Abrégé

A core ball includes a core that is metal or plastic, a first metal layer formed on a surface of the core, a second metal layer formed on the first metal layer and including a tin (Sn)—bismuth (Bi) binary alloy, and a third metal layer formed on the second metal layer and including a single metal of tin (Sn), wherein a melting point of an alloy of a material forming the second metal layer and a material forming the third metal layer is 150° C. or less.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

A lead-free solder alloy includes bismuth (Bi), content of which is equal to or greater than 56 wt % and equal to or less than 57.5 wt %, indium (In), content of which is equal to or greater than 0.05 wt % and equal to or less than 1.0 wt %, and the balance of tin (Sn) and another unavoidable impurity. The lead-free solder alloy of the disclosure may enable bonding with improved ductility and thermal shock reliability while not having a large melting point change compared to an Sn-58Bi alloy.

Classes IPC  ?

• B23K 35/26 - Emploi de matériaux spécifiés pour le soudage ou le brasage dont le principal constituant fond à moins de 400°C
• C22C 12/00 - Alliages à base d'antimoine ou de bismuth
• C22C 13/02 - Alliages à base d'étain avec l'antimoine ou le bismuth comme second constituant majeur
• B23K 20/00 - Soudage non électrique par percussion ou par une autre forme de pression, avec ou sans chauffage, p. ex. revêtement ou placage
• B23K 101/36 - Dispositifs électriques ou électroniques

Abrégé

Provided is a semiconductor package including a first bump pad on a first substrate, a second bump pad on a second substrate, a core material for reverse reflow between the first bump pad and the second bump pad, and a solder member forming a solder layer on the core material for reverse reflow. The solder member is in contact with the first bump pad and the second bump pad. Each of a first diameter of the first bump pad and a second diameter of the second bump pad is at least about 1.1 times greater than a third diameter of the core material for reverse reflow. The core material for reverse reflow includes a core, a first metal layer directly coated on the core, and a second metal layer directly coated on the first metal layer.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

Provided is a secondary battery anode active material capable of providing high capacity and high efficiency charge/discharge characteristics. The anode active material comprises: silicon-containing particles; a first conductive wire attached onto the surface of the silicon-containing particles; a carbon coating layer formed on at least a part of the surface of the silicon-containing particles or on the first conductive wire; and a second conductive wire attached onto at least a part of the surface of the silicon-containing particles or the carbon coating layer.

Classes IPC  ?

• H01M 4/36 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs
• H01M 4/62 - Emploi de substances spécifiées inactives comme ingrédients pour les masses actives, p. ex. liants, charges
• H01M 4/38 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'éléments simples ou d'alliages
• H01M 4/485 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes pour insérer ou intercaler des métaux légers, p. ex. LiTi2O4 ou LiTi2OxFy
• H01M 4/58 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs de composés inorganiques autres que les oxydes ou les hydroxydes, p. ex. sulfures, séléniures, tellurures, halogénures ou LiCoFyEmploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs de structures polyanioniques, p. ex. phosphates, silicates ou borates
• B22F 9/04 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par des procédés physiques à partir d'un matériau solide, p. ex. par broyage, meulage ou écrasement à la meule
• B22F 1/02 - Traitement particulier des poudres métalliques, p.ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre, d'améliorer leurs propriétés; Poudres métalliques en soi, p.ex. mélanges de particules de compositions différentes comportant un enrobage des particules
• C22C 1/10 - Alliages contenant des composants non métalliques

Abrégé

Provided is an anode active material for a secondary battery, capable of providing high capacity and highly efficient charge/discharge characteristics. The anode active material comprises: a silicon-metal alloy powder; a coating layer encompassing at least a part of the surface of the silicon-metal alloy powder, and comprising carbon; and a conductive nanowire attached to the surface of silicon-metal alloy powder or the surface of the coating layer, wherein the conductive nanowire is attached such that the lateral side along the longitudinal axis of the conductive nanowire comes into contact with the surface of the silicon-metal alloy powder or the surface of the coating layer.

Classes IPC  ?

