Abrégé

An energy storage device comprising one or more solid state dielectric layers for use as a high-density electrical energy storage device.

Classes IPC  ?

• H10F 77/90 - Moyens de stockage d’énergie directement associés ou intégrés aux cellules PV, p. ex. condensateurs intégrés aux cellules photovoltaïques
• H10F 10/14 - Cellules photovoltaïques ayant uniquement des barrières de potentiel du type à homojonction PN
• H10F 55/255 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles au rayonnement couverts par les groupes , ou structurellement associés à des sources lumineuses électriques et électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sources dans lesquels la source lumineuse électrique commande les dispositifs à semi-conducteurs sensibles au rayonnement, p. ex. optocoupleurs dans lesquels les dispositifs sensibles au rayonnement et la source lumineuse électrique sont tous des dispositifs à semi-conducteurs formés dans ou sur un même substrat
• H10F 77/122 - Matériaux actifs comportant uniquement des matériaux du groupe IV
• H10F 77/14 - Forme des corps semi-conducteursFormes, dimensions relatives ou dispositions des régions semi-conductrices au sein des corps semi-conducteurs
• H10F 77/42 - Éléments ou dispositions optiques directement associés ou intégrés aux cellules photovoltaïques, p. ex. moyens réflecteurs ou concentrateurs de lumière

Abrégé

A quantum photonic energy storage cell comprises a common contact layer, a core layer of Silicon adjacent the common contact layer and having a dielectric constant and a band-gap energy, a dielectric layer adjacent the core layer, comprising a material having a dielectric, constant greater than the dielectric constant of the core layer, and having a band gap energy higher than the band-gap energy of the core layer, a discharge contact layer interposed between the core layer and the dielectric layer to extract an electric charge potential from the energy storage cell in reference to the common contact layer, a charge contact layer adjacent the dielectric layer to apply an electric charge potential in reference to the common contact layer, a plurality of photo ionizing LEDs having their emissive apertures optically coupled to the energy storage cell, and an LED contact layer coupled to the plurality of photo ionizing LEDs to supply a drive potential in reference to the common contact layer, wherein a combined energy charge is suppled to generate an electric field, coupled through the charge contact layer, and to generate a photonic field, coupled through the LED contact layer, to generate a total charge energy supplied to the energy storage cell.

Classes IPC  ?

• H01L 31/053 - Moyens de stockage d’énergie directement associés ou intégrés à la cellule PV, p.ex. condensateur intégré avec une cellule PV
• H01L 31/173 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails structurellement associés, p.ex. formés dans ou sur un substrat commun, avec une ou plusieurs sources lumineuses électriques, p.ex. avec des sources lumineuses électroluminescentes, et en outre électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sour le dispositif à semi-conducteur sensible au rayonnement étant commandé par la ou les sources lumineuses les sources lumineuses et les dispositifs sensibles au rayonnement étant tous des dispositifs semi-conducteurs caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou de surface formés dans, ou sur un substrat commun
• H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
• H01L 31/028 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des éléments du groupe IV de la classification périodique
• H01L 31/054 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] Éléments optiques directement associés ou intégrés à la cellule PV, p.ex. moyens réflecteurs ou concentrateurs de lumière
• H01L 31/068 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type homojonction PN, p.ex. cellules solaires à homojonction PN en silicium massif ou cellules solaires à homojonction PN en couches minces de silicium polycristallin

Abrégé

Wearable display to simultaneously connect with a virtual command and control center (VCC) dashboard display as well as one or more computing platforms to provide access to real-time visual sensory data or a light field cloud processor that may be configured to host digital-twin models of multiple operating zones within an overall system.

Classes IPC  ?

• G06T 17/00 - Modélisation tridimensionnelle [3D] pour infographie
• G02B 27/01 - Dispositifs d'affichage "tête haute"

Abrégé

Energy storage device comprising multiple solid state dielectric layers that can be used for high density electrical energy storage.

Classes IPC  ?

• H10F 77/90 - Moyens de stockage d’énergie directement associés ou intégrés aux cellules PV, p. ex. condensateurs intégrés aux cellules photovoltaïques
• H10F 10/14 - Cellules photovoltaïques ayant uniquement des barrières de potentiel du type à homojonction PN
• H10F 55/255 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles au rayonnement couverts par les groupes , ou structurellement associés à des sources lumineuses électriques et électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sources dans lesquels la source lumineuse électrique commande les dispositifs à semi-conducteurs sensibles au rayonnement, p. ex. optocoupleurs dans lesquels les dispositifs sensibles au rayonnement et la source lumineuse électrique sont tous des dispositifs à semi-conducteurs formés dans ou sur un même substrat
• H10F 77/122 - Matériaux actifs comportant uniquement des matériaux du groupe IV
• H10F 77/14 - Forme des corps semi-conducteursFormes, dimensions relatives ou dispositions des régions semi-conductrices au sein des corps semi-conducteurs
• H10F 77/42 - Éléments ou dispositions optiques directement associés ou intégrés aux cellules photovoltaïques, p. ex. moyens réflecteurs ou concentrateurs de lumière

Abrégé

Hydride phase vapor epitaxy (HVPE) growth apparatus, methods and materials and structures grown thereby. An HVPE reactor includes generation, accumulation, and growth zones. A source material for growth of indium nitride is generated and collected inside the reactor. A first reactive gas reacts with an indium source inside the generation zone to produce a first gas product having an indium-containing compound. The first gas product is cooled and condenses into a liquid or solid condensate or source material having an indium-containing compound. The source material is collected in the accumulation zone. Vapor or gas resulting from evaporation of the condensate forms a second gas product, which reacts with a second reactive gas in the growth zone for growth of indium nitride.

Classes IPC  ?

• C30B 25/08 - Enceintes de réactionEmploi d'un matériau spécifié à cet effet
• C30B 25/16 - Commande ou régulation
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• C30B 29/68 - Cristaux avec une structure multicouche, p. ex. superréseaux
• C30B 29/40 - Composés AIII BV
• H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV

Abrégé

A multilayer light emitting device having a plurality of low Si—H bonding dielectric layers is disclosed for improved p-GaN contact performance. Improved p-side contact resistance is provided using one or more bonding, via or passivation layers in a multilayer light emitting structure by the use of processes and dielectric materials and precursors that provide dielectric layers with a hydrogen content of less than 13 at. %.

Classes IPC  ?

• H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 33/08 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une pluralité de régions électroluminescentes, p.ex. couche électroluminescente discontinue latéralement ou région photoluminescente intégrée au sein du corps semi-conducteur
• H01L 33/42 - Matériaux transparents
• H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
• H01L 33/56 - Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone
• H01L 33/52 - Encapsulations
• H01L 33/54 - Encapsulations ayant une forme particulière

Abrégé

Methods for virtual clothes fitting when shopping online are presented. The online shopper prepares and keeps a 3D volumetric scan or point cloud of their body. Shoppers upload their 3D volumetric body scan to an online store. The online store stores the 3D volumetric scan of the clothing it offers for sale on their online shop. The online store has the processing capabilities to fit the 3D body scan provided by the shopper with the 3D volumetric scan of clothing it offers for sale on their online shop. Once the 3D volumetric data of the offered clothing item is digitally fitted by the online store on the 3D volumetric scan of the offered clothing item, the 3D volumetric data of the offered clothing fitted on the created "Virtual Mannequin" of the shopper is sent back to shopper to view and examine. On the screen of their computing platform, the shopper can then view and examine 3D images received (uploaded) from the online shop of the selected clothing item fitted on their virtual mannequin and make a buy decision.

Classes IPC  ?

• G06T 13/40 - Animation tridimensionnelle [3D] de personnages, p. ex. d’êtres humains, d’animaux ou d’êtres virtuels
• G06T 15/00 - Rendu d'images tridimensionnelles [3D]
• G06T 19/00 - Transformation de modèles ou d'images tridimensionnels [3D] pour infographie
• G06T 17/00 - Modélisation tridimensionnelle [3D] pour infographie

Abrégé

Disclosed herein are multi-layered optically active regions for semiconductor light-emitting devices (LEDs) that incorporate intermediate carrier blocking layers, the intermediate carrier blocking layers having design parameters for compositions and doping levels selected to provide at least one strain compensation layer and efficient control over the carrier injection distribution across the active regions to achieve desired device injection characteristics. Examples of embodiments discussed herein include, among others: a multiple-quantum-well variable-color LED operating in visible optical range with full coverage of RGB gamut, a multiple-quantum-well variable-color LED operating in visible optical range with an extended color gamut beyond standard RGB gamut, a multiple-quantum-well light-white emitting LED with variable color temperature, and a multiple-quantum-well LED with uniformly populated active layers.

Classes IPC  ?

• H01L 33/08 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une pluralité de régions électroluminescentes, p.ex. couche électroluminescente discontinue latéralement ou région photoluminescente intégrée au sein du corps semi-conducteur
• H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
• H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
• H01S 5/042 - Excitation électrique
• H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs

Abrégé

A wearable display device includes a visual access operating system (vuOS) that can interface with multiple computing platforms. The vuOS enables concurrent visual interface between the multiple computing platforms and a user and performs context switching between the multiple computing platforms in response to either a computing platform visual access request or a user's selection prompt. The multiple computing platforms are each assigned a user selected visual access slot that occupies a selected segment of the user field of view (FOV) visually accessible by the wearable display system. At any given time one of the multiple computing platforms visual access slots is brought onto the user's gaze zone in the FOV while some of the other computing platforms visual access slots are assigned to the peripheral vision zone and other computing platforms are assigned visual access attention request access slots displayed at a visual attention zone within the user's viewable portion of the wearable display FOV. The wearable display vuOS further allocates to each of the multiple computing platforms a physical interface connection having an interface throughput that is commensurate with their assigned visual slot size and position within the user field of view (FOV) visually accessible by the wearable display system.

Classes IPC  ?

• G02B 27/01 - Dispositifs d'affichage "tête haute"

Abrégé

Disclosed herein are multi-layered optically active regions for semiconductor light-emitting devices (LEDs) that incorporate intermediate carrier blocking layers, the intermediate carrier blocking layers having design parameters for compositions and doping levels selected to provide efficient control over the carrier injection distribution across the active regions to achieve desired device injection characteristics. Examples of embodiments discussed herein include, among others: a multiple-quantum-well variable-color LED operating in visible optical range with full coverage of RGB gamut, a multiple-quantum-well variable-color LED operating in visible optical range with an extended color gamut beyond standard RGB gamut, a multiple-quantum-well light-white emitting LED with variable color temperature, and a multiple-quantum-well LED with uniformly populated active layers.

Classes IPC  ?

• H01S 5/34 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH]
• H01L 33/08 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une pluralité de régions électroluminescentes, p.ex. couche électroluminescente discontinue latéralement ou région photoluminescente intégrée au sein du corps semi-conducteur
• H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
• H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
• H01S 5/042 - Excitation électrique
• H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
• H01S 5/062 - Dispositions pour commander les paramètres de sortie du laser, p. ex. en agissant sur le milieu actif en faisant varier le potentiel des électrodes
• H01S 5/20 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
• H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
• H01S 5/10 - Structure ou forme du résonateur optique

Abrégé

Disclosed herein are multi-layered optically active regions for semiconductor light-emitting devices (LEDs) that incorporate intermediate carrier blocking layers, the intermediate carrier blocking layers having design parameters for compositions and doping levels selected to provide efficient control over the carrier injection distribution across the active regions to achieve desired device injection characteristics. Examples of embodiments discussed herein include, among others: a multiple-quantum-well variable-color LED operating in visible optical range with full coverage of RGB gamut, a multiple-quantum-well variable-color LED operating in visible optical range with an extended color gamut beyond standard RGB gamut, a multiple-quantum-well light-white emitting LED with variable color temperature, and a multiple-quantum-well LED with uniformly populated active layers.

Classes IPC  ?

• H01S 5/34 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH]
• H01L 33/08 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une pluralité de régions électroluminescentes, p.ex. couche électroluminescente discontinue latéralement ou région photoluminescente intégrée au sein du corps semi-conducteur
• H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
• H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
• H01S 5/042 - Excitation électrique
• H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
• H01S 5/20 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
• H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
• H01S 5/10 - Structure ou forme du résonateur optique

Abrégé

Solid state light emitting micropixels array structures having hydrogen barrier layers to minimize or eliminate undesirable passivation of doped GaN structures due to hydrogen diffusion.

