- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C30B - Croissance des monocristauxsolidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdesaffinage des matériaux par fusion de zoneproduction de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéemonocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéepost-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéeappareillages à cet effet
- C30B 1/08 - Recristallisation par zone
Détention brevets de la classe C30B 1/08
Brevets de cette classe: 10
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Raytheon Company | 8443 |
3 |
| IP3 2023, Series 923 of Allied Security Trust I | 99 |
2 |
| Korea Research Institute of Standards and Science | 691 |
1 |
| National Institute for Materials Science | 1087 |
1 |
| Toshiba Energy Systems & Solutions Corp. | 1142 |
1 |
| Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | 6102 |
1 |
| Lux Semiconductors | 1 |
1 |
| Autres propriétaires | 0 |