- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 31/117 - Dispositifs sensibles au rayonnement d'ondes très courtes, p.ex. rayons X, rayons gamma ou rayonnement corpusculaire du type détecteurs de rayonnement à effet de volume, p.ex. détecteurs PIN en Ge compensés au Li pour rayons gamma
Détention brevets de la classe H01L 31/117
Brevets de cette classe: 59
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| LG Display Co., Ltd. | 12879 |
3 |
| University of Sussex | 100 |
3 |
| Mirion Technologies (canberra), Inc. | 48 |
3 |
| Infineon Technologies AG | 8141 |
2 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 40583 |
2 |
| Freescale Semiconductor, Inc. | 1165 |
2 |
| Boe Technology Group Co., Ltd. | 38828 |
2 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6433 |
2 |
| LFoundry S.r.l. | 28 |
2 |
| The Research Foundation for The State University of New York | 1550 |
2 |
| Istituto Nazionale Di Fisica Nucleare (INFN) | 12 |
2 |
| Acorn Semi, LLC | 44 |
2 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 138729 |
1 |
| Xerox Corporation | 7075 |
1 |
| International Business Machines Corporation | 60095 |
1 |
| Sharp Corporation | 10193 |
1 |
| Hitachi, Ltd. | 15220 |
1 |
| FUJIFILM Corporation | 28555 |
1 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11080 |
1 |
| Hydis Technologies Co., Ltd. | 131 |
1 |
| Autres propriétaires | 24 |