Classes IPC  ?

• C23C 18/20 - Pré-traitement du matériau à revêtir de surfaces organiques, p. ex. de résines
• H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
• H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
• H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
• H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
• H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
• H01L 33/12 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure de relaxation des contraintes, p.ex. couche tampon
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails

Abrégé

Methods and systems for image encoding and decoding are disclosed. According to some embodiments, scene metadata and input images associated with a scene are received. A first encoding operation is performed on the scene metadata and input images to generate reference images and reference disparity information. A second encoding operation is performed on the reference images and reference disparity information to output encoded data. The encoded data includes encoded reference images and encoded reference disparity information. The encoded data is transmitted.

Classes IPC  ?

• H04N 19/597 - Procédés ou dispositions pour le codage, le décodage, la compression ou la décompression de signaux vidéo numériques utilisant le codage prédictif spécialement adapté pour l’encodage de séquences vidéo multi-vues
• H04N 19/105 - Sélection de l’unité de référence pour la prédiction dans un mode de codage ou de prédiction choisi, p. ex. choix adaptatif de la position et du nombre de pixels utilisés pour la prédiction
• H04N 21/81 - Composants mono média du contenu
• H04N 13/178 - Métadonnées, p. ex. informations sur la disparité
• H04N 13/268 - Générateurs de signaux d’images avec conversion d’images monoscopiques en images stéréoscopiques au moyen du rendu basé sur une image de profondeur
• H04N 13/232 - Générateurs de signaux d’images utilisant des caméras à images stéréoscopiques utilisant un seul capteur d’images 2D utilisant des lentilles du type œil de mouche, p. ex. dispositions de lentilles circulaires
• H04N 13/161 - Encodage, multiplexage ou démultiplexage de différentes composantes des signaux d’images
• H04N 19/30 - Procédés ou dispositions pour le codage, le décodage, la compression ou la décompression de signaux vidéo numériques utilisant des techniques hiérarchiques, p. ex. l'échelonnage
• H04N 19/44 - Décodeurs spécialement adaptés à cet effet, p. ex. décodeurs vidéo asymétriques par rapport à l’encodeur
• H04N 19/46 - Inclusion d’information supplémentaire dans le signal vidéo pendant le processus de compression

Abrégé

A III-V light emitting device with pixels (mesa regions) specifically designed to enable lower cost through layer vias is disclosed for reduced cost of manufacture of the device. Reduction of cost of manufacture is achieved by having non-uniform width trench regions formed during pixel etch for the multi-pixel array part of the device. Through-layer vias are specifically formed in the wider part of the trench regions using cheaper lithography toolset enabled by the larger via critical dimension achievable in the wider part of the trench regions (as compared to narrow part of the trench regions). Larger via critical dimension enables improved electrical (and consequently optical) performance of the device due to better overlay control as well as lower via resistance.

Classes IPC  ?

• H01L 33/30 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique
• H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure

Abrégé

A III-V light emitting device with pixels (mesa regions) specifically designed to enable lower cost through layer vias is disclosed for reduced cost of manufacture of the device. Reduction of cost of manufacture is achieved by having non-uniform width trench regions formed during pixel etch for the multi-pixel array part of the device. Through-layer vias are specifically formed in the wider part of the trench regions using cheaper lithography toolset enabled by the larger via critical dimension achievable in the wider part of the trench regions (as compared to narrow part of the trench regions). Larger via critical dimension enables improved electrical (and consequently optical) performance of the device due to better overlay control as well as lower via resistance.

Classes IPC  ?

• F21S 2/00 - Systèmes de dispositifs d'éclairage non prévus dans les groupes principaux ou , p. ex. à construction modulaire
• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 33/08 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une pluralité de régions électroluminescentes, p.ex. couche électroluminescente discontinue latéralement ou région photoluminescente intégrée au sein du corps semi-conducteur
• H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive

Abrégé

Methods and systems for light field image encoding and decoding are disclosed. According to some embodiments, scene metadata and input light field images associated with a scene are received. A first encoding operation is performed on the scene metadata and input light field images to generate reference images, reference disparity information, and an order of reference views. A second encoding operation is performed based on the reference images and reference disparity information to output light field encoded data. The light field encoded data includes the encoded reference images, the encoded reference disparity information, and the order of reference views. The light field encoded data is transmitted.

Classes IPC  ?

• H04N 19/179 - Procédés ou dispositions pour le codage, le décodage, la compression ou la décompression de signaux vidéo numériques utilisant le codage adaptatif caractérisés par l’unité de codage, c.-à-d. la partie structurelle ou sémantique du signal vidéo étant l’objet ou le sujet du codage adaptatif l’unité étant une scène ou une prise de vues
• H04N 19/186 - Procédés ou dispositions pour le codage, le décodage, la compression ou la décompression de signaux vidéo numériques utilisant le codage adaptatif caractérisés par l’unité de codage, c.-à-d. la partie structurelle ou sémantique du signal vidéo étant l’objet ou le sujet du codage adaptatif l’unité étant une couleur ou une composante de chrominance

Abrégé

A micromachined tunable capacitor. A pair of first and second MEMS fabricated flexures are flexibly coupled to a piezo actuator drive element configured wherein a stress or strain induced by the piezo actuator drive element urges a first movable capacitor plate element a predetermined distance toward or away from a second capacitor plate element proportional to a predetermined voltage signal.

Classes IPC  ?

• H01G 5/011 - Électrodes
• B81B 3/00 - Dispositifs comportant des éléments flexibles ou déformables, p. ex. comportant des membranes ou des lamelles élastiques
• H01L 41/047 - Electrodes
• H01L 41/083 - Eléments piézo-électriques ou électrostrictifs avec une structure empilée ou multicouche

Produits et services

Electronic devices, namely, 2D and 3D electronic display devices; wearable electronic and augmented reality and virtual reality wearable electronic devices in the nature of headsets, eyewear, and eyeglasses; head-up display devices in the nature of electronic devices which display virtual images and project data from a mobile device onto a vehicle windshield; downloadable computer software, namely, operating system software; downloadable software programs for use in image processing, image compression, image transmission, image rendering and image display

Abrégé

Emissive micro-pixel spatial light modulators with non-telecentric emission are introduced. The individual light emission from each multi-color micro-scale emissive pixel is directionally modulated in a unique direction to enable application-specific non-telecentric emission pattern from the micro-pixel array of the emissive spatial light modulator. Design methods for directionally modulating the light emission of the individual micro-pixels using micro-pixel level optics are described. Monolithic wafer level optics methods for fabricating the micro-pixel level optics are also described. An emissive multi-color micro-pixel spatial light modulator with non-telecentric emission is used to exemplify the methods and possible applications of the present invention: ultra-compact image projector, minimal cross-talk 3D light field display, multi-view 2D display, and directionally modulated waveguide optics for see-through near-eye displays.

Classes IPC  ?

• H04N 13/30 - Reproducteurs d’images
• G02B 27/00 - Systèmes ou appareils optiques non prévus dans aucun des groupes ,
• H04N 13/398 - Leur synchronisationLeur commande
• G02B 30/10 - Systèmes ou appareils optiques pour produire des effets tridimensionnels [3D], p. ex. des effets stéréoscopiques en utilisant des méthodes d'imagerie intégrale

Abrégé

A compression method for high-resolution light field display is disclosed for applications in which computer memory constraints and latency are critical. The disclosed compression algorithm takes advantage of the 3D structure of a light field to compress the raw light field information with a fixed compression ratio and simple decoding instructions. The compressed high-resolution light field achieves a reduced bandwidth with acceptable quality, and is packed in a way that can be transmitted using common interfaces. In a preferred embodiment, the compression algorithm is used as a post-processing stage after light field information acquisition or after rendering. In a further preferred embodiment, the compression algorithm is incorporated into the acquisition or rendering procedure to reduce memory and rendering processing. These and further embodiments generate a compressed light field with all information required for direct display.

Classes IPC  ?

• G06T 9/00 - Codage d'image
• H04N 19/186 - Procédés ou dispositions pour le codage, le décodage, la compression ou la décompression de signaux vidéo numériques utilisant le codage adaptatif caractérisés par l’unité de codage, c.-à-d. la partie structurelle ou sémantique du signal vidéo étant l’objet ou le sujet du codage adaptatif l’unité étant une couleur ou une composante de chrominance
• H04N 19/597 - Procédés ou dispositions pour le codage, le décodage, la compression ou la décompression de signaux vidéo numériques utilisant le codage prédictif spécialement adapté pour l’encodage de séquences vidéo multi-vues
• H04N 19/154 - Qualité visuelle après décodage mesurée ou estimée de façon subjective, p. ex. mesure de la distorsion
• H04N 19/103 - Sélection du mode de codage ou du mode de prédiction
• G06T 9/20 - Codage des contours, p. ex. utilisant la détection des contours

Abrégé

A near eye display system having an image display panel, a prism assembly comprising a first and second element and a structure such as a eye wear glasses frame. The front and rear surfaces of the first and second elements are aligned and bonded to form the prism assembly. A partially-reflective coating is applied to the interface of the first and second elements to define a beam-splitter interface. The image display panel is disposed near an upper optical region such as a refracting surface of the first element. The lower edge of the second element opposite the beam-splitter interface is a coated reflective surface mirror. The display panel, the optical region and the optically reflective surface are configured to provide compactness and to avoid the break of symmetry. The system accommodates large inter pupil distance (IPD) variation and left/right eye scanning motion.

Classes IPC  ?

• G02B 27/01 - Dispositifs d'affichage "tête haute"
• G02B 27/10 - Systèmes divisant ou combinant des faisceaux
• G02B 27/28 - Systèmes ou appareils optiques non prévus dans aucun des groupes , pour polariser
• G02B 27/00 - Systèmes ou appareils optiques non prévus dans aucun des groupes ,

Abrégé

A near eye display system having an image display panel, a prism assembly comprising a first and second element and a structure such as a eye wear glasses frame. The front and rear surfaces of the first and second elements are aligned and bonded to form the prism assembly. A partially-reflective coating is applied to the interface of the first and second elements to define a beam-splitter interface. The image display panel is disposed near an upper optical region such as a refracting surface of the first element. The lower edge of the second element opposite the beam-splitter interface is a coated reflective surface mirror. The display panel, the optical region and the optically reflective surface are configured to provide compactness and to avoid the break of symmetry. The system accommodates large inter pupil distance (IPD) variation and left/right eye scanning motion.

Classes IPC  ?

• G02B 27/01 - Dispositifs d'affichage "tête haute"
• G02B 27/10 - Systèmes divisant ou combinant des faisceaux
• G02B 27/28 - Systèmes ou appareils optiques non prévus dans aucun des groupes , pour polariser

Abrégé

Complementary near-field and far-field light field displays (LFDs) are provided. A distributed LFD system is disclosed in which the light field is cooperatively displayed by a direct view LFD and a near-eye LFD. The two display components of the system work together synchronously to display a high-fidelity 3D experience to one or multiple viewers.

Classes IPC  ?

• G06T 15/00 - Rendu d'images tridimensionnelles [3D]
• G09G 5/391 - Circuits pour modifier la résolution, p. ex. des formats variables de l'écran
• G06F 3/14 - Sortie numérique vers un dispositif de visualisation
• G09G 3/00 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques
• G02B 27/00 - Systèmes ou appareils optiques non prévus dans aucun des groupes ,
• G02B 27/01 - Dispositifs d'affichage "tête haute"
• G06F 3/01 - Dispositions d'entrée ou dispositions d'entrée et de sortie combinées pour l'interaction entre l'utilisateur et le calculateur
• G06F 3/0346 - Dispositifs de pointage déplacés ou positionnés par l'utilisateurLeurs accessoires avec détection de l’orientation ou du mouvement libre du dispositif dans un espace en trois dimensions [3D], p. ex. souris 3D, dispositifs de pointage à six degrés de liberté [6-DOF] utilisant des capteurs gyroscopiques, accéléromètres ou d’inclinaison

Abrégé

Methods and systems for light field image encoding and decoding images. The method receives scene metadata and input light field images associated with a scene. The method further performs a first encoding operation on the scene metadata and the input light field images to generate reference views and reference disparity information. The method further performs a second encoding operation based on the reference views, the reference disparity information, and synthesized residuals to output encoded light field data, where the encoded light field data comprises encoded reference views, encoded reference disparity information, and encoded synthesized residuals. The method further randomly accesses and selects a group of reference views and corresponding disparity information from the encoded light field data based on one or more selected regions of interest. And the method transmits the selected group of reference views, the selected corresponding disparity information, and the encoded synthesized residuals.

