- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 41/46 - Fabrication simultanée de périphérie et de cellules de mémoire ne comprenant qu’un type de transistor de périphérie avec une couche de diélectrique inter-grille également utilisée en tant que partie du transistor périphérique
Détention brevets de la classe H10B 41/46
Brevets de cette classe: 19
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 153845 |
7 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 47319 |
3 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3156 |
3 |
| SK Hynix Inc. | 12154 |
2 |
| United Microelectronics Corp. | 4450 |
2 |
| Shanghai Huali Microelectronics Corporation | 166 |
1 |
| Winbond Electronics Corp. | 1388 |
1 |
| Autres propriétaires | 0 |