• H01M 4/36 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs
• H01M 4/38 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'éléments simples ou d'alliages
• H01M 4/62 - Emploi de substances spécifiées inactives comme ingrédients pour les masses actives, p. ex. liants, charges
• H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p. ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodesBatteries à l'ion lithium
• B22F 1/02 - Traitement particulier des poudres métalliques, p.ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre, d'améliorer leurs propriétés; Poudres métalliques en soi, p.ex. mélanges de particules de compositions différentes comportant un enrobage des particules
• B22F 9/04 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par des procédés physiques à partir d'un matériau solide, p. ex. par broyage, meulage ou écrasement à la meule

Abrégé

Provided is a negative electrode active material for a second battery capable of providing high-capacitance and high-efficiency charge and discharge characteristics. The negative electrode active material comprises a negative electrode active material powder and a coating material layer surrounding a surface of the negative electrode active material powder. The negative electrode active material powder comprises: a silicon single phase; and a silicon-metal alloy phase surrounding the silicon single phase while forming an interface with the silicon single phase. The negative electrode active material contains 60-90 at% of silicon, 3-20 at% of iron, 0-5 at% of a first additive element, and 5-20 at% of carbon, wherein the first additive element is at least one selected from the group consisting of boron (B), magnesium (Mg), aluminum (Al), manganese (Mn), cobalt (Co), chromium (Cr), tin (Sn), molybdenum (Mo), niobium (Nb), phosphorus (P), titanium (Ti), nickel (Ni), copper (Cu), zirconium (Zr), and zinc (Zn), and wherein the coating material layer contains carbon.

Classes IPC  ?

• H01M 4/36 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs
• H01M 4/38 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'éléments simples ou d'alliages
• C01B 33/02 - Silicium
• C22C 1/10 - Alliages contenant des composants non métalliques
• C22C 33/02 - Fabrication des alliages ferreux par des techniques de la métallurgie des poudres

Abrégé

The present invention relates to an anode active material, a secondary battery comprising the same, and an anode active material manufacturing method and, more specifically, to: an anode active material for a secondary battery, comprising a ceramic coating layer having the thickness of approximately 1 nm to approximately 50 nm on the surface of the powder including a silicon single phase and alloy phase; a secondary battery comprising the same; and an anode active material manufacturing method. According to the present invention, the anode active material for a secondary battery has an excellent lifespan characteristic and electrochemical characteristic.

Classes IPC  ?

• H01M 4/36 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs
• H01M 4/38 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'éléments simples ou d'alliages
• H01M 10/052 - Accumulateurs au lithium

Abrégé

A bonding wire according to the technical spirit of the present invention comprises: a wire core member comprising 85-99.99 wt% of silver (Ag) and, as the remainder, at least one element of gold (Au), copper (Cu), nickel (Ni), palladium (Pd), and platinum (Pt); a covering layer comprising at least one element of gold (Au) and palladium (Pd); and a diffusion preventing layer between the wire core member and the covering layer, the diffusion preventing layer comprising at least one element of cobalt (Co), iridium (Ir), and nickel (Ni).

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou

Abrégé

A negative electrode active material for a lithium secondary battery including silicon (Si), manganese (Mn), Component A including at least one selected from iron (Fe), molybdenum (Mo), chromium (Cr), zinc (Zn), titanium (Ti), nickel (Ni), vanadium (V), tungsten (W), and yttrium (Y), and Component B including at least one selected from carbon (C), boron (B), oxygen (O), nitrogen (N), phosphorous (P), and sulfur (S), wherein a total amount of Si, Mn, and Component A is about 70 atom % or less, an amount of Component B is 30 atom % or more, and a total amount of Mn and Component A is in a range of about 10 atom % to about 35 atom %.

Classes IPC  ?

• H01M 4/38 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'éléments simples ou d'alliages
• H01M 4/133 - Électrodes à base de matériau carboné, p. ex. composés d'intercalation du graphite ou CFx
• H01M 4/134 - Électrodes à base de métaux, de Si ou d'alliages
• C22C 29/00 - Alliages à base de carbures, oxydes, borures, nitrures ou siliciures, p. ex. cermets, ou d'autres composés métalliques, p. ex. oxynitrures, sulfures
• H01M 4/505 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de manganèse d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du manganèse pour insérer ou intercaler des métaux légers, p. ex. LiMn2O4 ou LiMn2OxFy
• H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p. ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodesBatteries à l'ion lithium
• H01M 4/02 - Électrodes composées d'un ou comprenant un matériau actif

Abrégé

2.

