- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C30B - Croissance des monocristauxsolidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdesaffinage des matériaux par fusion de zoneproduction de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéemonocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéepost-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéeappareillages à cet effet
- C30B 11/06 - Croissance des monocristaux par simple solidification ou dans un gradient de température, p. ex. méthode de Bridgman-Stockbarger en introduisant dans le bain fondu le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ au moins un constituant du cristal, mais non tous, étant ajouté
Détention brevets de la classe C30B 11/06
Brevets de cette classe: 29
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| The 13th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation | 135 |
7 |
| Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 16355 |
3 |
| Fisk University | 17 |
3 |
| Consolidated Nuclear Security, LLC | 115 |
2 |
| REC Solar Norway AS | 10 |
2 |
| CapeSym, Inc. | 10 |
1 |
| Globalwafers Co., Ltd. | 730 |
1 |
| JX Nippon Mining & Metals Corporation | 1461 |
1 |
| Nihon Kessho Kogaku Co., Ltd. | 19 |
1 |
| Rensselaer Polytechnic Institute | 851 |
1 |
| Sumco Corporation | 1109 |
1 |
| University of Tennessee Research Foundation | 764 |
1 |
| U.S. Borax Inc. | 116 |
1 |
| GE Infrastructure Technology, LLC | 6165 |
1 |
| Consolidates Nuclear Security, LLC | 1 |
1 |
| Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | 6119 |
1 |
| Hangzhou Garen Semiconductor Co., Ltd. | 2 |
1 |
| Autres propriétaires | 0 |