Classes IPC  ?

• H04N 13/00 - Systèmes vidéo stéréoscopiquesSystèmes vidéo multi-vuesLeurs détails
• H04N 13/02 - Générateurs de signaux d'image

Abrégé

Methods and systems for light field image encoding and decoding are disclosed. According to some embodiments, the method receives scene metadata and input light field images associated with a scene. The method further performs a first encoding operation on the scene metadata and the input light field images to generate reference views and reference disparity information. The method further performs a second encoding operation based on the reference views, the reference disparity information, and synthesized residuals to output encoded light field data, where the encoded light field data comprises encoded reference views, encoded reference disparity information, and encoded synthesized residuals. The method further randomly accesses and selects a group of reference views and corresponding disparity information from the encoded light field data based on one or more selected regions of interest. And the method transmits the selected group of reference views, the selected corresponding disparity information, and the encoded synthesized residuals.

Classes IPC  ?

• H04N 19/597 - Procédés ou dispositions pour le codage, le décodage, la compression ou la décompression de signaux vidéo numériques utilisant le codage prédictif spécialement adapté pour l’encodage de séquences vidéo multi-vues
• H04N 19/80 - Détails des opérations de filtrage spécialement adaptées à la compression vidéo, p. ex. pour l'interpolation de pixels
• H04N 19/17 - Procédés ou dispositions pour le codage, le décodage, la compression ou la décompression de signaux vidéo numériques utilisant le codage adaptatif caractérisés par l’unité de codage, c.-à-d. la partie structurelle ou sémantique du signal vidéo étant l’objet ou le sujet du codage adaptatif l’unité étant une zone de l'image, p. ex. un objet
• H04N 19/105 - Sélection de l’unité de référence pour la prédiction dans un mode de codage ou de prédiction choisi, p. ex. choix adaptatif de la position et du nombre de pixels utilisés pour la prédiction

Abrégé

Solid state light emitting micropixels array structures having hydrogen barrier layers to minimize or eliminate undesirable passivation of doped GaN structures due to hydrogen diffusion.

Classes IPC  ?

• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 33/46 - Revêtement réfléchissant, p.ex. réflecteur de Bragg en diélectriques
• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde

Abrégé

Solid state light emitting micropixels array structures having hydrogen barrier layers to minimize or eliminate undesirable passivation of doped GaN structures due to hydrogen diffusion.

Classes IPC  ?

• H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
• H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
• H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
• H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
• H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
• H01L 33/12 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure de relaxation des contraintes, p.ex. couche tampon
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails

Abrégé

An emissive quantum photonic imager comprised of a spatial array of digitally addressable multicolor micro pixels. Each pixel is an emissive micro optical cavity comprising a monolithic color-tunable semiconductor light emitting diode. The light generated by each color-tunable pixel diode is emitted perpendicularly to the plane of the imager directly or via a plurality of vertical waveguides that extract and collimate the light generated from the pixel diode. Each pixel diode is individually addressable to enable the pixel to emit any of the colors associated with its monolithic color-tunable semiconductor light emitting diode at any on/off duty cycle for each color. The individual pixels modulate their required colors and brightness values by controlling the drive current and/or on/off duty cycle of the respective color-tunable diodes. Pixel-level micro optics further collimate and directionally modulate the light emitted from the micro pixels.

Classes IPC  ?

• H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
• G03B 21/14 - Projecteurs ou visionneuses du type par projectionLeurs accessoires Détails
• G09G 3/32 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED]
• H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives

Abrégé

A system for near-eye display applications. A lens is provided with a beam-splitting interface horizontally along the width of the lens. Two display devices per lens are provided and disposed on the perimeter surface of the lens opposing an overlapped, prismatic facet optics assembly which balances aberration introduced by the slight symmetry break in the lens.

Classes IPC  ?

• G02B 27/01 - Dispositifs d'affichage "tête haute"

Abrégé

An emissive quantum photonic imager comprised of a spatial array of digitally addressable multicolor micro pixels. Each pixel is an emissive micro optical cavity comprising a monolithic color-tunable semiconductor light emitting diode. The light generated by each color-tunable pixel diode is emitted perpendicularly to the plane of the imager directly or via a plurality of vertical waveguides that extract and collimate the light generated from the pixel diode. Each pixel diode is individually addressable to enable the pixel to emit any of the colors associated with its monolithic color-tunable semiconductor light emitting diode at any on/off duty cycle for each color. The individual pixels modulate their required colors and brightness values by controlling the drive current and/or on/off duty cycle of the respective color-tunable diodes. Pixel-level micro optics further collimate and directionally modulate the light emitted from the micro pixels.

Classes IPC  ?

• G09G 3/34 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante
• H04N 9/31 - Dispositifs de projection pour la présentation d'images en couleurs
• H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
• H01L 33/08 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une pluralité de régions électroluminescentes, p.ex. couche électroluminescente discontinue latéralement ou région photoluminescente intégrée au sein du corps semi-conducteur

Abrégé

A system for near-eye display applications. A lens is provided with a beam-splitting interface horizontally along the width of the lens. Two display devices per lens are provided and disposed on the perimeter surface of the lens opposing an overlapped, prismatic facet optics assembly which balances aberration introduced by the slight symmetry break in the lens.

Classes IPC  ?

• G02B 27/01 - Dispositifs d'affichage "tête haute"

Abrégé

Methods and systems for light field image encoding and decoding are disclosed. According to some embodiments, scene metadata and input light field images associated with a scene are received. A first encoding operation is performed on the scene metadata and input light field images to generate reference images, reference disparity information, and an order of reference views. A second encoding operation is performed based on the reference images and reference disparity information to output light field encoded data. The light field encoded data includes the encoded reference images, the encoded reference disparity information, and the order of reference views. The light field encoded data is transmitted.

Classes IPC  ?

• H04N 19/179 - Procédés ou dispositions pour le codage, le décodage, la compression ou la décompression de signaux vidéo numériques utilisant le codage adaptatif caractérisés par l’unité de codage, c.-à-d. la partie structurelle ou sémantique du signal vidéo étant l’objet ou le sujet du codage adaptatif l’unité étant une scène ou une prise de vues
• H04N 19/186 - Procédés ou dispositions pour le codage, le décodage, la compression ou la décompression de signaux vidéo numériques utilisant le codage adaptatif caractérisés par l’unité de codage, c.-à-d. la partie structurelle ou sémantique du signal vidéo étant l’objet ou le sujet du codage adaptatif l’unité étant une couleur ou une composante de chrominance

Abrégé

Methods and systems for light field image encoding and decoding are disclosed. According to some embodiments, scene metadata and input light field images associated with a scene are received. A first encoding operation is performed on the scene metadata and input light field images to generate reference images, reference disparity information, and an order of reference views. A second encoding operation is performed based on the reference images and reference disparity information to output light field encoded data. The light field encoded data includes the encoded reference images, the encoded reference disparity information, and the order of reference views. The light field encoded data is transmitted.

Classes IPC  ?

• H04N 19/597 - Procédés ou dispositions pour le codage, le décodage, la compression ou la décompression de signaux vidéo numériques utilisant le codage prédictif spécialement adapté pour l’encodage de séquences vidéo multi-vues
• H04N 13/161 - Encodage, multiplexage ou démultiplexage de différentes composantes des signaux d’images

Abrégé

Methods and systems for light field compression are disclosed. According to some embodiments, the method receives pre-processing information that includes subimages associated with a scene. The method performs a first compression operation on the pre-processing information to generate reference information. The method further performs a second compression operation on the reference information and residual information to output compressed information. The compressed information includes compressed reference information and compressed residual information.

Classes IPC  ?

• H04N 19/597 - Procédés ou dispositions pour le codage, le décodage, la compression ou la décompression de signaux vidéo numériques utilisant le codage prédictif spécialement adapté pour l’encodage de séquences vidéo multi-vues

Abrégé

Methods and systems for image encoding and decoding are disclosed. According to some embodiments, scene metadata and input images associated with a scene are received. A first encoding operation is performed on the scene metadata and input images to generate reference images and reference disparity information. A second encoding operation is performed on the reference images and reference disparity information to output encoded data. The encoded data includes encoded reference images and encoded reference disparity information. The encoded data is transmitted.

Classes IPC  ?

• H04N 21/81 - Composants mono média du contenu
• H04N 19/597 - Procédés ou dispositions pour le codage, le décodage, la compression ou la décompression de signaux vidéo numériques utilisant le codage prédictif spécialement adapté pour l’encodage de séquences vidéo multi-vues
• H04N 13/161 - Encodage, multiplexage ou démultiplexage de différentes composantes des signaux d’images
• H04N 13/178 - Métadonnées, p. ex. informations sur la disparité

Abrégé

Methods and systems for image encoding and decoding are disclosed. According to some embodiments, scene metadata and input images associated with a scene are received. A first encoding operation is performed on the scene metadata and input images to generate reference images and reference disparity information. A second encoding operation is performed on the reference images and reference disparity information to output encoded data. The encoded data includes encoded reference images and encoded reference disparity information. The encoded data is transmitted.

Classes IPC  ?

• H04N 19/597 - Procédés ou dispositions pour le codage, le décodage, la compression ou la décompression de signaux vidéo numériques utilisant le codage prédictif spécialement adapté pour l’encodage de séquences vidéo multi-vues
• H04N 13/178 - Métadonnées, p. ex. informations sur la disparité
• H04N 21/81 - Composants mono média du contenu
• H04N 13/268 - Générateurs de signaux d’images avec conversion d’images monoscopiques en images stéréoscopiques au moyen du rendu basé sur une image de profondeur
• H04N 13/232 - Générateurs de signaux d’images utilisant des caméras à images stéréoscopiques utilisant un seul capteur d’images 2D utilisant des lentilles du type œil de mouche, p. ex. dispositions de lentilles circulaires
• H04N 13/161 - Encodage, multiplexage ou démultiplexage de différentes composantes des signaux d’images
• H04N 19/105 - Sélection de l’unité de référence pour la prédiction dans un mode de codage ou de prédiction choisi, p. ex. choix adaptatif de la position et du nombre de pixels utilisés pour la prédiction
• H04N 19/30 - Procédés ou dispositions pour le codage, le décodage, la compression ou la décompression de signaux vidéo numériques utilisant des techniques hiérarchiques, p. ex. l'échelonnage
• H04N 19/44 - Décodeurs spécialement adaptés à cet effet, p. ex. décodeurs vidéo asymétriques par rapport à l’encodeur
• H04N 19/46 - Inclusion d’information supplémentaire dans le signal vidéo pendant le processus de compression

Abrégé

Methods and systems for compression of light field images using Multiple Reference Depth Image-Based Rendering techniques (MR-DIBR) are disclosed. The methods and systems enhance light field image quality of compressed light field images using reference depth (or disparity) and color maps to enable hole filling and crack filling in compressed light field image data sets.

Classes IPC  ?

• G06T 5/50 - Amélioration ou restauration d'image utilisant plusieurs images, p. ex. moyenne ou soustraction

Produits et services

Light emitting diodes and laser diodes; solid-state 2D light-based emissive imagers; augmented reality and virtual reality wearable devices in the nature of headsets, eyewear, and eyeglasses; solid-state 2D sensor arrays for cameras, 2D cameras; software for administration of computer networks; software for 2D image processing, compression, transmission and reconstruction

Abrégé

Image compression methods for near-eye display systems that reduce the input bandwidth and the system processing resource are disclosed. High order basis modulation, dynamic gamut, light field depth sampling and image data word-length truncation and quantization aiming at matching the human visual system angular, color and depth acuity coupled with use of compressed input display enable a high fidelity visual experience in near-eye display systems suited for mobile applications at substantially reduced input interface bandwidths and processing resources.

Classes IPC  ?