Classes IPC  ?

• H01M 4/38 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'éléments simples ou d'alliages
• H01M 4/134 - Électrodes à base de métaux, de Si ou d'alliages
• H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p. ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodesBatteries à l'ion lithium
• B22D 13/02 - Coulée par centrifugationCoulée utilisant la force centrifuge de pièces longues, pleines ou creuses, p. ex. de tuyaux, coulées dans des moules tournant autour de leur axe longitudinal
• B22D 21/00 - Coulée de métaux non ferreux ou de composés métalliques, dans la mesure où leurs propriétés métallurgiques affectent le procédé de couléeUtilisation de compositions appropriées
• B22F 9/00 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet
• B22F 9/04 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par des procédés physiques à partir d'un matériau solide, p. ex. par broyage, meulage ou écrasement à la meule
• C22C 1/00 - Fabrication des alliages non ferreux
• C22C 1/02 - Fabrication des alliages non ferreux par fusion
• C22C 1/05 - Mélanges de poudre métallique et de poudre non métallique
• C22C 28/00 - Alliages à base d'un métal non mentionné dans les groupes
• H01M 2/16 - Séparateurs; Membranes; Diaphragmes; Eléments d'espacement caractérisés par le matériau
• H01M 4/131 - Électrodes à base d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes, ou de mélanges d'oxydes ou d'hydroxydes, p. ex. LiCoOx
• H01M 4/1395 - Procédés de fabrication d’électrodes à base de métaux, de Si ou d'alliages
• H01M 4/505 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de manganèse d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du manganèse pour insérer ou intercaler des métaux légers, p. ex. LiMn2O4 ou LiMn2OxFy
• H01M 4/525 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de nickel, de cobalt ou de fer d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du fer, du cobalt ou du nickel pour insérer ou intercaler des métaux légers, p. ex. LiNiO2, LiCoO2 ou LiCoOxFy
• H01M 4/62 - Emploi de substances spécifiées inactives comme ingrédients pour les masses actives, p. ex. liants, charges
• H01M 4/66 - Emploi de matériaux spécifiés
• H01M 4/04 - Procédés de fabrication en général
• H01M 4/1391 - Procédés de fabrication d'électrodes à base d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes, ou de mélanges d'oxydes ou d'hydroxydes, p. ex. LiCoOx
• H01M 10/0568 - Matériaux liquides caracterisés par les solutés
• H01M 10/0569 - Matériaux liquides caracterisés par les solvants
• H01M 4/02 - Électrodes composées d'un ou comprenant un matériau actif

Abrégé

Provided is a negative active material for a secondary battery which provides high capacity, high efficiency charging-discharging characteristics. The negative active material includes: a silicon single phase; and a silicon-metal alloy phase interfaced with the silicon single phase and surrounding the silicon single phase, wherein an X-ray diffraction spectrum of the negative active material has first and second peaks that are originated from the silicon-metal alloy phase, and the first peak is located at 49.1+/−0.5 degrees (°) and the second peak is located at 38.0+/−0.5 degrees (°), and a diffraction intensity of the first peak is 2 or less times that of to the second peak.

Classes IPC  ?

• H01M 4/38 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'éléments simples ou d'alliages
• H01M 4/36 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs
• H01M 4/134 - Électrodes à base de métaux, de Si ou d'alliages
• H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p. ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodesBatteries à l'ion lithium

Abrégé

3Sn intermetallic compound (IMC) nanoparticles or Ag—Sn compound nanoparticles exist in the second plating layer. The solder balls have high sphericity and stand-off characteristics and connection reliability so that a semiconductor device having a high degree of integration may be implemented.

Classes IPC  ?

• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p. ex. fils de connexion ou bornes
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01B 1/02 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisésEmploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement de métaux ou d'alliages

Abrégé

The present invention relates to an anode active material, a secondary battery comprising the same and a method for manufacturing the anode active material and, more particularly, to: an anode active material for a secondary battery, including a ceramic coating layer having a thickness of about 1 nm to about 50 nm on the surface of a core comprising a silicon single phase and an alloy phase; the secondary battery comprising the same; and a method for manufacturing the anode active material. The anode active material for the secondary battery, according to the present invention, has excellent lifespan and electrochemical characteristics.

