- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/085 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ
Détention brevets de la classe H01L 27/085
Brevets de cette classe: 362
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48861 |
43 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 159029 |
17 |
| Texas Instruments Incorporated | 19644 |
12 |
| International Business Machines Corporation | 62805 |
11 |
| Intel Corporation | 46292 |
9 |
| Micron Technology, Inc. | 27793 |
9 |
| Infineon Technologies Austria AG | 2359 |
9 |
| Cambridge GaN Devices Limited | 57 |
8 |
| Cardea bio, Inc. | 51 |
8 |
| Efficient Power Conversion Corporation | 136 |
7 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6390 |
7 |
| NXP USA, Inc. | 4410 |
7 |
| Innoscience (Suzhou) Technology Co., ltd. | 173 |
6 |
| United Microelectronics Corp. | 4522 |
5 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 11130 |
5 |
| Infineon Technologies Americas Corp. | 1941 |
5 |
| MACOM Technology Solutions Holdings, Inc. | 862 |
5 |
| Renesas Electronics Corporation | 5855 |
4 |
| Raytheon Company | 8443 |
4 |
| Alpha and Omega Semiconductor Incorporated | 442 |
4 |
| Autres propriétaires | 177 |