• G06F 3/14 - Sortie numérique vers un dispositif de visualisation
• H04N 19/167 - Position dans une image vidéo, p. ex. région d'intérêt [ROI]
• H04N 13/383 - Suivi des spectateurs pour le suivi du regard, c.-à-d. avec détection de l’axe de vision des yeux du spectateur
• G06F 3/01 - Dispositions d'entrée ou dispositions d'entrée et de sortie combinées pour l'interaction entre l'utilisateur et le calculateur
• G02B 27/01 - Dispositifs d'affichage "tête haute"

Abrégé

Split exit pupil (or split eye-box) heads-up display (HUD )systems and methods are described. The described HUD system methods make use of a split exit pupil design method that enables a modular HUD system and allows the HUD system viewing eye-box size to be tailored while reducing the overall HUD volumetric aspects. A HUD module utilizes a high brightness small size micro-pixel imager to generate one or more HUD virtual images with a one or a plurality of given viewing eye-box segment sizes. When integrated together into a HUD system, a multiplicity of such HUD modules displaying the same image would enable such an integrated HUD system to have an eye-box size that is substantially larger than the eye-box size of a HUD module. The resultant integrated HUD system volume is substantially volumetrically smaller than a HUD system that uses a single larger imager. Furthermore, the integrated HUD system can be comprised of a multiplicity of HUD modules to scale the eye-box size to match the intended application while maintaining a given desired overall HUD system brightness.

Classes IPC  ?

• G02B 27/00 - Systèmes ou appareils optiques non prévus dans aucun des groupes ,
• G02B 27/01 - Dispositifs d'affichage "tête haute"
• G02B 27/22 - Autres systèmes optiques; Autres appareils optiques pour produire des effets stéréoscopiques ou autres effets de relief

Abrégé

A method and apparatus for achieving selective polarization states of emitted visible or other light in a stacked multicolor emissive display device by utilizing nonpolar, semipolar or strained c-plane crystallographic planes of semiconductor materials for light emitting structures within an electronic emissive display device.

Classes IPC  ?

• H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)

Abrégé

A split exit pupil heads-up display (HUD) system and method. The HUD system architecture makes use of a split exit pupil design method that enables a modular HUD system and allows the HUD system viewing eye-box size to be tailored while reducing the overall volumetric aspects. A single HUD module utilizes a micro-pixel imager to generate a HUD virtual image with a given viewing eye-box size. When integrated together into a single HUD system, a multiplicity of such HUD modules displaying the same image enables an integrated HUD system to have an eye-box size that equals the same multiple of the eye-box size of a single HUD module. The brightness of the integrated HUD system is maintained while the eye-box size becomes multiple size of the eye-box of a single module. The integrated HUD system can be comprised of multiplicity of single HUD modules to scale the eye-box size to match the intended application while maintaining system brightness.

Classes IPC  ?

• G02B 27/14 - Systèmes divisant ou combinant des faisceaux fonctionnant uniquement par réflexion
• G02B 27/01 - Dispositifs d'affichage "tête haute"
• G02B 13/18 - Objectifs optiques spécialement conçus pour les emplois spécifiés ci-dessous avec des lentilles ayant une ou plusieurs surfaces non sphériques, p. ex. pour réduire l'aberration géométrique
• G02B 27/30 - Collimateurs
• G02B 5/10 - Miroirs à surfaces courbes
• G06T 3/00 - Transformations géométriques de l'image dans le plan de l'image
• B60K 35/00 - Instruments spécialement adaptés aux véhiculesAgencement d’instruments dans ou sur des véhicules

Abrégé

An emissive Solid State Imager (SSI) comprised of a spatial array of digitally addressable multicolor micro pixels. Each pixel is a micro optical cavity comprising multiple photonic layers of blue-violet semiconductor light emitting diode. One of the photonic layers is used to generate light at the blue primary of the SSI. Two of the photonic layers are used to generate violet-blue excitation light which is converted with associated nanophosphors layer into the green and the red primaries of the SSI. The light generated is emitted perpendicular to the plane of the imager device via a plurality of vertical optical waveguides that extract and collimate the light generated. Each pixel diode is individually addressable to enable the pixel to simultaneously emit any combination of the colors associated with its multicolor nanophosphors converted semiconductor light emitting diode at any required on/off duty cycle for each color.

Classes IPC  ?

• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
• H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
• H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H04N 9/31 - Dispositifs de projection pour la présentation d'images en couleurs

Abrégé

A viewing system is provided including an active transparency modulation film in the form of addressable arrays of electrochromic pixel structures. The viewing system may be used in, for instance, a head-mounted display (HMD) or head-up display (HUD). The film is located on one side of a viewing lens of the system and is selectively variable from opaque to transparent at certain regions on the lens to provide an opaque silhouetted image upon which a virtual image is projected. The viewing system including the film and pixel structure therefore provide improved viewing by minimizing the undesirable effects of image ghosting in a viewed scene.

Classes IPC  ?

• G02B 27/01 - Dispositifs d'affichage "tête haute"
• G02F 1/15 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur un effet électrochromique
• G02F 1/163 - Fonctionnement des cellules électro-chromiques, p. ex. des cellules d’électrodépositionDispositions des circuits à cet effet

Abrégé

Complementary near-field and far-field light field displays (LFDs) are provided. A distributed LFD system is disclosed in which the light field is cooperatively displayed by a direct view LFD and a near-eye LFD. The two display components of the system work together synchronously to display a high-fidelity 3D experience to one or multiple viewers.

Classes IPC  ?

• H04N 13/04 - Reproducteurs d'images
• G06F 3/00 - Dispositions d'entrée pour le transfert de données destinées à être traitées sous une forme maniable par le calculateurDispositions de sortie pour le transfert de données de l'unité de traitement à l'unité de sortie, p. ex. dispositions d'interface
• G06F 3/01 - Dispositions d'entrée ou dispositions d'entrée et de sortie combinées pour l'interaction entre l'utilisateur et le calculateur
• G09G 5/12 - Synchronisation entre l'unité d'affichage et d'autres unités, p. ex. d'autres unités d'affichage, des lecteurs de disques vidéo
• G09G 5/14 - Affichage de fenêtres multiples

Abrégé

A split exit pupil heads-up display (HUD) system and method. The HUD system architecture makes use of a split exit pupil design method that enables a modular HUD system and allows the HUD system viewing eye-box size to be tailored while reducing the overall volumetric aspects. A single HUD module utilizes a micro-pixel imager to generate a HUD virtual image with a given viewing eye-box size. When integrated together into a single HUD system, a multiplicity of such a HUD modules displaying the same image enables an integrated HUD system to have an eye-box size that equals the same multiple of the eye-box size of a single HUD module. The brightness of the integrated HUD system is maintained while the eye-box size becomes multiple size of the eye-box of a single module. The integrated HUD system can be comprised of multiplicity of single HUD modules to scale the eye-box size to match the intended application while maintaining system brightness.

Classes IPC  ?

• G02B 27/00 - Systèmes ou appareils optiques non prévus dans aucun des groupes ,
• G02B 27/10 - Systèmes divisant ou combinant des faisceaux
• G02B 27/01 - Dispositifs d'affichage "tête haute"

Abrégé

A system for near-eye display applications. A lens is provided with a beam-splitting interface horizontally along the width of the lens. Two display devices per lens are provided and disposed on the perimeter surface of the lens opposing an overlapped, prismatic facet optics assembly which balances aberration introduced by the slight symmetry break in the lens.

Classes IPC  ?

• G02B 27/14 - Systèmes divisant ou combinant des faisceaux fonctionnant uniquement par réflexion
• G02B 3/08 - Lentilles simples ou composées à surfaces non sphériques à surfaces discontinues, p. ex. lentille de Fresnel
• G02B 27/00 - Systèmes ou appareils optiques non prévus dans aucun des groupes ,
• G02B 27/01 - Dispositifs d'affichage "tête haute"
• G02B 27/30 - Collimateurs
• G06F 3/01 - Dispositions d'entrée ou dispositions d'entrée et de sortie combinées pour l'interaction entre l'utilisateur et le calculateur
• G06T 19/00 - Transformation de modèles ou d'images tridimensionnels [3D] pour infographie
• G06G 5/00 - Dispositifs dans lesquels l'opération de calcul est effectuée au moyen d'éléments actionnés par la pression d'un fluide

Abrégé

An electromagnetic wave irradiation apparatus and methods to bond unbonded areas in a bonded pair of substrates are disclosed. The unbonded areas between the substrates are eliminated by thermal activation in the unbonded areas induced by electromagnetic wave irradiation having a wavelength selected to effect a phonon or electron excitation. A first substrate of the bonded pair of substrates absorbs the electromagnetic radiation and a portion of a resulting thermal energy transfers to an interface of the bonded pair of substrates at the unbonded areas with sufficient flux to cause opposite sides the first and second substrates to interact and dehydrate to form a bond (e.g., Si-O-Si bond).

Classes IPC  ?

• H01J 61/24 - Moyens pour obtenir ou conserver la pression désirée à l'intérieur de l'enceinte
• H01J 1/02 - Électrodes principales

Abrégé

Spatio-temporal light field cameras that can be used to capture the light field within its spatio temporally extended angular extent. Such cameras can be used to record 3D images, 2D images that can be computationally focused, or wide angle panoramic 2D images with relatively high spatial and directional resolutions. The light field cameras can be also be used as 2D/3D switchable cameras with extended angular extent. The spatio-temporal aspects of the novel light field cameras allow them to capture and digitally record the intensity and color from multiple directional views within a wide angle. The inherent volumetric compactness of the light field cameras make it possible to embed in small mobile devices to capture either 3D images or computationally focusable 2D images. The inherent versatility of these light field cameras makes them suitable for multiple perspective light field capture for 3D movies and video recording applications.

Classes IPC  ?

• H04N 5/225 - Caméras de télévision
• H04N 5/232 - Dispositifs pour la commande des caméras de télévision, p.ex. commande à distance
• G06T 7/557 - Récupération de la profondeur ou de la forme à partir de plusieurs images à partir des champs de lumière, p. ex. de caméras plénoptiques
• H04N 9/097 - Dispositions optiques associées aux dispositifs analyseurs, p.ex. pour partager des faisceaux, pour corriger la couleur
• H04N 5/04 - Synchronisation
• G02B 13/00 - Objectifs optiques spécialement conçus pour les emplois spécifiés ci-dessous
• G02B 3/00 - Lentilles simples ou composées

Abrégé

Emissive micro-pixel spatial light modulators with non-telecentric emission are introduced. The individual light emission from each multi-color micro-scale emissive pixel is directionally modulated in a unique direction to enable application-specific non-telecentric emission pattern from the micro-pixel array of the emissive spatial light modulator. Design methods for directionally modulating the light emission of the individual micro-pixels using micro-pixel level optics are described. Monolithic wafer level optics methods for fabricating the micro-pixel level optics are also described. An emissive multi-color micro-pixel spatial light modulator with non-telecentric emission is used to exemplify the methods and possible applications of the present invention: ultra-compact image projector, minimal cross-talk 3D light field display, multi-view 2D display, and directionally modulated waveguide optics for see-through near-eye displays.

Classes IPC  ?

• G09G 3/34 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante
• H01L 29/18 - Sélénium ou tellure uniquement, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés
• H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails

Abrégé

A method for growing on a substrate strongly aligned uniform cross-section semiconductor composite nanocolumns is disclosed. The method includes: (a) forming faceted pyramidal pits on the substrate surface; (b) initiating nucleation on the facets of the pits; and; (c) promoting the growth of nuclei toward the center of the pits where they coalesce with twinning and grow afterwards together as composite nanocolumns. Multi-quantum-well, core-shell nanocolumn heterostructures can be grown on the sidewalls of the nanocolumns. Furthermore, a continuous semiconductor epitaxial layer can be formed through the overgrowth of the nanocolumns to facilitate fabrication of high-quality planar device structures or for light emitting structures.

Classes IPC  ?

• H01L 21/20 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale
• H01L 29/15 - Structures avec une variation de potentiel périodique ou quasi périodique, p.ex. puits quantiques multiples, superréseaux
• H01L 33/24 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué de la région électroluminescente, p.ex. jonction du type non planaire

Abrégé

Wearable augmented reality display systems are provided. One or a plurality of emissive display elements are embedded in the bridge area of an eyeglass frame. The lenses are provided with a set of transmissive diffractive optical elements and partially reflective diffractive optical elements. The display outputs are directed toward the lens elements whereby the diffractive elements in turn direct the outputs toward the eye-boxes of the viewer.