Classes IPC  ?

• H01M 4/38 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'éléments simples ou d'alliages
• H01M 4/48 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques
• H01M 10/052 - Accumulateurs au lithium

Abrégé

Provided are a lead-free solder, a solder paste, and a semiconductor device, and more particularly, a lead-free solder that includes Cu in a range from about 0.1 wt % to about 0.8 wt %, Pd in a range from about 0.001 wt % to about 0.1 wt %, Al in a range from about 0.001 wt % to about 0.1 wt %, Si in a range from about 0.001 wt % to about 0.1 wt %, and Sn and inevitable impurities as remainder, a solder paste and a semiconductor device including the lead-free solder. The lead-free solder and the solder paste are environment-friendly and have a high high-temperature stability and high reliability.

Classes IPC  ?

• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p. ex. fils de connexion ou bornes
• H01L 21/44 - Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes
• B23K 31/00 - Procédés relevant de la présente sous-classe, spécialement adaptés à des objets ou des buts particuliers, mais non couverts par un seul des groupes principaux
• B23K 35/26 - Emploi de matériaux spécifiés pour le soudage ou le brasage dont le principal constituant fond à moins de 400°C
• B23K 35/02 - Baguettes, électrodes, matériaux ou environnements utilisés pour le brasage, le soudage ou le découpage caractérisés par des propriétés mécaniques, p. ex. par la forme
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• B23K 1/00 - Brasage ou débrasage

Abrégé

The present invention relates to a silver alloy bonding wire and a semiconductor device using the same, and more specifically, to a silver alloy bonding wire containing silver as a main component and 3 weight ppm to 10000 weight ppm of iridium (Ir), and to a semiconductor device using the same. When the bonding wire of the present invention is used, a bonding wire having excellent bonding characteristics and processability and high reliability can be provided.

Classes IPC  ?

• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement

Abrégé

The present invention relates to a silver alloy bonding wire containing silver (Ag) as a main component, palladium (Pd), and gold (Au), and, more specifically, to an alloy bonding wire in which the palladium (Pd) content is 0.1 to 0.4 wt% and the weight content ratio of gold (Au) to palladium (Pd) is 0.25 to 1.0. The use of the silver alloy bonding wire of the present invention can improve the ball shape uniformity and the bonding ball shape of a ball which is formed on the tip of a wire and provide excellent reliability, loop linearity, and binding strength.

Classes IPC  ?

• C22C 5/06 - Alliages à base d'argent
• H01L 21/301 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour subdiviser un corps semi-conducteur en parties distinctes, p. ex. cloisonnement en zones séparées

Abrégé

The present invention relates to a substrate having an excellent thermal conductivity in the thickness direction and made of a metal matrix composite material, and a light emitting diode device having the substrate. The light emitting diode device according to the present invention comprises a conductive support substrate, and a first conductor layer, an active layer, and a second conductor layer, which are sequentially formed on the upper surface of the conductive support substrate, wherein the conductive support substrate has a tissue in which carbon particles are aligned in parallel to the thickness direction of the support substrate on the metal matrix.

Classes IPC  ?

• H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
• H01L 33/64 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments d'extraction de la chaleur ou de refroidissement

Abrégé

The present invention relates to a method for improving color rendering of an artificial light source and, more specifically, to a method for improving color rendering by changing driving conditions of an artificial light source without adjusting R, G and B ratios or color rendering of a phosphor. The present invention can improve color rendering by varying driving conditions for emitting light by applying power to an artificial light source, and, when the artificial light source is an FED, can improve color rendering by varying a frequency and a voltage of a bipolar pulse signal applied to a gate and a cathode.

Classes IPC  ?

• H05B 37/00 - Circuits pour sources lumineuses électriques en général
• H05B 33/08 - Circuits pour faire fonctionner des sources lumineuses électroluminescentes

Abrégé

Provided is a secondary battery having a long lifespan. The secondary battery is a secondary battery including silicon-metal alloy based negative active material, comprising: a current collector for negative active material; a buffer layer formed on the current collector; and negative active material formed on the buffer layer. The volumetric expansion ratio of the buffer layer is smaller than the volumetric expansion ratio of the negative active material, and the buffer layer prevents the negative active material from being stripped from the current collector due to the volumetric expansion of the negative active material.

