- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 21/385 - Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, dans ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase solide, p.ex. une couche d'oxyde dopée
Détention brevets de la classe H01L 21/385
Brevets de cette classe: 99
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11080 |
29 |
| Japan Display Inc. | 6774 |
7 |
| Samsung Display Co., Ltd. | 32745 |
5 |
| LG Display Co., Ltd. | 12879 |
4 |
| International Business Machines Corporation | 60095 |
3 |
| Denso Corporation | 23747 |
3 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 40583 |
3 |
| Boe Technology Group Co., Ltd. | 38828 |
3 |
| Japan Advanced Institute of Science and Technology | 128 |
3 |
| Sumitomo Seika Chemicals Co., Ltd. | 1036 |
3 |
| Toyota Motor Corporation | 30398 |
2 |
| Micron Technology, Inc. | 25791 |
2 |
| Infineon Technologies Austria AG | 2063 |
2 |
| Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | 8482 |
2 |
| National Taiwan University | 1165 |
2 |
| Ascent Solar Technologies, Inc. | 37 |
2 |
| e Ink Holdings Inc. | 611 |
2 |
| Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | 3644 |
2 |
| JDI Design and Development G.K. | 1177 |
2 |
| Honeywell International Inc. | 14012 |
1 |
| Autres propriétaires | 17 |