Classes IPC  ?

• G02B 27/01 - Dispositifs d'affichage "tête haute"
• G02B 27/42 - Optique de diffraction
• G02B 27/44 - Systèmes à réseauxRéseaux zonés
• G03F 7/004 - Matériaux photosensibles

Abrégé

2 having a predetermined thickness or pattern is deposited on the second surface of a semiconductor wafer having an undesirable warp or bow. The thickness or pattern of the deposited oxide layer is determined by the measured warp or bow of the semiconductor wafer. The compressive oxide layer induces an offsetting compressive force on the second surface of the semiconductor wafer to reduce the warp and bow across the major surface of the semiconductor wafer.

Classes IPC  ?

• H01L 21/302 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p. ex. gravure, polissage, découpage
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
• H01L 29/30 - Corps semi-conducteurs ayant des surfaces polies ou rugueuses

Abrégé

A method to improve the planarity of a semiconductor wafer and an assembly made from the method. In a preferred embodiment of the method, a compressive PECVD oxide layer such as SiO2 having a predetermined thickness or pattern is deposited on the second surface of a semiconductor wafer having an undesirable warp or bow. The thickness or pattern of the deposited oxide layer is determined by the measured warp or bow of the semiconductor wafer. The compressive oxide layer induces an offsetting compressive force on the second surface of the semiconductor wafer to reduce the warp and bow across the major surface of the semiconductor wafer.

Classes IPC  ?

• H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 21/06 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant du sélénium ou du tellure, sous forme non combinée, et ne constituant pas des impuretés pour les corps semi-conducteurs d'autres matériaux
• H01L 21/20 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale
• H01L 21/38 - Diffusion des impuretés, p. ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, dans ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants

Abrégé

A compression method for high-resolution light field display is disclosed for applications in which computer memory constraints and latency are critical. The disclosed compression algorithm takes advantage of the 3D structure of a light field to compress the raw light field information with a fixed compression ratio and simple decoding instructions. The compressed high-resolution light field achieves a reduced bandwidth with acceptable quality, and is packed in a way that can be transmitted using common interfaces. In a preferred embodiment, the compression algorithm is used as a post-processing stage after light field information acquisition or after rendering. In a further preferred embodiment, the compression algorithm is incorporated into the acquisition or rendering procedure to reduce memory and rendering processing. These and further embodiments generate a compressed light field with all information required for direct display.

Classes IPC  ?

• H04N 13/04 - Reproducteurs d'images
• H04N 1/60 - Correction ou commande des couleurs

Abrégé

A wearable system with a gestural interface for wearing on, for instance, the wrist of a user. The system comprises an ultrasonic transceiver array structure and may comprise a pico projector display element for displaying an image on a surface. User anatomical feature inputs are received in the form of ultrasound signals representative of a spatio-temporal cross-section of the wrist of the user by articulating wrist, finger and hand postures, which articulations are translated into gestures. Inputs from inertial and other sensors are used by the system as part of the anatomical feature posture identification method and device. Gestures are recognized using a mathematically-modeled, simulation-based set of biological metrics of tissue objects, which gestures are converted to executable computer instructions. Embodiments of the system disclosed herein may also be used to monitor biometric and health data over computer networks or using onboard systems.

Classes IPC  ?

• G06F 3/01 - Dispositions d'entrée ou dispositions d'entrée et de sortie combinées pour l'interaction entre l'utilisateur et le calculateur
• G06K 9/00 - Méthodes ou dispositions pour la lecture ou la reconnaissance de caractères imprimés ou écrits ou pour la reconnaissance de formes, p.ex. d'empreintes digitales
• A63F 13/00 - Jeux vidéo, c.-à-d. jeux utilisant un affichage à plusieurs dimensions généré électroniquement

Abrégé

A dual-mode augmented/virtual reality near-eye wearable display for use with a curved lens element. The lenses are provided with one or more transparent waveguide elements that are disposed within the thickness of the lenses. The waveguide elements are configured to couple display images directly from image sources such as emissive display imagers to an exit aperture or plurality of exit aperture sub-regions within a viewer's field of view. In a preferred embodiment, a plurality of image sources are disposed on the peripheral surface of the lenses whereby each image source has a dedicated input image aperture and exit aperture sub-region that are each "piecewise flat" and have matched areas and angles of divergence whereby a viewer is presented with the output of the plurality of image source images within the viewer's field of view.

Classes IPC  ?

• G02B 27/00 - Systèmes ou appareils optiques non prévus dans aucun des groupes ,
• G02B 27/02 - Appareils pour regarder ou pour lire
• G02B 13/08 - Objectifs anamorphotiques
• G06T 19/00 - Transformation de modèles ou d'images tridimensionnels [3D] pour infographie

Abrégé

A III-nitride semiconductor light emitting device incorporating n-type III-nitride cladding layers, indium containing III-nitride light emitting region, and p-type III-nitride cladding layers. The light emitting region is sandwiched between n- and p-type III-nitride cladding layers and includes multiple sets of multi-quantum-wells (MQWs). The first MQW set formed on the n-type cladding layer comprises relatively lower indium concentration. The second MQW set comprising relatively moderate indium concentration. The third MQW set adjacent to the p-type cladding layer incorporating relatively highest indium concentration of the three MQW sets and is capable of emitting amber-to-red light. The first two MQW sets are utilized as pre-strain layers. Between the MQW sets, intermediate strain compensation layers (ISCLs) are added. The combination of the first two MQW sets and ISCLs prevent phase separation and enhance indium uptake in the third MQW set. The third MQW set, as a result, retains sufficiently high indium concentration to emit amber-to-red light of high output power without any phase separation associated problems.

Classes IPC  ?

• H01L 33/02 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs
• H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
• H01L 33/12 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure de relaxation des contraintes, p.ex. couche tampon
• H01L 33/30 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique

Abrégé

A backflow liner in an epitaxial growth system is provided in order to control gas flow and protect the surface of substrates throughout an epitaxial growth cycle. The backflow liner provides critical protection during the warming time prior to substrate pre-treatment, while the growth environment reaches steady state condition between the pre-treatment and the growth process, during pauses between the layer depositions in case of multilayer structure growth, and during the cooling process. The direction of the gas flow through the backflow liner is counter to the deposition gas flows directed from the source end of the growth system. The backflow liner is therefore designed to shape the flow of gases to prevent formation of the vortex-type streams in the growth system that may negatively affect the growth process.

Classes IPC  ?

• C30B 25/02 - Croissance d'une couche épitaxiale
• C30B 25/14 - Moyens d'introduction et d'évacuation des gazModification du courant des gaz réactifs
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• C30B 25/16 - Commande ou régulation
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction

Abrégé

Disclosed herein are multi-layered optically active regions for semiconductor light-emitting devices (LEDs) that incorporate intermediate carrier blocking layers, the intermediate carrier blocking layers having design parameters for compositions and doping levels selected to provide efficient control over the carrier injection distribution across the active regions to achieve desired device injection characteristics. Examples of embodiments discussed herein include, among others: a multiple-quantum-well variable-color LED operating in visible optical range with full coverage of RGB gamut, a multiple-quantum-well variable-color LED operating in visible optical range with an extended color gamut beyond standard RGB gamut, a multiple-quantum-well light-white emitting LED with variable color temperature, and a multiple-quantum-well LED with uniformly populated active layers.

Classes IPC  ?

• H01S 5/34 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH]
• H01L 33/08 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une pluralité de régions électroluminescentes, p.ex. couche électroluminescente discontinue latéralement ou région photoluminescente intégrée au sein du corps semi-conducteur
• H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
• H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
• H01S 5/042 - Excitation électrique
• H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
• H01S 5/20 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
• H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
• H01S 5/10 - Structure ou forme du résonateur optique

Abrégé

Disclosed herein are multi-layered optically active regions for semiconductor light-emitting devices (LEDs) that incorporate intermediate carrier blocking layers, the intermediate carrier blocking layers having design parameters for compositions and doping levels selected to provide efficient control over the carrier injection distribution across the active regions to achieve desired device injection characteristics. Examples of embodiments discussed herein include, among others: a multiple-quantum-well variable-color LED operating in visible optical range with full coverage of RGB gamut, a multiple-quantum-well variable-color LED operating in visible optical range with an extended color gamut beyond standard RGB gamut, a multiple-quantum-well light-white emitting LED with variable color temperature, and a multiple-quantum-well LED with uniformly populated active layers.

Classes IPC  ?

• H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 33/08 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une pluralité de régions électroluminescentes, p.ex. couche électroluminescente discontinue latéralement ou région photoluminescente intégrée au sein du corps semi-conducteur
• H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
• H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
• H01S 5/042 - Excitation électrique
• H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
• H01S 5/20 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
• H01S 5/10 - Structure ou forme du résonateur optique
• H01S 5/34 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH]
• H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes

Abrégé

Disclosed herein are multi-layered optically active regions for semiconductor light-emitting devices (LEDs) that incorporate intermediate carrier blocking layers, the intermediate carrier blocking layers having design parameters for compositions and doping levels selected to provide efficient control over the carrier injection distribution across the active regions to achieve desired device injection characteristics. Examples of embodiments discussed herein include, among others: a multiple-quantum-well variable-color LED operating in visible optical range with full coverage of RGB gamut, a multiple-quantum-well variable-color LED operating in visible optical range with an extended color gamut beyond standard RGB gamut, a multiple-quantum-well light-white emitting LED with variable color temperature, and a multiple-quantum-well LED with uniformly populated active layers.

Classes IPC  ?

• H01S 5/34 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH]
• H01S 5/42 - Réseaux de lasers à émission de surface
• H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel

Abrégé

A 3D video processing system with integrated display is described wherein the huge data bandwidth demands on the source-to-display transmission medium is decreased by utilizing innovative 3D light field video data compression at the source along with innovative reconstruction of 3D light field video content from highly compressed 3D video data at the display. The display incorporates parallel processing pipelines integrated with a Quantum Photonics Imager® for efficient data handling and light imaging.

Classes IPC  ?

• H04N 13/04 - Reproducteurs d'images
• G02B 27/22 - Autres systèmes optiques; Autres appareils optiques pour produire des effets stéréoscopiques ou autres effets de relief
• G03H 1/22 - Procédés ou appareils pour obtenir une image optique à partir d'un hologramme
• G06T 15/04 - Mappage de texture
• G06T 15/50 - Effets de lumière
• G06T 19/00 - Transformation de modèles ou d'images tridimensionnels [3D] pour infographie

Abrégé

An innovative method for synthesis of compressed light fields is described. Compressed light fields are commonly generated by sub-sampling light field views. The suppressed views must then be synthesized at the display, utilizing information from the compressed light field. The present invention describes a method for view synthesis that utilizes depth information of the scene to reconstruct the absent views. An innovative view merging method coupled with an efficient hole filling procedure compensates for depth misregistrations and inaccuracies to produce realistic synthesized views for full parallax light field displays.

Classes IPC  ?

• G06T 15/00 - Rendu d'images tridimensionnelles [3D]
• G06T 7/00 - Analyse d'image
• G06K 9/00 - Méthodes ou dispositions pour la lecture ou la reconnaissance de caractères imprimés ou écrits ou pour la reconnaissance de formes, p.ex. d'empreintes digitales
• G02B 6/00 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage

Abrégé

Apparatus and methods for controlling gas flows in a HVPE reactor. Gas flows may be controlled by a gas focusing element. Gas injection and gas collection tubes are positioned within an outer tube and are separated from each other to define a space there between. A gas, such as HCl gas, flows over the outer surfaces of the injection and collection tubes to contain gases within the space as they flow from the injection tube to the collection tube and over a seed upon which group III nitride materials are grown. Gas flows may also be controlled by a multi-tube structure that separates gases until they reach a grown zone. A multi-tube structure may include four tubes, which separate flows of a halide reactive gas, a reaction product that flows with a carrier gas, and ammonia.

Classes IPC  ?