Classes IPC  ?

• H01M 10/04 - Structure ou fabrication en général
• H01M 4/134 - Électrodes à base de métaux, de Si ou d'alliages
• H01M 10/05 - Accumulateurs à électrolyte non aqueux

Abrégé

The present invention relates to a method for manufacturing a heat-dissipating plate having excellent heat conductivity in the thickness direction and suitably used as a heat sink for preventing performance deterioration of LED chips, semiconductor components, and high-power electronic equipment. The method for manufacturing the heat-dissipating plate, according to the present invention, comprises the steps of: (a) coating plate-shaped graphite powder with metal; (b) enabling the plate-shaped graphite powder to be oriented in the horizontal direction by applying vibration to the metal-coated graphite powder; (c) pressurizing and molding the graphite powder oriented in the horizontal direction; (d) producing bulk material by sintering the pressurized graphite powder; and (e) producing a plate by cutting the bulk material in the vertical direction with respect to the horizontally oriented direction at a certain thickness.

Classes IPC  ?

• H05K 7/20 - Modifications en vue de faciliter la réfrigération, l'aération ou le chauffage
• B32B 15/04 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal comprenant un métal comme seul composant ou comme composant principal d'une couche adjacente à une autre couche d'une substance spécifique
• H01L 23/36 - Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p. ex. dissipateurs de chaleur

Abrégé

The present invention relates to a silver alloy bonding wire having silver as the main component. More specifically, provided is a silver alloy bonding wire containing palladium (Pd) of 1-4 wt%, wherein the ratio of a mean grain size (a) of the outer portion to a mean grain size (b) of the center portion with respect to a cross section in the longitudinal direction of the bonding wire is in the range of 0.3-3. When utilizing the bonding wire of the present invention, bonding having excellent high ball formability and SOB bonding property can be obtained inexpensively.

Classes IPC  ?

• B23K 35/30 - Emploi de matériaux spécifiés pour le soudage ou le brasage dont le principal constituant fond à moins de 1550 C
• B23K 35/18 - Baguettes, électrodes, matériaux ou environnements utilisés pour le brasage, le soudage ou le découpage caractérisés par des propriétés mécaniques, p. ex. par la forme non spécialement conçus pour servir d'électrodes de section non circulaireBaguettes, électrodes, matériaux ou environnements utilisés pour le brasage, le soudage ou le découpage caractérisés par des propriétés mécaniques, p. ex. par la forme non spécialement conçus pour servir d'électrodes avec des agencements particuliers, p. ex. à l'intérieur à plusieurs âmesBaguettes, électrodes, matériaux ou environnements utilisés pour le brasage, le soudage ou le découpage caractérisés par des propriétés mécaniques, p. ex. par la forme non spécialement conçus pour servir d'électrodes de section non circulaireBaguettes, électrodes, matériaux ou environnements utilisés pour le brasage, le soudage ou le découpage caractérisés par des propriétés mécaniques, p. ex. par la forme non spécialement conçus pour servir d'électrodes avec des agencements particuliers, p. ex. à l'intérieur multiples

Abrégé

The present invention relates to a silver(Ag)alloy bonding wire, and more particularly, to a silver alloy bonding wire with silver as the main ingredient, which includes 0.5 to 4 % by weight of palladium (Pd) and 2 to 8 % by weight of gold (Au), characterized in that, when the bonding wire is cut perpendicularly to the direction of the length, the ratio (a/b) of the average particle size (a) of the outer part of the cross section to that (b) of the central part thereof is 0.3 to 3. The bonding wire according to the present invention has the properties of high resistance to a thermal impulse, excellent SOB bonding, and excellent bonding in an atmosphere of nitrogen.

Classes IPC  ?

• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement

Abrégé

The technical idea of the present invention provides an alloyed tin-based solder ball having characteristics required for a solder ball to be adapted for use with an electronic product and the like. The tin-based solder ball according to one embodiment of the present invention comprises: 0.3 wt% to 3.0 wt% Ag; 0.4 wt% to 0.8 wt% Cu; 0.01 wt% to 0.09 wt% Ni; 0.1 wt% to 0.5 wt% Bi, and the remaining part contains Sn and inevitable impurities.

