Solable Inc.

Japon

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2025 8
2024 1
Classe IPC
H10K 30/40 - Dispositifs organiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique de plus courte longueur d'onde ou au rayonnement corpusculaire comprenant une structure p-i-n, ayant p. ex. un absorbeur pérovskite entre des couches de transport de charge de type p et de type n 4
H01L 31/0749 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction incluant un composé AIBIIICVI, p.ex. cellules solaires à hétérojonctions CdS/CuInSe2 [CIS] 3
H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives 2
H10F 10/00 - Cellules photovoltaïques individuelles, p. ex. cellules solaires 2
H10F 10/167 - Cellules photovoltaïques ayant uniquement des barrières de potentiel du type à hétérojonction PN comprenant des matériaux du groupe I-III-VI, p. ex. cellules photovoltaïques à hétérojonctions CdS/CuInSe2 [CIS] 2
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Résultats pour  brevets

1.

METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL, AND SOLAR CELL

      
Numéro d'application JP2025000914
Numéro de publication 2025/158960
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-01-15
Date de publication 2025-07-31
Propriétaire
  • PXP CORPORATION (Japon)
  • SOLABLE INC. (Japon)
Inventeur(s)
  • Sugimoto Hiroki
  • Yagioka Takeshi

Abrégé

233.

Classes IPC  ?

  • H10F 10/167 - Cellules photovoltaïques ayant uniquement des barrières de potentiel du type à hétérojonction PN comprenant des matériaux du groupe I-III-VI, p. ex. cellules photovoltaïques à hétérojonctions CdS/CuInSe2 [CIS]
  • H10F 77/20 - Électrodes
  • H10F 77/30 - Revêtements
  • H10K 30/40 - Dispositifs organiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique de plus courte longueur d'onde ou au rayonnement corpusculaire comprenant une structure p-i-n, ayant p. ex. un absorbeur pérovskite entre des couches de transport de charge de type p et de type n
  • H10K 30/50 - Dispositifs photovoltaïques [PV]
  • H10K 30/83 - Électrodes transparentes, p. ex. électrodes en oxyde d'étain indium [ITO] comprenant des dispositifs pour extraire le courant de la cellule, p. ex. des systèmes de grilles à doigts métalliques pour réduire la résistance en série des électrodes transparentes
  • H10K 30/88 - PassivationConteneursEncapsulations

2.

SOLAR BATTERY MODULE, SOLAR BATTERY CELL, AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR BATTERY MODULE

      
Numéro d'application JP2025000920
Numéro de publication 2025/158961
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-01-15
Date de publication 2025-07-31
Propriétaire
  • PXP CORPORATION (Japon)
  • SOLABLE INC. (Japon)
Inventeur(s)
  • Sugimoto Hiroki
  • Arita Kazuo

Abrégé

The purpose of the present disclosure is to provide a solar battery module, a solar battery cell, and a method for manufacturing a solar battery module, all of which are for suppressing an increase in electric resistance. The present disclosure relates to a solar battery module comprising: a first solar battery cell that has at least a conductive corrosion prevention layer, a first conductive substrate, a first power generation element layer, and a first electrode in the stated order; and a second solar battery cell that has at least a second conductive substrate, a second power generation element layer, and a second electrode in the stated order. The conductive corrosion prevention layer of the first solar battery cell and the second electrode of the second solar battery cell are joined via at least a conductive adhesive member.

Classes IPC  ?

  • H10F 19/90 - Structures pour la connexion des cellules photovoltaïques, p. ex. interconnexions ou espaceurs isolants
  • H10F 10/00 - Cellules photovoltaïques individuelles, p. ex. cellules solaires

3.

SOLAR CELL MODULE

      
Numéro d'application JP2025000921
Numéro de publication 2025/158962
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-01-15
Date de publication 2025-07-31
Propriétaire
  • PXP CORPORATION (Japon)
  • SOLABLE INC. (Japon)
Inventeur(s)
  • Sugimoto Hiroki
  • Arita Kazuo

Abrégé

In order to provide a solar cell module that can be applied to a wide range of three-dimensional curved surfaces, that makes it possible reduce costs, and that makes it possible to improve yield, a solar cell module (100, 101, 102) according to the present disclosure comprises: a sheet member (2); a cell group (1) which is provided in a flat manner on or in the sheet member (2), and in which a plurality of solar cells (10) are connected; and a collector electrode (E) which is connected to the cell group (1). A plurality of cutout parts (K0, K1, K2, K3) that are open at an outer peripheral part of the sheet member (2) are formed in the sheet member (2), in the periphery of the cell group (1).

Classes IPC  ?

  • H10F 19/80 - Encapsulations ou conteneurs pour des dispositifs intégrés, ou des ensembles de plusieurs dispositifs, comportant des cellules photovoltaïques

4.

