- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 41/47 - Fabrication simultanée de périphérie et de cellules de mémoire ne comprenant qu’un type de transistor de périphérie avec une couche de grille flottante également utilisée en tant que partie du transistor périphérique
Détention brevets de la classe H10B 41/47
Brevets de cette classe: 17
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48302 |
10 |
| Micron Technology, Inc. | 27657 |
3 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11821 |
1 |
| Winbond Electronics Corp. | 1433 |
1 |
| Kioxia Corporation | 10815 |
1 |
| SK Keyfoundry Inc. | 256 |
1 |
| Autres propriétaires | 0 |