Classes IPC  ?

• B23K 35/26 - Emploi de matériaux spécifiés pour le soudage ou le brasage dont le principal constituant fond à moins de 400°C
• H05K 3/34 - Connexions soudées
• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement

Abrégé

The present invention relates to a bonding wire for a semiconductor device and a manufacturing method therefor and, more particularly, to a method for manufacturing a bonding wire for a semiconductor device, comprising the steps of: forming a first coating layer having a second metal as a main component on a core material having a first metal as a main component; wire-drawing the core material on which the first coating layer is formed; and forming a second coating layer having a third metal as a main component on the core material and the first coating layer for which the wire drawing has been completed. When a bonding wire and a manufacturing method therefor of the present invention are used, damage to a chip can be reduced while preventing the exposure of the core material, and the acid resistance and bonding properties of a second side can be improved.

Classes IPC  ?

• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement

Abrégé

The present invention provides an anode active material for a secondary battery which can provide charging and discharging characteristics, such as high capacity and high efficiency. The anode active material for a secondary battery according to one embodiment of the present invention comprises: 0 at% (atomic percent) - 30 at% of a first element group consisting of copper (CU), iron(Fe), or mixtures thereof; 0 at% - 20 at% of a second element group consisting of titanium (Ti), nickel (Ni), manganese (Mn), aluminum (Al), chromium (Cr), cobalt (Co), zinc (Zn), boron (B), beryllium (Be), molybdenum (Mo), tantalum (Ta), sodium (Na), strontium (Sr), phosphorus (P), or mixtures thereof; balance of silicon and other inevitable impurities.

Classes IPC  ?

• H01M 4/38 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'éléments simples ou d'alliages
• H01M 4/134 - Électrodes à base de métaux, de Si ou d'alliages
• H01M 10/05 - Accumulateurs à électrolyte non aqueux

Abrégé

A tin (Sn)-based solder ball and a semiconductor package including the same are provided. The tin-based solder ball includes about 0.2 to 4 wt. % silver (Ag), about 0.1 to 1 wt. % copper (Cu), about 0.001 to 0.3 wt. % aluminum (Al), about 0.001% to 0.1 wt. % germanium (Ge), and balance of tin and unavoidable impurities. The tin-based solder ball has a high oxidation resistance.

Classes IPC  ?

• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p. ex. fils de connexion ou bornes
• H01L 23/52 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
• H01L 29/40 - Electrodes

Abrégé

The present invention provides an anode active material for a secondary battery, which is capable of providing high-capacity, high-efficiency charging and discharging characteristics. The anode active material for a secondary battery according to one embodiment of the present invention comprises: a silicon single phase; and a silicon-metal alloy phase distributed around the silicon single phase, wherein the silicon-metal alloy phase comprises copper, iron, titanium and nickel.

Classes IPC  ?

• H01M 4/38 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'éléments simples ou d'alliages
• H01M 4/134 - Électrodes à base de métaux, de Si ou d'alliages
• H01M 4/1395 - Procédés de fabrication d’électrodes à base de métaux, de Si ou d'alliages
• H01M 10/052 - Accumulateurs au lithium

Abrégé

A lead free solder is provided. The lead free solder includes about 1.5 wt % to about 2.5 wt % silver (Ag), about 3 wt % to about 6 wt % bismuth (Bi), about 0.005 wt % to about 0.1 wt % of a deoxidizing agent, and a balance of tin (Sn). The lead free solder has improved wettability, a lowered melting point, little or substantially no formation of oxidation layer in a solder bath, suppressed brittleness, improved thermal shock resistance and drop resistance.

Classes IPC  ?

• C22C 13/02 - Alliages à base d'étain avec l'antimoine ou le bismuth comme second constituant majeur

Produits et services

Electric contacts for semi-conductor devices; diodes; semi-conductors; wafers[silicon slices]; semi-conductor wafers; integrated circuits; thermistors; transistors.

Produits et services

Electric contacts for semi-conductor devices [; diodes; semi-conductors; wafers silicon slices; semi-conductor wafers; integrated circuits; thermistors; transistors ]