steps including solution annealing, cold working and spinodal hardening. These include such processes as a first heat treatment/homogenization step followed by hot working, solution annealing, cold working, and a second heat treatment/spinodally hardening step. The spinodal alloys so produced are useful for applications demanding enhanced strength and ductility such as for pipes and tubes used in the oil and gas industry.
C22F 1/08 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid du cuivre ou de ses alliages
C22C 9/06 - Alliages à base de cuivre avec le nickel ou le cobalt comme second constituant majeur
C22C 9/02 - Alliages à base de cuivre avec l'étain comme second constituant majeur
A white light source includes a light source and a phosphor conversion component. The light source emits short wavelength light peaked at a peak wavelength of 570 nanometers or shorter. The phosphor conversion component includes a light conversion layer comprising a phosphor effective to convert the short wavelength light to converted light. The light conversion layer includes light passages comprising openings or passage material that does not comprise the phosphor and is light transmissive for the short wavelength light. The light source is disposed respective to the phosphor conversion component so as to illuminate the light conversion layer with the emitted short wavelength light and to pass the short wavelength light through the light passages.
F21V 9/32 - Éléments contenant un matériau photoluminescent distinct de la source de lumière ou espacé de cette source caractérisés par la disposition du matériau photoluminescent
F21K 9/64 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des moyens de conversion de longueur d’onde distincts ou espacés de l’élément générateur de lumière, p. ex. une couche de phosphore éloignée
H01L 33/10 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure réfléchissante, p.ex. réflecteur de Bragg en semi-conducteur
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
A coupling for joining a downhole pump to a sucker rod string is disclosed. The coupling includes a core having a first end, a central portion, and a second end. The first end and the second end each have an end surface. The first end tapers linearly inwards from the central portion to the first end surface. The second end has a rounded edge along the second end surface. The coupling is made from a spinodally-hardened copper-nickel-tin alloy and has a sliding coefficient of friction of less than 0.4 when measured against carbon steel.
A base plate containing a having a top and a bottom and comprising a beryllium oxide composition containing at least 95 wt% beryllium oxide and optionally fluorine/fluoride ion. The base plate demonstrates a clamping pressure of at least 133 kPa at a temperature of at least 600 °C and a bulk resistivity greater than 1 x 105 ohm-m at 800 °C.
B32B 18/00 - Produits stratifiés composés essentiellement de céramiques, p. ex. de produits réfractaires
C04B 35/08 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base d'oxydes à base d'oxyde de béryllium
C04B 35/581 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes à base de borures, nitrures ou siliciures à base de nitrure d'aluminium
C04B 37/00 - Liaison des articles céramiques cuits avec d'autres articles céramiques cuits ou d'autres articles, par chauffage
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
H02N 13/00 - Embrayages ou dispositifs de maintien utilisant l'attraction électrostatique, p. ex. utilisant l'effet Johnson-Rahbek
The present disclosure relates to metal alloys for biosensors. An electrode is made from the metal alloy, which more specifically can be a nickel-based alloy. The alloy provides physical and electrical property advantages when compared with existing pure metal electrodes.
C22C 19/05 - Alliages à base de nickel ou de cobalt, seuls ou ensemble à base de nickel avec du chrome
C12Q 1/00 - Procédés de mesure ou de test faisant intervenir des enzymes, des acides nucléiques ou des micro-organismesCompositions à cet effetProcédés pour préparer ces compositions
C22C 19/00 - Alliages à base de nickel ou de cobalt, seuls ou ensemble
C23C 14/20 - Matériau métallique, bore ou silicium sur des substrats organiques
A61B 5/145 - Mesure des caractéristiques du sang in vivo, p. ex. de la concentration des gaz dans le sang ou de la valeur du pH du sang
A61B 5/1468 - Mesure des caractéristiques du sang in vivo, p. ex. de la concentration des gaz dans le sang ou de la valeur du pH du sang en utilisant des procédés chimiques ou électrochimiques, p. ex. par des moyens polarographiques
88.
Low friction and high wear resistant sucker rod string
A sucker rod string is formed from sucker rods and sucker rod couplings. The sucker rod couplings are formed from a spinodally-hardened copper alloy comprising from about 8 to about 20 wt % nickel, and from about 5 to about 11 wt % tin, the remaining balance being copper, and having a sliding coefficient of friction of 0.4 or less when measured against carbon steel. The sucker rod string has low friction and improved pumping stroke, enhanced pumping capacity, and less load in the overall system.
