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- H - Électricité
- H03K - Technique de l'impulsion
- H03K 19/17788 - Détails structurels pour l'adaptation des paramètres physiques pour les tensions d'entrée/sortie [E/S]
Détention brevets de la classe H03K 19/17788
Brevets de cette classe: 24
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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SK Hynix Inc. | 11200 |
5 |
Samsung Electronics Co., Ltd. | 143812 |
2 |
Apple Inc. | 54416 |
2 |
Raytheon Company | 8395 |
2 |
Xilinx, Inc. | 4017 |
2 |
Gowin Semiconductor Corporation | 64 |
2 |
Texas Instruments Incorporated | 19493 |
1 |
Advanced Micro Devices, Inc. | 5588 |
1 |
Altera Corporation | 2203 |
1 |
The Trustees of Columbia University in the City of New York | 3558 |
1 |
Socionext Inc. | 1551 |
1 |
Board of Trustees of the University of Arkansas | 806 |
1 |
Chengdu Monolithic Power Systems Co., Ltd. | 373 |
1 |
Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University | 2412 |
1 |
Nuvoton Technology Corporation | 592 |
1 |
Autres propriétaires | 0 |