• C30B 25/00 - Croissance des monocristaux par réaction chimique de gaz réactifs, p. ex. croissance par dépôt chimique en phase vapeur
• C30B 29/40 - Composés AIII BV
• C23C 16/30 - Dépôt de composés, de mélanges ou de solutions solides, p. ex. borures, carbures, nitrures

Abrégé

Spatio-temporal light field cameras that can be used to capture the light field within its spatio temporally extended angular extent. Such cameras can be used to record 3D images, 2D images that can be computationally focused, or wide angle panoramic 2D images with relatively high spatial and directional resolutions. The light field cameras can be also be used as 2D/3D switchable cameras with extended angular extent. The spatio-temporal aspects of the novel light field cameras allow them to capture and digitally record the intensity and color from multiple directional views within a wide angle. The inherent volumetric compactness of the light field cameras make it possible to embed in small mobile devices to capture either 3D images or computationally focusable 2D images. The inherent versatility of these light field cameras makes them suitable for multiple perspective light field capture for 3D movies and video recording applications.

Classes IPC  ?

• H04N 5/349 - Extraction de données de pixels provenant d'un capteur d'images en agissant sur les circuits de balayage, p.ex. en modifiant le nombre de pixels ayant été échantillonnés ou à échantillonner pour accroître la résolution en déplaçant le capteur par rapport à la scène
• H04N 5/225 - Caméras de télévision
• H04N 5/232 - Dispositifs pour la commande des caméras de télévision, p.ex. commande à distance
• H04N 13/02 - Générateurs de signaux d'image
• H04N 5/247 - Disposition des caméras de télévision
• G02B 27/22 - Autres systèmes optiques; Autres appareils optiques pour produire des effets stéréoscopiques ou autres effets de relief
• G02B 3/00 - Lentilles simples ou composées
• G02B 13/00 - Objectifs optiques spécialement conçus pour les emplois spécifiés ci-dessous
• G02B 27/10 - Systèmes divisant ou combinant des faisceaux
• G02B 27/12 - Systèmes divisant ou combinant des faisceaux fonctionnant uniquement par réfraction

Abrégé

Spatio-temporal light field cameras that can be used to capture the light field within its spatio temporally extended angular extent. Such cameras can be used to record 3D images, 2D images that can be computationally focused, or wide angle panoramic 2D images with relatively high spatial and directional resolutions. The light field cameras can be also be used as 2D/3D switchable cameras with extended angular extent. The spatio-temporal aspects of the novel light field cameras allow them to capture and digitally record the intensity and color from multiple directional views within a wide angle. The inherent volumetric compactness of the light field cameras make it possible to embed in small mobile devices to capture either 3D images or computationally focusable 2D images. The inherent versatility of these light field cameras makes them suitable for multiple perspective light field capture for 3D movies and video recording applications.

Classes IPC  ?

• H04N 5/225 - Caméras de télévision
• H04N 5/232 - Dispositifs pour la commande des caméras de télévision, p.ex. commande à distance
• H04N 5/349 - Extraction de données de pixels provenant d'un capteur d'images en agissant sur les circuits de balayage, p.ex. en modifiant le nombre de pixels ayant été échantillonnés ou à échantillonner pour accroître la résolution en déplaçant le capteur par rapport à la scène
• H04N 13/02 - Générateurs de signaux d'image
• H04N 5/247 - Disposition des caméras de télévision
• G02B 27/22 - Autres systèmes optiques; Autres appareils optiques pour produire des effets stéréoscopiques ou autres effets de relief
• G02B 3/00 - Lentilles simples ou composées
• G02B 13/00 - Objectifs optiques spécialement conçus pour les emplois spécifiés ci-dessous
• G02B 27/10 - Systèmes divisant ou combinant des faisceaux
• G02B 27/12 - Systèmes divisant ou combinant des faisceaux fonctionnant uniquement par réfraction

Abrégé

Spatio-temporal light field cameras that can be used to capture the light field within its spatio temporally extended angular extent. Such cameras can be used to record 3D images, 2D images that can be computationally focused, or wide angle panoramic 2D images with relatively high spatial and directional resolutions. The light field cameras can be also be used as 2D/3D switchable cameras with extended angular extent. The spatio-temporal aspects of the novel light field cameras allow them to capture and digitally record the intensity and color from multiple directional views within a wide angle. The inherent volumetric compactness of the light field cameras make it possible to embed in small mobile devices to capture either 3D images or computationally focusable 2D images. The inherent versatility of these light field cameras makes them suitable for multiple perspective light field capture for 3D movies and video recording applications.

Classes IPC  ?

• H04N 5/225 - Caméras de télévision
• H04N 5/232 - Dispositifs pour la commande des caméras de télévision, p.ex. commande à distance
• H04N 13/02 - Générateurs de signaux d'image
• H04N 5/349 - Extraction de données de pixels provenant d'un capteur d'images en agissant sur les circuits de balayage, p.ex. en modifiant le nombre de pixels ayant été échantillonnés ou à échantillonner pour accroître la résolution en déplaçant le capteur par rapport à la scène
• H04N 5/247 - Disposition des caméras de télévision
• G02B 27/22 - Autres systèmes optiques; Autres appareils optiques pour produire des effets stéréoscopiques ou autres effets de relief
• G02B 3/00 - Lentilles simples ou composées
• G02B 13/00 - Objectifs optiques spécialement conçus pour les emplois spécifiés ci-dessous
• G02B 27/10 - Systèmes divisant ou combinant des faisceaux
• G02B 27/12 - Systèmes divisant ou combinant des faisceaux fonctionnant uniquement par réfraction

Abrégé

Split exit pupil (or split eye-box) heads-up display (HUD) systems and methods are described. The described HUD system methods make use of a split exit pupil design method that enables a modular HUD system and allows the HUD system viewing eye-box size to be tailored while reducing the overall HUD volumetric aspects. A HUD module utilizes a high brightness small size micro-pixel imager to generate a HUD virtual image with a given viewing eye-box segment size. When integrated together into a HUD system, a multiplicity of such HUD modules displaying the same image would enable such an integrated HUD system to have an eye-box size that is substantially larger than the eye-box size of a HUD module. The resultant integrated HUD system volume is substantially volumetrically smaller than a HUD system that uses a single larger imager. Furthermore, the integrated HUD system can be comprised of a multiplicity of HUD modules to scale the eye-box size to match the intended application while maintaining a given desired overall HUD system brightness.

Classes IPC  ?

• G02B 27/01 - Dispositifs d'affichage "tête haute"
• G02B 27/00 - Systèmes ou appareils optiques non prévus dans aucun des groupes ,
• G02B 27/10 - Systèmes divisant ou combinant des faisceaux

Abrégé

Split exit pupil (or split eye-box) heads-up display (HUD) systems and methods are described. The described HUD system methods make use of a split exit pupil design method that enables a modular HUD system and allows the HUD system viewing eye-box size to be tailored while reducing the overall HUD volumetric aspects. A HUD module utilizes a high brightness small size micro-pixel imager to generate a HUD virtual image with a given viewing eye-box segment size. When integrated together into a HUD system, a multiplicity of such HUD modules displaying the same image would enable such an integrated HUD system to have an eye-box size that is substantially larger than the eye-box size of a HUD module. The resultant integrated HUD system volume is substantially volumetrically smaller than a HUD system that uses a single larger imager. Furthermore, the integrated HUD system can be comprised of a multiplicity of HUD modules to scale the eye-box size to match the intended application while maintaining a given desired overall HUD system brightness.

Classes IPC  ?

• G02B 27/01 - Dispositifs d'affichage "tête haute"
• G09G 3/20 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice
• G09G 3/34 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante
• G06T 3/00 - Transformations géométriques de l'image dans le plan de l'image
• G02B 27/00 - Systèmes ou appareils optiques non prévus dans aucun des groupes ,
• G02B 27/10 - Systèmes divisant ou combinant des faisceaux

Abrégé

Spatio-temporal light field cameras that can be used to capture the light field within its spatio temporally extended angular extent. Such cameras can be used to record 3D images, 2D images that can be computationally focused, or wide angle panoramic 2D images with relatively high spatial and directional resolutions. The light field cameras can be also be used as 2D/3D switchable cameras with extended angular extent. The spatio-temporal aspects of the novel light field cameras allow them to capture and digitally record the intensity and color from multiple directional views within a wide angle. The inherent volumetric compactness of the light field cameras make it possible to embed in small mobile devices to capture either 3D images or computationally focusable 2D images. The inherent versatility of these light field cameras makes them suitable for multiple perspective light field capture for 3D movies and video recording applications.

Classes IPC  ?

• H04N 5/232 - Dispositifs pour la commande des caméras de télévision, p.ex. commande à distance
• H04N 5/225 - Caméras de télévision
• H04N 5/349 - Extraction de données de pixels provenant d'un capteur d'images en agissant sur les circuits de balayage, p.ex. en modifiant le nombre de pixels ayant été échantillonnés ou à échantillonner pour accroître la résolution en déplaçant le capteur par rapport à la scène
• H04N 13/02 - Générateurs de signaux d'image
• H04N 5/247 - Disposition des caméras de télévision
• G02B 27/22 - Autres systèmes optiques; Autres appareils optiques pour produire des effets stéréoscopiques ou autres effets de relief
• G02B 3/00 - Lentilles simples ou composées
• G02B 13/00 - Objectifs optiques spécialement conçus pour les emplois spécifiés ci-dessous
• G02B 27/10 - Systèmes divisant ou combinant des faisceaux
• G02B 27/12 - Systèmes divisant ou combinant des faisceaux fonctionnant uniquement par réfraction

Abrégé

Preprocessing of the light field input data for full parallax compressed light field 3D display systems is described. The described light field input data preprocessing can be utilized to format or extract information from input data, which can then be used by the light field compression system to further enhance the compression performance, reduce processing requirements, achieve real-time performance and reduce power consumption. This light field input data preprocessing performs a high-level 3D scene analysis and extracts data properties to be used by the light field compression system at different stages. As a result, rendering of redundant data is avoided while at the same rendering quality is improved.

Classes IPC  ?

• G02B 27/01 - Dispositifs d'affichage "tête haute"
• G06T 15/04 - Mappage de texture
• H04N 9/64 - Circuits pour le traitement de signaux de couleur

Abrégé

Designs of extremely high efficiency solar cells are described. A novel alternating bias scheme enhances the photovoltaic power extraction capability above the cell band-gap by enabling the extraction of hot carriers. When applied in conventional solar cells, this alternating bias scheme has the potential of more than doubling their yielded net efficiency. When applied in conjunction with solar cells incorporating quantum wells (QWs) or quantum dots (QDs) based solar cells, the described alternating bias scheme has the potential of extending such solar cell power extraction coverage, possibly across the entire solar spectrum, thus enabling unprecedented solar power extraction efficiency. Within such cells, a novel alternating bias scheme extends the cell energy conversion capability above the cell material band-gap while the quantum confinement structures are used to extend the cell energy conversion capability below the cell band-gap. Light confinement cavities are incorporated into the cell structure in order to allow the absorption of the cell internal photo emission, thus further enhancing the cell efficiency.

Classes IPC  ?

• H01L 31/00 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
• H02S 40/34 - Composants électriques comprenant une connexion électrique structurellement associée au module PV, p. ex. boîtes de jonction
• H01L 31/0693 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type homojonction PN, p.ex. cellules solaires à homojonction PN en silicium massif ou cellules solaires à homojonction PN en couches minces de silicium polycristallin le dispositif incluant, hormis les éléments dopants ou autres impuretés, uniquement des composés semiconducteurs AIIIBV, p.ex. cellules solaires en GaAs ou en InP
• H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
• B82Y 20/00 - Nano-optique, p. ex. optique quantique ou cristaux photoniques
• B82Y 30/00 - Nanotechnologie pour matériaux ou science des surfaces, p. ex. nanocomposites
• H01L 31/02 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails
• H01L 31/028 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des éléments du groupe IV de la classification périodique
• H01L 31/0296 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIBVI, p.ex. CdS, ZnS, HgCdTe
• H01L 31/0304 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
• H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes
• H01L 31/068 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type homojonction PN, p.ex. cellules solaires à homojonction PN en silicium massif ou cellules solaires à homojonction PN en couches minces de silicium polycristallin
• H01L 31/042 - Modules PV ou matrices de cellules PV individuelles
• H02S 40/32 - Composants électriques comprenant un onduleur CC/CA associé au module PV lui-même, p. ex. module CA
• H01L 31/073 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction comprenant uniquement des composés semiconducteurs AIIBVI, p.ex. cellules solaires en CdS/CdTe
• H01L 31/0735 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction comprenant uniquement des composés semiconducteurs AIIIBV, p.ex. cellules solaires en GaAs/AlGaAs ou InP/GaInAs
• H01L 31/0749 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction incluant un composé AIBIIICVI, p.ex. cellules solaires à hétérojonctions CdS/CuInSe2 [CIS]
• B82Y 99/00 - Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe

Abrégé

Designs of extremely high efficiency solar cells are described. A novel alternating bias scheme enhances the photovoltaic power extraction capability above the cell band-gap by enabling the extraction of hot carriers. When applied in conventional solar cells, this alternating bias scheme has the potential of more than doubling their yielded net efficiency. When applied in conjunction with solar cells incorporating quantum wells (QWs) or quantum dots (QDs) based solar cells, the described alternating bias scheme has the potential of extending such solar cell power extraction coverage, possibly across the entire solar spectrum, thus enabling unprecedented solar power extraction efficiency. Within such cells, a novel alternating bias scheme extends the cell energy conversion capability above the cell material band-gap while the quantum confinement structures are used to extend the cell energy conversion capability below the cell band-gap. Light confinement cavities are incorporated into the cell structure in order to allow the absorption of the cell internal photo emission, thus further enhancing the cell efficiency.