A light generator comprises a light conversion device and a light source arranged to apply a light beam to the light conversion element. The light conversion device includes an optoceramic or other solid phosphor element comprising one or more phosphors embedded in a ceramic, glass, or other host, a metal heat sink, and a solder bond attaching the optoceramic phosphor element to the metal heat sink. The optoceramic phosphor element does not undergo cracking in response to the light source applying a light beam of beam energy effective to heat the optoceramic phosphor element to the phosphor quenching point.
H01L 31/0232 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails Éléments ou dispositions optiques associés au dispositif
H01L 31/024 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de température
H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
C03C 14/00 - Compositions de verre contenant un constituant non vitreux, p. ex. compositions contenant des fibres, filaments, trichites, paillettes ou similaires, dispersés dans une matrice de verre
C04B 37/02 - Liaison des articles céramiques cuits avec d'autres articles céramiques cuits ou d'autres articles, par chauffage avec des articles métalliques
G03B 21/16 - RefroidissementPrévention de la surchauffe
H01L 33/64 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments d'extraction de la chaleur ou de refroidissement
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
A cask liner includes a hollow cylinder comprising a boron-containing composition. The hollow cylinder has no longitudinal joints. The hollow cylinder may be formed as a single unit by isostatic pressing, for example by hot isostatic pressing (HIP) of a blend of a boron-containing powder and an aluminum or aluminum alloy powder which is blended by mechanical alloying. Casked nuclear fuel includes a nuclear fuel rod comprising uranium, which is disposed in or extends through the hollow cylinder of the cask liner.
G21F 5/012 - Râteliers pour éléments combustibles dans le récipient
G21F 5/02 - Récipients blindés portatifs ou transportables avec des dispositions pour l'exposition limitée d'une source radioactive à l'intérieur du récipient
G21F 1/08 - MétauxAlliagesCermets, c.-à-d. mélanges frittés de céramiques et métaux
B22F 1/00 - Poudres métalliquesTraitement des poudres métalliques, p. ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
C22C 1/05 - Mélanges de poudre métallique et de poudre non métallique
A process for producing a copper-beryllium alloy product. The process comprises preparing a base alloy having 0.15 wt% - 4.0 wt% beryllium and having grains and an initial cross section area. The process further comprises cold working the base alloy to a percentage of cold reduction of area (CRA) greater than 40%, based on the initial cross section area, and heat treating the cold worked alloy to produce the copper-beryllium alloy product. The grain structure of the copper-beryllium alloy product has an orientation angle of less than 45° when viewed along the direction of the cold working. The copper-beryllium alloy product demonstrates a fatigue strength of at least 385 MPa after 106 cycles of testing.
C22F 1/08 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid du cuivre ou de ses alliages
A sucker rod guide having low friction and high wear resistance is disclosed herein, along with a fluid extraction system comprising the same. At least a part of the exterior surface of the sucker rod guide is formed from a cold worked and spinodally-hardenable or spinodally-hardened copper alloy comprising from about 5 to about 20 wt % nickel, and from about 5 to about 10 wt % tin, the remaining balance being copper, and having a 0.2% offset yield strength of at least 75 ksi. The guide includes a smoothbore adapted to surround and engage the surface of a sucker rod. The exterior surface of the guide can include grooves miming between the two ends. In particular embodiments, the guide is made by joining together two identical guide segments. In other embodiments, the guide is a single integral piece molded around a sucker rod.
A crucible having a heat treated body. The heat treated body comprises a composition including an oxide material, from 5 wt% to 50 wt% a nitride material, and optionally a sintering aid. A weight ratio of the nitride material to the oxide material ranges from 0.02:1 to 2.0:1. The heat treated body has an oxide material lattice structure with nitride material at least partially encapsulated therein.
C04B 35/08 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base d'oxydes à base d'oxyde de béryllium
A copper alloy that is devoid of beryllium and has a 0.2% offset yield strength of at least 70 ksi and an electrical conductivity of at least 75% IACS is disclosed. The copper alloy comprises chromium, silicon, silver, titanium, zirconium, and balance copper. The alloy is prepared by cold working, solution annealing, and aging. The alloy can be used in several different applications.
The present disclosure relates to metal alloys for biosensors. An electrode is made from ruthenium metal or a ruthenium-based alloy. The resulting electrode has physical and electrical property advantages when compared with existing pure metal electrodes.
