- Sections
- C - Chimie; métallurgie
- C30B - Croissance des monocristaux; solidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdes; affinage des matériaux par fusion de zone; production de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée; monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée; post-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée; appareillages à cet effet
- C30B 11/08 - Croissance des monocristaux par simple solidification ou dans un gradient de température, p.ex. méthode de Bridgman-Stockbarger en introduisant dans le bain fondu le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ tous les constituants du cristal étant ajoutés pendant la cristallisation
Détention brevets de la classe C30B 11/08
Brevets de cette classe: 19
Historique des publications depuis 10 ans
0
|
1
|
5
|
3
|
1
|
0
|
2
|
0
|
1
|
0
|
2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 |
Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
---|---|---|
Crystal Systems Corporation | 17 |
3 |
Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | 5446 |
2 |
UT-Battelle, LLC | 1391 |
2 |
Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 14972 |
1 |
The Administrators of the Tulane Educational Fund | 385 |
1 |
Consolidated Nuclear Security, LLC | 125 |
1 |
CTS Corporation | 271 |
1 |
Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | 621 |
1 |
Fisk University | 20 |
1 |
Ibaraki University | 53 |
1 |
JX Nippon Mining & Metals Corporation | 1524 |
1 |
Silicor Materials Inc. | 21 |
1 |
The Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry, Chinese Academy of Sciences | 30 |
1 |
Cubicpv Inc. | 122 |
1 |
Rtx Corporation | 9109 |
1 |
Autres propriétaires | 0 |