Classes IPC  ?

• H01L 31/00 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
• H02S 40/34 - Composants électriques comprenant une connexion électrique structurellement associée au module PV, p. ex. boîtes de jonction
• H01L 31/0693 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type homojonction PN, p.ex. cellules solaires à homojonction PN en silicium massif ou cellules solaires à homojonction PN en couches minces de silicium polycristallin le dispositif incluant, hormis les éléments dopants ou autres impuretés, uniquement des composés semiconducteurs AIIIBV, p.ex. cellules solaires en GaAs ou en InP
• H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
• B82Y 20/00 - Nano-optique, p. ex. optique quantique ou cristaux photoniques
• B82Y 30/00 - Nanotechnologie pour matériaux ou science des surfaces, p. ex. nanocomposites
• H01L 31/02 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails
• H01L 31/028 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des éléments du groupe IV de la classification périodique
• H01L 31/0296 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIBVI, p.ex. CdS, ZnS, HgCdTe
• H01L 31/0304 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
• H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes
• H01L 31/068 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type homojonction PN, p.ex. cellules solaires à homojonction PN en silicium massif ou cellules solaires à homojonction PN en couches minces de silicium polycristallin
• H01L 31/042 - Modules PV ou matrices de cellules PV individuelles
• H02S 40/32 - Composants électriques comprenant un onduleur CC/CA associé au module PV lui-même, p. ex. module CA
• H01L 31/073 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction comprenant uniquement des composés semiconducteurs AIIBVI, p.ex. cellules solaires en CdS/CdTe
• H01L 31/0735 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction comprenant uniquement des composés semiconducteurs AIIIBV, p.ex. cellules solaires en GaAs/AlGaAs ou InP/GaInAs
• H01L 31/0749 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction incluant un composé AIBIIICVI, p.ex. cellules solaires à hétérojonctions CdS/CuInSe2 [CIS]
• B82Y 99/00 - Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe

Abrégé

A compressed light field imaging system is described. The light field 3D data is analyzed to determine optimal subset of light field samples to be (acquired) rendered, while the remaining samples are generated using multi-reference depth-image based rendering. The light field is encoded and transmitted to the display. The 3D display directly reconstructs the light field and avoids data expansion that usually occurs in conventional imaging systems. The present invention enables the realization of full parallax 3D compressed imaging system that achieves high compression performance while minimizing memory and computational requirements.

Classes IPC  ?

• H04N 19/597 - Procédés ou dispositions pour le codage, le décodage, la compression ou la décompression de signaux vidéo numériques utilisant le codage prédictif spécialement adapté pour l’encodage de séquences vidéo multi-vues
• H04N 13/00 - Systèmes vidéo stéréoscopiquesSystèmes vidéo multi-vuesLeurs détails
• H04N 19/436 - Procédés ou dispositions pour le codage, le décodage, la compression ou la décompression de signaux vidéo numériques caractérisés par les détails de mise en œuvre ou le matériel spécialement adapté à la compression ou à la décompression vidéo, p. ex. la mise en œuvre de logiciels spécialisés utilisant des dispositions de calcul parallélisées

Abrégé

A method has been developed to overcome deficiencies in the prior art in the properties and fabrication of semi-polar group III-nitride templates, films, and materials. A novel variant of hydride vapor phase epitaxy has been developed that provides for controlled growth of nanometer-scale periodic structures. The growth method has been utilized to grow multi-period stacks of alternating AlGaN layers of distinct compositions. The application of such periodic structures to semi-polar III-nitrides yielded superior structural and morphological properties of the material, including reduced threading dislocation density and surface roughness at the free surface of the as-grown material. Such enhancements enable to fabrication of superior quality semi-polar III-nitride electronic and optoelectronic devices, including but not limited to transistors, light emitting diodes, and laser diodes.

Classes IPC  ?

• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
• C30B 25/18 - Croissance d'une couche épitaxiale caractérisée par le substrat
• H01L 29/04 - Corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline, p.ex. polycristalline, cubique ou à orientation particulière des plans cristallins
• H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
• H01L 29/167 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée caractérisés en outre par le matériau de dopage
• C30B 23/02 - Croissance d'une couche épitaxiale
• C30B 29/40 - Composés AIII BV

Abrégé

Methods are described to utilize relatively low cost substrates and processing methods to achieve enhanced emissive imager pixel performance via selective epitaxial growth. An emissive imaging array is coupled with one or more patterned compound semiconductor light emitting structures grown on a second patterned and selectively grown compound semiconductor template article. The proper design and execution of the patterning and epitaxial growth steps, coupled with alignment of the epitaxial structures with the imaging array, results in enhanced performance of the emissive imager. The increased luminous flux achieved enables use of such images for high brightness display and illumination applications.

Classes IPC  ?

• H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
• H01L 33/08 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une pluralité de régions électroluminescentes, p.ex. couche électroluminescente discontinue latéralement ou région photoluminescente intégrée au sein du corps semi-conducteur
• H01S 5/026 - Composants intégrés monolithiques, p. ex. guides d'ondes, photodétecteurs de surveillance ou dispositifs d'attaque
• H01S 5/30 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active
• H01L 33/16 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure cristalline ou une orientation particulière, p.ex. polycristalline, amorphe ou poreuse

Abrégé

In the dynamic gamut display systems, video input data is processed to extract metrics indicative of the gamut occupancy of the frame pixels. The extracted metrics are used to form a set of scale factors to be used by the display to synthesize an adapted gamut that matches the frame pixel color gamut from the native color primaries of the display. The generated gamut adaptation scale factors are used to convert the frame pixels' values to the adapted gamut which are provided to the display for modulation using the synthesized adapted gamut for each video frame or a sub-region of a video frame. The methods enable increased display brightness, reduced power consumption and reduced interface and processing bandwidth. Also disclosed is an adapted video frame data formatting method that maps the benefits of the adapted gamut into a reduced frame data size enabling bandwidth savings when used for video distribution.

Classes IPC  ?

• G09G 5/10 - Circuits d'intensité
• G09G 3/34 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante
• G09G 5/02 - Dispositions ou circuits de commande de l'affichage communs à l'affichage utilisant des tubes à rayons cathodiques et à l'affichage utilisant d'autres moyens de visualisation caractérisés par la manière dont la couleur est visualisée
• G09G 3/20 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice
• G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides
• G09G 5/04 - Dispositions ou circuits de commande de l'affichage communs à l'affichage utilisant des tubes à rayons cathodiques et à l'affichage utilisant d'autres moyens de visualisation caractérisés par la manière dont la couleur est visualisée utilisant des circuits comme interface avec l'affichage en couleurs

Abrégé

A method has been developed to overcome deficiencies in the prior art in the properties and fabrication of semi-polar group III-nitride templates, films, and materials. A novel variant of hydride vapor phase epitaxy has been developed that provides for controlled growth of nanometer-scale periodic structures. The growth method has been utilized to grow multi-period stacks of alternating AlGaN layers of distinct compositions. The application of such periodic structures to semi-polar III-nitrides yielded superior structural and morphological properties of the material, including reduced threading dislocation density and surface roughness at the free surface of the as-grown material. Such enhancements enable to fabrication of superior quality semi-polar III-nitride electronic and optoelectronic devices, including but not limited to transistors, light emitting diodes, and laser diodes.

Classes IPC  ?

• C30B 25/18 - Croissance d'une couche épitaxiale caractérisée par le substrat
• C30B 23/02 - Croissance d'une couche épitaxiale
• C30B 29/40 - Composés AIII BV

Abrégé

3D light field display methods and apparatus with improved viewing angle, depth and resolution are introduced. The methods can be used to create a high quality 3D light field display of any size from smaller than a postage stamp to larger than a three story building. This invention relates generally to image and video displays, more particularly to 3D light field imaging systems and the construction methods of 3D light field imaging systems with large viewing angle, high frequency and extended depth.

Classes IPC  ?

• H04N 13/04 - Reproducteurs d'images

Abrégé

In the dynamic gamut display systems, video input data is processed to extract metrics indicative of the gamut occupancy of the frame pixels. The extracted metrics are used to form a set of scale factors to be used by the display to synthesize an adapted gamut that matches the frame pixel color gamut from the native color primaries of the display. The generated gamut adaptation scale factors are used to convert the frame pixels' values to the adapted gamut which are provided to the display for modulation using the synthesized adapted gamut for each video frame or a sub-region of a video frame. The methods enable increased display brightness, reduced power consumption and reduced interface and processing bandwidth. Also disclosed is an adapted video frame data formatting method that maps the benefits of the adapted gamut into a reduced frame data size enabling bandwidth savings when used for video distribution.

Classes IPC  ?

• G09G 5/02 - Dispositions ou circuits de commande de l'affichage communs à l'affichage utilisant des tubes à rayons cathodiques et à l'affichage utilisant d'autres moyens de visualisation caractérisés par la manière dont la couleur est visualisée

Abrégé

Methods are described to utilize relatively low cost substrates and processing methods to achieve enhanced emissive imager pixel performance via selective epitaxial growth. An emissive imaging array is coupled with one or more patterned compound semiconductor light emitting structures grown on a second patterned and selectively grown compound semiconductor template article. The proper design and execution of the patterning and epitaxial growth steps, coupled with alignment of the epitaxial structures with the imaging array, results in enhanced performance of the emissive imager. The increased luminous flux achieved enables use of such images for high brightness display and illumination applications.

Classes IPC  ?

• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives

Produits et services

Gallium nitride substrates, namely, gallium nitride templates consisting of a layer of gallium nitride on sapphire

Produits et services

solid-state 2D light based emissive imagers and 3D light field emissive imagers

Abrégé

HVPE reactors and methods for growth of p-type group III nitride materials including p-GaN. A reaction product such as gallium chloride is delivered to a growth zone inside of a HVPE reactor by a carrier gas such as Argon. The gallium chloride reacts with a reactive gas such as ammonia in the growth zone in the presence of a magnesium-containing gas to grow p-type group III nitride materials. The source of magnesium is an external, non-metallic compound source such as Cp2Mg.

Classes IPC  ?

• C30B 21/02 - Solidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques par simple coulée ou par solidification dans un gradient de température

Abrégé

The present invention relates to a method for producing a modified surface of a substrate that stimulates the growth of epitaxial layers of group-III nitride semiconductors with substantially improved structural perfection and surface flatness. The modification is conducted outside or inside a growth reactor by exposing the substrate to a gas-product of the reaction between hydrogen chloride (HCl) and aluminum metal (Al). As a single-step or an essential part of the multi-step pretreatment procedure, the modification gains in coherent coordination between the substrate and group-III nitride epitaxial structure to be deposited. Along with epilayer, total epitaxial structure may include buffer inter-layer to accomplish precise substrate-epilayer coordination. While this modification is a powerful tool to make high-quality group-III nitride epitaxial layers attainable even on foreign substrates having polar, semipolar and nonpolar orientation, it remains gentle enough to keep the surface of the epilayer extremely smooth. Various embodiments are disclosed.