C22C 5/04 - Alliages à base d'un métal du groupe du platine
C12Q 1/00 - Procédés de mesure ou de test faisant intervenir des enzymes, des acides nucléiques ou des micro-organismesCompositions à cet effetProcédés pour préparer ces compositions
C23C 14/35 - Pulvérisation cathodique par application d'un champ magnétique, p. ex. pulvérisation au moyen d'un magnétron
C23C 14/20 - Matériau métallique, bore ou silicium sur des substrats organiques
C22C 27/00 - Alliages à base de rhénium ou d'un métal réfractaire non mentionné dans les groupes ou
G01N 27/30 - Électrodes, p. ex. électrodes pour testsDemi-cellules
The present disclosure relates to a method of applying a wear-resistant copper-nickel-tin coating to a substrate using a thermal spray process. Briefly, a copper-nickel-tin alloy feedstock is converted into a powder or droplet form, then sprayed onto a substrate to form a coating thereon.
Methods and systems for casting and thermoplastically forming bulk metallic glass articles are described. A molten alloy can be fed into a mold with a three-dimensional shape and a cavity. The mold is configured such that multiple two-dimensional cross sections of the cavity of the mold are different from one another in multiple first mathematical planes intersecting the cavity displaced from one another in a direction normal to the mathematical planes intersecting the cavity. Cooling the molten alloy in the mold provides one or more near net shape bulk metallic glass castings, can be thermoplastically formed using forms at a temperature above Tg to provide a bulk metallic glass article with a desired final shape.
B22D 27/11 - Traitement du métal dans le moule pendant qu'il est liquide ou plastique en appliquant une pression en utilisant un dispositif presseur mécanique
B22D 29/00 - Extraction des pièces hors du moule, non limitée à un procédé de coulée couvert par un seul groupe principalExtraction des noyauxManipulation des lingots
B22D 30/00 - Refroidissement des pièces coulées, non limité à des procédés de coulée couverts par un seul groupe principal
B22D 27/04 - Action sur la température du métal, p. ex. par chauffage ou refroidissement du moule
B22D 21/00 - Coulée de métaux non ferreux ou de composés métalliques, dans la mesure où leurs propriétés métallurgiques affectent le procédé de couléeUtilisation de compositions appropriées
99.
Method of fabricating anisotropic optical interference filter
In a method of manufacturing a one-dimensionally varying optical filter, a substrate is coated to form a stack of layers of two or more different types. The coating may, for example, employ sputtering, electron-beam evaporation, or thermal evaporation. During the coating, the time-averaged deposition rate is varied along an optical gradient direction by generating reciprocation between a shadow mask and the substrate in a reciprocation direction that is transverse to the optical gradient direction. In some approaches, the shadow mask is periodic with a mask period defined along the direction of reciprocation, and the generated reciprocation has a stroke equal to or greater than the mask period along the direction of reciprocation. The substrate and the shadow mask may also be rotated together as a unit during the coating. Also disclosed are one-dimensionally varying optical filters, such as linear variable filters, made by such methods.
A method of making an article includes depositing a plurality of layers to form a three-dimensional preform, sintering the preform to form a sintered preform, and infiltrating the preform with at least one metal to form the article. At least one layer of the plurality of layers is formed from a beryllium-containing composition including beryllium powder. The infiltrating metal can be selected from aluminum and magnesium.
B33Y 80/00 - Produits obtenus par fabrication additive
B22F 1/17 - Particules métalliques revêtues de métal
B22F 1/102 - Poudres métalliques revêtues de matériaux organiques
B22F 1/105 - Poudres métalliques contenant des agents lubrifiants ou liantsPoudres métalliques contenant des matières organiques contenant des agents lubrifiants ou liants inorganiques, p. ex. des sels métalliques
C22F 1/16 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid des autres métaux ou de leurs alliages
C23C 18/32 - Revêtement avec l'un des métaux fer, cobalt ou nickelRevêtement avec des mélanges de phosphore ou de bore et de l'un de ces métaux
C25D 11/34 - Anodisation de métaux ou d'alliages non prévus dans les groupes
B22F 10/32 - Commande ou régulation des opérations de l’atmosphère, p. ex. de la composition ou de la pression dans une chambre de fabrication
B22F 10/36 - Commande ou régulation des opérations des paramètres du faisceau d’énergie
B22F 10/66 - Traitement de pièces ou d'articles après leur formation par des moyens mécaniques