SOLAR CELL MODULE

      
Numéro d'application JP2024040190
Numéro de publication 2025/105375
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-11-12
Date de publication 2025-05-22
Propriétaire
  • PXP CORPORATION (Japon)
  • SOLABLE INC. (Japon)
Inventeur(s) Sugimoto Hiroki

Abrégé

To attain sufficient reductions in manufacturing and material costs while eliminating reductions in power-generating area and the concentration of current in a bypass diode, and to also respond sufficiently to the diversification and generalization of device structures and applications, a solar cell module (1) according to the present disclosure comprises: a plurality of solar cells (10) having a power-generating element layer (12) on a first conductive substrate; and one or more bypass diodes (50) having a diode element layer (52) on a second conductive substrate. Each power-generating element layer (12) in the solar cells (10) is disposed on one side of the first conductive substrate, while each diode element layer (52) in the bypass diodes (50) is disposed on the other side of the first conductive substrate. A set of parallel circuits is formed by connecting the bypass diodes (50) in parallel with a set of strings formed by the plurality of solar cells (10) being connected in series.

Classes IPC  ?

  • H10F 19/75 - Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comprenant au moins une cellule photovoltaïque couverte par le groupe , p. ex. modules photovoltaïques comportant des diodes de dérivation les diodes de dérivation étant intégrées ou directement associées aux cellules photovoltaïques, p. ex. formées dans ou sur le même substrat
  • H10F 10/17 - Cellules photovoltaïques ayant uniquement des barrières de potentiel du type jonction PIN
  • H10F 19/30 - Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comprenant au moins une cellule photovoltaïque couverte par le groupe , p. ex. modules photovoltaïques comportant des cellules photovoltaïques en couches minces

5.

METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL, AND SOLAR CELL

      
Numéro d'application JP2024035832
Numéro de publication 2025/094603
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-10-07
Date de publication 2025-05-08
Propriétaire
  • PXP CORPORATION (Japon)
  • SOLABLE INC. (Japon)
Inventeur(s)
  • Sugimoto Hiroki
  • Hirai Yoshiaki
  • Fukasawa Kazuhito

Abrégé

The present invention addresses the problem of providing a method for manufacturing a high-productivity solar cell with which high performance is achieved in a solar cell. The aforementioned problem can be solved by a method for manufacturing a solar cell, the method comprising: a precursor formation step for forming a precursor having an InGaSe layer, a CuSe layer, and an InSe layer; and a crystallization step for heating the precursor to obtain a crystallized light absorption layer.

Classes IPC  ?

  • H10F 10/167 - Cellules photovoltaïques ayant uniquement des barrières de potentiel du type à hétérojonction PN comprenant des matériaux du groupe I-III-VI, p. ex. cellules photovoltaïques à hétérojonctions CdS/CuInSe2 [CIS]
  • H10F 10/16 - Cellules photovoltaïques ayant uniquement des barrières de potentiel du type à hétérojonction PN
  • H10F 10/161 - Cellules photovoltaïques ayant uniquement des barrières de potentiel du type à hétérojonction PN comportant plusieurs hétérojonctions PN, p. ex. cellules dites "tandem"
  • H10K 30/40 - Dispositifs organiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique de plus courte longueur d'onde ou au rayonnement corpusculaire comprenant une structure p-i-n, ayant p. ex. un absorbeur pérovskite entre des couches de transport de charge de type p et de type n
  • H10K 39/15 - Modules photovoltaïques [PV] organiquesRéseaux de cellules PV organiques simples comprenant à la fois des cellules PV organiques et des cellules PV inorganiques

6.

POWER DEVICE

      
Numéro d'application JP2024036822
Numéro de publication 2025/094669
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-10-16
Date de publication 2025-05-08
Propriétaire
  • PXP CORPORATION (Japon)
  • SOLABLE INC. (Japon)
Inventeur(s) Sugimoto Hiroki

Abrégé

Provided is a power device that has high energy utilization efficiency without requiring a control circuit for controlling power. Provided is a power device 100 comprising a solar cell layer PV that includes at least one solar cell, and a storage battery layer BT that is provided to the surface of the solar cell layer on the side opposite from a light-receiving surface of the solar cell layer and includes at least one storage battery, wherein an electroconductive substrate 201 serving as a common electrode between the solar cell layer PV and the storage battery layer BT is provided between the solar cell layer PV and the storage battery layer BT, and a voltage ratio, which is the ratio of the nominal voltage of the storage battery layer BT to the open voltage of the solar cell layer PV, is 0.58-0.84.

Classes IPC  ?