Classes IPC  ?

• H01L 21/44 - Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes
• C30B 13/02 - Fusion de zone à l'aide d'un solvant, p. ex. procédé par déplacement du solvant
• C30B 31/02 - Procédés de diffusion ou de dopage des monocristaux ou des matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéeAppareillages à cet effet par contact avec la substance de diffusion à l'état solide
• C30B 29/40 - Composés AIII BV

Abrégé

Spatio-temporal light field cameras that can be used to capture the light field within its spatio temporally extended angular extent. Such cameras can be used to record 3D images, 2D images that can be computationally focused, or wide angle panoramic 2D images with relatively high spatial and directional resolutions. The light field cameras can be also be used as 2D/3D switchable cameras with extended angular extent. The spatio-temporal aspects of the novel light field cameras allow them to capture and digitally record the intensity and color from multiple directional views within a wide angle. The inherent volumetric compactness of the light field cameras make it possible to embed in small mobile devices to capture either 3D images or computationally focusable 2D images. The inherent versatility of these light field cameras makes them suitable for multiple perspective light field capture for 3D movies and video recording applications.

Classes IPC  ?

• H04N 5/225 - Caméras de télévision
• H04N 5/232 - Dispositifs pour la commande des caméras de télévision, p.ex. commande à distance

Abrégé

Spatio-optical directional light modulators and temporal spatio-optical directional light modulators are introduced. These directional light modulators can be used to create 3D displays, ultra-high resolution 2D displays or 2D/3D switchable displays with extended viewing angle. The temporal spatio-optical aspects of an embodiment of these novel light modulators allow them to modulate the intensity, color and direction of the light they emit within a wide viewing angle. The inherently fast modulation and wide angular coverage capabilities of these directional light modulators increase the achievable viewing angle, and directional resolution making the 3D images created by the display be more realistic or alternatively the 2D images created by the display having ultra high resolution. Alternate embodiments are disclosed.

Classes IPC  ?

• G02B 27/22 - Autres systèmes optiques; Autres appareils optiques pour produire des effets stéréoscopiques ou autres effets de relief
• H04N 13/04 - Reproducteurs d'images
• G02B 26/08 - Dispositifs ou dispositions optiques pour la commande de la lumière utilisant des éléments optiques mobiles ou déformables pour commander la direction de la lumière
• G02B 3/00 - Lentilles simples ou composées

Abrégé

Methods for bonding semiconductor wafers requiring the transfer of electrical and optical signals between the bonded wafers and across the bonding interface. The methods for bonding of semiconductor wafers incorporate the formation of both electrical and optical interconnect vias within the wafer bonding interface to transfer electrical and optical signals between the bonded wafers. The electrical vias are formed across the bonding surface using multiplicity of metal posts each comprised of multiple layers of metal that are interfused across the bonding surface. The optical vias are formed across the bonding surface using multiplicity of optical waveguides each comprised of a dielectric material that interfuses across the bonding interface and having an index of refraction that is higher than the index of refraction of the dielectric intermediary bonding layer between the bonded wafers. The electrical and optical vias are interspersed across the bonding surface between the bonded wafers to enable uniform transfer of both electrical and optical signals between the bonded wafers.

Classes IPC  ?

• H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
• H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images
• H01L 21/20 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale
• H01L 21/762 - Régions diélectriques

Abrégé

Extremely high efficiency solar cells are described. Novel alternating bias schemes enhance the photovoltaic power extraction capability above the cell band-gap by enabling the extraction of hot carriers. In conventional solar cells, this alternating bias scheme has the potential of more than doubling their yielded net efficiency. In solar cells incorporating quantum wells (QWs) or quantum dots (QDs), the alternating bias scheme has the potential of extending such solar cell power extraction coverage, possibly across the entire solar spectrum, thus enabling unprecedented solar power extraction efficiency. Within such cells, a novel alternating bias scheme extends the cell energy conversion capability above the cell material band-gap while the quantum confinement structures are used to extend the cell energy conversion capability below the cell band-gap. Light confinement cavities are incorporated into the cell structure to allow the absorption of the cell internal photo emission, thus further enhancing the cell efficiency.

Classes IPC  ?

• H01L 31/00 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails

Abrégé

Emissive quantum photonic imagers comprised of a spatial array of digitally addressable multicolor pixels. Each pixel is a vertical stack of multiple semiconductor laser diodes, each of which can generate laser light of a different color. Within each multicolor pixel, the light generated from the stack of diodes is emitted perpendicular to the plane of the imager device via a plurality of vertical waveguides that are coupled to the optical confinement regions of each of the multiple laser diodes comprising the imager device. Each of the laser diodes comprising a single pixel is individually addressable, enabling each pixel to simultaneously emit any combination of the colors associated with the laser diodes at any required on/off duty cycle for each color. Each individual multicolor pixel can simultaneously emit the required colors and brightness values by controlling the on/off duty cycles of their respective laser diodes.

Classes IPC  ?

• H01S 5/00 - Lasers à semi-conducteurs

Abrégé

Designs of extremely high efficiency solar cells are described. A novel alternating bias scheme enhances the photovoltaic power extraction capability above the cell band-gap by enabling the extraction of hot carriers. When applied in conventional solar cells, this alternating bias scheme has the potential of more than doubling their yielded net efficiency. When applied in conjunction with solar cells incorporating quantum wells (QWs) or quantum dots (QDs) based solar cells, the described alternating bias scheme has the potential of extending such solar cell power extraction coverage, possibly across the entire solar spectrum, thus enabling unprecedented solar power extraction efficiency. Within such cells, a novel alternating bias scheme extends the cell energy conversion capability above the cell material band-gap while the quantum confinement structures are used to extend the cell energy conversion capability below the cell band-gap. Light confinement cavities are incorporated into the cell structure in order to allow the absorption of the cell internal photo emission, thus further enhancing the cell efficiency.

Classes IPC  ?

• H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
• H01L 31/02 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails
• H01L 31/068 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type homojonction PN, p.ex. cellules solaires à homojonction PN en silicium massif ou cellules solaires à homojonction PN en couches minces de silicium polycristallin
• H01L 31/042 - Modules PV ou matrices de cellules PV individuelles
• H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes
• H01L 31/0304 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
• H01L 31/0296 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIBVI, p.ex. CdS, ZnS, HgCdTe
• H01L 31/028 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des éléments du groupe IV de la classification périodique

Abrégé

This invention is a device for displaying images that appear to be three-dimensional, with binocular disparity and motion parallax, for multiple viewers in different viewing locations. This device includes an array of display elements wherein at least one of these display elements includes: one or more light-emitting members; and two or more rotating concentric light guides whose rotation guides the directions of the light rays from the one or more light-emitting members. This invention has several advantages over methods for displaying three-dimensional images in the prior art. It offers a wide range of motion parallax in different directions for multiple viewers, does not require glasses or head tracking, creates images with full potential for opacity and occlusion, and does not require coherent light.

Classes IPC  ?

• G09G 5/00 - Dispositions ou circuits de commande de l'affichage communs à l'affichage utilisant des tubes à rayons cathodiques et à l'affichage utilisant d'autres moyens de visualisation
• G02B 27/22 - Autres systèmes optiques; Autres appareils optiques pour produire des effets stéréoscopiques ou autres effets de relief

Abrégé

Injection efficiency in both polar and non-polar Ill-nitride light-emitting structures is strongly deteriorated by inhomogeneous population of different quantum wells (QWs) in multiple QW (MQW) active region of the emitter. Inhomogeneous QW population becomes stronger in long-wavelength emitters with deeper active QWs. In both polar and non-polar structures, indium and/or aluminum incorporation into optical waveguide layers and/or barrier layers of the active region, depending on the desired wavelength of the light to be emitted, improves the uniformity of QW population and increases the structure injection efficiency.

Classes IPC  ?

• H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
• H01S 5/20 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique

Abrégé

A method of growing planar non-polar m-plane Ill-Nitride material, such as an m- plane gallium nitride (GaN) epitaxial layer, wherein the Ill-Nitride material is grown on a suitable substrate, such as an m-plane Sapphire substrate, using hydride vapor phase epitaxy (HVPE). The method includes in-situ pretreatment of the substrate at elevated temperatures in the ambient of ammonia and argon, growing an intermediate layer such as an aluminum nitride (AlN) or aluminum-gallium nitride (AlGaN) on the annealed substrate, and growing the non-polar m-plane Ill-Nitride epitaxial layer on the intermediate layer using HVPE. Various alternative methods are disclosed.

Classes IPC  ?

• C30B 25/18 - Croissance d'une couche épitaxiale caractérisée par le substrat
• C30B 29/40 - Composés AIII BV

Abrégé

A method of growing planar non-polar m-plane III-Nitride material, such as an m-plane gallium nitride (GaN) epitaxial layer, wherein the III-Nitride material is grown on a suitable substrate, such as an m-plane Sapphire substrate, using hydride vapor phase epitaxy (HVPE). The method includes in-situ pretreatment of the substrate at elevated temperatures in the ambient of ammonia and argon, growing an intermediate layer such as an aluminum nitride (AlN) or aluminum-gallium nitride (AlGaN) on the annealed substrate, and growing the non-polar m-plane III-Nitride epitaxial layer on the intermediate layer using HVPE. Various alternative methods are disclosed.

Classes IPC  ?

• H01L 31/036 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline ou par l'orientation particulière des plans cristallins

Abrégé

A video display system is described which is formed by an array of pixels comprised of fast responding light elements, row select and column select switches and pixel data drivers, and a computation subsystem which generates the control signals for the select lines and the video data. The overall system reconstructs the intended image or video to be displayed through successively displaying subframes of images corresponding to orthogonal image basis function components of the original image acting on a grouping of pixels selected using multiple row and column lines. The resultant system is an architecture which enables one to implement certain video decompression techniques directly on the light elements, as opposed to implementing these techniques in digital processing, and can have a considerably reduced raw video data requirement than a system in which pixels are addressed individually, and enables higher dynamic range to be achieved with similar digital-analog-converter specifications. Embodiments with LED based displays are described herein.

Classes IPC  ?

• G09G 3/20 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice
• G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides
• G09G 3/34 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante

Abrégé

A video display system is described which is formed by an array of pixels comprised of fast responding light elements, row select and column select switches and pixel data drivers, and a computation subsystem which generates the control signals for the select lines and the video data. The overall system reconstructs the intended image or video to be displayed through successively displaying subframes of images corresponding to orthogonal image basis function components of the original image acting on a grouping of pixels selected using multiple row and column lines. The resultant system is an architecture which enables one to implement certain video decompression techniques directly on the light elements, as opposed to implementing these techniques in digital processing, and can have a considerably reduced raw video data requirement than a system in which pixels are addressed individually, and enables higher dynamic range to be achieved with similar digital-analog-converter specifications. Embodiments with LED based displays are described herein.

Classes IPC  ?

• G09G 5/10 - Circuits d'intensité

Produits et services

Solid state light based emissive imagers;  solid state imaging devices; light emitting diode displays and component parts thereof; flat panel and curved panel displays incorporating the aforesaid goods; software for operating the aforesaid goods; electronic documentation and operating manuals and non-printed publications related to the aforesaid goods. Servicing, maintenance, cleaning and repair of flat panel and curved panel displays incorporating solid state light based emissive imagers and solid state imaging devices. Technical support and help-line services relating to the operation and installation of flat panel and curved panel displays incorporating solid state light based emissive imagers and solid state imaging devices; research, development and design services in the field of solid state light based emissive imagers and solid state image devices.

Abrégé

Hydride phase vapor epitaxy (HVPE) growth apparatus, methods and materials and structures grown thereby. A HVPE growth apparatus includes generation, accumulation and growth zones. A first reactive gas reacts with an indium source inside the generation zone to produce a first gas product having an indium-containing compound. The first gas product is transported to the accumulation zone where it cools and condenses into a source material having an indium-containing compound. The source material is collected in the accumulation zone and evaporated. Vapor or gas resulting from evaporation of the source material forms reacts with a second reactive gas in the growth zone for growth of ternary and quaternary materials including indium gallium nitride, indium aluminum nitride, and indium gallium aluminum nitride.

Classes IPC  ?

• C30B 25/14 - Moyens d'introduction et d'évacuation des gazModification du courant des gaz réactifs