- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 21/8252 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie III-V
Détention brevets de la classe H01L 21/8252
Brevets de cette classe: 491
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Intel Corporation | 47100 |
49 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48490 |
42 |
| Skyworks Solutions, Inc. | 3959 |
18 |
| International Business Machines Corporation | 62672 |
17 |
| Texas Instruments Incorporated | 19647 |
16 |
| Innoscience (Suzhou) Technology Co., ltd. | 171 |
15 |
| Murata Manufacturing Co., Ltd. | 25776 |
14 |
| MACOM Technology Solutions Holdings, Inc. | 864 |
10 |
| QROMIS, Inc. | 97 |
10 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 158156 |
9 |
| Qorvo US, Inc. | 2407 |
9 |
| Cambridge GaN Devices Limited | 57 |
9 |
| Qualcomm Incorporated | 92563 |
8 |
| Mitsubishi Electric Corporation | 48097 |
8 |
| Efficient Power Conversion Corporation | 136 |
8 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6383 |
8 |
| Raytheon Company | 8443 |
7 |
| United Microelectronics Corp. | 4498 |
7 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 11126 |
6 |
| Infineon Technologies Austria AG | 2340 |
5 |
| Autres propriétaires | 216 |