  • H10F 10/00 - Cellules photovoltaïques individuelles, p. ex. cellules solaires
  • H10F 10/172 - Cellules photovoltaïques ayant uniquement des barrières de potentiel du type jonction PIN comprenant plusieurs jonctions PIN, p. ex. cellules dites "tandem"
  • H10K 30/40 - Dispositifs organiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique de plus courte longueur d'onde ou au rayonnement corpusculaire comprenant une structure p-i-n, ayant p. ex. un absorbeur pérovskite entre des couches de transport de charge de type p et de type n
  • H10K 30/57 - Dispositifs photovoltaïques [PV] comprenant des jonctions multiples, p. ex. des cellules PV en tandem
  • H10K 39/15 - Modules photovoltaïques [PV] organiquesRéseaux de cellules PV organiques simples comprenant à la fois des cellules PV organiques et des cellules PV inorganiques

7.

METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL AND SOLAR CELL

      
Numéro d'application JP2024032300
Numéro de publication 2025/057919
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-09-10
Date de publication 2025-03-20
Propriétaire
  • PXP CORPORATION (Japon)
  • SOLABLE INC. (Japon)
Inventeur(s)
  • Sugimoto, Hiroki
  • Fukasawa, Kazuhito
  • Kawahara, Mayo

Abrégé

Provided are a method for manufacturing a solar cell (100) and a solar cell (100) that combine high performance with high productivity. The present disclosure relates to a method for manufacturing a solar cell (100), the method including a step for forming an electron transport layer (104) on a substrate including a light absorption layer (103) by depositing an n-type oxide semiconductor (104) by sputtering while supplying a gas containing an oxygen source and a hydrogen source.

Classes IPC  ?

  • H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 31/0749 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction incluant un composé AIBIIICVI, p.ex. cellules solaires à hétérojonctions CdS/CuInSe2 [CIS]
  • H10K 30/40 - Dispositifs organiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique de plus courte longueur d'onde ou au rayonnement corpusculaire comprenant une structure p-i-n, ayant p. ex. un absorbeur pérovskite entre des couches de transport de charge de type p et de type n
  • H10K 30/50 - Dispositifs photovoltaïques [PV]
  • H10K 30/85 - Couches à haute mobilité électronique, p. ex. couches de transport d'électrons ou couches de blocage de trous

8.

SOLAR CELL AND MANUFACTURING METHOD FOR SOLAR CELL

      
Numéro d'application JP2024029137
Numéro de publication 2025/057654
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-08-16
Date de publication 2025-03-20
Propriétaire
  • PXP CORPORATION (Japon)
  • SOLABLE INC. (Japon)
Inventeur(s)
  • Sugimoto, Hiroki
  • Fukasawa, Kazuhito
  • Kawahara, Mayo
  • Hirai, Yoshiaki

Abrégé

The purpose of the present invention is to provide a solar cell having high heat resistance and low production costs, and to provide a manufacturing method for the solar cell. The present invention pertains to a solar cell (100) comprising at least, in order: a first electrode layer (101); a light absorption layer (103); a first electron transport layer (104) which is an n-type semiconductor containing indium sulfide or indium sulfide to which another element has been added; a second electron transport layer (105) which is an n-type oxide semiconductor to which hydrogen has been added; and a second electrode layer (106).

Classes IPC  ?

  • H01L 31/0749 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction incluant un composé AIBIIICVI, p.ex. cellules solaires à hétérojonctions CdS/CuInSe2 [CIS]
  • H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives

9.

THIN FILM SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM SOLAR CELL

      
Numéro d'application JP2024020694
Numéro de publication 2024/257684
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-06-06
Date de publication 2024-12-19
Propriétaire
  • PXP CORPORATION (Japon)
  • SOLABLE INC. (Japon)
Inventeur(s)
  • Sugimoto, Hiroki
  • Hirai, Yoshiaki

Abrégé

The present invention provides: a thin film solar cell which is capable of repairing damage caused by radiation; and a method for manufacturing a thin film solar cell. A p-type light absorption layer (103) of this thin film solar cell (100) has a first region (R1) and a second region (R2), which are obtained by dividing the p-type light absorption layer (103) into two equal parts. The p-type light absorption layer (103) contains Cu as a group I element, and contains Ga and In as group III elements. The average value of the ratio C1 between the number of atoms of Cu and the number of atoms of the group III elements in the first region (R1) is lower than the average value of the ratio C1 in the second region (R2). The average value of the ratio G1 between the number of atoms of Ga and the number of atoms of the group III element in the first region (R1) is lower than the average value of the ratio G1 in the second region (R2), and the average value of the ratio G1 in the p-type light absorption layer (103) is 0.2 to 0.4 inclusive. The absolute value of the rate of change of the ratio G1 from the first electrode layer (102) side to the second electrode layer (105) side becomes the largest in the first region (R1), and the ratio G1 in the p-type light absorption layer (103) is on a downward trend from the first electrode layer (102) side to the second electrode layer (105) side in the first region (R1).

Classes IPC  ?

  • H01L 31/0749 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction incluant un composé AIBIIICVI, p.ex. cellules solaires à hétérojonctions CdS/CuInSe2 [CIS]